JP2005285191A - 不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 メモリセルアレイ101に書き込み動作を行った回数に関する情報を、アドレス制御用メモリセル105から読み出し回路106により読み出し、ワード線デコーダ103に渡す。ワード線デコーダ103はこの情報によってメモリセルアレイ101を構成する各メモリセルのアドレスを変更し、書き込み動作時の書き込み順を反転させることができる。これにより、全てのメモリセルに対してホール注入ストレスが均等に加わることになる。
【選択図】 図1
Description
102;アドレス制御回路
103;ワード線デコーダ
104;ビット線デコーダ
105;アドレス制御用メモリセル
106;読み出し回路
107;センスアンプ
108;データラッチ回路
201;ワード線
202;ビット線
203;1番目のメモリセル
204;2番目のメモリセル
205;512番目のメモリセル
301;半導体基板
302;ソース
303;ドレイン
304;トンネル酸化膜
305;フローティングゲート
306;絶縁膜
307;コントロールゲート
401、402、403、404;書込済みのメモリセル
501;チャネルホットエレクトロン
502;ホール
Claims (7)
- 複数のビット線と複数のワード線とでアレイ構成される複数のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、1又は複数回の消去動作毎に、前記複数のメモリセルの書込開始アドレス及び書込順序を設定するアドレス制御回路を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
- 前記不揮発性半導体記憶装置が、更に、消去動作の回数をカウントする消去回数カウンタを有し、前記消去回数カウンタによる消去回数のデータを前記アドレス制御回路に記憶することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 複数のビット線と複数のワード線とでアレイ構成される複数のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルに対する消去回数を記憶したアドレス制御回路と、このアドレス制御回路に記憶された消去回数に応じて前記複数のビット線と複数のワード線とでアレイ構成される複数のメモリセルに対するアドレスの順番を変更するワード線デコーダ及び/又はビット線デコーダと、を有し、1又は複数回の消去動作毎に、前記複数のビット線と複数のワード線とでアレイ構成される複数のメモリセルの書込順を、ビット線方向及び/又はワード線方向において逆にすることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
- 前記アドレス制御回路のデータは、「未書込」であるか、「書込済み」であるかを示すものであり、前記ワード線デコーダ及び/又はビット線デコーダは、前記「未書込」又は「書込済み」に応じてアドレスの順番をビット線方向及び/又はワード線方向において順送り又は逆送りにすると共に、前記アドレス制御回路のデータが「未書込」である場合は書込を行って「書込済み」にし、前記アドレス制御回路のデータが「書込済み」である場合はそのデータを消去して「未書込」にすることを特徴とする請求項3に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 複数のビット線と複数のワード線とでアレイ構成される複数のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置の駆動方法において、1又は複数回の消去動作毎に、前記複数のビット線と複数のワード線とでアレイ構成される複数のメモリセルの書込順をビット線方向及び/又はワード線方向において逆にすることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の駆動方法。
- 複数のビット線と複数のワード線とでアレイ構成される複数のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置の駆動方法において、前記メモリセルに対する消去回数を記憶し、この消去回数に応じて前記複数のビット線と複数のワード線とでアレイ構成される複数のメモリセルに対するアドレスの順番を変更することにより、1又は複数回の消去動作毎に、前記複数のビット線と複数のワード線とでアレイ構成される複数のメモリセルの書込順をビット線方向及び/又はワード線方向において逆にすることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の駆動方法。
- 前記消去回数は、アドレス制御回路に「未書込」又は「書込済み」のデータとして記憶され、前記アドレス制御回路のデータが「未書込」又は「書込済み」である場合に、ワード線デコーダ及び/又はビット線デコーダは、前記「未書込」又は「書込済み」に応じてアドレスの順番をビット線方向及び/又はワード線方向において順送り又は逆送りにしてメモリセルアレイに対する書込順を決めると共に、前記アドレス制御回路のデータが「未書込」である場合は書込を行って「書込済み」にし、前記アドレス制御回路のデータが「書込済み」である場合はそのデータを消去して「未書込」にすることを特徴とする請求項6に記載の不揮発性半導体記憶装置の駆動方法。
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