JP4272230B2 - Vacuum dryer - Google Patents

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Description

本発明は、被処理基板上に塗布された塗布液を減圧状態で乾燥させる減圧乾燥装置に関する。   The present invention relates to a reduced pressure drying apparatus that dries a coating solution applied on a substrate to be processed in a reduced pressure state.

この種の減圧乾燥装置は、たとえば、液晶ディスプレイ(LCD)等のフラットパネルディスプレイ(FPD)製造のフォトリソグラフィー工程の中で被処理基板(ガラス基板等)上に塗布したレジスト液をプリベーキングに先立って乾燥させるために用いられている。   This type of vacuum drying apparatus, for example, prior to pre-baking a resist solution applied on a substrate to be processed (such as a glass substrate) in a photolithography process for manufacturing a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display (LCD). Used to dry.

従来の減圧乾燥装置は、たとえば特許文献1に記載されるように、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバと、この下部チャンバの上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバとを有している。下部チャンバの中にはステージが配設されており、このステージ上に基板を水平に載置してから、チャンバを閉じて(上部チャンバを下部チャンバに密着させて)減圧乾燥処理を行う。チャンバに基板を搬入出する際には、上部チャンバをクレーン等で上昇させてチャンバを開放し、さらには基板のローディング/アンローディングのためにステージをシリンダ等で適宜上昇させるようにしている。そして、基板の搬入出ないしローディング/アンローディングは、減圧乾燥装置回りで基板の搬送を行う外部の搬送ロボットのハンドリングにより行っている。また、ステージの上面に多数の支持ピンが突出して設けられ、基板はそれらの支持ピンの上に載置されるようになっている。
特開2000−181079
A conventional vacuum drying apparatus is configured, for example, as described in Patent Document 1, such that a lower chamber of a tray or a shallow container type having an open upper surface and an upper surface of the lower chamber can be tightly adhered or fitted. And a lid-like upper chamber. A stage is disposed in the lower chamber, and after the substrate is placed horizontally on the stage, the chamber is closed (the upper chamber is brought into close contact with the lower chamber), and a vacuum drying process is performed. When loading / unloading a substrate into / from the chamber, the upper chamber is lifted by a crane or the like to open the chamber, and the stage is appropriately lifted by a cylinder or the like for loading / unloading of the substrate. Then, loading / unloading of the substrate or loading / unloading is performed by handling an external transport robot that transports the substrate around the vacuum drying apparatus. A large number of support pins protrude from the upper surface of the stage, and the substrate is placed on the support pins.
JP2000-181079

従来の減圧乾燥装置は、上記のように基板をチャンバに搬入出する度毎に上部チャンバを上げ下げ(開閉)するようにしているが、基板の大型化に伴ってこのような装置構造にはいろいろな不都合が出てきている。すなわち、基板のサイズがLCD基板のように一辺が2mを越えるような大きさになると、チャンバも著しく大型化して上部チャンバだけでも2トン以上の重量になり、大掛かりな昇降機構を要し、大きな振動による発塵の問題や作業員に対する安全上の問題が顕在化してきている。また、搬送ロボットも、ますます大型化しているが、大きな基板を水平に保持して搬送するのが難しくなってきており、レジスト塗布直後の基板を大きなうちわのようにたわんだ状態で搬送することによって、減圧乾燥装置のチャンバにおける基板の搬入出ないしローディング/アンローディングの際に位置ズレや衝突ないし破損等のエラーが起きやすくなってきている。さらに、チャンバの中で基板はステージ上面から突出するピンの上で減圧乾燥処理を受けるため、基板上のレジスト膜にピンの跡が転写するという問題もあった。   In the conventional vacuum drying apparatus, the upper chamber is raised and lowered (opened / closed) every time the substrate is carried into and out of the chamber as described above. The inconvenience has come out. In other words, if the size of the substrate is larger than 2 m, such as an LCD substrate, the chamber will become significantly larger, and the upper chamber alone will weigh more than 2 tons, requiring a large lifting mechanism, Problems of dust generation due to vibration and safety problems for workers are becoming apparent. In addition, the transfer robot is becoming larger and larger, but it is difficult to hold a large substrate horizontally and transfer it, and the substrate just after resist coating should be transferred in a bent state like a large fan. As a result, errors such as misalignment, collision, and breakage are more likely to occur during loading / unloading of the substrate in the chamber of the vacuum drying apparatus. Further, since the substrate is subjected to a reduced-pressure drying process on the pins protruding from the upper surface of the stage in the chamber, there is also a problem that the traces of the pins are transferred to the resist film on the substrate.

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、被処理基板の搬入出を効率よく安全かつスムースに行い、しかも基板上の塗布膜に転写跡が付くのを効果的に防止できる減圧乾燥装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and allows the substrate to be processed to be loaded and unloaded efficiently and smoothly, and the transfer mark is applied to the coating film on the substrate. An object of the present invention is to provide a reduced-pressure drying apparatus that can effectively prevent the above.

上記の目的を達成するために、本発明の減圧乾燥装置は、被処理基板上の塗布液に減圧状態で乾燥処理を施す減圧乾燥装置であって、前記基板を略水平状態で収容するための空間を有する減圧可能なチャンバと、前記乾燥処理中に前記チャンバ内の空間を密閉状態で真空排気するための第1の排気機構と、前記チャンバ内で前記基板を載置するための上面を有し、かつ前記上面に前記基板を浮上させるガスを噴出するための多数のガス噴出孔を有するステージと、前記ガス噴出孔に前記ステージの中を通るガスラインを通して基板浮上用のガスを供給するためのガス供給部と、前記ガスラインを真空排気するための第2の排気機構とを有し、前記乾燥処理を行うときは前記ガスラインを前記第2の排気機構に接続して前記基板を前記ステージの上面に載置し、前記基板の搬入出を行うときは前記ガスラインを前記ガス供給部に接続して前記基板を前記ステージ上で浮上させる。   In order to achieve the above object, a reduced-pressure drying apparatus of the present invention is a reduced-pressure drying apparatus that applies a drying process to a coating solution on a substrate to be processed in a reduced pressure state, and accommodates the substrate in a substantially horizontal state. A chamber capable of being depressurized, a first exhaust mechanism for evacuating the space in the chamber in a sealed state during the drying process, and an upper surface for placing the substrate in the chamber. And a stage having a large number of gas ejection holes for ejecting a gas for levitating the substrate on the upper surface, and supplying gas for substrate levitation to the gas ejection holes through a gas line passing through the stage And a second exhaust mechanism for evacuating the gas line, and when performing the drying process, the gas line is connected to the second exhaust mechanism to connect the substrate to the second exhaust mechanism. stage It was placed on the upper surface, when performing loading and unloading of the substrate to float the substrate by connecting the gas line to the gas supply unit on the stage.

上記の装置構成においては、減圧乾燥処理中は、チャンバ内空間を第1の排気機構により真空排気するとともに、ステージ内部を通る浮上ガスラインを第2の排気機構により真空排気して被処理基板をステージの上面に載置する。基板とステージとの間には部分的または局所的な接触箇所がないため、基板上の塗布膜に接触箇所の転写跡が発生するおそれはない。また、ステージ上で基板を浮上させいて基板の搬入出を好適には平流しで行えるので、搬送アームを用いる搬送ロボットを不要とし、基板をうちわのようにたわませてしまってローディング/アンローディングの際に位置ずれや衝突・破損等のエラーを起こさなくて済む。また、基板の搬入出に際して、チャンバの上蓋を開閉する操作も不要であり、発塵の問題や安全上の問題も解決される。   In the above apparatus configuration, during the vacuum drying process, the space in the chamber is evacuated by the first evacuation mechanism, and the floating gas line passing through the inside of the stage is evacuated by the second evacuation mechanism to remove the substrate to be processed. Place on the top of the stage. Since there is no partial or local contact point between the substrate and the stage, there is no possibility that a transfer trace of the contact point is generated in the coating film on the substrate. In addition, since the substrate can be carried in and out of the stage with the substrate floating preferably on the stage, a transfer robot using a transfer arm is not required, and the substrate is bent like a fan and loaded / unloaded. In this case, it is not necessary to cause errors such as misalignment, collision and damage. Further, when the substrate is carried in and out, an operation of opening and closing the upper lid of the chamber is not necessary, and the problem of dust generation and the safety problem are solved.

また、本発明の好適な一態様において、ステージの上面は、基板よりは小さく、基板の製品領域よりも大きなサイズを有する。このことにより、減圧乾燥処理中は基板の製品領域全面にステージ上面を接触させ、基板搬入出時にはステージから外にはみ出る基板の両側端部(非製品領域)に搬送手段を接触または係止させることができる。   In a preferred aspect of the present invention, the upper surface of the stage is smaller than the substrate and larger than the product area of the substrate. In this way, the upper surface of the stage is brought into contact with the entire product area of the substrate during the vacuum drying process, and the conveying means is brought into contact with or locked to both side ends (non-product area) of the substrate protruding from the stage when the substrate is loaded / unloaded. Can do.

また、本発明の好適な一態様として、ステージの上面にガス噴出孔が一定密度の細孔として形成され、あるいはステージの上面が多孔質物質で構成される。ガス噴出孔を細孔にすることで、ステージ側から基板上の塗布膜に与える熱的影響のばらつきを効果的に低減することができる。   As a preferred embodiment of the present invention, gas ejection holes are formed as pores having a constant density on the upper surface of the stage, or the upper surface of the stage is made of a porous material. By making the gas ejection holes small, it is possible to effectively reduce variation in thermal influence on the coating film on the substrate from the stage side.

また、本発明の好適な一態様によれば、基板をコロ搬送でチャンバの外から中に搬入するための搬入口と、コロ搬送でチャンバの中から外へ搬出するための搬出口とをチャンバの側壁部に設け、搬入口および搬出口を開閉するためのゲート機構をチャンバ側壁部の外に設ける。この場合、搬入口および搬出口は、基板がコロ搬送でようやく通れるほどの大きさで済むので、ゲート機構を小型にすることができる。搬入口および搬出口は 相対向してチャンバの側壁部に別々に設けられてよいが、1つの搬入出口で兼用することもできる。   Further, according to a preferable aspect of the present invention, the chamber includes a carry-in port for carrying the substrate in from outside the chamber by roller conveyance, and a carry-out port for carrying the substrate out of the chamber by roller conveyance. A gate mechanism for opening and closing the carry-in port and the carry-out port is provided outside the chamber side wall. In this case, since the size of the carry-in port and the carry-out port can be such that the substrate can finally pass through the roller conveyance, the gate mechanism can be reduced in size. The carry-in port and the carry-out port may be provided separately on the side wall portion of the chamber so as to face each other, but one carry-in / out port can also be used.

また、本発明の好適な一態様によれば、基板を平流し搬送でチャンバに搬入出するための搬送機構が設けられる。基板が矩形の場合、該搬送機構は、ステージの両側にはみ出る基板の両側端部にそれぞれ接触して基板を基板搬送方向に移動させる一対の搬送ラインを有する。好ましくは、該搬送ラインが、ステージの両サイドでそれぞれ基板搬送方向に所定のピッチで一列に配置された複数個のサイドローラを有する。   According to a preferred aspect of the present invention, a transport mechanism is provided for carrying the substrate in and out of the chamber in a flat flow. When the substrate is rectangular, the transport mechanism has a pair of transport lines that move in the substrate transport direction by making contact with both end portions of the substrate that protrude on both sides of the stage. Preferably, the transport line includes a plurality of side rollers arranged in a line at a predetermined pitch in the substrate transport direction on both sides of the stage.

また、基板の搬入出をスムースに行うために、好ましくは、該搬送機構において、ステージと搬入口との間、またはステージと搬出口との間に、基板搬送方向に並べて配置された1本または複数本の内部コロを有する構成や、搬入口の外または搬出口の外に基板搬送方向に並べて配置された1本または複数本の外部コロを有する構成も採られてよい。   Further, in order to smoothly carry in and out the substrate, preferably, in the transport mechanism, one or two arranged side by side in the substrate transport direction between the stage and the transport inlet or between the stage and the transport outlet A configuration having a plurality of internal rollers, or a configuration having one or a plurality of external rollers arranged side by side in the substrate transport direction outside the carry-in port or outside the carry-out port may also be adopted.

また、本発明の好適な一態様によれば、チャンバ内でステージを昇降移動または昇降変位させるためのステージ昇降機構が設けられる。かかる構成においては、乾燥処理を行うときは基板が搬送ラインから上方に離間してステージの上面に載置されるようにステージをステージ昇降機構により第1の高さ位置まで上昇させ、基板の搬入出を行うときは基板がステージから上方に離間して両側端部が搬送ラインに載るようにステージをステージ昇降機構により第2の高さ位置まで下降させてよい。   According to a preferred aspect of the present invention, a stage lifting mechanism for moving the stage up and down or moving up and down in the chamber is provided. In such a configuration, when the drying process is performed, the stage is raised to the first height position by the stage lifting mechanism so that the substrate is placed on the upper surface of the stage so as to be spaced apart from the transfer line, and the substrate is loaded. When taking out, the stage may be lowered to the second height position by the stage elevating mechanism so that the substrate is spaced upward from the stage and both end portions are placed on the transfer line.

本発明の減圧乾燥装置によれば、上記のような構成および作用により、被処理基板の搬入出を効率よく安全かつスムースに行い、しかも基板上の塗布膜に転写跡が付くのを効果的に防止することができる。   According to the reduced-pressure drying apparatus of the present invention, with the above-described configuration and operation, the substrate to be processed can be carried in and out efficiently and safely, and the transfer film can be effectively applied to the coating film on the substrate. Can be prevented.

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1に、本発明の減圧乾燥装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム10は、クリーンルーム内に設置され、たとえば矩形のガラス基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置12で行われる。   FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as one configuration example to which the reduced pressure drying apparatus of the present invention can be applied. This coating and developing processing system 10 is installed in a clean room. For example, a rectangular glass substrate is used as a substrate to be processed, and a series of processes such as cleaning, resist coating, pre-baking, developing, and post-baking in a photolithography process in an LCD manufacturing process. The processing is performed. The exposure process is performed by an external exposure apparatus 12 installed adjacent to this system.

この塗布現像処理システム10は、中心部に横長のプロセスステーション(P/S)16を配置し、その長手方向(X方向)両端部にカセットステーション(C/S)14とインタフェースステーション(I/F)18とを配置している。   In the coating and developing system 10, a horizontally long process station (P / S) 16 is disposed at the center, and a cassette station (C / S) 14 and an interface station (I / F) are disposed at both ends in the longitudinal direction (X direction). ) 18.

カセットステーション(C/S)14は、システム10のカセット搬入出ポートであり、基板Gを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットCを水平な一方向(Y方向)に4個まで並べて載置可能なカセットステージ20と、このステージ20上のカセットCに対して基板Gの出し入れを行う搬送機構22とを備えている。搬送機構22は、基板Gを1枚単位で保持できる搬送アーム22aを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション(P/S)16側と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。   The cassette station (C / S) 14 is a cassette loading / unloading port of the system 10, and arranges up to four cassettes C that can accommodate a plurality of substrates C in a horizontal direction (Y direction) by stacking substrates G in multiple stages. A cassette stage 20 that can be placed, and a transport mechanism 22 that takes in and out the substrate G to and from the cassette C on the stage 20 are provided. The transport mechanism 22 has a transport arm 22a that can hold the substrate G in units of one sheet, can be operated with four axes of X, Y, Z, and θ, and is adjacent to the adjacent process station (P / S) 16 side and the substrate. G can be delivered.

プロセスステーション(P/S)16は、水平なシステム長手方向(X方向)に延在する平行かつ逆向きの一対のラインA,Bに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。   In the process station (P / S) 16, the processing units are arranged in the order of the process flow or the process on a pair of parallel and opposite lines A and B extending in the horizontal system longitudinal direction (X direction).

より詳細には、カセットステーション(C/S)14側からインタフェースステーション(I/F)18側へ向う上流部のプロセスラインAには、搬入ユニット(IN PASS)24、洗浄プロセス部26、第1の熱的処理部28、塗布プロセス部30および第2の熱的処理部32が第1の平流し搬送路34に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。   More specifically, the upstream process line A from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side includes a carry-in unit (IN PASS) 24, a cleaning process unit 26, a first The thermal processing section 28, the coating process section 30, and the second thermal processing section 32 are arranged in a line in this order from the upstream side along the first flat flow path 34.

より詳細には、搬入ユニット(IN PASS)24はカセットステーション(C/S)14の搬送機構22から未処理の基板Gを受け取り、所定のタクトで第1の平流し搬送路34に投入するように構成されている。洗浄プロセス部26は、第1の平流し搬送路34に沿って上流側から順にエキシマUV照射ユニット(E−UV)36およびスクラバ洗浄ユニット(SCR)38を設けている。第1の熱的処理部28は、上流側から順にアドヒージョンユニット(AD)40および冷却ユニット(COL)42を設けている。塗布プロセス部30は、上流側から順にレジスト塗布ユニット(COT)44および減圧乾燥ユニット(VD)46を設けている。第2の熱的処理部32は、上流側から順にプリベークユニット(PRE−BAKE)48および冷却ユニット(COL)50を設けている。第2の熱的処理部32の下流側隣に位置する第1の平流し搬送路34の終点にはパスユニット(PASS)52が設けられている。第1の平流し搬送路34上を平流しで搬送されてきた基板Gは、この終点のパスユニット(PASS)52からインタフェースステーション(I/F)18へ渡されるようになっている。   More specifically, the carry-in unit (IN PASS) 24 receives the unprocessed substrate G from the transfer mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14 and inputs it into the first flat flow transfer path 34 at a predetermined tact. It is configured. The cleaning process section 26 is provided with an excimer UV irradiation unit (E-UV) 36 and a scrubber cleaning unit (SCR) 38 in order from the upstream side along the first flat flow path 34. The first thermal processing unit 28 includes an adhesion unit (AD) 40 and a cooling unit (COL) 42 in order from the upstream side. The coating process unit 30 is provided with a resist coating unit (COT) 44 and a vacuum drying unit (VD) 46 in order from the upstream side. The second thermal processing unit 32 includes a pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 and a cooling unit (COL) 50 in order from the upstream side. A pass unit (PASS) 52 is provided at the end point of the first flat flow conveyance path 34 located adjacent to the downstream side of the second thermal processing unit 32. The substrate G that has been transported in a flat flow on the first flat flow transport path 34 is transferred from the pass unit (PASS) 52 at the end point to the interface station (I / F) 18.

一方、インタフェースステーション(I/F)18側からカセットステーション(C/S)14側へ向う下流部のプロセスラインBには、現像ユニット(DEV)54、ポストベークユニット(POST−BAKE)56、冷却ユニット(COL)58、検査ユニット(AP)60および搬出ユニット(OUT−PASS)62が第2の平流し搬送路64に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット(POST−BAKE)56および冷却ユニット(COL)58は第3の熱的処理部66を構成する。搬出ユニット(OUT PASS)62は、第2の平流し搬送路64から処理済の基板Gを1枚ずつ受け取って、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22に渡すように構成されている。   On the other hand, in the downstream process line B from the interface station (I / F) 18 side to the cassette station (C / S) 14 side, a development unit (DEV) 54, a post-bake unit (POST-BAKE) 56, a cooling unit are provided. A unit (COL) 58, an inspection unit (AP) 60 and a carry-out unit (OUT-PASS) 62 are arranged in a line in this order from the upstream side along the second flat flow path 64. Here, the post-bake unit (POST-BAKE) 56 and the cooling unit (COL) 58 constitute a third thermal processing unit 66. The carry-out unit (OUT PASS) 62 is configured to receive the processed substrates G one by one from the second flat flow transfer path 64 and pass them to the transfer mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14. .

両プロセスラインA,Bの間には補助搬送空間68が設けられており、基板Gを1枚単位で水平に載置可能なシャトル70が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向(X方向)で双方向に移動できるようになっている。   An auxiliary transfer space 68 is provided between the process lines A and B, and a shuttle 70 capable of placing the substrate G horizontally in units of one sheet is both in the process line direction (X direction) by a drive mechanism (not shown). You can move in the direction.

インタフェースステーション(I/F)18は、上記第1および第2の平流し搬送路34,64や隣接する露光装置12と基板Gのやりとりを行うための搬送装置72を有し、この搬送装置72の周囲にロータリステージ(R/S)74および周辺装置76を配置している。ロータリステージ(R/S)74は、基板Gを水平面内で回転させるステージであり、露光装置12との受け渡しに際して長方形の基板Gの向きを変換するために用いられる。周辺装置76は、たとえばタイトラー(TITLER)や周辺露光装置(EE)等を第2の平流し搬送路64に接続している。   The interface station (I / F) 18 includes a transfer device 72 for exchanging the substrate G with the first and second flat flow transfer paths 34 and 64 and the adjacent exposure device 12. A rotary stage (R / S) 74 and a peripheral device 76 are arranged around the periphery. The rotary stage (R / S) 74 is a stage that rotates the substrate G in a horizontal plane, and is used to change the orientation of the rectangular substrate G when it is transferred to the exposure apparatus 12. The peripheral device 76 connects, for example, a titler (TITLER), a peripheral exposure device (EE), and the like to the second flat flow path 64.

図2に、この塗布現像処理システムにおける1枚の基板Gに対する全工程の処理手順を示す。先ず、カセットステーション(C/S)14において、搬送機構22が、ステージ20上のいずれか1つのカセットCから基板Gを1枚取り出し、その取り出した基板Gをプロセスステーション(P/S)16のプロセスラインA側の搬入ユニット(IN PASS)24に搬入する(ステップS1)。搬入ユニット(IN PASS)24から基板Gは第1の平流し搬送路34上に移載または投入される。   FIG. 2 shows a processing procedure of all steps for one substrate G in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 14, the transport mechanism 22 takes out one substrate G from any one of the cassettes C on the stage 20, and removes the taken substrate G in the process station (P / S) 16. It is carried into the carry-in unit (IN PASS) 24 on the process line A side (step S1). The substrate G is transferred or loaded onto the first flat flow path 34 from the carry-in unit (IN PASS) 24.

第1の平流し搬送路34に投入された基板Gは、最初に洗浄プロセス部26においてエキシマUV照射ユニット(E−UV)36およびスクラバ洗浄ユニット(SCR)38により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される(ステップS2,S3)。スクラバ洗浄ユニット(SCR)38は、平流し搬送路34上を水平に移動する基板Gに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Gを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット(SCR)38における一連の洗浄処理を終えると、基板Gはそのまま第1の平流し搬送路34を下って第1の熱的処理部28を通過する。   The substrate G put into the first flat transport path 34 is first subjected to an ultraviolet cleaning process and a scrubbing cleaning process by the excimer UV irradiation unit (E-UV) 36 and the scrubber cleaning unit (SCR) 38 in the cleaning process unit 26. Sequentially applied (steps S2, S3). The scrubber cleaning unit (SCR) 38 removes particulate dirt from the substrate surface by performing brushing cleaning and blow cleaning on the substrate G that moves horizontally on the flat flow path 34, and then rinses. Finally, the substrate G is dried using an air knife or the like. When a series of cleaning processes in the scrubber cleaning unit (SCR) 38 is completed, the substrate G passes through the first thermal processing section 28 as it is down the first flat flow path 34.

第1の熱的処理部28において、基板Gは、最初にアドヒージョンユニット(AD)40で蒸気状のHMDSを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される(ステップS4)。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Gは冷却ユニット(COL)42で所定の基板温度まで冷却される(ステップS5)。この後も、基板Gは第1の平流し搬送路34を下って塗布プロセス部30へ搬入される。   In the first thermal processing unit 28, the substrate G is first subjected to an adhesion process using vapor HMDS in the adhesion unit (AD) 40, and the surface to be processed is hydrophobized (step S4). After the completion of this adhesion process, the substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by the cooling unit (COL) 42 (step S5). Thereafter, the substrate G is carried into the coating process unit 30 along the first flat flow path 34.

塗布プロセス部30において、基板Gは最初にレジスト塗布ユニット(COT)44で平流しのままスリットノズルを用いるスピンレス法により基板上面(被処理面)にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット(VD)46で減圧による常温の乾燥処理を受ける(ステップS6)。   In the coating process section 30, the substrate G is first coated with a resist solution on the upper surface (surface to be processed) by a spinless method using a slit nozzle while being flown flat in a resist coating unit (COT) 44, and immediately after that, adjacent to the downstream side. A vacuum drying unit (VD) 46 receives a drying process at room temperature by a reduced pressure (step S6).

塗布プロセス部30を出た基板Gは、第1の平流し搬送路34を下って第2の熱的処理部32を通過する。第2の熱的処理部32において、基板Gは、最初にプリベークユニット(PRE−BAKE)48でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける(ステップS7)。このプリベーキングによって、基板G上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)50で所定の基板温度まで冷却される(ステップS8)。しかる後、基板Gは、第1の平流し搬送路34の終点のパスユニット(PASS)52からインタフェースステーション(I/F)18の搬送装置72に引き取られる。   The substrate G that has left the coating process unit 30 passes through the second thermal processing unit 32 through the first flat flow path 34. In the second thermal processing section 32, the substrate G is first pre-baked by the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 as a heat treatment after resist coating or a heat treatment before exposure (step S7). By this pre-baking, the solvent remaining in the resist film on the substrate G is evaporated and removed, and the adhesion of the resist film to the substrate is enhanced. Next, the substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by the cooling unit (COL) 50 (step S8). Thereafter, the substrate G is taken from the pass unit (PASS) 52 at the end point of the first flat flow transport path 34 to the transport device 72 of the interface station (I / F) 18.

インタフェースステーション(I/F)18において、基板Gは、ロータリステージ74でたとえば90度の方向変換を受けてから周辺装置76の周辺露光装置(EE)に搬入され、そこで基板Gの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置12へ送られる(ステップS9)。   In the interface station (I / F) 18, the substrate G is subjected to, for example, a 90-degree direction change by the rotary stage 74 and then carried into the peripheral exposure device (EE) of the peripheral device 76, where it adheres to the peripheral portion of the substrate G. After receiving the exposure for removing the resist to be developed, the resist is sent to the adjacent exposure apparatus 12 (step S9).

露光装置12では基板G上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Gは、露光装置12からインタフェースステーション(I/F)18に戻されると(ステップS9)、先ず周辺装置76のタイトラー(TITLER)に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される(ステップS10)。しかる後、基板Gは、搬送装置72よりプロセスステーション(P/S)16のプロセスラインB側に敷設されている第2の平流し搬送路64の現像ユニット(DEV)54の始点に搬入される。   In the exposure apparatus 12, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. Then, when the substrate G that has undergone pattern exposure is returned from the exposure apparatus 12 to the interface station (I / F) 18 (step S9), it is first carried into a titler (TITLER) of the peripheral device 76, where there is a predetermined on the substrate. Predetermined information is written in the part (step S10). Thereafter, the substrate G is carried from the transfer device 72 to the starting point of the developing unit (DEV) 54 of the second flat flow transfer path 64 laid on the process line B side of the process station (P / S) 16. .

こうして、基板Gは、今度は第2の平流し搬送路64上をプロセスラインBの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット(DEV)54において、基板Gは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される(ステップS11)。   In this way, the substrate G is transferred on the second flat flow transfer path 64 toward the downstream side of the process line B. In the first development unit (DEV) 54, the substrate G is subjected to a series of development processes of development, rinsing, and drying while being conveyed in a flat flow (step S11).

現像ユニット(DEV)54で一連の現像処理を終えた基板Gは、そのまま第2の平流し搬送路64に乗せられたまま第3の熱的処理部66および検査ユニット(AP)60を順次通過する。第3の熱的処理部66において、基板Gは、最初にポストベークユニット(POST−BAKE)56で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける(ステップS12)。このポストベーキングによって、基板G上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)58で所定の基板温度に冷却される(ステップS13)。検査ユニット(AP)60では、基板G上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる(ステップS14)。   The substrate G that has undergone a series of development processes in the development unit (DEV) 54 is sequentially passed through the third thermal processing unit 66 and the inspection unit (AP) 60 while being put on the second flat flow path 64 as it is. To do. In the third thermal processing section 66, the substrate G is first subjected to post-baking as post-development heat treatment in the post-bake unit (POST-BAKE) 56 (step S12). By this post-baking, the developing solution and the cleaning solution remaining in the resist film on the substrate G are removed by evaporation, and the adhesion of the resist pattern to the substrate is enhanced. Next, the substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by the cooling unit (COL) 58 (step S13). In the inspection unit (AP) 60, non-contact line width inspection, film quality / film thickness inspection, and the like are performed on the resist pattern on the substrate G (step S14).

搬出ユニット(OUT PASS)62は、第2の平流し搬送路64から全工程の処理を終えてきた基板Gを受け取って、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22へ渡す。カセットステーション(C/S)14側では、搬送機構22が、搬出ユニット(OUT PASS)62から受け取った処理済の基板Gをいずれか1つ(通常は元)のカセットCに収容する(ステップS1)。   The carry-out unit (OUT PASS) 62 receives the substrate G that has been processed in all steps from the second flat-carrying conveyance path 64 and transfers it to the conveyance mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14. On the cassette station (C / S) 14 side, the transfer mechanism 22 stores the processed substrate G received from the carry-out unit (OUT PASS) 62 in any one (usually the original) cassette C (step S1). ).

この塗布現像処理システム10においては、塗布プロセス部30内の減圧乾燥ユニット(VD)46に本発明を適用することができる。以下、図3〜図9につき、本発明の好適な実施形態における塗布プロセス部30内の減圧乾燥ユニット(VD)46の構成および作用を詳細に説明する。   In this coating and developing treatment system 10, the present invention can be applied to a vacuum drying unit (VD) 46 in the coating process unit 30. Hereinafter, the configuration and operation of the vacuum drying unit (VD) 46 in the coating process unit 30 according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.

図3は、この実施形態における塗布プロセス部30の全体構成を示す平面図である。図4〜図8は減圧乾燥ユニット(VD)46の構成を示し、図4はその平面図、図5および図6はその一部断面側面図、図7および図8はその一部断面背面図である。図9は、減圧乾燥ユニット(VD)46に設けられるステージ内部の構造を示す拡大断面図である。   FIG. 3 is a plan view showing the overall configuration of the coating process unit 30 in this embodiment. 4 to 8 show the configuration of the vacuum drying unit (VD) 46, FIG. 4 is a plan view thereof, FIGS. 5 and 6 are partially sectional side views, and FIGS. 7 and 8 are partially sectional rear views. It is. FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view showing the internal structure of the stage provided in the vacuum drying unit (VD) 46.

図3において、レジスト塗布ユニット(COT)44は、第1の平流し搬送路34(図1)の一部または一区間を構成する浮上式のステージ80と、このステージ80上で空中に浮いている基板Gをステージ長手方向(X方向)に搬送する基板搬送機構82と、ステージ80上を搬送される基板Gの上面にレジスト液を供給するレジストノズル84と、塗布処理の合間にレジストノズル84をリフレッシュするノズルリフレッシュ部86とを有している。   In FIG. 3, the resist coating unit (COT) 44 floats in the air on the floating stage 80 that constitutes a part or one section of the first flat flow path 34 (FIG. 1). A substrate transport mechanism 82 for transporting the substrate G in the longitudinal direction of the stage (X direction), a resist nozzle 84 for supplying a resist solution to the upper surface of the substrate G transported on the stage 80, and a resist nozzle 84 between the coating processes. And a nozzle refresh unit 86 for refreshing.

ステージ80の上面には所定のガス(たとえばエア)を上方に噴射する多数のガス噴射孔88が設けられており、それらのガス噴射孔88から噴射されるガスの圧力によって基板Gがステージ上面から一定の高さに浮上するように構成されている。   A large number of gas injection holes 88 for injecting a predetermined gas (for example, air) upward are provided on the upper surface of the stage 80, and the substrate G is removed from the upper surface of the stage by the pressure of the gas injected from the gas injection holes 88. It is configured to rise to a certain height.

基板搬送機構82は、ステージ80を挟んでX方向に延びる一対のガイドレール90A,90Bと、これらのガイドレール90A,90Bに沿って往復移動可能なスライダ92と、ステージ80上で基板Gの両側端部を着脱可能に保持するようにスライダ92に設けられた吸着パッド等の基板保持部材(図示せず)とを備えており、直進移動機構(図示せず)によりスライダ92を搬送方向(X方向)に移動させることによって、ステージ80上で基板Gの浮上搬送を行うように構成されている。   The substrate transport mechanism 82 includes a pair of guide rails 90A and 90B extending in the X direction across the stage 80, a slider 92 that can reciprocate along the guide rails 90A and 90B, and both sides of the substrate G on the stage 80. And a substrate holding member (not shown) such as a suction pad provided on the slider 92 so as to detachably hold the end, and the slider 92 is moved in the transport direction (X) by a linear movement mechanism (not shown). The substrate G is floated and conveyed on the stage 80 by being moved in the direction).

レジストノズル84は、ステージ80の上方を搬送方向(X方向)と直交する水平方向(Y方向)に横断して延びる長尺形ノズルであり、所定の塗布位置でその直下を通過する基板Gの上面に対してスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出するようになっている。また、レジストノズル84は、このノズルを支持するノズル支持部材94と一体にX方向に移動可能、かつZ方向に昇降可能に構成されており、上記塗布位置とノズルリフレッシュ部86との間で移動できるようになっている。   The resist nozzle 84 is an elongate nozzle extending across the stage 80 in a horizontal direction (Y direction) orthogonal to the transport direction (X direction), and the resist nozzle 84 of the substrate G that passes directly below the predetermined application position. The resist solution is discharged in a strip shape from the slit-shaped discharge port with respect to the upper surface. Further, the resist nozzle 84 is configured to be movable in the X direction integrally with the nozzle support member 94 that supports the nozzle, and is movable up and down in the Z direction, and moves between the application position and the nozzle refreshing portion 86. It can be done.

ノズルリフレッシュ部86は、ステージ80の上方の所定位置で支柱部材96に保持されており、塗布処理のための下準備としてレジストノズル84にレジスト液を吐出させるためのプライミング処理部98と、レジストノズル84のレジスト吐出口を乾燥防止の目的から溶剤蒸気の雰囲気中に保つためのノズルバス100と、レジストノズル84のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構102とを備えている。   The nozzle refresh unit 86 is held by the support member 96 at a predetermined position above the stage 80, and as a preparation for the coating process, a priming processing unit 98 for causing the resist nozzle 84 to discharge a resist solution, and a resist nozzle A nozzle bath 100 for keeping the resist discharge port 84 in a solvent vapor atmosphere for the purpose of preventing drying and a nozzle cleaning mechanism 102 for removing the resist adhering to the vicinity of the resist discharge port of the resist nozzle 84 are provided. .

ここで、レジスト塗布ユニット(COT)44における主な作用を説明する。 先ず、前段の第1の熱的処理部28(図1)よりたとえばコロ搬送で送られてきた基板Gがステージ80上の前端側に設定された搬入部に搬入され、そこで待機していたスライダ92が基板Gを保持して受け取る。ステージ80上で基板Gはガス噴射口88より噴射されるガス(エア)の圧力を受けて略水平な姿勢で浮上状態を保つ。   Here, main actions in the resist coating unit (COT) 44 will be described. First, the substrate G sent by, for example, roller conveyance from the first thermal processing unit 28 (FIG. 1) in the previous stage is carried into a carry-in unit set on the front end side on the stage 80, and is in a standby state there. 92 holds and receives the substrate G. On the stage 80, the substrate G receives the pressure of the gas (air) injected from the gas injection port 88 and keeps the floating state in a substantially horizontal posture.

そして、スライダ92が基板を保持しながら減圧乾燥ユニット(VD)46側に向かって搬送方向(X方向)に移動し、基板Gがレジストノズル84の下を通過する際に、レジストノズル84が基板Gの上面に向けてレジスト液を帯状に吐出することにより、基板G上に基板前端から後端に向って絨毯が敷かれるようにしてレジスト液の液膜が一面に形成される。こうしてレジスト液を塗布された基板Gは、その後もスライダ92によりステージ80上で浮上搬送され、ステージ80の後端を越えて後述するコロ搬送路104に乗り移り、そこでスライダ92による保持が解除される。コロ搬送路104に乗り移った基板Gはそこから先は、後述するようにコロ搬送路104上をコロ搬送で移動して後段の減圧乾燥ユニット(VD)46へ搬入される。   The slider 92 moves in the transport direction (X direction) toward the reduced-pressure drying unit (VD) 46 while holding the substrate, and when the substrate G passes under the resist nozzle 84, the resist nozzle 84 is moved to the substrate. By discharging the resist solution in a strip shape toward the upper surface of G, a liquid film of the resist solution is formed on one surface so that a carpet is laid on the substrate G from the front end to the rear end of the substrate. The substrate G thus coated with the resist solution is then levitated and conveyed on the stage 80 by the slider 92, passes over the rear end of the stage 80, and moves onto a roller conveyance path 104 described later, where the holding by the slider 92 is released. . The substrate G transferred to the roller transport path 104 is then transported on the roller transport path 104 by roller transport, as will be described later, and is carried into the subsequent vacuum drying unit (VD) 46.

塗布処理の済んだ基板Gを上記のようにして減圧乾燥ユニット(VD)46側へ送り出した後、スライダ92は次の基板Gを受け取るためにステージ80の前端側の搬入部へ戻る。また、レジストノズル84は、1回または複数回の塗布処理を終えると、塗布位置(レジスト液吐出位置)からノズルリフレッシュ部86へ移動してそこでノズル洗浄やプライミング処理等のリフレッシュないし下準備をしてから、塗布位置に戻る。   After the coated substrate G is sent to the reduced pressure drying unit (VD) 46 side as described above, the slider 92 returns to the carry-in portion on the front end side of the stage 80 in order to receive the next substrate G. The resist nozzle 84 moves from the coating position (resist liquid discharge position) to the nozzle refresh unit 86 after completing one or a plurality of coating processes, and performs refreshing or preparatory processing such as nozzle cleaning and priming. Then return to the application position.

図3に示すように、レジスト塗布ユニット(COT)44のステージ80の延長線上(下流側)には、第1の平流し搬送路34(図1)の一部または一区間を構成するコロ搬送路104が敷設されている。このコロ搬送路104は、減圧乾燥ユニット(VD)46のチャンバ106の中まで続いている。   As shown in FIG. 3, on the extended line (downstream side) of the stage 80 of the resist coating unit (COT) 44, the roller transport that constitutes a part or one section of the first flat flow transport path 34 (FIG. 1). A road 104 is laid. The roller conveyance path 104 continues into the chamber 106 of the vacuum drying unit (VD) 46.

減圧乾燥ユニット(VD)46回りには、レジスト塗布ユニット(COT)44からチャンバ106の中まで延びる上記搬入側のコロ搬送路104に加えて、チャンバ106の内部に浮上式のローラ搬送路108が敷設されるとともに、チャンバ106の中から後段の処理部(第2の熱的処理部32)まで搬出側のコロ搬送路110が敷設されている。   Around the vacuum drying unit (VD) 46, a floating roller conveyance path 108 is provided inside the chamber 106 in addition to the above-described roller conveyance path 104 extending from the resist coating unit (COT) 44 into the chamber 106. In addition to the laying, a roller conveyance path 110 on the carry-out side is laid from the inside of the chamber 106 to the subsequent processing unit (second thermal processing unit 32).

搬入側コロ搬送路104は、レジスト塗布ユニット(COT)44のステージ80から浮上搬送の延長で搬出された基板Gを受け取って減圧乾燥ユニット(VD)46のチャンバ106へコロ搬送で送り込むように構成されている。浮上式ローラ搬送路108は、搬入側コロ搬送路104からコロ搬送で送られてくる基板Gを同速度の浮上式ローラ搬送でチャンバ106内に引き込むとともに、チャンバ106内で減圧乾燥処理の済んだ基板Gをチャンバ106の外(後段)へ浮上式ローラ搬送で送り出すように構成されている。搬出側コロ搬送路110は、浮上式ローラ搬送路108より浮上式ローラ搬送で送り出される処理済の基板Gを同速度のコロ搬送でチャンバ106の外へ引き出して後段の第2の熱的処理部32へ送るように構成されている。   The carry-in side roller conveyance path 104 is configured to receive the substrate G carried out from the stage 80 of the resist coating unit (COT) 44 as an extension of the floating conveyance and send it to the chamber 106 of the vacuum drying unit (VD) 46 by roller conveyance. Has been. The floating roller conveyance path 108 draws the substrate G sent by the roller conveyance from the carry-in side roller conveyance path 104 into the chamber 106 by the floating roller conveyance at the same speed, and the vacuum drying process has been completed in the chamber 106. The substrate G is configured to be sent out of the chamber 106 (back stage) by floating roller conveyance. The carry-out side roller conveyance path 110 draws out the processed substrate G sent out by the floating roller conveyance path 108 from the floating roller conveyance path 108 to the outside of the chamber 106 by roller conveyance at the same speed, and the second thermal processing section at the subsequent stage. 32.

図3〜図8に示すように、減圧乾燥ユニット(VD)46のチャンバ106は、比較的扁平な直方体に形成され、その中に基板Gを水平に収容できる空間を有している。このチャンバ106の搬送方向(X方向)において互いに向き合う一対(上流側および下流側)のチャンバ側壁には、基板Gが平流しでようやく通れるほどの大きさに形成されたスリット状の搬入口112および搬出口114がそれぞれ設けられている。さらに、これらの搬入口112および搬出口114を開閉するためのゲート機構116,118がチャンバ106の外壁に取り付けられている。チャンバ106の上面部または上蓋120は、メンテナンス用に取り外し可能になっている。   As shown in FIGS. 3 to 8, the chamber 106 of the vacuum drying unit (VD) 46 is formed in a relatively flat rectangular parallelepiped and has a space in which the substrate G can be accommodated horizontally. A pair of (upstream and downstream) chamber sidewalls facing each other in the transport direction (X direction) of the chamber 106 is provided with a slit-shaped carry-in port 112 formed so as to finally pass through the substrate G in a flat flow. A carry-out port 114 is provided. Further, gate mechanisms 116 and 118 for opening and closing the carry-in port 112 and the carry-out port 114 are attached to the outer wall of the chamber 106. The upper surface portion or the upper lid 120 of the chamber 106 is removable for maintenance.

各ゲート機構116,118は、図示省略するが、スリット状の搬入出口(112,114)を気密に閉塞できる蓋体(弁体)と、この蓋体を搬入出口(112,114)と水平に対向する鉛直往動位置とそれより低い鉛直復動位置との間で昇降移動させる第1のエアシリンダと、蓋体を搬入出口(112,114)に対して気密に密着する水平往動位置と離間または分離する水平復動位置との間で水平移動させる第2のエアシリンダとを備えている。   Although not shown in the drawings, each gate mechanism 116, 118 has a lid (valve body) capable of hermetically closing the slit-shaped loading / unloading port (112, 114), and the lid body horizontally with the loading / unloading port (112, 114). A first air cylinder that moves up and down between an opposed vertical forward movement position and a lower vertical backward movement position; and a horizontal forward movement position that tightly and tightly closes the lid to the loading / unloading port (112, 114) And a second air cylinder that horizontally moves between the separated and separated horizontal return positions.

浮上式ローラ搬送路108は、チャンバ106内の中心部に水平かつ昇降可能に配置された扁平・矩形のステージ122と、搬入口112から搬出口114に向かう基板搬送方向(X方向)を前方としてステージ122の左右両側に配置されたローラ搬送路124L,124Rとで構成されている。   The floating roller conveyance path 108 has a flat / rectangular stage 122 horizontally and vertically movable at the center in the chamber 106 and a substrate conveyance direction (X direction) from the carry-in port 112 to the carry-out port 114 as the front. It is composed of roller conveyance paths 124L and 124R arranged on the left and right sides of the stage 122.

図4に示すように、ステージ122の上面には一様な密度で多数または無数のガス噴出孔126が形成されている。この減圧乾燥ユニット(VD)46で基板Gの搬入出が行われる際には、ステージ122の上で基板Gを浮かすために各ガス噴出孔126より適当な圧力でガス(たとえばエア)が噴き出すようになっている。ステージ122の上面は、基板Gと同形の矩形で、基板Gよりは小さく、基板Gの製品領域よりも大きなサイズを有している。一般に、LCD用のガラス基板においては、基板上面(被処理面)の周縁部に所定幅(たとえば20〜30mm幅)のマージン領域が設定され、マージン領域よりも内側の有効領域つまり製品領域にLCDデバイスが形成される。製品領域がレジスト膜の品質を保証しなければならない保証領域である。通常は、ステージ122の上面に基板Gをセンタリングして載置したときに基板Gの各辺がステージ122の各辺よりも15mm〜20mmだけ外にはみ出るように、ステージ122の上面サイズを選定してよい。   As shown in FIG. 4, a large number or an infinite number of gas ejection holes 126 are formed on the upper surface of the stage 122 with a uniform density. When the substrate G is carried in and out by the reduced pressure drying unit (VD) 46, gas (for example, air) is ejected from each gas ejection hole 126 at an appropriate pressure in order to float the substrate G on the stage 122. It has become. The upper surface of the stage 122 is a rectangle having the same shape as the substrate G, is smaller than the substrate G, and has a size larger than the product area of the substrate G. In general, in a glass substrate for LCD, a margin region having a predetermined width (for example, 20 to 30 mm width) is set at the peripheral portion of the upper surface (surface to be processed) of the LCD, and an LCD is formed in an effective region, that is, a product region inside the margin region. A device is formed. The product area is a guaranteed area where the quality of the resist film must be guaranteed. Usually, when the substrate G is centered and placed on the upper surface of the stage 122, the upper surface size of the stage 122 is selected so that each side of the substrate G protrudes by 15 mm to 20 mm from each side of the stage 122. You can.

ステージ122の中には、図9に示すように、空洞のガスバッファ室128が設けられている。このガスバッファ室128は、ステージ上面のガス噴出孔126に連通するとともに、ステージ下面の配管130に連通している。ガス噴出孔126は、後述するようにレジスト膜への熱的影響のばらつきや転写跡の発生を確実に防ぐうえで細孔ないし微細孔が好ましい。図示の構成例は、ステージ122の上面板122aの下面にざぐり穴127を形成し、このざぐり穴127の肉薄な天井面の中心に細径ないし微細径(好ましくはφ0.3mm以下)のガス噴出孔126を穿孔している。ガスバッファ室128内には、上面板122aのたわみを防止するための柱132が適所に設けられている。配管130は、チャンバ106の外から引き込まれており、ステージ122の昇降に合わせて一緒に昇降または伸縮するようになっている。配管130を通すためにチャンバ106の底壁に形成された穴はシール部材131によって封止されている。   A hollow gas buffer chamber 128 is provided in the stage 122 as shown in FIG. The gas buffer chamber 128 communicates with a gas ejection hole 126 on the upper surface of the stage and also communicates with a pipe 130 on the lower surface of the stage. As will be described later, the gas ejection holes 126 are preferably pores or micropores in order to surely prevent variations in thermal effects on the resist film and generation of transfer marks. In the illustrated configuration example, a counterbore 127 is formed in the lower surface of the upper surface plate 122a of the stage 122, and a gas jet of a small diameter or a fine diameter (preferably φ0.3 mm or less) is formed at the center of the thin ceiling surface of the counterbore 127. Hole 126 is drilled. In the gas buffer chamber 128, pillars 132 for preventing the upper surface plate 122a from being bent are provided at appropriate positions. The pipe 130 is drawn from the outside of the chamber 106, and is configured to move up and down or expand and contract together as the stage 122 moves up and down. A hole formed in the bottom wall of the chamber 106 for passing the pipe 130 is sealed with a seal member 131.

チャンバ106の外で配管130は、ガス供給管134を介して浮上用ガス供給部136に通じるとともに、排気管138を介して真空排気装置140にも通じている。ガス供給管134および排気管138には開閉弁(電磁弁)142,144がそれぞれ設けられている。浮上用ガス供給部136は、コンプレッサまたは工場用力の圧縮空気源およびレギュレータ等からなり、所定圧力の圧縮空気を送出する。真空排気装置140は、真空ポンプを有しており、排気管138を通じて、配管130およびステージ122内のガスバッファ室128を大気圧状態から真空引きして所定真空度の減圧状態にする機能を有している。   Outside the chamber 106, the pipe 130 communicates with the levitation gas supply unit 136 through the gas supply pipe 134 and also communicates with the vacuum exhaust apparatus 140 through the exhaust pipe 138. The gas supply pipe 134 and the exhaust pipe 138 are provided with on-off valves (electromagnetic valves) 142 and 144, respectively. The levitation gas supply unit 136 is composed of a compressor or a compressed air source having a factory force, a regulator, and the like, and sends out compressed air having a predetermined pressure. The vacuum exhaust device 140 has a vacuum pump, and has a function of evacuating the gas buffer chamber 128 in the pipe 130 and the stage 122 from the atmospheric pressure state through the exhaust pipe 138 to a reduced pressure state of a predetermined degree of vacuum. is doing.

ステージ122を昇降移動させるために、チャンバ106の下に所定の間隔を隔てて複数個のエアシリンダ146が昇降駆動源として配置され、チャンバ106の底壁を鉛直方向で昇降移動可能に貫通する支持軸148を介してステージ122にエアシリンダ146のピストンロッドが接続されている。各支持軸148を通すためにチャンバ106の底壁に形成された穴はガイド機能を有するシール部材150によって封止されている。   In order to move the stage 122 up and down, a plurality of air cylinders 146 are arranged as raising and lowering drive sources at a predetermined interval below the chamber 106, and support that penetrates the bottom wall of the chamber 106 so as to move up and down in the vertical direction. A piston rod of an air cylinder 146 is connected to the stage 122 via a shaft 148. A hole formed in the bottom wall of the chamber 106 for passing each support shaft 148 is sealed by a seal member 150 having a guide function.

図4に示すように、ステージ122の左右両側で基板搬送方向(X方向)に延びる一対のローラ搬送路124L,124Rは、それぞれ同方向に一定間隔で多数のサイドローラ152を一列に配置している。各サイドローラ152は円板体または円柱体からなり、その中心部からY方向外側に水平に延びるローラ支持軸154がその中間部で軸受156により回転可能に支持されるとともに、その先端部でマグネット式のかさ歯車158を介して共通駆動シャフト160に接続されている。右側ローラ搬送路124Rの駆動シャフト160は、チャンバ106の外に取り付けられた回転駆動源のモータ162に駆動プーリ164、タイミングベルト166および従動プーリ169を介して接続されている。左側ローラ搬送路124Lの駆動シャフト160は、チャンバ106内で搬入側コロ搬送路104および搬出側コロ搬送路110の一部をそれぞれ構成するコロ172,174を介して右側駆動シャフト160から回転駆動力を伝達されるようになっている。別の構成例として、左側ローラ搬送路124Lの駆動シャフト160を上記モータ162とは別の回転駆動源に接続する構成も可能である。   As shown in FIG. 4, the pair of roller conveyance paths 124L and 124R extending in the substrate conveyance direction (X direction) on both the left and right sides of the stage 122 has a large number of side rollers 152 arranged in a row at regular intervals in the same direction. Yes. Each side roller 152 is formed of a disk or a cylinder, and a roller support shaft 154 that extends horizontally from the center to the outside in the Y direction is rotatably supported by a bearing 156 at an intermediate portion thereof, and a magnet at the tip thereof. It is connected to a common drive shaft 160 via a bevel gear 158 of the formula. The drive shaft 160 of the right roller conveyance path 124R is connected to a rotary drive source motor 162 mounted outside the chamber 106 via a drive pulley 164, a timing belt 166, and a driven pulley 169. The drive shaft 160 of the left roller conveyance path 124L is rotated from the right drive shaft 160 via rollers 172 and 174 that respectively constitute part of the carry-in side roller conveyance path 104 and the carry-out side roller conveyance path 110 in the chamber 106. Is to be transmitted. As another configuration example, a configuration in which the drive shaft 160 of the left roller conveyance path 124L is connected to a rotation drive source different from the motor 162 is also possible.

図4および図7に示すように、ローラ搬送路124L,124Rの各サイドローラ152は、基板Gが搬入側コロ搬送路104からステージ106の上に送り込まれて来る際に、あるいは基板Gがステージ106の上から搬出側コロ搬送路110へ送り出される際に、ステージ106のY方向外側にはみ出た基板両側端部がサイドローラ152の上に載るようなZ方向およびY方向の位置に配置される。基板Gと接触するサイドローラ152の外周面にはすべり止めに有効なゴム製のOリング152aが装着されてよい(図7)。   As shown in FIGS. 4 and 7, the side rollers 152 of the roller transport paths 124L and 124R are used when the substrate G is fed onto the stage 106 from the carry-in side roller transport path 104, or when the substrate G is on the stage. When the substrate 106 is fed from above 106 to the carry-side roller conveyance path 110, it is arranged at positions in the Z direction and Y direction such that both side ends of the substrate that protrude outside the Y direction on the stage 106 are placed on the side rollers 152. . A rubber O-ring 152a effective for preventing slipping may be mounted on the outer peripheral surface of the side roller 152 in contact with the substrate G (FIG. 7).

チャンバ106の底壁には1箇所または複数個所に排気口163が形成されている。これらの排気口163には排気管165を介して真空排気装置140が接続されている。真空排気装置140は、排気管165を通じて、チャンバ106内を大気圧状態から真空引きして所定真空度の減圧状態にする機能を有している。排気管165には開閉弁(電磁弁)167が設けられている。   An exhaust port 163 is formed at one or a plurality of locations on the bottom wall of the chamber 106. A vacuum exhaust device 140 is connected to these exhaust ports 163 via an exhaust pipe 165. The vacuum exhaust device 140 has a function of evacuating the inside of the chamber 106 from the atmospheric pressure state through the exhaust pipe 165 to a reduced pressure state with a predetermined degree of vacuum. The exhaust pipe 165 is provided with an on-off valve (electromagnetic valve) 167.

チャンバ106内の両端部、つまり搬入口112および搬出口114の近くでコロ搬送路104,110よりも低い位置に、Y方向に延びる窒素ガス噴出管168が設けられている。これらの窒素ガス噴出管168は、たとえば金属粉末を焼結してなる多孔質の中空管からなり、ガス供給管170(図4)を介して窒素ガス供給源(図示せず)に接続されている。減圧乾燥処理の終了後にチャンバ106を密閉したまま減圧状態から大気圧状態に戻す際に、これらの窒素ガス噴出管168が全周面から窒素ガスを噴き出すようになっている。   Nitrogen gas ejection pipes 168 extending in the Y direction are provided at both ends in the chamber 106, that is, near the carry-in port 112 and the carry-out port 114 and lower than the roller transport paths 104 and 110. These nitrogen gas ejection pipes 168 are made of, for example, a porous hollow pipe formed by sintering metal powder, and are connected to a nitrogen gas supply source (not shown) via a gas supply pipe 170 (FIG. 4). ing. When returning from the reduced pressure state to the atmospheric pressure state with the chamber 106 sealed after completion of the reduced pressure drying process, these nitrogen gas ejection pipes 168 eject nitrogen gas from the entire circumferential surface.

搬入側コロ搬送路104を構成するコロ172は、搬入口112に対応した高さ位置で基板搬送方向(X方向)に適当な間隔を置いて一列に配置されている。その中で、チャンバ106の外に設けられているコロ172Aは専用の駆動モータに適当な伝動機構を介して接続されており、チャンバ106内のコロ172Bは上述したようにローラ搬送路124L,124Rのサイドローラ152と共通の駆動シャフト160を介して共通の駆動モータ162に接続されている。   The rollers 172 constituting the carry-in side roller conveyance path 104 are arranged in a row at an appropriate height in the substrate conveyance direction (X direction) at a height position corresponding to the carry-in port 112. Among them, the roller 172A provided outside the chamber 106 is connected to a dedicated drive motor via an appropriate transmission mechanism, and the roller 172B in the chamber 106 is connected to the roller conveyance paths 124L and 124R as described above. The side rollers 152 and the common drive shaft 160 are connected to a common drive motor 162.

搬出側コロ搬送路110を構成するコロ174も、搬出口114に対応した高さ位置で基板搬送方向(X方向)に適当な間隔を置いて一列に配置されている。その中で、チャンバ106の外に設けられているコロ174Aは専用の駆動モータに適当な伝動機構を介して接続されており、チャンバ106内のコロ174Bは上述したようにローラ搬送路124L,124Rのサイドローラ152と共通の駆動シャフト160を介して共通の駆動モータ162に接続されている。   The rollers 174 constituting the carry-out side roller conveyance path 110 are also arranged in a row at an appropriate height in the substrate conveyance direction (X direction) at a height position corresponding to the carry-out port 114. Among them, a roller 174A provided outside the chamber 106 is connected to a dedicated drive motor via an appropriate transmission mechanism, and the roller 174B in the chamber 106 is connected to the roller conveyance paths 124L and 124R as described above. The side rollers 152 and the common drive shaft 160 are connected to a common drive motor 162.

次に、この実施形態における減圧乾燥ユニット(VD)46の作用を説明する。   Next, the operation of the vacuum drying unit (VD) 46 in this embodiment will be described.

上記したように、上流側隣のレジスト塗布ユニット(COT)44でレジスト液を塗布された基板Gは、平流しでステージ80上の浮上搬送路から搬入側コロ搬送路104に乗り移る。その後、図5に示すように、基板Gは搬入側コロ搬送路104上をコロ搬送で移動し、やがて減圧乾燥ユニット(VD)46のチャンバ106の中にその搬入口112から進入する。この時、ゲート機構116は搬入口112を開けておく。   As described above, the substrate G on which the resist solution is applied by the resist application unit (COT) 44 adjacent to the upstream side moves from the floating conveyance path on the stage 80 to the carry-in side roller conveyance path 104 in a flat flow. After that, as shown in FIG. 5, the substrate G moves on the carry-in side roller conveyance path 104 by roller conveyance, and eventually enters the chamber 106 of the vacuum drying unit (VD) 46 from its carry-in port 112. At this time, the gate mechanism 116 keeps the carry-in entrance 112 open.

チャンバ106内の浮上式ローラ搬送路108も、搬入側コロ搬送路104のコロ搬送動作とタイミングの合った同一搬送速度の浮上式ローラ搬送動作を行う。このために、開閉弁144をオフ、開閉弁142をオンにして、ガス浮上用ガス供給部136よりガス供給管134および配管130を介してステージ122内のガスバッファ室128に圧縮空気を送り込み、ステージ上面のガス噴出孔126より所定の圧力でエアを噴出させる。また、モータ162をオンにして、左側および右側ローラ搬送路124L,124Rの全てのサイドローラ152を一定の回転速度で回転させる。これにより、図5および図7に示すように、搬入口112から入ってきた基板Gは、ステージ122上ではガス噴出孔126から受ける空気の圧力で浮いて、ステージ122から左右外側にはみ出る基板両側端部が左側および右側ローラ搬送路124L,124Rのサイドローラ152の上にそれぞれ乗り、サイドローラ152の回転により基板搬送方向(X方向)へ平流しで搬送される。   The floating roller conveyance path 108 in the chamber 106 also performs a floating roller conveyance operation at the same conveyance speed as the roller conveyance operation of the carry-in side roller conveyance path 104. For this purpose, the on-off valve 144 is turned off and the on-off valve 142 is turned on, and compressed air is sent from the gas levitation gas supply unit 136 to the gas buffer chamber 128 in the stage 122 through the gas supply pipe 134 and the pipe 130. Air is ejected from the gas ejection hole 126 on the upper surface of the stage at a predetermined pressure. Further, the motor 162 is turned on to rotate all the side rollers 152 in the left and right roller conveyance paths 124L and 124R at a constant rotational speed. As a result, as shown in FIGS. 5 and 7, the substrate G that has entered from the carry-in port 112 floats on the stage 122 due to the pressure of the air received from the gas ejection holes 126, and both sides of the substrate that protrude from the stage 122 to the left and right sides. End portions ride on the side rollers 152 of the left and right roller conveyance paths 124L and 124R, respectively, and are conveyed in a flat flow in the substrate conveyance direction (X direction) by the rotation of the side rollers 152.

なお、上記のように前段または上流側隣のレジスト塗布ユニット(COT)44から減圧乾燥処理を受けるべき基板Gがチャンバ106に搬入される時、これと同時(または直前)に、図5に示すように、チャンバ106内で減圧乾燥処理を受けたばかりの先行基板Gが浮上式ローラ搬送路108および搬出側コロ搬送路110上の連続した等速度の平流し搬送によって搬出口114からチャンバ106の外に出てそのまま後段または下流側隣の第2の熱的処理部32(図1)へ送られる。基板Gは搬入出時にステージ122の上面(細径で密なガス噴出孔126)から浮上用の空気流を略均一な圧力で受けるため、基板G上のレジスト膜がステージ122側から受ける熱的影響のばらつきは小さく、実質的に無視できる。   As described above, when the substrate G to be subjected to the reduced pressure drying process from the preceding or upstream adjacent resist coating unit (COT) 44 is loaded into the chamber 106, simultaneously (or immediately before), the substrate G is shown in FIG. As described above, the preceding substrate G just subjected to the vacuum drying treatment in the chamber 106 is moved from the carry-out outlet 114 to the outside of the chamber 106 by the continuous constant-velocity conveyance on the floating roller conveyance path 108 and the carry-out side roller conveyance path 110. To the second thermal processing section 32 (FIG. 1) adjacent to the latter stage or downstream side. Since the substrate G receives a floating air flow from the upper surface of the stage 122 (thin and dense gas ejection holes 126) at a substantially uniform pressure during loading and unloading, the resist film on the substrate G is subjected to thermal reception from the stage 122 side. The variation in influence is small and can be substantially ignored.

上記のようにして、レジスト塗布ユニット(COT)44でレジスト液を塗布されてきた基板Gが、搬入側コロ搬送路110および浮上式ローラ搬送路108上の連続的な平流し搬送によって減圧乾燥ユニット(VD)46のチャンバ106に搬入される。この直後に、ゲート機構116,118が作動して、それまで開けていた搬入口112および搬出口114をそれぞれ閉塞し、チャンバ106を密閉する。   As described above, the substrate G on which the resist solution has been applied by the resist coating unit (COT) 44 is continuously dried and conveyed on the carry-in side roller conveyance path 110 and the floating roller conveyance path 108 to reduce the pressure in the drying unit. (VD) It is carried into the chamber 106 of 46. Immediately after this, the gate mechanisms 116 and 118 are operated to close the carry-in port 112 and the carry-out port 114 that have been opened so far, and the chamber 106 is sealed.

次いで、浮上用ガス供給管134の開閉弁142をオフにしてステージ122の上面(ガス噴出孔126)におけるエアの噴出を停止するとともに、昇降シリンダ146を往動させて、基板Gの裏面または下面がローラ搬送路124L,124Rのサイドローラ152から上方に離間し、かつ基板Gの上面とチャンバ108の天井面との距離間隔(ギャップ)Dが設定値になる高さ位置までステージ122を所定のストロークだけ上昇させる。なお、上記ギャップDは、基板Gの上を流れるガスの流速ひいてはレジスト膜の乾燥速度に影響するファクタまたはパラメータである。   Next, the on-off valve 142 of the levitation gas supply pipe 134 is turned off to stop the ejection of air from the upper surface (gas ejection hole 126) of the stage 122, and the elevating cylinder 146 is moved forward to move the rear surface or lower surface of the substrate G. Is moved upward from the side rollers 152 of the roller transport paths 124L and 124R, and the stage 122 is moved to a height position where the distance distance (gap) D between the upper surface of the substrate G and the ceiling surface of the chamber 108 becomes a predetermined value. Increase stroke only. The gap D is a factor or parameter that affects the flow rate of the gas flowing over the substrate G and thus the drying speed of the resist film.

上記のようなステージ122の上昇移動に連動させて、排気管138,164の開閉弁144,167をオンにして、浮上ガスライン(130,128)およびチャンバ108内空間を真空排気装置140に接続する。開閉弁144,167をオンにするタイミングは同時でもよいが、通常は浮上ガスライン(130,128)側の開閉弁144のオンを早くするのが好ましい。こうして、基板Gは往動(上昇)高さ位置でステージ122の上面に基板裏面が直に接触した状態で載置され、チャンバ106内の空間はもちろん浮上ガスライン(130,128)の中も真空排気される。   In conjunction with the upward movement of the stage 122 as described above, the on-off valves 144 and 167 of the exhaust pipes 138 and 164 are turned on to connect the floating gas lines (130 and 128) and the space in the chamber 108 to the vacuum exhaust device 140. To do. The timing for turning on the on-off valves 144 and 167 may be simultaneous, but it is usually preferable to turn on the on-off valve 144 on the floating gas line (130, 128) side earlier. Thus, the substrate G is placed in the forward (upward) height position with the back surface of the substrate 122 in direct contact with the upper surface of the stage 122, and not only in the space in the chamber 106 but also in the floating gas lines (130, 128). It is evacuated.

上記のようにチャンバ106内で基板Gが減圧雰囲気の中に置かれることで、基板G上のレジスト液膜から溶剤(シンナー)が常温下で効率よく蒸発して、適度に乾燥したレジスト膜になる。この減圧乾燥処理中は、基板Gの製品領域全面にステージ122の平坦な上面が接触しているので、基板製品領域内の温度分布が略均一となり、基板Gの製品領域内に転写跡が発生するおそれはない。なお、ステージ122の上面に設けられているガス噴出孔126は細孔ないし微細孔であり、しかも一様な密度で一面に分布しているので、基板製品領域内の温度分布に影響を与えることはない。   By placing the substrate G in the reduced-pressure atmosphere in the chamber 106 as described above, the solvent (thinner) efficiently evaporates from the resist liquid film on the substrate G at room temperature to form a moderately dried resist film. Become. During this reduced-pressure drying process, the flat upper surface of the stage 122 is in contact with the entire product area of the substrate G, so that the temperature distribution in the substrate product area becomes substantially uniform, and transfer marks are generated in the product area of the substrate G. There is no risk. The gas ejection holes 126 provided on the upper surface of the stage 122 are fine holes or fine holes, and are distributed over the entire surface with a uniform density, which affects the temperature distribution in the substrate product region. There is no.

上記の減圧乾燥処理は一定時間を経過すると、あるいはチャンバ106内の圧力が設定値に達するとそこで終了し、真空排気装置140の排気動作を停止させ、排気管138,165の開閉弁144,167をオフにする。これと入れ代わりに、窒素ガス噴出管168よりチャンバ106内に窒素ガスを流し込む。そして、室内の圧力が大気圧まで上がってから、ゲート機構116,118を作動(復動)させて搬入口112および搬出口114を開ける。これと前後して、浮上ガス供給管134の開閉弁144をオンにして、ガス浮上用ガス供給部136よりガス供給管134および配管130を介してステージ122内のガスバッファ室128に圧縮空気を送り込み、ステージ上面のガス噴出孔126より所定の圧力でエアを噴出させる。一方、昇降シリンダ146を復動させて、ステージ122上で浮上する基板Gの裏面または下面がローラ搬送路124L,124Rのサイドローラ152に乗る高さ位置までステージ122を所定のストロークだけ下降させる。   The above-described decompression drying process ends when a certain time elapses or when the pressure in the chamber 106 reaches a set value, stops the evacuation operation of the vacuum evacuation device 140, and the open / close valves 144, 167 of the exhaust pipes 138, 165. Turn off. Instead, nitrogen gas is flowed into the chamber 106 through the nitrogen gas ejection pipe 168. Then, after the indoor pressure rises to atmospheric pressure, the gate mechanisms 116 and 118 are operated (returned) to open the carry-in port 112 and the carry-out port 114. Before and after this, the on-off valve 144 of the levitation gas supply pipe 134 is turned on, and compressed air is supplied from the gas levitation gas supply section 136 to the gas buffer chamber 128 in the stage 122 via the gas supply pipe 134 and the pipe 130. Then, air is ejected from the gas ejection hole 126 on the upper surface of the stage at a predetermined pressure. On the other hand, the lifting cylinder 146 is moved backward to lower the stage 122 by a predetermined stroke to a height position at which the back surface or bottom surface of the substrate G that floats on the stage 122 rides on the side rollers 152 of the roller transport paths 124L and 124R.

この直後に、浮上式ローラ搬送路108および搬出側コロ搬送路110上で同一速度の平流し搬送動作が開始され、減圧処理を受けたばかりの当該基板Gは搬出口114から浮上式ローラ搬送およびコロ搬送によって搬出され、そのまま後段の第2の熱的処理部32(図1)へ平流しで送られる。この処理済基板Gの搬出動作と同時に、図5に示すように、レジスト塗布ユニット(COT)44からの後続の基板Gが、搬入側コロ搬送路104および浮上式ローラ搬送路108上の連続的な平流し搬送によって搬入口112からチャンバ106内に搬入されてよい。   Immediately after this, a flat-flow conveying operation at the same speed is started on the floating roller conveyance path 108 and the unloading side roller conveyance path 110, and the substrate G just subjected to the decompression process is transferred from the carry-out port 114 to the floating roller conveyance and the roller. It is carried out by conveyance and sent as it is to the second thermal processing section 32 (FIG. 1) at the subsequent stage as it is. Simultaneously with the carry-out operation of the processed substrate G, as shown in FIG. 5, the subsequent substrates G from the resist coating unit (COT) 44 are continuously transferred on the carry-in side roller conveyance path 104 and the floating roller conveyance path 108. It may be carried into the chamber 106 from the carry-in port 112 by smooth flow conveyance.

上記したように、この減圧乾燥ユニット(VD)46は、減圧乾燥処理を受けるべき基板Gをコロ搬送および浮上式ローラ搬送でチャンバ106の中に搬入し、チャンバ106内で減圧乾燥処理の済んだ基板Gを浮上式ローラ搬送およびコロ搬送によってチャンバ106の外へ搬出するようにしたので、チャンバ106に対する基板Gの搬入出において、搬送アームを用いる搬送ロボットは不要であり、基板をうちわのようにたわませてしまってローディング/アンローディングの際に位置ずれや衝突・破損等のエラーを起こさなくて済む。また、チャンバ106の側壁に設けたスリット状の搬入口112および搬出口114を通らせて基板Gの搬入出を行うので、1〜2トン以上はあるチャンバ106の上蓋120を開閉(上げ下げ)する操作も不要であり、大きな振動による発塵の問題はなく、作業員に対する安全性も確保されている。さらに、減圧乾燥処理中は、基板Gの製品領域全面にステージ122の上面が接触するので、基板Gの製品領域内に接触部材の転写跡が発生するおそれはない。   As described above, the reduced-pressure drying unit (VD) 46 carries the substrate G to be subjected to the reduced-pressure drying process into the chamber 106 by roller conveyance and floating roller conveyance, and the reduced-pressure drying process is completed in the chamber 106. Since the substrate G is carried out of the chamber 106 by floating roller conveyance and roller conveyance, a conveyance robot using a conveyance arm is not necessary for loading / unloading the substrate G into / from the chamber 106, and the substrate is like a fan. It is not necessary to cause errors such as misalignment, collision and breakage during loading / unloading. In addition, since the substrate G is loaded and unloaded through the slit-shaped carry-in port 112 and the carry-out port 114 provided on the side wall of the chamber 106, the upper lid 120 of the chamber 106 is opened and closed (raised and lowered) by 1 to 2 tons or more. No operation is required, there is no problem of dust generation due to large vibrations, and safety for workers is ensured. Furthermore, since the upper surface of the stage 122 is in contact with the entire product region of the substrate G during the vacuum drying process, there is no possibility that a transfer mark of the contact member is generated in the product region of the substrate G.

以上本発明を好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the technical idea.

たとえば、浮上式ローラ搬送路108において、ステージ122の左右両側に設けるローラ搬送路124L,124Rを、基板搬送方向(X方向)に延びるベルト搬送路で代用することも可能である。あるいは、基板Gの搬入出時には基板Gの両側端部に吸着パッドで結合して基板Gを基板搬送方向(X方向)に搬送し、減圧乾燥処理中は該吸着パッドを基板Gから分離するような搬送機構も可能である。さらには、浮上式ローラ搬送路108の搬送手段として外部搬送ロボットの搬送アームを用いることも可能である。この場合は、基板Gと一緒に搬送アームも通れるように搬入出口112,114を大きくする必要がある。   For example, in the floating roller conveyance path 108, the roller conveyance paths 124L and 124R provided on the left and right sides of the stage 122 can be replaced with belt conveyance paths extending in the substrate conveyance direction (X direction). Alternatively, at the time of loading / unloading the substrate G, it is coupled to the both end portions of the substrate G with suction pads to transport the substrate G in the substrate transport direction (X direction), and the suction pad is separated from the substrate G during the vacuum drying process. A simple transport mechanism is also possible. Further, it is possible to use a transfer arm of an external transfer robot as a transfer means of the floating roller transfer path 108. In this case, it is necessary to enlarge the loading / unloading ports 112 and 114 so that the transfer arm can pass along with the substrate G.

また、ステージ122の上面を、上記実施形態におけるような穿孔板に代えて、多数の細孔を有する多孔質物質で構成することも可能である。上記実施形態はチャンバ106内空間の真空排気と浮上用ガスライン(130,128)の真空排気とを共通(同一)の真空排気装置140で行ったが、別個独立の真空排気装置で行ってもよい。   Further, the upper surface of the stage 122 can be made of a porous material having a large number of pores instead of the perforated plate in the above embodiment. In the above embodiment, the evacuation of the space in the chamber 106 and the evacuation of the levitation gas lines (130, 128) are performed by the common (same) evacuation device 140, but may be performed by a separate and independent evacuation device. Good.

上記した実施形態における減圧乾燥ユニット(VD)46のチャンバ106は、搬送方向で向かい合う一対のチャンバ側壁に搬入口112および搬出口114をそれぞれ設けて、基板Gがチャンバ106を通り抜けする構成となっていた。しかし、チャンバ106の一側壁に設けた1つの搬入出口で搬入口と搬出口とを兼用させる構成も可能であり、その場合は搬入側コロ搬送路104と搬出側コロ搬送路110の共用化もはかれる。   The chamber 106 of the reduced-pressure drying unit (VD) 46 in the above-described embodiment is configured such that the substrate G passes through the chamber 106 by providing the carry-in port 112 and the carry-out port 114 on a pair of chamber side walls facing each other in the carrying direction. It was. However, it is also possible to use a structure in which a single loading / unloading port provided on one side wall of the chamber 106 serves as both a loading / unloading port. In this case, the loading-side roller conveyance path 104 and the unloading-side roller conveyance path 110 can be shared. It is peeled off.

本発明における被処理基板はLCD用のガラス基板に限るものではなく、他のフラットパネルディスプレイ用基板や、半導体ウエハ、CD基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。減圧乾燥処理対象の塗布液もレジスト液に限らず、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の処理液も可能である。   The substrate to be processed in the present invention is not limited to a glass substrate for LCD, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, photomasks, printed substrates and the like are also possible. The coating liquid to be dried under reduced pressure is not limited to a resist liquid, and for example, a processing liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, or a wiring material is also possible.

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the application | coating development processing system which can apply this invention. 上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process sequence in the said application | coating development processing system. 実施形態における塗布プロセス部の全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of the application | coating process part in embodiment. 実施形態における減圧乾燥ユニットの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the reduced pressure drying unit in embodiment. 実施形態における減圧乾燥ユニットの搬入出時の各部の状態を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows the state of each part at the time of carrying in / out of the reduced pressure drying unit in embodiment. 実施形態における減圧乾燥ユニットの減圧乾燥処理中の各部の状態を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows the state of each part in the vacuum drying process of the vacuum drying unit in embodiment. 実施形態における減圧乾燥ユニットの搬入出時の各部の状態を示す一部断面背面図である。It is a partial cross section rear view which shows the state of each part at the time of carrying in / out of the reduced pressure drying unit in embodiment. 実施形態における減圧乾燥ユニットの減圧乾燥処理中の各部の状態を示す一部断面背面図である。It is a partial cross section rear view which shows the state of each part in the vacuum drying process of the vacuum drying unit in embodiment. 実施形態におけるステージ内部の構造を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view showing the structure inside the stage in an embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10 塗布現像処理システム
30 塗布プロセス部
46 減圧乾燥ユニット(VD)
104 搬入側コロ搬送路
106 チャンバ
108 浮上式ローラ搬送路
110 搬出側コロ搬送路
112 搬入口
114 搬出口
116,118 ゲート機構
122 ステージ
124L,124R ローラ搬送路
126 ガス噴出孔
128 ガスバッファ室
130 配管
134 ガス供給管
136 浮上用ガス供給部
138,165 排気管
140 真空排気装置
142,144,167 開閉弁
146 エアシリンダ
152 サイドローラ
162 モータ
172(172A,172B) 搬入側コロ搬送路のコロ
174(174A,174B) 搬出側コロ搬送路のコロ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Application | coating development processing system 30 Application | coating process part 46 Pressure reduction drying unit (VD)
104 Carrying-in roller transport path 106 Chamber 108 Floating roller transporting path 110 Carry-out roller transporting path 112 Carry-in port 114 Carry-out port 116, 118 Gate mechanism 122 Stage 124L, 124R Roller transporting path 126 Gas ejection hole
128 Gas buffer chamber 130 Piping 134 Gas supply pipe 136 Levitation gas supply section 138,165 Exhaust pipe 140 Vacuum exhaust device 142,144,167 Open / close valve 146 Air cylinder 152 Side roller 162 Motor 172 (172A, 172B) Carrying on the inlet side Roller roller 174 (174A, 174B) Roller on the unloading side roller conveyance path

Claims (13)

被処理基板上の塗布液に減圧状態で乾燥処理を施す減圧乾燥装置であって、
前記基板を略水平状態で収容するための空間を有する減圧可能なチャンバと、
前記乾燥処理中に前記チャンバ内の空間を密閉状態で真空排気するための第1の排気機構と、
前記チャンバ内で前記基板を載置するための上面を有し、かつ前記上面に前記基板を浮上させるガスを噴出するための多数のガス噴出孔を有するステージと、
前記ガス噴出孔に前記ステージの中を通るガスラインを介して基板浮上用のガスを供給するためのガス供給部と、
前記ガスラインを真空排気するための第2の排気機構と
を有し、前記乾燥処理を行うときは前記ガスラインを前記第2の排気機構に接続して前記基板を前記ステージの上面に載置し、前記基板の搬入出を行うときは前記ガスラインを前記ガス供給部に接続して前記基板を前記ステージ上で浮上させる減圧乾燥装置。
A vacuum drying apparatus that performs a drying process in a reduced pressure state on a coating liquid on a substrate to be processed,
A depressurizable chamber having a space for accommodating the substrate in a substantially horizontal state;
A first exhaust mechanism for evacuating the space in the chamber in a sealed state during the drying process;
A stage having an upper surface for mounting the substrate in the chamber, and a plurality of gas ejection holes for ejecting a gas for levitating the substrate on the upper surface;
A gas supply unit for supplying a gas for floating the substrate to the gas ejection hole via a gas line passing through the stage;
A second exhaust mechanism for evacuating the gas line, and when performing the drying process, the gas line is connected to the second exhaust mechanism and the substrate is placed on the upper surface of the stage. And when carrying in and out of the said board | substrate, the reduced pressure drying apparatus which connects the said gas line to the said gas supply part, and floats the said board | substrate on the said stage.
前記ステージの上面は、前記基板よりは小さく、前記基板の製品領域よりも大きい請求項1に記載の減圧乾燥装置。   The reduced-pressure drying apparatus according to claim 1, wherein an upper surface of the stage is smaller than the substrate and larger than a product area of the substrate. 前記ステージの上面に、前記ガス噴出孔が一定密度の細孔として形成される請求項1または請求項2に記載の減圧乾燥装置。   The reduced-pressure drying apparatus according to claim 1 or 2, wherein the gas ejection holes are formed as pores having a constant density on an upper surface of the stage. 前記ステージの上面が多孔質物質からなる請求項1または請求項2に記載の減圧乾燥装置。   The reduced-pressure drying apparatus according to claim 1 or 2, wherein an upper surface of the stage is made of a porous material. 前記基板を前記チャンバの外から中に搬入するための搬入口と、前記基板を前記チャンバの中から外へ搬出するための搬出口とを前記チャンバの側壁部に設け、
前記搬入口および前記搬出口を開閉するためのゲート機構を前記チャンバ側壁部の外に設ける請求項1〜4のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。
A carry-in port for carrying in the substrate from outside the chamber and a carry-out port for carrying out the substrate out of the chamber are provided in the side wall of the chamber;
The reduced-pressure drying apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein a gate mechanism for opening and closing the carry-in port and the carry-out port is provided outside the chamber side wall.
前記搬入口および前記搬出口が相対向して前記チャンバの側壁部に別々に設けられる請求項5に記載の減圧乾燥装置。   The vacuum drying apparatus according to claim 5, wherein the carry-in port and the carry-out port are separately provided on the side wall portion of the chamber so as to face each other. 前記基板を平流し搬送で前記チャンバに搬入出するための搬送機構を有する請求項1〜6のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。   The reduced-pressure drying apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising a transport mechanism for carrying the substrate in a flat flow and transporting the substrate into and out of the chamber. 前記基板が矩形であり、
前記搬送機構が、前記ステージの両側にはみ出る前記基板の両側端部にそれぞれ接触して前記基板を基板搬送方向に移動させる一対の搬送ラインを有する請求項7に記載の減圧乾燥装置。
The substrate is rectangular;
The vacuum drying apparatus according to claim 7, wherein the transport mechanism has a pair of transport lines that move to move the substrate in the substrate transport direction by contacting both side ends of the substrate that protrude from both sides of the stage.
前記搬送ラインが、前記ステージの両サイドでそれぞれ基板搬送方向に所定のピッチで一列に配置された複数個のサイドローラを有する請求項8に記載の減圧乾燥装置。   The reduced-pressure drying apparatus according to claim 8, wherein the transfer line includes a plurality of side rollers arranged in a line at a predetermined pitch in the substrate transfer direction on both sides of the stage. 前記搬送機構が、前記ステージと前記搬入口との間、または前記ステージと前記搬出口との間に、基板搬送方向に並べて配置された1本または複数本の内部コロを有する請求項7〜9のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。   The transport mechanism includes one or a plurality of internal rollers arranged side by side in the substrate transport direction between the stage and the carry-in port or between the stage and the carry-out port. The vacuum drying apparatus as described in any one of these. 前記搬送機構が、前記搬入口の外または前記搬出口の外に、基板搬送方向に並べて配置された1本または複数本の外部コロを有する請求項7〜10のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。   The decompression according to any one of claims 7 to 10, wherein the transport mechanism includes one or a plurality of external rollers arranged side by side in the substrate transport direction outside the carry-in port or the carry-out port. Drying equipment. 前記チャンバ内で前記ステージを昇降移動または昇降変位させるためのステージ昇降機構を有する請求項1〜11のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。   The reduced-pressure drying apparatus according to any one of claims 1 to 11, further comprising a stage lifting mechanism for moving the stage up and down or moving up and down in the chamber. 前記乾燥処理を行うときは前記基板が前記搬送ラインから上方に離間して前記ステージの上面に載置されるように前記ステージを前記ステージ昇降機構により第1の高さ位置まで上昇させ、前記基板の搬入出を行うときは前記基板が前記ステージから上方に離間して基板両側端部が前記搬送ラインに載るように前記ステージを前記ステージ昇降機構により第2の高さ位置まで下降させる請求項12に記載の減圧乾燥装置。   When performing the drying process, the stage is raised to the first height position by the stage lifting mechanism so that the substrate is placed on the upper surface of the stage so as to be spaced apart from the transfer line, and the substrate The stage is lowered to a second height position by the stage elevating mechanism so that when the substrate is carried in and out, the substrate is separated upward from the stage and both side ends of the substrate are placed on the transfer line. The reduced-pressure drying apparatus described in 1.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008311250A (en) * 2007-06-12 2008-12-25 Tokyo Electron Ltd Reflow system and reflow method
JP4592787B2 (en) * 2008-07-11 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment
JP4638931B2 (en) * 2008-09-12 2011-02-23 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment
JP4976358B2 (en) * 2008-10-10 2012-07-18 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate dryer
KR101020674B1 (en) 2008-11-18 2011-03-09 세메스 주식회사 Apparatus for drying a photoresist layer on a substrate
KR101021839B1 (en) * 2008-11-26 2011-03-17 세메스 주식회사 Apparatus for drying a photoresist layer on a substrate
KR101140489B1 (en) * 2008-12-12 2012-04-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Vacuum processing apparatus, vacuum processing system and processing method
JP4916035B2 (en) * 2009-08-28 2012-04-11 東京エレクトロン株式会社 Substrate transport apparatus and substrate transport method
JP4936567B2 (en) * 2009-09-18 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment equipment
JP2011086807A (en) * 2009-10-16 2011-04-28 Tokyo Electron Ltd Vacuum drying apparatus
KR101100836B1 (en) * 2009-11-26 2012-01-02 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
KR101099555B1 (en) * 2010-01-12 2011-12-28 세메스 주식회사 Apparatus for processing a substrate
WO2012067033A1 (en) * 2010-11-18 2012-05-24 シャープ株式会社 Substrate drying apparatus and substrate drying method
IT1403717B1 (en) * 2011-01-11 2013-10-31 Nordmeccanica Spa PLANT FOR DRYING A COVERED FILM CONTINUOUSLY
CN103367194B (en) * 2012-03-26 2016-08-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 A kind of device and method transmitting position correction for wafer
KR101397731B1 (en) * 2012-08-09 2014-05-21 삼성전기주식회사 Apparatus for measuring a drying rate and method for measuring the drying rate using the same
KR102006878B1 (en) * 2012-12-27 2019-08-05 삼성디스플레이 주식회사 Multi-function apparatus for testing and etching substrate and substrate processing apparatus
CN103234328B (en) * 2013-03-28 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 Method for baseplate drying under reduced pressure and device thereof
CN103713478B (en) * 2013-12-31 2017-02-01 四川聚能核技术工程有限公司 Pre-alignment device
JP6209572B2 (en) * 2015-01-28 2017-10-04 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing equipment
JP6639175B2 (en) * 2015-09-29 2020-02-05 東京エレクトロン株式会社 Drying apparatus and drying method
JP6698489B2 (en) * 2016-09-26 2020-05-27 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2018085408A (en) * 2016-11-22 2018-05-31 株式会社ディスコ Decompressor
JP6808690B2 (en) * 2018-07-25 2021-01-06 株式会社Screenホールディングス Vacuum drying device, substrate processing device and vacuum drying method
CN109579438A (en) * 2018-11-16 2019-04-05 安徽江淮汽车集团股份有限公司 A kind of automatic Race Line vacuum sealing mechanism
CN112629172A (en) * 2021-01-29 2021-04-09 黑龙江省紫舒生物科技有限公司 Energy-saving freeze dryer

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4426276B2 (en) * 2003-10-06 2010-03-03 住友重機械工業株式会社 Conveying device, coating system, and inspection system

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JP2008159782A (en) 2008-07-10
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