KR100917728B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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KR100917728B1
KR100917728B1 KR1020030003925A KR20030003925A KR100917728B1 KR 100917728 B1 KR100917728 B1 KR 100917728B1 KR 1020030003925 A KR1020030003925 A KR 1020030003925A KR 20030003925 A KR20030003925 A KR 20030003925A KR 100917728 B1 KR100917728 B1 KR 100917728B1
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우시지마미쓰루
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

이동기구에 의해 용제노즐로부터 신나를 토출하면서 기판의 각 근처에 따라, 예를 들면 2왕복 또는 3왕복정도 이동시킴으로써, 기판의 둘레가장자리부만의 레지스트막을 제거하여, 어드히젼처리가 행하여졌을 때에 형성된 HMDS 가스에 의한 처리막을 노출된다. 다음에, 광파이버에 의해 자외선을 조사하면서 기판의 각 근처에 따라, 예를 들면 2왕복 또는 3왕복정도 이동시킴으로써, 기판의 둘레가장자리부에만 노출한 처리막을 제거한다. 이것에 의해, 기판둘레가장자리부에 노출한 처리막으로부터 아민계가스를 발생시키는 일이 없기 때문에 노광장치에 있어서의 노광렌즈나 미러, 그 밖의 기기류를 백탁시키는 것을 방지할 수 있다. When the thin film is discharged from the solvent nozzle by the moving mechanism and moved, for example, about two or three reciprocations around each of the substrates, the resist film of only the circumferential edge of the substrate is removed to form an adjuvant treatment. The treatment film by HMDS gas is exposed. Next, the optical fiber is irradiated with ultraviolet rays to move, for example, two round trips or three round trips around each of the substrates, thereby removing the treatment film exposed only at the periphery of the substrate. As a result, since the amine gas is not generated from the treatment film exposed at the edge of the substrate, it is possible to prevent clouding of the exposure lens, the mirror, and other devices in the exposure apparatus.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD} Substrate Processing Apparatus and Substrate Processing Method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

도 1은 본 발명의 일실시형태에 관한 도포현상처리시스템의 전체구성을 나타내는 평면도, 1 is a plan view showing the overall configuration of a coating and developing treatment system according to one embodiment of the present invention;

도 2는 도 1에 나타내는 도포현상처리시스템의 정면도, FIG. 2 is a front view of the coating and developing treatment system shown in FIG. 1;

도3은 도 1에 나타내는 도포현상처리시스템의 배면도,3 is a rear view of the coating and developing treatment system shown in FIG. 1;

도 4는 일실시형태에 관하는 레지스트처리 블록을 나타내는 평면도,4 is a plan view showing a resist processing block according to one embodiment;

도 5는 도 4에 나타내는 레지스트처리 블록의 측면도,5 is a side view of the resist processing block shown in FIG. 4;

도 6은 본 발명의 일실시형태에 관하는 에지리무버의 개략 사시도,6 is a schematic perspective view of an edge remover according to one embodiment of the present invention;

도 7은 일실시형태에 관하는 리무버헤드를 나타내는 단면도, 7 is a cross-sectional view showing a remover head according to one embodiment;

도 8은 도 7에 나타내는 리무버헤드의 평면도, 8 is a plan view of the remover head shown in FIG. 7;

도 9는 도 7에 나타내는 리무버헤드의 정면도, 9 is a front view of the remover head shown in FIG. 7;

도 10(a)는 기판둘레가장자리부의 레지스트막제거작용, (b)은 어드히션처리에 의해 처리막의 제거작용을 나타내는 단면도, 10 (a) is a cross sectional view showing a resist film removing action at the edge of the substrate;

도 11은 리무버헤드에 에어 실린더를 부착한 상태를 나타내는 측면도,11 is a side view showing a state in which an air cylinder is attached to the remover head;

도 12(a)은 용제노즐과 광파이버와의 위치관계를 나타내는 평면도이고, (b)는 그 처리막의 제거작용을 나타내는 측면도, 12 (a) is a plan view showing the positional relationship between the solvent nozzle and the optical fiber, (b) is a side view showing the removal action of the treated film;                 

도 13은 기판둘레가장자리부를 리무버헤드에 의해 주사시키는 상태를 나타내는 평면도,13 is a plan view showing a state in which the edge portion of the substrate is scanned by the remover head;

도 14는 세정노즐을 설치한 리무버헤드의 단면도,14 is a cross-sectional view of the remover head provided with a cleaning nozzle;

도 15는 별도의 실시형태에 관하는 에지리무버의 개략 사시도,15 is a schematic perspective view of an edge remover according to another embodiment;

도 16은 도 15에 나타내는 테두리형상부재의 단면도,16 is a cross-sectional view of the frame member shown in FIG. 15;

도 17은 히터의 기판둘레가장자리부에 대한 가열작용을 나타내는 사시도,17 is a perspective view showing a heating action on the edge portion of the substrate of the heater;

도 18은 다른 실시형태를 나타내는 광파이버일부분의 확대사시도,18 is an enlarged perspective view of a portion of an optical fiber showing another embodiment;

도 19는 더욱 별도의 실시형태에 관한 리무버헤드의 단면도,19 is a sectional view of a remover head according to another embodiment;

도 20은 더욱 별도의 실시형태에 관한 리무버헤드의 평면도,20 is a plan view of a remover head according to another embodiment;

도 21은 더욱 별도의 실시형태에 관하는 리무버헤드의 단면도이다. 21 is a cross-sectional view of the remover head according to yet another embodiment.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> <Description of the symbols for the main parts of the drawings>

G : 유리기판 S : 처리공간G: Glass substrate S: Processing space

A, B, C, D, E : 위치 Ga : 이면A, B, C, D, E: Position Ga: Backside

48 : 에지리무버 66 : 세정노즐 48: edge remover 66: cleaning nozzle

70 : 레지스트막 70a : 가장자리부분 70 resist film 70a edge portion

75 : 히터 80 : 처리막 75 heater 80 treated film

81 : 광파이버 81a : 투광면 81: optical fiber 81a: light transmitting surface

82a : 창문부 92 : 흡인구 82a: window portion 92: suction port

93 : 리무버헤드 93a : 상부헤드구성재93: remover head 93a: upper head component

93b : 하부헤드구성재 94 : 이동기구 93b: lower head member 94: moving mechanism                 

95 : 용제노즐 95: solvent nozzle

본 발명은 액정표시 디바이스등에 사용되는 유리기판에 형성된 처리막등을 제거하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and substrate processing method for removing a processing film or the like formed on a glass substrate used in a liquid crystal display device or the like.

LCD (Liquid Crystal Display: LCD)등의 제조공정에 있어서는, 피처리체인 LCD 용의 유리기판상에 ITO (Indium Tin Oxide)의 박막이나 전극패턴을 형성하기 위해서, 반도체 디바이스의 제조에 사용되는 것과 같은 포토리소그래피기술이 이용된다. 포토리소그래피기술에서는, 포토레지스트를 유리기판에 도포하여, 이것을 노광하고, 더욱 현상한다. In a manufacturing process such as an LCD (Liquid Crystal Display: LCD), a photo such as that used in the manufacture of a semiconductor device in order to form a thin film of ITO (Indium Tin Oxide) or an electrode pattern on a glass substrate for an LCD to be processed. Lithography techniques are used. In photolithography, a photoresist is applied to a glass substrate, which is then exposed and further developed.

또한, 이들 레지스트도포, 노광 및 현상의 각 공정의 전후로 있어서는, 소정의 가열처리나 냉각처리를 행하고 있고, 특히, 레지스트의 도포처리의 전공정에 있어서는, 어드히젼처리를 하고 있다. 이 어드히젼처리란, 유리기판과 레지스트막과의 밀착성을 향상시키기 위해서, 유리기판에 암모니아계의 가스(일반적으로는 HMDS 가스가 사용되고 있다)를 증기형상으로 하여 도포하고 있다. In addition, before and after each process of resist coating, exposure, and development, predetermined heat treatment or cooling treatment is performed, and in particular, in the pre-process of the resist coating treatment, an adjuvant treatment is performed. In this adjuvant treatment, in order to improve the adhesion between the glass substrate and the resist film, an ammonia-based gas (generally HMDS gas is used) is applied to the glass substrate in a vapor form.

그리고, 이 어드히젼처리후 레지스트막이 도포되지만, 후에 파티클의 발생을 방지하기 위해서, 레지스트막도포처리후에 유리기판의 둘레가장자리부에 도포된 여분인 레지스트막을 신나등의 용제에 의해 제거하고 있다. The resist film is applied after this adjuvant treatment. However, in order to prevent the generation of particles later, an extra resist film applied to the peripheral edge of the glass substrate after the resist film application is removed with a solvent such as thinner.

그렇지만, 이 둘레가장자리부의 레지스트제거처리가 이루어진 후, 유리기판은 노광장치에 반송되어 노광처리되지만, 이 때 노광장치에 있어서의 노광렌즈나 미러등이 백탁(白濁)한다고 하는 문제가 발생하고 있다. 이것은 레지스트막의 아래에 도포된 HMDS 가스에 의한 막이, 기판둘레가장자리부의 레지스트막을 제거한 후에 해당 둘레가장자리부에 노출하여, 이 부분으로부터 HMDS 가스를 구성하는 아민계의 가스, 예를 들면 황화 암모늄이 발생하여, 이 발생한 가스가 노광장치의 렌즈나 미러등에 부착하는 것이 원인이라고 생각된다. 이러한 문제에 의해, 예를 들면, 소정의 노광량으로 노광할 수 없는 등, 노광처리에 불량이 생기고 있다.   However, after the resist removal treatment of the peripheral edge portion is performed, the glass substrate is conveyed to the exposure apparatus for exposure processing, but a problem arises in that the exposure lens, the mirror or the like in the exposure apparatus becomes cloudy. This is because the film by the HMDS gas applied under the resist film removes the resist film around the edge of the substrate, and then is exposed to the periphery, whereby the amine gas constituting the HMDS gas, for example, ammonium sulfide, is generated. It is considered that the cause is that the generated gas adheres to the lens or mirror of the exposure apparatus. Due to such a problem, for example, a defect occurs in the exposure treatment, for example, the exposure cannot be performed at a predetermined exposure amount.

이상과 같은 사정을 감안해, 본 발명의 목적은 노광장치에 악영향을 주지 않고서 기판둘레가장자리부의 레지스트막을 제거할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것에 있다. In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of removing a resist film at the edge of a substrate without adversely affecting the exposure apparatus.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 관한 기판처리장치는 처리막과 이 처리막상에 도포된 도포막이 형성된 기판의 기판둘레가장자리부에 용제를 토출하여, 해당 둘레가장자리부의 도포막을 제거하는 도포막제거수단과, 상기 도포막이 제거된 기판둘레가장자리부에 노출한 상기 처리막을 제거하는 처리막제거수단을 구비하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus according to the present invention discharges a solvent to a substrate peripheral edge of a substrate on which a processing film and a coating film coated on the processing film are formed to remove the coating film for removing the coating film on the peripheral edge. Means, and processing film removing means for removing the processing film exposed to the edge portion of the substrate from which the coating film has been removed.

이러한 구성에 의하면, 도포막제거수단에 의해서 도포막이 제거된 후, 노출한 처리막이 처리막제거수단에 의해서 제거된다. 이것에 의해, 노광장치에 있어서의 노광 렌즈나 미러등이 백탁하는 원인이 되다, 예를 들면 어드히젼처리에 의해 형성된 처리막을 제거할 수 있으므로, 노광장치에 악영향을 주지 않고서 기판둘레 가장자리부의 도포막을 제거할 수 있다. According to this structure, after the coating film is removed by the coating film removing means, the exposed treatment film is removed by the processing film removing means. This causes whitening of the exposure lens, the mirror, and the like in the exposure apparatus. For example, since the treatment film formed by the adjuvant treatment can be removed, the coated film around the substrate can be removed without adversely affecting the exposure apparatus. Can be removed

도포막처리수단으로서, 용제노즐을 기판둘레가장자리부에 따라 이동시키면서 용제를 토출함으로써 도포막을 제거하는 것을 생각할 수 있다. 또한, 처리막제거수단으로서, 예를 들면 광파이버를 기판둘레가장자리부에 따라 이동시키면서 이 광파이버로부터 빛을 조사하는 것에 의해 처리막을 제거하는 것을 생각할 수 있고, 더욱 처리막에 오존수를 공급하는 것에 의해 해당 처리막을 제거하는 것도 생각될 수 있다. As the coating film treatment means, it is conceivable to remove the coating film by discharging the solvent while moving the solvent nozzle along the edge portion of the substrate. In addition, as the process film removing means, it is conceivable to remove the process film by irradiating light from the optical fiber while moving the optical fiber along the edge of the substrate, for example, and by supplying ozone water to the process film, It is also conceivable to remove the treatment film.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 광파이버에 의한 빛은 상기 도포막을 노광하기 위한 노광광의 파장성분을 포함하는 빛을 사용하는 것이 바람직하다. According to one aspect of the present invention, it is preferable to use light including the wavelength component of exposure light for exposing the coating film to light by the optical fiber.

또한, 도포막을 제거한 후에 노출하는 처리막을 가열하는 가열수단을 갖더라도 좋다. 이와 같이, 빛의 조사를 하기 전에 미리 처리막을 가열함으로써, 광조사에 의한 처리막의 박리작용을 촉진시킬 수 있다. Moreover, you may have the heating means which heats the process film exposed after removing a coating film. In this way, the peeling action of the treated film by light irradiation can be promoted by heating the treated film before the irradiation of light.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 도포막제거수단은 상기 용제를 토출하는 용제노즐을 유지한 유지부재와, 상기 유지부재를 기판의 둘레가장자리부에 따라 이동시키는 둘레가장자리이동기구를 구비하여, 상기 유지부재를 상기 둘레가장자리이동기구에 의해 이동시키면서 상기 용제를 토출하는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 의하면, 유지부재를 이동시키면서 용제를 토출할 수 있기 때문에, 효율 좋게 도포막 및 처리막을 제거할 수 있다. 또한, 유지부재에 광파이버가 고정되어 있는 경우에는, 유지부재를 이동시키면서 빛을 조사할 수 있기 때문에, 효율 좋게 처리막을 제거할 수 있다. According to one aspect of the present invention, the coating film removing means includes a holding member for holding a solvent nozzle for discharging the solvent, and a circumferential edge moving mechanism for moving the holding member along the periphery of the substrate, And discharging the solvent while moving the holding member by the circumferential edge movement mechanism. According to such a structure, since a solvent can be discharged, moving a holding member, a coating film and a process film can be removed efficiently. In addition, when the optical fiber is fixed to the holding member, since the light can be irradiated while the holding member is moved, the processed film can be removed efficiently.                         

이 광파이버의 투광면은 한변이 거의 상기 노출한 처리막의 폭과 같은 길이를 갖는 직사각형으로 되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 예를 들면, 유지부재에 의한 기판둘레가장자리부의 1왕로의 이동만에 의해, 처리막이 노출한 영역을 효율 좋게 제거할 수 있다. 또한, 광파이버에 의한 빛의 조사는 상기 도포막이 도포된 기판면의 이면측에서 행하여도 좋다. 예를 들면, 기판이 유리기판인 경우에는, 이면측에서 빛을 조사하더라도 유리기판의 표면측에 빛을 투과시킬 수 있다. It is preferable that the light-transmitting surface of this optical fiber becomes a rectangle whose length is substantially the same as the width of the exposed process film. Thereby, for example, the area | region exposed by the process film can be removed efficiently by only the movement of the edge part of the board | substrate edge by a holding member. In addition, you may irradiate light with an optical fiber from the back surface side of the board | substrate surface to which the said coating film was apply | coated. For example, when the substrate is a glass substrate, light can be transmitted to the surface side of the glass substrate even if light is irradiated from the back surface side.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 광파이버와 용제노즐이 상기 유지부재의 이동방향과 거의 평행하게 배치되어 있는 것을 특징으로 한다. 이 경우, 유지부재에 상기 이동방향과 직교하는 방향에 이동시키는 직교이동기구를 설치하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 유지부재를 상기 직교방향으로 이동시켜, 용제노즐 및 광파이버를 처리막상에서, 이 처리막의 폭방향으로 이동시킬 수 있게 된다. 따라서, 용제노즐 및 광파이버에 의해서 처리막이 제거된 범위가 넓게 되고, 적확하게 처리막이 제거되는 것이 된다. According to one aspect of the present invention, the optical fiber and the solvent nozzle are arranged in substantially parallel to the moving direction of the holding member. In this case, it is preferable to provide an orthogonal moving mechanism for moving the holding member in a direction orthogonal to the moving direction. As a result, the holding member can be moved in the orthogonal direction so that the solvent nozzle and the optical fiber can be moved in the width direction of the processing film on the processing film. Accordingly, the range in which the treatment film is removed by the solvent nozzle and the optical fiber is widened, and the treatment film is accurately removed.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 광파이버가 상기 용제노즐보다도 기판의 외측에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 의하면, 유지부재의 기판둘레가장자리부에 따른 이동만을 하여, 기판둘레가장자리부의 도포막이 제거된 후에 남은 도포막을 광파이버에 의한 광조사에 의해 노광되어 버리는 것을 방지할 수가 있다. According to one aspect of the present invention, the optical fiber is disposed outside the substrate than the solvent nozzle. According to this structure, only the movement along the edge of the substrate of the holding member can be performed, and the remaining coating film after the removal of the coating film on the edge of the substrate can be prevented from being exposed by light irradiation with an optical fiber.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 유지부재를 상기 이동방향과 직교하는 방향으로 이동시키는 직교방향이동기구를 더욱 구비하여, 유지부재를 상기 둘레 가장자리이동기구 및 직교방향이동기구에 의해서 교대로 이동시키면서, 상기 둘레가장자리부의 도포막을 제거함과 동시에, 순차 노출되어 가는 처리막을 제거하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이, 광파이버가 뒤따라 용제토출에 의해 순차 노출되어 가는 처리막을 제거하여 가는 것에 의해, 광파이버에 의해서 처리막이 제거되는 범위가 넓게 되어, 적확하게 처리막이 제거되는 것이 되고, 도포막 및 처리막을 효율적이고 또한 신속히 제거할 수가 있다. According to one aspect of the present invention, there is further provided an orthogonal direction moving mechanism for moving the holding member in a direction orthogonal to the moving direction, such that the holding member is alternately moved by the circumferential edge moving mechanism and the orthogonal direction moving mechanism. While removing the coating film of the circumferential edge portion, the treatment film which is sequentially exposed is removed. In this way, by removing the processing film which is subsequently exposed by the solvent discharging, the optical fiber is widened so that the processing film is removed by the optical fiber, so that the processing film can be removed accurately, and the coating film and the processing film are efficiently removed. It can also be quickly removed.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 광파이버의 투광면에 향하여 세정액을 분출하는 세정노즐을 더욱 구비하는 것을 특징으로 한다. 빛이 조사되는 것에 의해 가스화한 처리막이 광파이버의 투광면에 부착하여 해당 광파이버의 투광면을 백탁시키면, 광파이버의 투광면의 그 부착물에 의해서, 기판에 일정한 광조사를 얻을 수 없게 될 가능성을 생각할 수 있다. 본 발명에서는, 광파이버의 투광면의 백탁을 세정액으로 세정함에 의해, 이러한 사태를 회피할 수가 있다. 또한, 본 발명의 세정노즐은 유지부재와 일체적으로 이동할 수 있도록, 유지부재에 부착되어 있는 것으로도 할 수 있다. According to one aspect of the present invention, there is further provided a cleaning nozzle for ejecting the cleaning liquid toward the light transmitting surface of the optical fiber. If the gasified treatment film adheres to the light-transmitting surface of the optical fiber and makes the light-transmitting surface of the optical fiber cloudy, it is conceivable that a constant light irradiation cannot be obtained on the substrate by the attachment of the light-emitting surface of the optical fiber. have. In this invention, such a situation can be avoided by wash | cleaning the turbidity of the light transmission surface of an optical fiber with a washing | cleaning liquid. In addition, the cleaning nozzle of the present invention may be attached to the holding member so as to move integrally with the holding member.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 처리막을 제거할 때에 해당 처리막으로부터 발생하는 가스를 배출하는 수단을 더욱 구비하는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 의하면, 광조사에 의해서 가스화한 처리막을 배기할 수 있다. 이것에 의해, 상술한 광파이버의 투광면의 백탁을 방지할 수 있고, 또, 장치나 기기류의 오염을 방지할 수 있다. 또한, 이 배출하는 수단을 설치하는 것에 의해, 해당 세정의 때에 비산하는 세정액을, 제거된 도포막이나 처리막이 처리막부터의 발생가스 등과 동시에 배출할 수 있고, 더욱, 광파이버의 투광면도 건조시킬 수 있다. According to one aspect of the present invention, there is further provided a means for discharging the gas generated from the treatment film when the treatment film is removed. According to such a structure, the process film | membrane vaporized by light irradiation can be exhausted. As a result, the clouding of the light-transmitting surface of the optical fiber described above can be prevented, and contamination of devices and devices can be prevented. In addition, by providing this discharging means, the cleaning liquid scattered at the time of the washing can be discharged simultaneously with the generated gas from the processing film and the removed coating film and the processing film, and the light transmitting surface of the optical fiber can also be dried. have.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 광파이버는 둘레가장자리이동기구에 의한 상기 유지부재의 이동방향과는 다른 방향으로 복수 배열 설치되어 있다. 이것에 의해, 유지부재의 1왕로로 처리막을 제거할 수 있어, 보다 확실히 처리막을 제거할 수 있음과 동시에 스루풋를 향상시킬 수 있다. According to one aspect of the present invention, a plurality of optical fibers are arranged in a direction different from the moving direction of the holding member by a peripheral edge moving mechanism. As a result, the processing film can be removed in one path of the holding member, and the processing film can be removed more reliably, and the throughput can be improved.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 2이상의 상기 용제노즐로 기판을 사이에 두도록 상기 유지부재에 부착되어 있다. 이에 따라 기판의 표면측뿐만 아니라 이면측에 돌아 들어가서 부착한 도포막을 제거할 수 있다. According to one aspect of the present invention, two or more solvent nozzles are attached to the holding member so as to sandwich the substrate. Thereby, it can remove not only the surface side of a board | substrate but the back coating side, and the coating film which affixed.

본 발명에 관한 기판처리방법은, 처리막과 이 처리막상에 도포된 도포막이 형성된 기판의 기판둘레가장자리부에 용제를 토출하여, 해당 둘레가장자리부의 도포막을 제거하는 공정과, 상기 도포막이 제거된 기판둘레가장자리부에 노출한 상기 처리막을 제거하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. The substrate processing method according to the present invention is a step of discharging a solvent in a peripheral portion of a substrate on which a processing film and a coating film coated on the processing film are formed, removing the coating film of the peripheral edge portion, and the substrate on which the coating film is removed. And removing the treatment film exposed to the peripheral portion.

이하, 본 발명의 실시의 형태를 도면에 근거하여 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described based on drawing.

도 1은 본 발명의 반송장치가 적용되는 LCD 기판의 도포현상처리시스템을 나타내는 평면도이고, 도 2는 그 정면도, 또한 도 3은 그 배면도이다. 1 is a plan view showing a coating and developing processing system for an LCD substrate to which the conveying apparatus of the present invention is applied, FIG. 2 is a front view thereof, and FIG. 3 is a rear view thereof.

이 도포현상처리시스템(1)은 복수의 유리기판(G)을 수용하는 카세트(C)를 얹어 놓는 카세트스테이션(2)과, 기판(G)에 레지스트도포 및 현상을 포함하는 일련의 처리를 실시하기 위해서의 복수의 처리유니트를 구비한 처리부(3)와, 노광장치(32)와의 사이에서 기판(G)의 주고 받음을 행하기 위한 인터페이스부(4)를 구비하고, 처리부(3)의 양끝단에 각각 카세트스테이션(2) 및 인터페이스부(4)가 배치되어 있다. This coating and developing processing system 1 performs a series of processing including a cassette station 2 on which a cassette C containing a plurality of glass substrates G is placed, and a resist coating and development on the substrate G. And an interface unit 4 for exchanging the substrate G between the processing unit 3 having a plurality of processing units for exposing it, and the exposure apparatus 32, and both ends of the processing unit 3. At each stage, the cassette station 2 and the interface unit 4 are arranged.

카세트스테이션(2)은 카세트(C)와 처리부(3)와의 사이에서 LCD 기판의 반송을 행하기 위한 반송기구(10)를 구비하고 있다. 그리고, 카세트스테이션(2)에 있어서 카세트(C)의 반입출이 행하여진다. 또한, 반송기구(10)는 카세트의 배열방향을 따라서 설치된 반송로(12)상을 이동가능한 반송아암(11)을 구비하여, 이 반송아암(11)에 의해 카세트(C)와 처리부(3)와의 사이에서 기판(G)의 반송이 행하여진다. The cassette station 2 is provided with a conveyance mechanism 10 for conveying the LCD substrate between the cassette C and the processing unit 3. Then, the cassette C is loaded and unloaded in the cassette station 2. Moreover, the conveyance mechanism 10 is equipped with the conveyance arm 11 which can move on the conveyance path 12 provided along the arrangement direction of a cassette, and this conveyance arm 11 has the cassette C and the process part 3 The conveyance of the board | substrate G is performed between and.

처리부(3)에는 카세트스테이션(2)에 있어서의 카세트(C)의 배열방향(Y방향)으로 수직방향(X방향)으로 연장하여 설치된 주반송부(3a)와, 이 주반송부(3a)에 따라, 레지스트도포처리유니트(CT)를 포함하는 각 처리유니트가 병렬설치된 상류부 (3b) 및 현상처리유니트(DEV)(18)를 포함하는 각 처리유니트가 병렬설치된 하류부 (3c)가 설치된다. In the processing section 3, a main transport section 3a provided in the vertical direction (X direction) extending in the arrangement direction (Y direction) of the cassette C in the cassette station 2, and the main transport section 3a. According to this, an upstream part 3b in which each processing unit including a resist coating process unit CT is provided in parallel and a downstream part 3c in which each processing unit including a developing process unit DEV 18 are installed in parallel are provided. .

주반송부(3a)에는, X방향으로 연장하여 설치된 반송로(31)와, 이 반송로(31)에 따라 이동가능하게 구성되어 유리기판(G)을 X방향으로 반송하는 반송셔틀(23)이 설치되어 있다. 이 반송셔틀(23)은 예를 들면, 지지핀에 의해 기판(G)을 유지하여 반송하도록 되어 있다. 또한, 주반송부(3a)의 인터페이스부(4) 측단부에는, 처리부(3)와 인터페이스부(4)와의 사이에서 기판(G)의 주고 받음을 하는 수직반송유니트(7)가 설치된다. The main conveying part 3a has a conveying path 31 extending in the X direction and a conveying shuttle 23 configured to be movable along the conveying path 31 to convey the glass substrate G in the X direction. Is installed. This transfer shuttle 23 is for holding and conveying the board | substrate G with a support pin, for example. In addition, a vertical transfer unit 7 is provided at the interface portion 4 side end of the main transfer portion 3a to exchange the substrate G between the processing portion 3 and the interface portion 4.

상류부(3b)에서, 카세트스테이션(2)측단부에는, 기판(G)에 세정처리를 실시하는 스크러버세정처리유니트(SCR)(20)가 설치되어, 이 스크러버세정처리유니트 (SCR)(20)의 상단에 기판(G) 상의 유기물을 제거하기 위한 엑시머UV처리유니트(e-UV)(19)가 배치되어 있다. In the upstream section 3b, a scrubber cleaning processing unit (SCR) 20 for cleaning the substrate G is provided at the cassette station 2 side end, and the scrubber cleaning processing unit (SCR) 20 is provided. An excimer UV treatment unit (e-UV) 19 for disposing organic matter on the substrate G is disposed at the top of the.

스크러버세정처리유니트에(SCR)(20)의 이웃에는, 유리기판(G)에 대하여 열적처리를 하는 유니트가 다단으로 쌓아 올려진 열처리계 블록(24 및 25)이 배치되어 있다. 이들 열처리계 블록(24와 25)와의 사이에는, 수직반송유니트(5)가 배치되고, 반송아암(5a)가 Z방향 및 수평방향으로 이동가능하게 되고, 또한 θ방향으로 회전가능하게 되어 있는 것으로, 양 블록(24 및 25)에 있어서의 각 열처리계유니트에 액세스하여 기판(G)의 반송이 행해지도록 되어 있다. 또, 상기 처리부(3)에 있어서의 수직반송유니트(7)에 관해서도 이 수직반송유니트(5)와 동일한 구성을 갖고 있다. In the neighborhood of the scrubber cleaning processing unit (SCR) 20, heat treatment system blocks 24 and 25 in which units for thermal processing on the glass substrate G are stacked in multiple stages are arranged. Between these heat treatment system blocks 24 and 25, the vertical conveyance unit 5 is arrange | positioned, and the conveyance arm 5a is movable in a Z direction and a horizontal direction, and is rotatable in a (theta) direction. The substrate G is transported by accessing each of the heat treatment system units in both blocks 24 and 25. The vertical transfer unit 7 in the processing section 3 also has the same configuration as the vertical transfer unit 5.

도 2에 도시한 바와 같이, 열처리계 블록(24)에는, 기판(G)에 레지스트도포전의 가열처리를 실시하는 베킹유니트(BAKE)가 2단, HMDS 가스에 의해 소수화처리를 실시하는 어드히젼유니트(AD)가 아래로부터 순차로 적층되어 있다. 한편, 열처리계 블록(25)에는, 기판(G)에 냉각처리를 실시하는 쿨링유니트(COL)가 2단, 어드히젼유니트(AD)가 아래로부터 순차로 적층되어 있다. As shown in Fig. 2, in the heat treatment system block 24, an advice unit in which a backing unit BAKE, which heat-treats the resist coating on the substrate G, is subjected to two stages and hydrophobized by HMDS gas, is applied. (AD) is laminated sequentially from the bottom. On the other hand, in the heat treatment system block 25, the cooling unit COL which cools the board | substrate G is laminated | stacked in 2 steps, and theadhesion unit AD is laminated | stacked sequentially from the bottom.

열처리계 블록(25)에 인접하여 레지스트처리 블록(15)가 X방향으로 연장하여 설치되어 있다. 이 레지스트처리블록(15)는 기판(G)에 레지스트를 도포하는 레지스트도포처리유니트(CT)(49)와, 감압에 의해 상기 도포된 레지스트를 건조시키는 감압건조유니트(VD)(40)와, 본 발명에 관한 기판(G)의 둘레가장자리부의 레지스트를 제거하는 에지리무버(ER)(48)과가 일체적으로 설치되어 구성되고 있다. 이 레 지스트처리블록(15)에는 레지스트도포처리유니트(CT)(49)로부터 에지리무버(ER) (48)에 걸쳐서 이동하는 도시하지 않은 서브암이 설치되어 있고, 이 서브암에 의해 레지스트처리블록(15)내에서 기판(G)이 반송되도록 되어 있다. The resist processing block 15 extends in the X direction adjacent to the heat treatment block 25. The resist processing block 15 includes a resist coating unit (CT) 49 for applying a resist to the substrate G, a reduced pressure drying unit (VD) 40 for drying the applied resist under reduced pressure, The edge remover (ER) 48 which removes the resist of the peripheral part of the board | substrate G which concerns on this invention is comprised integrally, and is comprised. The resist processing block 15 is provided with a sub arm (not shown) which moves from the resist coating process unit (CT) 49 to the edge remover (ER) 48. The sub arm is provided with a resist processing block. The board | substrate G is conveyed in (15).

레지스트처리블록(15)에 인접하여 다단구성의 열처리계 블록(26)이 배치되어 있고, 이 열처리계 블록(26)에는, 기판(G)에 레지스트도포 후의 가열처리를 하는 프리베킹유니트(PREBAKE)가 3단 적층되어 있다. A multi-stage heat treatment system block 26 is disposed adjacent to the resist processing block 15, and the heat treatment block 26 is a pre-baking unit PREBAKE which heat-treats the resist after coating the substrate G. Is stacked in three stages.

하류부(3c)에서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 인터페이스부(4) 측단부에는, 열처리계 블록(29)이 설치되어 있고, 이것에는, 쿨링유니트(COL), 노광 후 현상처리전의 가열처리를 하는 포스트 엑스포져베킹유니트(PEBAKE)가 2단, 아래로부터 순차로 적층되고 있다. In the downstream part 3c, as shown in FIG. 3, the heat processing system block 29 is provided in the interface part 4 side end part, and it heat-processes before a cooling unit COL and post-exposure image development process. Post-exposure baking units (PEBAKE) are stacked in two stages, one after the other.

열처리계 블록(29)에 인접하여 현상처리를 하는 현상처리유니트(DEV) (18)가 X방향으로 연장하여 설치되어 있다. 이 현상처리유니트(DEV)(18)의 이웃에는 열처리계 블록(28 및 27)이 배치되고, 이들 열처리계 블록(28과 27)와의 사이에는, 상기 수직반송유니트(5)와 동일한 구성을 가지고, 양 블록(28 및 27)에 있어서의 각 열처리계 유니트에 액세스가능한 수직반송유니트(6)가 설치되어 있다. 또한, 현상처리유니트인(DEV)(18)끝단부의 위에는 i선처리유니트(i-UV)(33)가 설치되어 있다. A developing treatment unit (DEV) 18 which is developed adjacent to the heat treatment block 29 is provided extending in the X direction. Heat treatment system blocks 28 and 27 are disposed adjacent to the development processing unit (DEV) 18, and have the same configuration as the vertical transfer unit 5 between the heat treatment system blocks 28 and 27. The vertical transfer unit 6 accessible to each heat treatment system unit in both blocks 28 and 27 is provided. In addition, an i-line processing unit (i-UV) 33 is provided on the end portion of the development processing unit (DEV) 18.

열처리계 블록(28)에는, 쿨링유니트(COL), 기판(G)에 현상후의 가열처리를 하는 포스트베이킹유니트(POBAKE)가 2단, 아래로부터 순차로 적층되어 있다. 한편, 열처리계 블록(27)도 마찬가지로, 쿨링유니트(COL), 포스트베이킹유니트 (POBAKE)가 2단, 아래로부터 순차로 적층되어 있다. In the heat treatment block 28, a cooling unit COL and a post-baking unit POBAKE for performing post-development heat treatment on the substrate G are stacked in two stages sequentially. On the other hand, the heat treatment system block 27 is similarly laminated with the cooling unit COL and the post-baking unit POBAKE in two stages and sequentially from below.                     

인터페이스부(4)에는, 정면측에 타이틀러 및 주변노광유니트(Titler/EE)(22)가 설치되고, 수직반송유니트(7)에 인접하여 엑스텐션쿨링유니트(EXTCOL)(35)가 또한 배면측에는 버퍼카세트(34)가 배치되어 있고, 이들 타이틀러 및 주변노광유니트 (Titler/EE)(22)와 엑스텐션쿨링유니트(EXTCOL)(35)와 버퍼카세트 (34)와 인접한 노광장치(32)와의 사이에서 기판(G)의 주고 받음을 하는 수직반송유니트(8)가 배치되어 있다. 이 수직반송유니트(8)도 상기 수직반송유니트(5)와 동일한 구성을 갖고 있다. The interface unit 4 is provided with a titler and a peripheral exposure unit (Titler / EE) 22 on the front side, and an extension cooling unit (EXTCOL) 35 on the rear side adjacent to the vertical transfer unit 7. A buffer cassette 34 is disposed, between the titler and the peripheral exposure unit (Titler / EE) 22, the extension cooling unit (EXTCOL) 35, and the buffer cassette 34 and the adjacent exposure apparatus 32. The vertical transfer unit 8 is arranged to exchange the substrate G with each other. This vertical transfer unit 8 also has the same structure as the vertical transfer unit 5.

이상과 같이 구성된 도포현상처리시스템(1)의 처리공정에 대해서는, 우선 카세트(C) 내의 기판(G)이 처리부(3)부에서의 상류부(3b)로 반송된다. 상류부(3b)에서는, 엑시머UV처리유니트(e-UV)(19)에 있어서 표면개질·유기물제거처리가 행하여져, 다음에 스크러버세정처리유니트에(SCR)(20)에 있어서, 기판(G)이 약 수평으로 반송되면서 세정처리 및 건조처리가 행하여진다. 계속해서 열처리계 블록(24)의 최하단부에서 수직반송유니트에 있어서의 반송아암(5a)에 의해 기판(G)이 꺼내어지고, 동열처리계 블록(24)의 베킹유니트(BAKE)로써 가열처리, 어드히젼유니트(AD)로써, 유리기판(G)과 레지스트막과의 밀착성을 높이기 위해서, 기판(G)에 HMDS 가스를 분무하는 처리가 행해진다. 이 후, 열처리계 블록(25)의 쿨링유니트(COL)에 의한 냉각처리가 행하여진다. About the process of the coating and developing processing system 1 configured as described above, first, the substrate G in the cassette C is conveyed to the upstream portion 3b of the processing portion 3. In the upstream portion 3b, the surface modification and the organic matter removal treatment are performed in the excimer UV treatment unit (e-UV) 19, and then in the scrubber cleaning treatment unit (SCR) 20, the substrate (G). The cleaning treatment and the drying treatment are performed while being transported about horizontally. Subsequently, the substrate G is taken out by the transfer arm 5a in the vertical transfer unit at the lowermost end of the heat treatment system block 24, and the substrate G is subjected to heat treatment and addition by a baking unit BAKE of the same heat treatment system block 24. As the heat unit AD, a process of spraying the HMDS gas on the substrate G is performed in order to improve the adhesion between the glass substrate G and the resist film. Thereafter, cooling treatment by the cooling unit COL of the heat treatment system block 25 is performed.

다음에, 기판(G)은 반송아암(5a)에서 반송셔틀(23)에 주고받아진다. 그리고 레지스트 도포처리유니트(CT)에 반송되어, 레지스트의 도포처리가 행하여진 후, 감압건조처리유니트(VD)로써 감압건조처리, 에지리무버(ER)(48)으로써 기판둘레가장 자리의 레지스트제거처리가 순차 행하여진다. Next, the board | substrate G is exchanged with the conveyance shuttle 23 by the conveyance arm 5a. After the substrate is conveyed to the resist coating unit CT and subjected to the resist coating process, the reduced pressure drying unit VD is used for the reduced pressure drying process, and the edge remover ER 48 removes the resist around the edges of the substrate. Is performed sequentially.

다음에, 기판(G)은 반송셔틀(23)로부터 수직반송유니트(7)의 반송아암에 주고받아지고, 열처리계 블록(26)에 있어서의 프리베킹유니트(PREBAKE)로써 가열처리가 행하여진 후, 열처리계 블록(29)에 있어서의 쿨링유니트(COL)로써 냉각처리가 행하여진다. 계속해서 기판(G)은 엑스텐션쿨링유니트(EXTCOL)(35)로써 냉각처리됨과 동시에 노광장치로써 노광처리된다. Subsequently, the substrate G is exchanged from the transfer shuttle 23 to the transfer arm of the vertical transfer unit 7 and subjected to heat treatment by a pre-baking unit PREBAKE in the heat treatment system block 26. The cooling treatment is performed by the cooling unit COL in the heat treatment system block 29. Subsequently, the substrate G is cooled by an extension cooling unit EXTCOL 35 and exposed by an exposure apparatus.

다음에, 기판(G)은 수직반송유니트(8 및 7)의 반송아암을 통해 열처리계 블록(29)의 포스트엑스포져베킹유니트(PEBAKE)에 반송되고, 여기서 가열처리가 행하여진 후, 쿨링유니트(COL)로써 냉각처리가 행하여진다. 그리고 기판(G)는 수직반송유니트(7)의 반송아암을 통해, 현상처리유니트(DEV)(18)에 있어서, 기판(G)은 약 수평으로 반송되면서 현상처리, 린스처리 및 건조처리가 행하여진다. Subsequently, the substrate G is conveyed to the post-exposure baking unit PEBAKE of the heat treatment system block 29 through the conveyance arms of the vertical conveying units 8 and 7, where after the heat treatment is performed, the cooling unit Cooling treatment is performed by COL. Subsequently, the substrate G is conveyed about horizontally in the developing unit DEV 18 through the conveyance arm of the vertical conveyance unit 7, while the development process, the rinse process and the dry process are performed. Lose.

다음에, 기판(G)은 열처리계 블록(28)에 있어서의 최하단으로부터 수직반송유니트(6)의 반송암(6a)에 의해 주고받아지고, 열처리계 블록(28또는 27)에 있어서의 포스트베킹유니트(POBAKE)로써 가열처리가 행하여져, 쿨링유니트(COL)로써 냉각 처리가 행하여진다. 그리고 기판(G)은 반송기구(10)에 주고받아지고 카세트(C)에 수용된다. Subsequently, the substrate G is transmitted and received by the transfer arm 6a of the vertical transfer unit 6 from the lowest end in the heat treatment system block 28, and post-baking in the heat treatment system block 28 or 27. The heat treatment is performed by the unit POBAKE, and the cooling treatment is performed by the cooling unit COL. And the board | substrate G is exchanged with the conveyance mechanism 10, and is accommodated in the cassette C. As shown in FIG.

도 4 및 도 5는 레지스트처리블록(15)을 나타내는 개략평면도 및 개략측면도이다. 이들 레지스트도포유니트(CT)(49), 감압건조유니트(VD)(40), 및 에지리무버 (48)은 도시한 바와 같이, 동일한 스테이지에 일체적으로 병렬되어 있다. 4 and 5 are schematic and schematic side views showing the resist processing block 15. These resist coating units (CT) 49, the reduced pressure drying unit (VD) 40, and the edge remover 48 are integrally parallel to the same stage, as shown.

감압건조유니트(VD)(40)은 하부챔버(61)와, 그 위를 덮도록 설치되고, 그 내 부의 처리공간을 기밀하게 유지하는 상부챔버(62)를 갖고 있다. 하부챔버(61)에는 기판(G)을 얹어 놓기 위한 스테이지(63)가 설정되어, 하부챔버(61)의 각 코너 일부에는, 4개의 배기구(64)가 설치되어, 이 배기구(64)에 연통된 배기관(65)이 터보분자배기펌프등의 배기펌프(도시 생략)에 접속되어 있다. 그리고, 하부챔버(61)과 상부챔버(62)와가 밀착한 상태로 그 중의 처리공간을 배기함으로써, 소정의 진공도에 감압되도록 구성되어 있다. The reduced pressure drying unit (VD) 40 is provided to cover the lower chamber 61 and the upper chamber 62, and has an upper chamber 62 to keep the processing space therein tight. The lower chamber 61 is set with a stage 63 for mounting the substrate G. Four exhaust ports 64 are provided at a part of each corner of the lower chamber 61 to communicate with the exhaust ports 64. The exhaust pipe 65 is connected to an exhaust pump (not shown) such as a turbomolecular exhaust pump. Then, the lower chamber 61 and the upper chamber 62 are in close contact with each other to exhaust the processing space therein, so that the pressure is reduced to a predetermined degree of vacuum.

또한, 레지스트도포유니트(CT)(49)의 거의 중앙에는, 유저원통형의 컵(71)이 배치되어, 컵(71)내에는 유리기판(G)을 고정유지하기 위한 유지부재인 기판흡착테이블(58)이 배치되어 있다. In addition, a user cylindrical cup 71 is disposed almost at the center of the resist coating unit CT, and the substrate adsorption table serving as a holding member for holding and holding the glass substrate G in the cup 71. 58) is arranged.

이들 레지스트도포유니트(CT)(49), 감압건조유니트(VD)(40), 및 에지리무버 (ER)(48)사이에 있어서의 기판(G)의 반송은 아암(41,42)에 의해 행해지도록 되어 있다. The transfer of the substrate G between these resist coating units (CT) 49, the reduced pressure drying unit (VD) 40, and the edge remover (ER) 48 is performed by the arms 41 and 42. It is supposed to be.

다음에 본 발명의 일실시형태에 관한 에지리무버(ER)(48)에 관해서 설명한다. 도 6에 도시한 바와 같이, 유리기판(G)을 얹어 놓기 위한 스테이지(91)가 설치된다. 이 스테이지(91)에 유리기판(G)이 얹어 놓여진 상태에 있어서, 유리기판 (G)의 둘레가장자리부인 사방에는, 유리기판(G)의 둘레가장자리부의 에지로부터 여분인 레지스트를 제거하기 위한 4개의 리무버헤드(93)가 기판(G)의 사방에 따라 이동가능하게 설치되어 있다. 이 사방에 따라 이동은 이동기구(94)에 의해 행하여지도록 구성되어 있고, 이 이동기구(94)는 각 리무버헤드(93)를 지지하는 지지부재 (36)와, 이 지지부재(36)를 기판(G)의 사방에 평행하게 이동시키는 예를 들면 도시 하지 않은 벨트구동기구를 갖고 있다. Next, an edge remover (ER) 48 according to one embodiment of the present invention will be described. As shown in Fig. 6, a stage 91 for mounting the glass substrate G is provided. In the state where the glass substrate G is placed on the stage 91, four sides for removing excess resist from the edges of the peripheral portion of the glass substrate G are provided on all sides of the peripheral portion of the glass substrate G. The remover head 93 is provided to be movable along the board | substrate G in all directions. The movement is performed by the movement mechanism 94 in this direction, and this movement mechanism 94 supports the support member 36 which supports each remover head 93, and this support member 36 is a board | substrate. For example, it has a belt drive mechanism not shown in the figure which moves parallel to all directions of (G).

도 7, 도 8 및 도 9는 상기 리무버헤드(93)의 단면도, 평면도 및 정면도이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 리무버헤드(93)는 상부헤드구성재(93a)와 하부헤드구성재(93b)를 가지고, 이들을 상하방향으로 대향시켜 처리공간(S)를 구비한 단면 약 ㄷ자형상으로 형성되어 있다. 또한, 이 리무버헤드(93)는 이 리무버헤드(93)의 기초끝단부측에 통하여 흡인구(92)를 가지고, 이 흡인구(92)에는, 도시하지 않은 진공펌프등에 접속되어 처리공간(S) 내의 분위기가 흡인되도록 되어 있다. 7, 8, and 9 are a cross-sectional view, a plan view, and a front view of the remover head 93. As shown in FIG. 7, the remover head 93 has an upper head component 93a and a lower head component 93b, and is formed in a cross-sectional shape having a treatment space S so as to face each other in the vertical direction to have a C shape. It is. The remover head 93 has a suction port 92 through the base end side of the remover head 93. The remover head 93 is connected to a vacuum pump or the like not shown in the drawing, and the processing space S is provided. The atmosphere inside is sucked in.

상부헤드구성재(93a)에는, 상부헤드구성재(93a)와 하부헤드구성재(93b)와의 사이의 처리공간(S) 내에 기판(G)의 둘레가장자리부를 위치시키었을 때에, 불필요한 레지스트막(70)을 제거하는 부분에 향하여 용제를 토출하기 위한 용제노즐(95)이 고정되어 있다. 용제노즐(95)에는, 다른 설치의 예를 들면, 탱크등을 구비한 용제공급원(96)으로부터, 공급관(21)을 통해 질소가스등에 의한 압송에 의해 용제, 예를 들면 신나가 소정압으로 공급되도록 되어 있다. 이것에 의해, 각 리무버헤드 (93)는 기판(G)의 각 근처에 따라 이동하여 신나를 토출하면서, 기판(G)의 사방의 에지에 부착한 여분인 레지스트막(70)을 제거할 수 있다. In the upper head structural member 93a, an unnecessary resist film 70 is placed when the peripheral edge of the substrate G is placed in the processing space S between the upper head structural member 93a and the lower head structural member 93b. The solvent nozzle 95 for discharging the solvent toward the part to be removed is fixed. The solvent nozzle 95 is supplied at a predetermined pressure by a solvent, for example, thinner, from another solvent, for example, from a solvent supply source 96 having a tank or the like through a supply pipe 21 by pressure of nitrogen gas or the like. It is supposed to be. Thereby, each remover head 93 can remove the excess resist film 70 adhering to the four edges of the board | substrate G, moving along each angle of the board | substrate G, and discharging a thinner. .

용제노즐(95)은 가는 선재의 중에 토출구와 같은 지름의 유통부(도시하지 않음)이 형성되어 이루어지는 중공(中空)구조를 갖는다. 일반적으로 사용되고 있는 예를 들면 용제노즐(95)의 토출구의 지름은 약 260μm 정도이다. 그리고 탱크(96)에 가하는 질소가스의 압력은 약 1kg/cm2정도이고, 이것에 의해서 매분 40 ml 정도 의 용제가 기판(G)의 표리면의 둘레가장자리부에 대하여 토출되어, 불필요한 레지스트막(70)이 용해되어 기판(G) 상에서 제거되도록 되어 있다. 본 실시형태에서는, 예를 들면 도 8에 도시한 바와 같이 기판(G)의 끝단부로부터 0.5 mm∼10 mm의 범위로 레지스트막을 제거하는 것이 가능해지고 있다. 또한, 토출된 용제나 용해한 레지스트액은 상기 흡인구(92)로부터 흡인되어 외부로 배출되도록 되어 있다. The solvent nozzle 95 has a hollow structure in which a distribution part (not shown) having the same diameter as the discharge port is formed in the thin wire. For example, the diameter of the discharge port of the solvent nozzle 95 used generally is about 260 micrometers. The pressure of the nitrogen gas applied to the tank 96 is about 1 kg / cm 2 , whereby a solvent of about 40 ml per minute is discharged with respect to the periphery of the front and back surfaces of the substrate G, thereby unnecessary resist film ( 70) is dissolved and removed on the substrate (G). In this embodiment, for example, as shown in FIG. 8, the resist film can be removed from the end of the substrate G in the range of 0.5 mm to 10 mm. In addition, the discharged solvent and the dissolved resist liquid are sucked from the suction port 92 and discharged to the outside.

또한, 상부헤드구성재(93a)에는, 광파이버(81)가 그 투광면(81a)를 기판(G) 측에 향하여 고정되어 있고, 도시하지 않은 광원에 접속되어 있다. 이 광파이버 (81)와 용제노즐(95)와의 위치관계는, 예를 들면 도 8에 도시한 바와 같이, 기판 (G)의 한변과 거의 평행하게 되어 있다. 이 광파이버(81)는 레지스트막 (70)의 하층에 형성된 기판둘레가장자리부의 처리막(80)을 제거할 목적으로 설치되어, 각 리무버헤드(93)가 기판(G)의 각 근처에 따라 이동함으로써, 예를 들면, 광파이버(81)에 의해 자외선을 조사하면서, 기판(G)의 사방의 둘레가장자리부에 부착한 여분인 처리막(80)이 제거되도록 되어 있다. 여기서 사용하는 자외선은 예를 들면, 상기 노광장치(32)의 노광처리로 사용하는 노광파장성분을 포함하는 빛을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 각 리무버헤드(93)의 이동, 용제노즐(95)부터의 신나의 공급 및 정지, 광파이버(81)에 의한 자외선의 조사 및 정지등은 도시하지 않은 제어부에 의해 제어되도록 되어 있다. Moreover, the optical fiber 81 is fixed to the upper head structural material 93a toward the board | substrate G side, and the optical fiber 81 is fixed to it, and is connected to the light source which is not shown in figure. The positional relationship between the optical fiber 81 and the solvent nozzle 95 is, for example, substantially parallel to one side of the substrate G as shown in FIG. 8. The optical fiber 81 is provided for the purpose of removing the processing film 80 of the edge portion of the substrate formed in the lower layer of the resist film 70, so that each remover head 93 moves along the vicinity of the substrate G. As shown in FIG. For example, the extra processing film 80 adhering to the circumferential edge portions of the substrate G is removed while irradiating ultraviolet rays with the optical fiber 81. It is preferable to use the light containing the exposure wavelength component used for the exposure process of the said exposure apparatus 32 as the ultraviolet-ray used here, for example. Moreover, the movement of each remover head 93, the supply and stop of the thinner from the solvent nozzle 95, the irradiation of the ultraviolet ray by the optical fiber 81, and the like are controlled by the control part which is not shown in figure.

다음에, 이와 같이 구성된 에지리무버(ER)(48)의 작용에 관해서 설명한다. Next, the operation of the edge remover ER 48 configured as described above will be described.

레지스트막이 형성된 유리기판(G)이, 에지리무버(ER)(48)에 있어서의 스테이지(91)에 얹어 놓여진다. 그리고, 각 리무버헤드(93)가 각각 기판(G)의 각부(角 部)의 소정의 위치로 배치되어, 도 10(a)에 도시한 바와 같이, 이동기구(94)에 의해 용제노즐(95)로부터 신너를 토출하면서 기판(G)의 각 근처에 따라, 예를 들면 2왕복 또는 3왕복정도 이동시킴으로써, 기판(G)의 둘레가장자리부만의 레지스트막 (70)을 제거하여, 처리막(80)을 노출시킨다. 이 때, 제거된 레지스트막이 레지스트용해에 사용된 신나와 동시에, 흡인구(92) 의해 흡인되어 배출된다. 이 처리막 (80)은 상기 어드히젼처리가 행하여졌을 때에 형성된 HMDS 가스에 의한 처리막이다. The glass substrate G on which the resist film was formed is placed on the stage 91 in the edge remover ER 48. And each remover head 93 is arrange | positioned at the predetermined position of each part of the board | substrate G, respectively, and as shown in FIG.10 (a), the solvent nozzle 95 is carried out by the moving mechanism 94. FIG. ), While moving the thinner from the substrate G to each of the two round trips or three round trips along the vicinity of the substrate G, the resist film 70 only at the circumferential edge of the substrate G is removed. 80). At this time, the removed resist film is sucked and discharged by the suction port 92 at the same time as the thinner used for resist dissolution. This processing film 80 is a processing film by HMDS gas formed when the adjuvant treatment is performed.

다음에, 도 10(b)에 도시한 바와 같이, 광파이버(81)에 의해 자외선을 조사하면서 기판(G)의 각 근처에 따라, 예를 들면 2왕복 또는 3왕복정도 이동시킴으로써, 기판(G)의 둘레가장자리부에만 노출한 처리막(80)을 제거한다. 이와 같이 처리막(80)이 제거될 때에 처리막(80)로부터 가스가 발생하지만, 이것은 흡인구(92)부터의 흡인에 의해 해당 가스를 배기할 수 있다. 이러한 1개의 흡인구(92)에 의해, 레지스트막 및 처리막부터의 가스의 양자를 효율적으로 배출할 수 있다.Next, as shown in FIG. 10 (b), the substrate G is moved by, for example, two round trips or three round trips along the vicinity of the substrate G while irradiating ultraviolet rays with the optical fiber 81. The processing film 80 exposed only at the circumferential edge of is removed. In this way, gas is generated from the processing film 80 when the processing film 80 is removed. However, this gas can be exhausted by suction from the suction port 92. By this one suction port 92, both the gas from the resist film and the process film can be discharged efficiently.

본 실시형태에 의하면, 이 후의 공정에서 노광장치(32)로 기판(G)이 반송되더라도, 종래와 같이, 기판둘레가장자리부에 노출한 처리막(80)으로부터 아민계가스를 발생시키는 일이 없기 때문에 노광장치(32)에 있어서의 노광 렌즈나 미러, 그 밖의 기기류를 백탁시키는 것을 방지할 수 있고, 노광장치(32)에 대한 악영향을 회피할 수 있다. 또한, 노광장치(32)가 아니고, 레지스트도포처리의 직후의 프리베킹유니트(PREBAKE)나, 노광처리후의 현상처리유니트(DEV)등의 장치나 기기에 대한 악영향을 회피할 수가 있다. According to this embodiment, even if the substrate G is conveyed to the exposure apparatus 32 in a subsequent step, the amine gas is not generated from the processing film 80 exposed to the edge portion of the substrate as in the prior art. Therefore, clouding of the exposure lens, the mirror, and other devices in the exposure apparatus 32 can be prevented, and adverse effects on the exposure apparatus 32 can be avoided. In addition, adverse effects on the apparatus and apparatus, such as the pre-baking unit PREBAKE immediately after the resist coating process and the development processing unit DEV after the exposure process, can be avoided instead of the exposure apparatus 32.                     

또한, 본 실시형태에 있어서는, 도 11에 도시한 바와 같이, 이동기구(94)에 의해 이동하는 지지부재(36)에 예를 들면 에어 실린더(30)를 부착하도록 해도 좋다. 그리고 이 에어실린더(30)의 피스톤(30a)에 리무버헤드(93)의 기초끝단부측을 도시한 바와 같이 부착함으로써, 이동기구(94)에 의한 기판둘레가장자리부에 따른 지지부재(36)의 이동방향에 대하여 직교하는 방향으로 리무버헤드(93)를 이동시킬 수 있다. In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 11, you may make it attach the air cylinder 30 to the support member 36 which moves by the moving mechanism 94, for example. Then, by attaching the base end side of the remover head 93 to the piston 30a of the air cylinder 30 as shown, the movement of the support member 36 along the edge of the substrate by the moving mechanism 94 is performed. The remover head 93 can be moved in the direction orthogonal to the direction.

이러한 구성을 함으로써, 예를 들면, 우선 도 10(a)에 도시한 바와 같이, 리무버헤드(93)를 기판둘레가장자리부에 따라 예를 들면 2왕복 또는 3왕복정도 이동시킴으로써, 기판(G)의 둘레가장자리부만의 레지스트막(70)을 제거하여, 처리막 (80)을 노출시킨다. 그리고 다음에, 에어 실린더(30)에 의해, 예를 들면 리무버헤드(93)를 기판(G)에서 이간시키는 방향(도 11에 나타내는 X방향)으로 소정거리만 이동시킨다. 그리고, 광파이버(81)에 의해 자외선을 조사하면서 기판(G)의 각 근처에 따라, 예를 들면 2왕복 또는 3왕복 정도이동시킴으로써, 기판(G)의 둘레가장자리부에만 노출한 처리막(80)을 제거한다. By making such a configuration, for example, first, as shown in Fig. 10A, the remover head 93 is moved by two or three reciprocations, for example, along the edge of the substrate, so that the substrate G is moved. The resist film 70 of only the periphery is removed to expose the processing film 80. Next, the air cylinder 30 moves only a predetermined distance in the direction (X direction shown in FIG. 11), for example, in which the remover head 93 is separated from the substrate G. As shown in FIG. The processing film 80 exposed only to the circumferential edge portion of the substrate G is moved by, for example, two round trips or three round trips around each of the substrates G while irradiating ultraviolet rays with the optical fiber 81. Remove it.

이것에 의해, 예를 들면, 용제노즐(95)에 의한 신나토출과 광파이버(81)에 의한 자외선조사가 기판둘레가장자리부에 따른 이동방향과 동일 이동직선형상으로 행하여지는 것을 방지할 수 있다. 즉, 용제노즐(95)에 의해 레지스트막이 제거된 후의 둘레가장자리부이외로 남은 레지스트막의 가장자리부분을 광파이버(81)에 의한 자외선조사에 의해 노광되어 버리는 것을 방지할 수 있다. Thereby, for example, the thinner discharge by the solvent nozzle 95 and the ultraviolet irradiation by the optical fiber 81 can be prevented from being performed in the same moving linear shape as the moving direction along the edge of the substrate. In other words, it is possible to prevent the edge portion of the resist film remaining outside the peripheral edge portion after the resist film is removed by the solvent nozzle 95 from being exposed by ultraviolet irradiation with the optical fiber 81.

또한, 이러한 에어 실린더(30)를 설치하는 대신에, 용제노즐(95)와 광파이버 (81)와의 위치관계를, 도 12(a),(b)에 도시한 바와 같이, 광파이버(81)를 용제노즐 (95)보다 기판(G)의 외측으로 어긋나서 배치시키는 것에 의해서도, 리무버헤드(93)의 Y 방향의 이동만을 행하면 좋고, 상기한 바와 같은 둘레가장자리부이외로 남은 레지스트막의 가장자리부분(70a)를 광파이버(81)에 의한 자외선조사에 의해 노광되어 버리는 것을 방지할 수 있다. Instead of providing such an air cylinder 30, as shown in Figs. 12A and 12B, the positional relationship between the solvent nozzle 95 and the optical fiber 81 is used as the solvent. It is only necessary to move the remover head 93 in the Y direction by shifting the displacer out of the substrate G than the nozzle 95, and the edge portion 70a of the resist film remaining outside the peripheral edge as described above. Can be prevented from being exposed by ultraviolet irradiation with the optical fiber 81.

더욱, 도 11 및 도 12에 나타내는 형태를 조합하여, 도 13에 도시한 바와 같이, 용제노즐(95)에 의한 신나의 토출 및 광파이버(81)에 의한 자외선조사를 동시에 하면서, 유리기판(G)의 각부(A)로부터 차례로, 화살표방향으로 B→C→D→E→···와 같이 리무버헤드(93)를 이동시켜, 레지스트막(70) 및 처리막(80)을 제거할 수도 있다. 이 경우는 위치 A에서 위치 B의 이동인 최초의 리무버헤드(93)의 이동시에는, 용제노즐(95)에 의한 신나의 토출만 행하여 레지스트막을 제거하여, 위치 B에서 위치 D의 이동이후의 이동에 있어서는, 용제노즐(95)에 의한 신나의 토출 및 광파이버(81)에 의한 자외선조사를 동시에 행하므로써, 광파이버(81)가 뒤따르는 것으로 신나토출에 의해 서서히 노출되어 가는 처리막(80)을 제거하여 갈 수 있다. 또한, 이 경우, 위치 A에서 위치 B까지 및 위치 C에서 위치 D까지의 이동을 이동기구(94)에 의해 하여, 위치 B에서 위치 C까지 및 위치 D에서 위치 E까지의 이동을 에어 실린더(30)에 의해 행하도록 제어한다. Further, in combination with the forms shown in FIGS. 11 and 12, as shown in FIG. 13, the glass substrate G is simultaneously discharged by the solvent nozzle 95 and irradiated with ultraviolet rays by the optical fiber 81. The remover head 93 may be moved from the respective corner portions A in the arrow direction in the arrow direction as B → C → D → E → ... to remove the resist film 70 and the processing film 80. In this case, when the first remover head 93 is moved from position A to position B, only the thinner is discharged by the solvent nozzle 95, the resist film is removed, and the movement after the movement of position D from position B is performed. In this case, by simultaneously discharging the thinner by the solvent nozzle 95 and irradiating ultraviolet rays by the optical fiber 81, the processing film 80 gradually exposed by the thinner discharge is removed by following the optical fiber 81. I can go. In this case, the movement from the position A to the position B and the position C to the position D is performed by the moving mechanism 94, and the movement from the position B to the position C and the position D to the position E is carried out by the air cylinder 30. Control).

이러한 레지스트막(70)의 제거 및 처리막(80)의 제거를 동시에 행하므로써, 처리시간이 단축되고, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다. 또, 이 경우는, 리무버헤드(93)의 기판둘레가장자리부에 따른 이동속도를 통상의 리무버헤드(93)의 속도보 다 낮게 하는 등 함으로써, 확실히 레지스트막(70)을 제거하고, 또 확실히 처리막 (80)도 제거할 수 있다. By simultaneously removing such a resist film 70 and removing the processing film 80, processing time can be shortened and throughput can be improved. In this case, the resist film 70 is reliably removed and reliably processed by lowering the moving speed along the edge of the substrate of the remover head 93 than that of the normal remover head 93. Membrane 80 can also be removed.

다음에, 도 14를 참조하여, 본 발명의 별도의 실시형태에 관해서 설명한다. 또, 도 14에 있어서, 도 7, 도 8 및 도 9에 있어서의 구성요소와 동일한 것에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것으로 하여, 그 설명을 생략한다. Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 14. In addition, in FIG. 14, the same code | symbol is attached | subjected about the same thing as the component in FIG. 7, FIG. 8, and FIG. 9, and the description is abbreviate | omitted.

도 14를 참조하여, 리무버헤드(93)의 하부헤드구성재(93b)에는, 광파이버 (81)의 투광면(81a)에 향하여 세정액을 분출하는 세정노즐(66)이 부착되어 있다. 이 세정노즐(66)은 세정액공급관(67)을 개재하는 세정공급원(68)에 접속되어 있고, 이것에 의해 노즐(66)까지 세정액을 공급할 수 있도록 되어 있다. 또한, 세정액으로서는, 예를 들면, 순수 등을 사용하고 있다. With reference to FIG. 14, the cleaning nozzle 66 which sprays a cleaning liquid toward the light transmission surface 81a of the optical fiber 81 is attached to the lower head structure material 93b of the remover head 93. As shown in FIG. The cleaning nozzle 66 is connected to the cleaning supply source 68 via the cleaning solution supply pipe 67, whereby the cleaning solution can be supplied to the nozzle 66. As shown in FIG. As the cleaning liquid, pure water or the like is used, for example.

이것에 의해, 자외선을 조사하여 처리막(80)을 제거할 때에 발생하는 가스가 광파이버(81)의 투광면(81a)에 부착하여 투광면(81a)가 백탁하여 오염되더라도, 예를 들면 처리막(80)의 제거처리가 종료한 후에, 기판마다, 또는 소정의 기판의 매수마다, 세정노즐(66)에 의해 투광면(81a)에 향하여 세정액을 분출함에 의해, 해당 투광면(81a)의 백탁을 제거할 수 있다. 이것에 의해, 예를 들면, 광파이버(81)로부터 조사되는 자외선의 강도가 투광면(81a)의 부착물에 의해서 감소하는 것을 회피할 수가 있다. Thus, even if the gas generated when irradiating ultraviolet rays to remove the processing film 80 adheres to the light transmitting surface 81a of the optical fiber 81 and the light transmitting surface 81a becomes cloudy and contaminated, for example, the processing film After the removal process of 80 is finished, the cleaning liquid is ejected toward the light-transmitting surface 81a by the cleaning nozzle 66 for each substrate or every predetermined number of substrates, thereby causing the clouding of the light-transmitting surface 81a to be cloudy. Can be removed. Thereby, for example, it can avoid that the intensity | strength of the ultraviolet-ray irradiated from the optical fiber 81 decreases by the deposit of the light transmission surface 81a.

또한, 리무버헤드(93)에 설치되는 흡인구(92)부터의 흡인에 의해, 해당 세정의 때에 비산하는 세정액을, 제거된 레지스트막(70)이나 처리막(80), 이 처리막 (80)부터의 발생가스등과 동시에 배출할 수 있고, 이 흡인구(92)부터의 흡인의 효 과는 크다. Moreover, the resist film 70, the process film 80, and this process film 80 which remove | eliminate the washing | cleaning liquid scattered at the time of the said washing | cleaning by suction from the suction port 92 provided in the remover head 93 are carried out. The gas can be discharged at the same time as the generated gas and the like, and the effect of the suction from the suction port 92 is large.

또, 세정노즐(66)은 반드시 리무버헤드(93)에 고정되어 있지 않더라도 좋고, 특히 도시하지 않은 아암등 별도 고정하는 수단등을 설치하도록 해도 좋다. In addition, the cleaning nozzle 66 may not necessarily be fixed to the remover head 93, and a means for separately fixing an arm such as an arm not shown may be provided.

도 15는 더욱 별도의 실시형태에 관한 에지리무버(ER)(48)을 나타내는 개략 사시도이다. 본 실시형태로서는, 도 6에 나타내는 에지리무버(ER)(48)에 덧붙여 더욱 히터(75)가 구비되고 있다. 이 히터(75)는 예를 들면, 유리기판(G)의 크기와 거의 동일한 크기의 직사각형의 테두리형상을 이루는 중공의 테두리형상부재(88)와, 이 테두리형상부재(88)를 지지하는 지지부(73)와, 테두리형상부재(88)를 상하로 승강시키기 위한 모터(72)를 갖고 있다. 15 is a schematic perspective view showing an edge remover (ER) 48 according to another embodiment. In this embodiment, the heater 75 is further provided in addition to the edge remover ER 48 shown in FIG. 6. The heater 75 includes, for example, a hollow frame member 88 that forms a rectangular frame of substantially the same size as the size of the glass substrate G, and a support portion for supporting the frame member 88 ( 73 and a motor 72 for elevating the frame member 88 up and down.

도 16은 테두리형상부재(88)의 단면도이다. 테두리형상부재(88)는 도시하지 않은 기체공급원에서 기체를 받아들이는 기체공급구(74)와, 받아들인 기체를 가열하는 기체가열실(76)과, 가열한 기체를 유리기판(G) 상의 처리막(80)에 내뿜기 위한 기체분출구(85)를 갖는다. 또한, 기체를 가열하는 수단으로서, 예를 들면 기체가열실(76)에 니크롬선(78)을 갖는다. 16 is a cross-sectional view of the frame member 88. The rim member 88 is provided with a gas supply port 74 for receiving gas from a gas supply source (not shown), a gas heating chamber 76 for heating the gas received, and a heated gas on the glass substrate G. It has a gas outlet (85) for blowing out the membrane (80). Moreover, as a means for heating a gas, the nichrome wire 78 is provided in the gas heating chamber 76, for example.

본 실시형태에서는, 상기 실시형태와 같이, 우선, 용제노즐(95)로부터 신나가 토출되어, 유리기판(G)의 둘레가장자리부가 불필요한 레지스트막이 제거된 후, 리무버헤드(93)가 유리기판(G)에서 이격되어, 일단 퇴거한다. 이 리무버헤드(93)의 유리기판(G)에서 이간은, 상기한 바와 같이, 도 11로 나타내는 에어 실린더(30)등에 의해 행할 수 있다. In the present embodiment, as in the above embodiment, thinner is first discharged from the solvent nozzle 95, and the resist film unnecessary for the peripheral edge of the glass substrate G is removed, and then the remover head 93 is formed of the glass substrate G. Spaced apart), and once removed. The separation in the glass substrate G of the remover head 93 can be performed by the air cylinder 30 shown in FIG. 11 etc. as mentioned above.

다음에, 히터(75)가 유리기판(G)의 위쪽으로부터 모터(72)에 의해서 하강하 여, 유리기판(G)에 가까이 간다. 그리고, 도17에 도시한 바와 같이, 히터(75)로부터 온풍 또는 열풍이 분출되어, 유리기판(G)의 둘레가장자리부를 덮는 어드히젼처리에 의한 처리막을 가열한다. Next, the heater 75 descends by the motor 72 from the upper side of the glass substrate G, and approaches the glass substrate G. As shown in FIG. As shown in FIG. 17, warm air or hot air is blown out from the heater 75 to heat the treatment film by the adsorbing treatment covering the circumferential edge of the glass substrate G. As shown in FIG.

다음에, 처리막(80)이 충분히 가열되면, 히터(75)는 모터(72)에 의해서 상승하여, 유리기판(G)으로부터 멀어진다. 그리고, 다시 리무버헤드(93)가 유리기판 (G) 둘레가장자리부의 소정의 위치까지 접근하여, 광파이버(81)로부터 사출되는 자외선에 의해서 가열된 처리막(80)의 제거가 행하여진다. Next, when the processing film 80 is sufficiently heated, the heater 75 is raised by the motor 72 to move away from the glass substrate G. Then, the remover head 93 approaches the predetermined position of the edge portion of the glass substrate G, and the processing film 80 heated by the ultraviolet light emitted from the optical fiber 81 is removed.

이와 같이, 자외선조사를 하기 전에 미리 처리막(80)을 가열함으로써, 자외선 조사에 의한 처리막(80)의 박리작용을 촉진시킬 수 있다. In this manner, the treatment film 80 is heated in advance before the ultraviolet irradiation, so that the peeling action of the treatment film 80 by the ultraviolet irradiation can be promoted.

도 18은 광파이버 일부분의 다른 실시형태를 나타낸다. 예를 들면 원통부재 (82)에는, 다수의 광파이버가 묶여 설치되어 있고, 이 원통부재(82)의 투광면에는, 광파이버의 사출용의 창문부(82a)가 형성되고 있다. 이 창문부(82a)의 한변은 유리기판(G) 둘레가장자리부의 레지스트막이 제거되고, 처리막이 노출한 파선으로 나타내는 영역(39)의 폭과 동일 또는 이것 이하인 직사각형으로 형성되어 있다. 이러한 창문부(82a)의 형상에 의해, 예를 들면, 리무버헤드에 의한 기판둘레가장자리부의 1왕로의 이동만에 의해, 어드히젼처리에 의한 처리막이 노출한 영역(39)을 효율 좋게 제거할 수 있다. 이에 따라 처리시간도 저감하여 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다. 18 shows another embodiment of a portion of an optical fiber. For example, the cylindrical member 82 is provided with many optical fibers bundled together, and the window part 82a for ejecting the optical fiber is formed in the light transmission surface of this cylindrical member 82. As shown in FIG. One side of the window portion 82a is formed into a rectangle having a width equal to or less than the width of the region 39 indicated by the broken line exposed by the resist film removed from the edge of the glass substrate G. By the shape of the window portion 82a, for example, only the movement of the substrate peripheral edge portion by the remover head to the first path allows the region 39 exposed by the treatment film to be removed efficiently. have. As a result, processing time can be reduced, and throughput can be improved.

도 19에서는, 광파이퍼(81)가 리무버헤드(93)의 하부헤드구성재(93b)에 부착되어 있고, 그 투광면(81a)을 상부헤드구성재(93a)에 향하고 배치되어 있다. 이 경우, 기판(G)은 유리기판이기 때문에, 이 광파이버(81)에 의해, 유리기판(G)의 이면(Ga) 측에서 자외선을 투과시켜, 기판(G)의 표면에 형성된 처리막(80)에 조사할 수 있다. 이것에 의해, 예를 들면, 처리막(80)에 자외선을 조사시키었을 때에 발생하는 가스가 광파이버(81)의 투광면(81a)를 백탁시키는 것 등의 악영향을 방지할 수 있다. In FIG. 19, the optical piper 81 is attached to the lower head structural member 93b of the remover head 93, and the light transmitting surface 81a is disposed facing the upper head structural member 93a. In this case, since the substrate G is a glass substrate, the optical fiber 81 transmits ultraviolet rays from the back surface Ga side of the glass substrate G to form the treatment film 80 formed on the surface of the substrate G. You can check). As a result, for example, adverse effects such as clouding of the light transmitting surface 81a of the optical fiber 81 by the gas generated when the ultraviolet ray is irradiated to the processing film 80 can be prevented.

본 발명은 이상 설명한 실시형태에는 한정되는 것이 아니라 여러가지의 변형이 가능하다. This invention is not limited to embodiment described above, A various deformation | transformation is possible.

예를 들면, 상기 각 실시형태에 있어서, 어드히젼처리에 의한 처리막을 제거하는 수단과 하여 광파이버(81)를 예로서 올려 왔지만, 예를 들면, 해당 처리막에 오존수를 공급함으로써 이들을 제거할 수도 있다. For example, in each of the above embodiments, the optical fiber 81 is taken as an example as a means for removing the treatment film by the adjuvant treatment, but for example, these can be removed by supplying ozone water to the treatment film. .

또한, 상기 도 15∼도 17에 있어서 처리막을 가열하는 수단으로서 온풍 또는 열풍을 사용하는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 일없이 예를 들면 적외선등에 의해서 가열하더라도 좋다. In addition, although the warm air or hot air is used as a means for heating a process film | membrane in the said FIGS. 15-17, you may heat with infrared rays etc. without being limited to this.

또한, 처리막(80)을 제거하기 위한 광파이버(81)의 이동은 기판(G)의 한변의 왕복은 아니고, 1왕로의 이동만 이더라도 좋다. 또한, 레지스트막을 제거하기 위한 리무버헤드(93)의 이동회수가 미리 정해지고 있는 것이면, 광파이버(81)를 용제노즐(95)에 대하여, 리무버헤드(93)가 레지스트막제거를 위해 최후에 이동하는 진행방향의 후방측에 배치하여, 리무버헤드(93)가 해당 최후에 이동할 때에 동시에 광파이버(81)에 자외선을 조사하도록 하더라도 좋다. 이것에 의해, 더욱 처리시간을 저감하여 스루풋를 향상시킬 수 있다. In addition, the movement of the optical fiber 81 for removing the processing film 80 may be only the movement to one path, not the reciprocation of one side of the board | substrate G. In addition, if the number of movements of the remover head 93 for removing the resist film is determined in advance, the remover head 93 is moved last to remove the resist film from the optical fiber 81 with respect to the solvent nozzle 95. The rear side of the traveling direction may be disposed so that the optical fiber 81 can be irradiated with ultraviolet rays at the same time as the remover head 93 is moved last. This can further reduce processing time and improve throughput.                     

상기의 각 실시형태에 있어서, 광파이버(81)의 빛의 파장은 250 nm보다 큰 것인 것이 바람직하다. 파장이 250 nm보다 크게 함으로써, 레지스트가 노광되어 버리는 것을 방지할 수 있다. In each of the above embodiments, the wavelength of light of the optical fiber 81 is preferably greater than 250 nm. By making the wavelength larger than 250 nm, it is possible to prevent the resist from being exposed.

상기의 실시형태에서는, 레지스트막(70)을 제거할 때 및 처리막(80)을 제거할 때의 양자로 흡인구(92)부터의 배출을 하였다. 그러나 처리막(80)을 제거할 때만 배기를 하여 발생하는 HMDS 가스만을 배기하도록 해도 좋다. In the above embodiment, the discharge from the suction port 92 is discharged both when the resist film 70 is removed and when the processing film 80 is removed. However, only the HMDS gas generated by exhausting may be exhausted only when the processing film 80 is removed.

또한, 레지스트막(70)을 제거할 때 및 처리막(80)을 제거할 때의 양자로 흡인구(92)로부터의 배출을 하는 경우에, 처리막(80)을 제거하는 시에 있어서의 가스의 배기량을 레지스트막(70)을 제거할 때보다 증가시킬 수도 있다. In addition, when the resist film 70 is removed and the process film 80 is discharged from the suction port 92 by both, the gas at the time of removing the process film 80 is removed. The exhaust amount of may be increased than when the resist film 70 is removed.

상기 각 실시형태에 있어서, 처리공간(S)에서 광파이버(81)의 도시하지 않은 렌즈부부근을 양압으로 하여 처리막(80)을 제거하는 시에 발생하는 가스를 회수하는 회수부를 흡인구(92)에 덧붙여 설치하도록 해도 좋다. 이 경우, 회수부를 해당 렌즈의 근방에 설치하면 좋다.In each of the above embodiments, the suction port 92 which recovers the gas generated when the processing film 80 is removed with the positive portion of the optical fiber 81 near the lens portion (not shown) in the processing space S as a positive pressure. You may install in addition to). In this case, the recovery portion may be provided near the lens.

도 20, 도 21에 더욱 별도의 실시형태에 관한 리무버헤드를 나타낸다. 20 and 21 show a remover head according to another embodiment.

도 20에 나타내는 리무버헤드(93)에는 광파이버(81)가 복수 부착되어 있다. 본 실시형태에서는 예를 들면 3개의 광파이버(81)가 도면 중 X방향과 Y방향과의 사이의 경사 방향으로 배열설치되어 있지만, X방향에 배열설치하도록 해도 좋다. 부호95는 용제노즐이다. 이와 같은 구성에 의해, 리무버헤드(93)의 1왕로의 이동에 의해서, 처리막(80)이 노출한 부분전체가 복수의 광파이버(81)부터의 빛을 받는다. 이것에 의해 확실히 처리막(80)를 제거할 수가 있음과 동시에 스루풋을 향상시킬 수 있다. A plurality of optical fibers 81 are attached to the remover head 93 shown in FIG. 20. In the present embodiment, for example, three optical fibers 81 are arranged in an inclined direction between the X direction and the Y direction in the drawing, but may be arranged in the X direction. Reference numeral 95 is a solvent nozzle. By such a configuration, the entire portion exposed by the processing film 80 receives light from the plurality of optical fibers 81 by the movement of the remover head 93 to one path. As a result, the processing film 80 can be reliably removed, and throughput can be improved.

도 21에 나타내는 리무버헤드(93)에 있어서의 상부헤드구성부재(93a)와 하부헤드구성부재(93b)에 각각 용제노즐(95)이 부착되어 있다. 이와 같이 기판(G)을 사이에 두도록 용제노즐(95)을 부착함으로써, 기판(G)의 표면측 뿐만 아니라 이면측에 돌아 들어가서 부착한 레지스트막(70)을 제거할 수 있다. 이 실시형태에서는 용제노즐(95)을 2개, 더욱 그것보다 많이 유지부재(93)에 부착하도록 해도 좋다. 또한, 기판이면측의 제거해야 할 레지스트막은 표면측에 비교하여 적기 때문에, 상부헤드구성부재(93a)에 부착되는 광파이버(81)의 수보다, 하부헤드구성부재(93b)에 부착하는 수를 적게 해도 좋다. A solvent nozzle 95 is attached to the upper head structural member 93a and the lower head structural member 93b in the remover head 93 shown in FIG. 21, respectively. Thus, by attaching the solvent nozzle 95 so that the board | substrate G can be interposed, the resist film 70 which returned and adhered not only to the front surface side but also the back surface side of the board | substrate G can be removed. In this embodiment, two or more solvent nozzles 95 may be attached to the holding member 93 more than that. In addition, since the resist film to be removed on the lower surface side of the substrate is smaller than on the surface side, the number of adhered to the lower head structural members 93b is less than that of the optical fibers 81 attached to the upper head structural members 93a. You may also

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 노광장치의 노광렌즈나 미러등의 기기를 백탁시키는 것을 방지할 수 있는 등, 노광장치에 대한 악영향을 방지할 수 있다. As described above, according to the present invention, adverse effects on the exposure apparatus can be prevented, for example, it is possible to prevent whitening of devices such as exposure lenses and mirrors of the exposure apparatus.

Claims (24)

HMDS가스에 의한 막과 이 HMDS가스에 의한 막상에 도포된 레지스트막이 형성된 기판의 기판둘레가장자리부에 용제를 토출하여, 해당 둘레가장자리부의 레지스트막을 제거하는 레지스트막 제거수단과,A resist film removal means for discharging a solvent in the edge portion of the substrate of the substrate on which the film made of the HMDS gas and the resist film coated on the film made of the HMDS gas are formed, to remove the resist film of the peripheral edge portion; 상기 레지스트막이 제거된 기판둘레가장자리부에 노출한 상기 HMDS가스에 의한 막을 제거하는 HMDS가스에 의한 막제거수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. And a film removing means by HMDS gas for removing the film by the HMDS gas exposed to the edge portion of the substrate where the resist film is removed. 제 1 항에 있어서, 상기 HMDS가스에 의한 막은, 어드히젼처리에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the film formed by the HMDS gas is formed by an adjuvant treatment. 제 1 항에 있어서, 상기 HMDS가스에 의한 막제거수단은, 상기 노출한 HMDS가스에 의한 막에, 상기 레지스트막을 노광하기 위한 노광광의 파장성분을 포함하는 빛을 조사하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. 2. The film removing means according to claim 1, wherein the film removing means using the HMDS gas includes a means for irradiating light including a wavelength component of exposure light for exposing the resist film to the exposed film of the HMDS gas. Substrate processing apparatus. 제 3 항에 있어서, 상기 레지스트막제거수단은, 상기 용제를 토출하는 용제노즐을 유지한 유지부재와, 상기 유지부재를 기판의 둘레가장자리부에 따라 이동시키는 둘레가장자리이동기구를 구비하고, 4. The resist film removing unit according to claim 3, wherein the resist film removing unit includes a holding member for holding a solvent nozzle for discharging the solvent, and a circumferential edge moving mechanism for moving the holding member along the periphery of the substrate, 상기 유지부재를 상기 둘레가장자리이동기구에 의해 이동시키면서 상기 용제를 토출하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. And discharging the solvent while moving the holding member by the circumferential edge movement mechanism. 제 4 항에 있어서, 상기 유지부재에 상기 용제노즐과 일체적으로 부착되고, 상기 빛을 조사하는 광파이버를 구비하고, The optical fiber of claim 4, further comprising an optical fiber attached to the holding member integrally with the solvent nozzle and irradiating the light. 상기 HMDS가스에 의한 막제거수단은 상기 유지부재를 상기 둘레가장자리이동기구에 의해 이동시키면서 빛을 조사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. And said film removing means by said HMDS gas irradiates light while moving said holding member by said circumferential edge movement mechanism. 제 5 항에 있어서, 상기 광파이버와 용제노즐이 상기 유지부재의 이동방향과 거의 평행하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. 6. A substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the optical fiber and the solvent nozzle are disposed substantially parallel to the moving direction of the holding member. 제 6 항에 있어서, 상기 유지부재를 상기 이동방향과 직교하는 방향에 이동시키는 직교방향이동기구와, 7. An orthogonal direction moving mechanism according to claim 6, further comprising: an orthogonal direction moving mechanism for moving the holding member in a direction orthogonal to the moving direction; 상기 둘레가장자리부의 레지스트막을 제거한 후에, 상기 직교방향기구에 의해 상기 유지부재를 이동시켜, 해당 둘레가장자리부의 HMDS가스에 의한 막을 제거하는 수단을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. And removing the resist film of the circumferential edge portion, and then moving the holding member by the orthogonal direction mechanism to remove the film by the HMDS gas of the circumferential edge portion. 제 5 항에 있어서, 상기 광파이버가 상기 용제노즐보다도 기판의 외측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. 6. The substrate processing apparatus of claim 5, wherein the optical fiber is disposed outside the substrate than the solvent nozzle. 제 8 항에 있어서, 상기 유지부재를 상기 이동방향과 직교하는 방향으로 이동시키는 직교방향이동기구를 더욱 구비하고, 9. The apparatus of claim 8, further comprising an orthogonal direction moving mechanism for moving the holding member in a direction orthogonal to the moving direction, 상기 유지부재를 상기 둘레가장자리이동기구 및 직교방향이동기구에 의해서 교대로 이동시키면서, 상기 둘레가장자리부의 레지스트막을 제거함과 동시에, 순차 노출되어 가는 HMDS가스에 의한 막을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. A substrate processing apparatus characterized by removing the resist film of the HMDS gas which is sequentially exposed while removing the resist film of the circumferential edge while the holding member is alternately moved by the circumferential edge movement mechanism and the orthogonal direction movement mechanism. 제 5 항에 있어서, 상기 광파이버의 투광면에 향하여 세정액을 분출하는 세정노즐을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising a cleaning nozzle for ejecting the cleaning liquid toward the light transmitting surface of the optical fiber. 제 10 항에 있어서, 상기 세정노즐은 상기 유지부재에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. 11. The substrate treating apparatus of claim 10, wherein the cleaning nozzle is attached to the holding member. 제 5 항에 있어서, 상기 HMDS가스에 의한 막을 제거할 때에 해당 HMDS가스에 의한 막으로부터 발생하는 가스를 배기하는 수단을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising means for exhausting a gas generated from the film formed by the HMDS gas when the film formed by the HMDS gas is removed. 제 12 항에 있어서, 상기 배기수단은 상기 세정노즐에 의해 세정한 후의 광파이버의 투광면을 건조시키는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. 13. The substrate treating apparatus according to claim 12, wherein the exhausting means comprises means for drying the light transmitting surface of the optical fiber after cleaning by the cleaning nozzle. 제 5 항에 있어서, 상기 광파이버의 투광면은 한변이, 거의 상기 노출한 HMDS가스에 의한 막의 폭과 같은 길이를 가지는 직사각형으로 되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. 6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the light-transmitting surface of the optical fiber has a rectangular shape having one side almost equal to the width of the film by the exposed HMDS gas. 제 5 항에 있어서, 상기 광파이버에 의한 빛의 조사는, 상기 레지스트막이 도포된 기판면의 이면측으로부터 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the irradiation of light by the optical fiber is performed from the back surface side of the substrate surface on which the resist film is applied. 제 1 항에 있어서, 상기 기판둘레가장자리부의 HMDS가스에 의한 막을 가열하는 수단을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising means for heating a film by HMDS gas at the edge portion of the substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 HMDS가스에 의한 막제거수단은 상기 노출한 HMDS가스에 의한 막에, 오존수를 공급하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. 2. The substrate treating apparatus according to claim 1, wherein the film removing means by the HMDS gas comprises means for supplying ozone water to the exposed film of HMDS gas. 제 5 항에 있어서, 상기 광파이버는 둘레가장자리이동기구에 의한 상기 유지부재의 이동방향과는 다른 방향으로 복수 배열설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. 6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the optical fibers are arranged in plural in a direction different from a moving direction of the holding member by a peripheral edge moving mechanism. 제 5 항에 있어서, 2이상의 상기 용제노즐로 기판을 사이에 두도록 상기 유지부재에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. 6. A substrate processing apparatus according to claim 5, wherein said holding member is attached to said holding member so as to sandwich said substrate with at least two solvent nozzles. HMDS가스에 의한 막과 이 HMDS가스에 의한 막상에 도포된 레지스트막이 형성된 기판의 기판둘레가장자리부에 용제를 토출하여, 해당 둘레가장자리부의 레지스트막을 제거하는 공정과, Dissolving a solvent in the periphery of the substrate of the substrate on which the film made of the HMDS gas and the resist film coated on the film made of the HMDS gas are formed, thereby removing the resist film of the periphery; 상기 레지스트막이 제거된 기판둘레가장자리부에 노출한 상기 HMDS가스에 의한 막을 제거하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법. And removing the film by the HMDS gas exposed to the edge portion of the substrate from which the resist film has been removed. 제 20 항에 있어서, 상기 HMDS가스에 의한 막은, 어드히젼처리에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법. The substrate processing method according to claim 20, wherein the film by the HMDS gas is formed by an adjuvant treatment. 제 20 항에 있어서, 상기 HMDS가스에 의한 막의 제거공정은 기판의 노광처리전에 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.  21. The substrate processing method according to claim 20, wherein the step of removing the film by the HMDS gas is performed before the exposure treatment of the substrate. 제 20 항에 있어서, 상기 HMDS가스에 의한 막의 제거공정은, 상기 노출한 HMDS가스에 의한 막에, 상기 노광처리에 있어서의 노광광의 파장성분을 포함하는 빛을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법. 21. The method of claim 20, wherein the removing of the film by the HMDS gas includes irradiating light including the wavelength component of the exposure light in the exposure treatment to the exposed film of the HMDS gas. Substrate processing method. 제 20 항에 있어서, 상기 HMDS가스에 의한 막을 제거할 때에 해당 HMDS가스에 의한 막으로부터 발생하는 가스를 배기하는 공정을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법. 21. The substrate processing method according to claim 20, further comprising the step of evacuating the gas generated from the film formed by the HMDS gas when the film formed by the HMDS gas is removed.
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