JP5702263B2 - Substrate processing system, substrate transfer method, program, and computer storage medium - Google Patents
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Description
本発明は、基板の処理を行う基板処理システム、基板処理システムにおける基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。 The present invention relates to a substrate processing system for processing a substrate, a substrate processing method in the substrate processing system, a program, and a computer storage medium.
例えば半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、ウェハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などの一連の処理が順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。これらの一連の処理は、ウェハを処理する各種処理ユニットやウェハを搬送する搬送ユニットなどを搭載した基板処理システムである塗布現像処理システムで行われている。 For example, in a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, a resist coating process for coating a resist solution on a wafer to form a resist film, an exposure process for exposing the resist film to a predetermined pattern, and developing the exposed resist film A series of processing such as development processing is sequentially performed, and a predetermined resist pattern is formed on the wafer. A series of these processes is performed by a coating and developing system that is a substrate processing system on which various processing units for processing a wafer, a transfer unit for transferring a wafer, and the like are mounted.
例えば図14に示すように塗布現像処理システム200は、従来、外部からカセットCを搬入出するためのカセットステーション201と、レジスト塗布処理、現像処理及び熱処理等の各種処理を行う複数の処理ユニットが正面と背面に設けられた処理ステーション202と、塗布現像処理システム200の外部に隣接して設けられた露光装置Aと処理ステーション202との間でウェハの受け渡しを行うインターフェイスステーション203を一体に備えている。
For example, as shown in FIG. 14, a coating and developing
ところで近年、ウェハ上に形成される回路パターンの微細化がますます進行し、露光処理時のデフォーカスマージンがより厳しくなっている。それに伴い、露光装置Aにはパーティクルを極力持ち込まないことが求められる。特に、ウェハ裏面のパーティクルが問題となってきている。そのため、インターフェイスステーション203には、露光装置Aへのパーティクルの持ち込みを極力少なくするために、露光装置Aに搬入される前のウェハの裏面を洗浄する洗浄ユニット210や、洗浄後のウェハを検査する検査ユニット211各ユニット210、211間でウェハを受け渡すための多段に設けられた受け渡しユニット212や、ウェハ搬送装置213などが設けられることがある(特許文献1)。
Incidentally, in recent years, circuit patterns formed on a wafer have been increasingly miniaturized, and the defocus margin during exposure processing has become more severe. Accordingly, it is required that the exposure apparatus A does not bring particles as much as possible. In particular, particles on the backside of the wafer have become a problem. For this reason, the
一方で、塗布現像処理システムには、当該塗布現像処理システムがクリーンルームの床面積に占める割合であるフットプリントを小さくすることが求められている。 On the other hand, the coating and developing processing system is required to reduce the footprint, which is the ratio of the coating and developing processing system to the floor area of the clean room.
フットプリントを小さくするには、各処理ユニットを小型化したり、ウェハの搬送に要するスペースを小さくしたりする必要がある。しかしながら、処理ユニットの小型化には、当該処理ユニットの構成そのものを見直す必要があり制約が多い。 In order to reduce the footprint, it is necessary to reduce the size of each processing unit or to reduce the space required for wafer transfer. However, in order to downsize a processing unit, it is necessary to review the configuration of the processing unit itself, and there are many restrictions.
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、処理ユニットの構成を変更することなくフットプリントを小さくすることを目的としている。 The present invention has been made in view of such points, and an object of the present invention is to reduce a footprint without changing the configuration of a processing unit in a substrate processing system having a function of cleaning the back surface of a substrate before exposure. It is said.
前記の目的を達成するため、本発明は、基板を処理する複数の処理ユニットが設けられた処理ステーションと、前記処理ステーションと外部に設けられた露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスステーションと、を備えた基板処理システムであって、前記インターフェイスステーションは、基板を前記露光装置に搬入する前に少なくとも基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットと、少なくとも前記洗浄後の基板の裏面について、当該基板の露光が可能かどうかを前記露光装置に搬入する前に検査する検査ユニットと、前記洗浄ユニットと前記検査ユニットとの間で基板を搬送するアームを備えた基板搬送機構と、前記処理ステーションとの間で前記基板の受け渡しを行う受け渡しユニットと、前記検査ユニットで検査された後であって且つ前記露光装置に搬入前の前記基板を所定の温度に調整する温度調整機構と、を有し、前記洗浄ユニットと前記検査ユニットは、前記インターフェイスステーションの正面側または背面側のいずれかの側に、上下方向に多段に積層して設けられ、前記受け渡しユニットと前記温度調整機構は、前記基板搬送機構を挟んで積層された前記洗浄ユニットと前記検査ユニットとの反対側に、上下方向に積層して設けられ、前記基板搬送機構は、上下方向に沿って移動自在に設けられ、前記検査ユニットでの検査の結果、基板の状態が、前記洗浄ユニットでの再洗浄により露光可能な状態になると判定されれば、当該基板を前記洗浄ユニットに再度搬送するように、前記基板搬送機構を制御する基板搬送制御部をさらに有することを特徴としている。
In order to achieve the above object, the present invention provides a processing station provided with a plurality of processing units for processing a substrate, and an interface station for transferring a substrate between the processing station and an exposure apparatus provided outside. The interface station includes a cleaning unit that cleans at least the back surface of the substrate before carrying the substrate into the exposure apparatus, and at least the back surface of the substrate after cleaning. An inspection unit that inspects whether or not exposure is possible before carrying it into the exposure apparatus, a substrate transport mechanism that includes an arm that transports a substrate between the cleaning unit and the inspection unit, and the processing station. A delivery unit that delivers the substrate between and after being inspected by the inspection unit And a temperature adjusting mechanism that adjusts the substrate before being carried into the exposure apparatus to a predetermined temperature, and the cleaning unit and the inspection unit are either on the front side or the back side of the interface station. The transfer unit and the temperature adjustment mechanism are vertically stacked on the opposite side of the cleaning unit and the inspection unit stacked with the substrate transport mechanism interposed therebetween. The substrate transport mechanism is provided in a stacked manner, and is movable in the vertical direction. As a result of the inspection by the inspection unit, the state of the substrate becomes a state that can be exposed by re-cleaning by the cleaning unit. if the determination, so as to convey the substrate again to the cleaning unit, characterized by Rukoto that Yusuke further substrate transfer control unit for controlling said substrate transfer mechanism There.
本発明によれば、洗浄ユニットと検査ユニットが、インターフェイスステーションの正面側又は背面側に多段に設けられ、ウェハ搬送機構が洗浄ユニット及び検査ユニットに隣接した領域に設けられているので、インターフェイスステーションの正面側又は背面側が縮小可能で、インターフェイスステーションを従来よりも小型化できる。したがって、露光前にウェハWの裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、各処理ユニットの構成を変更することなくフットプリントを小さくすることができる。 According to the present invention, the cleaning unit and the inspection unit are provided in multiple stages on the front side or the back side of the interface station, and the wafer transfer mechanism is provided in an area adjacent to the cleaning unit and the inspection unit. The front side or the back side can be reduced, and the interface station can be made smaller than before. Therefore, in the substrate processing system having a function of cleaning the back surface of the wafer W before exposure, the footprint can be reduced without changing the configuration of each processing unit.
前記基板搬送制御部は、前記洗浄ユニットに再度搬送されて洗浄された基板を再度検査ユニットに搬送するように前記基板搬送機構を制御してもよい。 The substrate transport control unit may control the substrate transport mechanism so as to transport the substrate that has been transported again to the cleaning unit and cleaned again to the inspection unit.
前記インターフェイスステーションには、前記検査ユニットで検査後の基板を一時的に収容するバッファ収容部が設けられていてもよい。 The interface station may be provided with a buffer accommodating portion for temporarily accommodating the substrate after the inspection by the inspection unit.
前記基板搬送機構は、前記インターフェイスステーションに搬入された基板を前記洗浄ユニットに搬送する第1の搬送アームと、前記洗浄ユニットで洗浄した後の基板を前記検査ユニットに搬送し、さらに前記検査ユニットで検査した後の基板を前記バッファ収容部に搬送する第2の搬送アームとを備えていてもよい。 The substrate transport mechanism transports a substrate transported to the interface station to the cleaning unit, transports the substrate cleaned by the cleaning unit to the inspection unit, and further in the inspection unit You may provide the 2nd conveyance arm which conveys the board | substrate after test | inspection to the said buffer accommodating part.
前記基板搬送機構は、前記インターフェイスステーションに搬入された基板を前記洗浄ユニットに受け渡す第1の搬送アームと、前記洗浄ユニットで洗浄した後の基板を前記検査ユニットに受け渡す第2の搬送アームと、前記検査ユニットで検査した後の基板を前記バッファ収容部に搬送する第3の搬送アームとを備えていてもよい。 The substrate transfer mechanism includes a first transfer arm that transfers a substrate carried into the interface station to the cleaning unit, and a second transfer arm that transfers a substrate cleaned by the cleaning unit to the inspection unit. And a third transport arm for transporting the substrate after being inspected by the inspection unit to the buffer accommodating portion.
前記バッファ収容部は、前記検査後の基板の検査結果が判明するまで当該検査後の基板を収容してもよい。 The buffer storage unit may store the inspected substrate until the inspection result of the inspected substrate is found.
別な観点による本発明は、基板を処理する複数の処理ユニットが設けられた処理ステーションと、前記処理ステーションと外部に設けられた露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスステーションと、を備えた基板処理システムにおける基板の搬送方法であって、前記インターフェイスステーションは、基板を前記露光装置に搬入する前に少なくとも基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットと、少なくとも前記洗浄後の基板の裏面について、当該基板の露光が可能かどうかを前記露光装置に搬入する前に検査する検査ユニットと、前記洗浄ユニットと前記検査ユニットとの間で基板を搬送するアームを備えた基板搬送機構と、前記処理ステーションとの間で前記基板の受け渡しを行う受け渡しユニットと、前記検査ユニットで検査された後であって且つ前記露光装置に搬入前の前記基板を所定の温度に調整する温度調整機構と、を有し、前記洗浄ユニットと前記検査ユニットは、前記インターフェイスステーションの正面側または背面側のいずれかの側に、上下方向に多段に積層して設けられ、前記基板搬送機構は、上下方向に多段に設けられた前記洗浄ユニット及び前記検査ユニットに隣接した領域に設けられ、前記受け渡しユニットと前記温度調整機構は、前記基板搬送機構を挟んで積層された前記洗浄ユニットと前記検査ユニットとの反対側に、上下方向に積層して設けられ、前記基板搬送機構は、上下方向に沿って移動自在に設けられ、前記検査ユニットでの検査の結果、基板の状態が、前記洗浄ユニットでの再洗浄により露光可能な状態になると判定されれば、当該基板を前記洗浄ユニットに再度搬送することを特徴としている。
According to another aspect, the present invention includes a processing station provided with a plurality of processing units for processing a substrate, and an interface station that transfers the substrate between the processing station and an exposure apparatus provided outside. and a contact Keru method of transporting a substrate in a substrate processing system, said interface station includes a cleaning unit for cleaning the back surface of at least the substrate prior to transferring the substrate to the exposure apparatus, the back surface of the substrate after at least said washing An inspection unit for inspecting whether the substrate can be exposed before being carried into the exposure apparatus, a substrate transport mechanism having an arm for transporting the substrate between the cleaning unit and the inspection unit, and the processing A transfer unit for transferring the substrate to and from the station, and an inspection by the inspection unit Has a temperature adjusting mechanism and adjusting the substrate prior carried into the exposure apparatus to a predetermined temperature even after that, the, the cleaning unit and the inspection unit, the front side or back side of the interface station on either side of, stacked and provided in multiple stages in the vertical direction, the substrate transfer mechanism is provided in a region adjacent to the cleaning unit and the inspection unit is provided in multiple stages in the vertical direction, the delivery unit And the temperature adjustment mechanism are provided in a vertically stacked manner on the opposite side of the cleaning unit and the inspection unit stacked with the substrate transport mechanism interposed therebetween, and the substrate transport mechanism extends in the vertical direction. movably provided, the inspection unit test at the state of the substrate, if it is determined to be a possible exposure state by re-washing with the cleaning unit It is characterized by conveying again the substrate to the cleaning unit.
前記洗浄ユニットに再度搬送されて洗浄された基板を、再度検査ユニットに搬送して検査してもよい。 The substrate that has been transported and cleaned again to the cleaning unit may be transported to the inspection unit and inspected again.
前記インターフェイスステーションには、前記検査ユニットで検査後の基板を一時的に収容するバッファ収容部が設けられていてもよい。 The interface station may be provided with a buffer accommodating portion for temporarily accommodating the substrate after the inspection by the inspection unit.
前記基板搬送機構は、前記インターフェイスステーションに搬入された基板を前記洗浄ユニットに受け渡す第1の搬送アームと、前記洗浄ユニットで洗浄した後の基板を前記検査ユニットに搬送し、さらに前記検査ユニットで検査した後の基板を前記バッファ収容部に搬送する第2の搬送アームとを備えていてもよい。 The substrate transport mechanism transports the substrate transported to the interface station to the cleaning unit, transports the substrate cleaned by the cleaning unit to the inspection unit, and further in the inspection unit You may provide the 2nd conveyance arm which conveys the board | substrate after test | inspection to the said buffer accommodating part.
前記基板搬送機構は、前記インターフェイスステーションに搬入された基板を前記洗浄ユニットに受け渡す第1の搬送アームと、前記洗浄ユニットで洗浄した後の基板を前記検査ユニットに受け渡す第2の搬送アームと、前記検査ユニットで検査した後の基板を前記バッファ収容部に搬送する第3の搬送アームとを備えていてもよい。 The substrate transfer mechanism includes a first transfer arm that transfers a substrate carried into the interface station to the cleaning unit, and a second transfer arm that transfers a substrate cleaned by the cleaning unit to the inspection unit. And a third transport arm for transporting the substrate after being inspected by the inspection unit to the buffer accommodating portion.
前記検査後の基板は、前記検査ユニットでの検査結果が判明するまで前記バッファ収容部に収容されてもよい。 The inspected substrate may be accommodated in the buffer accommodating portion until an inspection result in the inspection unit is determined.
さらに別な観点による本発明によれば、前記基板搬送方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control device that controls the substrate processing system so that the substrate transport method is executed by the substrate processing system.
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。 According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.
本発明によれば、露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、処理ユニットの構成を変更することなくフットプリントを小さくすることができる。 According to the present invention, in a substrate processing system having a function of cleaning the back surface of a substrate before exposure, the footprint can be reduced without changing the configuration of the processing unit.
以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム1の内部構成の概略を示す説明図である。図2及び図3は、各々塗布現像処理システム1の内部構成の概略を正面側及び背面側から示す説明図である。
Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is an explanatory diagram showing an outline of the internal configuration of a coating and developing
塗布現像処理システム1は、図1に示すように例えば外部との間で、複数枚のウェハWが収容されたカセットCが搬入出されるカセットステーション2と、フォトリソグラフィー処理の中でウェハWに所定の処理を施す処理ユニットを複数備えた処理ステーション3と、露光装置4との間でウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション5とを一体に接続した構成を有している。また、塗布現像処理システム1は、各種処理ユニットなどの制御を行う制御装置6を有している。
As shown in FIG. 1, the coating and developing
カセットステーション2は、例えばカセット搬入出部10とウェハ搬送部11により構成されている。カセット搬入出部10は、例えば塗布現像処理システム1のY方向負方向(図1の左方向)側の端部に設けられている。カセット搬入出部10には、カセット載置部としてのカセット載置台12が設けられている。カセット載置台12上には、カセット載置板13が例えば4つ設けられている。カセット載置板13は、水平方向のX方向(図1の上下方向)に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板13には、塗布現像処理システム1の外部に対してカセットCを搬入出する際に、カセットCを載置することができる。
The
ウェハ搬送部11には、図1に示すようにX方向に延びる搬送路20上を移動自在なウェハ搬送装置21が設けられている。ウェハ搬送装置21は、上下方向及び鉛直軸周り(θ方向)にも移動自在であり、各載置板13上のカセットCと、後述する処理ステーション3の第3のブロックG3の受け渡し装置との間でウェハWを搬送できる。
The
カセットステーション2に隣接する処理ステーション3には、各種ユニットを備えた複数例えば4つのブロックG1、G2、G3、G4が設けられている。処理ステーション3の正面側(図1のX方向負方向側)には、第1のブロックG1が設けられ、処理ステーション3の背面側(図1のX方向正方向側)には、第2のブロックG2が設けられている。また、処理ステーション3のカセットステーション2側(図1のY方向負方向側)には、第3のブロックG3が設けられ、処理ステーション3のインターフェイスステーション5側(図1のY方向正方向側)には、第4のブロックG4が設けられている。
A
例えば第1のブロックG1には、図2に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハWのレジスト膜の下層に反射防止膜(以下「下部反射防止膜」という)を形成する下部反射防止膜形成ユニット30、ウェハWにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット31、ウェハWのレジスト膜の上層に反射防止膜(以下「上部反射防止膜」という)を形成する上部反射防止膜形成ユニット32、ウェハWを現像処理する現像処理ユニット33が、下から順に4段に重ねられている。
For example, in the first block G1, as shown in FIG. 2, a plurality of liquid processing units, for example, a lower antireflection film that forms an antireflection film (hereinafter referred to as a “lower antireflection film”) below the resist film of the wafer
これら第1のブロックG1の各ユニット30〜33は、処理時にウェハWを収容するカップFを水平方向に複数有し、複数のウェハWを並行して処理することができる。
Each of the
例えば第2のブロックG2には、図3に示すようにウェハWの熱処理を行う熱処理ユニット40や、ウェハWを疎水化処理する疎水化処理装置としてのアドヒージョンユニット41、ウェハWの外周部を露光する周辺露光ユニット42が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理ユニット40は、ウェハWを載置して加熱する熱板と、ウェハWを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、熱処理ユニット40、アドヒージョンユニット41及び周辺露光ユニット42の数や配置は、任意に選択できる。
For example, in the second block G2, as shown in FIG. 3, a
例えば第3のブロックG3には、複数の受け渡しユニット50、51、52、53、54、55、56が下から順に設けられている。また、第4のブロックG4には、複数の受け渡しユニット60、61、62が下から順に設けられている。
For example, in the third block G3, a plurality of
図1に示すように第1のブロックG1〜第4のブロックG4に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Dが形成されている。ウェハ搬送領域Dには、例えばウェハ搬送装置70が複数、例えば3台配置されている。各ウェハ搬送装置70はそれぞれ同じ構造である。
As shown in FIG. 1, a wafer transfer region D is formed in a region surrounded by the first block G1 to the fourth block G4. In the wafer transfer area D, for example, a plurality of, for example, three
ウェハ搬送装置70は、例えばY方向、前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム70aを有している。搬送アーム70aは、ウェハ搬送領域D内を移動し、周囲の第1のブロックG1、第2のブロックG2、第3のブロックG3及び第4のブロックG4内の所定のユニットにウェハWを搬送できる。ウェハ搬送装置70は、例えば図3に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックG1〜G4の同程度の高さの所定のユニットにウェハWを搬送できる。
The
また、ウェハ搬送領域Dには、第3のブロックG3と第4のブロックG4との間で直線的にウェハWを搬送するシャトル搬送装置80が設けられている。
Further, in the wafer transfer region D, a
シャトル搬送装置80は、例えば図3のY方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置80は、ウェハWを支持した状態でY方向に移動し、第3のブロックG3の受け渡しユニット52と第4のブロックG4の受け渡しユニット62との間でウェハWを搬送できる。
The
図1に示すように第3のブロックG3のX方向正方向側には、ウェハ搬送装置90が設けられている。ウェハ搬送装置90は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム90aを有している。ウェハ搬送装置90は、ウェハWを支持した状態で上下に移動して、第3のブロックG3内の各受け渡しユニットに当該ウェハWを搬送できる。
As shown in FIG. 1, a
第4のブロックG4の例えばX方向正方向側には、ウェハ搬送装置85が設けられている。ウェハ搬送装置85は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム85aを有している。ウェハ搬送装置85は、ウェハWを支持した状態で上下に移動して、インターフェイスステーション5にウェハWを搬送できる。
A
インターフェイスステーション5には、各種ユニットを備えた2つのブロックG5、G6が設けられている。例えばインターフェイスステーション5の正面側(図1のX方向負方向側)には、第5のブロックG5が設けられている。第6のブロックG6は、第5のブロックG5のX方向正方向側に設けられている。
The
例えば第5のブロックG5には、図4に示すように、ウェハWを露光装置4に搬入する前にウェハWの裏面を洗浄する洗浄ユニット100と、洗浄ユニット100で洗浄された後のウェハWの裏面が、露光装置4で露光可能な状態かどうかを露光装置4に搬入する前に検査する検査ユニット101が、上から順に多段に重ねて設けられている。なお、本実施の形態では、例えば洗浄ユニット100が4段、検査ユニット101が2段それぞれ設けられている。なお、図4は、カセットステーション2側からインターフェイスステーション5を見た場合の、インターフェイスステーション5の内部構成の概略を示す側面図である。
For example, in the fifth block G5, as shown in FIG. 4, the
第6のブロックG6には、ウェハ搬送装置85を介して処理ステーション3との間でウェハWの受け渡しを行う受け渡しユニット110と、検査ユニット101で検査した後のウェハWを一時的に収容する、バッファ収容部としてのバッファユニット111と、検査後のウェハWを露光装置4に搬入する前に所定の温度に調整する温度調整機構としての温度調整ユニット112が上下方向に多段に重ねて設けられている。より具体的には、第6のブロックG6の上部には、受け渡しユニット110とバッファユニット111が上からこの順で交互に3段ずつ重ねて配置されている。第6のブロックG6の下部には、受け渡しユニット110と温度調整ユニット112が上からこの順で交互に2段ずつ重ねて配置されている。温度調整ユニット112は、ペルチェ素子などの温度調整部材を備えた温度調整板を有し、当該温度調整板に載置されたウェハWを所定の温度、例えば常温に温度調整できる。
The sixth block G6 temporarily stores the
第5のブロックG5と第6のブロックG6との間であって、第5のブロックG5に隣接した領域には、基板搬送機構としてのウェハ搬送機構120が設けられている。ウェハ搬送機構120は複数の搬送アームとして、第1の搬送アーム121、第2の搬送アーム122、第3の搬送アーム123を有している。各アーム121、122、123は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。これにより各搬送アーム121、122、123は、ウェハWを支持した状態で上下に移動して、各ブロックG5、G6の各ユニットの間でウェハWを搬送できる。なお、図4では、ウェハ搬送機構120として、独立して移動する複数の搬送アーム121、122、123を描図しているが、例えば複数の搬送アームに代えて、1の搬送アームにウェハWを保持するピンセットを複数、例えば3本設けたものを用いてもよい。
A
また、ウェハ搬送機構120によるウェハWの搬送は、図1に示した制御装置6の基板搬送制御部としてのウェハ搬送制御部125により制御される。ウェハ搬送制御部125は、第1の搬送アーム121により、洗浄ユニット100と受け渡しユニット110との間でウェハWを搬送するようにウェハ搬送機構120を制御する。また、ウェハ搬送制御部125は、第2の搬送アーム122により、洗浄ユニット100で洗浄した後のウェハWを検査ユニット101に搬送し、第3の搬送アーム123により、検査ユニット101で検査した後のウェハWをバッファユニット111に搬送するように制御する。また、ウェハ搬送制御部125は、塗布現像処理システム1内の他のウェハ搬送装置の動作の制御も行っている。
Further, the transfer of the wafer W by the
図4における、第6のブロックG6に隣接したX方向正方向側の領域には、複数のウェハ搬送装置130、131が上下方向に設けられている。ウェハ搬送装置130、131は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム130a、131aをそれぞれ有している。搬送アーム130aは、ウェハWを支持した状態で上下に移動して、第6のブロックG6上部の受け渡しユニット110とバッファカセット111との間でウェハWを搬送する。また、搬送アーム131aは、ウェハWを支持した状態で上下に移動して、第6のブロックG6下部の各ユニット110、112の間及び各ユニット110、112と露光装置4との間でウェハWを搬送できる。
In the region in the positive direction of the X direction adjacent to the sixth block G6 in FIG. 4, a plurality of
次に、洗浄ユニット100の構成について説明する。図5は洗浄ユニット100の構成の概略を示す平面図、図6は洗浄ユニット100の構成の概略を示す縦断面図である。
Next, the configuration of the
洗浄ユニット100は、第1の搬送アーム121を介して搬送されたウェハWを水平に吸着保持する2つの吸着パッド140、140と、この吸着パッド140から受け取ったウェハWを水平に吸着保持するスピンチャック141と、ウェハWの裏面を洗浄するブラシ142と、上面が開口した筐体143を有している。
The
図5に示されるように、2つの吸着パッド140、140は、ウェハW裏面の周縁部を保持できるように、平面視においてスピンチャック141を挟んで略平行に設けられている。各吸着パッド140、140は、駆動機構(図示せず)により水平方向及び上下方向に移動自在な枠体144によりその両端部を支持されている。
As shown in FIG. 5, the two
枠体144の上面には、上部カップ145が設けられている。上部カップ145の上面には、ウェハWの直径より大きな径の開口部145aが形成されており、この開口部145aを介して第1の搬送アーム121と吸着パッド140との間でウェハWの受け渡しが行われる。
An
図6に示すように、スピンチャック141はシャフト150を介して駆動機構151に接続されており、スピンチャック141は、この駆動機構151により回転及び昇降自在に構成されている。
As shown in FIG. 6, the
スピンチャック141の周囲には昇降機構(図示せず)により昇降自在な昇降ピン152が設けられている。
Around the
ブラシ142は、例えば多数のプラスチック繊維を円柱状に束ねて構成されており、支持体153により支持されている。支持体153は、駆動機構154に接続されている。駆動機構154は筐体143に接続され、図5のX方向であって且つ筐体143に沿って水平方向に移動できる。したがって、駆動機構154をX方向に移動させることで、支持体153を介してブラシ142を図5のX方向に移動させることができる。ブラシ142は、支持体153に内蔵された駆動機構(図示せず)により回転自在に構成されており、その上面をウェハWの裏面に押し付けた状態で回転させて当該ブラシ142をウェハWの裏面で摺動させることにより、ウェハWの裏面に付着したパーティクルを除去することができる。
The
また、支持体153の先端にはブラシで除去されたパーティクルを洗い流す洗浄液を供給する洗浄液ノズル153aと、洗浄後にウェハWの裏面に付着している洗浄液を乾燥させるための、例えば窒素等の気体を供給するパージノズル153bが設けられている。
Further, a cleaning
筐体143の底部には、洗浄液を排出するドレン管160と、洗浄ユニット100内に下方向の気流を形成し、且つ当該気流を排気する排気管161が設けられている。
A
次に、洗浄ユニット100におけるウェハWの洗浄について説明する。ウェハWの洗浄にあたっては、先ず図7に示すように、第1の搬送アーム121によりウェハWが上部カップ145の上方に搬送される。次いで、昇降ピン152が上昇して、ウェハWが昇降ピン152に受け渡される。この際、吸着パッド140はその上面がブラシ142の上面よりも高い位置で待機し、スピンチャック141はブラシ142の上面より低い位置まで退避している。その後、昇降ピン152が下降して、図8に示されるように、ウェハWが吸着パッド140に受け渡されて保持される。
Next, cleaning of the wafer W in the
次いで、図9に示されるように、吸着パッド140でウェハWを吸着保持した状態で、例えばブラシ142がウェハW裏面の中央部に対応する領域に位置するように枠体144を水平方向に移動させる。その後、吸着パッド140を下降させ、ウェハWの裏面がブラシ142の上面に押し当てられる。
Next, as shown in FIG. 9, in a state where the wafer W is sucked and held by the
次いで、洗浄液ノズル153aから洗浄液を供給すると共にブラシ142を回転させて、ウェハW裏面の中央部が洗浄される。この際、支持体153が図5のX方向に往復動し、枠体144がY方向に往復動することで、ウェハW裏面の中央部が万遍なく洗浄される。
Next, the cleaning liquid is supplied from the cleaning
ウェハW裏面の中央部の洗浄が終わると、図10に示すように、ウェハWの中心とスピンチャック141の中心とが平面視において一致するように枠体144を水平方向に移動させる。次いで、スピンチャック141を上昇させて、ウェハWが吸着パッド140からスピンチャック141に受け渡される。
When the cleaning of the central portion of the back surface of the wafer W is completed, the
その後、図11に示すように、ウェハWの裏面にブラシ142を押し当てた状態でウェハWが回転されると共に、支持体153を介してブラシをX方向に摺動させることで、ウェハW裏面の周縁部が洗浄される。これにより、ウェハWの裏面全体のパーティクルが除去される。
Thereafter, as shown in FIG. 11, the wafer W is rotated with the
ウェハW裏面の洗浄が完了すると、ブラシ142の回転や洗浄液の供給を停止し、スピンチャック141を高速で回転させることで、ウェハW裏面に付着している洗浄液が振り切り乾燥される。この際、パージノズル153bによるパージも並行して行われる。
When the cleaning of the back surface of the wafer W is completed, the rotation of the
そして、乾燥が終了すると、洗浄ユニット100に搬送された際とは逆の順序でウェハWが第2の搬送アーム122に受け渡される。
When the drying is completed, the wafer W is transferred to the
次に、検査ユニット101の構成について説明する。図12は、検査ユニット101の構成の概略を示す縦断面図である。
Next, the configuration of the
検査ユニット101は、筐体170を備え、筐体170の内部には、ウェハWの少なくとも裏面を下方に向けて開放した状態で保持する保持アーム171と、保持アーム171に保持されたウェハWの裏面に対してライン状の平行光線を照射する光源172と、ウェハWの裏面に照射された光を撮像するカメラ173が設けられている。保持アーム171は、駆動機構(図示せず)により水平方向に移動自在に構成されている。
The
保持アーム171の先端部には、下方に突出した係止部171aが形成され、また、保持アーム171の下面には、図示しない駆動機構によりウェハWの直径方向に移動自在な可動保持部171bが設けられている。保持アーム171は、この係止部171aと可動保持部171bにより、筐体170の開口部170aを介して筐体170内に進入する第2の搬送アーム122から受け渡されるウェハWを挟み込み、その裏面が下方を向いた状態でウェハWを保持することができる。
A locking
光源172は保持アーム171の下方に、ウェハWの裏面に対して所定の角度θで光線を照射するように配置されている。カメラ173は、ウェハWの裏面に照射された光線の画像を撮像するように、保持アーム171の下方に、ウェハWの裏面に対して光源172と同様所定の角度θ傾けた状態で配置されている。
The
光源172、カメラ173は図示しない回動機構により照射角度及び撮像角度が調整可能となっている。これにより、ある角度で照射した光線では観察できなかったパーティクルに対して、異なる角度で光線を照射して観察することができる。
The
検査ユニット101では、保持アーム171がウェハWを保持した状態で水平方向に移動し、ウェハWの裏面に照射された光線をカメラ173により連続的に撮像することでウェハWの裏面の全体が撮像される。カメラ173で撮像された画像は制御装置6に入力され、制御装置6により当該ウェハWの裏面の状態が、露光装置4での露光が可能かどうか判定される。なお、制御装置6では、例えばウェハWの裏面に付着したパーティクルの数や付着した範囲、あるいはパーティクルの高さや大きさなどに基づいて当該ウェハWの露光装置4での露光の可否が判定される。
In the
制御装置6は、例えばCPUやメモリなどを備えたコンピュータにより構成されている。この制御装置6には、例えば塗布現像処理システム1の各種処理ユニットでのウェハ処理の内容や各ウェハWの搬送ルートを定めた処理レシピが、プログラムとして例えばメモリに記憶されている。このプログラムを実行することによって、塗布現像処理システム1の各種処理ユニットの制御や上述したウェハ搬送制御部125によるウェハ搬送機構120及び各ウェハ搬送装置の動作を制御し、塗布現像処理システム1におけるウェハWの各種処理や搬送制御を行う。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータで読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御装置6にインストールされたものであってもよい。
The
以上のように構成された塗布現像処理システム1では、例えば次のようなウェハ処理が行われる。図13は、かかるウェハ処理の主な工程の例を示すフロー図である。
In the coating and developing
ウェハWの処理にあたっては、先ず、複数枚のウェハWを収容したカセットCがカセット搬入出部10の所定のカセット載置板13に載置される。その後、ウェハ搬送装置21によりカセットC内の各ウェハWが順次取り出され、処理ステーション3の第3のブロックG3の例えば受け渡しユニット53に搬送される。
In processing the wafer W, first, the cassette C containing a plurality of wafers W is placed on a predetermined
次にウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第2のブロックG2の熱処理ユニット40に搬送され、温度調節される(図13の工程S1)。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって例えば第1のブロックG1の下部反射防止膜形成ユニット30に搬送され、ウェハW上に下部反射防止膜が形成される(図13の工程S2)。その後ウェハWは、第2のブロックG2の熱処理ユニット40に搬送され、加熱処理が行われる。その後第3のブロックG3の受け渡しユニット53に戻される。
Next, the wafer W is transferred to the
次にウェハWは、ウェハ搬送装置90によって同じ第3のブロックG3の受け渡しユニット54に搬送される。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第2のブロックG2のアドヒージョンユニット41に搬送され、アドヒージョン処理される(図13の工程S3)。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によってレジスト塗布ユニット31に搬送され、ウェハW上にレジスト膜が形成される。(図13の工程S4)。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理ユニット40に搬送されて、プリベーク処理される(図13の工程S5)。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡しユニット55に搬送される。
Next, the wafer W is transferred to the
次にウェハWは、ウェハ搬送装置70によって上部反射防止膜形成ユニット32に搬送され、ウェハW上に上部反射防止膜が形成される(図13の工程S6)。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理ユニット40に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハWは、周辺露光ユニット42に搬送され、周辺露光処理される(図13の工程S7)。
Next, the wafer W is transferred to the upper antireflection
その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡しユニット56に搬送される。
Thereafter, the wafer W is transferred to the
次にウェハWは、ウェハ搬送装置90によって受け渡しユニット52に搬送され、シャトル搬送装置80によって第4のブロックG4の受け渡しユニット62に搬送される。
Next, the wafer W is transferred to the
その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置85によって第6のブロックG6の受け渡しユニット110に搬送される。次にウェハWは、第1の搬送アーム121により洗浄ユニット100に搬送され、ウェハWの裏面が洗浄される(図13の工程S8)。
Thereafter, the wafer W is transferred to the
裏面が洗浄されたウェハWは、第2の搬送アーム122により検査ユニット101に搬送され、ウェハWの裏面が検査される(図13の工程S9)。次にウェハWは第3の搬送アーム123によりバッファユニット111に搬送され、検査ユニット101でのウェハWの検査結果が判明するまで一時的にバッファユニット111に収容される。
The wafer W whose back surface has been cleaned is transported to the
検査ユニット101での検査結果が判明すると、ウェハ搬送制御部125は所定のルールに基づきウェハ搬送機構120を制御してウェハWの搬送を行う。即ち、検査ユニット101での検査の結果、ウェハWの状態が、露光装置4で露光可能と判定されれば、ウェハWを第3の搬送アーム123により温度調整ユニット112に搬送し、次いで搬送アーム131aにより露光装置4に搬送する。また、検査の結果、ウェハWの状態が、露光装置4で露光不可と判定されれば、当該ウェハWの以後の処理を中止し、第3のアーム123により受け渡しユニット110に搬送する。その後、以後の処理が中止されたウェハWは、ウェハ搬送装置85により処理ステーション3へ搬送されて、次いで所定のカセット載置板13のカセットCに回収される(図13の工程S10)。なお、露光不可と判定されたウェハWを回収する際のルートとしては、例えばシャトル搬送装置80を用いるルートであってもよいし、第1のブロックG1における現像処理ユニット33の段を介して回収するルートであってもよい。現像処理ユニット33の段を用いるのは、当該現像処理ユニット33の段における露光後のウェハWの搬送方向が、露光不可と判定されたウェハWの搬送方向と同じく、露光装置4からカセットステーション2側向きであり、通常のウェハW搬送と干渉することなく露光不可なウェハWを搬送できるためである。
When the inspection result in the
また、検査の結果、ウェハWの状態が、現状では露光できないものの、洗浄ユニット100で再洗浄することで露光装置4での露光が可能なものであると判定されれば、ウェハWを第3の搬送アーム123により再度洗浄ユニット100に搬送する。そして、洗浄ユニット100で再度洗浄されたウェハWは、第2の搬送アーム122により再度検査ユニット101に搬送される。その後、検査ユニット101で露光可能と判定されると、ウェハWは第3の搬送アーム123により温度調整ユニット112に搬送され、次いでウェハ搬送装置130により露光装置4に搬送されて露光処理される(図13の工程S11)。
As a result of the inspection, if it is determined that the state of the wafer W cannot be exposed at present, but is re-cleaned by the
露光処理されたウェハWは搬送アーム131aにより第6のブロックG6の受け渡しユニット110に搬送される。その後、ウェハWはウェハ搬送装置85によって第4のブロックG4の受け渡しユニット40に搬送される。次いで、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理ユニット40に搬送され、露光後ベーク処理される(図13の工程S12)。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって現像処理ユニット33に搬送され、現像処理される(図13の工程S13)。現像終了後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理ユニット40に搬送され、ポストベーク処理される(図13の工程S14)。
The exposed wafer W is transferred to the
その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡しユニット50に搬送され、その後カセットステーション2のウェハ搬送装置21によって所定のカセット載置板13のカセットCに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
Thereafter, the wafer W is transferred to the
以上の実施の形態によれば、洗浄ユニット100と検査ユニット101が、インターフェイスステーション5の正面側に多段に設けられ、ウェハ搬送機構120が洗浄ユニット100及び検査ユニット101に隣接した領域に設けられているので、インターフェイスステーション5の背面側が縮小可能で、インターフェイスステーション5を従来よりも小型化できる。したがって、露光前にウェハWの裏面洗浄を行う機能を備えた塗布現像処理システム1において、各処理ユニットの構成を変更することなくフットプリントを小さくすることができる。
According to the above embodiment, the
また、インターフェイスステーション5の正面側から洗浄ユニット100と検査ユニット101の双方にアクセスできるので、メンテナンスも容易となる。さらには、インターフェイスステーション5の背面側には処理ユニットが配置されていないため、インターフェイスステーション5内の機器への背面側からのアクセスも容易となるので、この点からもメンテナンスが容易となる。
Further, since both the
また、洗浄ユニット100と検査ユニット101を上下方向に多段に設けることで、洗浄後のウェハWと搬送アームとの接触回数を最小限にできる。即ち、図14に示される従来の塗布現像処理システム200のように、例えば洗浄ユニット210と検査ユニット211が塗布現像処理システム200の正面と背面に分けて設けられている場合、洗浄ユニット210から検査ユニット211にウェハWを搬送するには、先ず洗浄ユニットから受け渡しユニット213に搬送し、次いで受け渡しユニット213から検査ユニット211に搬送する必要がある。この場合、洗浄後のウェハWの裏面が、ウェハ搬送装置214と最低2回接触する。それに対して、本実施の形態のように、洗浄ユニット100と検査ユニット101を上下方向に配置すれば、受け渡しユニット213を介する必要がないので、ウェハWとウェハ搬送機構120との接触を1回に抑えることができる。その結果、ウェハWの裏面がウェハ搬送機構120に付着したパーティクルにより汚染される可能性が従来よりも低減できる。
Further, by providing the
また、以上の実施の形態では、ウェハ搬送機構120が、第1の搬送アーム121、第2の搬送アーム122及び第3の搬送アーム123を有し、洗浄後のウェハWは各搬送アーム122、123により検査ユニット101及びバッファユニット111へ搬送される。かかる場合、洗浄後のウェハWを搬送する各搬送アーム122、123がウェハWの裏面に付着したパーティクルにより汚染されることを抑制できる。その結果、各搬送アーム122、123を清浄に保つことができ、洗浄後のウェハWを搬送する際に、ウェハWの裏面が各搬送アーム122、123に付着したパーティクルに汚染される可能性を更に低減できる。なお、第3の搬送アーム123は必ずしも設ける必要はなく、洗浄ユニット100での洗浄後、バッファユニット111までの搬送を第2の搬送アーム122で行ってもよい。
In the above embodiment, the
また、ウェハ搬送機構120に複数の搬送アーム121、122、123を設けたことにより、各搬送アーム121、122、123による搬送工程数を均等化することができる。これにより、ウェハWの搬送時間管理が容易となる。
Further, by providing the
なお、検査ユニット101による検査の結果、ウェハWの状態が、例えば露光装置4での露光が不可と判定された場合、第2の搬送アーム122及び第3の搬送アーム123は、例えば裏面にパーティクルが付着した状態のウェハWを搬送していたことになる。そうすると、ウェハWに付着したパーティクルが各搬送アーム122、123に付着してしまい、次に搬送するウェハWの裏面を汚染してしまうおそれがある。したがって、検査ユニット101での検査の結果、ウェハWの状態が露光装置4での露光不可、または再洗浄により露光可能であると判定された場合、当該ウェハWを搬送した後に、第2の搬送アーム122及び第3の搬送アーム123を洗浄してもよい。かかる搬送アーム122、123の洗浄は、例えば洗浄ユニット100で行ってもよい。かかる場合、洗浄ユニット100のブラシ142を上下に反転自在に構成しておき、洗浄ユニット100内に進入させた各搬送アーム122、123の上面を反転させたブラシ142により洗浄してもよい。また、洗浄ユニット100とは別に、搬送アーム122、123の洗浄を行うアーム洗浄機構としての他の洗浄ユニットを第5のブロックG5または第6のブロックG6に設けてもよいし、バッファユニット111に搬送アーム122、123の洗浄機構を設けてもよい。
As a result of the inspection by the
以上の実施の形態では、検査ユニット101で洗浄後のウェハWを検査した結果、当該ウェハWの状態が、現状では露光不可であるものの洗浄ユニット100での再洗浄により露光が可能なものであると判定された場合、ウェハ搬送制御部125がウェハ搬送機構120を制御して、当該ウェハWを再度洗浄ユニット100に搬送している。この場合、露光不可と判断された全てのウェハWについて以後の処理を中止してカセットCに回収していた従来の塗布現像処理システム200と比較して、以後の処理を中止してカセットCに回収するウェハWの数を低減できる。その結果、塗布現像処理システム1によるウェハW処理の歩留まりを向上させることができる。
In the above embodiment, as a result of inspecting the wafer W after cleaning by the
また、検査ユニット101で検査した後のウェハWを一時的に収容するバッファユニット111が設けられているので、検査後のウェハWを、検査ユニット101による検査結果が判明するまで当該バッファユニット111に待機させることができる。仮に、検査の結果が判明していない状態でウェハWを搬送した場合、その後に判明する検査結果により搬送中のウェハWの搬送先を変更する必要が生じ、ウェハWの搬送に大きな影響をあたえるおそれがある。しかしながら、検査後のウェハWを検査結果が判明するまでバッファユニット111に待機させることで、搬送先が確定してからウェハWを搬送することができるので、そのような影響が生じることがない。
In addition, since the
なお、検査ユニット101で検査した後のウェハWをバッファユニット111に待機させる時間は、必ずしも当該ウェハWの検査結果が判明するまでとする必要はなく、それ以上の時間待機させてもよい。例えば、バッファユニット111に複数の検査後のウェハWが収容されているときに、最先に検査結果が判明するウェハWの検査結果が、上述の「再洗浄」であった場合、このウェハWが洗浄ユニット100で再度洗浄される過程で、バッファユニット111に収容されている他のウェハWの検査結果が判明する場合がある。かかる場合に、検査結果が判明した次のウェハWを露光装置4側に搬送すると、当該ウェハWは、再洗浄されるウェハWを追い越して露光装置4に搬送されることとなる。その場合、例えばロット単位で処理レシピに設定されているウェハWの搬送スケジュールと異なった順序でウェハWが露光装置4に搬送されるので、露光装置4がこのウェハWを認識できず、搬送エラーが発生する可能性がある。
Note that the time for which the
したがって、上述のように任意のウェハWが「再洗浄」と判定された場合には、当該ウェハWの再洗浄後に再度検査ユニット101で検査し、再度バッファユニット111に収容後に再洗浄の検査結果が判明するまで、次のウェハWをバッファユニット111で待機させておくことが好ましい。このように、バッファユニット111でウェハWを待機させる時間を調整することで、「再洗浄」となった場合でもウェハWを予め定められた所定の順序で搬送できる。なお、バッファユニット111は、複数のウェハWを、例えば多段に収容できる構成であってもよい。かかる場合、例えばバッファユニット111内のウェハWが露光不可と判定された際に、ウェハ搬送機構120によるウェハ搬送のスケジュールに影響を与えないタイミングとなるまで当該ウェハWをバッファユニット111に収容しておくことで、搬送スケジュールに影響を与えることなくウェハWを回収することが可能となる。また、例えばバッファユニット111に、露光可能と判定されたウェハWを例えば複数枚待機させておくようにしてもよい。かかる場合、例えば「再洗浄」と判定されたウェハWを再度洗浄する間に、待機させていた露光可能なウェハWを露光装置4に搬送するようにすれば、常に露光装置4に搬送するウェハWを確保できるので、露光装置4が待ち状態になることを防止できる。
Therefore, when an arbitrary wafer W is determined to be “re-cleaning” as described above, the
なお、以上の実施の形態では、洗浄ユニット100の下方に検査ユニット101を配置していたが、その反対に、洗浄ユニット100を検査ユニット101の下方に配置してもよい。
In the above embodiment, the
以上の実施の形態では、温度調整ユニット112により露光装置4に搬送する前のウェハWの温度調整を行ったが、例えば検査ユニット101内の雰囲気を所定の温度に調整する温調機構を検査ユニット101に設け、当該検査ユニット101でウェハWを検査している間に当該ウェハWの温度調整を行うようにしてもよい。こうすることで、温度調整ユニット112での処理時間や温度調整ユニット112への搬送時間を短縮できるので、塗布現像処理システム1のスループットを向上させることができる。
In the above embodiment, the temperature of the wafer W before being transferred to the
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。 The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板に対して処理を行う際に有用である。 The present invention is useful when processing a substrate such as a semiconductor wafer.
1 塗布現像処理システム
2 カセットステーション
3 処理ステーション
4 露光装置
5 インターフェイスステーション
6 制御装置
10 カセット搬入出部
11 ウェハ搬送部
12 カセット載置台
13 カセット載置板
20 搬送路
21 ウェハ搬送装置
30 下部反射防止膜形成ユニット
31 レジスト塗布ユニット
32 上部反射防止膜形成ユニット
33 現像処理ユニット
40 熱処理ユニット
41 アドヒージョンユニット
42 周辺露光ユニット
50〜56 受け渡しユニット
60〜62 受け渡しユニット
70 ウェハ搬送装置
85 ウェハ搬送装置
90 ウェハ搬送装置
100 洗浄ユニット
101 検査ユニット
110 受け渡しユニット
111 バッファユニット
112 温度調整ユニット
120 ウェハ搬送機構
121 第1の搬送アーム
122 第2の搬送アーム
123 第3の搬送アーム
125 ウェハ搬送制御部
130、131 ウェハ搬送装置
140 吸着パッド
141 スピンチャック
142 ブラシ
143 筐体
144 枠体
145 上部カップ
145a 開口部
150 シャフト
151 駆動機構
152 昇降ピン
153 支持体
153a 洗浄液ノズル
153b パージノズル
154 駆動機構
160 ドレン管
170 筐体
171 保持アーム
172 光源
173 カメラ
C カセット
D ウェハ搬送領域
F カップ
W ウェハ
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記インターフェイスステーションは、
基板を前記露光装置に搬入する前に少なくとも基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットと、
少なくとも前記洗浄後の基板の裏面について、当該基板の露光が可能かどうかを前記露光装置に搬入する前に検査する検査ユニットと、
前記洗浄ユニットと前記検査ユニットとの間で基板を搬送するアームを備えた基板搬送機構と、
前記処理ステーションとの間で前記基板の受け渡しを行う受け渡しユニットと、
前記検査ユニットで検査された後であって且つ前記露光装置に搬入前の前記基板を所定の温度に調整する温度調整機構と、を有し、
前記洗浄ユニットと前記検査ユニットは、前記インターフェイスステーションの正面側または背面側のいずれかの側に、上下方向に多段に積層して設けられ、
前記受け渡しユニットと前記温度調整機構は、前記基板搬送機構を挟んで積層された前記洗浄ユニットと前記検査ユニットとの反対側に、上下方向に積層して設けられ、
前記基板搬送機構は、上下方向に沿って移動自在に設けられ、
前記検査ユニットでの検査の結果、基板の状態が、前記洗浄ユニットでの再洗浄により露光可能な状態になると判定されれば、当該基板を前記洗浄ユニットに再度搬送するように、前記基板搬送機構を制御する基板搬送制御部をさらに有することを特徴とする、基板処理システム。 A substrate processing system comprising: a processing station provided with a plurality of processing units for processing a substrate; and an interface station for transferring the substrate between the processing station and an exposure apparatus provided outside,
The interface station is
A cleaning unit for cleaning at least the back surface of the substrate before carrying the substrate into the exposure apparatus;
An inspection unit for inspecting whether or not the substrate can be exposed at least about the back surface of the substrate after cleaning, before carrying it into the exposure apparatus;
A substrate transport mechanism comprising an arm for transporting a substrate between the cleaning unit and the inspection unit;
A transfer unit for transferring the substrate to and from the processing station;
A temperature adjustment mechanism for adjusting the substrate to a predetermined temperature after being inspected by the inspection unit and before being carried into the exposure apparatus;
The cleaning unit and the inspection unit are provided in multiple layers in the vertical direction on either the front side or the back side of the interface station,
The delivery unit and the temperature adjusting mechanism are provided in a vertically stacked manner on the opposite side of the cleaning unit and the inspection unit stacked with the substrate transport mechanism interposed therebetween,
The substrate transport mechanism is provided movably along the vertical direction ,
As a result of the inspection in the inspection unit, if it is determined that the state of the substrate is ready for exposure by re-cleaning in the cleaning unit, the substrate transport mechanism is configured to transport the substrate again to the cleaning unit. and wherein further Yusuke Rukoto the substrate conveyance control unit for controlling a substrate processing system.
前記インターフェイスステーションは、The interface station is
基板を前記露光装置に搬入する前に少なくとも基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットと、 A cleaning unit for cleaning at least the back surface of the substrate before carrying the substrate into the exposure apparatus;
少なくとも前記洗浄後の基板の裏面について、当該基板の露光が可能かどうかを前記露光装置に搬入する前に検査する検査ユニットと、 An inspection unit for inspecting whether or not the substrate can be exposed at least about the back surface of the substrate after cleaning, before carrying it into the exposure apparatus;
前記洗浄ユニットと前記検査ユニットとの間で基板を搬送するアームを備えた基板搬送機構と、 A substrate transport mechanism comprising an arm for transporting a substrate between the cleaning unit and the inspection unit;
前記処理ステーションとの間で前記基板の受け渡しを行う受け渡しユニットと、 A transfer unit for transferring the substrate to and from the processing station;
前記検査ユニットで検査された後であって且つ前記露光装置に搬入前の前記基板を所定の温度に調整する温度調整機構と、を有し、 A temperature adjustment mechanism for adjusting the substrate to a predetermined temperature after being inspected by the inspection unit and before being carried into the exposure apparatus;
前記洗浄ユニットと前記検査ユニットは、前記インターフェイスステーションの正面側または背面側のいずれかの側に、上下方向に多段に積層して設けられ、The cleaning unit and the inspection unit are provided in multiple layers in the vertical direction on either the front side or the back side of the interface station,
前記基板搬送機構は、上下方向に多段に設けられた前記洗浄ユニット及び前記検査ユニットに隣接した領域に設けられ、The substrate transport mechanism is provided in a region adjacent to the cleaning unit and the inspection unit provided in multiple stages in the vertical direction,
前記受け渡しユニットと前記温度調整機構は、前記基板搬送機構を挟んで積層された前記洗浄ユニットと前記検査ユニットとの反対側に、上下方向に積層して設けられ、The delivery unit and the temperature adjusting mechanism are provided in a vertically stacked manner on the opposite side of the cleaning unit and the inspection unit stacked with the substrate transport mechanism interposed therebetween,
前記基板搬送機構は、上下方向に沿って移動自在に設けられ、The substrate transport mechanism is provided movably along the vertical direction,
前記検査ユニットでの検査の結果、基板の状態が、前記洗浄ユニットでの再洗浄により露光可能な状態になると判定されれば、当該基板を前記洗浄ユニットに再度搬送することを特徴とする、基板搬送方法。As a result of the inspection in the inspection unit, if it is determined that the state of the substrate is ready for exposure by re-cleaning in the cleaning unit, the substrate is transported to the cleaning unit again. Transport method.
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