JP2005277441A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 蛍光体層によって４３０ｎｍを超え５００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する青色光を放つ青色発光ダイオードを封止した構造の半導体発光素子であって、
   前記蛍光体層は、前記青色発光ダイオードが放つ青色光を吸収して黄色系の蛍光を放つ黄色系蛍光体を含み、前記黄色系蛍光体は、中心粒径が０．５μｍ以上３０μｍ以下で斜方晶系の結晶構造を有する（Ｓｒ_1-a1-b2-xＢａ_a1Ｃａ_b2Ｅｕ_x）₂ＳｉＯ₄の化学式で表される化合物を主体とした珪酸塩蛍光体であり、
   基板上にフリップチップ型の前記青色発光ダイオードを導通搭載するとともに、前記蛍光体層のパッケージによって前記フリップチップ型の青色発光ダイオードを封止したことを特徴とする半導体発光素子。
   ただし、ａ１、ｂ２、ｘは、各々、０≦ａ１≦０．３、０≦ｂ２≦０．６、０．００５＜ｘ＜０．１を満足する数値である。
2. 前記基板はサブマウント素子である請求項１記載の半導体発光素子。
3. 前記青色発光ダイオードの主光取り出し面上に位置する前記蛍光体層の表面が、平坦でかつ前記主光取り出し面に対して平行である請求項１または２に記載の半導体発光素子。
4. 前記黄色系蛍光体の中心粒径が、１μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発光素子。
5. 透光性を有する樹脂からなる母材と前記蛍光体とを主体とし、かつ、前記蛍光体の粒子が前記母材中の全体に渡って散点した構造の蛍光体層を有する請求項１〜４のいずれかに記載の半導体発光素子。
6. 蛍光体ペースト中に、一次粒子の平均径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にある超微粒子を含め、該蛍光体ペーストを硬化して形成した蛍光体層であることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子。
7. 前記黄色系蛍光体は、５５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する蛍光を放つことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体発光素子。
8. 前記青色発光ダイオードが、窒化ガリウム系化合物半導体、セレン化亜鉛半導体、酸化亜鉛半導体のいずれかの青色無機発光ダイオードである請求項７記載の半導体発光素子。
9. 前記青色発光ダイオードと前記蛍光体とを組み合わせた半導体発光素子が放つ発光色の、ＣＩＥ色度図における発光色度点（ｘ，ｙ）が、０．２１≦ｘ≦０．４８、０．１９≦ｙ≦０．４５の範囲である請求項１〜５のいずれかに記載の半導体発光素子。
10. 前記青色発光ダイオードが放つ青色光が前記蛍光体層を通過することによって、前記青色光と前記黄色系蛍光体が放つ蛍光とを加色させて白色光を放つことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体発光素子。
11. 波長６００ｎｍを超え６６０ｎｍ以下の赤色系領域に主発光ピークを有する赤色蛍光体を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体発光素子。
12. 波長５００ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の緑色系領域に主発光ピークを有する緑色蛍光体を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体発光素子。
13. 緑色蛍光体が、以下の化学式で表される化合物を主体にしてなる珪酸塩蛍光体であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体発光素子。
    （Ｓｒ_1-a3-b3-xＢａ_a3Ｃａ_b3Ｅｕ_x）₂ＳｉＯ₄
    ただし、ａ３、ｂ３、ｘは、各々、０≦ａ３≦１、０≦ｂ３≦１、０＜ｘ＜１を満足する数値である。
14. 組成が異なる複数の前記黄色系蛍光体を蛍光体層中に含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体発光素子。
15. 請求項１〜１４のいずれかに記載の半導体発光素子を用いて構成したことを特徴とする半導体発光装置。