JP4040025B2 - Coating film forming device - Google Patents

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Description

本発明は、液晶表示装置(LCD)等のFPD(フラットパネルディスプレイ)に用いられるガラス基板等の基板に、所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置に関する。   The present invention relates to a coating film forming apparatus that forms a coating film by supplying a predetermined coating solution to a substrate such as a glass substrate used in an FPD (flat panel display) such as a liquid crystal display (LCD).

例えば、液晶表示装置(LCD)の製造工程においては、フォトリソグラフィー技術を用いて、ガラス基板に所定の回路パターンを形成している。すなわち、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成し、これを乾燥、熱処理した後に、露光処理、現像処理を逐次行っている。   For example, in a manufacturing process of a liquid crystal display device (LCD), a predetermined circuit pattern is formed on a glass substrate by using a photolithography technique. That is, a resist solution is supplied to a glass substrate to form a coating film, which is dried and heat-treated, and then subjected to exposure processing and development processing sequentially.

ここで、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成する装置としては、ガラス基板を水平に真空吸着する載置台と、この載置台に保持された基板にレジスト液を供給するレジスト供給ノズルと、載置台とレジスト供給ノズルとを水平方向で相対的に移動させる移動機構と、を有する塗布膜形成装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。   Here, as a device for forming a coating film by supplying a resist solution to a glass substrate, a mounting table that horizontally vacuum-sucks the glass substrate, and a resist supply nozzle that supplies the resist solution to the substrate held on the mounting table In addition, a coating film forming apparatus having a moving mechanism that relatively moves the mounting table and the resist supply nozzle in the horizontal direction is known (for example, see Patent Document 1).

しかしながら、ガラス基板を真空吸着保持すると、載置台に設けられた吸気孔がガラス基板の表面に転写されやすく、また、基板の裏面に多くのパーティクルが付着するという不都合がある。   However, when the glass substrate is held by vacuum suction, the suction holes provided in the mounting table are easily transferred to the surface of the glass substrate, and many particles are attached to the back surface of the substrate.

発明者らは、このような不都合を解決するために、ガラス基板を載置台に吸着保持することなく略水平姿勢で搬送しながら、このガラス基板の表面にレジスト液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置について検討した。この場合に、基板を搬送しながら塗布液を塗布するのであるから、レジスト供給ノズルは固定式で十分であると考えられる。   In order to solve such inconveniences, the inventors form a coating film by supplying a resist solution to the surface of the glass substrate while transporting the glass substrate in a substantially horizontal posture without being held on the mounting table. A coating film forming apparatus was examined. In this case, since the coating liquid is applied while the substrate is being transported, it is considered that the resist supply nozzle is sufficiently fixed.

一方、このような塗布膜形成装置の場合にはノズル洗浄が必要であるからノズル洗浄ユニットを設置するが、このとき、装置のフットプリントを狭くする観点から、このようなノズル洗浄ユニットは基板搬送路の上方に設けることが好ましい。ノズル洗浄ユニットには、例えば、レジスト供給ノズルの吐出口を乾燥させないように、レジスト供給ノズルの吐出口をシンナーの蒸気雰囲気に保持するシンナーバスが設けられる。また、ノズル洗浄ユニットでは、シンナーを用いてレジスト供給ノズルの吐出口を洗浄したり、基板にレジスト液を塗布する前のダミーディスペンスが行われる。   On the other hand, in the case of such a coating film forming apparatus, since nozzle cleaning is necessary, a nozzle cleaning unit is installed. At this time, from the viewpoint of narrowing the footprint of the apparatus, such a nozzle cleaning unit is used for substrate transport. It is preferable to provide it above the road. For example, the nozzle cleaning unit is provided with a thinner bath that holds the discharge port of the resist supply nozzle in the vapor atmosphere of the thinner so as not to dry the discharge port of the resist supply nozzle. Further, in the nozzle cleaning unit, the discharge port of the resist supply nozzle is cleaned using thinner, and dummy dispensing is performed before applying the resist solution to the substrate.

このため、固定式のレジスト供給ノズルに対して洗浄のためにノズル洗浄ユニットを移動させると、そのときに、ノズル洗浄ユニットで洗浄液のミストが発生し、これが塗布膜形成装置の他の部分を汚染するおそれがある。またノズル洗浄ユニット本体から洗浄液等がこぼれ落ちて、基板搬送路が汚染されるおそれがある。
特開平10−156255号公報
For this reason, if the nozzle cleaning unit is moved for cleaning with respect to the fixed resist supply nozzle, at that time, a mist of cleaning liquid is generated in the nozzle cleaning unit, which contaminates other parts of the coating film forming apparatus. There is a risk. Further, there is a possibility that the cleaning liquid or the like spills from the nozzle cleaning unit main body and contaminates the substrate transport path.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-156255

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、基板表面における転写跡の発生を抑制し、また基板裏面へのパーティクルの付着を防止するとともに、さらにフットプリントの増大を抑制し、ノズル洗浄ユニットにおける洗浄液ミストや洗浄液リーク等の発生による装置汚染を防止した塗布膜形成装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, suppresses the generation of transfer traces on the substrate surface, prevents adhesion of particles to the back surface of the substrate, and further suppresses an increase in footprint, thereby cleaning the nozzle. It is an object of the present invention to provide a coating film forming apparatus that prevents contamination of the apparatus due to occurrence of cleaning liquid mist, cleaning liquid leak, etc. in the unit.

すなわち本発明によれば、基板を一方向に搬送しながら前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、基板を略水平姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構によって搬送される基板の表面に所定の塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、基板が搬送される領域の上空に固定配置され、少なくとも前記塗布液供給ノズルに所定の洗浄処理を施すノズル洗浄ユニットと、前記塗布液供給ノズルを、前記基板搬送機構によって搬送される基板に塗布液を供給する位置と、前記基板が搬送される領域の上空に固定配置されたノズル洗浄ユニットにおいて洗浄処理される位置との間で移動させるノズル移動機構と、を具備することを特徴とする塗布膜形成装置、が提供される。
また、基板を一方向に搬送しながら前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、基板を略水平姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構によって搬送される基板の表面に所定の塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、基板が搬送される領域の上空に固定配置され、少なくとも前記塗布液供給ノズルに所定の洗浄処理を施すノズル洗浄ユニットと、前記塗布液供給ノズルを、前記基板搬送機構によって搬送される基板に塗布液を供給する位置と、前記基板が搬送される領域の上空に固定配置されたノズル洗浄ユニットにおいて洗浄処理される位置との間で移動させるノズル移動機構と、を備え、前記ノズル洗浄ユニットは、基板への塗布液供給前に予備的に前記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出させるためのダミーディスペンス部と、前記塗布液供給ノズルの塗布液吐出口が乾燥しないように、前記塗布液吐出口近傍を所定の溶剤蒸気雰囲気で保持するためのノズルバスと、前記塗布液供給ノズルの塗布液吐出口近傍に付着した塗布液を除去するためのノズル洗浄機構と、を具備し、前記ノズル洗浄ユニット全体が固定されていることを特徴とする塗布膜形成装置、が提供される。
That is, according to the present invention, there is provided a coating film forming apparatus that forms a coating film by supplying a predetermined coating solution to the substrate while transporting the substrate in one direction, and transports the substrate in one direction in a substantially horizontal posture. A substrate transport mechanism, a coating liquid supply nozzle that supplies a predetermined coating liquid to the surface of the substrate transported by the substrate transport mechanism, and a fixed arrangement above the area where the substrate is transported, at least to the coating liquid supply nozzle A nozzle cleaning unit that performs a predetermined cleaning process, and the coating liquid supply nozzle are fixedly disposed above the position where the coating liquid is supplied to the substrate transported by the substrate transport mechanism and the area where the substrate is transported There is provided a coating film forming apparatus comprising: a nozzle moving mechanism that moves between a position to be cleaned in a nozzle cleaning unit.
A coating film forming apparatus that forms a coating film by supplying a predetermined coating solution to the substrate while transporting the substrate in one direction, and a substrate transport mechanism that transports the substrate in one direction in a substantially horizontal posture;
A coating liquid supply nozzle that supplies a predetermined coating liquid to the surface of the substrate transported by the substrate transport mechanism and a fixed arrangement above the area where the substrate is transported, and at least a predetermined cleaning process is performed on the coating liquid supply nozzle The nozzle cleaning unit to be applied, the coating liquid supply nozzle to be cleaned in a position where the coating liquid is supplied to the substrate transported by the substrate transport mechanism, and the nozzle cleaning unit fixedly disposed above the area where the substrate is transported A nozzle moving mechanism for moving between the processing position and the nozzle cleaning unit for preliminarily discharging the coating liquid from the coating liquid supply nozzle before supplying the coating liquid to the substrate. And the vicinity of the coating liquid discharge port for maintaining a predetermined solvent vapor atmosphere so that the coating liquid discharge port of the coating liquid supply nozzle is not dried. A coating film comprising: a zulbath; and a nozzle cleaning mechanism for removing the coating liquid adhering to the vicinity of the coating liquid discharge port of the coating liquid supply nozzle, wherein the entire nozzle cleaning unit is fixed A forming device is provided.

本発明の塗布膜形成装置では、塗布液供給ノズルとして、基板搬送方向に直交する方向に伸び、帯状に塗布液を吐出するスリット状の塗布液吐出口を有するものが好適に用いられる。また、本発明の塗布膜形成装置は、表面の所定位置にガス噴射口を備えたステージをさらに具備し、基板搬送機構として、前記ステージの側面に配置され、基板を基板搬送方向に直交する方向の端部近傍で保持する基板保持部材と、前記基板保持部材を前記ステージの側面に沿って一方向に移動させる一軸駆動機構とを具備し、前記基板保持部材に保持された基板は、前記ステージ上を前記ガス噴射口から噴射されるガスによって前記ステージの上面から所定距離浮いた状態で搬送される構造のものを用いることが好ましい。   In the coating film forming apparatus of the present invention, a coating liquid supply nozzle that has a slit-shaped coating liquid discharge port that extends in a direction orthogonal to the substrate transport direction and discharges the coating liquid in a strip shape is preferably used. In addition, the coating film forming apparatus of the present invention further includes a stage having a gas injection port at a predetermined position on the surface, and is disposed on a side surface of the stage as a substrate transport mechanism, and a direction orthogonal to the substrate transport direction A substrate holding member that is held in the vicinity of the end of the stage, and a uniaxial drive mechanism that moves the substrate holding member in one direction along the side surface of the stage, and the substrate held by the substrate holding member is the stage It is preferable to use a structure in which the upper portion is transported in a state of being floated by a predetermined distance from the upper surface of the stage by the gas ejected from the gas ejection port.

本発明によれば、基板表面の転写が起こらず、基板裏面へのパーティクル付着が抑制される。また、装置のフットプリントの増大が抑制され、ノズル洗浄ユニットにおける洗浄液ミストや洗浄液リーク等の発生による装置汚染を防止することができる。   According to the present invention, transfer of the substrate surface does not occur, and particle adhesion to the back surface of the substrate is suppressed. Further, an increase in the footprint of the apparatus is suppressed, and contamination of the apparatus due to generation of cleaning liquid mist, cleaning liquid leak, etc. in the nozzle cleaning unit can be prevented.

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、本発明を、LCD用のガラス基板(以下「LCD基板」という)の表面にレジスト膜を形成する装置および方法に適用した場合について説明することとする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Here, the case where the present invention is applied to an apparatus and a method for forming a resist film on the surface of a glass substrate for LCD (hereinafter referred to as “LCD substrate”) will be described.

図1に、LCD基板へのレジスト膜の形成と、露光処理後のレジスト膜の現像処理を行うレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図を示す。このレジスト塗布・現像処理システム100は、複数のLCD基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション(搬入出部)1と、LCD基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション(処理部)2と、露光装置4との間でLCD基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション(インターフェイス部)3とを備えており、カセットステーション1とインターフェイスステーション3はそれぞれ処理ステーション2の両端に配置されている。なお、図1において、レジスト塗布・現像処理システム100の長手方向をX方向、平面上においてX方向と直交する方向をY方向とする。   FIG. 1 shows a schematic plan view of a resist coating / development processing system for forming a resist film on an LCD substrate and developing the resist film after exposure processing. This resist coating / development processing system 100 performs a series of processes including resist coating and development on the cassette station (loading / unloading unit) 1 on which a cassette C accommodating a plurality of LCD substrates G is placed. A processing station (processing unit) 2 having a plurality of processing units, and an interface station (interface unit) 3 for transferring the LCD substrate G to and from the exposure apparatus 4. The interface stations 3 are respectively disposed at both ends of the processing station 2. In FIG. 1, the longitudinal direction of the resist coating / development processing system 100 is the X direction, and the direction perpendicular to the X direction on the plane is the Y direction.

カセットステーション1は、カセットCをY方向に並べて載置できる載置台9と、処理ステーション2との間でLCD基板Gの搬入出を行うための搬送装置11を備えており、この載置台9と外部との間でカセットCの搬送が行われる。搬送装置11は搬送アーム11aを有し、カセットCの配列方向であるY方向に沿って設けられた搬送路10上を移動可能であり、搬送アーム11aによりカセットCと処理ステーション2との間でLCD基板Gの搬入出が行われる。   The cassette station 1 includes a mounting table 9 on which the cassette C can be mounted in the Y direction, and a transfer device 11 for carrying the LCD substrate G in and out of the processing station 2. The cassette C is transported to the outside. The transfer device 11 has a transfer arm 11a, and can move on a transfer path 10 provided along the Y direction, which is the arrangement direction of the cassette C. The transfer arm 11a moves between the cassette C and the processing station 2. Loading and unloading of the LCD substrate G is performed.

処理ステーション2は、基本的にX方向に伸びるLCD基板G搬送用の平行な2列の搬送ラインA・Bを有しており、搬送ラインAに沿ってカセットステーション1側からインターフェイスステーション3に向けて、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21と、第1の熱的処理ユニットセクション26と、レジスト処理ユニット23と、第2の熱的処理ユニットセクション27と、が配列されている。   The processing station 2 basically has two parallel rows of transfer lines A and B for transferring the LCD substrate G extending in the X direction, and is directed from the cassette station 1 side to the interface station 3 along the transfer line A. A scrub cleaning unit (SCR) 21, a first thermal processing unit section 26, a resist processing unit 23, and a second thermal processing unit section 27 are arranged.

また、搬送ラインBに沿ってインターフェイスステーション3側からカセットステーション1に向けて、第2の熱的処理ユニットセクション27と、現像処理ユニット(DEV)24と、i線UV照射ユニット(i−UV)25と、第3の熱的処理ユニットセクション28と、が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21の上の一部にはエキシマUV照射ユニット(e−UV)22が設けられている。なお、エキシマUV照射ユニット(e−UV)22はスクラバ洗浄に先立ってLCD基板Gの有機物を除去するために設けられ、i線UV照射ユニット(i−UV)25は現像の脱色処理を行うために設けられる。   Further, from the interface station 3 side toward the cassette station 1 along the transfer line B, the second thermal processing unit section 27, the development processing unit (DEV) 24, and the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 and a third thermal processing unit section 28 are arranged. An excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided on a part of the scrub cleaning unit (SCR) 21. An excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided to remove organic substances on the LCD substrate G prior to scrubber cleaning, and an i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 performs a decoloring process for development. Provided.

スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21では、その中でLCD基板Gが略水平姿勢で搬送されながら洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。現像処理ユニット(DEV)24では、LCD基板Gが略水平姿勢で搬送されながら、現像液塗布、リンス、乾燥処理が逐次行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21および現像処理ユニット(DEV)24では、LCD基板Gの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、LCD基板Gの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、i線UV照射ユニット(i−UV)25へのLCD基板Gの搬送は、現像処理ユニット(DEV)24の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。   In the scrub cleaning unit (SCR) 21, the cleaning process and the drying process are performed while the LCD substrate G is conveyed in a substantially horizontal posture. In the development processing unit (DEV) 24, the developer coating, rinsing and drying processes are sequentially performed while the LCD substrate G is conveyed in a substantially horizontal posture. In the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 and the development processing unit (DEV) 24, the LCD substrate G is transported by, for example, roller transport or belt transport, and the carry-in port and the carry-out port of the LCD substrate G are short sides opposite to each other. Is provided. Further, the conveyance of the LCD substrate G to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is continuously performed by a mechanism similar to the conveyance mechanism of the development processing unit (DEV) 24.

レジスト処理ユニット23は、後に詳細に説明するように、LCD基板Gを略水平姿勢で搬送しながら、レジスト液を供給し、塗布膜を形成するレジスト塗布装置(CT)23aと、減圧雰囲気にLCD基板GをさらすことによりLCD基板G上に形成された塗布膜に含まれる揮発成分を蒸発させて塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置(VD)23bと、を備えている。   As will be described in detail later, the resist processing unit 23 supplies a resist liquid while transporting the LCD substrate G in a substantially horizontal posture, and forms a coating film on the LCD in a reduced pressure atmosphere. A vacuum drying device (VD) 23b that evaporates volatile components contained in the coating film formed on the LCD substrate G by exposing the substrate G to dry the coating film.

第1の熱的処理ユニットセクション26は、LCD基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)31・32を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)31はスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)32はレジスト処理ユニット23側に設けられている。これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)31・32の間に第1の搬送装置33が設けられている。   The first thermal processing unit section 26 includes two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32 configured by stacking thermal processing units that perform thermal processing on the LCD substrate G. The thermal processing unit block (TB) 31 is provided on the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 side, and the thermal processing unit block (TB) 32 is provided on the resist processing unit 23 side. A first transport device 33 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32.

図2の第1の熱的処理ユニットセクション26の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)31は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)61と、LCD基板Gに対して脱水ベーク処理を行う2つの脱水ベークユニット(DHP)62・63と、LCD基板Gに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット(AD)64が4段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック(TB)32は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)65と、LCD基板Gを冷却する2つのクーリングユニット(COL)66・67と、LCD基板Gに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット(AD)68が4段に積層された構成を有している。   As shown in the side view of the first thermal processing unit section 26 in FIG. 2, the thermal processing unit block (TB) 31 includes a pass unit (PASS) 61 for transferring the LCD substrate G in order from the bottom, and an LCD Two dehydration bake units (DHP) 62 and 63 for performing a dehydration bake process on the substrate G and an adhesion processing unit (AD) 64 for performing a hydrophobization process on the LCD substrate G are stacked in four stages. It has a configuration. The thermal processing unit block (TB) 32 includes a pass unit (PASS) 65 for transferring the LCD substrate G in order from the bottom, two cooling units (COL) 66 and 67 for cooling the LCD substrate G, an LCD An adhesion processing unit (AD) 68 that performs a hydrophobic treatment on the substrate G is stacked in four stages.

第1の搬送装置33は、パスユニット(PASS)61を介してのスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21からのLCD基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間のLCD基板Gの搬入出、およびパスユニット(PASS)65を介してのレジスト処理ユニット23へのLCD基板Gの受け渡しを行う。   The first transfer device 33 receives the LCD substrate G from the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 via the pass unit (PASS) 61, carries in and out the LCD substrate G between the thermal processing units, and passes. The LCD substrate G is transferred to the resist processing unit 23 through the unit (PASS) 65.

第1の搬送装置33は、上下に延びるガイドレール91と、ガイドレール91に沿って昇降する昇降部材92と、昇降部材92上を旋回可能に設けられたベース部材93と、ベース部材93上を前進後退可能に設けられ、LCD基板Gを保持する基板保持アーム94とを有している。昇降部材92の昇降はモータ95によって行われ、ベース部材93の旋回はモータ96によって行われ、基板保持アーム94の前後動はモータ97によって行われる。このように第1の搬送装置33は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック(TB)31・32のいずれのユニットにもアクセスすることができる。   The first transport device 33 includes a guide rail 91 that extends vertically, a lifting member 92 that moves up and down along the guide rail 91, a base member 93 that can pivot on the lifting member 92, and a base member 93. It has a substrate holding arm 94 that is provided so as to be able to move forward and backward and holds the LCD substrate G. The elevating member 92 is moved up and down by the motor 95, the base member 93 is turned by the motor 96, and the substrate holding arm 94 is moved back and forth by the motor 97. Thus, the 1st conveyance apparatus 33 can be moved up and down, back and forth, and swiveled, and can access any unit of thermal processing unit block (TB) 31 * 32.

第2の熱的処理ユニットセクション27は、LCD基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)34・35を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)34はレジスト処理ユニット23側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)35は現像処理ユニット(DEV)24側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)34・35の間に、第2の搬送装置36が設けられている。   The second thermal processing unit section 27 includes two thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35 configured by stacking thermal processing units for performing thermal processing on the LCD substrate G. The thermal processing unit block (TB) 34 is provided on the resist processing unit 23 side, and the thermal processing unit block (TB) 35 is provided on the development processing unit (DEV) 24 side. A second transport device 36 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35.

図3の第2の熱的処理ユニットセクション27の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)34は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)69とLCD基板Gに対してプリベーク処理を行う3つのプリベークユニット(PREBAKE)70・71・72が4段に積層された構成となっている。また、熱的処理ユニットブロック(TB)35は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)73と、LCD基板Gを冷却するクーリングユニット(COL)74と、LCD基板Gに対してプリベーク処理を行う2つのプリベークユニット(PREBAKE)75・76が4段に積層された構成となっている。   As shown in the side view of the second thermal processing unit section 27 in FIG. 3, the thermal processing unit block (TB) 34 includes a pass unit (PASS) 69 and an LCD substrate for transferring the LCD substrate G in order from the bottom. Three pre-bake units (PREBAKE) 70, 71 and 72 for performing pre-bake processing on G are stacked in four stages. In addition, the thermal processing unit block (TB) 35 includes a pass unit (PASS) 73 for transferring the LCD substrate G in order from the bottom, a cooling unit (COL) 74 for cooling the LCD substrate G, and the LCD substrate G. Thus, two pre-baking units (PREBAKE) 75 and 76 for performing pre-baking are stacked in four stages.

第2の搬送装置36は、パスユニット(PASS)69を介してのレジスト処理ユニット23からのLCD基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間のLCD基板Gの搬入出、パスユニット(PASS)73を介しての現像処理ユニット(DEV)24へのLCD基板Gの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション3の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44に対するLCD基板Gの受け渡しおよび受け取り、を行う。なお、第2の搬送装置36は、第1の搬送装置33と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)34・35のいずれのユニットにもアクセス可能である。   The second transfer device 36 receives the LCD substrate G from the resist processing unit 23 through the pass unit (PASS) 69, carries in and out the LCD substrate G between the thermal processing units, and passes the pass unit (PASS) 73. Passing the LCD substrate G to the development processing unit (DEV) 24 via the interface, and transferring and receiving the LCD substrate G to an extension / cooling stage (EXT / COL) 44 which is a substrate transfer portion of the interface station 3 to be described later, I do. The second transfer device 36 has the same structure as the first transfer device 33, and can access any unit of the thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35.

第3の熱的処理ユニットセクション28は、LCD基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)37・38を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)37は現像処理ユニット(DEV)24側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)38はカセットステーション1側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)37・38の間に、第3の搬送装置39が設けられている。   The third thermal processing unit section 28 includes two thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38 configured by stacking thermal processing units for performing thermal processing on the LCD substrate G. The thermal processing unit block (TB) 37 is provided on the development processing unit (DEV) 24 side, and the thermal processing unit block (TB) 38 is provided on the cassette station 1 side. A third transfer device 39 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38.

図4の第3の熱的処理ユニットセクション28の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)37は、下から順に、LCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)77と、LCD基板Gに対してポストベーク処理を行う3つのポストベークユニット(POBAKE)78・79・80が4段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック(TB)38は、下から順に、ポストベークユニット(POBAKE)81と、LCD基板Gの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット(PASS・COL)82と、LCD基板Gに対してポストベーク処理を行う2つのポストベークユニット(POBAKE)83・84が4段に積層された構成を有している。   As shown in the side view of the third thermal processing unit section 28 in FIG. 4, the thermal processing unit block (TB) 37 includes, in order from the bottom, a pass unit (PASS) 77 that delivers the LCD substrate G, and Three post-baking units (POBAKE) 78, 79, and 80 for performing post-baking processing on the LCD substrate G are stacked in four stages. The thermal processing unit block (TB) 38 includes a post-bake unit (POBAKE) 81, a pass / cooling unit (PASS / COL) 82 for transferring and cooling the LCD substrate G, and an LCD substrate G in order from the bottom. , Two post-bake units (POBAKE) 83 and 84 for performing post-bake processing are stacked in four stages.

第3の搬送装置39は、パスユニット(PASS)77を介してのi線UV照射ユニット(i−UV)25からのLCD基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間のLCD基板Gの搬入出、パス・クーリングユニット(PASS・COL)82を介してのカセットステーション1へのLCD基板Gの受け渡しを行う。なお、第3の搬送装置39も第1の搬送装置33と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)37・38のいずれのユニットにもアクセス可能である。   The third transport device 39 receives the LCD substrate G from the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 via the pass unit (PASS) 77, and carries the LCD substrate G in and out of the thermal processing unit. Then, the LCD substrate G is transferred to the cassette station 1 through the pass / cooling unit (PASS / COL) 82. The third transfer device 39 has the same structure as the first transfer device 33, and can access any unit of the thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38.

処理ステーション2では、以上のように2列の搬送ラインA・Bを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインA・B間には空間40が設けられている。そして、この空間40を往復動可能にシャトル(基板載置部材)41が設けられている。このシャトル41はLCD基板Gを保持可能に構成されており、シャトル41を介して搬送ラインA・B間でLCD基板Gの受け渡しが行われる。シャトル41に対するLCD基板Gの受け渡しは、上記第1から第3の搬送装置33・36・39によって行われる。   In the processing station 2, the processing units and the transport devices are arranged so as to form the transport lines A and B in two rows as described above and basically in the order of processing. A space 40 is provided between B. A shuttle (substrate mounting member) 41 is provided so as to be able to reciprocate in the space 40. The shuttle 41 is configured to be able to hold the LCD substrate G, and the LCD substrate G is transferred between the transport lines A and B via the shuttle 41. The delivery of the LCD substrate G to the shuttle 41 is performed by the first to third transfer devices 33, 36, and 39.

インターフェイスステーション3は、処理ステーション2と露光装置4との間でLCD基板Gの搬入出を行う搬送装置42と、バッファカセットを配置するバッファステージ(BUF)43と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44とを有しており、タイトラー(TITLER)と周辺露光装置(EE)とが上下に積層された外部装置ブロック45が搬送装置42に隣接して設けられている。搬送装置42は搬送アーム42aを備え、この搬送アーム42aにより処理ステーション2と露光装置4との間でLCD基板Gの搬入出が行われる。   The interface station 3 includes a transfer device 42 that loads and unloads the LCD substrate G between the processing station 2 and the exposure device 4, a buffer stage (BUF) 43 that arranges a buffer cassette, and a substrate transfer unit that has a cooling function. And an external device block 45 in which a titler (TITLER) and a peripheral exposure device (EE) are vertically stacked are provided adjacent to the transport device 42. It has been. The transfer device 42 includes a transfer arm 42 a, and the LCD substrate G is carried in and out between the processing station 2 and the exposure device 4 by the transfer arm 42 a.

このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム100においては、まず、カセットステーション1の載置台9に配置されたカセットC内のLCD基板Gが、搬送装置11により処理ステーション2のエキシマUV照射ユニット(e−UV)22に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで搬送装置11によりLCD基板Gがスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、LCD基板Gは例えばコロ搬送により第1の熱的処理ユニットセクション26に属する熱的処理ユニットブロック(TB)31のパスユニット(PASS)61に搬出される。   In the resist coating / development processing system 100 configured as described above, first, the LCD substrate G in the cassette C arranged on the mounting table 9 of the cassette station 1 is transferred to the excimer UV irradiation unit of the processing station 2 by the transport device 11. (E-UV) 22 is directly carried in and scrub pretreatment is performed. Next, the LCD substrate G is carried into the scrub cleaning unit (SCR) 21 by the transfer device 11 and scrubbed. After the scrub cleaning process, the LCD substrate G is carried out to the pass unit (PASS) 61 of the thermal processing unit block (TB) 31 belonging to the first thermal processing unit section 26 by, for example, roller conveyance.

パスユニット(PASS)61に配置されたLCD基板Gは、最初に、熱的処理ユニットブロック(TB)31の脱水ベークユニット(DHP)62・63のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック(TB)32のクーリングユニット(COL)66・67のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック(TB)31のアドヒージョン処理ユニット(AD)64および熱的処理ユニットブロック(TB)32のアドヒージョン処理ユニット(AD)68のいずれかに搬送され、そこでHMDSによりアドヒージョン処理(疎水化処理)される。その後、LCD基板Gは、クーリングユニット(COL)66・67のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65に搬送される。このような一連の処理を行う際のLCD基板Gの搬送処理は、全て第1の搬送装置33によって行われる。   The LCD substrate G placed in the pass unit (PASS) 61 is first transported to one of the dehydration bake units (DHP) 62 and 63 of the thermal processing unit block (TB) 31 and subjected to heat treatment, and then heated. Adhesion processing unit of thermal processing unit block (TB) 31 in order to improve the fixability of the resist after being transferred to one of cooling units (COL) 66 and 67 of static processing unit block (TB) 32 and cooled. (AD) 64 and the thermal processing unit block (TB) 32 are transported to one of the adhesion processing units (AD) 68, where they are subjected to adhesion processing (hydrophobization processing) by HMDS. Thereafter, the LCD substrate G is transferred to one of the cooling units (COL) 66 and 67 to be cooled, and further transferred to the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32. All the transfer processes of the LCD substrate G when performing such a series of processes are performed by the first transfer device 33.

パスユニット(PASS)65に配置されたLCD基板Gは、パスユニット(PASS)65内に設けられた、例えば、コロ搬送機構等の基板搬送機構によって、レジスト処理ユニット23内へ搬入される。後に詳細に説明するように、レジスト塗布装置(CT)23aにおいては、LCD基板Gを水平姿勢で搬送しながらレジスト液を供給して塗布膜を形成し、その後、減圧乾燥装置(VD)23bにて塗布膜に減圧乾燥処理が施される。その後、LCD基板Gは減圧乾燥装置(VD)23bに設けられた基板搬送アームにより、レジスト処理ユニット23から第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)34のパスユニット(PASS)69に受け渡される。   The LCD substrate G disposed in the pass unit (PASS) 65 is carried into the resist processing unit 23 by a substrate transport mechanism such as a roller transport mechanism provided in the pass unit (PASS) 65. As will be described in detail later, in the resist coating apparatus (CT) 23a, a resist solution is supplied while the LCD substrate G is conveyed in a horizontal posture to form a coating film, and then, the resist coating apparatus (CT) 23a is supplied to the vacuum drying apparatus (VD) 23b. Then, the coating film is subjected to a vacuum drying treatment. Thereafter, the LCD substrate G is passed from the resist processing unit 23 to the thermal processing unit block (TB) 34 belonging to the second thermal processing unit section 27 by the substrate transfer arm provided in the vacuum drying apparatus (VD) 23b. (PASS) 69.

パスユニット(PASS)69に配置されたLCD基板Gは、第2の搬送装置36により、熱的処理ユニットブロック(TB)34のプリベークユニット(PREBAKE)70・71・72および熱的処理ユニットブロック(TB)35のプリベークユニット(PREBAKE)75・76のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック(TB)35のクーリングユニット(COL)74に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第2の搬送装置36により、さらに熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73に搬送される。   The LCD substrate G placed in the pass unit (PASS) 69 is pre-baked by the second transfer device 36 and the pre-bake units (PREBAKE) 70, 71, 72 of the thermal processing unit block (TB) 34 and the thermal processing unit block ( TB) is transported to one of the pre-baking units (PREBAKE) 75 and 76 of 35 and pre-baked, and then transported to the cooling unit (COL) 74 of the thermal processing unit block (TB) 35 to be cooled to a predetermined temperature. . Then, it is further transported by the second transport device 36 to the pass unit (PASS) 73 of the thermal processing unit block (TB) 35.

その後、LCD基板Gは第2の搬送装置36によりインターフェイスステーション3のエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44へ搬送され、必要に応じて、インターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の周辺露光装置(EE)に搬送されて、そこで、レジスト膜の外周部(不要部分)を除去するための露光が行われる。次いで、LCD基板Gは、搬送装置42により露光装置4に搬送されてそこでLCD基板G上のレジスト膜に所定パターンで露光処理が施される。なお、LCD基板Gは、一旦、バッファステージ(BUF)43上のバッファカセットに収容され、その後に露光装置4に搬送される場合がある。   Thereafter, the LCD substrate G is transported to the extension / cooling stage (EXT / COL) 44 of the interface station 3 by the second transport device 36 and, if necessary, the peripheral of the external device block 45 by the transport device 42 of the interface station 3. It is conveyed to an exposure apparatus (EE), where exposure for removing the outer peripheral portion (unnecessary portion) of the resist film is performed. Next, the LCD substrate G is transported to the exposure device 4 by the transport device 42, where the resist film on the LCD substrate G is subjected to exposure processing in a predetermined pattern. Note that the LCD substrate G may be temporarily stored in a buffer cassette on the buffer stage (BUF) 43 and then transferred to the exposure apparatus 4.

露光終了後、LCD基板Gはインターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の上段のタイトラー(TITLER)に搬入されてLCD基板Gに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44に載置される。LCD基板Gは、第2の搬送装置36により、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44から第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73へ搬送される。   After the exposure is finished, the LCD substrate G is carried into the upper titler (TITLER) of the external device block 45 by the transfer device 42 of the interface station 3 and predetermined information is written on the LCD substrate G, and then the extension cooling stage (EXT) • COL) 44. The LCD substrate G is passed from the extension / cooling stage (EXT / COL) 44 to the thermal processing unit block (TB) 35 pass unit (PASS) of the second thermal processing unit section 27 by the second transfer device 36. 73.

パスユニット(PASS)73から現像処理ユニット(DEV)24まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、LCD基板Gはパスユニット(PASS)73から現像処理ユニット(DEV)24へ搬入される。現像処理ユニット(DEV)24では、例えば、基板を水平姿勢で搬送しながら現像液がLCD基板G上に液盛りされ、その後、一旦、LCD基板Gの搬送を停止してLCD基板を所定角度傾けることにより、LCD基板上の現像液を流し落とし、さらにこの状態でLCD基板Gにリンス液を供給して、現像液を洗い流す。その後、LCD基板Gを水平姿勢に戻して、再び搬送を開始し、乾燥用窒素ガスまたは空気をLCD基板Gに吹き付けることにより、LCD基板を乾燥させる。   The LCD substrate G is transferred from the pass unit (PASS) 73 to the development processing unit (DEV) 24 by, for example, a roller transport mechanism extending from the pass unit (PASS) 73 to the development processing unit (DEV) 24. The In the development processing unit (DEV) 24, for example, the developer is deposited on the LCD substrate G while the substrate is conveyed in a horizontal posture, and then the conveyance of the LCD substrate G is temporarily stopped and the LCD substrate is tilted by a predetermined angle. As a result, the developer on the LCD substrate is poured off, and in this state, a rinse solution is supplied to the LCD substrate G to wash away the developer. After that, the LCD substrate G is returned to the horizontal posture, and the conveyance is started again, and the nitrogen substrate for drying or air is blown onto the LCD substrate G to dry the LCD substrate.

現像処理終了後、LCD基板Gは現像処理ユニット(DEV)24から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりi線UV照射ユニット(i−UV)25に搬送され、LCD基板Gに対して脱色処理が施される。その後、LCD基板Gはi線UV照射ユニット(i−UV)25内のコロ搬送機構により第3の熱的処理ユニットセクション28に属する熱的処理ユニットブロック(TB)37のパスユニット(PASS)77に搬出される。   After completion of the development processing, the LCD substrate G is conveyed from the development processing unit (DEV) 24 to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 by a continuous conveyance mechanism, for example, roller conveyance, and the LCD substrate G is subjected to decoloring processing. Applied. After that, the LCD substrate G is passed through a pass unit (PASS) 77 of the thermal processing unit block (TB) 37 belonging to the third thermal processing unit section 28 by a roller transport mechanism in the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25. It is carried out to.

パスユニット(PASS)77に配置されたLCD基板Gは、第3の搬送装置39により熱的処理ユニットブロック(TB)37のポストベークユニット(POBAKE)78・79・80および熱的処理ユニットブロック(TB)38のポストベークユニット(POBAKE)81・83・84のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック(TB)38のパス・クーリングユニット(PASS・COL)82に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション1の搬送装置11によって、カセットステーション1に配置されている所定のカセットCに収容される。   The LCD substrate G arranged in the pass unit (PASS) 77 is transferred to the post processing unit block (POBAKE) 78, 79, 80 of the thermal processing unit block (TB) 37 and the thermal processing unit block ( TB) It is transported to one of the post-baking units (POBAKE) 81, 83, 84 of 38 and post-baked, and then transported to the pass / cooling unit (PASS / COL) 82 of the thermal processing unit block (TB) 38. After being cooled to a predetermined temperature, it is accommodated in a predetermined cassette C disposed in the cassette station 1 by the transfer device 11 of the cassette station 1.

次に、レジスト処理ユニット23について詳細に説明する。図5はレジスト処理ユニット23の概略平面図である。レジスト塗布装置(CT)23aは、表面の所定位置に所定のガスを噴射するための複数のガス噴射口16が設けられたステージ12と、ステージ12上でLCD基板GをX方向に搬送する基板搬送機構13と、ステージ12上を移動するLCD基板Gの表面にレジスト液を供給するレジスト供給ノズル14と、レジスト供給ノズル14を洗浄等するためのノズル洗浄ユニット15と、を備えている。   Next, the resist processing unit 23 will be described in detail. FIG. 5 is a schematic plan view of the resist processing unit 23. The resist coating device (CT) 23a includes a stage 12 provided with a plurality of gas injection ports 16 for injecting a predetermined gas to a predetermined position on the surface, and a substrate for transporting the LCD substrate G in the X direction on the stage 12 A transport mechanism 13, a resist supply nozzle 14 for supplying a resist solution to the surface of the LCD substrate G moving on the stage 12, and a nozzle cleaning unit 15 for cleaning the resist supply nozzle 14 are provided.

減圧乾燥装置(VD)23bは、LCD基板Gを載置するための載置台17と、載置台17および載置台17に載置されたLCD基板Gを収容するチャンバ18と、を備えている。さらに、レジスト処理ユニット23には、レジスト塗布装置(CT)23aから減圧乾燥装置(VD)23bへ、さらに減圧乾燥装置(VD)23bから熱的処理ユニットブロック(TB)34に設けられたパスユニット(PASS)69へLCD基板Gを搬送する基板搬送アーム19が設けられている。   The reduced pressure drying device (VD) 23 b includes a mounting table 17 for mounting the LCD substrate G, and a chamber 18 for storing the LCD substrate G mounted on the mounting table 17. Further, the resist processing unit 23 includes a pass unit provided in the thermal processing unit block (TB) 34 from the resist coating device (CT) 23a to the vacuum drying device (VD) 23b and from the vacuum drying device (VD) 23b. A substrate transfer arm 19 for transferring the LCD substrate G to the (PASS) 69 is provided.

ステージ12は、LCD基板Gの搬送方向の上流から下流に向けて、大略的に、導入ステージ部12a、塗布ステージ部12b、搬出ステージ部12cに分けられる。導入ステージ部12aは、熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65から塗布ステージ部12bへLCD基板Gを搬送するためのエリアである。塗布ステージ部12bには、レジスト供給ノズル14が配置されており、ここでLCD基板Gにレジスト液が供給されて塗布膜が形成される。搬出ステージ部12cは、塗布膜が形成されたLCD基板Gを減圧乾燥装置(VD)23bへ搬出するためのエリアである。   The stage 12 is roughly divided into an introduction stage portion 12a, a coating stage portion 12b, and a carry-out stage portion 12c from the upstream to the downstream in the transport direction of the LCD substrate G. The introduction stage unit 12a is an area for transporting the LCD substrate G from the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32 to the coating stage unit 12b. A resist supply nozzle 14 is disposed in the coating stage unit 12b. Here, a resist solution is supplied to the LCD substrate G to form a coating film. The carry-out stage unit 12c is an area for carrying the LCD substrate G on which the coating film is formed to the reduced pressure drying device (VD) 23b.

LCD基板Gは、ガス噴射口16から噴射されるガスによって、略水平姿勢で、ステージ12から浮上した状態で保持され、この状態で基板搬送機構13により搬送される。なお、LCD基板Gの平面度を高くするためには、ガス噴射口16の直径を短くして、ガス噴射口16の配置数を多くすることが好ましい。   The LCD substrate G is held in a substantially horizontal posture and floated from the stage 12 by the gas ejected from the gas ejection port 16, and is transported by the substrate transport mechanism 13 in this state. In order to increase the flatness of the LCD substrate G, it is preferable to reduce the diameter of the gas injection ports 16 and increase the number of gas injection ports 16 arranged.

ステージ12の搬出ステージ部12cには、ガス噴射口16に加えて、搬出ステージ部12cへ搬送されてきたLCD基板Gを基板搬送アーム19に受け渡すために、LCD基板Gを持ち上げるリフトピン47が設けられている。   In addition to the gas injection port 16, the unloading stage portion 12 c of the stage 12 is provided with lift pins 47 that lift the LCD substrate G in order to deliver the LCD substrate G transferred to the unloading stage portion 12 c to the substrate transfer arm 19. It has been.

図6は基板搬送機構13の概略構成を示す断面図である。基板搬送機構13は、LCD基板GのY方向端の一部を保持する基板保持部材51a・51bと、ステージ12のY方向側面に、X方向に延在するように配置された直線ガイド52a・52bと、基板保持部材51a・51bを保持し、直線ガイド52a・52bと嵌合した連結部材50と、連結部材50をX方向で往復移動させるX軸駆動機構53と、を備えている。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the substrate transport mechanism 13. The substrate transport mechanism 13 includes substrate holding members 51a and 51b that hold part of the Y direction end of the LCD substrate G, and linear guides 52a and 51b that are arranged on the side surfaces of the stage 12 in the Y direction so as to extend in the X direction. 52b, a connecting member 50 that holds the substrate holding members 51a and 51b and is fitted to the linear guides 52a and 52b, and an X-axis drive mechanism 53 that reciprocates the connecting member 50 in the X direction.

基板保持部材51a・51bはそれぞれ、台座部49にLCD基板Gを吸着保持するための吸着パッド48が1個以上設けられた構造を有しており、吸着パッド48は図示しない真空ポンプ等を動作させることにより、LCD基板Gを吸着保持することができるようになっている。吸着パッド48は、LCD基板Gにおいてレジスト液が塗布されない部分の裏面側、つまりLCD基板Gの裏面のY方向端部近傍で、LCD基板Gを保持する。X軸駆動機構53としては、例えば、ベルト駆動機構や、ボールねじ、エアースライダ、電動スライダ、リニアモータ等が挙げられる。   Each of the substrate holding members 51a and 51b has a structure in which at least one suction pad 48 for sucking and holding the LCD substrate G is provided on the pedestal portion 49. The suction pad 48 operates a vacuum pump or the like (not shown). By doing so, the LCD substrate G can be sucked and held. The suction pad 48 holds the LCD substrate G on the back side of the LCD substrate G where the resist solution is not applied, that is, in the vicinity of the Y-direction end of the back side of the LCD substrate G. Examples of the X-axis drive mechanism 53 include a belt drive mechanism, a ball screw, an air slider, an electric slider, and a linear motor.

図7にレジスト供給ノズル14の概略斜視図を示し、図8にレジスト供給ノズル14とレジスト供給ノズル14をX方向およびZ方向に移動させるノズル移動機構20の概略構成を示す正面図(X方向から見た図)を示す。レジスト供給ノズル14は、一方向に長い長尺状の箱体14aに、レジスト液を略帯状に吐出するスリット状のレジスト吐出口14bが設けられた構造を有している。   FIG. 7 is a schematic perspective view of the resist supply nozzle 14, and FIG. 8 is a front view showing a schematic configuration of the nozzle supply mechanism 20 that moves the resist supply nozzle 14 and the resist supply nozzle 14 in the X direction and the Z direction (from the X direction). Shows the figure). The resist supply nozzle 14 has a structure in which a slit-like resist discharge port 14b for discharging a resist solution in a substantially strip shape is provided in a long box body 14a that is long in one direction.

ノズル移動機構20は、このレジスト供給ノズル14を箱体14aの長手方向をY方向に一致させた状態で保持し、レジスト供給ノズル14をZ方向に昇降させる縦駆動機構30と、縦駆動機構30を保持する支柱部材54と、支柱部材54をX方向で移動させるボールネジ等の横駆動機構56と、を備えている。このようなノズル移動機構20によって、レジスト供給ノズル14は、LCD基板Gにレジスト液を供給する位置とノズル洗浄ユニット15において洗浄処理等される各位置との間で移動することができるようになっている。   The nozzle moving mechanism 20 holds the resist supply nozzle 14 in a state where the longitudinal direction of the box body 14a coincides with the Y direction, and moves the resist supply nozzle 14 up and down in the Z direction, and the vertical drive mechanism 30. And a lateral drive mechanism 56 such as a ball screw that moves the column member 54 in the X direction. By such a nozzle moving mechanism 20, the resist supply nozzle 14 can move between a position where the resist solution is supplied to the LCD substrate G and each position where the cleaning process or the like is performed in the nozzle cleaning unit 15. ing.

レジスト供給ノズル14にはレジスト吐出口14bとLCD基板Gとの間隔を測定するセンサ29が取り付けられており、縦駆動機構30は、このセンサ29の測定値に基づいてLCD基板Gにレジスト液を供給する際のレジスト供給ノズル14の位置を制御する。レジスト供給ノズル14の長さはLCD基板Gの幅(Y方向長さ)よりも短くなっており、LCD基板Gの周縁の一定領域には塗布膜が形成されないようになっている。なお、このセンサ29は、ノズル洗浄ユニット15の各部にアクセスする際のレジスト供給ノズル14の位置調整にも用いられる。   A sensor 29 for measuring the distance between the resist discharge port 14 b and the LCD substrate G is attached to the resist supply nozzle 14, and the vertical drive mechanism 30 applies a resist solution to the LCD substrate G based on the measured value of the sensor 29. The position of the resist supply nozzle 14 at the time of supply is controlled. The length of the resist supply nozzle 14 is shorter than the width of the LCD substrate G (the length in the Y direction), and a coating film is not formed in a certain region on the periphery of the LCD substrate G. The sensor 29 is also used to adjust the position of the resist supply nozzle 14 when accessing each part of the nozzle cleaning unit 15.

図9にノズル洗浄ユニット15の概略断面図(図9(a))およびレジスト供給ノズル14をノズル洗浄ユニット15にアクセスさせる際のこれらの位置関係を示す正面図(図9(b))を示す。ノズル洗浄ユニット15は、支柱部材55に取り付けられており、基板搬送路であるステージ12の上方に固定配置されている。   FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the nozzle cleaning unit 15 (FIG. 9A) and a front view (FIG. 9B) showing the positional relationship when the resist supply nozzle 14 accesses the nozzle cleaning unit 15. . The nozzle cleaning unit 15 is attached to a support member 55 and is fixedly disposed above the stage 12 which is a substrate transport path.

ノズル洗浄ユニット15は、LCD基板Gへのレジスト液供給前に予備的にレジスト供給ノズル14からレジスト液を吐出させる、所謂、ダミーディスペンスを行うためのダミーディスペンス部57と、レジスト供給ノズル14のレジスト吐出口14bが乾燥しないようにレジスト吐出口14bを溶剤(例えば、シンナー)の蒸気雰囲気で保持するためのノズルバス58と、レジスト供給ノズル14のレジスト吐出口14b近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構59と、を備えている。   The nozzle cleaning unit 15 preliminarily discharges the resist solution from the resist supply nozzle 14 before supplying the resist solution to the LCD substrate G, so-called dummy dispensing unit 57 for performing dummy dispensing, and the resist of the resist supply nozzle 14. A nozzle bath 58 for holding the resist discharge port 14b in a solvent (for example, thinner) vapor atmosphere so that the discharge port 14b does not dry, and a resist for removing the resist adhering to the vicinity of the resist discharge port 14b of the resist supply nozzle 14 And a nozzle cleaning mechanism 59.

ダミーディスペンス部57は、円柱形状を有し、その長手方向がレジスト供給ノズル14の長手方向と平行となるように配置され、回転機構112によりY軸を回転軸として一方向に回転しながらレジスト供給ノズル14から吐出されるレジスト液を受けるプライミングローラー111と、プライミングローラー111の下部をシンナー等の溶剤で浸すことにより、プライミングローラー111に付着したレジスト液を溶解してプライミングローラー111を洗浄するためのローラー洗浄用バス113と、プライミングローラー111に付着したレジスト液およびシンナーを除去するワイパー114とを備えている。   The dummy dispensing unit 57 has a cylindrical shape, and is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the longitudinal direction of the resist supply nozzle 14, and resist supply while rotating in one direction about the Y axis as a rotation axis by the rotation mechanism 112. A priming roller 111 that receives the resist solution discharged from the nozzle 14 and a priming roller 111 for cleaning the priming roller 111 by dissolving the resist solution adhering to the priming roller 111 by immersing the lower portion of the priming roller 111 with a solvent such as thinner. A roller cleaning bath 113 and a wiper 114 for removing the resist solution and thinner adhering to the priming roller 111 are provided.

ダミーディスペンス部57におけるダミーディスペンスは、図9(a)に示されるように、レジスト供給ノズル14はプライミングローラー111の上端に近接して保持され、レジスト供給ノズル14から吐出されたレジスト液は、回転するプライミングローラー111の表面に塗布され、その後、ローラー洗浄用バス113に貯留されたシンナーによってその殆どは溶解される。プライミングローラー111はローラー洗浄用バス113からシンナーを巻き上げるが、ワイパー114がこのシンナーを掻き取ってローラー洗浄用バス113へ戻すため、レジスト供給ノズル14がダミーディスペンスを行う位置では、プライミングローラー111には、実質的にレジスト液とシンナーが付着していない状態となる。   As shown in FIG. 9A, the dummy dispensing unit 57 is configured such that the resist supply nozzle 14 is held close to the upper end of the priming roller 111, and the resist solution discharged from the resist supply nozzle 14 is rotated. It is applied to the surface of the priming roller 111, and then most of it is dissolved by the thinner stored in the roller cleaning bath 113. The priming roller 111 winds up the thinner from the roller cleaning bath 113, but the wiper 114 scrapes the thinner and returns it to the roller cleaning bath 113. Thus, the resist solution and the thinner are not substantially attached.

ノズルバス58は、レジスト供給ノズル14と同様にY方向を長手方向とし、シンナーが貯留したタンクであり、このシンナーが蒸発しないようにレジスト供給ノズル14を上から被せるように配置することにより、レジスト吐出口14bの乾燥が抑制される。   Similarly to the resist supply nozzle 14, the nozzle bath 58 is a tank in which the Y direction is the longitudinal direction and the thinner is stored. By disposing the resist supply nozzle 14 from above so as not to evaporate the thinner, the resist discharge nozzle 14 is provided. Drying of the outlet 14b is suppressed.

ノズル洗浄機構59は、図9(a)に示されるように、レジスト供給ノズル14のレジスト吐出口14b近傍に向けてシンナー等の洗浄液を吐出するシンナー吐出ノズル115、およびレジスト供給ノズル14を洗浄したシンナーを吸引回収するシンナー排出管116、並びにレジスト供給ノズル14のレジスト吐出口14b近傍に向けて窒素ガス等の所定のガスを噴射するガス噴射ノズル117を有するノズル洗浄ヘッド120と、このノズル洗浄ヘッド120をY方向にスキャンさせるヘッドスキャン機構118(図5参照)と、を備えている。   The nozzle cleaning mechanism 59 cleans the resist supply nozzle 14 and the thinner discharge nozzle 115 that discharges a cleaning liquid such as thinner toward the vicinity of the resist discharge port 14b of the resist supply nozzle 14 as shown in FIG. 9A. A nozzle cleaning head 120 having a thinner discharge pipe 116 for sucking and collecting thinner, a gas injection nozzle 117 for injecting a predetermined gas such as nitrogen gas toward the vicinity of the resist discharge port 14b of the resist supply nozzle 14, and the nozzle cleaning head A head scanning mechanism 118 (see FIG. 5) that scans 120 in the Y direction.

ノズル洗浄機構59によれば、図5および図9(a)に示されるように、シンナー吐出ノズル115からシンナーを、また必要に応じてガス噴射ノズル117から窒素ガスをシンナーと同時に、レジスト供給ノズル14のレジスト吐出口14b近傍に向けて吐出しながら、ノズル洗浄ヘッド120をレジスト供給ノズル14の長手方向(Y方向)にスキャンさせることによって、レジスト供給ノズル14に付着したレジストを除去することができる。   According to the nozzle cleaning mechanism 59, as shown in FIGS. 5 and 9A, the thinner is supplied from the thinner discharge nozzle 115, and if necessary, nitrogen gas is supplied from the gas injection nozzle 117 simultaneously with the thinner, and the resist supply nozzle. The resist attached to the resist supply nozzle 14 can be removed by causing the nozzle cleaning head 120 to scan in the longitudinal direction (Y direction) of the resist supply nozzle 14 while discharging toward the vicinity of the 14 resist discharge ports 14b. .

このように、ノズル洗浄ユニット15では、シンナー等の溶剤が用いられるが、ノズル洗浄ユニット15全体が固定されており、移動することがないために、ノズル洗浄ユニット15を移動させることによってシンナーミストが発生してステージ12を汚染したり、シンナーが液漏れしてステージ12を汚染することをなくすことができる。   Thus, although a solvent such as thinner is used in the nozzle cleaning unit 15, since the entire nozzle cleaning unit 15 is fixed and does not move, the thinner mist is generated by moving the nozzle cleaning unit 15. It is possible to prevent the stage 12 from being contaminated and the thinner from leaking and contaminating the stage 12.

減圧乾燥装置(VD)23bに設けられた載置台17の表面には、LCD基板Gを支持するプロキシミティピン(図示せず)が所定位置に設けられている。チャンバ18は固定された下部容器と昇降自在な上部蓋体からなる上下2分割構造を有している。基板搬送アーム19は、X方向、Y方向、Z方向(鉛直方向)に移動可能である。   Proximity pins (not shown) for supporting the LCD substrate G are provided at predetermined positions on the surface of the mounting table 17 provided in the vacuum drying apparatus (VD) 23b. The chamber 18 has a vertically divided structure composed of a fixed lower container and an upper lid that can be raised and lowered. The substrate transfer arm 19 is movable in the X direction, the Y direction, and the Z direction (vertical direction).

次に、上述のように構成されたレジスト処理ユニット23におけるLCD基板Gの処理工程について説明する。なお、熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65から、レジスト処理ユニット23へのLCD基板Gの搬送は、パスユニット(PASS)65に設けられたコロ46の回転を用いたコロ搬送機構によって行われるとする。   Next, a process for processing the LCD substrate G in the resist processing unit 23 configured as described above will be described. It should be noted that the LCD substrate G was transported from the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32 to the resist processing unit 23 using rotation of a roller 46 provided in the pass unit (PASS) 65. It is assumed that this is performed by a roller transport mechanism.

基板保持部材51a・51bを熱的処理ユニットブロック(TB)32側に待機させ、ステージ12では各部において所定の高さにLCD基板Gを浮上させることができる状態とする。次いで、熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65からコロ搬送機構によりLCD基板Gを導入ステージ部12aに進入させ、LCD基板Gの一部がまだコロ46によって支持されている状態で、基板保持部材51a・51bにLCD基板GのY方向端を保持させる。続いて、コロ46による搬送速度と基板保持部材51a・51bの移動速度を合わせて、LCD基板Gをステージ12の導入ステージ部12aへ搬入する。LCD基板Gは、例えば、ステージ12の表面から150μm浮いた状態で搬送される。   The substrate holding members 51a and 51b are put on standby at the thermal processing unit block (TB) 32 side, and the stage 12 is in a state where the LCD substrate G can be floated to a predetermined height at each part. Next, the LCD substrate G is caused to enter the introduction stage portion 12a from the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32 by the roller transport mechanism, and a part of the LCD substrate G is still supported by the rollers 46. In this state, the Y-direction end of the LCD substrate G is held by the substrate holding members 51a and 51b. Subsequently, the LCD substrate G is carried into the introduction stage portion 12 a of the stage 12 in accordance with the conveyance speed of the roller 46 and the movement speed of the substrate holding members 51 a and 51 b. The LCD substrate G is conveyed, for example, in a state where it floats 150 μm from the surface of the stage 12.

LCD基板Gが所定の位置に配置されたレジスト供給ノズル14の下を通過する際に、レジスト供給ノズル14からレジスト液がLCD基板Gの表面に供給され、塗布膜が形成される。なお、レジスト供給ノズル14を配置する高さは、センサ29の測定信号に基づいて、LCD基板Gごとに調整してもよいが、通常は複数のLCD基板Gの搬送状態は実質的に同じとなるから、最初に処理するLCD基板Gまたはダミー基板でレジスト供給ノズル14の高さを調節し、その位置を縦駆動機構30の制御装置に記憶させておけば、その後はレジスト供給ノズル14の高さをLCD基板G毎に調整する必要は実質的にない。また、レジスト供給ノズル14からのレジスト液の吐出開始/吐出終了のタイミングは、センサ29の測定信号を利用して定めてもよいし、LCD基板Gの位置を検出するセンサを別途設けて、このセンサからの信号に基づいて定めることもできる。   When the LCD substrate G passes under the resist supply nozzle 14 disposed at a predetermined position, a resist solution is supplied from the resist supply nozzle 14 to the surface of the LCD substrate G, and a coating film is formed. The height at which the resist supply nozzles 14 are arranged may be adjusted for each LCD substrate G based on the measurement signal from the sensor 29, but usually the transport states of the plurality of LCD substrates G are substantially the same. Therefore, if the height of the resist supply nozzle 14 is adjusted by the LCD substrate G or dummy substrate to be processed first and the position is stored in the control device of the vertical drive mechanism 30, then the height of the resist supply nozzle 14 is increased. There is substantially no need to adjust the height for each LCD substrate G. Further, the timing of the start and end of the discharge of the resist solution from the resist supply nozzle 14 may be determined using the measurement signal of the sensor 29, or a sensor for detecting the position of the LCD substrate G is provided separately. It can also be determined based on the signal from the sensor.

塗布膜が形成されたLCD基板Gは搬出ステージ部12cに搬送され、そこで、基板保持部材51a・51bによる吸着保持を解除するとともに、リフトピン47を上昇させることにより、LCD基板Gは所定の高さへ持ち上げられる。引き続き、基板搬送アーム19をリフトピン47によって持ち上げられたLCD基板Gにアクセスさせ、基板搬送アーム19がLCD基板GのY方向端でLCD基板Gを把持したら、リフトピン47を降下させる。   The LCD substrate G on which the coating film is formed is transported to the carry-out stage unit 12c, where the suction holding by the substrate holding members 51a and 51b is released and the lift pins 47 are raised so that the LCD substrate G has a predetermined height. To be lifted. Subsequently, when the substrate transfer arm 19 accesses the LCD substrate G lifted by the lift pins 47 and the substrate transfer arm 19 grips the LCD substrate G at the Y direction end of the LCD substrate G, the lift pins 47 are lowered.

基板搬送アーム19は、把持したLCD基板Gを減圧乾燥装置(VD)23bの載置台17上に載置する。その後、チャンバ18を密閉してその内部を減圧することにより、塗布膜を減圧乾燥する。一方、LCD基板Gをリフトピン47に受け渡した後の基板保持部材51a・51bは、次に処理するLCD基板Gを搬送するために、熱的処理ユニットブロック(TB)32側へ戻される。   The substrate transfer arm 19 places the gripped LCD substrate G on the placement table 17 of the reduced pressure drying apparatus (VD) 23b. Thereafter, the chamber 18 is sealed and the inside thereof is decompressed to dry the coating film under reduced pressure. On the other hand, the substrate holding members 51a and 51b after the LCD substrate G is transferred to the lift pins 47 are returned to the thermal processing unit block (TB) 32 side in order to convey the LCD substrate G to be processed next.

LCD基板Gの減圧乾燥装置(VD)23bにおける処理が終了したら、チャンバ18を開き、基板搬送アーム19を載置台17に載置されたLCD基板GにアクセスさせてLCD基板Gを把持し、LCD基板Gを熱的処理ユニットブロック(TB)34のパスユニット(PASS)69へ搬送する。   When the processing in the vacuum drying apparatus (VD) 23b of the LCD substrate G is completed, the chamber 18 is opened, the substrate transfer arm 19 is accessed to the LCD substrate G placed on the mounting table 17, and the LCD substrate G is gripped. The substrate G is transferred to the pass unit (PASS) 69 of the thermal processing unit block (TB) 34.

以降、上述したようにLCD基板Gの搬送が繰り返されて、LCD基板Gに塗布膜が形成されるが、そのときのレジスト供給ノズル14の動作例について、次に説明する。第1の例は、(1)ダミーディスペンス部57でのダミーディスペンス、(2)LCD基板Gへのレジスト液供給、(3)ノズル洗浄機構59によるレジスト供給ノズル14の洗浄処理、(4)ノズルバス58でのレジスト吐出口14bの乾燥抑制、(5)前記(1)〜(4)の繰り返し、である。   Thereafter, the transfer of the LCD substrate G is repeated as described above to form a coating film on the LCD substrate G. An operation example of the resist supply nozzle 14 at that time will be described next. The first example includes (1) dummy dispensing at the dummy dispensing unit 57, (2) resist solution supply to the LCD substrate G, (3) cleaning processing of the resist supply nozzle 14 by the nozzle cleaning mechanism 59, and (4) nozzle bath. 58, and (5) repetition of the above (1) to (4).

第2の例は、(1)ダミーディスペンス部57でのダミーディスペンス、(2)複数枚のLCD基板Gへのレジスト液供給、(3)ノズル洗浄機構59によるレジスト供給ノズル14の洗浄処理、(4)ノズルバス58でのレジスト吐出口14bの乾燥抑制、(5)前記(1)〜(4)の繰り返し、である。この場合において、前記(3)の洗浄処理後に前記(4)を行うことなく、前記(1)へ戻った動作を行わせてもよい。   The second example includes (1) dummy dispensing at the dummy dispensing unit 57, (2) resist liquid supply to a plurality of LCD substrates G, (3) cleaning processing of the resist supply nozzle 14 by the nozzle cleaning mechanism 59, ( 4) Drying suppression of the resist discharge port 14b in the nozzle bath 58, and (5) repetition of the above (1) to (4). In this case, the operation returning to (1) may be performed without performing (4) after the cleaning process of (3).

第3の例は、(1)ダミーディスペンス部57でのダミーディスペンス、(2)LCD基板Gへのレジスト液供給、(3)ノズルバス58でのレジスト吐出口14bの乾燥抑制、(4)前記(1)〜(3)の動作の所定回数の繰り返し、(5)前記(1)および(2)の動作、(6)ノズル洗浄機構59によるレジスト供給ノズル14の洗浄処理、(7)前記(1)〜(6)の繰り返し、である。   The third example includes (1) dummy dispensing at the dummy dispensing unit 57, (2) resist solution supply to the LCD substrate G, (3) drying suppression of the resist discharge port 14b at the nozzle bus 58, (4) ( (5) The operations of (1) and (2), (6) The cleaning process of the resist supply nozzle 14 by the nozzle cleaning mechanism 59, (7) The (1) ) To (6).

これらの各例はLCD基板Gの搬送形態に応じて使い分けることができる。例えば、第1の例は搬送されるLCD基板Gを搬送する時間的な間隔が長い場合等に好適に用いられ、第2の例はLCD基板Gの搬送間隔が時間的に短い場合に好適に用いられ、第3の例はこれらの中間の場合に好適に用いられる。   Each of these examples can be used properly according to the conveyance form of the LCD substrate G. For example, the first example is preferably used when the time interval for transferring the LCD substrate G to be transferred is long, and the second example is preferable when the transfer interval of the LCD substrate G is short. The third example is preferably used in the middle of these cases.

なお、LCD基板Gの時間的な搬送間隔に応じて、前記第1〜第3の例を自動的に切り替えるような構成としてもよい。例えば、予め第1〜第3の例のそれぞれに基板Gの時間的な搬送間隔の範囲、つまり、上限値と下限値とを設定しておき、基板Gの時間的な搬送間隔に応じて第1〜第3の例を自動的に切り替えるようにすればよい。レジスト塗布・現像処理システム100は、もちろん、LCD基板Gの時間的な搬送間隔を制御しており、各LCD基板Gの時間的な搬送間隔をデータとして所有しているので、そのデータを用いることができる。   It should be noted that the first to third examples may be automatically switched according to the temporal conveyance interval of the LCD substrate G. For example, a range of the temporal transfer interval of the substrate G, that is, an upper limit value and a lower limit value are set in advance in each of the first to third examples, and the first and third examples are set according to the temporal transfer interval of the substrate G. The first to third examples may be automatically switched. Of course, the resist coating / development processing system 100 controls the temporal transport interval of the LCD substrate G, and possesses the temporal transport interval of each LCD substrate G as data. Can do.

さて、上記説明においては、レジスト塗布装置(CT)23aに1本のレジスト供給ノズル14を装備した形態について説明したが、例えば、複数種のレジスト液を使い分ける場合等には、複数のレジスト供給ノズルを装備することができる。例えば、図10は、先に説明したレジスト塗布装置(CT)23aに、さらに別のレジスト供給ノズル14´・14″(レジスト供給ノズル14と同じ構造を有する)と、別のノズルバス58´・58″を備えたレジスト塗布装置(CT)23a´の概略構造を示す側面図である。   In the above description, the resist coating apparatus (CT) 23a is provided with one resist supply nozzle 14. However, for example, when using a plurality of types of resist solutions, a plurality of resist supply nozzles are used. Can be equipped. For example, FIG. 10 shows that the resist coating apparatus (CT) 23a described above is further provided with another resist supply nozzle 14 ′ / 14 ″ (having the same structure as the resist supply nozzle 14) and another nozzle bus 58 ′ / 58. It is a side view which shows schematic structure of resist coating apparatus (CT) 23a 'provided with "."

ノズルバス58´は支柱部材55´に固定されており、移動不可となっている。一方、レジスト供給ノズル14´は、支柱部材54´に縦駆動機構30´によって昇降自在に取り付けられており、支持部材54´はボールネジ等の横駆動機構56´によってX方向に自在である。これにより、レジスト供給ノズル14´は、ノズルバス58´とノズル洗浄ユニット15の両方にアクセスすることができる。   The nozzle bath 58 'is fixed to the support member 55' and cannot be moved. On the other hand, the resist supply nozzle 14 ′ is attached to the column member 54 ′ so as to be movable up and down by a vertical drive mechanism 30 ′, and the support member 54 ′ is freely movable in the X direction by a horizontal drive mechanism 56 ′ such as a ball screw. Thereby, the resist supply nozzle 14 ′ can access both the nozzle bath 58 ′ and the nozzle cleaning unit 15.

ノズルバス58″は支柱部材55″に固定されており、移動不可である。レジスト供給ノズル14″は、レジスト供給ノズル14´の場合と同様に、支柱部材54″に縦駆動機構30″によって昇降自在に取り付けられており、支柱部材54″はボールネジ等の横駆動機構56″によってX方向に自在である。これにより、レジスト供給ノズル14″は、ノズルバス58″とノズル洗浄ユニット15の両方にアクセスすることができる。   The nozzle bath 58 ″ is fixed to the support member 55 ″ and cannot be moved. As in the case of the resist supply nozzle 14 ′, the resist supply nozzle 14 ″ is attached to the column member 54 ″ by a vertical drive mechanism 30 ″ so as to be movable up and down. The column member 54 ″ is a horizontal drive mechanism 56 ″ such as a ball screw. The resist supply nozzle 14 ″ can access both the nozzle bath 58 ″ and the nozzle cleaning unit 15.

レジスト供給ノズル14´がノズル洗浄ユニット15にアクセスする際には、レジスト供給ノズル14をレジスト供給ノズル14″側に待避させる。また、レジスト供給ノズル14″がノズル洗浄ユニット15にアクセスする際には、レジスト供給ノズル14をレジスト供給ノズル14´側に移動させる。つまり、レジスト塗布装置(CT)23a´においては、支柱部材54は、ノズル洗浄ユニット15を追い越してレジスト供給ノズル14´側へ移動し、またノズル洗浄ユニット15から離れてレジスト供給ノズル14″側へ移動することができるように、横駆動機構56による移動範囲が拡大されている。   When the resist supply nozzle 14 ′ accesses the nozzle cleaning unit 15, the resist supply nozzle 14 is retracted toward the resist supply nozzle 14 ″. When the resist supply nozzle 14 ″ accesses the nozzle cleaning unit 15, Then, the resist supply nozzle 14 is moved to the resist supply nozzle 14 'side. In other words, in the resist coating apparatus (CT) 23a ′, the support member 54 passes the nozzle cleaning unit 15 and moves to the resist supply nozzle 14 ′ side, and moves away from the nozzle cleaning unit 15 to the resist supply nozzle 14 ″ side. The movement range by the lateral drive mechanism 56 is expanded so that it can move.

レジスト塗布装置(CT)23a´では、レジスト供給ノズル14´は、ダミーディスペンスを行うときと、ノズル洗浄処理を行うときに、ノズル洗浄ユニット15の各部へアクセスし、レジスト吐出口の乾燥を防止して保持する際には、ノズルバス58´にアクセスする。一方、レジスト供給ノズル14″は、ダミーディスペンスを行うときとノズル洗浄処理を行うときに、ノズル洗浄ユニット15の各部へアクセスし、レジスト吐出口の乾燥を防止して保持する際には、ノズルバス58″にアクセスする。   In the resist coating apparatus (CT) 23a ', the resist supply nozzle 14' accesses each part of the nozzle cleaning unit 15 when performing dummy dispensing and nozzle cleaning processing, and prevents drying of the resist discharge port. The nozzle bath 58 'is accessed. On the other hand, the resist supply nozzle 14 ″ accesses each part of the nozzle cleaning unit 15 when performing the dummy dispensing and the nozzle cleaning process, and prevents the resist discharge port from being dried and holds the nozzle bus 58. Access ″.

複数のレジスト供給ノズルを配置した場合でも、ノズル洗浄ユニットやノズルバスを固定することにより、これらを可動とした場合に比べて、ステージ12の汚染を防止することができる。   Even when a plurality of resist supply nozzles are arranged, the stage 12 can be prevented from being contaminated by fixing the nozzle cleaning unit and the nozzle bath as compared with the case where these are movable.

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65からレジスト塗布装置(CT)23aへのLCD基板の搬入は、パスユニット(PASS)65に基板搬送アームを設け、かつ、導入ステージ部12aにリフトピンを設けて、この基板搬送アームが保持したLCD基板をリフトピンに受け渡し、リフトピンを降下させることによって導入ステージ部12aの表面近傍で、基板保持部材51a・51b等にLCD基板Gを把持させるようにしてもよい。   As mentioned above, although embodiment of this invention has been described, this invention is not limited to such a form. For example, when the LCD substrate is transferred from the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32 to the resist coating apparatus (CT) 23a, the substrate transfer arm is provided in the pass unit (PASS) 65 and introduced. The stage portion 12a is provided with lift pins, the LCD substrate held by the substrate transfer arm is transferred to the lift pins, and the lift pins are lowered to bring the LCD substrate G onto the substrate holding members 51a and 51b in the vicinity of the surface of the introduction stage portion 12a. You may make it hold | grip.

また、レジスト塗布装置(CT)23における基板搬送機構として、ステージ12上でLCD基板Gを浮上させて搬送する形態を取り上げたが、基板Gの搬送には、Y方向に所定間隔でコロが設けられた軸部材をX方向に所定間隔で並べ、この軸部材を回転させることによりコロに載せられたLCD基板Gを移動させる、所謂、コロ搬送機構を用いてもよいし、LCD基板GのY方向端をベルトに載せて搬送させてもよい。上記説明においては、塗布膜としてレジスト膜を取り上げたが、塗布膜はこれに限定されるものではなく、反射防止膜や感光性を有さない絶縁膜等であってもよい。   In addition, as the substrate transport mechanism in the resist coating apparatus (CT) 23, the form in which the LCD substrate G is lifted and transported on the stage 12 has been taken up. However, for transporting the substrate G, rollers are provided at predetermined intervals in the Y direction. A so-called roller transport mechanism that moves the LCD substrate G placed on the rollers by rotating the shaft members at predetermined intervals in the X direction and rotating the shaft members may be used. The direction end may be carried on a belt. In the above description, the resist film is taken up as the coating film, but the coating film is not limited to this, and may be an antireflection film, an insulating film having no photosensitivity, or the like.

本発明はLCDガラス基板等の大型基板に、レジスト膜等の塗布膜を形成するレジスト膜形成装置等に好適である。   The present invention is suitable for a resist film forming apparatus for forming a coating film such as a resist film on a large substrate such as an LCD glass substrate.

本発明の一実施形態であるレジスト塗布装置を具備するレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図。1 is a schematic plan view of a resist coating / development processing system including a resist coating apparatus according to an embodiment of the present invention. 図1に示したレジスト塗布・現像処理システムの第1の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。FIG. 2 is a side view showing a first thermal processing unit section of the resist coating / development processing system shown in FIG. 1. 図1に示したレジスト塗布・現像処理システムの第2の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。The side view which shows the 2nd thermal processing unit section of the resist application | coating / development processing system shown in FIG. 図1に示したレジスト塗布・現像処理システムの第3の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。The side view which shows the 3rd thermal processing unit section of the resist application | coating / development processing system shown in FIG. レジスト処理ユニットの概略平面図。The schematic plan view of a resist processing unit. レジスト処理ユニットに設けられる基板搬送機構の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the board | substrate conveyance mechanism provided in a resist processing unit. レジスト供給ノズルの概略斜視図。The schematic perspective view of a resist supply nozzle. レジスト供給ノズルとノズル移動機構の概略構成を示す正面図。The front view which shows schematic structure of a resist supply nozzle and a nozzle moving mechanism. ノズル洗浄ユニットの概略断面図およびノズル洗浄ユニットとレジスト供給ノズルとの位置関係を示す正面図。The schematic sectional drawing of a nozzle cleaning unit, and the front view which shows the positional relationship of a nozzle cleaning unit and a resist supply nozzle. レジスト処理ユニットを構成する別のレジスト塗布装置(CT)の概略平面図。The schematic plan view of another resist coating apparatus (CT) which comprises a resist processing unit.

符号の説明Explanation of symbols

1;カセットステーション
2;処理ステーション
3;インターフェイスステーション
12;ステージ
13;基板搬送機構
14;レジスト供給ノズル
15;ノズル洗浄ユニット
16:ガス噴射口
20;ノズル移動機構
23;レジスト処理ユニット
23a;レジスト塗布装置(CT)
57;ダミーディスペンス部
58;ノズルバス
59;ノズル洗浄機構
100;レジスト塗布・現像処理システム
111;プライミングローラー
112;回転機構
113;ローラー洗浄用バス
114;ワイパー
115;シンナー吐出ノズル
116;シンナー排出管
117;ガス噴射ノズル
120;ノズル洗浄ヘッド
G;LCD基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Cassette station 2; Processing station 3; Interface station 12; Stage 13; Substrate conveyance mechanism 14; Resist supply nozzle 15; Nozzle cleaning unit 16: Gas injection port 20; Nozzle movement mechanism 23; Resist processing unit 23a; (CT)
57; dummy dispenser 58; nozzle bath 59; nozzle cleaning mechanism 100; resist coating / development processing system 111; priming roller 112; rotating mechanism 113; roller cleaning bath 114; wiper 115; thinner discharge nozzle 116; thinner discharge pipe 117; Gas injection nozzle 120; Nozzle cleaning head G; LCD substrate

Claims (9)

基板を一方向に搬送しながら前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
基板を略水平姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構によって搬送される基板の表面に所定の塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、
基板が搬送される領域の上空に固定配置され、少なくとも前記塗布液供給ノズルに所定の洗浄処理を施すノズル洗浄ユニットと、
前記塗布液供給ノズルを、前記基板搬送機構によって搬送される基板に塗布液を供給する位置と、前記基板が搬送される領域の上空に固定配置されたノズル洗浄ユニットにおいて洗浄処理される位置との間で移動させるノズル移動機構と、
を具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
A coating film forming apparatus for forming a coating film by supplying a predetermined coating liquid to the substrate while conveying the substrate in one direction,
A substrate transport mechanism for transporting the substrate in a substantially horizontal posture in one direction;
A coating liquid supply nozzle that supplies a predetermined coating liquid to the surface of the substrate transported by the substrate transport mechanism;
A nozzle cleaning unit that is fixedly disposed above the area where the substrate is transported, and performs a predetermined cleaning process on at least the coating liquid supply nozzle;
Wherein the coating liquid supply nozzle, and a position for supplying the coating solution to a substrate carried by the substrate transfer mechanism, between a position where the substrate is cleaned processed in fixedly positioned nozzle cleaning unit in high over the area to be conveyed a nozzle moving mechanism for moving between,
A coating film forming apparatus comprising:
前記塗布液供給ノズルは、基板搬送方向に直交する方向に伸び、帯状に塗布液を吐出するスリット状の塗布液吐出口を有することを特徴とする請求項1に記載の塗布膜形成装置。   The coating film forming apparatus according to claim 1, wherein the coating liquid supply nozzle has a slit-shaped coating liquid discharge port that extends in a direction orthogonal to the substrate transport direction and discharges the coating liquid in a band shape. 前記ノズル移動機構は、
前記塗布液供給ノズルを昇降させる縦駆動機構と、
前記塗布液供給ノズルおよび前記縦駆動機構を前記基板搬送方向で移動させる横駆動機構と、
を具備することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の塗布膜形成装置。
The nozzle moving mechanism is
A longitudinal drive mechanism for raising and lowering the coating liquid supply nozzle;
A lateral drive mechanism for moving the coating liquid supply nozzle and the vertical drive mechanism in the substrate transport direction;
The coating film forming apparatus according to claim 1, further comprising:
基板を一方向に搬送しながら前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
基板を略水平姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構によって搬送される基板の表面に所定の塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、
基板が搬送される領域の上空に固定配置され、少なくとも前記塗布液供給ノズルに所定の洗浄処理を施すノズル洗浄ユニットと、
前記塗布液供給ノズルを、前記基板搬送機構によって搬送される基板に塗布液を供給する位置と、前記基板が搬送される領域の上空に固定配置されたノズル洗浄ユニットにおいて洗浄処理される位置との間で移動させるノズル移動機構と、を備え、
前記ノズル洗浄ユニットは、
基板への塗布液供給前に予備的に前記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出させるためのダミーディスペンス部と、
前記塗布液供給ノズルの塗布液吐出口が乾燥しないように、前記塗布液吐出口近傍を所定の溶剤蒸気雰囲気で保持するためのノズルバスと、
前記塗布液供給ノズルの塗布液吐出口近傍に付着した塗布液を除去するためのノズル洗浄機構と、を具備し、前記ノズル洗浄ユニット全体が固定されていることを特徴とする塗布膜形成装置。
A coating film forming apparatus for forming a coating film by supplying a predetermined coating liquid to the substrate while conveying the substrate in one direction,
A substrate transport mechanism for transporting the substrate in a substantially horizontal posture in one direction;
A coating liquid supply nozzle that supplies a predetermined coating liquid to the surface of the substrate transported by the substrate transport mechanism;
A nozzle cleaning unit that is fixedly disposed above the area where the substrate is transported, and performs a predetermined cleaning process on at least the coating liquid supply nozzle;
A position where the coating liquid supply nozzle is supplied with a coating liquid to a substrate transported by the substrate transport mechanism, and a position where a cleaning process is performed in a nozzle cleaning unit fixedly arranged above the region where the substrate is transported A nozzle moving mechanism for moving between,
The nozzle cleaning unit is
A dummy dispensing unit for preliminarily discharging the coating liquid from the coating liquid supply nozzle before supplying the coating liquid to the substrate;
A nozzle bath for maintaining the vicinity of the coating liquid discharge port in a predetermined solvent vapor atmosphere so that the coating liquid discharge port of the coating liquid supply nozzle is not dried;
And a nozzle cleaning mechanism for removing the coating liquid adhering to the vicinity of the coating liquid discharge port of the coating liquid supply nozzle , wherein the entire nozzle cleaning unit is fixed .
前記ダミーディスペンス部は、
円柱形状を有し、その長手方向が前記塗布液供給ノズルの長手方向と平行となるように配置され、一方向に回転しながら前記塗布液供給ノズルから吐出される塗布液を受けるプライミングローラーと、
前記プライミングローラーの下部を所定の溶剤で浸して洗浄するためのローラー洗浄用バスと、
前記プライミングローラーに付着した前記塗布液および前記溶剤を除去するワイパーと、
を具備することを特徴とする請求項4に記載の塗布膜形成装置。
The dummy dispensing unit is
A priming roller that has a cylindrical shape, is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the longitudinal direction of the coating liquid supply nozzle, and receives the coating liquid discharged from the coating liquid supply nozzle while rotating in one direction;
A roller cleaning bath for immersing and cleaning the lower part of the priming roller with a predetermined solvent;
A wiper for removing the coating liquid and the solvent adhering to the priming roller;
The coating film forming apparatus according to claim 4, further comprising:
前記ノズル洗浄機構は、
前記塗布液供給ノズルの塗布液吐出口近傍に向けて所定の洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルと、前記塗布液供給ノズルを洗浄した洗浄液を回収するための洗浄液排出管と、を有するノズル洗浄ヘッドと、
前記ノズル洗浄ヘッドを前記塗布液供給ノズルの長手方向でスキャンさせるヘッドスキャン機構と、
を具備することを特徴とする請求項4または請求項5に記載の塗布膜形成装置。
The nozzle cleaning mechanism is
A nozzle cleaning head having: a cleaning liquid discharge nozzle that discharges a predetermined cleaning liquid toward the vicinity of the coating liquid discharge port of the coating liquid supply nozzle; and a cleaning liquid discharge pipe for collecting the cleaning liquid that has cleaned the coating liquid supply nozzle; ,
A head scanning mechanism for scanning the nozzle cleaning head in the longitudinal direction of the coating liquid supply nozzle;
The coating film forming apparatus according to claim 4, further comprising:
前記ノズル洗浄ヘッドは、前記塗布液供給ノズルの塗布液吐出口近傍に向けて所定のガスを噴射するガス噴射ノズルをさらに具備することを特徴とする請求項6に記載の塗布膜形成装置。   The coating film forming apparatus according to claim 6, wherein the nozzle cleaning head further includes a gas injection nozzle that injects a predetermined gas toward the vicinity of the coating liquid discharge port of the coating liquid supply nozzle. 前記基板搬送機構によって搬送される基板の表面に前記塗布液とは異なる塗布液を供給する別の塗布液供給ノズルと、
基板が搬送される領域の上空に固定配置され、前記別の塗布液供給ノズルをその塗布液吐出口が乾燥しないように所定の溶剤蒸気雰囲気で保持する別のノズルバスと、
前記別の塗布液供給ノズルを、前記基板搬送機構によって搬送される基板に前記別の塗布液を供給する位置と、前記基板が搬送される領域の上空に固定配置されたノズル洗浄ユニットにおいて洗浄処理される位置と、前記基板が搬送される領域の上空に固定配置された別のノズルバスの位置との間で移動させる別のノズル移動機構と、
を具備し、
少なくとも前記別の塗布液供給ノズルの洗浄処理は前記ノズル洗浄ユニットで行われることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の塗布膜形成装置。
Another coating liquid supply nozzle for supplying a coating liquid different from the coating liquid to the surface of the substrate transported by the substrate transport mechanism;
Another nozzle bath that is fixedly disposed above the area where the substrate is transported and holds the other coating liquid supply nozzle in a predetermined solvent vapor atmosphere so that the coating liquid discharge port does not dry;
A cleaning process is performed in a nozzle cleaning unit that is fixedly disposed above the position where the other coating liquid supply nozzle is supplied to the substrate transported by the substrate transport mechanism and the area where the substrate is transported. and positions, and another nozzle moving mechanism for moving between a position of another nozzle bath on which the substrate is fixedly disposed over the area to be conveyed,
Comprising
The coating film forming apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein at least the cleaning process of the other coating liquid supply nozzle is performed by the nozzle cleaning unit.
表面の所定位置にガス噴射口を有し、前記基板搬送機構によって搬送される基板の下側に配置されるステージをさらに具備し、
前記基板搬送機構は、
前記ステージの側面に配置され、基板を基板搬送方向に直交する方向の端部近傍で保持する基板保持部材と、
前記基板保持部材を前記ステージの側面に沿って一方向に移動させる一軸駆動機構と、を具備し、
前記基板保持部材に保持された基板は、前記ステージ上を前記ガス噴射口から噴射されるガスによって前記ステージの上面から所定距離浮いた状態で、搬送されることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の塗布膜形成装置。
A gas injection port at a predetermined position on the surface, further comprising a stage disposed on the lower side of the substrate transported by the substrate transport mechanism;
The substrate transport mechanism is
A substrate holding member that is disposed on a side surface of the stage and holds the substrate in the vicinity of an end in a direction orthogonal to the substrate transport direction;
A uniaxial drive mechanism for moving the substrate holding member in one direction along the side surface of the stage;
The substrate held by the substrate holding member is transported in a state where the substrate is floated from the upper surface of the stage by a predetermined distance by the gas ejected from the gas ejection port on the stage. Item 9. The coating film forming apparatus according to any one of Items 8 above.
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