JP4743716B2

JP4743716B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP4743716B2
Application number: JP2007055304A
Authority: JP
Inventors: 義治太田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2007-03-06
Filing date: 2007-03-06
Publication date: 2011-08-10
Anticipated expiration: 2027-03-06
Also published as: JP2008218781A

Description

本発明は、被処理基板を仰向けの状態で水平方向に搬送しながら所定の処理を行う基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a predetermined process while conveying a substrate to be processed in a horizontal direction in a supine state.

例えばＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）の製造においては、被処理基板であるＬＣＤ基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成する。 For example, in the manufacture of an FPD (flat panel display), a predetermined film is formed on an LCD substrate which is a substrate to be processed, and then a photoresist (hereinafter referred to as a resist) which is a processing liquid is applied to form a resist film. The circuit pattern is formed by a so-called photolithography process in which the resist film is exposed corresponding to the circuit pattern and developed.

ここで、ＬＣＤ基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成する装置としては、ＬＣＤ基板を水平に真空吸着する載置台と、この載置台に保持された基板にレジスト液を供給するレジストノズルと、載置台とレジストノズルとを水平方向で相対的に移動させる移動機構とを有する装置が知られている。 Here, as an apparatus for forming a coating film by supplying a resist solution to the LCD substrate, a mounting table that horizontally vacuum-sucks the LCD substrate, and a resist nozzle that supplies the resist solution to the substrate held on the mounting table, An apparatus having a moving mechanism for relatively moving the mounting table and the resist nozzle in the horizontal direction is known.

しかしながら、前記構成にあっては、基板を真空吸着すると、載置台に設けられた吸気孔がガラス基板の表面に転写され易く、また、基板の裏面に多くのパーティクルが付着するという課題があった。さらに、レジストノズルまたは載置台の一方を移動する機構が必要となるため、装置が大型で複雑な構造となり、コストが高くなるという問題があった。 However, in the above configuration, when the substrate is vacuum-sucked, the suction holes provided in the mounting table are easily transferred to the surface of the glass substrate, and there are problems that many particles adhere to the back surface of the substrate. . Further, since a mechanism for moving one of the resist nozzle and the mounting table is required, there is a problem that the apparatus has a large and complicated structure and the cost is increased.

このような課題を解決するため、特許文献１には、ガラス基板を載置台に吸着保持することなく略水平姿勢で搬送しながら、このガラス基板の表面にレジスト液を供給して塗布膜を形成する装置について開示されている。 In order to solve such a problem, Patent Document 1 discloses that a coating film is formed by supplying a resist solution to the surface of the glass substrate while transporting the glass substrate in a substantially horizontal posture without being held on the mounting table. An apparatus is disclosed.

この特許文献１に開示の塗布処理装置２００は、図６に示すようにＬＣＤ基板Ｇを浮上搬送するためのステージ２０１と、ステージ２０１上でＬＣＤ基板ＧをＸ方向に搬送する基板搬送機構２０２と、ステージ２０１上で浮上搬送されるＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジストノズル２０３と、レジストノズル２０３を洗浄等するためのノズル洗浄ユニット２０４とを備えている。 As shown in FIG. 6, a coating processing apparatus 200 disclosed in Patent Document 1 includes a stage 201 for levitating and conveying an LCD substrate G, and a substrate conveying mechanism 202 for conveying the LCD substrate G in the X direction on the stage 201. A resist nozzle 203 that supplies a resist solution to the surface of the LCD substrate G that is levitated and conveyed on the stage 201, and a nozzle cleaning unit 204 for cleaning the resist nozzle 203 are provided.

尚、ステージ２０１の上面には、上方（Ｚ方向）に向かって所定のガスを噴射するための多数のガス噴射口２０１ａと、吸気を行うための多数の吸気口２０１ｂとが夫々、Ｘ方向とＹ方向に一定間隔で直線上に並ぶように交互に設けられている。そして、ガス噴射口２０１ａから噴射されるガス噴射量と吸気口２０１ｂからの吸気量との圧力負荷を一定とすることによって、ＬＣＤ基板Ｇをステージ２０１の表面から一定の高さに浮上させるようになされている。
特開２００６−２３７０９７号公報 Note that on the upper surface of the stage 201, there are a large number of gas injection ports 201a for injecting a predetermined gas upward (Z direction) and a large number of intake ports 201b for performing intake air, respectively, in the X direction. They are alternately provided so as to be arranged on a straight line at regular intervals in the Y direction. Then, by making the pressure load between the gas injection amount injected from the gas injection port 201a and the intake amount from the intake port 201b constant, the LCD substrate G is floated to a certain height from the surface of the stage 201. Has been made.
JP 2006-237097 A

しかしながら、特許文献１に開示される従来の装置にあっては、移動中の基板Ｇに対しレジスト液を塗布する構成であるため、搬送方向における基板先端部及び基板後端部に塗布むらが生じていた。
即ち、基板Ｇ上にレジスト液を塗布する際には、図７（ａ）に示すように、ステージ２０１の上方に浮上した状態で搬送される。そして、ノズル２０３から吐出されるレジスト液の基板Ｇへの塗布は、図７（ｂ）に示すように、基板先端Ｇ１がノズル２０３直下に到達したときから開始される。 However, since the conventional apparatus disclosed in Patent Document 1 is configured to apply the resist solution to the moving substrate G, uneven coating occurs at the front end portion and the rear end portion of the substrate in the transport direction. It was.
That is, when the resist solution is applied onto the substrate G, it is transported in a state of floating above the stage 201 as shown in FIG. Then, application of the resist solution discharged from the nozzle 203 to the substrate G is started when the substrate front end G1 reaches just below the nozzle 203, as shown in FIG. 7B.

ところが塗布開始の際、基板先端Ｇ１は、その下面にガス噴射口２０１ａからのガス噴射、または、吸気口２０１ｂによる吸引動作がなされた直後であるため、上下方向に微小な振動が生じていた。このため、振動している基板先端Ｇ１上にレジスト液が塗布されることとなり、塗布むらが生じるという課題があった。
また、このような現象は、基板後端部においても同様に生じていた。 However, at the start of coating, the substrate front end G1 is immediately after the gas injection from the gas injection port 201a or the suction operation by the intake port 201b is performed on the lower surface thereof, and thus minute vibrations are generated in the vertical direction. For this reason, the resist solution is applied onto the vibrating substrate front end G1, which causes a problem of uneven coating.
In addition, such a phenomenon has occurred in the rear end portion of the substrate as well.

本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、被処理基板を浮上させ、水平方向に搬送しながら所定の処理を施す基板処理装置において、搬送される基板の先端部、後端部で発生する振動の発生を抑制することにより、高精度の処理を施すことのできる基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made under the circumstances as described above, by floating the substrate to be processed, in the substrate processing apparatus for performing predetermined processing while transporting in a horizontal direction, the leading end portion of the substrate to be conveyed, after An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of performing high-precision processing by suppressing the occurrence of vibrations generated at the end .

前記した課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、被処理基板を搬送しながら該基板に所定の処理を施す基板処理装置において、基板搬送方向に沿って順に配置された第１の小ステージと第２の小ステージと第３の小ステージとにより構成され、前記基板の下方に所定のガス流を形成して該基板を浮上させるステージと、前記ステージ上に浮上した前記基板を保持し、該基板を一方向に搬送する基板搬送手段と、前記第２の小ステージの上方に設けられ、浮上搬送される前記基板に対し所定の動作を実施する処理具とを備え、前記第１の小ステージと第３の小ステージは固定して設けられると共に、前記第２の小ステージは、前記第１の小ステージと前記第３の小ステージとの間を搬送路に沿って移動可能に設けられ、前記基板の先端部が前記第１の小ステージから前記第２の小ステージに搬送され、かつ前記処理具が前記基板の先端部に対する所定の動作を開始すると共に、前記第２の小ステージは、前記第１の小ステージから前記第３の小ステージに向けて、前記基板の搬送速度に同期して移動を開始し、または、前記基板の後端部が前記第１の小ステージから前記第２の小ステージに搬送され、かつ前記処理具が前記基板の後端部に対する所定の動作を終了する前に、前記第２の小ステージは、前記第１の小ステージから前記第３の小ステージに向けて、前記基板の搬送速度に同期して移動を開始することを特徴を有する。 In order to solve the above-described problems, a substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus that performs predetermined processing on a substrate while transferring the substrate to be processed. A stage composed of a small stage, a second small stage, and a third small stage, which forms a predetermined gas flow below the substrate and floats the substrate, and holds the substrate floated on the stage And a substrate transport means for transporting the substrate in one direction, and a processing tool that is provided above the second small stage and performs a predetermined operation on the substrate that is floated and transported . The small stage and the third small stage are fixedly provided, and the second small stage is movable between the first small stage and the third small stage along the conveyance path. provided, of the substrate End is conveyed from the first small stages to the second sub-stage, and with the processing device starts a predetermined operation with respect to the distal end portion of said substrate, said second small stages, the first Starting from the small stage toward the third small stage in synchronization with the transport speed of the substrate, or the rear end of the substrate from the first small stage to the second small stage And the second small stage is directed from the first small stage toward the third small stage before the processing tool finishes a predetermined operation on the rear end of the substrate . The movement is started in synchronization with the transport speed of the substrate.

このように構成することにより、前記所定期間においては、被処理基板の先端部或いは後端部と、第２の小ステージとの位置関係は変化せず、ガス噴射口からのガス噴射位置、或いは吸気口の吸気位置が変化することがない。
したがって、基板先端部或いは後端部が振動することなく、処理部による処理が進行し、高精度の処理を実施することができる。 With this configuration, the positional relationship between the front end or rear end of the substrate to be processed and the second small stage does not change during the predetermined period, and the gas injection position from the gas injection port, or The intake position of the intake port does not change.
Therefore, the processing by the processing unit proceeds without vibrating the front end portion or the rear end portion of the substrate, and high-precision processing can be performed.

また、前記ステージを構成する、第１、第２、第３の各小ステージ間の高さ位置は等しくなされると共に、前記第２の小ステージの基板搬送方向の長さ寸法が、前記基板の基板搬送方向の長さ寸法よりも短く形成されていることが望ましい。
このように構成することにより、基板の先端部又は後端部が第２の小ステージに載せられた状態で、第２の小ステージを前記第１のステージから第３のステージに移動させることができる。また、各小ステージ間の高さ位置を等しくすることにより、基板に対するガス流の形成制御を容易にし、安定した基板搬送を行うことができる。 Also, the height positions between the first, second, and third small stages constituting the stage are made equal , and the length dimension of the second small stage in the substrate transport direction is the same as that of the substrate. It is desirable that the length is shorter than the length in the substrate transport direction .
With this configuration, in a state where the top portion or the rear end portion of the substrate is placed on the second small stages, to move the second small stage to the third stage from the first stage it can. In addition, by making the height positions between the small stages equal, it is easy to control the formation of a gas flow with respect to the substrate, and stable substrate transfer can be performed.

また、前記ステージを構成する各小ステージの表面には、複数のガス噴射口と、前記ガス噴射口から噴射されたガスを吸気するための複数の吸気口とが形成され、前記ガス噴射口と前記吸気口により前記基板の下方に所定のガス流が形成され、前記基板が浮上することが望ましい。
このように構成することにより、ステージ上に所定のガス流を形成することができ、基板を浮上させることができる。 Further, a plurality of gas injection ports and a plurality of intake ports for sucking the gas injected from the gas injection ports are formed on the surface of each small stage constituting the stage, and the gas injection ports It is preferable that a predetermined gas flow is formed below the substrate by the intake port, and the substrate floats.
By comprising in this way, a predetermined gas flow can be formed on a stage and a board | substrate can be levitated.

また、前記処理具の動作が開始され、前記第２の小ステージが前記第１の小ステージから前記第３の小ステージに移動した後、前記第２の小ステージは、前記第１の小ステージ側に移動して戻ることが望ましい。
このように構成することにより、前記処理具による前記基板に対する動作終了前の所定期間において、前記第２の小ステージを、前記第１の小ステージから前記第３の小ステージに向けて、前記基板の搬送速度に同期して移動させることができる。 In addition, after the operation of the processing tool is started and the second small stage is moved from the first small stage to the third small stage, the second small stage is the first small stage. It is desirable to move to the side and return.
With this configuration, the second small stage is moved from the first small stage toward the third small stage in a predetermined period before the operation of the processing tool with respect to the substrate is completed. Can be moved in synchronization with the transport speed.

また、前記処理具は、前記被処理基板の被処理面にレジスト液と吐出するレジストノズルを適用することができ、或いは、前記被処理基板の被処理面を撮像するカメラを適用することができる。
このように前記処理具がレジストノズルであれば、被処理基板に対し塗布むらの発生することの無い塗布処理を行うことができ、前記処理具がカメラであれば、被処理基板に対し高精度の検査を行うことができる。 In addition, the processing tool can apply a resist nozzle that discharges a resist solution to the processing surface of the substrate to be processed, or can apply a camera that images the processing surface of the substrate to be processed. .
Thus, if the processing tool is a resist nozzle, it is possible to perform coating processing that does not cause uneven coating on the substrate to be processed. If the processing tool is a camera, high accuracy can be applied to the substrate to be processed. Can be inspected.

本発明によれば、被処理基板を浮上させ、水平方向に搬送しながら所定の処理を施す基板処理装置において、搬送される基板の先端部、後端部で発生する振動の発生を抑制することにより、高精度の処理を施すことのできる基板処理装置を得ることができる。 According to the present invention, in a substrate processing apparatus that floats a substrate to be processed and performs a predetermined process while being transported in a horizontal direction, it is possible to suppress the occurrence of vibrations that occur at the front end and rear end of the transported substrate. As a result, a substrate processing apparatus capable of performing high-precision processing can be obtained.

以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置を具備する塗布現像処理システムの平面図である。図２は、この塗布現像処理システム１における１枚の被処理基板に対する処理の手順を示すフローである。
最初に、この塗布現像処理システム１について、図１の平面図を用い、図２のフローに沿って簡単に説明する。尚、塗布現像処理システム１は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ用のガラス基板を被処理基板（以下、ＬＣＤ基板Ｇ又は単に基板Ｇと呼ぶ）とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィ工程を行うものとする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a coating and developing treatment system including a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a flowchart showing a processing procedure for one substrate to be processed in the coating and developing processing system 1.
First, the coating and developing treatment system 1 will be briefly described along the flow of FIG. 2 using the plan view of FIG. The coating and developing processing system 1 is installed in a clean room, and for example, a glass substrate for LCD is used as a substrate to be processed (hereinafter referred to as LCD substrate G or simply substrate G), and a photolithography process is performed in the LCD manufacturing process. And

先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）２において、搬送機構３が搬送アーム３ａを用い、ステージ４上のいずれか１つのカセットＣからＬＣＤ基板Ｇを一枚取り出し、その取り出した基板Ｇをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）５のプロセスラインＡ側の搬入部である平流し搬送路６の始点に仰向けの姿勢（基板の被処理面を上にして）で搬入する（図２のステップＳ１）。
こうして、ＬＣＤ基板Ｇは、平流し搬送路６上を仰向けの姿勢でプロセスラインＡの下流側へ向けて搬送される。初段の洗浄プロセス部７において、基板Ｇは、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）８およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）９により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される（ステップＳ２、Ｓ３）。 First, in the cassette station (C / S) 2, the transfer mechanism 3 uses the transfer arm 3 a to take out one LCD substrate G from any one cassette C on the stage 4, and the taken-out substrate G is removed from the process station ( (P / S) 5 is carried in a posture in a supine position (with the processing surface of the substrate facing up) to the starting point of the flat flow conveying path 6 which is a carry-in portion on the process line A side (step S1 in FIG. 2).
In this way, the LCD substrate G is transported toward the downstream side of the process line A in a flat flow on the transport path 6 in a supine posture. In the first-stage cleaning process section 7, the substrate G is sequentially subjected to an ultraviolet cleaning process and a scrubbing cleaning process by an excimer UV irradiation unit (e-UV) 8 and a scrubber cleaning unit (SCR) 9 (steps S2 and S3).

スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）９では、平流し搬送路６上を移動するＬＣＤ基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）９における一連の洗浄処理を終えると、基板Ｇはそのまま平流し搬送路６を下って第１の熱的処理部１０を通過する。 In the scrubber cleaning unit (SCR) 9, the LCD substrate G moving on the flat flow path 6 is subjected to brushing cleaning and blow cleaning to remove particulate dirt from the substrate surface, and then rinsed. Finally, the substrate G is dried using an air knife or the like. When a series of cleaning processes in the scrubber cleaning unit (SCR) 9 is completed, the substrate G flows as it is, passes down the transport path 6 and passes through the first thermal processing unit 10.

第１の熱的処理部１０において、ＬＣＤ基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）１１に搬入されると先ず加熱により脱水ベーク処理を受け、水分を取り除かれる。
アドヒージョンユニット１１において脱水ベーク処理がなされた基板Ｇは、蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（ステップＳ４）。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）１２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ５）。この後、ＬＣＤ基板Ｇは平流し搬送路６上を搬送され、塗布プロセス部１３に渡される。 In the first thermal processing unit 10, when the LCD substrate G is carried into the adhesion unit (AD) 11, first, it is subjected to a dehydration baking process by heating to remove moisture.
The substrate G that has been dehydrated and baked in the adhesion unit 11 is subjected to an adhesion process using vapor HMDS, and the surface to be processed is hydrophobized (step S4). After the completion of the adhesion process, the substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by the cooling unit (COL) 12 (step S5). Thereafter, the LCD substrate G flows flatly and is transported on the transport path 6 and is delivered to the coating process unit 13.

塗布プロセス部１３において、ＬＣＤ基板Ｇは平流し搬送路６上を搬送されながら、最初にレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４において例えばスリットノズルを用いた基板上面（被処理面）へのレジスト液の塗布がなされ、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１５で減圧による乾燥処理を受ける（ステップＳ６）。
尚、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４において、本発明の基板処理装置を好適に用いることができるため、その構成及び作用効果については詳細に後述する。 In the coating process unit 13, while the LCD substrate G is transported on the flat transport path 6, the resist coating unit (CT) 14 first applies the resist solution onto the substrate upper surface (surface to be processed) using, for example, a slit nozzle. Immediately after that, the reduced pressure drying unit (VD) 15 adjacent to the downstream side receives the drying process by the reduced pressure (step S6).
In the resist coating unit (CT) 14, since the substrate processing apparatus of the present invention can be suitably used, the configuration and operational effects thereof will be described in detail later.

この後、ＬＣＤ基板Ｇは平流し搬送路６上を搬送され、第２の熱的処理部１６を通過する。第２の熱的処理部１６において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）１７でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける（ステップＳ７）。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発除去し、ＬＣＤ基板Ｇに対するレジスト膜の密着性も強化される。 Thereafter, the LCD substrate G flows flat and is conveyed on the conveyance path 6 and passes through the second thermal processing unit 16. In the second thermal processing unit 16, the substrate G is first subjected to pre-baking in the pre-baking unit (PREBAKE) 17 as heat treatment after resist application or heat treatment before exposure (step S7). By this pre-baking, the solvent remaining in the resist film on the substrate G is removed by evaporation, and the adhesion of the resist film to the LCD substrate G is enhanced.

次に、ＬＣＤ基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）１８で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ８）。しかる後、基板Ｇは、平流し搬送路６の終点（搬出部）からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１９の搬送装置２０に引き取られる。 Next, the LCD substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by the cooling unit (COL) 18 (step S8). Thereafter, the substrate G is taken from the end point (unloading unit) of the flat flow transfer path 6 to the transfer device 20 of the interface station (I / F) 19.

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１９において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）２１から周辺装置２２の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置２３へ送られる（ステップＳ９）。
露光装置２３では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置２３からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１９に戻されると、先ず周辺装置２２のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ１０）。 In the interface station (I / F) 19, the substrate G is transferred from the extension / cooling stage (EXT / COL) 21 to the peripheral exposure device (EE) of the peripheral device 22 where the resist adhering to the peripheral portion of the substrate G is removed. After receiving exposure for removal during development, the image is sent to the adjacent exposure device 23 (step S9).
The exposure device 23 exposes a predetermined circuit pattern to the resist on the substrate G. Then, when the substrate G that has undergone pattern exposure is returned from the exposure apparatus 23 to the interface station (I / F) 19, it is first carried into a titler (TITLER) of the peripheral device 22, where a predetermined portion on the substrate is predetermined. Is recorded (step S10).

しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）２１に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１９における基板Ｇの搬送および露光装置２３との基板Ｇのやりとりは搬送装置２０、２４によって行われる。最後に、基板Ｇは、搬送装置２４よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）５のプロセスラインＢ側に敷設されている平流し搬送路２５の始点（搬入部）に搬入される。
こうして、ＬＣＤ基板Ｇは、今度は平流し搬送路２５上を仰向けの姿勢でプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。
プロセスラインＢでは、最初の現像ユニット（ＤＥＶ）２６において、基板Ｇは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（ステップＳ１１）。 Thereafter, the substrate G is returned to the extension / cooling stage (EXT / COL) 21. Transfer of the substrate G at the interface station (I / F) 19 and exchange of the substrate G with the exposure device 23 are performed by transfer devices 20 and 24. Finally, the substrate G is carried from the transfer device 24 to the starting point (loading portion) of the flat flow transfer path 25 laid on the process line B side of the process station (P / S) 5.
In this way, the LCD substrate G is flown flat this time and conveyed toward the downstream side of the process line B in a posture on its back on the conveyance path 25.
In the process line B, in the first development unit (DEV) 26, the substrate G is subjected to a series of development processes of development, rinsing, and drying while being conveyed in a flat flow (step S11).

現像ユニット（ＤＥＶ）２６で一連の現像処理を終えたＬＣＤ基板Ｇは、そのまま平流し搬送路２５に載せられたまま下流側隣のｉ線照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２７を通り、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ１２）。その後も、基板Ｇは平流し搬送路２５に載せられたまま第３の熱的処理部２８および検査ユニット（ＡＰ）２９を順次通過する。 The LCD substrate G that has undergone a series of development processing in the development unit (DEV) 26 is flattened as it is and is placed on the transport path 25 and passes through the i-line irradiation unit (i-UV) 27 adjacent to the downstream side, where i-line A decoloring process by irradiation is performed (step S12). After that, the substrate G flows flat and passes through the third thermal processing unit 28 and the inspection unit (AP) 29 sequentially while being placed on the transport path 25.

第３の熱的処理部２８において、ＬＣＤ基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）３０で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（ステップＳ１３）。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発除去し、基板に対するレジストパターンの密着性も強化される。
次に、ＬＣＤ基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）３１で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ１４）。検査ユニット（ＡＰ）２９では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（ステップＳ１５）。 In the third thermal processing section 28, the LCD substrate G is first subjected to post-baking as a heat treatment after development processing in the post-baking unit (POBAKE) 30 (step S13). By this post-baking, the developer and the cleaning solution remaining on the resist film on the substrate G are removed by evaporation, and the adhesion of the resist pattern to the substrate is also enhanced.
Next, the LCD substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by the cooling unit (COL) 31 (step S14). In the inspection unit (AP) 29, non-contact line width inspection, film quality / film thickness inspection, and the like are performed on the resist pattern on the substrate G (step S15).

そしてカセットステーション（Ｃ／Ｓ）２側では、搬送機構３が搬送アーム３ａを用い、平流し搬送路２５の終点（搬出部）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（ステップＳ１に戻る）。
尚、前記のように処理が行われる塗布現像処理システム１においては、両プロセスラインＡ，Ｂの間に補助搬送空間３２が設けられており、必要に応じて各処理ユニットに対し基板Ｇを直接、搬入出できるよう、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル３３が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。 On the cassette station (C / S) 2 side, the transport mechanism 3 uses the transport arm 3a to receive and receive the substrate G that has completed all the steps of the coating and developing treatment from the end point (unloading portion) of the flat flow transport path 25. The substrate G is accommodated in any one (usually the original) cassette C (return to step S1).
In the coating and developing processing system 1 in which processing is performed as described above, an auxiliary transport space 32 is provided between both process lines A and B, and the substrate G is directly attached to each processing unit as necessary. In order to be able to carry in and out, the shuttle 33 capable of horizontally placing the substrates G in units of one sheet can be moved in both directions in the process line direction (X direction) by a drive mechanism (not shown).

この塗布現像処理システム１においては、前記したように、塗布プロセス部１３に設けられたレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４に本発明に係る基板処理装置を適用することができる。
以下、図３に基づき、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４の構成及び動作について説明する。図３は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４を有する塗布プロセス部１３の概略構成を示す平面図である。 In the coating and developing treatment system 1, as described above, the substrate processing apparatus according to the present invention can be applied to the resist coating unit (CT) 14 provided in the coating process unit 13.
The configuration and operation of the resist coating unit (CT) 14 will be described below with reference to FIG. FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of a coating process unit 13 having a resist coating unit (CT) 14.

図３の概略平面図に示すように、塗布プロセス部１３は、ＬＣＤ基板Ｇの上面（被処理面）にレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４と、減圧することでレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１５とで構成される。
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４は、ＬＣＤ基板Ｇを浮上搬送するためのステージ３５と、ステージ３５上方で浮上した基板Ｇを保持してＸ方向に搬送する基板搬送機構３６（基板搬送手段）とを備え、このユニットでは、これらにより平流し搬送部６が構成される。
尚、前段の処理部である第１の熱的処理部１０において平流し搬送路６を搬送されてきた基板Ｇは、第１基板搬送アーム３９ａによってレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４へ引渡されるようになされている。 As shown in the schematic plan view of FIG. 3, the coating process unit 13 dries the resist by applying a resist coating unit (CT) 14 for coating a resist solution on the upper surface (surface to be processed) of the LCD substrate G and reducing the pressure. And a vacuum drying unit (VD) 15.
The resist coating unit (CT) 14 includes a stage 35 for levitating and conveying the LCD substrate G, and a substrate conveying mechanism 36 (substrate conveying means) that holds the substrate G that has floated above the stage 35 and conveys it in the X direction. In this unit, the flat transport unit 6 is configured by these units.
Note that the substrate G that has flowed through the transport path 6 in the first thermal processing section 10 that is the preceding processing section is delivered to the resist coating unit (CT) 14 by the first substrate transport arm 39a. Has been made.

また、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４は、ステージ３５上で浮上搬送される基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジストノズル３７（処理具）と、レジストノズル３７を洗浄等するためのノズル洗浄ユニット３８とを備えている。 The resist coating unit (CT) 14 includes a resist nozzle 37 (processing tool) for supplying a resist solution to the surface of the substrate G that is levitated and conveyed on the stage 35, and a nozzle cleaning unit for cleaning the resist nozzle 37. 38.

レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４は、基板Ｇの搬送方向の上流から下流に向けて、導入ステージ部４０ａ、塗布ステージ部４０ｂ、搬出ステージ部４０ｃに分けられる。
導入ステージ部４０ａは、第１の熱的処理部１０から塗布ステージ部４０ｂへ基板Ｇを搬送するためのエリアである。塗布ステージ部４０ｂには、レジストノズル３７が配置されており、ここで基板Ｇにレジスト液が供給されて塗布膜が形成される。搬出ステージ４０ｃは、塗布膜が形成された基板Ｇを減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１５へ搬出するためのエリアである。 The resist coating unit (CT) 14 is divided into an introduction stage portion 40a, a coating stage portion 40b, and a carry-out stage portion 40c from upstream to downstream in the transport direction of the substrate G.
The introduction stage unit 40a is an area for transporting the substrate G from the first thermal processing unit 10 to the coating stage unit 40b. A resist nozzle 37 is disposed in the coating stage 40b, and a resist solution is supplied to the substrate G to form a coating film. The carry-out stage 40 c is an area for carrying the substrate G on which the coating film is formed to the reduced-pressure drying unit (VD) 15.

ステージ３５は、Ｘ方向に並べられた３台の小ステージ４１（第１の小ステージ）、小ステージ４２（第２の小ステージ）、小ステージ４３（第３の小ステージ）からなり、夫々導入ステージ部４０ａ、塗布ステージ部４０ｂ、搬出ステージ部４０ｃに配置された構成となっている。
各小ステージ４１、４２、４３は、所定のガス（例えば、空気や窒素ガス）を上方（Ｚ方向）に向かって噴射するための多数のガス噴射口４５ａと、吸気を行うための多数の吸気口４５ｂとが夫々、Ｘ方向とＹ方向に一定間隔で直線上に並ぶように交互に設けられた構造を有している。そして、ガス噴射口４５ａから噴射されるガス噴射量と吸気口４５ｂからの吸気量とをバランスさせる（つまり、圧力負荷を一定とする）ことによって所定のガス流を形成し、基板Ｇを小ステージ４１、４２、４３の表面から一定の高さに浮上させる。こうして浮上した基板ＧのＹ方向端を基板搬送機構３６で保持してＸ方向へ移動させることにより基板Ｇを搬送させるようになされている。 The stage 35 includes three small stages 41 (first small stage), a small stage 42 (second small stage), and a small stage 43 (third small stage) arranged in the X direction. It is the structure arrange | positioned at the stage part 40a, the application | coating stage part 40b, and the unloading stage part 40c.
Each of the small stages 41, 42, 43 has a large number of gas injection ports 45 a for injecting a predetermined gas (for example, air or nitrogen gas) upward (Z direction) and a large number of intake air for performing intake. Each of the openings 45b has a structure in which the openings 45b are alternately arranged so as to be aligned on a straight line at regular intervals in the X direction and the Y direction. A predetermined gas flow is formed by balancing the gas injection amount injected from the gas injection port 45a and the intake air amount from the intake port 45b (that is, the pressure load is constant), and the substrate G is placed in a small stage. It floats to a certain height from the surface of 41, 42, 43. The substrate G is transported by holding the end in the Y direction of the substrate G thus floated by the substrate transport mechanism 36 and moving it in the X direction.

また、導入ステージ部４０ａに設けられた小ステージ４１には、第１基板搬送アーム３９ａによって導入ステージ部４０ａへ搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇを支持し、小ステージ４１上に降下させるためのリフトピン４６ａが設けられている。
また、搬出ステージ部４０ｃに設けられた小ステージ４３には、搬出ステージ部４０ｃへ搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇを持ち上げて、第２基板搬送アーム３９ｂに受け渡すためのリフトピン４６ｂが設けられている。 Further, the small stage 41 provided in the introduction stage unit 40a supports the LCD substrate G transferred to the introduction stage unit 40a by the first substrate transfer arm 39a, and lift pins 46a for lowering on the small stage 41. Is provided.
The small stage 43 provided in the carry-out stage unit 40c is provided with lift pins 46b for lifting the LCD substrate G transferred to the carry-out stage unit 40c and delivering it to the second substrate transfer arm 39b. .

また、塗布ステージ４０ｂに設けられた小ステージ４２は、基板Ｇへの塗布処理時において塗布位置が固定されたレジストノズル３７に対し、搬送路（Ｘ軸）に沿ってガイドレール５７上を前後に移動可能に構成されている。即ち、小ステージ４２が設けられる塗布ステージ４０ｂの領域は、その基板搬送方向の長さ寸法が、小ステージ４２の基板搬送方向の長さ寸法よりも長く形成されている。
尚、この小ステージ４２の移動に係る動作制御については後述する。 The small stage 42 provided on the coating stage 40b moves back and forth on the guide rail 57 along the transport path (X axis) with respect to the resist nozzle 37 whose coating position is fixed during the coating process on the substrate G. It is configured to be movable. That is, the region of the coating stage 40b where the small stage 42 is provided is formed such that the length dimension in the substrate transport direction is longer than the length dimension of the small stage 42 in the substrate transport direction.
The operation control relating to the movement of the small stage 42 will be described later.

また、基板搬送機構３６は、ステージ３５のＹ方向側面にＸ方向に延在するように配置された直線ガイド４７ａ・４７ｂと、直線ガイド４７ａ・４７ｂと嵌合したスライダ４８と、スライダ４８をＸ方向で往復移動させるための、ベルト駆動機構やエアースライダ等のＸ軸駆動機構（図示せず）と、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向端の一部を保持するためにスライダ４８に設けられた吸着パッド等の基板保持部材（図示せず）とを備えている。例えば、この吸着パッドは、ＬＣＤ基板Ｇにおいてレジスト液が塗布されない部分の裏面側のＹ方向端近傍でＬＣＤ基板Ｇを保持する。 Further, the substrate transport mechanism 36 includes linear guides 47a and 47b arranged on the side surface in the Y direction of the stage 35 so as to extend in the X direction, a slider 48 fitted to the linear guides 47a and 47b, and the slider 48 as X An X-axis drive mechanism (not shown) such as a belt drive mechanism or an air slider for reciprocating in the direction, and a suction pad provided on the slider 48 for holding a part of the Y-direction end of the LCD substrate G And a substrate holding member (not shown). For example, the suction pad holds the LCD substrate G in the vicinity of the end in the Y direction on the back side of the portion of the LCD substrate G where the resist solution is not applied.

レジストノズル３７は、一方向に長い長尺状の形状を有し、Ｙ方向に長い略帯状にレジスト液を吐出する。ノズル移動機構４９は、このレジストノズル３７をその長手方向をＹ方向に一致させた状態で保持し、レジストノズル３７をＺ方向に昇降させる昇降機構５０と、昇降機構５０を保持する支柱部材５１と、支柱部材５１をＸ方向で移動させるためのボールネジ等の水平駆動機構５２とを備えている。このようなノズル移動機構４９によって、レジストノズル３７は、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を供給する位置とノズル洗浄ユニット３８において洗浄処理等される各位置との間で移動することができるようになっている。 The resist nozzle 37 has a long shape that is long in one direction, and discharges the resist solution in a substantially strip shape that is long in the Y direction. The nozzle moving mechanism 49 holds the resist nozzle 37 with its longitudinal direction aligned with the Y direction, lifts and lowers the resist nozzle 37 in the Z direction, and a column member 51 that holds the lift mechanism 50. And a horizontal drive mechanism 52 such as a ball screw for moving the column member 51 in the X direction. By such a nozzle moving mechanism 49, the resist nozzle 37 can be moved between a position where the resist solution is supplied to the LCD substrate G and each position where the cleaning process or the like is performed in the nozzle cleaning unit 38. Yes.

ノズル洗浄ユニット３８は、支柱部材５３に取り付けられて、小ステージ４１の上方に配置されている。ノズル洗浄ユニット３８は、ＬＣＤ基板Ｇへのレジスト液供給前に予備的にレジストノズル３７からレジスト液を吐出させる、所謂、ダミーディスペンスを行うためのダミーディスペンス部５４と、レジストノズル３７のレジスト吐出口が乾燥しないようにレジスト吐出口を溶剤（例えば、シンナー）の蒸気雰囲気で保持するためのノズルバス５５と、レジストノズル３７のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構５６と、を備えている。 The nozzle cleaning unit 38 is attached to the support member 53 and is disposed above the small stage 41. The nozzle cleaning unit 38 preliminarily discharges the resist solution from the resist nozzle 37 before supplying the resist solution to the LCD substrate G, so-called dummy dispensing unit 54 for performing dummy dispensing, and the resist discharge port of the resist nozzle 37 A nozzle bath 55 for holding the resist discharge port in a solvent (for example, thinner) vapor atmosphere so as not to dry, a nozzle cleaning mechanism 56 for removing the resist adhering to the vicinity of the resist discharge port of the resist nozzle 37, It has.

また、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１５は、ＬＣＤ基板Ｇを載置するための載置台６０と、載置台６０及び載置台６０に載置されたＬＣＤ基板Ｇを収容するチャンバ６１とを備えている。また、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４から減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１５を通って後段のユニットへＬＣＤ基板Ｇを搬送するために、第２基板搬送アーム３９ｂはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４と後段のユニットとの間を往復自在になされている。 The reduced-pressure drying unit (VD) 15 includes a mounting table 60 for mounting the LCD substrate G, and a chamber 61 for storing the mounting substrate 60 and the LCD substrate G mounted on the mounting table 60. . Further, in order to transport the LCD substrate G from the resist coating unit (CT) 14 through the reduced pressure drying unit (VD) 15 to the subsequent unit, the second substrate transport arm 39b is connected to the resist coating unit (CT) 14 and the subsequent stage. It is made to reciprocate between units.

このように構成された塗布プロセス部１３においては、次のように処理が施される。
先ず、スライダ４８を導入ステージ部４０ａの所定位置に待機させ、ステージ３５では各部において所定の高さにＬＣＤ基板Ｇを浮上させることができる状態となされる。
次いで、前段の処理部である第１の熱的処理部１０からＬＣＤ基板Ｇを第１基板搬送アーム３９ａに保持させて、導入ステージ部４０ａに搬入する。そして、リフトピン４６ａを上昇させてＬＣＤ基板Ｇを第１基板搬送アーム３９ａからリフトピン４６ａに受け渡した後、リフトピン４６ａを降下させ、スライダ４８に受け渡す。
これにより、ＬＣＤ基板Ｇは小ステージ４１上において略水平姿勢で浮上保持される。 In the coating process unit 13 configured as described above, processing is performed as follows.
First, the slider 48 is made to stand by at a predetermined position of the introduction stage portion 40a, and the stage 35 is brought into a state where the LCD substrate G can be floated to a predetermined height at each portion.
Next, the LCD substrate G is held by the first substrate transfer arm 39a from the first thermal processing unit 10 which is the previous processing unit, and is carried into the introduction stage unit 40a. Then, the lift pins 46 a are raised and the LCD substrate G is transferred from the first substrate transfer arm 39 a to the lift pins 46 a, and then the lift pins 46 a are lowered and transferred to the slider 48.
Thereby, the LCD substrate G is floated and held on the small stage 41 in a substantially horizontal posture.

そして、スライダ４８を搬出ステージ部４０ｃ側に向けて所定の速度でスライドさせると、塗布ステージ部４０ｂにおいて、小ステージ４２上を浮上搬送されるＬＣＤ基板Ｇがレジストノズル３７の下を通過する際に、レジストノズル３７からレジスト液がＬＣＤ基板Ｇの表面に供給され、塗布膜が形成される。 When the slider 48 is slid at a predetermined speed toward the carry-out stage unit 40c, the LCD substrate G that is floated and conveyed on the small stage 42 passes under the resist nozzle 37 in the coating stage unit 40b. Then, a resist solution is supplied from the resist nozzle 37 to the surface of the LCD substrate G to form a coating film.

より具体的には、レジストノズル３７から吐出されるレジスト液によって塗布膜形成される際、小ステージ４２は、図４、図５に示すような移動制御が行われる。
図４、図５は、レジスト液の塗布時における基板Ｇと小ステージ４２との位置関係を示す側面図である。尚、図示するように、ガイドレール５７上に、このレール５７をスライド移動するスライド部材５８が設けられ、スライド部材５８上に小ステージ４２が設置されている。 More specifically, when the coating film is formed by the resist solution discharged from the resist nozzle 37, the small stage 42 is controlled to move as shown in FIGS.
4 and 5 are side views showing the positional relationship between the substrate G and the small stage 42 when the resist solution is applied. As shown in the figure, a slide member 58 for sliding the rail 57 is provided on the guide rail 57, and the small stage 42 is installed on the slide member 58.

図４（ａ）に示すように、塗布前の待機時においては、小ステージ４２は上流側の小ステージ４１に接した状態となされる。
そして、搬送されてきた基板Ｇの先端Ｇ１が小ステージ４１から小ステージ４２上に移動し、図４（ｂ）に示すように先端Ｇ１がレジストノズル３７の直下に到達すると、レジストノズル３７からレジスト液の吐出が開始される。
尚、レジストノズル３７からのレジスト液の吐出開始／吐出終了のタイミングは、ＬＣＤ基板Ｇの位置を検出するセンサ（図示せず）が設けられ、このセンサからの信号に基づいて制御されている。 As shown in FIG. 4A, the small stage 42 is in contact with the upstream small stage 41 during standby before coating.
Then, the tip G1 of the transferred substrate G moves from the small stage 41 to the small stage 42, and when the tip G1 reaches just below the resist nozzle 37 as shown in FIG. The liquid discharge is started.
Note that the timing of the start and end of discharge of the resist solution from the resist nozzle 37 is controlled by a sensor (not shown) that detects the position of the LCD substrate G, and is controlled.

次いで、小ステージ４２は、搬送される基板Ｇの先端Ｇ１がレジストノズル３７直下に到達すると、図４（ｃ）に示すように基板Ｇの搬送速度に同期して、待機状態から下流の小ステージ４３側に移動する。この移動は、レジストノズル３７のレジスト吐出開始後（動作開始後）、所定期間の間（例えば、小ステージ４２が小ステージ４３に接するまでの間）行われる。
これにより、図４（ｂ）に示す基板Ｇの先端Ｇ１と小ステージ４２との位置関係は、図４（ｃ）に示すそれらの位置関係と同じとなり、基板Ｇの先端Ｇ１に対するガス噴射口４５ａからのガス噴射、或いは吸気口４５ｂからの吸気の位置は変化しない。したがって、基板先端Ｇ１が振動することなく、レジストノズル３７による塗布処理が進行する。 Next, when the tip G1 of the substrate G to be transported reaches just below the resist nozzle 37, the small stage 42 synchronizes with the transport speed of the substrate G as shown in FIG. Move to 43 side. This movement is performed for a predetermined period (for example, until the small stage 42 comes into contact with the small stage 43) after the resist discharge of the resist nozzle 37 is started (after the operation is started).
Accordingly, the positional relationship between the tip G1 of the substrate G and the small stage 42 shown in FIG. 4B is the same as those shown in FIG. 4C, and the gas injection port 45a with respect to the tip G1 of the substrate G is used. The position of the gas injection from the intake port or the intake air from the intake port 45b does not change. Therefore, the coating process by the resist nozzle 37 proceeds without the substrate tip G1 vibrating.

そして、ノズル３７の位置が基板先端Ｇ１から離れ、図４（ｄ）に示すように小ステージ４２が下流側の小ステージ４３に接するまで移動すると、小ステージ４２は、図４（ｅ）に示すように上流側の小ステージ４１に向けて折り返し移動し、図４（ｆ）に示すように小ステージ４１に接した状態、即ち待機状態で停止する。 When the position of the nozzle 37 moves away from the substrate front end G1 and the small stage 42 moves until it contacts the downstream small stage 43 as shown in FIG. 4 (d), the small stage 42 is shown in FIG. 4 (e). As shown in FIG. 4 (f), the robot moves back to the upstream small stage 41, and stops in a state of being in contact with the small stage 41, that is, in a standby state.

次いで、図５（ａ）に示すように、レジストノズル３７の位置が基板Ｇの後端Ｇ２から所定距離にまで近づくと、図５（ｂ）に示すように基板Ｇの搬送速度に同期して、小ステージ４２が待機状態から下流側の小ステージ４３側に移動する。この移動は、レジストノズル３７のレジスト吐出終了前（動作終了前）の所定期間（例えば、小ステージ４２が小ステージ４１に接するまでの間）行われる。
これにより、図５（ａ）に示す基板Ｇの後端Ｇ２と小ステージ４２との位置関係は、図５（ｂ）に示すそれらの位置関係と同じとなり、基板Ｇの後端Ｇ２に対するガス噴射口４５ａからのガス噴射、或いは吸気口４５ｂからの吸気の位置は変化しない。したがって、基板後端Ｇ２が振動することなく、レジストノズル３７による塗布処理が行われる。 Next, as shown in FIG. 5A, when the position of the resist nozzle 37 approaches a predetermined distance from the rear end G2 of the substrate G, in synchronization with the transport speed of the substrate G as shown in FIG. The small stage 42 moves from the standby state to the downstream small stage 43 side. This movement is performed for a predetermined period (for example, until the small stage 42 comes into contact with the small stage 41) before the resist discharge of the resist nozzle 37 (before the operation ends).
Thereby, the positional relationship between the rear end G2 of the substrate G shown in FIG. 5A and the small stage 42 is the same as those shown in FIG. 5B, and the gas injection to the rear end G2 of the substrate G is performed. The position of gas injection from the port 45a or intake air from the intake port 45b does not change. Therefore, the coating process by the resist nozzle 37 is performed without the substrate rear end G2 vibrating.

基板後端Ｇ２までの塗布処理が終了すると、図５（ｃ）に示すように小ステージ４２は下流側の小ステージ４３に接した状態から、図５（ｄ）に示すように上流側の小ステージ４１に接した状態、即ち、次の塗布処理のための待機状態となるようガイドレール５７に沿って移動する。 When the coating process up to the rear end G2 of the substrate is completed, the small stage 42 comes into contact with the small stage 43 on the downstream side as shown in FIG. 5C, and then the small side on the upstream side as shown in FIG. It moves along the guide rail 57 so as to be in a state of being in contact with the stage 41, that is, in a standby state for the next coating process.

このようにして塗布膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇは搬出ステージ部４０ｃに搬送され、そこでスライダ４８による保持を解除し、リフトピン４６ｂを上昇させる。次いで、第２基板搬送アーム３９ｂをリフトピン４６ｂによって持ち上げられたＬＣＤ基板Ｇにアクセスさせ、第２基板搬送アーム３９ｂがＬＣＤ基板ＧのＹ方向端でＬＣＤ基板Ｇを把持したら、リフトピン４６ｂを降下させる。
そして、第２基板搬送アーム３９ｂによりＬＣＤ基板Ｇが減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１５の載置台６０に載置されると、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１５においてチャンバ６１内が密閉され、その内部が減圧されて塗布膜が減圧乾燥される。 The LCD substrate G on which the coating film is formed in this way is conveyed to the carry-out stage unit 40c, where the holding by the slider 48 is released, and the lift pins 46b are raised. Next, when the second substrate transport arm 39b accesses the LCD substrate G lifted by the lift pins 46b and the second substrate transport arm 39b grips the LCD substrate G at the end in the Y direction of the LCD substrate G, the lift pins 46b are lowered.
Then, when the LCD substrate G is placed on the mounting table 60 of the reduced pressure drying unit (VD) 15 by the second substrate transfer arm 39b, the inside of the chamber 61 is sealed in the reduced pressure drying unit (VD) 15, and the inside thereof is decompressed. Then, the coating film is dried under reduced pressure.

以上のように、本発明に係る実施の形態によれば、搬送される基板Ｇに対するレジストノズル３７からの塗布処理の開始後の所定期間において、小ステージ４２は、基板Ｇの搬送速度に同期して、小ステージ４１側から小ステージ４３側に移動する。或いは、搬送される基板Ｇ１に対するレジストノズル３７からの塗布処理の終了前の所定期間において、小ステージ４２は、基板Ｇの搬送速度に同期して小ステージ４１側から小ステージ４３側に移動する。
これにより、基板Ｇの先端部Ｇ１及び後端部Ｇ２が塗布処理される前記所定期間においては、基板Ｇの先端Ｇ１或いは後端Ｇ２と、小ステージ４２との位置関係は変化せず、ガス噴射口４５ａからのガス噴射位置、或いは吸気口４５ｂの吸気位置が変化することがない。
したがって、基板先端Ｇ１或いは後端Ｇ２が振動することなく、レジストノズル３７による塗布処理が進行し、塗布むらの無い塗布処理を実施することができる。 As described above, according to the embodiment of the present invention, the small stage 42 is synchronized with the transport speed of the substrate G in a predetermined period after the start of the coating process from the resist nozzle 37 to the transported substrate G. The small stage 41 is moved to the small stage 43 side. Alternatively, the small stage 42 moves from the small stage 41 side to the small stage 43 side in synchronization with the conveyance speed of the substrate G in a predetermined period before the coating process from the resist nozzle 37 to the substrate G1 to be conveyed.
Thereby, in the predetermined period in which the front end portion G1 and the rear end portion G2 of the substrate G are applied, the positional relationship between the front end G1 or the rear end G2 of the substrate G and the small stage 42 does not change, and the gas injection The gas injection position from the port 45a or the intake position of the intake port 45b does not change.
Therefore, the coating process by the resist nozzle 37 proceeds without vibration of the substrate front end G1 or the rear end G2, and the coating process without uneven coating can be performed.

尚、本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
また、本発明に係る基板処理装置の適用は、前記した実施の形態のようにレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４への適用に限定されるものではない。例えば、実施の形態における図３乃至図５に示したレジストノズル３７に替えて検査用ＣＣＤカメラ等を処理具として設けた基板検査装置に適用してもよい。この場合、搬送される被処理基板の先端及び後端が振動することがないため、高精度の検査を実施することができる。 The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and various substrates for flat panel displays, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates and the like are also possible.
The application of the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to the application to the resist coating unit (CT) 14 as in the above-described embodiment. For example, instead of the resist nozzle 37 shown in FIGS. 3 to 5 in the embodiment, the present invention may be applied to a substrate inspection apparatus provided with a CCD camera for inspection as a processing tool. In this case, since the front end and the rear end of the substrate to be processed are not vibrated, high-precision inspection can be performed.

本発明は、ＬＣＤ基板等の被処理基板に対し所定の処理を実施する基板処理装置に適用でき、半導体製造業界、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。 The present invention can be applied to a substrate processing apparatus that performs predetermined processing on a substrate to be processed such as an LCD substrate, and can be suitably used in the semiconductor manufacturing industry, the electronic device manufacturing industry, and the like.

図１は、本発明に係る基板処理装置を具備する塗布現像処理システムの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a coating and developing treatment system including a substrate processing apparatus according to the present invention. 図２は、図１の塗布現像処理システムの基板処理の流れを示すフローである。FIG. 2 is a flowchart showing a substrate processing flow of the coating and developing processing system of FIG. 図３は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）を有する塗布プロセス部の概略構成を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of a coating process unit having a resist coating unit (CT). 図４は、レジスト液の塗布時における基板と小ステージとの位置関係を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing the positional relationship between the substrate and the small stage during application of the resist solution. 図５は、レジスト液の塗布時における基板と小ステージとの位置関係を示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing the positional relationship between the substrate and the small stage during application of the resist solution. 図６は、基板浮上により基板搬送する従来の塗布処理装置の平面図である。FIG. 6 is a plan view of a conventional coating processing apparatus that transports a substrate by floating the substrate. 図７は、図６の塗布処理装置における塗布処理開始時の状態を説明するための側面図である。FIG. 7 is a side view for explaining a state at the start of the coating process in the coating processing apparatus of FIG.

Explanation of symbols

１塗布現像処理システム
１３塗布プロセス部
１４レジスト塗布ユニット（基板処理装置）
１５減圧乾燥ユニット
３５ステージ
３６基板搬送機構（基板搬送手段）
３７レジストノズル（処理部）
３８ノズル洗浄ユニット
４０ａ導入ステージ部
４０ｂ塗布ステージ部
４０ｃ搬出ステージ部
４１小ステージ（第１の小ステージ）
４２小ステージ（第２の小ステージ）
４３小ステージ（第３の小ステージ）
４５ａガス噴射口
４５ｂ吸気口
ＧＬＣＤ基板（被処理基板） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Coating development processing system 13 Coating process part 14 Resist coating unit (substrate processing apparatus)
15 Vacuum drying unit 35 Stage 36 Substrate transport mechanism (substrate transport means)
37 resist nozzle (processing section)
38 Nozzle cleaning unit 40a Introducing stage section 40b Coating stage section 40c Unloading stage section 41 Small stage (first small stage)
42 Small stage (second small stage)
43 Small stage (third small stage)
45a Gas injection port 45b Intake port G LCD substrate (substrate to be processed)

Claims

In a substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate while conveying the substrate to be processed,
A first small stage, a second small stage, and a third small stage arranged in order along the substrate transport direction, and a predetermined gas flow is formed below the substrate to float the substrate. A stage, a substrate transfer means for holding the substrate levitated on the stage and conveying the substrate in one direction, and a predetermined amount with respect to the substrate that is levitated and provided above the second small stage. A processing tool for performing the operation,
The first small stage and the third small stage are fixedly provided, and the second small stage is disposed along the transfer path between the first small stage and the third small stage. Provided to be movable,
The front end portion of the substrate is transferred from the first small stage to the second small stage, and the processing tool starts a predetermined operation on the front end portion of the substrate, and the second small stage is: From the first small stage toward the third small stage, the movement is started in synchronization with the transfer speed of the substrate ,
Alternatively, before the rear end portion of the substrate is transferred from the first small stage to the second small stage and the processing tool finishes a predetermined operation on the rear end portion of the substrate, the second end The substrate processing apparatus, wherein the small stage starts to move from the first small stage toward the third small stage in synchronization with the transport speed of the substrate.

The height positions between the first, second, and third small stages constituting the stage are made equal , and the length dimension of the second small stage in the substrate transport direction is the substrate transport of the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is shorter than a length in a direction .

A plurality of gas injection ports and a plurality of intake ports for intake of the gas injected from the gas injection ports are formed on the surface of each small stage constituting the stage,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a predetermined gas flow is formed below the substrate by the gas injection port and the intake port, and the substrate is floated.

After the operation of the processing tool is started and the second small stage moves from the first small stage to the third small stage ,
4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second small stage moves back toward the first small stage.

5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing tool is a resist nozzle that discharges a resist solution onto a surface to be processed of the substrate to be processed.

5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing tool is a camera that captures an image of a surface to be processed of the substrate to be processed.