JP2005260052A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の窒化物半導体装置10は、ショットキー電極5とオーミック電極4a,4bとを有する高電子移動度トランジスタを有する窒化物半導体装置であって、主表面を有するAlGaN層3と、主表面に形成された高濃度不純物領域6a,6bと、低濃度不純物領域7とを備えている。高濃度不純物領域6a,6bおよび低濃度不純物領域7とは離れたAlGaN層3の主表面上にショットキー電極5が形成されている。オーミック電極4bが高濃度不純物領域6bとオーミック接合するようにAlGaN層3の主表面に形成されている。低濃度不純物領域7は高濃度不純物領域6bとショットキー電極5との間に形成されており、かつ低濃度不純物領域7の不純物濃度は高濃度不純物領域6bの不純物濃度よりも低い。
【選択図】 図1
Description
と、半導体層との電気抵抗、すなわちコンタクト抵抗を低くするために、通常、オーミック電極と接触する半導体層(オーミックコンタクト領域)内に高濃度の不純物領域が形成されている。このような技術は、たとえば後述する非特許文献1に開示されている。上記非特許文献1では、GaN(窒化ガリウム)基板のオーミックコンタクト領域にSi(シリコン)を選択的にイオン注入し、1150℃で15秒間アニールすることにより高濃度の不純物領域が形成される。そして、オーミックコンタクト領域を覆うようにTi(チタン)とAl(アルミニウム)とよりなる2つのオーミック電極が形成される。
J. C. Zolper and R. J. Shul et al., "Ion-implanted GaN junction field effect transistor", Appl. Phys. Lett. Vol. 68, No. 16, 15 April 1996, pp. 2273-2275
図1は、本発明の実施の形態1における窒化物半導体装置の構成を示す断面図である。
図10は、本発明の実施の形態2における窒化物半導体装置の構成を示す断面図である。
図11は、本発明の実施の形態3における窒化物半導体装置の構成を示す断面図である。
Claims (8)
- ゲート電極とソースおよびドレイン電極とを有する高電子移動度トランジスタを有する半導体装置であって、
主表面を有する窒化物半導体層と、
前記主表面に形成された第1および第2の不純物領域とを備え、
前記第1および前記第2の不純物領域とは離れた前記主表面上に前記ゲート電極が形成されており、
前記ソースおよびドレイン電極の一方が前記第1の不純物領域とオーミック接合するように前記主表面に形成されており、
前記第2の不純物領域は前記第1の不純物領域と前記ゲート電極との間に形成されており、かつ前記第2の不純物領域の不純物濃度は前記第1の不純物領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする、半導体装置。 - 前記第2の不純物領域の幅は0.2μm以上であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- ゲート電極とソースおよびドレイン電極とを有する高電子移動度トランジスタを有する半導体装置であって、
主表面を有する窒化物半導体層と、
前記主表面に形成された第1および第2および第3および第4の不純物領域とを備え、
前記第1および前記第2および前記第3および前記第4の不純物領域とは離れた前記主表面上に前記ゲート電極が形成されており、
前記ソースおよびドレイン電極の一方が前記第1の不純物領域とオーミック接合するように前記主表面に形成されており、
前記第2の不純物領域は前記第1の不純物領域と前記ゲート電極との間に形成されており、かつ前記第2の不純物領域の不純物濃度は前記第1の不純物領域の不純物濃度よりも低く、
前記ソースおよびドレイン電極の他方が前記第3の不純物領域とオーミック接合するように前記主表面上に形成されており、
前記第4の不純物領域は前記第3の不純物領域と前記ゲート電極との間に形成されており、かつ前記第4の不純物領域の不純物濃度は前記第3の不純物領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする、半導体装置。 - 前記第4の不純物領域の幅は0.2μm以上であることを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置。
- ゲート電極とソースおよびドレイン電極とを有する高電子移動度トランジスタを有する半導体装置の製造方法であって、
窒化物半導体層の主表面に第1の不純物領域を形成する工程と、
前記第1の不純物領域と前記ゲート電極との間の前記主表面に第2の不純物領域を形成する工程と、
前記第1の不純物領域とオーミック接合する前記ソースおよびドレイン電極の一方を前記主表面上に形成する工程と、
前記主表面上に前記ゲート電極を形成する工程とを含み、
前記第2の不純物領域の不純物濃度は前記第1の不純物領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 前記主表面上をマスクする工程をさらに含み、
前記第1の不純物領域は、前記マスクされていない前記主表面から、前記主表面に対して角θ1をなす方向に不純物を注入することにより形成され、
前記第2の不純物領域は、前記マスクされていない前記主表面から、前記主表面に対して角θ1よりも小さい角度θ2をなす方向に不純物を注入することにより形成されることを特徴とする、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記主表面に第3の不純物領域を形成する工程と、
前記第3の不純物領域と前記ゲート電極との間に前記第4の不純物領域を形成する工程と、
前記第3の不純物領域とオーミック接合する前記ソースおよびドレイン電極の他方を前記主表面上に形成する工程とをさらに含み、
前記第4の不純物領域の不純物濃度は前記第3の不純物領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする、請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記主表面上をマスクする工程をさらに含み、
前記第3の不純物領域は、前記マスクされていない前記主表面から、前記主表面に対して角θ1をなす方向に不純物を注入することにより形成され、
前記第4の不純物領域は、前記マスクされていない前記主表面から、前記主表面に対して角θ1よりも小さい角度θ2をなす方向に不純物を注入することにより形成されることを特徴とする、請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
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