JP7232596B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD Download PDF

Info

Publication number
JP7232596B2
JP7232596B2 JP2018162115A JP2018162115A JP7232596B2 JP 7232596 B2 JP7232596 B2 JP 7232596B2 JP 2018162115 A JP2018162115 A JP 2018162115A JP 2018162115 A JP2018162115 A JP 2018162115A JP 7232596 B2 JP7232596 B2 JP 7232596B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
line
processing apparatus
unit
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018162115A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2020035935A (en
Inventor
俊一 八尋
光広 坂井
拓伸 梶原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2018162115A priority Critical patent/JP7232596B2/en
Priority to CN201910789074.0A priority patent/CN110875227A/en
Priority to KR1020190104589A priority patent/KR20200026085A/en
Publication of JP2020035935A publication Critical patent/JP2020035935A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7232596B2 publication Critical patent/JP7232596B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67727—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using a general scheme of a conveying path within a factory
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

特許文献１には、第１搬送ラインに沿って基板を搬送しつつ、フォトレジスト膜を基板に形成し、基板が露光された後に第２搬送ラインに沿って基板を搬送しつつ、現像処理を基板に行うことが開示されている。 In Patent Document 1, a photoresist film is formed on a substrate while transporting the substrate along a first transport line, and after the substrate is exposed, a developing process is performed while transporting the substrate along a second transport line. It is disclosed to perform on the substrate.

特開２００７－１５８２５３号公報JP 2007-158253 A

本開示は、基板処理装置の全長を短くする技術を提供する。 The present disclosure provides a technique for shortening the overall length of a substrate processing apparatus.

本開示の一態様による基板処理装置は、前処理ラインと、塗布ラインと、現像ラインと、洗浄ラインとを備える。前処理ラインは、基板に前処理を行う。塗布ラインは、前処理ラインの下方に配置され、前処理が行われた基板にフォトレジスト液を塗布する。現像ラインは、フォトレジスト液が塗布された基板を現像する。洗浄ラインは、現像ラインの上方に配置され、現像された基板を洗浄する。 A substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a preprocessing line, a coating line, a developing line, and a cleaning line. The pretreatment line performs pretreatment on the substrate. The coating line is arranged below the pretreatment line and applies a photoresist solution to the pretreated substrate. The development line develops the substrate coated with the photoresist solution. A cleaning line is disposed above the development line to clean the developed substrate.

本開示によれば、基板処理装置の全長を短くすることができる。 According to the present disclosure, the total length of the substrate processing apparatus can be shortened.

図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the first embodiment. 図２は、第１実施形態に係る基板処理装置の一部の概略構成を示す右側方図（その１）である。FIG. 2 is a right side view (No. 1) showing a schematic configuration of part of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. 図３は、図１のIII－III断面における第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment in the III-III cross section of FIG. 図４は、第１実施形態に係る基板処理装置の一部の概略構成を示す右側方図（その２）である。FIG. 4 is a right side view (No. 2) showing a schematic configuration of part of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. 図５は、第１実施形態に係る基板処理を示すフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart showing substrate processing according to the first embodiment. 図６Ａは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その１）である。FIG. 6A is a diagram (Part 1) showing a transport path of a substrate in the substrate processing apparatus according to the first embodiment; 図６Ｂは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その２）である。FIG. 6B is a diagram (part 2) showing a substrate transport path in the substrate processing apparatus according to the first embodiment; 図６Ｃは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その３）である。FIG. 6C is a diagram (part 3) showing a substrate transport path in the substrate processing apparatus according to the first embodiment; 図６Ｄは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その４）である。FIG. 6D is a diagram (part 4) showing a substrate transport path in the substrate processing apparatus according to the first embodiment; 図６Ｅは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その５）である。FIG. 6E is a diagram (No. 5) showing a substrate transport path in the substrate processing apparatus according to the first embodiment; 図６Ｆは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その６）である。FIG. 6F is a diagram (No. 6) showing a substrate transport path in the substrate processing apparatus according to the first embodiment; 図６Ｇは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その７）である。FIG. 6G is a diagram (No. 7) showing a substrate transport path in the substrate processing apparatus according to the first embodiment; 図６Ｈは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その８）である。6H is a diagram (No. 8) showing a substrate transport path in the substrate processing apparatus according to the first embodiment. FIG. 図６Ｉは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その９）である。FIG. 6I is a diagram (No. 9) showing a substrate transport path in the substrate processing apparatus according to the first embodiment; 図７は、第２実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the second embodiment. 図８は、第２実施形態に係る基板処理装置の第１熱処理における基板の搬送経路を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing the transport path of the substrate in the first heat treatment of the substrate processing apparatus according to the second embodiment. 図９は、第３実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the third embodiment. 図１０は、第３実施形態に係る基板処理装置の第１熱処理における基板の搬送経路を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing the transport path of the substrate in the first heat treatment of the substrate processing apparatus according to the third embodiment.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。 Embodiments of a substrate processing apparatus and a substrate processing method disclosed in the present application will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. In addition, the substrate processing apparatus and substrate processing method disclosed by the embodiment shown below are not limited.

以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す。Ｘ軸方向、およびＹ軸方向を含む面方向は、水平方向である。 Each drawing referred to below shows an orthogonal coordinate system in which the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction are defined to be orthogonal to each other, and the Z-axis positive direction is the vertically upward direction, in order to make the description easier to understand. Planar directions including the X-axis direction and the Y-axis direction are horizontal directions.

また、ここでは、Ｘ軸正方向を前方とし、Ｘ軸負方向を後方とする前後方向を規定し、Ｙ軸負方向を右方とし、Ｙ軸正方向を左方とする左右方向を規定する。また、Ｚ軸正方向を上方とし、Ｚ軸負方向を下方とする上下方向を規定する。 Here, the front-rear direction is defined with the positive direction of the X-axis as the front and the negative direction of the X-axis as the rear, and the left-right direction with the negative direction of the Y-axis as the right and the positive direction of the Y-axis as the left. . A vertical direction is defined in which the positive direction of the Z-axis is upward and the negative direction of the Z-axis is downward.

（第１実施形態）
＜全体構成＞
第１実施形態に係る基板処理装置１について図１～図４を参照し説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る基板処理装置１の一部の概略構成を示す右側方図（その１）である。図３は、図１のIII－III断面における第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す図である。図４は、第１実施形態に係る基板処理装置１の一部の概略構成を示す右側方図（その２）である。 (First embodiment)
<Overall composition>
A substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4. FIG. FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment. FIG. 2 is a right side view (No. 1) showing a schematic configuration of part of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment. FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment in the III-III section of FIG. FIG. 4 is a right side view (No. 2) showing a schematic configuration of part of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment.

基板処理装置１は、カセットステーション２と、第１処理ライン３と、第２処理ライン４と、第３処理ライン５と、第４処理ライン６と、熱処理ユニット７と、インターフェースステーション８と、制御装置９とを備える。 The substrate processing apparatus 1 includes a cassette station 2, a first processing line 3, a second processing line 4, a third processing line 5, a fourth processing line 6, a thermal processing unit 7, an interface station 8, and a control unit. a device 9;

カセットステーション２には、複数のガラス基板Ｓ（以下、「基板Ｓ」と称する。）を収容するカセットＣが載置される。カセットステーション２は、複数のカセットＣを載置可能な載置台１０と、カセットＣと第１処理ライン３との間、および後述する検査ユニット（ＩＰ）６３とカセットＣとの間で基板Ｓの搬送を行う搬送装置１１とを備える。 A cassette C containing a plurality of glass substrates S (hereinafter referred to as “substrates S”) is placed on the cassette station 2 . The cassette station 2 includes a mounting table 10 on which a plurality of cassettes C can be mounted, and substrates S between the cassettes C and the first processing line 3 and between an inspection unit (IP) 63 and the cassettes C, which will be described later. and a conveying device 11 for conveying.

搬送装置１１は、搬送アーム１１ａを備える。搬送アーム１１ａは、水平方向（前後方向、および左右方向）および鉛直方向への移動が可能である。また、搬送装置１１は、鉛直軸を中心とする旋回が可能である。 The transport device 11 includes a transport arm 11a. The transport arm 11a can move in the horizontal direction (front-rear direction and left-right direction) and in the vertical direction. Further, the conveying device 11 is capable of turning around a vertical axis.

第１処理ライン３（前処理ラインの一例）は、基板Ｓに前処理を行う。第１処理ライン３は、前洗浄ライン３Ａと、疎水処理ライン３Ｂとを備える。前洗浄ライン３Ａは、カセットステーション２から搬送される基板Ｓを洗浄する洗浄処理（前処理の一例）を行う。 The first processing line 3 (an example of a pre-processing line) pre-processes the substrate S. FIG. The first treatment line 3 includes a pre-cleaning line 3A and a hydrophobic treatment line 3B. The pre-cleaning line 3A performs cleaning processing (an example of pre-processing) for cleaning the substrates S transported from the cassette station 2 .

前洗浄ライン３Ａには、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ－ＵＶ）２０と、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１とが含まれる。エキシマＵＶ照射ユニット２０、およびスクラブ洗浄ユニット２１は、エキシマＵＶ照射ユニット２０、およびスクラブ洗浄ユニット２１の順にＸ軸正方向に沿って配置される。 The pre-cleaning line 3 A includes an excimer UV irradiation unit (e-UV) 20 and a scrub cleaning unit (SCR) 21 . The excimer UV irradiation unit 20 and the scrub cleaning unit 21 are arranged in the order of the excimer UV irradiation unit 20 and the scrub cleaning unit 21 along the positive direction of the X-axis.

エキシマＵＶ照射ユニット２０は、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Ｓに対して紫外域光を照射し、基板Ｓ上に付着した有機物を除去する。 The excimer UV irradiation unit 20 irradiates the substrate S with ultraviolet light from an ultraviolet light lamp that emits ultraviolet light, and removes organic matter adhering to the substrate S. FIG.

スクラブ洗浄ユニット２１は、有機物が除去された基板Ｓに、洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））を供給しつつ、ブラシなどの洗浄部材によって基板Ｓの表面を洗浄する。またスクラブ洗浄ユニット２１は、ブロワーなどによって洗浄した基板Ｓを乾燥させる。 The scrub cleaning unit 21 cleans the surface of the substrate S with a cleaning member such as a brush while supplying a cleaning liquid (for example, deionized water (DIW)) to the substrate S from which the organic matter has been removed. Also, the scrub cleaning unit 21 dries the cleaned substrate S with a blower or the like.

前洗浄ライン３Ａでは、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。コロ搬送機構１４は、複数のコロ１４ａを駆動装置（不図示）で回転させることで、基板Ｓを搬送する。コロ搬送機構１４は、図２において一部を記載し、他は省略する。平流し搬送とは、基板Ｓが水平に保たれた状態で、所定の方向、例えば、Ｘ軸方向、またはＹ軸方向に沿って搬送されることである。なお、基板Ｓは、コンベア搬送機構などによって平流し搬送されてもよい。 In the pre-cleaning line 3A, the substrate S is parallel-flow-transported along the positive direction of the X-axis. For example, the substrate S is transported by the roller transport mechanism 14 . The roller transport mechanism 14 transports the substrate S by rotating a plurality of rollers 14a with a driving device (not shown). A part of the roller transport mechanism 14 is shown in FIG. 2, and the rest is omitted. Parallel flow transport means that the substrate S is transported in a predetermined direction, for example, the X-axis direction or the Y-axis direction, while being kept horizontal. Note that the substrate S may be conveyed in a parallel flow by a conveyer conveying mechanism or the like.

疎水処理ライン３Ｂは、前洗浄ライン３Ａによって洗浄された基板Ｓに疎水処理を行う。疎水処理ライン３Ｂは、前洗浄ライン３Ａに対して左右方向に並列に配置される。具体的には、疎水処理ライン３Ｂは、前洗浄ライン３Ａの左方に配置される。疎水処理ライン３Ｂは、前洗浄ライン３Ａに並列に配置され、前洗浄ライン３Ａによって洗浄された基板Ｓに疎水処理を行う。 The hydrophobic treatment line 3B performs a hydrophobic treatment on the substrate S washed by the pre-washing line 3A. The hydrophobic treatment line 3B is arranged in parallel in the horizontal direction with respect to the pre-washing line 3A. Specifically, the hydrophobic treatment line 3B is arranged to the left of the pre-washing line 3A. The hydrophobic treatment line 3B is arranged in parallel with the pre-cleaning line 3A, and performs hydrophobic treatment on the substrates S washed by the pre-cleaning line 3A.

疎水処理ライン３Ｂには、プレヒートユニット（ＰＨ）２２と、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２３と、第１冷却ユニット（ＣＯＬ）２４とが含まれる。 The hydrophobic treatment line 3B includes a preheating unit (PH) 22, an adhesion unit (AD) 23, and a first cooling unit (COL) 24.

プレヒートユニット２２、アドヒージョンユニット２３、および第１冷却ユニット２４は、プレヒートユニット２２、アドヒージョンユニット２３、および第１冷却ユニット２４の順にＸ軸負方向に沿って配置される。 The preheating unit 22, the adhesion unit 23, and the first cooling unit 24 are arranged in the order of the preheating unit 22, the adhesion unit 23, and the first cooling unit 24 along the negative direction of the X-axis.

プレヒートユニット２２は、スクラブ洗浄ユニット２１によって乾燥された基板Ｓを加熱し、基板Ｓをさらに乾燥させる。 The preheating unit 22 heats the substrate S dried by the scrub cleaning unit 21 to further dry the substrate S.

アドヒージョンユニット２３は、乾燥された基板Ｓにヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を吹き付けて、基板Ｓに疎水処理を行う。 The adhesion unit 23 sprays hexamethyldisilane (HMDS) onto the dried substrate S to subject the substrate S to a hydrophobic treatment.

第１冷却ユニット２４は、疎水処理が行われた基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。 The first cooling unit 24 cools the substrate S by blowing cold air onto the substrate S subjected to the hydrophobic treatment.

前洗浄ライン３Ａと疎水処理ライン３Ｂとの間には、前洗浄ライン３Ａから疎水処理ライン３Ｂに基板Ｓを搬送するコンベア搬送機構（ＣＯＶ）７０が設けられる。コンベア搬送機構７０は、前洗浄ライン３Ａのスクラブ洗浄ユニット２１から疎水処理ライン３Ｂのプレヒートユニット２２に基板Ｓを搬送する。 Between the pre-cleaning line 3A and the hydrophobic treatment line 3B, a conveyor transfer mechanism (COV) 70 is provided to convey the substrate S from the pre-cleaning line 3A to the hydrophobic treatment line 3B. The conveyor transport mechanism 70 transports the substrate S from the scrub cleaning unit 21 of the pre-cleaning line 3A to the preheating unit 22 of the hydrophobic treatment line 3B.

疎水処理ライン３Ｂでは、基板Ｓは、Ｘ軸負方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。 In the hydrophobic treatment line 3B, the substrate S is conveyed in a flat flow along the negative direction of the X-axis. For example, the substrate S is transported by the roller transport mechanism 14 .

第２処理ライン４は、基板Ｓにフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト膜を形成する形成処理を行う。第２処理ライン４は、第１処理ライン３、具体的には、疎水処理ライン３Ｂの下方に配置される。すなわち、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）は、前処理ライン、具体的には疎水処理ライン３Ｂの下方に配置され、前処理が行われた基板Ｓにフォトレジスト液（処理液の一例）を塗布する。 The second processing line 4 applies a photoresist liquid to the substrate S to form a photoresist film. The second treatment line 4 is arranged below the first treatment line 3, specifically the hydrophobic treatment line 3B. That is, the second processing line 4 (an example of a coating line) is arranged below the preprocessing line, specifically, the hydrophobic processing line 3B, and the photoresist liquid (an example of the processing liquid) is applied to the preprocessed substrate S. ).

第２処理ライン４には、フォトレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２５が含まれる。フォトレジスト塗布ユニット２５は、基板Ｓ上にフォトレジスト液を塗布し、基板Ｓ上にフォトレジスト膜を形成する。 The second processing line 4 includes a photoresist coating unit (CT) 25 . The photoresist application unit 25 applies a photoresist liquid onto the substrate S to form a photoresist film on the substrate S. As shown in FIG.

疎水処理ライン３Ｂと第２処理ライン４との間には、疎水処理ライン３Ｂから第２処理ライン４に基板Ｓを搬送するコンベア搬送機構（ＣＯＶ）７１が設けられる。コンベア搬送機構７１は、上下方向に基板Ｓを搬送することができ、疎水処理ライン３Ｂの第１冷却ユニット２４から第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５に基板Ｓを搬送する。 Between the hydrophobic treatment line 3B and the second treatment line 4, a conveyor transfer mechanism (COV) 71 is provided to convey the substrate S from the hydrophobic treatment line 3B to the second treatment line 4. As shown in FIG. The conveyor transport mechanism 71 can transport the substrate S vertically, and transports the substrate S from the first cooling unit 24 of the hydrophobic processing line 3B to the photoresist coating unit 25 of the second processing line 4 .

第２処理ライン４では、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、浮上式の搬送機構（不図示）によって搬送される。浮上式の搬送機構は、例えば、左右方向の両端で基板Ｓを下方から支持し、基板Ｓに向けて下方から圧縮空気を吹き付けて基板Ｓを水平に保持しつつ、基板Ｓを移動させる。なお、第２処理ライン４では、フォトレジスト液を塗布する箇所付近の基板Ｓの搬送に浮上式の搬送機構が用いられ、その他の箇所では基板Ｓの搬送に、例えば、コロ搬送機構１４が用いられてもよい。 In the second processing line 4, the substrates S are conveyed parallel to each other along the positive direction of the X-axis. For example, the substrate S is transported by a floating transport mechanism (not shown). For example, the floating transport mechanism supports the substrate S from below at both ends in the left and right direction, blows compressed air toward the substrate S from below, and moves the substrate S while holding the substrate S horizontally. In the second processing line 4, a floating transport mechanism is used to transport the substrate S near the portion where the photoresist solution is applied, and the roller transport mechanism 14 is used to transport the substrate S at other locations. may be

熱処理ユニット７は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓに第１熱処理を行う。熱処理ユニット７は、第２処理ライン４に対してＸ軸正方向側に配置される。 The heat treatment unit 7 performs a first heat treatment on the substrate S on which the photoresist film is formed. The thermal processing unit 7 is arranged on the positive side of the X-axis with respect to the second processing line 4 .

熱処理ユニット７は、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）３０と、第１加熱ユニット（ＰＥ／ＢＡＫＥ）３１と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）３２とを備える。 The heat treatment unit 7 includes a reduced pressure drying unit (DP) 30 , a first heating unit (PE/BAKE) 31 and a second cooling unit (COL) 32 .

減圧乾燥ユニット３０は、フォトレジスト塗布ユニット２５に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される。減圧乾燥ユニット３０は、上下方向に複数段配置される。上下方向に配置された減圧乾燥ユニット３０の間には、フォトレジスト塗布ユニット２５から基板Ｓが搬送され、第１搬送部１５に基板Ｓを受け渡す搬送路３０ａが形成される。なお、搬送路３０ａは、上下方向に配置された減圧乾燥ユニット３０の間ではなく、減圧乾燥ユニット３０の上方、または下方に形成されてもよい。 The reduced-pressure drying unit 30 is arranged adjacent to the photoresist coating unit 25 on the positive side of the X-axis. The reduced-pressure drying units 30 are arranged in a plurality of stages in the vertical direction. Between the vacuum drying units 30 arranged in the vertical direction, a transport path 30 a is formed for transporting the substrate S from the photoresist coating unit 25 and transferring the substrate S to the first transport section 15 . The conveying path 30a may be formed above or below the reduced pressure drying units 30 instead of between the reduced pressure drying units 30 arranged in the vertical direction.

減圧乾燥ユニット３０は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓが第１搬送部１５によって搬送され、基板Ｓ上に形成されたフォトレジスト膜を減圧雰囲気下で乾燥させる。 The reduced-pressure drying unit 30 dries the photoresist film formed on the substrate S in a reduced-pressure atmosphere while the substrate S having the photoresist film formed thereon is transferred by the first transfer section 15 .

第１加熱ユニット３１は、減圧乾燥ユニット３０に対してＸ軸正方向側に配置される。第１加熱ユニット３１と減圧乾燥ユニット３０との間には、第１搬送部１５が配置される。 The first heating unit 31 is arranged on the positive side of the X-axis with respect to the reduced-pressure drying unit 30 . A first conveying section 15 is arranged between the first heating unit 31 and the reduced pressure drying unit 30 .

第１加熱ユニット３１は、上下方向に複数段配置される。第１加熱ユニット３１は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓを加熱する。第１加熱ユニット３１は、フォトレジスト膜が乾燥された基板Ｓが第１搬送部１５によって減圧乾燥ユニット３０から搬送される。 The first heating units 31 are arranged in multiple stages in the vertical direction. The first heating unit 31 heats the substrate S on which the photoresist film is formed. In the first heating unit 31 , the substrate S on which the photoresist film has been dried is transported from the reduced-pressure drying unit 30 by the first transport section 15 .

第１加熱ユニット３１は、基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に含まれる溶剤などを除去する。第１加熱ユニット３１は、プレート式の加熱ユニットであり、基板Ｓがプレート（不図示）に載置された状態で、プレートを加熱することで基板Ｓを加熱する。 The first heating unit 31 heats the substrate S and removes the solvent and the like contained in the photoresist film. The first heating unit 31 is a plate-type heating unit, and heats the substrate S by heating the plate (not shown) while the substrate S is placed on the plate.

第２冷却ユニット３２は、第１加熱ユニット３１の上方に配置され、第１加熱ユニット３１によって加熱された基板Ｓを冷却する。第２冷却ユニット３２は、第２搬送部８Ａによって第１加熱ユニット３１から搬送された基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。 The second cooling unit 32 is arranged above the first heating unit 31 and cools the substrate S heated by the first heating unit 31 . The second cooling unit 32 cools the substrate S by blowing cold air onto the substrate S transported from the first heating unit 31 by the second transport section 8A.

第２冷却ユニット３２は、前後方向の両端に開口部（不図示）を有しており、前方から第１搬送部１５によって基板Ｓを搬入することができる。また、第２冷却ユニット３２は、後方から第２搬送部８Ａによって基板Ｓを搬出することができる。 The second cooling unit 32 has openings (not shown) at both ends in the front-rear direction, and the substrate S can be carried in from the front by the first transfer section 15 . Further, the second cooling unit 32 can unload the substrate S from the rear by the second transfer section 8A.

第１搬送部１５は、前後方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）１５Ａを備える。また、第１搬送部１５は、上下方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。 The first conveying unit 15 includes a conveying arm (SA) 15A that can extend and contract in the front-rear direction. In addition, the first conveying unit 15 can move in the vertical direction and turn around the vertical axis.

インターフェースステーション８は、第２冷却ユニット３２に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される。具体的には、インターフェースステーション８は、第２冷却ユニット３２と露光システム６０の露光装置６１との間に配置される。インターフェースステーション８は、第２搬送部８Ａと、ロータリーステージ（ＲＯＴ）８Ｂとを備える。 The interface station 8 is arranged adjacent to the second cooling unit 32 on the positive side of the X axis. Specifically, the interface station 8 is arranged between the second cooling unit 32 and the exposure device 61 of the exposure system 60 . The interface station 8 includes a second transport section 8A and a rotary stage (ROT) 8B.

第２搬送部８Ａは、前後方向、および左右方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）８Ｃを備える。また、第２搬送部８Ａは、上下方向、および左右方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。 The second transport section 8A includes a transport arm (SA) 8C that can extend and contract in the front-rear direction and in the left-right direction. In addition, the second conveying section 8A can move in the vertical direction and the horizontal direction, and can rotate about the vertical axis.

第２搬送部８Ａは、露光システム６０へ基板Ｓを搬送する第１搬送処理を行う。第２搬送部８Ａは、熱処理ユニット７の第２冷却ユニット３２からロータリーステージ８Ｂに基板Ｓを搬送する。また、第２搬送部８Ａは、ロータリーステージ８Ｂから露光システム６０の露光装置６１に基板Ｓを搬送する。また、第２搬送部８Ａは、露光装置６１から露光システム６０の周辺装置６２に基板Ｓを搬送する。 The second transport section 8A performs a first transport process of transporting the substrate S to the exposure system 60 . The second transport section 8A transports the substrate S from the second cooling unit 32 of the heat treatment unit 7 to the rotary stage 8B. Also, the second transport section 8A transports the substrate S from the rotary stage 8B to the exposure device 61 of the exposure system 60 . Also, the second transport unit 8A transports the substrate S from the exposure device 61 to the peripheral device 62 of the exposure system 60 .

ロータリーステージ８Ｂは、基板Ｓを水平方向に９０度回転させる。なお、ロータリーステージ８Ｂは、基板Ｓの温度を調整する温調装置を設けてもよい。 The rotary stage 8B rotates the substrate S horizontally by 90 degrees. Incidentally, the rotary stage 8B may be provided with a temperature controller for adjusting the temperature of the substrate S.

露光システム６０は、露光装置６１と、周辺装置（ＥＥ／ＴＩＴＬＥＲ）６２とを備える。 The exposure system 60 includes an exposure device 61 and a peripheral device (EE/TITLER) 62 .

露光装置６１は、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを用いてフォトレジスト膜を露光する。 The exposure device 61 exposes the photoresist film using a photomask having a pattern corresponding to the circuit pattern.

周辺装置６２は、熱処理ユニット７、およびインターフェースステーション８の左方に配置される。周辺装置６２は、周辺露光装置（ＥＥ）とタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）とを備える。周辺露光装置は、基板Ｓの外周部のフォトレジスト膜を除去する。タイトラーは、露光装置６１で回路パターンに露光された基板Ｓに所定の情報を書き込む。 A peripheral device 62 is arranged to the left of the thermal processing unit 7 and the interface station 8 . The peripheral device 62 includes a peripheral exposure device (EE) and a titler (TITLER). The peripheral exposure device removes the photoresist film on the peripheral portion of the substrate S. As shown in FIG. The titler writes predetermined information on the substrate S exposed to the circuit pattern by the exposure device 61 .

周辺装置６２によって所定の情報の書き込みなどが行われた基板Ｓは、周辺装置６２に対してＸ軸負方向側に隣接して配置された搬送路６２ａによって搬送される。搬送路６２ａでは、基板ＳはＸ軸負方向に沿って平流し搬送される。 The substrate S on which predetermined information has been written by the peripheral device 62 is transported by a transport path 62a arranged adjacent to the peripheral device 62 on the X-axis negative direction side. In the transport path 62a, the substrate S is transported in a parallel flow along the negative direction of the X-axis.

第３処理ライン５は、熱処理ユニット７の左方に配置される。第３処理ライン５は、現像ライン５Ａと、後洗浄ライン５Ｂとを備える。 The third processing line 5 is arranged to the left of the thermal processing unit 7 . The third processing line 5 includes a developing line 5A and a post-cleaning line 5B.

現像ライン５Ａは、露光装置６１によって露光された基板Ｓに現像処理を行う。すなわち、現像ライン５Ａは、フォトレジスト液が塗布された基板Ｓを現像する。現像ライン５Ａは、露光された基板Ｓが搬送される周辺装置６２（外部装置の一例）の上方に配置される。現像ライン５Ａには、第３搬送部１６によって搬送路６２ａから基板Ｓが搬送される。 The development line 5</b>A develops the substrate S exposed by the exposure device 61 . That is, the development line 5A develops the substrate S coated with the photoresist liquid. The development line 5A is arranged above a peripheral device 62 (an example of an external device) to which the exposed substrate S is transported. The substrate S is transported from the transport path 62a to the development line 5A by the third transport unit 16. As shown in FIG.

現像ライン５Ａには、現像ユニット４０（ＤＥＶ）が含まれる。現像ユニット４０は、第３搬送部１６によって搬送路６２ａから搬送された基板Ｓに対し、露光されたフォトレジスト膜を現像液により現像する。 The development line 5A includes a development unit 40 (DEV). The developing unit 40 develops the exposed photoresist film on the substrate S conveyed from the conveying path 62a by the third conveying section 16 with a developer.

現像ライン５Ａでは、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。 In the developing line 5A, the substrate S is conveyed in a horizontal flow along the positive direction of the X-axis. For example, the substrate S is transported by the roller transport mechanism 14 .

後洗浄ライン５Ｂは、現像処理が行われた基板Ｓに洗浄処理を行う。後洗浄ライン５Ｂは、現像ライン５Ａの上方に配置される。すなわち、周辺装置６２、現像ライン５Ａ、および後洗浄ライン５Ｂは、上下方向に並んで配置され、下方から、周辺装置６２、現像ライン５Ａ、および後洗浄ライン５Ｂの順に配置される。後洗浄ライン５Ｂ（洗浄ラインの一例）は、現像ライン５Ａの上方に配置され、現像された基板Ｓを洗浄する。 The post-cleaning line 5B cleans the substrate S that has been developed. The post-cleaning line 5B is arranged above the developing line 5A. That is, the peripheral device 62, the developing line 5A, and the post-cleaning line 5B are arranged vertically side by side, and are arranged in the order of the peripheral device 62, the developing line 5A, and the post-cleaning line 5B from below. The post-cleaning line 5B (an example of a cleaning line) is arranged above the developing line 5A and cleans the developed substrate S. As shown in FIG.

後洗浄ライン５Ｂでは、基板ＳはＸ軸負方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。 In the post-cleaning line 5B, the substrate S is conveyed parallel to the negative direction of the X-axis. For example, the substrate S is transported by the roller transport mechanism 14 .

後洗浄ライン５Ｂには、洗浄ユニット（ＲＩＮ）４１と、乾燥ユニット（ＤＲＹ）４２とが含まれる。洗浄ユニット４１、および乾燥ユニット４２は、洗浄ユニット４１、および乾燥ユニット４２の順にＸ軸負方向に沿って配置される。 The post-cleaning line 5B includes a cleaning unit (RIN) 41 and a drying unit (DRY) 42 . The cleaning unit 41 and the drying unit 42 are arranged in the order of the cleaning unit 41 and the drying unit 42 along the negative direction of the X-axis.

洗浄ユニット４１は、フォトレジスト膜を現像した基板Ｓ上の現像液を洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））によって洗い流す。乾燥ユニット４２は、洗浄液によって洗い流した基板Ｓ上の洗浄液を乾燥させる。 The cleaning unit 41 washes away the developer on the substrate S on which the photoresist film has been developed, with a cleaning liquid (for example, deionized water (DIW)). The drying unit 42 dries the cleaning liquid on the substrate S that has been washed away by the cleaning liquid.

現像ライン５Ａと後洗浄ライン５Ｂとの間には、現像ライン５Ａから後洗浄ライン５Ｂに基板Ｓを搬送するコンベア搬送機構７２が設けられる。コンベア搬送機構７２は、上下方向に基板Ｓを搬送することができ、現像ライン５Ａの現像ユニット４０から後洗浄ライン５Ｂの洗浄ユニット４１に基板Ｓを搬送する。 Between the development line 5A and the post-cleaning line 5B, a conveyor transport mechanism 72 is provided for transporting the substrate S from the development line 5A to the post-cleaning line 5B. The conveyor transport mechanism 72 can transport the substrate S vertically, and transports the substrate S from the developing unit 40 of the developing line 5A to the cleaning unit 41 of the post-cleaning line 5B.

第４処理ライン６は、後洗浄ライン５Ｂによって洗浄された基板Ｓに第２熱処理を行う。第４処理ライン６は、加熱ライン６Ａと、冷却ライン６Ｂとを備える。加熱ライン６Ａ、および冷却ライン６Ｂは、上下方向に積層される。すなわち、第４処理ライン６（熱処理ラインの一例）は、後洗浄ライン５Ｂ（洗浄ラインの一例）によって洗浄された基板Ｓに熱処理を行い、上下方向に積層して配置される。 The fourth processing line 6 performs a second heat treatment on the substrate S cleaned by the post-cleaning line 5B. The fourth processing line 6 includes a heating line 6A and a cooling line 6B. The heating line 6A and the cooling line 6B are stacked vertically. That is, the fourth processing line 6 (an example of a heat treatment line) performs heat treatment on the substrates S cleaned by the post-cleaning line 5B (an example of a cleaning line), and the substrates are stacked vertically.

加熱ライン６Ａは、洗浄された基板Ｓを加熱する加熱処理を行う。加熱ライン６Ａは、後洗浄ライン５Ｂに対してＸ軸負方向に連続して配置される。加熱ライン６Ａ（熱処理ラインの一例）の一部は、第３搬送部１６（搬送部の一例）の上方に配置される。加熱ライン６Ａでは、基板ＳはＸ軸負方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。 The heating line 6A performs a heating process for heating the substrate S that has been cleaned. The heating line 6A is arranged continuously in the negative direction of the X-axis with respect to the post-cleaning line 5B. A portion of the heating line 6A (an example of a heat treatment line) is arranged above the third conveying section 16 (an example of a conveying section). In the heating line 6A, the substrate S is conveyed parallel to the negative direction of the X-axis. For example, the substrate S is transported by the roller transport mechanism 14 .

加熱ライン６Ａは、第２加熱ユニット（ＰＯ／ＢＡＫＥ）５０を含む。第２加熱ユニット５０は、現像処理が行われた基板Ｓを加熱する。第２加熱ユニット５０は、リンス液が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に残る溶剤、およびリンス液を除去する。 Heating line 6A includes second heating unit (PO/BAKE) 50 . The second heating unit 50 heats the substrate S that has undergone development processing. The second heating unit 50 heats the substrate S from which the rinsing liquid has been dried, and removes the solvent remaining on the photoresist film and the rinsing liquid.

冷却ライン６Ｂは、加熱された基板Ｓを冷却する冷却処理を行う。冷却ライン６Ｂは、加熱ライン６Ａの下方に配置される。冷却ライン６Ｂでは、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。 The cooling line 6B performs a cooling process for cooling the substrate S that has been heated. The cooling line 6B is arranged below the heating line 6A. In the cooling line 6B, the substrate S is conveyed parallel to the positive direction of the X-axis. For example, the substrate S is transported by the roller transport mechanism 14 .

冷却ライン６Ｂは、第３冷却ユニット（ＣＯＬ）５１を含む。第３冷却ユニット５１は、第２加熱ユニット５０によって加熱された基板Ｓを冷却する。第３冷却ユニット５１は、基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。 Cooling line 6B includes a third cooling unit (COL) 51 . The third cooling unit 51 cools the substrate S heated by the second heating unit 50 . The third cooling unit 51 cools the substrate S by blowing cold air onto the substrate S. As shown in FIG.

加熱ライン６Ａと冷却ライン６Ｂとの間には、加熱ライン６Ａから冷却ライン６Ｂに基板Ｓを搬送するコンベア搬送機構７３が設けられる。コンベア搬送機構７３は、上下方向に基板Ｓを搬送することができ、加熱ライン６Ａの第２加熱ユニット５０から冷却ライン６Ｂの第３冷却ユニット５１に基板Ｓを搬送する。 A conveyor transfer mechanism 73 is provided between the heating line 6A and the cooling line 6B to transfer the substrate S from the heating line 6A to the cooling line 6B. The conveyor transport mechanism 73 can transport the substrate S vertically, and transports the substrate S from the second heating unit 50 of the heating line 6A to the third cooling unit 51 of the cooling line 6B.

第３冷却ユニット５１によって冷却された基板Ｓは、第３搬送部１６によって検査ユニット６３に搬送される。検査ユニット６３は、冷却ライン６Ｂの下方に配置される。検査ユニット６３は、フォトレジストパターン（ライン）の限界寸法（ＣＤ）の測定などの検査を行う。検査ユニット６３によって検査が行われた基板Ｓは、カセットステーション２に搬送される。 The substrate S cooled by the third cooling unit 51 is transported to the inspection unit 63 by the third transport section 16 . The inspection unit 63 is arranged below the cooling line 6B. The inspection unit 63 performs inspection, such as measurement of the critical dimension (CD) of the photoresist pattern (line). The substrate S inspected by the inspection unit 63 is transported to the cassette station 2 .

第３搬送部１６は、前後方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）１６Ａを備える。第３搬送部１６は、上下方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。 The third conveying unit 16 includes a conveying arm (SA) 16A that can extend and contract in the front-rear direction. The third conveying unit 16 can move vertically and turn about a vertical axis.

第３搬送部１６は、周辺装置６２（外部装置の一例）によって処理が行われた基板Ｓを現像ライン５Ａに搬送するとともに、後洗浄ライン５Ｂ（洗浄ラインの一例）によって洗浄された後の基板Ｓを搬送する。具体的には、第３搬送部１６は、周辺装置６２に対してＸ軸負方向に配置された搬送路６２ａから現像ライン５Ａの現像ユニット４０に基板Ｓを搬送する。また、第３搬送部１６は、洗浄ユニット４１によって洗浄された後に第４処理ライン６によって熱処理された基板Ｓを、第３冷却ユニット５１から検査ユニット６３に搬送する。 The third transport unit 16 transports the substrate S processed by the peripheral device 62 (an example of the external device) to the development line 5A, and the substrate after being cleaned by the post-cleaning line 5B (an example of the cleaning line). transport S. Specifically, the third transport section 16 transports the substrate S from the transport path 62a arranged in the negative direction of the X-axis with respect to the peripheral device 62 to the developing unit 40 of the developing line 5A. Also, the third transport section 16 transports the substrate S that has been heat-treated by the fourth processing line 6 after being cleaned by the cleaning unit 41 from the third cooling unit 51 to the inspection unit 63 .

なお、搬送路６２ａの上方には、基板Ｓを一時的に載置可能なバッファ部１７が配置される。バッファ部１７には、第３搬送部１６によって基板Ｓが搬入、または搬出される。搬送路６２ａから現像ユニット４０に基板Ｓが搬送される場合や、第３冷却ユニット５１から検査ユニット６３に基板Ｓが搬送される場合に、基板Ｓが一時的にバッファ部１７に載置される。これにより、例えば、検査ユニット６３において検査に遅延が生じた場合に、基板処理装置１は、熱処理が終了した基板Ｓをバッファ部１７に一時的に載置し、基板Ｓに対する熱処理や、現像処理などを継続して行うことができる。 A buffer section 17 on which the substrate S can be temporarily placed is arranged above the transport path 62a. The substrate S is carried into or out of the buffer section 17 by the third transport section 16 . When the substrate S is transported from the transport path 62a to the developing unit 40 or when the substrate S is transported from the third cooling unit 51 to the inspection unit 63, the substrate S is temporarily placed on the buffer section 17. . As a result, for example, when a delay occurs in the inspection in the inspection unit 63, the substrate processing apparatus 1 temporarily places the substrate S that has undergone the heat treatment on the buffer unit 17, and heats the substrate S and develops it. etc., can be continued.

制御装置９は、例えば、コンピュータであり、制御部９Ａと記憶部９Ｂとを備える。記憶部９Ｂは、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。 The control device 9 is, for example, a computer, and includes a control section 9A and a storage section 9B. The storage unit 9B is realized by, for example, a semiconductor memory device such as a RAM (Random Access Memory) or a flash memory, or a storage device such as a hard disk or an optical disk.

制御部９Ａは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ、入出力ポート等を含むマイクロコンピュータや各種回路を含む。マイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、カセットステーション２や、各ライン３～６などの制御を実現する。 The control unit 9A includes a microcomputer including a CPU (Central Processing Unit), ROM (Read Only Memory), RAM, input/output ports, etc., and various circuits. The CPU of the microcomputer reads out and executes programs stored in the ROM, thereby realizing control of the cassette station 2 and lines 3 to 6 and the like.

なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されており、記憶媒体から制御装置９の記憶部９Ｂにインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 The program may be recorded in a computer-readable storage medium and installed in the storage unit 9B of the control device 9 from the storage medium. Examples of computer-readable storage media include hard disks (HD), flexible disks (FD), compact disks (CD), magnet optical disks (MO), and memory cards.

＜基板処理＞
次に、第１実施形態に係る基板処理について図５、および図６Ａ～図６Ｈを参照し説明する。図５は、第１実施形態に係る基板処理を示すフローチャートである。図６Ａ～図６Ｈは、第１実施形態に係る基板処理装置１における基板Ｓの搬送経路を示す図（その１～その８）である。 <Substrate processing>
Next, substrate processing according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 5 and 6A to 6H. FIG. 5 is a flowchart showing substrate processing according to the first embodiment. 6A to 6H are diagrams (No. 1 to No. 8) showing the transfer route of the substrate S in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment.

基板処理装置１は、前処理を行う（Ｓ１０）。具体的には、基板処理装置１は、図６Ａに示すように、カセットステーション２から前洗浄ライン３Ａに基板Ｓを搬送する。基板処理装置１は、前洗浄ライン３Ａによって基板Ｓに洗浄処理を行い、洗浄処理後に基板Ｓをコンベア搬送機構７０によって疎水処理ライン３Ｂに搬送する。そして、基板処理装置１は、疎水処理ライン３Ｂによって基板Ｓに疎水処理を行う。 The substrate processing apparatus 1 performs preprocessing (S10). Specifically, the substrate processing apparatus 1 transports the substrate S from the cassette station 2 to the pre-cleaning line 3A, as shown in FIG. 6A. The substrate processing apparatus 1 performs a cleaning process on the substrate S by the pre-cleaning line 3A, and transports the substrate S to the hydrophobic processing line 3B by the conveyor transport mechanism 70 after the cleaning process. Then, the substrate processing apparatus 1 performs hydrophobic treatment on the substrate S by the hydrophobic treatment line 3B.

基板処理装置１は、フォトレジスト膜の形成処理を行う（Ｓ１１）。具体的には、基板処理装置１は、図６Ｂに示すように、コンベア搬送機構７１によって基板Ｓを下方に移動させて、疎水処理ライン３Ｂから第２処理ライン４に基板Ｓを搬送する。そして、基板処理装置１は、第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５によって基板Ｓにフォトレジスト液を塗布し、基板Ｓにフォトレジスト膜を形成する。基板処理装置１は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓを搬送路３０ａに搬送する。 The substrate processing apparatus 1 performs a photoresist film forming process (S11). Specifically, as shown in FIG. 6B, the substrate processing apparatus 1 moves the substrate S downward by the conveyor transport mechanism 71 to transport the substrate S from the hydrophobic processing line 3B to the second processing line 4 . Then, the substrate processing apparatus 1 coats the substrate S with the photoresist liquid by the photoresist coating unit 25 of the second processing line 4 to form a photoresist film on the substrate S. FIG. The substrate processing apparatus 1 transports the substrate S on which the photoresist film is formed to the transport path 30a.

基板処理装置１は、第１熱処理を行う（Ｓ１２）。具体的には、基板処理装置１は、図６Ｃに示すように、第１搬送部１５によって基板Ｓを搬送路３０ａから減圧乾燥ユニット３０に搬送し、減圧乾燥ユニット３０によって基板Ｓを減圧乾燥させる。そして、基板処理装置１は、減圧乾燥させた基板Ｓを第１搬送部１５によって第１加熱ユニット３１に搬送し、第１加熱ユニット３１によって基板Ｓを加熱する。 The substrate processing apparatus 1 performs a first heat treatment (S12). Specifically, as shown in FIG. 6C, the substrate processing apparatus 1 transports the substrate S from the transport path 30a to the reduced pressure drying unit 30 by the first transport section 15, and the substrate S is dried under reduced pressure by the reduced pressure drying unit 30. . Then, the substrate processing apparatus 1 transports the substrate S dried under reduced pressure to the first heating unit 31 by the first transport section 15 , and the substrate S is heated by the first heating unit 31 .

さらに、基板処理装置１は、図６Ｄに示すように、第１加熱ユニット３１によって加熱した基板Ｓを、第１搬送部１５によって第１加熱ユニット３１の上方に配置された第２冷却ユニット３２に搬送する。そして、基板処理装置１は、第２冷却ユニット３２によって基板Ｓを冷却する。 Further, the substrate processing apparatus 1 transfers the substrate S heated by the first heating unit 31 to the second cooling unit 32 arranged above the first heating unit 31 by the first transfer section 15, as shown in FIG. 6D. transport. Then, the substrate processing apparatus 1 cools the substrate S by the second cooling unit 32 .

基板処理装置１は、第１搬送処理を行う（Ｓ１３）。具体的には、基板処理装置１は、図６Ｅに示すように、第２搬送部８Ａによって基板Ｓを第２冷却ユニット３２からロータリーステージ８Ｂに搬送し、ロータリーステージ８Ｂで基板Ｓを９０度回転させる。基板処理装置１は、第２搬送部８Ａによってロータリーステージ８Ｂから露光装置６１に基板Ｓを搬送する。そして、基板処理装置１は、第２搬送部８Ａによって基板Ｓを露光装置６１から周辺装置６２に搬送する。 The substrate processing apparatus 1 performs a first transfer process (S13). Specifically, as shown in FIG. 6E, the substrate processing apparatus 1 transfers the substrate S from the second cooling unit 32 to the rotary stage 8B by the second transfer section 8A, and rotates the substrate S by 90 degrees on the rotary stage 8B. Let The substrate processing apparatus 1 transports the substrate S from the rotary stage 8B to the exposure device 61 by the second transport section 8A. Then, the substrate processing apparatus 1 transports the substrate S from the exposure device 61 to the peripheral device 62 by the second transport section 8A.

基板処理装置１は、現像処理を行う（Ｓ１４）。具体的には、基板処理装置１は、図６Ｆに示すように、基板Ｓを周辺装置６２から搬送路６２ａに搬送し、第３搬送部１６によって搬送路６２ａから第３処理ライン５の現像ライン５Ａに搬送する。そして、基板処理装置１は、現像ユニット４０によって基板Ｓを現像する。 The substrate processing apparatus 1 performs development processing (S14). Specifically, as shown in FIG. 6F, the substrate processing apparatus 1 transports the substrate S from the peripheral device 62 to the transport path 62a, and the third transport unit 16 transports the substrate S from the transport path 62a to the developing line of the third processing line 5. Transport to 5A. Then, the substrate processing apparatus 1 develops the substrate S by the developing unit 40 .

基板処理装置１は、洗浄処理を行う（Ｓ１５）。具体的には、基板処理装置１は、図６Ｇに示すように、基板Ｓをコンベア搬送機構７２によって上方に移動させ、基板Ｓを現像ライン５Ａから後洗浄ライン５Ｂに搬送する。そして、基板処理装置１は、洗浄ユニット４１によって基板Ｓを洗い流し、乾燥ユニット４２によって基板Ｓを乾燥させる。 The substrate processing apparatus 1 performs cleaning processing (S15). Specifically, as shown in FIG. 6G, the substrate processing apparatus 1 moves the substrate S upward by the conveyor transport mechanism 72 to transport the substrate S from the development line 5A to the post-cleaning line 5B. In the substrate processing apparatus 1 , the substrate S is washed away by the cleaning unit 41 and dried by the drying unit 42 .

基板処理装置１は、第２熱処理を行う（Ｓ１６）。具体的には、基板処理装置１は、リンス液を乾燥させた基板Ｓを、図６Ｈに示すように、第３処理ライン５の後洗浄ライン５Ｂから第４処理ライン６の加熱ライン６Ａに搬送する。基板処理装置１は、基板Ｓを第２加熱ユニット５０によって加熱する。基板処理装置１は、加熱した基板Ｓをコンベア搬送機構７３によって下方に移動させて、加熱ライン６Ａからから冷却ライン６Ｂに基板Ｓを搬送する。そして、基板処理装置１は、第３冷却ユニット５１によって基板Ｓを冷却する。 The substrate processing apparatus 1 performs a second heat treatment (S16). Specifically, the substrate processing apparatus 1 transports the substrate S on which the rinse liquid has been dried from the post-cleaning line 5B of the third processing line 5 to the heating line 6A of the fourth processing line 6, as shown in FIG. 6H. do. The substrate processing apparatus 1 heats the substrate S with the second heating unit 50 . The substrate processing apparatus 1 moves the heated substrate S downward by the conveyor transport mechanism 73 to transport the substrate S from the heating line 6A to the cooling line 6B. Then, the substrate processing apparatus 1 cools the substrate S by the third cooling unit 51 .

基板処理装置１は、第２搬送処理を行う（Ｓ１７）。具体的には、基板処理装置１は、図６Ｉに示すように、第３搬送部１６によって基板Ｓを冷却ライン６Ｂから検査ユニット６３に搬送する。基板処理装置１は、検査が終了した基板Ｓをカセットステーション２に搬送する。 The substrate processing apparatus 1 performs a second transfer process (S17). Specifically, the substrate processing apparatus 1 transports the substrate S from the cooling line 6B to the inspection unit 63 by the third transport section 16, as shown in FIG. 6I. The substrate processing apparatus 1 transports the substrate S that has been inspected to the cassette station 2 .

＜効果＞
基板処理装置１は、基板Ｓに前処理を行う第１処理ライン３（前処理ラインの一例）と、第１処理ライン３の下方に配置され、前処理が行われた基板Ｓにフォトレジスト液を塗布する第２処理ライン４（塗布ラインの一例）と、フォトレジスト液が塗布された基板Ｓを現像する現像ライン５Ａと、現像ライン５Ａの上方に配置され、現像された基板Ｓを洗浄する後洗浄ライン５Ｂ（洗浄ラインの一例）とを備える。 <effect>
The substrate processing apparatus 1 includes a first processing line 3 (an example of a preprocessing line) for preprocessing substrates S, and a photoresist liquid disposed below the first processing line 3 for preprocessing substrates S. , a developing line 5A for developing the substrate S coated with the photoresist solution, and a developing line 5A disposed above the developing line 5A for cleaning the developed substrate S. and a post-cleaning line 5B (an example of a cleaning line).

換言すると、基板処理装置１は、基板処理方法として、第１処理ライン３（前処理ラインの一例）によって基板Ｓに前処理を行う工程と、前処理が行われた基板Ｓに、第１処理ライン３の下方に配置された第２処理ライン４（塗布ラインの一例）によってフォトレジスト液を塗布する工程と、フォトレジスト液が塗布された基板Ｓを現像ライン５Ａで現像する工程と、現像された基板Ｓを、現像ライン５Ａの上方に配置された後洗浄ライン５Ｂ（洗浄ラインの一例）で洗浄する工程とを有する。 In other words, as a substrate processing method, the substrate processing apparatus 1 performs a step of pre-processing the substrate S by the first processing line 3 (an example of a pre-processing line), and performs the first processing on the pre-processed substrate S. a step of applying a photoresist liquid by a second processing line 4 (an example of a coating line) arranged below the line 3; a step of developing the substrate S coated with the photoresist liquid in a developing line 5A; and cleaning the substrate S in a post-cleaning line 5B (an example of a cleaning line) arranged above the development line 5A.

これにより、基板処理装置１は、第１処理ライン３と第２処理ライン４とを上下方向に並べて配置することで、基板Ｓを洗浄し、フォトレジスト膜を形成するラインにおける前後方向の長さを短くすることができる。また、基板処理装置１は、現像ライン５Ａと後洗浄ライン５Ｂとを上下方向に並べて配置することで、基板Ｓを現像し、洗浄するラインにおける前後方向の長さを短くすることができる。そのため、基板処理装置１は、前後方向の長さ、すなわち、基板処理装置１の全長を短くすることができる。 Accordingly, the substrate processing apparatus 1 arranges the first processing line 3 and the second processing line 4 side by side in the vertical direction so that the length of the line for cleaning the substrate S and forming the photoresist film in the front-rear direction is can be shortened. Further, in the substrate processing apparatus 1, the developing line 5A and the post-cleaning line 5B are vertically arranged, so that the length of the line for developing and cleaning the substrate S in the front-rear direction can be shortened. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can shorten the length of the front-back direction, ie, the overall length of the substrate processing apparatus 1 .

また、第１処理ライン３（前処理ラインの一例）は、基板Ｓを洗浄する前洗浄ライン３Ａと、前洗浄ライン３Ａに並列に配置され、前洗浄ライン３Ａによって洗浄された基板Ｓに疎水処理を行う疎水処理ライン３Ｂとを備える。 The first processing line 3 (an example of a pre-processing line) is a pre-cleaning line 3A for cleaning the substrates S, and is arranged in parallel with the pre-cleaning line 3A. and a hydrophobic treatment line 3B for performing

これにより、基板処理装置１は、第１処理ライン３の前後方向の長さを短くすることができ、基板処理装置１の全長を短くすることができる。 Thereby, the substrate processing apparatus 1 can shorten the length of the front-back direction of the 1st processing line 3, and the full length of the substrate processing apparatus 1 can be shortened.

また、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）は、疎水処理ライン３Ｂの下方に配置される。 A second processing line 4 (an example of a coating line) is arranged below the hydrophobic processing line 3B.

これにより、基板処理装置１は、基板Ｓを下方に移動させることで、基板Ｓを第２処理ライン４に搬送することができ、基板Ｓを容易に第２処理ライン４に搬送することができる。そのため、基板処理装置１は、例えば、基板Ｓを下方に移動させるコンベア搬送機構７１の構成を簡易にすることができる。 Thereby, the substrate processing apparatus 1 can transfer the substrate S to the second processing line 4 by moving the substrate S downward, and can easily transfer the substrate S to the second processing line 4 . . Therefore, the substrate processing apparatus 1 can simplify the configuration of the conveyor transfer mechanism 71 that moves the substrate S downward, for example.

また、現像ライン５Ａは、露光された基板Ｓが搬送される周辺装置６２（外部装置の一例）の上方に配置される。 Further, the development line 5A is arranged above a peripheral device 62 (an example of an external device) to which the exposed substrate S is transported.

これにより、基板処理装置１は、周辺装置６２の上部の空間を有効に利用することができ、装置全体を小型化することができる。 As a result, the substrate processing apparatus 1 can effectively utilize the space above the peripheral device 62, and the size of the entire apparatus can be reduced.

また、基板処理装置１は、周辺装置６２（外部装置の一例）によって処理が行われた基板Ｓを現像ライン５Ａに搬送するとともに、後洗浄ライン５Ｂ（洗浄ラインの一例）によって洗浄が行われた後の基板Ｓを搬送する第３搬送部１６（搬送部の一例）を備える。 Further, the substrate processing apparatus 1 conveys the substrate S processed by the peripheral device 62 (an example of an external device) to the development line 5A, and the substrate S is cleaned by the post-cleaning line 5B (an example of the cleaning line). A third transport section 16 (an example of a transport section) that transports the subsequent substrate S is provided.

これにより、基板処理装置１は、第３搬送部１６によって複数の搬送経路において基板Ｓを搬送することができ、搬送部の数を少なくし、コストを削減することができる。また、基板処理装置１は、装置全体を小型化することができる。 As a result, the substrate processing apparatus 1 can transport the substrates S along a plurality of transport paths by the third transport section 16, thereby reducing the number of transport sections and the cost. Further, the substrate processing apparatus 1 can be downsized as a whole.

また、基板処理装置１は、後洗浄ライン５Ｂ（洗浄ラインの一例）によって洗浄された基板Ｓに熱処理を行い、上下方向に積層して配置される加熱ライン６Ａ、および冷却ライン６Ｂ（熱処理ラインの一例）を備える。 Further, the substrate processing apparatus 1 performs heat treatment on the substrates S cleaned by the post-cleaning line 5B (an example of the cleaning line), and the heating line 6A and the cooling line 6B (heat treatment line) which are stacked vertically. example).

これにより、基板処理装置１は、前後方向の長さを短くすることができる。 Thereby, the substrate processing apparatus 1 can shorten the length in the front-rear direction.

また、加熱ライン６Ａ（熱処理ラインの一部の一例）は、第３搬送部１６（搬送部の一例）の上方に配置される。 Moreover, the heating line 6A (an example of a portion of the heat treatment line) is arranged above the third conveying section 16 (an example of the conveying section).

これにより、基板処理装置１は、後洗浄ライン５Ｂと加熱ライン６Ａとを前後方向に連続して配置することができる。そのため、基板処理装置１は、例えば、後洗浄ライン５Ｂと加熱ライン６Ａとを左右方向、または上下方向に積層することなく、配置することができる。従って、基板処理装置１は、装置全体を小型化することができる。 Thereby, the substrate processing apparatus 1 can continuously arrange the post-cleaning line 5B and the heating line 6A in the front-rear direction. Therefore, in the substrate processing apparatus 1, for example, the post-cleaning line 5B and the heating line 6A can be arranged without being stacked horizontally or vertically. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can be miniaturized as a whole.

（第２実施形態）
＜全体構成＞
次に、第２実施形態に係る基板処理装置１について図７を参照し説明する。図７は、第２実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。ここでは、第１実施形態とは異なる箇所を中心に説明し、第１実施形態と同じ構成については、第１実施形態と同じ符号を付し、説明は省略する。第２実施形態に係る基板処理装置１は、熱処理ユニット８０が第１実施形態とは異なっている。 (Second embodiment)
<Overall composition>
Next, a substrate processing apparatus 1 according to a second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment. Here, the description will focus on the parts that are different from the first embodiment, and the same components as in the first embodiment will be assigned the same reference numerals as in the first embodiment, and the description will be omitted. A substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment differs from the first embodiment in the heat treatment unit 80 .

熱処理ユニット８０は、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）８１と、第１加熱ユニット（ＰＥ／ＢＡＫＥ）８２と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）８３と、ロータリーステージ（ＲＯＴ）８４、８５とを備える。 The heat treatment unit 80 includes a vacuum drying unit (DP) 81, a first heating unit (PE/BAKE) 82, a second cooling unit (COL) 83, and rotary stages (ROT) 84,85.

減圧乾燥ユニット８１は、第１搬送部８６に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される。第１加熱ユニット８２、および第２冷却ユニット８３は、第１加熱ユニット８２、および第２冷却ユニット８３の順にＸ軸正方向に沿って配置される。また、第１加熱ユニット８２、および第２冷却ユニット８３と、減圧乾燥ユニット８１とは、左右方向に並んで配置される。減圧乾燥ユニット８１は、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）のフォトレジスト塗布ユニット２５から基板Ｓが搬送され、基板Ｓを減圧乾燥させる。 The reduced-pressure drying unit 81 is arranged adjacent to the first conveying section 86 in the positive direction of the X axis. The first heating unit 82 and the second cooling unit 83 are arranged in the order of the first heating unit 82 and the second cooling unit 83 along the positive direction of the X-axis. Also, the first heating unit 82, the second cooling unit 83, and the reduced-pressure drying unit 81 are arranged side by side in the left-right direction. The reduced-pressure drying unit 81 dries the substrate S under reduced pressure after the substrate S is transported from the photoresist coating unit 25 of the second processing line 4 (an example of a coating line).

第１加熱ユニット８２は、減圧乾燥され、平流し搬送される基板Ｓを加熱する。基板Ｓは、例えば、コロ搬送機構１４（図２参照）によってＸ軸正方向に沿って搬送される。第１加熱ユニット８２は、減圧乾燥された基板Ｓが平流し搬送されつつ、基板Ｓを加熱する。 The first heating unit 82 heats the substrate S that has been dried under reduced pressure and that is conveyed in a horizontal flow. The substrate S is transported along the X-axis positive direction by, for example, a roller transport mechanism 14 (see FIG. 2). The first heating unit 82 heats the substrate S while the substrate S dried under reduced pressure is conveyed in parallel flow.

第２冷却ユニット８３は、第１加熱ユニット８２によって加熱され、Ｘ軸正方向に沿って平流し搬送される基板Ｓを冷却する。 The second cooling unit 83 cools the substrate S that is heated by the first heating unit 82 and that is conveyed along the positive direction of the X-axis.

このように、熱処理ユニット８０では、平流し搬送される基板Ｓに対して、第１加熱ユニット８２による加熱と、第２冷却ユニット８３による冷却とが連続して行われる。 As described above, in the thermal processing unit 80, the substrate S conveyed in a horizontal flow is continuously heated by the first heating unit 82 and cooled by the second cooling unit 83. FIG.

ロータリーステージ８４は、第１搬送部８６に対してＹ軸負方向側に隣接して配置される。ロータリーステージ８４は、第１搬送部８６によって搬送される基板Ｓを９０度回転し、第１加熱ユニット８２に基板Ｓを搬送する。 The rotary stage 84 is arranged adjacent to the first transport section 86 on the Y-axis negative direction side. The rotary stage 84 rotates the substrate S transported by the first transport section 86 by 90 degrees and transports the substrate S to the first heating unit 82 .

ロータリーステージ８５は、第２冷却ユニット８３に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される。ロータリーステージ８５は、第２冷却ユニット８３によって冷却された基板Ｓが搬送され、基板Ｓを９０度回転する。 The rotary stage 85 is arranged adjacent to the second cooling unit 83 in the positive direction of the X axis. The rotary stage 85 carries the substrate S cooled by the second cooling unit 83 and rotates the substrate S by 90 degrees.

熱処理ユニット８０では、減圧乾燥ユニット８１は、第１加熱ユニット８２における基板Ｓの搬送方向に直交する方向である左右方向に、第１加熱ユニット８２と並んで配置される。 In the heat treatment unit 80 , the reduced-pressure drying unit 81 is arranged side by side with the first heating unit 82 in the left-right direction, which is the direction orthogonal to the transport direction of the substrate S in the first heating unit 82 .

第１搬送部８６は、前後方向、および左右方向に伸縮可能な搬送アーム８６Ａを備える。第１搬送部８６は、第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５から減圧乾燥ユニット８１に基板Ｓを搬送する。また、第１搬送部８６は、減圧乾燥ユニット８１からロータリーステージ８４に基板Ｓを搬送する。 The first transport section 86 includes a transport arm 86A that can extend and contract in the front-rear direction and the left-right direction. The first transport section 86 transports the substrate S from the photoresist coating unit 25 of the second processing line 4 to the reduced pressure drying unit 81 . Also, the first transport section 86 transports the substrate S from the reduced pressure drying unit 81 to the rotary stage 84 .

インターフェースステーション８の第２搬送部８Ａは、ロータリーステージ８５から露光システム６０の露光装置６１に基板Ｓを搬送する。 The second transport section 8A of the interface station 8 transports the substrate S from the rotary stage 85 to the exposure device 61 of the exposure system 60 .

基板処理装置１は、第１熱処理において、図８に示すように、第１搬送部８６によって第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５から減圧乾燥ユニット８１に基板Ｓを搬送する。図８は、第２実施形態に係る基板処理装置１の第１熱処理における基板Ｓの搬送経路を示す図である。なお、図８では、説明のため第１処理ライン３の疎水処理ライン３Ｂを省略している。 In the first heat treatment, the substrate processing apparatus 1 transports the substrate S from the photoresist coating unit 25 of the second processing line 4 to the reduced pressure drying unit 81 by the first transport section 86, as shown in FIG. FIG. 8 is a diagram showing the transport path of the substrate S in the first heat treatment of the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment. In FIG. 8, the hydrophobic treatment line 3B of the first treatment line 3 is omitted for explanation.

基板処理装置１は、減圧乾燥ユニット８１によって乾燥させた基板Ｓを第１搬送部８６によってロータリーステージ８４に搬送する。基板処理装置１は、ロータリーステージ８４によって基板Ｓを９０度回転させた後に、基板Ｓを第１加熱ユニット８２に搬送する。そして、基板処理装置１は、第１加熱ユニット８２によって基板Ｓを加熱し、第２冷却ユニット８３によって基板を冷却する。 The substrate processing apparatus 1 transports the substrate S dried by the reduced pressure drying unit 81 to the rotary stage 84 by the first transport section 86 . The substrate processing apparatus 1 transfers the substrate S to the first heating unit 82 after rotating the substrate S by 90 degrees using the rotary stage 84 . The substrate processing apparatus 1 heats the substrate S with the first heating unit 82 and cools the substrate with the second cooling unit 83 .

基板処理装置１は、第２冷却ユニット８３によって冷却した基板Ｓをロータリーステージ８５に搬送し、ロータリーステージ８５で基板Ｓを９０度回転する。なお、ロータリーステージ８５の上方に、基板Ｓを一時的に載置するバッファ部を設けてもよい。 The substrate processing apparatus 1 conveys the substrate S cooled by the second cooling unit 83 to the rotary stage 85, and rotates the substrate S on the rotary stage 85 by 90 degrees. A buffer section for temporarily placing the substrate S may be provided above the rotary stage 85 .

＜効果＞
基板処理装置１は、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）から基板Ｓが搬送され、基板Ｓを減圧乾燥させる減圧乾燥ユニット８１と、減圧乾燥され、平流し搬送される基板Ｓを加熱する第１加熱ユニット８２（加熱ユニットの一例）とを備える。減圧乾燥ユニット８１は、第１加熱ユニット８２における基板Ｓの搬送方向に直交する方向に第１加熱ユニット８２と並んで配置される。これにより、基板処理装置１は、前後方向の長さを短くすることができる。 <effect>
The substrate processing apparatus 1 includes a reduced-pressure drying unit 81 that dries the substrate S under reduced pressure to which the substrate S is conveyed from the second processing line 4 (an example of a coating line), and heats the substrate S that has been dried under reduced pressure and conveyed in a horizontal flow. and a first heating unit 82 (an example of a heating unit). The reduced-pressure drying unit 81 is arranged side by side with the first heating unit 82 in a direction perpendicular to the transport direction of the substrate S in the first heating unit 82 . Thereby, the substrate processing apparatus 1 can shorten the length in the front-rear direction.

（第３実施形態）
＜全体構成＞
次に、第３実施形態に係る基板処理装置１について図９を参照し説明する。図９は、第３実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。ここでは、第１実施形態とは異なる箇所を中心に説明し、第１実施形態と同じ構成については、第１実施形態と同じ符号を付し、説明は省略する。 (Third Embodiment)
<Overall composition>
Next, a substrate processing apparatus 1 according to a third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment. Here, the description will focus on the parts that are different from the first embodiment, and the same components as in the first embodiment will be assigned the same reference numerals as in the first embodiment, and the description will be omitted.

第３実施形態に係る基板処理装置１は、第３処理ライン５、および第４処理ライン６などが、第１処理ライン３、および第２処理ライン４に対して右方に配置されている。 In the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment, the third processing line 5 and the fourth processing line 6 are arranged on the right side of the first processing line 3 and the second processing line 4 .

また、第３実施形態に係る基板処理装置１は、熱処理ユニット９０が第１実施形態とは異なっている。 Also, the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment differs from the first embodiment in the heat treatment unit 90 .

熱処理ユニット９０は、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）９１と、第１加熱ユニット（ＰＥ／ＢＡＫＥ）９２と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）９３とを備える。減圧乾燥ユニット９１は、第１搬送部９５に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される。 The thermal processing unit 90 includes a reduced pressure drying unit (DP) 91 , a first heating unit (PE/BAKE) 92 and a second cooling unit (COL) 93 . The reduced-pressure drying unit 91 is arranged adjacent to the first conveying section 95 in the positive direction of the X axis.

第１加熱ユニット９２は、第１搬送部９５に対してＸ軸負方向側に隣接して配置される。すなわち、第１加熱ユニット９２は、第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５と、第１搬送部９５との間に配置される。 The first heating unit 92 is arranged adjacent to the first conveying section 95 on the X-axis negative direction side. That is, the first heating unit 92 is arranged between the photoresist coating unit 25 of the second processing line 4 and the first transport section 95 .

第１加熱ユニット９２は、上下方向に複数段配置されており、第１加熱ユニット９２の間には、フォトレジスト塗布ユニット２５から基板Ｓが搬送され、第１搬送部９５に基板Ｓを受け渡す搬送路９６が形成される。なお、搬送路９６は、第１加熱ユニット９２の上方、または下方に形成されてもよい。すなわち、第１加熱ユニット９２（加熱ユニットの一例）は、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）から基板Ｓが搬送される搬送路９６に積層され、基板Ｓを加熱する。 The first heating units 92 are arranged in a plurality of stages in the vertical direction. Between the first heating units 92, the substrate S is transported from the photoresist coating unit 25 and transferred to the first transport section 95. A transport path 96 is formed. Note that the transport path 96 may be formed above or below the first heating unit 92 . That is, the first heating unit 92 (an example of a heating unit) is stacked on the transport path 96 along which the substrate S is transported from the second processing line 4 (an example of the coating line), and heats the substrate S.

第２冷却ユニット９３は、第１加熱ユニット９２によって加熱された基板Ｓを冷却する。また、第２冷却ユニット９３は、基板Ｓを９０度回転させる。すなわち、第２冷却ユニット９３は、ロータリーステージとしての機能を有している。 The second cooling unit 93 cools the substrate S heated by the first heating unit 92 . Also, the second cooling unit 93 rotates the substrate S by 90 degrees. That is, the second cooling unit 93 functions as a rotary stage.

第１搬送部９５は、前後方向、および左右方向に伸縮可能な搬送アーム９５Ａ（ＳＡ）を備える。第１搬送部９５は、搬送路９６から減圧乾燥ユニット９１に基板Ｓを搬送する。また、第１搬送部９５は、減圧乾燥ユニット９１から第１加熱ユニット９２に基板Ｓを搬送する。また、第１搬送部９５は、第１加熱ユニット９２から第２冷却ユニット９３に基板Ｓを搬送する。 The first transport section 95 includes a transport arm 95A (SA) that can extend and contract in the front-rear direction and the left-right direction. The first transport section 95 transports the substrate S from the transport path 96 to the reduced pressure drying unit 91 . Also, the first transport section 95 transports the substrate S from the reduced pressure drying unit 91 to the first heating unit 92 . Also, the first transport section 95 transports the substrate S from the first heating unit 92 to the second cooling unit 93 .

基板処理装置１は、第１熱処理において、図１０に示すように、第１搬送部９５によって第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５から搬送路９６に搬送された基板Ｓを、第１搬送部９５によって搬送路９６から減圧乾燥ユニット９１に搬送する。図１０は、第３実施形態に係る基板処理装置１の第１熱処理における基板Ｓの搬送経路を示す図である。なお、図１０では、説明のため第１処理ライン３の疎水処理ライン３Ｂを省略している。 In the first heat treatment, the substrate processing apparatus 1 transports the substrate S transported from the photoresist coating unit 25 of the second processing line 4 to the transport path 96 by the first transport part 95 as shown in FIG. It is conveyed from the conveying path 96 to the reduced pressure drying unit 91 by the section 95 . FIG. 10 is a diagram showing the transport path of the substrate S in the first heat treatment of the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment. 10, the hydrophobic treatment line 3B of the first treatment line 3 is omitted for explanation.

基板処理装置１は、減圧乾燥ユニット９１によって乾燥させた基板Ｓを第１搬送部９５によって減圧乾燥ユニット９１から第１加熱ユニット９２に搬送する。基板処理装置１は、第１加熱ユニット９２によって加熱した基板Ｓを第１搬送部９５によって第１加熱ユニット９２から第２冷却ユニット９３に搬送する。そして、基板処理装置１は、第２冷却ユニット９３によって基板Ｓを冷却し、基板Ｓを９０度回転させる。 The substrate processing apparatus 1 transports the substrate S dried by the reduced pressure drying unit 91 from the reduced pressure drying unit 91 to the first heating unit 92 by the first transfer section 95 . The substrate processing apparatus 1 transfers the substrate S heated by the first heating unit 92 from the first heating unit 92 to the second cooling unit 93 by the first transfer section 95 . Then, the substrate processing apparatus 1 cools the substrate S by the second cooling unit 93 and rotates the substrate S by 90 degrees.

＜効果＞
基板処理装置１は、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）から基板Ｓが搬出される搬送路９６に積層され、基板Ｓを加熱する第１加熱ユニット９２（加熱ユニットの一例）を備える。 <effect>
The substrate processing apparatus 1 includes a first heating unit 92 (an example of a heating unit) stacked on a transport path 96 through which the substrate S is carried out from the second processing line 4 (an example of a coating line) to heat the substrate S.

これにより、基板処理装置１は、前後方向の長さを短くすることができる。基板処理装置１は、基板Ｓのサイズが大きく、例えば、減圧時の耐久性を向上させるために減圧乾燥ユニット９１のサイズが大きくなる場合に、減圧乾燥ユニット９１を搬送路９６に積層することなく配置するとともに、前後方向の長さを短くすることができる。 Thereby, the substrate processing apparatus 1 can shorten the length in the front-rear direction. In the substrate processing apparatus 1, when the size of the substrate S is large and, for example, the size of the reduced-pressure drying unit 91 is increased in order to improve the durability during reduced pressure, the reduced-pressure drying unit 91 is not stacked on the transport path 96. Along with the arrangement, the length in the front-rear direction can be shortened.

また、基板処理装置１は、図１０において破線で示す領域をメンテナンス領域とすることができ、基板処理装置１のメンテナンスを容易に行うことができる。基板処理装置１は、中央付近にメンテナンス領域を設けることができ、複数のユニットのメンテナンスを容易に行うことができる。 Further, in the substrate processing apparatus 1, the area indicated by the dashed line in FIG. 10 can be used as a maintenance area, and maintenance of the substrate processing apparatus 1 can be easily performed. A maintenance area can be provided near the center of the substrate processing apparatus 1, and maintenance of a plurality of units can be easily performed.

＜変形例＞
次に、本実施形態の変形例について説明する。 <Modification>
Next, a modified example of this embodiment will be described.

変形例に係る基板処理装置１は、熱処理ユニット７において、第１加熱ユニット３１と第２冷却ユニット３２とを上下方向に積層せずに配置してもよい。変形例に係る基板処理装置１は、例えば、第１加熱ユニット３１を第１搬送部１５の右方側に配置してもよい。この場合、第１搬送部１５は、前後方向、および左右方向に伸縮する搬送アームによって基板Ｓを搬送する。 In the substrate processing apparatus 1 according to the modification, the first heating unit 31 and the second cooling unit 32 may be arranged without being vertically stacked in the heat treatment unit 7 . The substrate processing apparatus 1 according to the modification may arrange the first heating unit 31 on the right side of the first transfer section 15, for example. In this case, the first transport unit 15 transports the substrate S by a transport arm that extends and contracts in the front-rear direction and the left-right direction.

また、変形例に係る基板処理装置１は、第２加熱ユニット５０をプレート式の加熱ユニットとしてもよい。 Also, in the substrate processing apparatus 1 according to the modification, the second heating unit 50 may be a plate-type heating unit.

また、変形例に係る基板処理装置１は、コンベア搬送機構７０～７２に替えて搬送アームを有する搬送機構によって基板Ｓを搬送してもよい。 Further, in the substrate processing apparatus 1 according to the modification, the substrate S may be transported by a transport mechanism having a transport arm instead of the conveyor transport mechanisms 70 to 72 .

また、変形例に係る基板処理装置１は、上記処理の一部を行ってもよい。例えば、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓを第１処理ライン３によって前処理を行った後に、基板Ｓをカセットステーション２に搬送してもよい。また、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓを第１処理ライン３に搬送せずに、カセットステーション２から第２処理ライン４に搬送してもよい。 Further, the substrate processing apparatus 1 according to the modification may perform part of the above processing. For example, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example may transfer the substrate S to the cassette station 2 after preprocessing the substrate S by the first processing line 3 . Further, the substrate processing apparatus 1 according to the modification may transfer the substrate S from the cassette station 2 to the second processing line 4 without transferring the substrate S to the first processing line 3 .

また、変形例に係る基板処理装置１は、第３処理ライン５による処理後、すなわち後洗浄ライン５Ｂの乾燥ユニット４２によって基板Ｓを乾燥した後に、基板Ｓを検査ユニット６３に搬送してもよい。この場合、変形例に係る基板処理装置１は、第３搬送部１６によって基板Ｓを乾燥ユニット４２から検査ユニット６３に搬送する。 Further, the substrate processing apparatus 1 according to the modification may transfer the substrate S to the inspection unit 63 after being processed by the third processing line 5, that is, after drying the substrate S by the drying unit 42 of the post-cleaning line 5B. . In this case, the substrate processing apparatus 1 according to the modification transfers the substrate S from the drying unit 42 to the inspection unit 63 by the third transfer section 16 .

このように、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓに対する処理の一部を実行してもよい。これにより、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓに対して、様々な処理を個別に行うことができる。 Thus, the substrate processing apparatus 1 according to the modification may perform a part of the processing on the substrate S. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the modification can perform various processes on the substrate S individually.

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be noted that the embodiments disclosed this time should be considered as examples in all respects and not restrictive. Indeed, the above-described embodiments may be embodied in many different forms. Also, the above-described embodiments may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.

１ 基板処理装置
３ 第１処理ライン（前処理ライン）
３Ａ 前洗浄ライン
３Ｂ 疎水処理ライン
４ 第２処理ライン（塗布ライン）
５ 第３処理ライン
５Ａ 現像ライン
５Ｂ 後洗浄ライン（洗浄ライン）
６ 第４処理ライン
６Ａ 加熱ライン（熱処理ライン）
６Ｂ 冷却ライン（熱処理ライン）
７ 熱処理ユニット
１５ 第１搬送部
１６ 第３搬送部（搬送部）
３０ 減圧乾燥ユニット
６２ 周辺装置（外部装置）
８０ 熱処理ユニット
８１ 減圧乾燥ユニット
８２ 第１加熱ユニット（加熱ユニット）
８３ 第２冷却ユニット
９２ 第１加熱ユニット（加熱ユニット）
９６ 搬送路 1 substrate processing apparatus 3 first processing line (preprocessing line)
3A Pre-cleaning line 3B Hydrophobic treatment line 4 Second treatment line (coating line)
5 Third processing line 5A Development line 5B Post-cleaning line (cleaning line)
6 fourth treatment line 6A heating line (heat treatment line)
6B cooling line (heat treatment line)
7 heat treatment unit 15 first transport section 16 third transport section (transport section)
30 vacuum drying unit 62 peripheral device (external device)
80 heat treatment unit 81 vacuum drying unit 82 first heating unit (heating unit)
83 Second cooling unit 92 First heating unit (heating unit)
96 transport path

Claims (10)

基板に前処理を行う前処理ラインと、
前記前処理ラインの下方に配置され、前記前処理が行われた前記基板にフォトレジスト液を塗布する塗布ラインと、
前記フォトレジスト液が塗布された前記基板を現像する現像ラインと、
前記現像ラインの上方に配置され、現像された前記基板を洗浄する洗浄ラインと、
を備える基板処理装置。 a pretreatment line for performing pretreatment on the substrate;
a coating line disposed below the pretreatment line for applying a photoresist solution to the substrate on which the pretreatment has been performed;
a developing line for developing the substrate coated with the photoresist solution;
a cleaning line disposed above the development line for cleaning the developed substrate;
A substrate processing apparatus comprising: 前記前処理ラインは、
前記基板を洗浄する前洗浄ラインと、
前記前洗浄ラインに並列に配置され、前記前洗浄ラインによって洗浄された前記基板に疎水処理を行う疎水処理ラインと
を備える請求項１に記載の基板処理装置。 The pretreatment line is
a pre-cleaning line for cleaning the substrate;
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a hydrophobic treatment line arranged in parallel with said pre-cleaning line and performing hydrophobic treatment on said substrates washed by said pre-cleaning line. 前記塗布ラインは、
前記疎水処理ラインの下方に配置される
請求項２に記載の基板処理装置。 The coating line is
The substrate processing apparatus according to claim 2, arranged below the hydrophobic processing line. 前記フォトレジスト液が塗布された前記基板を前記現像ラインに搬送するとともに、前記洗浄ラインによって洗浄が行われた後の前記基板を搬送する搬送部と
を備える請求項１～３のいずれか１つに記載の基板処理装置。 and a transport unit that transports the substrate coated with the photoresist solution to the development line and transports the substrate that has been cleaned by the cleaning line. The substrate processing apparatus according to . 前記洗浄ラインによって洗浄された前記基板に熱処理を行い、上下方向に積層して配置される熱処理ライン
を備える請求項４に記載の基板処理装置。 5. The substrate processing apparatus according to claim 4 , further comprising a heat treatment line that performs heat treatment on the substrates that have been washed by the washing line and that are arranged in a vertical stack. 前記熱処理ラインの一部は、
前記搬送部の上方に配置される
請求項５に記載の基板処理装置。 A part of the heat treatment line is
The substrate processing apparatus according to claim 5 , arranged above the transport section. 前記塗布ラインから前記基板が搬出される搬送路に積層され、前記基板を減圧乾燥させる減圧乾燥ユニット
を備える請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。 7. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6 , further comprising a reduced pressure drying unit that is stacked on a transfer path through which the substrate is carried out from the coating line and that dries the substrate under reduced pressure. 前記塗布ラインから前記基板が搬出される搬送路に積層され、前記基板を加熱する加熱ユニット
を備える請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。 7. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6 , further comprising a heating unit that is stacked on a transport path along which the substrate is carried out from the coating line and heats the substrate. 前記塗布ラインから前記基板が搬送され、前記基板を減圧乾燥させる減圧乾燥ユニットと、
前記減圧乾燥され、平流し搬送される前記基板を加熱する加熱ユニットと
を備え、
前記減圧乾燥ユニットは、
前記加熱ユニットにおける前記基板の搬送方向に直交する方向に、前記加熱ユニットと並んで配置される
請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。 a reduced-pressure drying unit that conveys the substrate from the coating line and dries the substrate under reduced pressure;
a heating unit that heats the substrate that has been dried under reduced pressure and is conveyed in a parallel flow;
The vacuum drying unit is
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6 , arranged side by side with the heating unit in a direction perpendicular to the transport direction of the substrate in the heating unit. 前処理ラインによって基板に前処理を行う工程と、
前記前処理が行われた前記基板に、前記前処理ラインの下方に配置された塗布ラインによってフォトレジストを塗布する工程と、
前記フォトレジストが塗布された前記基板を現像ラインで現像する工程と、
現像された前記基板を、前記現像ラインの上方に配置された洗浄ラインで洗浄する工程と
を有する基板処理方法。 pretreating the substrate by a pretreatment line;
applying a photoresist to the pretreated substrate by a coating line arranged below the pretreatment line;
developing the substrate coated with the photoresist in a development line;
and washing the developed substrate in a washing line arranged above the developing line.
JP2018162115A 2018-08-30 2018-08-30 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD Active JP7232596B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018162115A JP7232596B2 (en) 2018-08-30 2018-08-30 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
CN201910789074.0A CN110875227A (en) 2018-08-30 2019-08-26 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR1020190104589A KR20200026085A (en) 2018-08-30 2019-08-26 Substate processing apparatus and substate processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018162115A JP7232596B2 (en) 2018-08-30 2018-08-30 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020035935A JP2020035935A (en) 2020-03-05
JP7232596B2 true JP7232596B2 (en) 2023-03-03

Family

ID=69668692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018162115A Active JP7232596B2 (en) 2018-08-30 2018-08-30 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7232596B2 (en)
KR (1) KR20200026085A (en)
CN (1) CN110875227A (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4116917A4 (en) 2020-03-03 2023-11-08 Daikin Industries, Ltd. Work assistance device, work assistance program, terminal, and work assistance method
KR102643110B1 (en) * 2020-12-29 2024-03-04 주식회사 에스에프에이 Optical inspection system and optical inspection method
JP7405884B2 (en) * 2022-02-18 2023-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment
JP7350114B2 (en) * 2022-03-03 2023-09-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment and substrate processing method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340846A (en) 2005-06-17 2005-12-08 Yoshitake Ito Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, and method for manufacturing substrate
JP2007158253A (en) 2005-12-08 2007-06-21 Tokyo Electron Ltd Heat treatment equipment

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6235531A (en) * 1985-08-08 1987-02-16 Fujitsu Ltd Wafer underwater conveying mechanism
JP2611372B2 (en) * 1988-09-14 1997-05-21 三菱電機株式会社 Semiconductor manufacturing equipment
JP2002329661A (en) * 2001-04-27 2002-11-15 Yoshitake Ito Substrate processing device and method therefor, and method for manufacturing substrate
JP4049751B2 (en) * 2004-02-05 2008-02-20 東京エレクトロン株式会社 Coating film forming device
JP4324527B2 (en) * 2004-09-09 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 Substrate cleaning method and developing apparatus
KR100602129B1 (en) * 2004-12-30 2006-07-19 동부일렉트로닉스 주식회사 Method for forming pattern using multi-level exposure process
JP4955976B2 (en) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus and method thereof
JP4414909B2 (en) * 2005-02-14 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing equipment
KR100897850B1 (en) * 2007-06-18 2009-05-15 세메스 주식회사 Apparatus for processing a substrate
JP5274148B2 (en) * 2008-08-19 2013-08-28 東京エレクトロン株式会社 Processing system
JP5099054B2 (en) * 2009-03-13 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, coating and developing apparatus, coating and developing method, and storage medium
JP2010287686A (en) * 2009-06-10 2010-12-24 Tokyo Electron Ltd Coating/developing device, and method for cleaning back of substrate
JP5050018B2 (en) * 2009-08-24 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus and coating and developing method
JP5408059B2 (en) * 2010-07-09 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 Coating, developing device, coating, developing method and storage medium

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340846A (en) 2005-06-17 2005-12-08 Yoshitake Ito Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, and method for manufacturing substrate
JP2007158253A (en) 2005-12-08 2007-06-21 Tokyo Electron Ltd Heat treatment equipment

Also Published As

Publication number Publication date
CN110875227A (en) 2020-03-10
JP2020035935A (en) 2020-03-05
KR20200026085A (en) 2020-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7232596B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
KR20070061418A (en) Heat treatment unit
JP6754247B2 (en) Peripheral processing device and peripheral processing method
JP7018826B2 (en) Board processing equipment and board processing method
JP7186605B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP7142566B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP7232593B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP5512633B2 (en) Substrate processing system, substrate transfer method, program, and computer storage medium
JP5702263B2 (en) Substrate processing system, substrate transfer method, program, and computer storage medium
JP5689048B2 (en) Substrate processing system, substrate transfer method, program, and computer storage medium
JP2000100891A (en) Treatment device
TWI797325B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH10275766A (en) Substrate processing equipment
KR100917728B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN116705678B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2021093396A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2023076278A (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP5752827B2 (en) Substrate processing system, substrate transfer method, program, and computer storage medium
CN116804827B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2004186426A (en) Substrate processor
JP2022068194A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH11145246A (en) Wafer processor
KR20070080525A (en) Apparatus for transferring a substrate
JP2001345257A (en) Treatment device and method
KR20050103327A (en) Unit for transfer a wafer and spin scrubber having the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210709

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220830

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221014

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230124

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230220

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7232596

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150