JP2005223119A - Apparatus and method for forming coating film - Google Patents
Apparatus and method for forming coating film Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005223119A JP2005223119A JP2004029031A JP2004029031A JP2005223119A JP 2005223119 A JP2005223119 A JP 2005223119A JP 2004029031 A JP2004029031 A JP 2004029031A JP 2004029031 A JP2004029031 A JP 2004029031A JP 2005223119 A JP2005223119 A JP 2005223119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- stage
- coating film
- lcd substrate
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B66—HOISTING; LIFTING; HAULING
- B66F—HOISTING, LIFTING, HAULING OR PUSHING, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, e.g. DEVICES WHICH APPLY A LIFTING OR PUSHING FORCE DIRECTLY TO THE SURFACE OF A LOAD
- B66F17/00—Safety devices, e.g. for limiting or indicating lifting force
- B66F17/006—Safety devices, e.g. for limiting or indicating lifting force for working platforms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B66—HOISTING; LIFTING; HAULING
- B66F—HOISTING, LIFTING, HAULING OR PUSHING, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, e.g. DEVICES WHICH APPLY A LIFTING OR PUSHING FORCE DIRECTLY TO THE SURFACE OF A LOAD
- B66F11/00—Lifting devices specially adapted for particular uses not otherwise provided for
- B66F11/04—Lifting devices specially adapted for particular uses not otherwise provided for for movable platforms or cabins, e.g. on vehicles, permitting workmen to place themselves in any desired position for carrying out required operations
- B66F11/044—Working platforms suspended from booms
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
Description
本発明は、液晶表示装置(LCD)等のFPD(フラットパネルディスプレイ)に用いられるガラス基板等の基板に、塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置および塗布膜形成方法に関する。 The present invention relates to a coating film forming apparatus and a coating film forming method for forming a coating film by supplying a coating liquid to a substrate such as a glass substrate used in an FPD (flat panel display) such as a liquid crystal display device (LCD).
例えば、液晶表示装置(LCD)の製造工程においては、フォトリソグラフィー技術を用いて、ガラス基板に所定の回路パターンを形成している。すなわち、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成し、これを乾燥、熱処理した後に、露光処理、現像処理を逐次行っている。 For example, in a manufacturing process of a liquid crystal display device (LCD), a predetermined circuit pattern is formed on a glass substrate by using a photolithography technique. That is, a resist solution is supplied to a glass substrate to form a coating film, which is dried and heat-treated, and then subjected to exposure processing and development processing sequentially.
ここで、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成する装置としては、ガラス基板を水平に真空吸着する載置台と、この載置台に保持された基板にレジスト液を供給するレジスト供給ノズルと、載置台とレジスト供給ノズルとを水平方向で相対的に移動させる移動機構と、を有する塗布膜形成装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。 Here, as a device for forming a coating film by supplying a resist solution to a glass substrate, a mounting table that horizontally vacuum-sucks the glass substrate, and a resist supply nozzle that supplies the resist solution to the substrate held on the mounting table In addition, a coating film forming apparatus having a moving mechanism that relatively moves the mounting table and the resist supply nozzle in the horizontal direction is known (for example, see Patent Document 1).
しかしながら、LCD用のガラス基板は厚さが薄いために、載置台に設けられた吸気孔がガラス基板の表面に転写されやすいという問題がある。また、基板の裏面に多くのパーティクルが付着するという問題がある。さらに、載置台に対する基板の脱着に所定の時間を必要とするために、必ずしもスループットはよいものとは言えない。さらにまた、近年におけるガラス基板の大型化に伴う載置台およびレジスト供給ノズルの大型化によって、これらを相対的に移動させる移動機構の構成が大掛かりなものとなるために、基板をできるだけ単純な構造で移動させたいという要求もある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、基板表面での転写跡の発生を抑制するとともに、基板裏面へのパーティクルの付着を防止した塗布膜形成装置および塗布膜形成方法を提供することを目的とする。また、本発明は、基板を搬送する機構の構造が簡単であり、しかも高いスループットで塗布膜を形成することができる塗布膜形成装置および塗布膜形成方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a coating film forming apparatus and a coating film forming method that suppress the generation of transfer traces on the substrate surface and prevent the adhesion of particles to the back surface of the substrate. The purpose is to do. It is another object of the present invention to provide a coating film forming apparatus and a coating film forming method capable of forming a coating film with a high throughput with a simple structure of a mechanism for transporting a substrate.
すなわち、本発明によれば、基板を一方向に搬送しながら前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
表面の所定位置に所定のガスを噴射するための複数のガス噴射口が設けられたステージと、
前記ステージ上で基板を一方向に搬送する基板搬送機構と、
前記ステージ上を移動する基板の表面に所定の塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、
を備え、
前記基板は、前記ガス噴射口から噴射されるガスによって略水平姿勢で前記ステージの表面から浮いた状態で、前記基板搬送機構によって搬送されることを特徴とする塗布膜形成装置、が提供される。
That is, according to the present invention, a coating film forming apparatus that forms a coating film by supplying a predetermined coating liquid to the substrate while conveying the substrate in one direction,
A stage provided with a plurality of gas injection ports for injecting a predetermined gas at a predetermined position on the surface;
A substrate transport mechanism for transporting the substrate in one direction on the stage;
A coating liquid supply nozzle for supplying a predetermined coating liquid to the surface of the substrate moving on the stage;
With
There is provided a coating film forming apparatus, wherein the substrate is transported by the substrate transport mechanism in a state of being floated from the surface of the stage in a substantially horizontal posture by gas ejected from the gas ejection port. .
また、本発明によれば、基板を一方向に搬送しながら前記基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、
基板の周縁の一部を保持し、表面から所定のガスが噴射されているステージの上に前記基板を略水平姿勢で浮かせる工程と、
前記基板を浮上状態に維持して前記ステージ上を一方向に搬送しながら、前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする塗布膜形成方法、が提供される。
Further, according to the present invention, there is provided a coating film forming method for forming a coating film by supplying a coating liquid to the substrate while conveying the substrate in one direction,
Holding a part of the periphery of the substrate and floating the substrate in a substantially horizontal position on a stage on which a predetermined gas is injected from the surface;
Supplying a predetermined coating solution to the substrate to form a coating film while maintaining the substrate in a floating state and transporting the substrate in one direction; and
There is provided a coating film forming method characterized by comprising:
本発明によれば、基板はステージから浮上した状態で搬送されるために、ステージ表面の転写が起こらず、基板裏面へのパーティクル付着が抑制され、小さな力で基板を搬送することができる。また、基板全体が下側から噴射されるガスによって支持された形態となるために、基板の姿勢を水平に保持することが容易であり、これによって塗布膜に厚みむらが発生することを抑制することができる。さらに、基板を逐次搬送して塗布処理を行うことができるために、高いスループットを得ることができる。 According to the present invention, since the substrate is transported in a state of floating from the stage, transfer of the surface of the stage does not occur, particle adhesion to the back surface of the substrate is suppressed, and the substrate can be transported with a small force. Further, since the entire substrate is supported by the gas injected from below, it is easy to keep the posture of the substrate horizontal, thereby suppressing the occurrence of uneven thickness in the coating film. be able to. Furthermore, since the substrate can be sequentially conveyed to perform the coating process, a high throughput can be obtained.
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、本発明を、LCD用のガラス基板(以下「LCD基板」という)の表面にレジスト膜を形成する装置および方法に適用した場合について説明することとする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Here, the case where the present invention is applied to an apparatus and a method for forming a resist film on the surface of a glass substrate for LCD (hereinafter referred to as “LCD substrate”) will be described.
図1に、LCD基板へのレジスト膜の形成と、露光処理後のレジスト膜の現像処理を行うレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図を示す。このレジスト塗布・現像処理システム100は、複数のLCD基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション(搬入出部)1と、LCD基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション(処理部)2と、露光装置4との間でLCD基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション(インターフェイス部)3とを備えており、カセットステーション1とインターフェイスステーション3はそれぞれ処理ステーション2の両端に配置されている。なお、図1において、レジスト塗布・現像処理システム100の長手方向をX方向、平面上においてX方向と直交する方向をY方向とする。 FIG. 1 shows a schematic plan view of a resist coating / development processing system for forming a resist film on an LCD substrate and developing the resist film after exposure processing. This resist coating / development processing system 100 performs a series of processes including resist coating and development on the cassette station (loading / unloading unit) 1 on which a cassette C accommodating a plurality of LCD substrates G is placed. A processing station (processing unit) 2 having a plurality of processing units, and an interface station (interface unit) 3 for transferring the LCD substrate G to and from the exposure apparatus 4. The interface stations 3 are respectively disposed at both ends of the processing station 2. In FIG. 1, the longitudinal direction of the resist coating / development processing system 100 is the X direction, and the direction perpendicular to the X direction on the plane is the Y direction.
カセットステーション1は、カセットCをY方向に並べて載置できる載置台9と、処理ステーション2との間でLCD基板Gの搬入出を行うための搬送装置11を備えており、この載置台9と外部との間でカセットCの搬送が行われる。搬送装置11は搬送アーム11aを有し、カセットCの配列方向であるY方向に沿って設けられた搬送路10上を移動可能であり、搬送アーム11aによりカセットCと処理ステーション2との間でLCD基板Gの搬入出が行われる。 The cassette station 1 includes a mounting table 9 on which the cassette C can be mounted in the Y direction, and a transfer device 11 for carrying the LCD substrate G in and out of the processing station 2. The cassette C is transported to the outside. The transfer device 11 has a transfer arm 11a and can move on a transfer path 10 provided along the Y direction which is the arrangement direction of the cassettes C. The transfer arm 11a moves between the cassette C and the processing station 2. Loading and unloading of the LCD substrate G is performed.
処理ステーション2は、基本的にX方向に伸びるLCD基板G搬送用の平行な2列の搬送ラインA・Bを有しており、搬送ラインAに沿ってカセットステーション1側からインターフェイスステーション3に向けて、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21と、第1の熱的処理ユニットセクション26と、レジスト処理ユニット23と、第2の熱的処理ユニットセクション27と、が配列されている。 The processing station 2 basically has two parallel rows of transfer lines A and B for transferring the LCD substrate G extending in the X direction, and is directed from the cassette station 1 side to the interface station 3 along the transfer line A. A scrub cleaning unit (SCR) 21, a first thermal processing unit section 26, a resist processing unit 23, and a second thermal processing unit section 27 are arranged.
また、搬送ラインBに沿ってインターフェイスステーション3側からカセットステーション1に向けて、第2の熱的処理ユニットセクション27と、現像処理ユニット(DEV)24と、i線UV照射ユニット(i−UV)25と、第3の熱的処理ユニットセクション28と、が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21の上の一部にはエキシマUV照射ユニット(e−UV)22が設けられている。なお、エキシマUV照射ユニット(e−UV)22はスクラバ洗浄に先立ってLCD基板Gの有機物を除去するために設けられ、i線UV照射ユニット(i−UV)25は現像の脱色処理を行うために設けられる。 Further, from the interface station 3 side toward the cassette station 1 along the transfer line B, the second thermal processing unit section 27, the development processing unit (DEV) 24, and the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 and a third thermal processing unit section 28 are arranged. An excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided on a part of the scrub cleaning unit (SCR) 21. An excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided to remove organic substances on the LCD substrate G prior to scrubber cleaning, and an i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 performs a decoloring process for development. Is provided.
スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21では、その中でLCD基板Gが略水平姿勢で搬送されながら洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。現像処理ユニット(DEV)24では、LCD基板Gが略水平姿勢で搬送されながら、現像液塗布、リンス、乾燥処理が逐次行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21および現像処理ユニット(DEV)24では、LCD基板Gの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、LCD基板Gの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、i線UV照射ユニット(i−UV)25へのLCD基板Gの搬送は、現像処理ユニット(DEV)24の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。 In the scrub cleaning unit (SCR) 21, the cleaning process and the drying process are performed while the LCD substrate G is conveyed in a substantially horizontal posture. In the development processing unit (DEV) 24, the developer coating, rinsing and drying processes are sequentially performed while the LCD substrate G is conveyed in a substantially horizontal posture. In the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 and the development processing unit (DEV) 24, the LCD substrate G is transported by, for example, roller transport or belt transport, and the carry-in port and the carry-out port of the LCD substrate G are short sides opposite to each other. Is provided. Further, the conveyance of the LCD substrate G to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is continuously performed by a mechanism similar to the conveyance mechanism of the development processing unit (DEV) 24.
レジスト処理ユニット23は、後に詳細に説明するように、LCD基板Gを略水平姿勢で搬送しながら、レジスト液を供給し、塗布膜を形成するレジスト塗布装置(CT)23aと、減圧雰囲気にLCD基板GをさらすことによりLCD基板G上に形成された塗布膜に含まれる揮発成分を蒸発させて塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置(VD)23bと、を備えている。 As will be described in detail later, the resist processing unit 23 supplies a resist liquid while transporting the LCD substrate G in a substantially horizontal posture, and forms a coating film on the LCD in a reduced pressure atmosphere. A vacuum drying device (VD) 23b that evaporates volatile components contained in the coating film formed on the LCD substrate G by exposing the substrate G to dry the coating film.
第1の熱的処理ユニットセクション26は、LCD基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)31・32を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)31はスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)32はレジスト処理ユニット23側に設けられている。これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)31・32の間に第1の搬送装置33が設けられている。 The first thermal processing unit section 26 includes two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32 configured by stacking thermal processing units that perform thermal processing on the LCD substrate G. The thermal processing unit block (TB) 31 is provided on the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 side, and the thermal processing unit block (TB) 32 is provided on the resist processing unit 23 side. A first transport device 33 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32.
図2の第1の熱的処理ユニットセクション26の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)31は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)61と、LCD基板Gに対して脱水ベーク処理を行う2つの脱水ベークユニット(DHP)62・63と、LCD基板Gに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット(AD)64が4段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック(TB)32は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)65と、LCD基板Gを冷却する2つのクーリングユニット(COL)66・67と、LCD基板Gに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット(AD)68が4段に積層された構成を有している。 As shown in the side view of the first thermal processing unit section 26 in FIG. 2, the thermal processing unit block (TB) 31 includes a pass unit (PASS) 61 for transferring the LCD substrate G in order from the bottom, and an LCD Two dehydration bake units (DHP) 62 and 63 for performing a dehydration bake process on the substrate G and an adhesion processing unit (AD) 64 for performing a hydrophobization process on the LCD substrate G are stacked in four stages. It has a configuration. The thermal processing unit block (TB) 32 includes a pass unit (PASS) 65 for transferring the LCD substrate G in order from the bottom, two cooling units (COL) 66 and 67 for cooling the LCD substrate G, an LCD An adhesion processing unit (AD) 68 that performs a hydrophobic treatment on the substrate G is stacked in four stages.
第1の搬送装置33は、パスユニット(PASS)61を介してのスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21からのLCD基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間のLCD基板Gの搬入出、およびパスユニット(PASS)65を介してのレジスト処理ユニット23へのLCD基板Gの受け渡しを行う。 The first transfer device 33 receives the LCD substrate G from the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 via the pass unit (PASS) 61, carries in and out the LCD substrate G between the thermal processing units, and passes. The LCD substrate G is transferred to the resist processing unit 23 through the unit (PASS) 65.
第1の搬送装置33は、上下に延びるガイドレール91と、ガイドレール91に沿って昇降する昇降部材92と、昇降部材92上を旋回可能に設けられたベース部材93と、ベース部材93上を前進後退可能に設けられ、LCD基板Gを保持する基板保持アーム94とを有している。昇降部材92の昇降はモータ95によって行われ、ベース部材93の旋回はモータ96によって行われ、基板保持アーム94の前後動はモータ97によって行われる。このように第1の搬送装置33は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック(TB)31・32のいずれのユニットにもアクセスすることができる。 The first transport device 33 includes a guide rail 91 that extends vertically, a lifting member 92 that moves up and down along the guide rail 91, a base member 93 that can pivot on the lifting member 92, and a base member 93. It has a substrate holding arm 94 that is provided so as to be able to move forward and backward and holds the LCD substrate G. The elevating member 92 is moved up and down by the motor 95, the base member 93 is turned by the motor 96, and the substrate holding arm 94 is moved back and forth by the motor 97. Thus, the 1st conveyance apparatus 33 can be moved up and down, back and forth, and swiveled, and can access any unit of thermal processing unit block (TB) 31 * 32.
第2の熱的処理ユニットセクション27は、LCD基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)34・35を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)34はレジスト処理ユニット23側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)35は現像処理ユニット(DEV)24側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)34・35の間に、第2の搬送装置36が設けられている。 The second thermal processing unit section 27 includes two thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35 configured by stacking thermal processing units for performing thermal processing on the LCD substrate G. The thermal processing unit block (TB) 34 is provided on the resist processing unit 23 side, and the thermal processing unit block (TB) 35 is provided on the development processing unit (DEV) 24 side. A second transfer device 36 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35.
図3の第2の熱的処理ユニットセクション27の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)34は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)69とLCD基板Gに対してプリベーク処理を行う3つのプリベークユニット(PREBAKE)70・71・72が4段に積層された構成となっている。また、熱的処理ユニットブロック(TB)35は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)73と、LCD基板Gを冷却するクーリングユニット(COL)74と、LCD基板Gに対してプリベーク処理を行う2つのプリベークユニット(PREBAKE)75・76が4段に積層された構成となっている。 As shown in the side view of the second thermal processing unit section 27 in FIG. 3, the thermal processing unit block (TB) 34 includes a pass unit (PASS) 69 and an LCD substrate for transferring the LCD substrate G in order from the bottom. Three pre-bake units (PREBAKE) 70, 71 and 72 for performing pre-bake processing on G are stacked in four stages. In addition, the thermal processing unit block (TB) 35 includes a pass unit (PASS) 73 for transferring the LCD substrate G in order from the bottom, a cooling unit (COL) 74 for cooling the LCD substrate G, and the LCD substrate G. Thus, two pre-baking units (PREBAKE) 75 and 76 for performing pre-baking are stacked in four stages.
第2の搬送装置36は、パスユニット(PASS)69を介してのレジスト処理ユニット23からのLCD基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間のLCD基板Gの搬入出、パスユニット(PASS)73を介しての現像処理ユニット(DEV)24へのLCD基板Gの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション3の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44に対するLCD基板Gの受け渡しおよび受け取り、を行う。なお、第2の搬送装置36は、第1の搬送装置33と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)34・35のいずれのユニットにもアクセス可能である。 The second transfer device 36 receives the LCD substrate G from the resist processing unit 23 through the pass unit (PASS) 69, carries in and out the LCD substrate G between the thermal processing units, and passes the pass unit (PASS) 73. Passing the LCD substrate G to the development processing unit (DEV) 24 via the interface, and transferring and receiving the LCD substrate G to an extension / cooling stage (EXT / COL) 44 which is a substrate transfer portion of the interface station 3 to be described later, I do. The second transfer device 36 has the same structure as the first transfer device 33, and can access any unit of the thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35.
第3の熱的処理ユニットセクション28は、LCD基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)37・38を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)37は現像処理ユニット(DEV)24側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)38はカセットステーション1側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)37・38の間に、第3の搬送装置39が設けられている。 The third thermal processing unit section 28 includes two thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38 configured by stacking thermal processing units for performing thermal processing on the LCD substrate G. The thermal processing unit block (TB) 37 is provided on the development processing unit (DEV) 24 side, and the thermal processing unit block (TB) 38 is provided on the cassette station 1 side. A third transfer device 39 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38.
図4の第3の熱的処理ユニットセクション28の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)37は、下から順に、LCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)77と、LCD基板Gに対してポストベーク処理を行う3つのポストベークユニット(POBAKE)78・79・80が4段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック(TB)38は、下から順に、ポストベークユニット(POBAKE)81と、LCD基板Gの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット(PASS・COL)82と、LCD基板Gに対してポストベーク処理を行う2つのポストベークユニット(POBAKE)83・84が4段に積層された構成を有している。 As shown in the side view of the third thermal processing unit section 28 in FIG. 4, the thermal processing unit block (TB) 37 includes, in order from the bottom, a pass unit (PASS) 77 that delivers the LCD substrate G, and Three post-baking units (POBAKE) 78, 79, and 80 for performing post-baking processing on the LCD substrate G are stacked in four stages. The thermal processing unit block (TB) 38 includes a post-bake unit (POBAKE) 81, a pass / cooling unit (PASS / COL) 82 for transferring and cooling the LCD substrate G, and an LCD substrate G in order from the bottom. , Two post-bake units (POBAKE) 83 and 84 for performing post-bake processing are stacked in four stages.
第3の搬送装置39は、パスユニット(PASS)77を介してのi線UV照射ユニット(i−UV)25からのLCD基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間のLCD基板Gの搬入出、パス・クーリングユニット(PASS・COL)82を介してのカセットステーション1へのLCD基板Gの受け渡しを行う。なお、第3の搬送装置39も第1の搬送装置33と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)37・38のいずれのユニットにもアクセス可能である。 The third transport device 39 receives the LCD substrate G from the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 via the pass unit (PASS) 77, and carries the LCD substrate G in and out of the thermal processing unit. Then, the LCD substrate G is transferred to the cassette station 1 through the pass / cooling unit (PASS / COL) 82. The third transfer device 39 has the same structure as the first transfer device 33, and can access any unit of the thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38.
処理ステーション2では、以上のように2列の搬送ラインA・Bを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインA・B間には空間40が設けられている。そして、この空間40を往復動可能にシャトル(基板載置部材)41が設けられている。このシャトル41はLCD基板Gを保持可能に構成されており、シャトル41を介して搬送ラインA・B間でLCD基板Gの受け渡しが行われる。シャトル41に対するLCD基板Gの受け渡しは、上記第1から第3の搬送装置33・36・39によって行われる。 In the processing station 2, the processing units and the transport devices are arranged so as to form the transport lines A and B in two rows as described above and basically in the order of processing. A space 40 is provided between B. A shuttle (substrate mounting member) 41 is provided so as to be able to reciprocate in the space 40. The shuttle 41 is configured to be able to hold the LCD substrate G, and the LCD substrate G is transferred between the transport lines A and B via the shuttle 41. The delivery of the LCD substrate G to the shuttle 41 is performed by the first to third transfer devices 33, 36, and 39.
インターフェイスステーション3は、処理ステーション2と露光装置4との間でLCD基板Gの搬入出を行う搬送装置42と、バッファカセットを配置するバッファステージ(BUF)43と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44とを有しており、タイトラー(TITLER)と周辺露光装置(EE)とが上下に積層された外部装置ブロック45が搬送装置42に隣接して設けられている。搬送装置42は搬送アーム42aを備え、この搬送アーム42aにより処理ステーション2と露光装置4との間でLCD基板Gの搬入出が行われる。 The interface station 3 includes a transfer device 42 that loads and unloads the LCD substrate G between the processing station 2 and the exposure device 4, a buffer stage (BUF) 43 that arranges a buffer cassette, and a substrate transfer unit that has a cooling function. And an external device block 45 in which a titler (TITLER) and a peripheral exposure device (EE) are vertically stacked are provided adjacent to the transport device 42. It has been. The transfer device 42 includes a transfer arm 42 a, and the LCD substrate G is carried in and out between the processing station 2 and the exposure device 4 by the transfer arm 42 a.
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム100においては、まず、カセットステーション1の載置台9に配置されたカセットC内のLCD基板Gが、搬送装置11により処理ステーション2のエキシマUV照射ユニット(e−UV)22に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで搬送装置11によりLCD基板Gがスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、LCD基板Gは例えばコロ搬送により第1の熱的処理ユニットセクション26に属する熱的処理ユニットブロック(TB)31のパスユニット(PASS)61に搬出される。 In the resist coating / development processing system 100 configured as described above, first, the LCD substrate G in the cassette C arranged on the mounting table 9 of the cassette station 1 is transferred to the excimer UV irradiation unit of the processing station 2 by the transport device 11. (E-UV) 22 is directly carried in and scrub pretreatment is performed. Next, the LCD substrate G is carried into the scrub cleaning unit (SCR) 21 by the transfer device 11 and scrubbed. After the scrub cleaning process, the LCD substrate G is carried out to the pass unit (PASS) 61 of the thermal processing unit block (TB) 31 belonging to the first thermal processing unit section 26 by, for example, roller conveyance.
パスユニット(PASS)61に配置されたLCD基板Gは、最初に、熱的処理ユニットブロック(TB)31の脱水ベークユニット(DHP)62・63のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック(TB)32のクーリングユニット(COL)66・67のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック(TB)31のアドヒージョン処理ユニット(AD)64および熱的処理ユニットブロック(TB)32のアドヒージョン処理ユニット(AD)68のいずれかに搬送され、そこでHMDSによりアドヒージョン処理(疎水化処理)される。その後、LCD基板Gは、クーリングユニット(COL)66・67のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65に搬送される。このような一連の処理を行う際のLCD基板Gの搬送処理は、全て第1の搬送装置33によって行われる。 The LCD substrate G placed in the pass unit (PASS) 61 is first transported to one of the dehydration bake units (DHP) 62 and 63 of the thermal processing unit block (TB) 31 and subjected to heat treatment, and then heated. Adhesion processing unit of thermal processing unit block (TB) 31 in order to improve the fixability of the resist after being transferred to one of cooling units (COL) 66 and 67 of static processing unit block (TB) 32 and cooled. (AD) 64 and the thermal processing unit block (TB) 32 are transported to one of the adhesion processing units (AD) 68, where they are subjected to adhesion processing (hydrophobization processing) by HMDS. Thereafter, the LCD substrate G is transferred to one of the cooling units (COL) 66 and 67 to be cooled, and further transferred to the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32. All the transfer processes of the LCD substrate G when performing such a series of processes are performed by the first transfer device 33.
パスユニット(PASS)65に配置されたLCD基板Gは、パスユニット(PASS)65内に設けられた、例えば、コロ搬送機構等の基板搬送機構によって、レジスト処理ユニット23内へ搬入される。後に詳細に説明するように、レジスト塗布装置(CT)23aにおいては、LCD基板Gを水平姿勢で搬送しながらレジスト液を供給して塗布膜を形成し、その後、減圧乾燥装置(VD)23bにて塗布膜に減圧乾燥処理が施される。その後、LCD基板Gは減圧乾燥装置(VD)23bに設けられた基板搬送アームにより、レジスト処理ユニット23から第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)34のパスユニット(PASS)69に受け渡される。 The LCD substrate G disposed in the pass unit (PASS) 65 is carried into the resist processing unit 23 by a substrate transport mechanism such as a roller transport mechanism provided in the pass unit (PASS) 65, for example. As will be described in detail later, in the resist coating apparatus (CT) 23a, a resist solution is supplied while the LCD substrate G is conveyed in a horizontal posture to form a coating film, and then, the resist coating apparatus (CT) 23a is supplied to the vacuum drying apparatus (VD) 23b Then, the coating film is subjected to a vacuum drying treatment. Thereafter, the LCD substrate G is passed from the resist processing unit 23 to the thermal processing unit block (TB) 34 belonging to the second thermal processing unit section 27 by the substrate transfer arm provided in the vacuum drying apparatus (VD) 23b. (PASS) 69.
パスユニット(PASS)69に配置されたLCD基板Gは、第2の搬送装置36により、熱的処理ユニットブロック(TB)34のプリベークユニット(PREBAKE)70・71・72および熱的処理ユニットブロック(TB)35のプリベークユニット(PREBAKE)75・76のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック(TB)35のクーリングユニット(COL)74に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第2の搬送装置36により、さらに熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73に搬送される。 The LCD substrate G placed in the pass unit (PASS) 69 is pre-baked by the second transfer device 36 and the pre-bake units (PREBAKE) 70, 71, 72 of the thermal processing unit block (TB) 34 and the thermal processing unit block ( TB) is transported to one of the pre-baking units (PREBAKE) 75 and 76 of 35 and pre-baked, and then transported to the cooling unit (COL) 74 of the thermal processing unit block (TB) 35 to be cooled to a predetermined temperature. . Then, it is further transported by the second transport device 36 to the pass unit (PASS) 73 of the thermal processing unit block (TB) 35.
その後、LCD基板Gは第2の搬送装置36によりインターフェイスステーション3のエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44へ搬送され、必要に応じて、インターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の周辺露光装置(EE)に搬送されて、そこで、レジスト膜の外周部(不要部分)を除去するための露光が行われる。次いで、LCD基板Gは、搬送装置42により露光装置4に搬送されてそこでLCD基板G上のレジスト膜に所定パターンで露光処理が施される。なお、LCD基板Gは、一旦、バッファステージ(BUF)43上のバッファカセットに収容され、その後に露光装置4に搬送される場合がある。 Thereafter, the LCD substrate G is transported to the extension / cooling stage (EXT / COL) 44 of the interface station 3 by the second transport device 36 and, if necessary, the peripheral of the external device block 45 by the transport device 42 of the interface station 3. It is conveyed to an exposure apparatus (EE), where exposure for removing the outer peripheral portion (unnecessary portion) of the resist film is performed. Next, the LCD substrate G is transported to the exposure device 4 by the transport device 42, where the resist film on the LCD substrate G is subjected to exposure processing in a predetermined pattern. Note that the LCD substrate G may be temporarily stored in a buffer cassette on the buffer stage (BUF) 43 and then transferred to the exposure apparatus 4.
露光終了後、LCD基板Gはインターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の上段のタイトラー(TITLER)に搬入されてLCD基板Gに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44に載置される。LCD基板Gは、第2の搬送装置36により、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44から第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73へ搬送される。 After the exposure is finished, the LCD substrate G is carried into the upper titler (TITLER) of the external device block 45 by the transfer device 42 of the interface station 3 and predetermined information is written on the LCD substrate G, and then the extension cooling stage (EXT) • COL) 44. The LCD substrate G is passed from the extension / cooling stage (EXT / COL) 44 to the thermal processing unit block (TB) 35 pass unit (PASS) of the second thermal processing unit section 27 by the second transfer device 36. 73.
パスユニット(PASS)73から現像処理ユニット(DEV)24まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、LCD基板Gはパスユニット(PASS)73から現像処理ユニット(DEV)24へ搬入される。現像処理ユニット(DEV)24では、例えば、基板を水平姿勢で搬送しながら現像液がLCD基板G上に液盛りされ、その後、一旦、LCD基板Gの搬送を停止してLCD基板を所定角度傾けることにより、LCD基板上の現像液を流し落とし、さらにこの状態でLCD基板Gにリンス液を供給して、現像液を洗い流す。その後、LCD基板Gを水平姿勢に戻して、再び搬送を開始し、乾燥用窒素ガスまたは空気をLCD基板Gに吹き付けることにより、LCD基板を乾燥させる。 The LCD substrate G is transferred from the pass unit (PASS) 73 to the development processing unit (DEV) 24 by, for example, a roller transport mechanism extending from the pass unit (PASS) 73 to the development processing unit (DEV) 24. The In the development processing unit (DEV) 24, for example, the developer is deposited on the LCD substrate G while the substrate is conveyed in a horizontal posture, and then the conveyance of the LCD substrate G is temporarily stopped and the LCD substrate is tilted by a predetermined angle. As a result, the developer on the LCD substrate is poured off, and in this state, a rinse solution is supplied to the LCD substrate G to wash away the developer. After that, the LCD substrate G is returned to the horizontal posture, and the conveyance is started again, and the nitrogen substrate for drying or air is blown onto the LCD substrate G to dry the LCD substrate.
現像処理終了後、LCD基板Gは現像処理ユニット(DEV)24から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりi線UV照射ユニット(i−UV)25に搬送され、LCD基板Gに対して脱色処理が施される。その後、LCD基板Gはi線UV照射ユニット(i−UV)25内のコロ搬送機構により第3の熱的処理ユニットセクション28に属する熱的処理ユニットブロック(TB)37のパスユニット(PASS)77に搬出される。 After completion of the development processing, the LCD substrate G is transported from the development processing unit (DEV) 24 to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 by a continuous transport mechanism, for example, roller transport, and the LCD substrate G is subjected to decoloring processing. Applied. After that, the LCD substrate G is passed through a pass unit (PASS) 77 of the thermal processing unit block (TB) 37 belonging to the third thermal processing unit section 28 by a roller transport mechanism in the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25. It is carried out to.
パスユニット(PASS)77に配置されたLCD基板Gは、第3の搬送装置39により熱的処理ユニットブロック(TB)37のポストベークユニット(POBAKE)78・79・80および熱的処理ユニットブロック(TB)38のポストベークユニット(POBAKE)81・83・84のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック(TB)38のパス・クーリングユニット(PASS・COL)82に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション1の搬送装置11によって、カセットステーション1に配置されている所定のカセットCに収容される。 The LCD substrate G arranged in the pass unit (PASS) 77 is transferred to the post processing unit block (POBAKE) 78, 79, 80 of the thermal processing unit block (TB) 37 and the thermal processing unit block ( TB) It is transported to one of the post-baking units (POBAKE) 81, 83, 84 of 38 and post-baked, and then transported to the pass / cooling unit (PASS / COL) 82 of the thermal processing unit block (TB) 38. After being cooled to a predetermined temperature, it is accommodated in a predetermined cassette C disposed in the cassette station 1 by the transfer device 11 of the cassette station 1.
次に、レジスト処理ユニット23について詳細に説明する。図5はレジスト処理ユニット23の概略平面図である。
レジスト塗布装置(CT)23aは、表面の所定位置に所定のガスを噴射するための複数のガス噴射口16aが設けられたステージ12と、ステージ12上をX方向に搬送する基板搬送機構13と、ステージ12上を移動するLCD基板Gの表面にレジスト液を供給するレジスト供給ノズル14と、を備えている。また、減圧乾燥装置(VD)23bは、LCD基板Gを載置するための載置台17と、載置台17および載置台17に載置されたLCD基板Gを収容するチャンバ18と、を備えている。さらに、レジスト処理ユニット23には、レジスト塗布装置(CT)23aから減圧乾燥装置(VD)23bへ、さらに減圧乾燥装置(VD)23bから熱的処理ユニットブロック(TB)34に設けられたパスユニット(PASS)69へLCD基板Gを搬送する基板搬送アーム19が設けられている。
Next, the resist processing unit 23 will be described in detail. FIG. 5 is a schematic plan view of the resist processing unit 23.
The resist coating apparatus (CT) 23a includes a stage 12 provided with a plurality of gas injection ports 16a for injecting a predetermined gas at a predetermined position on the surface, and a substrate transport mechanism 13 for transporting the stage 12 in the X direction. And a resist supply nozzle 14 for supplying a resist solution to the surface of the LCD substrate G that moves on the stage 12. The reduced pressure drying device (VD) 23 b includes a mounting table 17 for mounting the LCD substrate G, and a chamber 18 for storing the mounting substrate 17 and the LCD substrate G mounted on the mounting table 17. Yes. Further, the resist processing unit 23 includes a pass unit provided in the thermal processing unit block (TB) 34 from the resist coating device (CT) 23a to the vacuum drying device (VD) 23b and from the vacuum drying device (VD) 23b. A substrate transfer arm 19 for transferring the LCD substrate G to the (PASS) 69 is provided.
図6は基板搬送機構13の概略構成を示す断面図である。基板搬送機構13は、LCD基板GのY方向端の一部を保持する保持部材15a・15bと、ステージ12のY方向側面にX方向に延在するように配置された直線ガイド51a・51bと、保持部材15a・15bを保持し、直線ガイド51a・51bと嵌合した連結部材50と、連結部材50をX方向で往復移動させるX軸駆動機構53と、を備えている。 FIG. 6 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the substrate transport mechanism 13. The substrate transport mechanism 13 includes holding members 15a and 15b that hold a part of the Y-direction end of the LCD substrate G, and linear guides 51a and 51b that are disposed on the side surfaces of the stage 12 in the Y direction so as to extend in the X direction. The connecting member 50 holds the holding members 15a and 15b and is fitted to the linear guides 51a and 51b, and the X-axis drive mechanism 53 that reciprocates the connecting member 50 in the X direction.
保持部材15b・15bはそれぞれ、台座部49にLCD基板Gを吸着保持するための吸着パッド48が1個以上設けられた構造を有しており、吸着パッド48は真空ポンプ等の減圧機構52を動作させることにより、LCD基板Gを吸着保持することができるようになっている。吸着パッド48は、LCD基板Gにおいてレジスト液が塗布されない部分の裏面側、つまりLCD基板Gの裏面周縁部で、LCD基板Gを保持する。X軸駆動機構53としては、例えば、ベルト駆動機構や、ボールねじ、エアースライダ、電動スライダ等が挙げられる。 Each of the holding members 15b and 15b has a structure in which at least one suction pad 48 for sucking and holding the LCD substrate G is provided on the pedestal portion 49. The suction pad 48 includes a pressure reducing mechanism 52 such as a vacuum pump. By operating, the LCD substrate G can be sucked and held. The suction pad 48 holds the LCD substrate G on the back surface side of the LCD substrate G where the resist solution is not applied, that is, on the peripheral edge of the back surface of the LCD substrate G. Examples of the X-axis drive mechanism 53 include a belt drive mechanism, a ball screw, an air slider, and an electric slider.
ステージ12は、LCD基板Gの搬送方向の上流から下流に向けて、導入ステージ部12a、塗布ステージ部12b、搬出ステージ部12cとに分けられている。導入ステージ部12aは、熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65から塗布ステージ部12bへLCD基板Gを搬送するためのエリアである。塗布ステージ部12bには、レジスト供給ノズル14が配置されており、ここでLCD基板Gに塗布液が供給されて塗布膜が形成される。搬出ステージ部12cは、塗布膜が形成されたLCD基板Gを減圧乾燥装置(VD)23bへ搬出するためのエリアである。 The stage 12 is divided into an introduction stage portion 12a, a coating stage portion 12b, and a carry-out stage portion 12c from the upstream side to the downstream side in the transport direction of the LCD substrate G. The introduction stage unit 12a is an area for transporting the LCD substrate G from the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32 to the coating stage unit 12b. A resist supply nozzle 14 is disposed in the coating stage portion 12b, where a coating liquid is supplied to the LCD substrate G to form a coating film. The carry-out stage unit 12c is an area for carrying the LCD substrate G on which the coating film is formed to the reduced pressure drying device (VD) 23b.
図7(a)〜(c)はそれぞれ導入ステージ部12a、塗布ステージ部12b、搬出ステージ部12cにおけるLCD基板Gの搬送形態を模式的に示す説明図である。 FIGS. 7A to 7C are explanatory views schematically showing how the LCD substrate G is transferred in the introduction stage portion 12a, the coating stage portion 12b, and the carry-out stage portion 12c.
図5および図7(a)に示すように、導入ステージ部12aには、その表面から上方へ窒素ガスや空気等のガスを噴射するガス噴射口16aが、このガス噴射口16aから噴射されるガスによってLCD基板Gが導入ステージ部12aから略水平姿勢で浮上した状態に保持されるように、所定位置に設けられている。LCD基板Gの平面度を高くするためには、ガス噴射口16aの直径を短くして、ガス噴射口16aの配置数を多くすることが好ましい。 As shown in FIG. 5 and FIG. 7A, a gas injection port 16a for injecting a gas such as nitrogen gas or air upward from the surface of the introduction stage portion 12a is injected from the gas injection port 16a. The LCD substrate G is provided at a predetermined position so that the LCD substrate G is held in a substantially horizontal posture from the introduction stage portion 12a by the gas. In order to increase the flatness of the LCD substrate G, it is preferable to reduce the diameter of the gas injection ports 16a and increase the number of gas injection ports 16a.
図5および図7(b)に示されるように、塗布ステージ部12bには、ガス噴射口16aに加えて、その表面の所定位置に吸気口16bが設けられている。この塗布ステージ部12bでは、ガス噴射口16aからのガス噴射量と吸気口16bからのガス吸気量を調整することによって、LCD基板Gの浮上高さを導入ステージ部12aおよび搬出ステージ部12cよりも高い精度で調節することができるようになっている。 As shown in FIGS. 5 and 7B, in addition to the gas injection port 16a, the coating stage unit 12b is provided with an intake port 16b at a predetermined position on the surface thereof. In this application stage unit 12b, the flying height of the LCD substrate G is adjusted more than that of the introduction stage unit 12a and the carry-out stage unit 12c by adjusting the gas injection amount from the gas injection port 16a and the gas intake amount from the intake port 16b. It can be adjusted with high accuracy.
図5および図7(c)に示されるように、搬出ステージ部12cには、LCD基板Gを浮上させるためのガス噴射口16aに加えて、搬出ステージ部12cへ搬送されてきたLCD基板Gを基板搬送アーム19に受け渡すために、LCD基板Gを持ち上げるリフトピン47が設けられている。 As shown in FIGS. 5 and 7C, in addition to the gas injection port 16a for floating the LCD substrate G, the LCD substrate G that has been transported to the carry-out stage portion 12c is added to the carry-out stage portion 12c. In order to deliver to the substrate transfer arm 19, lift pins 47 for lifting the LCD substrate G are provided.
このように、レジスト塗布装置(CT)23aでは、LCD基板Gをステージ12から所定距離浮いた状態で保持することができる。このため、保持部材15a・15bにLCD基板Gを保持させて連結部材50を移動させるために、大きな力を必要としない。すなわち、X軸駆動機構53には大きなトルクは必要なく、これにより基板搬送機構13の小型化を図ることができる。 Thus, in the resist coating apparatus (CT) 23a, the LCD substrate G can be held in a state of being lifted from the stage 12 by a predetermined distance. Therefore, a large force is not required to move the connecting member 50 while holding the LCD substrate G on the holding members 15a and 15b. That is, the X-axis drive mechanism 53 does not require a large torque, and thus the substrate transport mechanism 13 can be reduced in size.
図8にレジスト供給ノズル14の概略斜視図を示す。レジスト供給ノズル14は、一方向に長い長尺状の箱体14aに、レジスト液を略帯状に吐出するスリット状のレジスト吐出口14bが設けられた構造を有している。このレジスト供給ノズル14は、箱体14aの長手方向をY方向に一致させた状態で、塗布ステージ部12bのほぼ中央部に配置されたノズル保持部材20に、ノズル昇降機構30により昇降自在に、取り付けられている。 FIG. 8 is a schematic perspective view of the resist supply nozzle 14. The resist supply nozzle 14 has a structure in which a slit-like resist discharge port 14b for discharging a resist solution in a substantially strip shape is provided in a long box body 14a that is long in one direction. The resist supply nozzle 14 can be moved up and down by a nozzle lifting mechanism 30 on a nozzle holding member 20 disposed substantially at the center of the coating stage 12b with the longitudinal direction of the box 14a aligned with the Y direction. It is attached.
レジスト供給ノズル14にはレジスト吐出口14bとLCD基板Gとの間隔を測定するセンサ29が取り付けられており、ノズル昇降機構30は、このセンサ29の測定値に基づいてレジスト供給ノズル14の位置を制御する。レジスト供給ノズル14の長さはLCD基板Gの幅(Y方向長さ)よりも短くなっており、LCD基板Gの周縁の一定領域には塗布膜が形成されないようになっている。 A sensor 29 for measuring the distance between the resist discharge port 14b and the LCD substrate G is attached to the resist supply nozzle 14, and the nozzle lifting mechanism 30 determines the position of the resist supply nozzle 14 based on the measured value of the sensor 29. Control. The length of the resist supply nozzle 14 is shorter than the width of the LCD substrate G (the length in the Y direction), and a coating film is not formed in a certain region on the periphery of the LCD substrate G.
減圧乾燥装置(VD)23bに設けられた載置台17の表面には、LCD基板Gを支持するプロキシミティピン(図示せず)が所定位置に設けられている。チャンバ18は固定された下部容器と昇降自在な上部蓋体からなる上下2分割構造を有している。基板搬送アーム19は、X方向、Y方向、Z方向(鉛直方向)に移動可能である。 Proximity pins (not shown) for supporting the LCD substrate G are provided at predetermined positions on the surface of the mounting table 17 provided in the vacuum drying apparatus (VD) 23b. The chamber 18 has a vertically divided structure composed of a fixed lower container and an upper lid that can be raised and lowered. The substrate transfer arm 19 is movable in the X direction, the Y direction, and the Z direction (vertical direction).
次に、上述のように構成されたレジスト処理ユニット23におけるLCD基板Gの処理工程について説明する。なお、熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65から、レジスト処理ユニット23へのLCD基板Gの搬送は、パスユニット(PASS)65に設けられたコロ46の回転を用いたコロ搬送機構によって行われるとする。 Next, a process for processing the LCD substrate G in the resist processing unit 23 configured as described above will be described. It should be noted that the LCD substrate G was transported from the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32 to the resist processing unit 23 using rotation of the rollers 46 provided in the pass unit (PASS) 65. It is assumed that this is performed by a roller transport mechanism.
最初に、保持部材15a・15bを熱的処理ユニットブロック(TB)32側に待機させ、ステージ12では各部において所定の高さにLCD基板Gを浮上させることができる状態とする。次いで、熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65からコロ搬送機構によりLCD基板Gを導入ステージ部12aに進入させ、LCD基板Gの一部がまだコロ46によって支持されている状態で、保持部材15a・15bにLCD基板GのY方向端を保持させる。続いて、コロ46による搬送速度と保持部材15a・15bの移動速度を合わせて、LCD基板Gをステージ12の導入ステージ部12aへ搬入する。導入ステージ部12aでは、LCD基板Gは、例えば、その表面から150μm浮いた状態で搬送される。 First, the holding members 15a and 15b are made to stand by on the thermal processing unit block (TB) 32 side, and the stage 12 is in a state where the LCD substrate G can be floated to a predetermined height at each part. Next, the LCD substrate G is caused to enter the introduction stage portion 12a from the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32 by the roller transport mechanism, and a part of the LCD substrate G is still supported by the rollers 46. In this state, the Y direction end of the LCD substrate G is held by the holding members 15a and 15b. Subsequently, the LCD substrate G is carried into the introduction stage portion 12 a of the stage 12 in accordance with the conveyance speed of the roller 46 and the movement speed of the holding members 15 a and 15 b. In the introduction stage unit 12a, the LCD substrate G is transported, for example, in a state where it floats 150 μm from the surface thereof.
LCD基板Gは、基板搬送機構13の駆動による保持部材15a・15bのX方向への移動にしたがって、塗布ステージ部12bへと搬入される。塗布ステージ部12bでは、ガス噴射口16aからのガス噴射とともに吸気口16bからの吸気を行うことにより、例えば、LCD基板Gの浮上高さをその表面から40μm程度とすることができる。 The LCD substrate G is carried into the coating stage 12b as the holding members 15a and 15b are moved in the X direction by driving the substrate transport mechanism 13. In the application stage portion 12b, by performing the gas injection from the gas injection port 16a and the intake from the intake port 16b, for example, the flying height of the LCD substrate G can be set to about 40 μm from the surface.
LCD基板Gがレジスト供給ノズル14の下を通過する際に、レジスト供給ノズル14からLCD基板Gにレジスト液が吐出され、塗布膜が形成される。例えば、塗布ステージ部12bにおける基板搬送速度は、150mm/秒とすることができる。このようにLCD基板Gの浮上高さを低くすることによってLCD基板Gの平面度をさらに高めることができるため、厚みの均一な塗布膜を形成することができる。 When the LCD substrate G passes under the resist supply nozzle 14, the resist solution is discharged from the resist supply nozzle 14 to the LCD substrate G, and a coating film is formed. For example, the substrate conveyance speed in the coating stage unit 12b can be set to 150 mm / second. Thus, since the flatness of the LCD substrate G can be further increased by reducing the flying height of the LCD substrate G, a coating film having a uniform thickness can be formed.
なお、レジスト供給ノズル14の高さは、センサ29の測定信号に基づいて、LCD基板Gごとに調整してもよいが、通常は複数のLCD基板Gの搬送状態は同じとなるから、最初に処理するLCD基板Gまたはダミー基板でレジスト供給ノズル14の高さを調節すれば、その後はレジスト供給ノズル14の高さを調整する必要はほとんどない。また、レジスト供給ノズル14からのレジスト液の吐出開始/吐出終了のタイミングは、センサ29の測定信号を利用して定めてもよいし、LCD基板Gの位置を検出するセンサを別途設けて、このセンサからの信号に基づいて定めてもよい。 The height of the resist supply nozzle 14 may be adjusted for each LCD substrate G on the basis of the measurement signal from the sensor 29. However, since the transport states of the plurality of LCD substrates G are usually the same, first, If the height of the resist supply nozzle 14 is adjusted on the LCD substrate G or the dummy substrate to be processed, then there is almost no need to adjust the height of the resist supply nozzle 14. Further, the timing of the start and end of the discharge of the resist solution from the resist supply nozzle 14 may be determined using the measurement signal of the sensor 29, or a sensor for detecting the position of the LCD substrate G is provided separately. You may determine based on the signal from a sensor.
塗布ステージ部12bを通過することによって塗布膜が形成されたLCD基板Gは、保持部材15a・15bの移動にしたがって搬出ステージ部12cに搬送される。搬出ステージ部12cでは、LCD基板Gは、例えば、その表面から150μm浮いた状態とされる。LCD基板G全体が搬出ステージ部12c上に達したら、保持部材15a・15bによる吸着保持を解除するとともに、リフトピン47を上昇させて、LCD基板Gを所定の高さへ持ち上げる。 The LCD substrate G on which the coating film is formed by passing through the coating stage portion 12b is transported to the carry-out stage portion 12c according to the movement of the holding members 15a and 15b. In the carry-out stage unit 12c, the LCD substrate G is in a state of being lifted by 150 μm from the surface, for example. When the entire LCD substrate G reaches the carry-out stage portion 12c, the suction holding by the holding members 15a and 15b is released, and the lift pins 47 are raised to lift the LCD substrate G to a predetermined height.
引き続き、基板搬送アーム19がリフトピン47によって持ち上げられたLCD基板Gにアクセスする。基板搬送アーム19がLCD基板GのY方向端でLCD基板Gを把持したらリフトピン47を降下させる。また、基板搬送アーム19は把持したLCD基板Gを減圧乾燥装置(VD)23bの載置台17上に載置する。その後、チャンバ18を密閉してその内部を減圧することにより、塗布膜を減圧乾燥する。 Subsequently, the substrate transfer arm 19 accesses the LCD substrate G lifted by the lift pins 47. When the substrate transfer arm 19 grips the LCD substrate G at the Y-direction end of the LCD substrate G, the lift pins 47 are lowered. The substrate transfer arm 19 places the gripped LCD substrate G on the placement table 17 of the reduced pressure drying apparatus (VD) 23b. Thereafter, the chamber 18 is sealed and the inside thereof is decompressed to dry the coating film under reduced pressure.
LCD基板Gの減圧乾燥装置(VD)23bにおける処理が終了したら、チャンバ18を開き、基板搬送アーム19を載置台18に載置されたLCD基板GにアクセスさせてLCD基板Gを把持し、LCD基板Gを熱的処理ユニットブロック(TB)34のパスユニット(PASS)69へ搬送する。他方、LCD基板Gをリフトピン47に受け渡した後の保持部材15a・15bは、次に処理するLCD基板Gを搬送するために、熱的処理ユニットブロック(TB)32側へ戻され、その後、上記処理工程が繰り返される。 When the processing in the vacuum drying apparatus (VD) 23b of the LCD substrate G is completed, the chamber 18 is opened, the substrate transfer arm 19 is accessed to the LCD substrate G placed on the mounting table 18, and the LCD substrate G is gripped. The substrate G is transferred to the pass unit (PASS) 69 of the thermal processing unit block (TB) 34. On the other hand, the holding members 15a and 15b after the LCD substrate G is transferred to the lift pins 47 are returned to the thermal processing unit block (TB) 32 side in order to convey the LCD substrate G to be processed next, and thereafter The processing process is repeated.
このような塗布膜形成方法では、LCD基板Gはステージ12から常に浮上した状態で搬送されるために、ステージ12表面の転写が起こらず、LCD基板Gの裏面へのパーティクル付着が抑制される。また、LCD基板Gへレジスト液を塗布するタクトを短くすることができるために、高いスループットが得られる。 In such a coating film forming method, the LCD substrate G is transported in a state of being always floated from the stage 12, so that the transfer of the surface of the stage 12 does not occur and the adhesion of particles to the back surface of the LCD substrate G is suppressed. Moreover, since the tact time for applying the resist solution to the LCD substrate G can be shortened, high throughput can be obtained.
さて、このようなレジスト塗布装置(CT)23aにおけるLCD基板Gの搬送方法では、保持部材15a・15bがLCD基板Gを搬出ステージ部12cにおいてリフトピン47へ受け渡し、熱的処理ユニットブロック(TB)32側に戻るまでは、次に処理すべきLCD基板Gを導入ステージ部12aに搬入させることができない。そこで、レジスト塗布装置(CT)23aに、より好ましく装備される基板搬送機構について、以下に説明する。 Now, in such a method of transporting the LCD substrate G in the resist coating apparatus (CT) 23a, the holding members 15a and 15b deliver the LCD substrate G to the lift pins 47 in the carry-out stage portion 12c, and the thermal processing unit block (TB) 32. Until returning to the side, the LCD substrate G to be processed next cannot be carried into the introduction stage section 12a. Therefore, a substrate transport mechanism that is more preferably installed in the resist coating apparatus (CT) 23a will be described below.
図9にレジスト塗布装置(CT)23aに設けられる別の基板搬送機構の概略構造を示す平面図(図9(a))および断面図(図9(b))を示す。この基板搬送機構55は、LCD基板GのY方向端を保持する保持部材85a・85bと、直線ガイド51a・51b(先に説明した基板搬送機構13のものと同じ)にそれぞれ嵌合するとともに保持部材85a・85bをそれぞれY方向にスライド自在に保持する移動体86a・86bと、移動体86a・86bをそれぞれ別個にX方向に移動させるX軸駆動機構53a・53bと、を有している。 FIG. 9 shows a plan view (FIG. 9A) and a cross-sectional view (FIG. 9B) showing a schematic structure of another substrate transport mechanism provided in the resist coating apparatus (CT) 23a. The substrate transport mechanism 55 is fitted to and held by holding members 85a and 85b for holding the Y-direction end of the LCD substrate G and linear guides 51a and 51b (same as those of the substrate transport mechanism 13 described above). The movable bodies 86a and 86b hold the members 85a and 85b slidably in the Y direction, respectively, and the X-axis drive mechanisms 53a and 53b move the movable bodies 86a and 86b in the X direction separately.
保持部材85a・85bはそれぞれX方向に長い形状を有し、LCD基板GのY方向端をX方向に広い範囲で保持することができるように、吸着パッド48を複数備えている。これにより、保持部材85a・85bにそれぞれ単独でLCD基板Gを保持させて保持部材85a・85bをX方向に移動させても、LCD基板GのY方向でのぶれの発生を防止して、LCD基板Gを搬送姿勢を安定させることができる。また、保持部材85a・85bはそれぞれ、図示しないY方向スライド機構によってY方向にスライド自在となっている。 Each of the holding members 85a and 85b has a shape that is long in the X direction, and includes a plurality of suction pads 48 so that the Y direction end of the LCD substrate G can be held in a wide range in the X direction. Thereby, even if the holding members 85a and 85b hold the LCD substrate G independently and the holding members 85a and 85b are moved in the X direction, the LCD substrate G can be prevented from shaking in the Y direction. The conveyance posture of the substrate G can be stabilized. Each of the holding members 85a and 85b is slidable in the Y direction by a Y direction sliding mechanism (not shown).
図10はこの基板搬送機構55によるLCD基板Gの搬送形態を模式的に示す説明図である。最初に、保持部材85bを導入ステージ部12aに搬入されるLCD基板Gに接しないようにY方向に遠ざけた位置に配置し、一方、導入ステージ部12aにおいてLCD基板GのY方向端を保持することができる位置に保持部材85aを配置して、導入ステージ部12aに搬入されるLCD基板Gを保持部材85aに保持させる(図10(a))。 FIG. 10 is an explanatory view schematically showing a mode of transporting the LCD substrate G by the substrate transport mechanism 55. First, the holding member 85b is disposed at a position away from the Y direction so as not to contact the LCD substrate G carried into the introduction stage portion 12a, while the Y direction end of the LCD substrate G is held at the introduction stage portion 12a. The holding member 85a is arranged at a position where it can be held, and the LCD substrate G carried into the introduction stage portion 12a is held by the holding member 85a (FIG. 10A).
次に、保持部材85aをX方向に移動させて、LCD基板Gを塗布ステージ部12bへ搬入し、そこで、塗布膜の形成を行う。また、LCD基板G全体が塗布ステージ部12bへ搬入されたら、導入ステージ部12aは、次に処理するLCD基板Gを搬入できる状態となるので、保持部材85bを導入ステージ部12aにおいてLCD基板GのY方向端を保持することができる位置に移動させる(図10(b))。 Next, the holding member 85a is moved in the X direction, and the LCD substrate G is carried into the coating stage 12b, where a coating film is formed. Further, when the entire LCD substrate G is carried into the application stage unit 12b, the introduction stage unit 12a is ready to carry in the LCD substrate G to be processed next, so that the holding member 85b is attached to the LCD substrate G at the introduction stage unit 12a. It moves to the position which can hold | maintain the Y direction end (FIG.10 (b)).
続いて、保持部材85bは導入ステージ部12aへ新たに搬入されたLCD基板G´を保持し、塗布ステージ部12bへの搬送を開始する。一方、保持部材85aは、塗布膜が形成されたLCD基板を搬出ステージ部12cへ搬送し、そこでリフトピン47に受け渡す(図10(c))。その後、保持部材85aは、保持部材85bが搬送するLCD基板Gと衝突しないように、ステージ12から遠ざけた状態で、導入ステージ部12a側に戻される(図10(d))。次いで、保持部材85bに保持されているLCD基板G全体が塗布ステージ部12bに搬入されたら、新たなLCD基板Gの導入ステージ部12aへの搬入に備えて、保持部材85aをLCD基板GのY方向端を保持することができる位置に移動させる。以降、保持部材85a・85bは、上述した保持部材85aと同じ動きを繰り返す。 Subsequently, the holding member 85b holds the LCD substrate G ′ newly carried into the introduction stage unit 12a, and starts conveyance to the coating stage unit 12b. On the other hand, the holding member 85a conveys the LCD substrate on which the coating film is formed to the carry-out stage portion 12c, and transfers it to the lift pins 47 (FIG. 10C). Thereafter, the holding member 85a is returned to the introduction stage portion 12a side in a state of being away from the stage 12 so as not to collide with the LCD substrate G transported by the holding member 85b (FIG. 10D). Next, when the entire LCD substrate G held by the holding member 85b is carried into the coating stage portion 12b, the holding member 85a is attached to the Y of the LCD substrate G in preparation for loading a new LCD substrate G into the introduction stage portion 12a. Move to the position where the direction end can be held. Thereafter, the holding members 85a and 85b repeat the same movement as the above-described holding member 85a.
続いて、さらに別の基板搬送機構について説明する。図11はレジスト塗布装置(CT)23aに設けられるさらに別の基板搬送機構の概略構造を示す断面図である。この基板搬送機構56は、ステージ12のY方向側面に2本ずつ配置された直線ガイド51a〜51dと、直線ガイド51a〜51dにそれぞれ嵌合された移動体88a〜88dと、移動体88a・88bにそれぞれ設けられた昇降機構89a・89bと、昇降機構89a・89bにそれぞれ保持された保持部材15a・15bと、移動体88c・88dにそれぞれ設けられた保持部材15c・15dと、保持部材15c・15dをそれぞれY軸方向にスライドさせるY軸駆動機構89c・89dと、移動体88a〜88dをそれぞれされX方向にスライドさせるX軸駆動機構53a〜53dと、を有している。 Next, another substrate transport mechanism will be described. FIG. 11 is a sectional view showing a schematic structure of still another substrate transport mechanism provided in the resist coating apparatus (CT) 23a. The substrate transport mechanism 56 includes two linear guides 51a to 51d arranged on the side surface in the Y direction of the stage 12, moving bodies 88a to 88d fitted to the linear guides 51a to 51d, and moving bodies 88a and 88b. Elevating mechanisms 89a and 89b, holding members 15a and 15b respectively held by the elevating mechanisms 89a and 89b, holding members 15c and 15d respectively provided on the moving bodies 88c and 88d, and holding members 15c and Y-axis drive mechanisms 89c and 89d for sliding 15d in the Y-axis direction, and X-axis drive mechanisms 53a to 53d for sliding the moving bodies 88a to 88d in the X direction, respectively.
図11(a)は、保持部材15a・15bが1組となってLCD基板Gを保持している状態を示しており、図11(b)は、保持部材15c・15dが1組となってLCD基板Gを保持している状態を示している。保持部材15a・15bがLCD基板Gを搬送する際には、保持部材15a・15bのそれぞれの動きが鉛直面S(図11(a)参照)について対象となるように、同様に、X軸駆動機構53a・53bおよび昇降機構89a・89bの駆動が制御される。保持部材15c・15dがLCD基板Gを搬送する場合も、X軸駆動機構53c・53dおよびY軸駆動機構89c・89dが同様に制御される。 FIG. 11A shows a state in which the holding members 15a and 15b are set as one set to hold the LCD substrate G, and FIG. 11B shows that the holding members 15c and 15d are set as one set. A state in which the LCD substrate G is held is shown. Similarly, when the holding members 15a and 15b transport the LCD substrate G, the X-axis drive is similarly performed so that the movements of the holding members 15a and 15b are about the vertical plane S (see FIG. 11A). The driving of the mechanisms 53a and 53b and the lifting mechanisms 89a and 89b is controlled. When the holding members 15c and 15d transport the LCD substrate G, the X-axis drive mechanisms 53c and 53d and the Y-axis drive mechanisms 89c and 89d are similarly controlled.
図12は保持部材15a〜15dの動きを示す説明図である。まず、熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65から導入ステージ部12aに搬送されてくるLCD基板Gを保持部材15a・15bで把持する場合には、保持部材15c・15cをステージ12からY方向に遠ざけられた状態とする(図12(a))。 FIG. 12 is an explanatory view showing the movement of the holding members 15a to 15d. First, when the LCD substrate G transported from the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32 to the introduction stage unit 12a is held by the holding members 15a and 15b, the holding members 15c and 15c are The stage 12 is moved away from the stage 12 in the Y direction (FIG. 12A).
保持部材15a・15bがLCD基板Gを保持したら、保持部材15a・15bを塗布ステージ部12b側へ移動させて、LCD基板Gにレジスト液を塗布する。一方、保持部材15c・15dが次にパスユニット(PASS)65から搬送されてくるLCD基板Gを受け取ることができるように、保持部材15c・15dをステージ12に近づける(図12(b))。 When the holding members 15a and 15b hold the LCD substrate G, the holding members 15a and 15b are moved to the coating stage portion 12b side, and a resist solution is applied to the LCD substrate G. On the other hand, the holding members 15c and 15d are brought close to the stage 12 so that the LCD substrate G conveyed from the pass unit (PASS) 65 can be received next (FIG. 12B).
塗布膜が形成されたLCD基板Gを保持した保持部材15a・15bは、搬出ステージ部12cへ移動した後に、そこで保持したLCD基板Gをリフトピン47(図12に図示せず)に受け渡す。一方、保持部材15c・15dは、熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65から導入ステージ部12aに搬送されてくるLCD基板G´を把持して、塗布ステージ部12b側への移動を開始する(図12(c))。 The holding members 15a and 15b holding the LCD substrate G on which the coating film is formed move to the carry-out stage portion 12c, and then transfer the held LCD substrate G to the lift pins 47 (not shown in FIG. 12). On the other hand, the holding members 15c and 15d grip the LCD substrate G ′ conveyed from the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32 to the introduction stage unit 12a, and move toward the coating stage unit 12b. Starts moving (FIG. 12C).
次に、保持部材15a・15bを保持部材15c・15dよりも低い位置へ降下させた後に、その状態で導入ステージ部12a側へと戻し(図11(b)参照)、その後に保持部材15a・15bの高さ位置を新たなLCD基板を保持することができるように調整する。一方、保持部材15c・15dはLCD基板G´を塗布ステージ部12b側へ搬送し、LCD基板G´に塗布膜が形成される(図12(d))。 Next, after lowering the holding members 15a and 15b to a position lower than the holding members 15c and 15d, the holding members 15a and 15b are returned to the introduction stage portion 12a side in that state (see FIG. 11B), and thereafter the holding members 15a and 15b The height position of 15b is adjusted so that a new LCD substrate can be held. On the other hand, the holding members 15c and 15d convey the LCD substrate G ′ to the coating stage portion 12b side, and a coating film is formed on the LCD substrate G ′ (FIG. 12D).
搬出ステージ部12cに達した保持部材15c・15dは、保持したLCD基板G´を搬出ステージ部12cでリフトピン47(図12に図示せず)に受け渡す。また、保持部材15a・15bは、熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65から導入ステージ部12aに搬送されてくるLCD基板G″を把持して、塗布ステージ部12b側への移動を開始する(図12(e))。 The holding members 15c and 15d that have reached the carry-out stage unit 12c deliver the held LCD substrate G ′ to the lift pins 47 (not shown in FIG. 12) by the carry-out stage unit 12c. The holding members 15a and 15b hold the LCD substrate G ″ conveyed from the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32 to the introduction stage unit 12a, and move toward the coating stage unit 12b. Starts moving (FIG. 12E).
次いで、保持部材15c・15dをステージ12から遠ざけて、その状態で導入ステージ部12a側へ戻す(図12(f))。これ以降、保持部材15a〜15dはそれぞれ上述した手順を繰り返すことによりLCD基板Gを逐次搬送する。このような基板搬送機構55・56を用いた場合には、LCD基板を連続搬送して塗布膜の形成処理を行うことができるために、高いスループットを得ることができる。 Next, the holding members 15c and 15d are moved away from the stage 12 and returned to the introduction stage portion 12a side in that state (FIG. 12 (f)). Thereafter, the holding members 15a to 15d sequentially carry the LCD substrate G by repeating the above-described procedure. When such substrate transport mechanisms 55 and 56 are used, the LCD substrate can be continuously transported to perform the coating film forming process, and therefore high throughput can be obtained.
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65からレジスト塗布装置(CT)23aへのLCD基板の搬入は、パスユニット(PASS)65に基板搬送アームを設け、かつ、導入ステージ部12aにリフトピンを設けて、この基板搬送アームが保持したLCD基板をリフトピンに受け渡し、リフトピンを降下させることによって導入ステージ部12aの表面近傍で、保持部材15a・15b等にLCD基板Gを把持させるようにしてもよい。 As mentioned above, although embodiment of this invention has been described, this invention is not limited to such a form. For example, when the LCD substrate is transferred from the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32 to the resist coating apparatus (CT) 23a, the substrate transfer arm is provided in the pass unit (PASS) 65 and introduced. A lift pin is provided on the stage portion 12a, the LCD substrate held by the substrate transfer arm is transferred to the lift pin, and the lift pin is lowered to hold the LCD substrate G by the holding members 15a and 15b in the vicinity of the surface of the introduction stage portion 12a. You may make it make it.
また、保持部材15a・15bはLCD基板Gをその搬送方向先頭部で保持してLCD基板Gを引っ張るようにして搬送する形態を示したが、保持部材15a・15bはLCD基板Gをその搬送方向後方部で保持してLCD基板Gを押すようにして搬送させてもよい。さらに、基板搬送機構56では、保持部材15c・15dをY方向でスライド自在としたが、保持部材15c・15dをLCD基板Gを搬送する高さと、LCD基板Gを搬送する高さよりも高い位置との間で昇降自在な構成としてもよい。これによって、保持部材15a・15bと保持部材15c・15dとを衝突させることなく、これらに交互にLCD基板Gを搬送させることができる。上記説明においては、塗布膜としてレジスト膜を取り上げたが、塗布膜はこれに限定されるものではなく、反射防止膜や感光性を有さない絶縁膜等であってもよい。 Further, the holding members 15a and 15b have shown the form in which the LCD substrate G is held at the leading portion in the carrying direction and the LCD substrate G is pulled and carried, but the holding members 15a and 15b are arranged to pull the LCD substrate G in the carrying direction. The LCD substrate G may be conveyed by being held at the rear and pushing the LCD substrate G. Further, in the substrate transport mechanism 56, the holding members 15c and 15d are slidable in the Y direction. However, the holding members 15c and 15d have a height for transporting the LCD substrate G and a position higher than a height for transporting the LCD substrate G. It is good also as a structure which can raise / lower between. Accordingly, the LCD substrate G can be alternately conveyed to the holding members 15a and 15b and the holding members 15c and 15d without colliding with each other. In the above description, the resist film is taken up as the coating film, but the coating film is not limited to this, and may be an antireflection film, an insulating film having no photosensitivity, or the like.
本発明はLCD基板等の大型基板にレジスト膜を形成するレジスト膜形成装置およびレジスト膜形成方法に好適である。 The present invention is suitable for a resist film forming apparatus and a resist film forming method for forming a resist film on a large substrate such as an LCD substrate.
1;カセットステーション
2;処理ステーション
3;インターフェイスステーション
12;ステージ
12a;導入ステージ部
12b;塗布ステージ部
12c;搬出ステージ部
13;基板搬送機構
14;レジスト供給ノズル
15a〜15d;保持部材
16a:ガス噴射口
16b;吸気口
23;レジスト処理ユニット
23a;レジスト塗布装置
23b;減圧乾燥装置
100;レジスト塗布・現像処理システム
G;LCD基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Cassette station 2; Processing station 3; Interface station 12; Stage 12a; Introducing stage part 12b; Application | coating stage part 12c; Unloading stage part 13; Substrate conveyance mechanism 14; Resist supply nozzle 15a-15d; Inlet 16b; inlet 23; resist processing unit 23a; resist coating device 23b; vacuum drying device 100; resist coating / development processing system G; LCD substrate
Claims (13)
表面の所定位置に所定のガスを噴射するための複数のガス噴射口が設けられたステージと、
前記ステージ上で基板を一方向に搬送する基板搬送機構と、
前記ステージ上を移動する基板の表面に所定の塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、
を備え、
前記基板は、前記ガス噴射口から噴射されるガスによって略水平姿勢で前記ステージの表面から浮いた状態で、前記基板搬送機構によって搬送されることを特徴とする塗布膜形成装置。 A coating film forming apparatus for forming a coating film by supplying a predetermined coating liquid to the substrate while conveying the substrate in one direction,
A stage provided with a plurality of gas injection ports for injecting a predetermined gas at a predetermined position on the surface;
A substrate transport mechanism for transporting the substrate in one direction on the stage;
A coating liquid supply nozzle for supplying a predetermined coating liquid to the surface of the substrate moving on the stage;
With
The coating film forming apparatus, wherein the substrate is transported by the substrate transport mechanism in a state of being floated from the surface of the stage in a substantially horizontal posture by gas ejected from the gas ejection port.
前記塗布液供給ノズルから塗布液が供給される塗布ステージ部と、
前記塗布ステージ部へ基板を搬入するための導入ステージ部と、
前記塗布ステージ部から基板を搬出するための搬出ステージ部と、
を備え、
前記塗布ステージ部は、さらにその表面の所定位置に吸気口を備え、
前記塗布ステージ部では、前記ガス噴射口からのガス噴射量と前記吸気口からのガス吸気量を調整することによって、搬送される基板の浮上高さが調節されることを特徴とする請求項1に記載の塗布膜形成装置。 The stage is
A coating stage part to which a coating liquid is supplied from the coating liquid supply nozzle;
An introduction stage unit for carrying the substrate into the coating stage unit;
An unloading stage for unloading the substrate from the coating stage;
With
The application stage unit further includes an intake port at a predetermined position on the surface thereof,
2. The flying height of a substrate to be transferred is adjusted in the coating stage unit by adjusting a gas injection amount from the gas injection port and a gas intake amount from the intake port. The coating film forming apparatus as described in 2. above.
基板を保持する保持部材と、
前記保持部材を所定方向に移動させるスライド機構と、
を有し、
前記保持部材は、基板を基板搬送方向と直交する方向の両端近傍で吸着保持することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の塗布膜形成装置。 The substrate transport mechanism is
A holding member for holding the substrate;
A slide mechanism for moving the holding member in a predetermined direction;
Have
The coating film forming apparatus according to claim 1, wherein the holding member sucks and holds the substrate in the vicinity of both ends in a direction orthogonal to the substrate transport direction.
前記スライド機構は、前記2組の保持部材に交互に基板を搬送させることを特徴とする請求項3に記載の塗布膜形成装置。 Two sets of the holding members are provided,
The coating film forming apparatus according to claim 3, wherein the slide mechanism alternately conveys the substrate to the two sets of holding members.
基板を保持する保持部材と、
前記保持部材を所定方向に移動させるスライド機構と、
を有し、
前記保持部材は、基板を基板搬送方向と直交する方向の片端で吸着保持することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の塗布膜形成装置。 The substrate transport mechanism is
A holding member for holding the substrate;
A slide mechanism for moving the holding member in a predetermined direction;
Have
The coating film forming apparatus according to claim 1, wherein the holding member sucks and holds the substrate at one end in a direction orthogonal to the substrate transport direction.
前記スライド機構は、各保持部材に交互に基板を搬送させることを特徴とする請求項5に記載の塗布膜形成装置。 The holding member is arranged so that it can be driven independently on both sides in the direction orthogonal to the substrate transport direction,
The coating film forming apparatus according to claim 5, wherein the slide mechanism alternately conveys the substrate to each holding member.
前記搬出ステージ部に搬送された基板を、前記保持部材から受け取って前記減圧乾燥装置へ搬送する別の基板搬送機構と、
をさらに具備することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の塗布膜形成装置。 A reduced-pressure drying apparatus that is provided on the downstream side of the stage in the substrate transport direction and depressurizes and dries the coating film formed on the substrate;
Another substrate transport mechanism for receiving the substrate transported to the unloading stage unit from the holding member and transporting the substrate to the reduced pressure drying device;
The coating film forming apparatus according to claim 1, further comprising:
前記センサの計測値に基づいて、前記塗布液供給ノズルが所定の高さ位置に配置されるように、前記塗布液供給ノズルを昇降させるノズル昇降機構と、
をさらに具備することを特徴とする請求項8に記載の塗布膜形成装置。 A sensor that measures the distance between the surface of the substrate that moves directly under the coating liquid supply nozzle and the coating liquid discharge port of the coating liquid supply nozzle;
A nozzle raising / lowering mechanism for raising and lowering the coating liquid supply nozzle based on the measured value of the sensor, so that the coating liquid supply nozzle is disposed at a predetermined height position;
The coating film forming apparatus according to claim 8, further comprising:
基板の周縁の一部を保持し、表面から所定のガスが噴射されているステージの上に前記基板を略水平姿勢で浮かせる工程と、
前記基板を浮上状態に維持して前記ステージ上を一方向に搬送しながら、前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする塗布膜形成方法。 A coating film forming method for forming a coating film by supplying a coating liquid to the substrate while conveying the substrate in one direction,
Holding a part of the periphery of the substrate and floating the substrate in a substantially horizontal position on a stage on which a predetermined gas is injected from the surface;
Supplying a predetermined coating solution to the substrate to form a coating film while maintaining the substrate in a floating state and transporting the substrate in one direction; and
The coating film formation method characterized by having.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004029031A JP4049751B2 (en) | 2004-02-05 | 2004-02-05 | Coating film forming device |
TW093141371A TWI268533B (en) | 2004-02-05 | 2004-12-30 | Coating film forming apparatus and coating film forming method |
KR1020050009075A KR101061707B1 (en) | 2004-02-05 | 2005-02-01 | Coating film forming apparatus and coating film forming method |
CNB2005100016570A CN1318151C (en) | 2004-02-05 | 2005-02-03 | Device and method for forming coating film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004029031A JP4049751B2 (en) | 2004-02-05 | 2004-02-05 | Coating film forming device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005223119A true JP2005223119A (en) | 2005-08-18 |
JP4049751B2 JP4049751B2 (en) | 2008-02-20 |
Family
ID=34879177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004029031A Expired - Lifetime JP4049751B2 (en) | 2004-02-05 | 2004-02-05 | Coating film forming device |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4049751B2 (en) |
KR (1) | KR101061707B1 (en) |
CN (1) | CN1318151C (en) |
TW (1) | TWI268533B (en) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006077905A1 (en) * | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Tokyo Electron Limited | Stage apparatus and application processing apparatus |
JP2008029938A (en) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | Coating method and coating device |
JP2008218781A (en) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processor |
JP2009028577A (en) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Apparatus and method for coating |
JP2009043828A (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coater and coating method |
JP2009043829A (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coater and coating method |
JP2009059823A (en) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coating device and coating method |
JP2009117462A (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Tokyo Electron Ltd | Coating film forming device, substrate transfer method and storage medium |
JP2009117571A (en) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and coating apparatus and coating method |
JP2009123857A (en) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Toppan Printing Co Ltd | Coating method and coating device for colored photoresist |
JP2009208964A (en) * | 2008-02-05 | 2009-09-17 | Olympus Corp | Substrate carrying device, and substrate carrying method |
JP2011086875A (en) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coating apparatus |
JP2014003317A (en) * | 2013-08-19 | 2014-01-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coating device |
JP2014154832A (en) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Toray Eng Co Ltd | Wafer processing system and wafer processing method |
KR101570169B1 (en) | 2014-05-09 | 2015-11-20 | 세메스 주식회사 | apparatus for forming photo alignment film |
KR101818070B1 (en) | 2012-01-18 | 2018-01-12 | 주식회사 케이씨텍 | Substrate treating apparatus |
KR101857821B1 (en) | 2011-06-03 | 2018-05-14 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | Coating device and coating method |
WO2018235459A1 (en) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | 東レエンジニアリング株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR20190124049A (en) * | 2018-04-25 | 2019-11-04 | 세메스 주식회사 | Apparatus for processing substrate |
JP2020009780A (en) * | 2014-07-18 | 2020-01-16 | カティーバ, インコーポレイテッド | Gas enclosure system and method utilizing multizone circulation and filtration |
KR20200029421A (en) * | 2020-03-10 | 2020-03-18 | 세메스 주식회사 | Apparatus for processing substrate |
CN113399213A (en) * | 2020-03-17 | 2021-09-17 | 东丽工程株式会社 | Substrate floating and conveying device |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4634265B2 (en) * | 2005-09-27 | 2011-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Coating method and coating apparatus |
US8012744B2 (en) | 2006-10-13 | 2011-09-06 | Theranos, Inc. | Reducing optical interference in a fluidic device |
CN101502822B (en) * | 2008-02-04 | 2012-05-30 | 联华电子股份有限公司 | Calibrating equipment of nozzle and calibration method of nozzle |
KR101431146B1 (en) * | 2008-05-09 | 2014-08-18 | 주식회사 디엠에스 | apparatus for coating photoresist on substrate |
JP2011056335A (en) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Toray Eng Co Ltd | Apparatus for pre-drying and method of pre-drying |
JP2011165691A (en) * | 2010-02-04 | 2011-08-25 | Tokyo Electron Ltd | Reduced pressure drying method and reduced pressure drying device |
JP2011213435A (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Toray Eng Co Ltd | Carrying device and applying system |
CN101856647B (en) * | 2010-05-14 | 2012-08-29 | 方刚 | Automatic coating machine |
KR101179736B1 (en) | 2010-06-24 | 2012-09-04 | 주식회사 나래나노텍 | An Improved Floating Stage and A Substrate Floating Unit and A Coating Apparatus Having the Same |
KR102193251B1 (en) * | 2011-05-13 | 2020-12-22 | 가부시키가이샤 니콘 | Substrate-replacement device |
CN104051562B (en) * | 2013-03-13 | 2017-02-08 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Silicon chip surface treatment apparatus |
CN103771719B (en) * | 2014-01-16 | 2015-09-09 | 北京京东方光电科技有限公司 | A kind of apparatus for coating |
CN110114725B (en) | 2016-09-30 | 2021-09-17 | 株式会社尼康 | Transfer apparatus, exposure apparatus, method for manufacturing flat panel display, and method for manufacturing device |
JP6860356B2 (en) * | 2017-01-20 | 2021-04-14 | 株式会社Screenホールディングス | Coating device and coating method |
JP6860379B2 (en) * | 2017-03-03 | 2021-04-14 | 株式会社Screenホールディングス | Coating device and coating method |
CN107457154A (en) * | 2017-09-20 | 2017-12-12 | 大碇电脑配件(上海)有限公司 | A kind of four axle dispensing boards |
JP7232596B2 (en) * | 2018-08-30 | 2023-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
KR102134272B1 (en) * | 2018-09-17 | 2020-07-15 | 세메스 주식회사 | Floating type Substrate Transferring Apparatus |
CN111483235A (en) * | 2019-06-21 | 2020-08-04 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | Inkjet printing method and inkjet printing apparatus for light emitting device |
CN110802000B (en) * | 2019-11-08 | 2020-12-29 | 武汉城市职业学院 | Robot is paintd in ration play oil of lubricating oil |
CN111215264A (en) * | 2020-01-16 | 2020-06-02 | 重庆奥丽特建材有限公司 | Negative oxygen ion high crystal plate spraying device and control method thereof |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3245813B2 (en) * | 1996-11-27 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | Coating film forming equipment |
JP2000062950A (en) * | 1998-08-19 | 2000-02-29 | Daiichi Shisetsu Kogyo Kk | Flotation apparatus |
JP2000191137A (en) | 1998-12-28 | 2000-07-11 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Non contact carrier device of plate article |
JP2002181714A (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Thin plate inspection device |
JP2002346463A (en) | 2001-05-24 | 2002-12-03 | Toppan Printing Co Ltd | Sheet glass coating device |
JP4130552B2 (en) * | 2002-03-22 | 2008-08-06 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Glass substrate inspection equipment |
JP2003290697A (en) | 2002-04-02 | 2003-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | Device for continuously coating single sheet |
-
2004
- 2004-02-05 JP JP2004029031A patent/JP4049751B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-12-30 TW TW093141371A patent/TWI268533B/en active
-
2005
- 2005-02-01 KR KR1020050009075A patent/KR101061707B1/en active IP Right Grant
- 2005-02-03 CN CNB2005100016570A patent/CN1318151C/en active Active
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7908995B2 (en) | 2005-01-24 | 2011-03-22 | Tokyo Electron Limited | Stage apparatus and application processing apparatus |
JP2006199483A (en) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Tokyo Electron Ltd | Stage device and coating device |
WO2006077905A1 (en) * | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Tokyo Electron Limited | Stage apparatus and application processing apparatus |
JP2008029938A (en) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | Coating method and coating device |
JP2008218781A (en) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processor |
JP2009028577A (en) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Apparatus and method for coating |
JP2009043828A (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coater and coating method |
JP2009043829A (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coater and coating method |
JP2009059823A (en) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coating device and coating method |
JP4541396B2 (en) * | 2007-11-02 | 2010-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | Coating film forming apparatus, substrate transport method, and storage medium |
JP2009117462A (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Tokyo Electron Ltd | Coating film forming device, substrate transfer method and storage medium |
KR101327009B1 (en) | 2007-11-02 | 2013-11-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Coating film forming apparatus, substrate transfer method and storage medium |
JP4495752B2 (en) * | 2007-11-06 | 2010-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and coating apparatus |
JP2009117571A (en) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and coating apparatus and coating method |
JP2009123857A (en) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Toppan Printing Co Ltd | Coating method and coating device for colored photoresist |
JP2009208964A (en) * | 2008-02-05 | 2009-09-17 | Olympus Corp | Substrate carrying device, and substrate carrying method |
JP2011086875A (en) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coating apparatus |
KR101857821B1 (en) | 2011-06-03 | 2018-05-14 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | Coating device and coating method |
KR101818070B1 (en) | 2012-01-18 | 2018-01-12 | 주식회사 케이씨텍 | Substrate treating apparatus |
JP2014154832A (en) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Toray Eng Co Ltd | Wafer processing system and wafer processing method |
JP2014003317A (en) * | 2013-08-19 | 2014-01-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coating device |
KR101570169B1 (en) | 2014-05-09 | 2015-11-20 | 세메스 주식회사 | apparatus for forming photo alignment film |
JP2020009780A (en) * | 2014-07-18 | 2020-01-16 | カティーバ, インコーポレイテッド | Gas enclosure system and method utilizing multizone circulation and filtration |
WO2018235459A1 (en) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | 東レエンジニアリング株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR20190124049A (en) * | 2018-04-25 | 2019-11-04 | 세메스 주식회사 | Apparatus for processing substrate |
KR102134271B1 (en) * | 2018-04-25 | 2020-07-15 | 세메스 주식회사 | Apparatus for processing substrate |
KR20200029421A (en) * | 2020-03-10 | 2020-03-18 | 세메스 주식회사 | Apparatus for processing substrate |
KR102134274B1 (en) | 2020-03-10 | 2020-07-15 | 세메스 주식회사 | Apparatus for processing substrate |
CN113399213A (en) * | 2020-03-17 | 2021-09-17 | 东丽工程株式会社 | Substrate floating and conveying device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200527493A (en) | 2005-08-16 |
TWI268533B (en) | 2006-12-11 |
JP4049751B2 (en) | 2008-02-20 |
CN1651155A (en) | 2005-08-10 |
CN1318151C (en) | 2007-05-30 |
KR20050079637A (en) | 2005-08-10 |
KR101061707B1 (en) | 2011-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4049751B2 (en) | Coating film forming device | |
JP4554397B2 (en) | Stage device and coating treatment device | |
JP4413789B2 (en) | Stage device and coating treatment device | |
JP4040025B2 (en) | Coating film forming device | |
JP4743716B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR101169839B1 (en) | Coating fi1m forming apparatus | |
KR20090031271A (en) | Normal pressure drying device, substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2010098125A (en) | Apparatus and method for transporting substrate | |
JP2009018917A (en) | Application device, substrate delivery method and application method | |
JP5771432B2 (en) | Coating device | |
JP2002334918A (en) | Treating apparatus | |
JP2011086875A (en) | Coating apparatus | |
JP5518284B2 (en) | NOZZLE CLEANING DEVICE, NOZZLE CLEANING METHOD, COATING DEVICE, AND COATING METHOD | |
JP4226500B2 (en) | Substrate transport mechanism and coating film forming apparatus | |
KR101432825B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5063817B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2002324740A (en) | Treatment equipment | |
JP4643630B2 (en) | Processing equipment | |
JP4796040B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate manufacturing method | |
JP2002313699A (en) | Processor | |
JP2008078681A5 (en) | ||
JP2011083748A (en) | Method for coating, and apparatus for coating |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051006 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071004 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4049751 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131207 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |