JP5567919B2 - Substrate processing apparatus, substrate processing method, program, and computer storage medium - Google Patents

Substrate processing apparatus, substrate processing method, program, and computer storage medium Download PDF

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Description

本発明は、基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, a program, and a computer storage medium.

例えば半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィ処理では、例えば半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜の周縁部を選択的に露光する周辺露光処理、周縁部が露光されたレジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストのパターンが形成される。   For example, in the photolithography process in the manufacture of semiconductor devices, for example, a resist coating process for forming a resist film by applying a resist solution on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”), and selectively exposing the peripheral portion of the resist film Peripheral exposure processing, exposure processing for exposing a predetermined pattern on the resist film exposed at the peripheral portion, development processing for developing the exposed resist film, etc. are sequentially performed to form a predetermined resist pattern on the wafer. The

また、上述のようにフォトリソグラフィ処理が行われるウェハには、検査装置によって、いわゆるマクロ欠陥検査が行われる。マクロ欠陥検査は、種々のタイミングで行われるが、例えば周辺露光処理が行われた後に行われる。かかる場合、ウェハ表面に所定のレジスト膜が形成されているか否か、あるいは傷、異物の付着があるかどうか等が検査される。   In addition, a so-called macro defect inspection is performed by an inspection apparatus on a wafer on which photolithography processing is performed as described above. The macro defect inspection is performed at various timings, for example, after the peripheral exposure processing is performed. In such a case, it is inspected whether or not a predetermined resist film is formed on the wafer surface, whether or not there are any flaws or foreign matters.

上述したフォトリソグラフィ処理と欠陥検査は、例えば塗布現像処理装置と露光装置で行われる。そして、塗布現像処理装置には、例えば上述したレジスト塗布処理を行うレジスト塗布装置や、現像処理を行う現像処理装置等の液処理装置、あるいは周辺露光処理を行う周辺露光装置に加えて、ウェハの検査を行う検査装置が設けられている。すなわち、検査装置は、周辺露光装置等とは別途設けられている。さらに塗布現像処理装置には、ウェハを各処理装置に搬送するための搬送装置も設けられている(特許文献1)。   The above-described photolithography processing and defect inspection are performed by, for example, a coating and developing processing apparatus and an exposure apparatus. The coating and developing apparatus includes, for example, a resist coating apparatus that performs the above-described resist coating process, a liquid processing apparatus such as a development processing apparatus that performs the development process, or a peripheral exposure apparatus that performs the peripheral exposure process. An inspection device for performing an inspection is provided. That is, the inspection apparatus is provided separately from the peripheral exposure apparatus and the like. Further, the coating and developing processing apparatus is also provided with a transfer device for transferring the wafer to each processing device (Patent Document 1).

特開2007−240519号公報JP 2007-240519 A

上述したように特許文献1の塗布現像処理装置を用いた場合、周辺露光装置での周辺露光処理が終了したウェハは、搬送装置によって検査装置に搬送される。かかる場合、周辺露光装置から検査装置にウェハを搬送中、上記搬送装置を他のウェハの搬送に用いることができない。すなわち、他のウェハに対する処理が終了し、別の処理装置に搬送可能になっているにも関わらず、当該他のウェハを待機させておかなければならず、搬送待ちが生じる場合があった。したがって、ウェハ処理のスループットに改善の余地があった。   As described above, when the coating and developing treatment apparatus of Patent Document 1 is used, the wafer that has been subjected to the peripheral exposure process in the peripheral exposure apparatus is transferred to the inspection apparatus by the transfer apparatus. In such a case, while the wafer is being transferred from the peripheral exposure apparatus to the inspection apparatus, the transfer apparatus cannot be used for transferring another wafer. That is, although the processing for another wafer has been completed and the wafer can be transferred to another processing apparatus, the other wafer has to be kept on standby, which may result in waiting for transfer. Therefore, there is room for improvement in wafer processing throughput.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、周辺露光処理後の基板の検査を行う基板処理において、当該基板処理のスループットを向上させることを目的とする。   The present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to improve the throughput of substrate processing in substrate processing for inspecting a substrate after peripheral exposure processing.

前記の目的を達成するため、本発明は、基板の処理装置であって、基板上に形成された塗布膜の周縁部に対して周辺露光処理を行う周辺露光室と、前記周辺露光室に積層して設けられ、当該周辺露光室における周辺露光処理が終了した基板の欠陥を検査する検査室と、他の処理装置に基板を搬送する基板搬送装置に対して基板を受け渡し、前記周辺露光室と前記検査室に隣接して設けられ、基板を鉛直方向に搬送する搬送アームを備えた搬送室と、を有し、前記周辺露光室は、基板を保持する第1の保持部と、前記周辺露光室の搬送室側に形成された第1の開口部を介して、前記周辺露光室と前記搬送室との間で前記第1の保持部を移動させる第1の移動機構と、前記第1の保持部に保持された基板上の塗布膜の周縁部を露光する露光部と、を有し、前記検査室は、基板を保持する第2の保持部と、前記検査室の搬送室側に形成された第2の開口部を介して、前記検査室と前記搬送室との間で前記第2の保持部を移動させる第2の移動機構と、前記第2の保持部に保持された基板を撮像する撮像部と、を有することを特徴としている。
In order to achieve the above object, the present invention is a substrate processing apparatus, comprising: a peripheral exposure chamber that performs peripheral exposure processing on a peripheral portion of a coating film formed on a substrate; and a stack in the peripheral exposure chamber An inspection chamber for inspecting defects of the substrate that has been subjected to the peripheral exposure process in the peripheral exposure chamber, and a substrate transfer device that transfers the substrate to another processing apparatus, and the peripheral exposure chamber A transfer chamber provided adjacent to the inspection chamber and having a transfer arm for transferring the substrate in the vertical direction, the peripheral exposure chamber having a first holding unit for holding the substrate, and the peripheral exposure A first moving mechanism for moving the first holding unit between the peripheral exposure chamber and the transfer chamber via a first opening formed on the transfer chamber side of the chamber; An exposure unit that exposes a peripheral portion of the coating film on the substrate held by the holding unit; And the inspection chamber is provided between the inspection chamber and the transfer chamber via a second holding portion that holds the substrate and a second opening formed on the transfer chamber side of the inspection chamber. It has a 2nd moving mechanism which moves the 2nd holding part, and an image pick-up part which picturizes the substrate held by the 2nd holding part.

本発明の基板処理装置には、周辺露光室と検査室が積層して設けられ、且つこれら周辺露光室と検査室に隣接して搬送室が設けられているので、当該基板処理装置内で基板を搬送しつつ、基板の周辺露光処理と当該基板の検査を共に行うことができる。具体的には、先ず、例えば第1の移動機構によって、第1の保持部に保持された基板を周辺露光室に搬送し、当該周辺露光室で基板上の塗布膜の周縁部を露光する。その後、第1の保持部から搬送アームに基板を受け渡した後、搬送アームを検査室と同じ高さまで移動させる。その後、搬送アームから第2の保持部に基板を受け渡した後、第2の移動機構によって、第2の保持部に保持された基板を検査室に搬送し、当該検査室で基板の欠陥を検査する。以上より、本発明によれば、基板の周辺露光処理と当該基板の検査を行う際に、従来のように周辺露光装置と検査装置間で搬送装置を用いて基板を搬送する必要がなくなるため、当該搬送装置を用いて他の処理装置間で他の基板の搬送を行うことができる。したがって、他の基板の搬送待ちを軽減でき、基板処理のスループットを向上させることができる。   In the substrate processing apparatus of the present invention, the peripheral exposure chamber and the inspection chamber are stacked and a transfer chamber is provided adjacent to the peripheral exposure chamber and the inspection chamber. Both the peripheral exposure processing of the substrate and the inspection of the substrate can be performed. Specifically, first, for example, the first holding mechanism transports the substrate held by the first holding unit to the peripheral exposure chamber, and the peripheral edge of the coating film on the substrate is exposed in the peripheral exposure chamber. Thereafter, the substrate is transferred from the first holding unit to the transfer arm, and then the transfer arm is moved to the same height as the inspection room. Then, after delivering the substrate from the transfer arm to the second holding unit, the substrate held by the second holding unit is transferred to the inspection room by the second moving mechanism, and the substrate is inspected for defects in the inspection room. To do. As described above, according to the present invention, when performing the peripheral exposure processing of the substrate and the inspection of the substrate, it is not necessary to transport the substrate using the transport device between the peripheral exposure apparatus and the inspection apparatus as in the past. Another substrate can be transferred between other processing apparatuses using the transfer apparatus. Therefore, the waiting time for transporting other substrates can be reduced, and the throughput of substrate processing can be improved.

別な観点による本発明は、基板の処理装置であって、基板上に形成された塗布膜の周縁部に対して周辺露光処理を行う周辺露光室と、前記周辺露光室に積層して設けられ、当該周辺露光室における周辺露光処理が終了した基板の欠陥を検査する検査室と、外部との間で基板を搬入出しつつ、前記周辺露光室と前記検査室に隣接して設けられ、基板を鉛直方向に搬送する搬送アームを備えた搬送室と、を有し、前記周辺露光室は、基板を保持する第1の保持部と、前記周辺露光室の搬送室側に形成された第1の開口部を介して、前記周辺露光室と前記搬送室との間で前記第1の保持部を移動させる第1の移動機構と、前記第1の保持部に保持された基板上の塗布膜の周縁部を露光する露光部と、前記第1の保持部に保持された基板の周縁部の位置を検出する位置検出センサと、前記第1の保持部に保持された基板を回転させる回転駆動部と、前記位置検出センサの検出結果に基づいて、基板の周縁部の位置を調整するように前記回転駆動部を制御する制御部と、を有し、前記検査室は、基板を保持する第2の保持部と、前記検査室の搬送室側に形成された第2の開口部を介して、前記検査室と前記搬送室との間で前記第2の保持部を移動させる第2の移動機構と、前記第2の保持部に保持された基板を撮像する撮像部と、を有し、前記搬送室の搬送アームは、前記周辺露光室で周辺露光処理が終了した基板を前記検査室まで搬送することを特徴としている。
Another aspect of the present invention is a substrate processing apparatus, which is provided by laminating a peripheral exposure chamber for performing peripheral exposure processing on a peripheral portion of a coating film formed on a substrate, and the peripheral exposure chamber. The peripheral exposure chamber is provided adjacent to the peripheral exposure chamber and the inspection chamber while the substrate is carried in and out of the inspection chamber for inspecting the defects of the substrate for which the peripheral exposure processing has been completed in the peripheral exposure chamber. A transfer chamber having a transfer arm for transferring in the vertical direction, wherein the peripheral exposure chamber has a first holding unit for holding a substrate, and a first chamber formed on the transfer chamber side of the peripheral exposure chamber. A first moving mechanism for moving the first holding unit between the peripheral exposure chamber and the transfer chamber via the opening; and a coating film on the substrate held by the first holding unit. an exposure unit for exposing a peripheral portion, position of the peripheral portion of the substrate held by the first holding portion A position detection sensor for detecting the position of the substrate, a rotation drive unit for rotating the substrate held by the first holding unit, and the position of the peripheral portion of the substrate based on the detection result of the position detection sensor. possess a control unit for controlling the rotation driving unit, wherein the test chamber through a second holding portion for holding the substrate, a second opening formed in the transfer chamber side of the test chamber, A second moving mechanism that moves the second holding unit between the inspection chamber and the transfer chamber, and an imaging unit that images the substrate held by the second holding unit, The transfer arm of the transfer chamber transfers the substrate that has been subjected to the peripheral exposure process in the peripheral exposure chamber to the inspection chamber.

また、前記検査室は、前記第2の保持部に保持された基板の周縁部の位置を検出する位置検出センサと、前記第2の保持部に保持された基板を回転させる回転駆動部と、前記位置検出センサの検出結果に基づいて、基板の周縁部の位置を調整するように前記回転駆動部を制御する制御部と、を有していてもよい。   Further, the inspection chamber includes a position detection sensor that detects a position of a peripheral edge of the substrate held by the second holding unit, a rotation driving unit that rotates the substrate held by the second holding unit, And a controller that controls the rotation driving unit so as to adjust the position of the peripheral edge of the substrate based on the detection result of the position detection sensor.

1室以上の前記周辺露光室と1室以上の前記検査室がそれぞれ積層され、前記周辺露光室における周辺露光処理時間と前記検査室における検査時間との比率に基づいて、前記周辺露光室の数と前記検査室の数が設定されるようにしてもよい。   One or more peripheral exposure chambers and one or more inspection chambers are stacked, and the number of the peripheral exposure chambers is based on the ratio between the peripheral exposure processing time in the peripheral exposure chamber and the inspection time in the inspection chamber. The number of examination rooms may be set.

2室の前記周辺露光室と1室の前記検査室が積層されていてもよい。   Two peripheral exposure chambers and one inspection chamber may be stacked.

別な観点による本発明は、基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記基板処理装置は、基板上に形成された塗布膜の周縁部に対して周辺露光処理を行う周辺露光室と、前記周辺露光室に積層して設けられ、当該周辺露光室における周辺露光処理が終了した基板の欠陥を検査する検査室と、他の処理装置に基板を搬送する基板搬送装置に対して基板を受け渡し、前記周辺露光室と前記検査室に隣接して設けられ、基板を鉛直方向に搬送する搬送アームを備えた搬送室と、を備え、前記周辺露光室は、基板を保持する第1の保持部と、前記周辺露光室の搬送室側に形成された第1の開口部を介して、前記周辺露光室と前記搬送室との間で前記第1の保持部を移動させる第1の移動機構と、前記第1の保持部に保持された基板上の塗布膜の周縁部を露光する露光部と、を備え、前記検査室は、基板を保持する第2の保持部と、前記検査室の搬送室側に形成された第2の開口部を介して、前記検査室と前記搬送室との間で前記第2の保持部を移動させる第2の移動機構と、前記第2の保持部に保持された基板を撮像する撮像部と、を備え、前記基板処理方法は、前記第1の移動機構によって、前記第1の保持部に保持された基板を前記周辺露光室に搬送し、当該周辺露光室で基板上の塗布膜の周縁部を露光する周辺露光工程と、その後、第1の保持部から前記搬送アームに基板を受け渡した後、前記搬送アームを前記検査室と同じ高さまで移動させる搬送工程と、その後、前記搬送アームから前記第2の保持部に基板を受け渡した後、前記第2の移動機構によって、前記第2の保持部に保持された基板を前記検査室に搬送し、当該検査室で基板の欠陥を検査する検査工程と、を有することを特徴としている。
Another aspect of the present invention is a substrate processing method using a substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus includes a peripheral exposure chamber that performs peripheral exposure processing on a peripheral portion of a coating film formed on the substrate; An inspection chamber for stacking the peripheral exposure chamber and inspecting the substrate for which the peripheral exposure processing in the peripheral exposure chamber has been completed; and a substrate transfer device for transferring the substrate to another processing apparatus. A transfer chamber provided adjacent to the peripheral exposure chamber and the inspection chamber and having a transfer arm for transferring the substrate in a vertical direction, wherein the peripheral exposure chamber holds a substrate. And a first moving mechanism for moving the first holding unit between the peripheral exposure chamber and the transfer chamber via a first opening formed on the transfer chamber side of the peripheral exposure chamber And the coating film on the substrate held by the first holding part An exposure unit that exposes an edge, and the inspection chamber includes a second holding unit that holds a substrate, and a second opening formed on the transfer chamber side of the inspection chamber. A second moving mechanism for moving the second holding unit between the chamber and the transfer chamber; and an imaging unit for imaging the substrate held by the second holding unit, the substrate processing method A peripheral exposure step of transporting the substrate held by the first holding unit to the peripheral exposure chamber by the first moving mechanism and exposing the peripheral portion of the coating film on the substrate in the peripheral exposure chamber; Then, after transferring the substrate from the first holding unit to the transfer arm, the transfer step of moving the transfer arm to the same height as the inspection chamber, and then the substrate from the transfer arm to the second holding unit After the delivery, the second holding mechanism moves the second holding Conveying the substrate held by the laboratory, it is characterized by having, an inspection step of inspecting a defect of the substrate in the laboratory.

別な観点による本発明は、基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記基板処理装置は、基板上に形成された塗布膜の周縁部に対して周辺露光処理を行う周辺露光室と、前記周辺露光室に積層して設けられ、当該周辺露光室における周辺露光処理が終了した基板の欠陥を検査する検査室と、外部との間で基板を搬入出しつつ、前記周辺露光室と前記検査室に隣接して設けられ、基板を鉛直方向に搬送する搬送アームを備えた搬送室と、を備え、前記周辺露光室は、基板を保持する第1の保持部と、前記周辺露光室の搬送室側に形成された第1の開口部を介して、前記周辺露光室と前記搬送室との間で前記第1の保持部を移動させる第1の移動機構と、前記第1の保持部に保持された基板上の塗布膜の周縁部を露光する露光部と、前記第1の保持部に保持された基板の周縁部の位置を検出する位置検出センサと、前記第1の保持部に保持された基板を回転させる回転駆動部と、を備え、前記検査室は、基板を保持する第2の保持部と、前記検査室の搬送室側に形成された第2の開口部を介して、前記検査室と前記搬送室との間で前記第2の保持部を移動させる第2の移動機構と、前記第2の保持部に保持された基板を撮像する撮像部と、を備え、前記基板処理方法は、前記第1の移動機構によって、前記第1の保持部に保持された基板を前記周辺露光室に搬送し、前記位置検出センサの検出結果に基づいて、前記回転駆動部によって基板を回転させ、当該基板の周縁部の位置を調整し、当該周辺露光室で基板上の塗布膜の周縁部を露光する周辺露光工程と、その後、第1の保持部から前記搬送アームに基板を受け渡した後、前記搬送アームを前記検査室と同じ高さまで移動させる搬送工程と、その後、前記搬送アームから前記第2の保持部に基板を受け渡した後、前記第2の移動機構によって、前記第2の保持部に保持された基板を前記検査室に搬送し、当該検査室で基板の欠陥を検査する検査工程と、を有することを特徴としている。 Another aspect of the present invention is a substrate processing method using a substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus includes a peripheral exposure chamber that performs peripheral exposure processing on a peripheral portion of a coating film formed on the substrate; The peripheral exposure chamber, and the peripheral exposure chamber while the substrate is carried in and out of the inspection chamber for inspecting the defect of the substrate after the peripheral exposure processing in the peripheral exposure chamber is completed. A transfer chamber provided adjacent to the inspection chamber and including a transfer arm for transferring the substrate in the vertical direction, the peripheral exposure chamber including a first holding unit for holding the substrate, and the peripheral exposure chamber A first moving mechanism for moving the first holding unit between the peripheral exposure chamber and the transfer chamber through a first opening formed on the transfer chamber side; and the first holding unit. an exposure unit for exposing the periphery of the coating film on the substrate held on the first A position detection sensor for detecting the position of the peripheral portion of the substrate held by the holding portion of the a first rotation drive section for rotating the substrate held by the holding unit, Bei example, said test chamber includes a substrate The second holding unit is moved between the inspection chamber and the transfer chamber through a second holding unit that holds the second chamber and a second opening formed on the transfer chamber side of the inspection chamber. A second moving mechanism; and an imaging unit that images the substrate held by the second holding unit, wherein the substrate processing method is held by the first holding unit by the first moving mechanism. The substrate is transported to the peripheral exposure chamber, the substrate is rotated by the rotation driving unit based on the detection result of the position detection sensor, the position of the peripheral portion of the substrate is adjusted , and the substrate is adjusted in the peripheral exposure chamber. Peripheral exposure process for exposing peripheral edge of upper coating film, and then first holding A transfer step of transferring the substrate from the transfer arm to the same height as the inspection chamber, and then transferring the substrate from the transfer arm to the second holding unit. And an inspection step of transporting the substrate held by the second holding portion to the inspection chamber and inspecting the substrate for defects in the inspection chamber.

また、前記検査室は、前記第2の保持部に保持された基板の周縁部の位置を検出する位置検出センサと、前記第2の保持部に保持された基板を回転させる回転駆動部と、を備え、前記検査工程において、前記位置検出センサの検出結果に基づいて、前記回転駆動部によって基板を回転させ、当該基板の周縁部の位置を調整してもよい。   Further, the inspection chamber includes a position detection sensor that detects a position of a peripheral edge of the substrate held by the second holding unit, a rotation driving unit that rotates the substrate held by the second holding unit, In the inspection step, based on the detection result of the position detection sensor, the rotation drive unit may rotate the substrate to adjust the position of the peripheral edge of the substrate.

また別な観点による本発明によれば、前記基板処理方法を基板処理装置によって実行させるために、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control unit that controls the substrate processing apparatus in order to cause the substrate processing apparatus to execute the substrate processing method.

さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。   According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.

本発明によれば、一の基板処理装置内で基板を搬送しつつ、基板の周辺露光処理と当該基板の検査を共に行うことができ、基板処理のスループットを向上させることができる。   According to the present invention, it is possible to perform both the peripheral exposure processing of the substrate and the inspection of the substrate while transporting the substrate in one substrate processing apparatus, and to improve the throughput of the substrate processing.

本実施の形態にかかるウェハ処理装置を備えた塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the internal structure of the coating-development processing system provided with the wafer processing apparatus concerning this Embodiment. 塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of an internal structure of a coating and developing treatment system. 塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of an internal structure of a coating and developing treatment system. ウェハ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a wafer processing apparatus. ウェハ処理装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a wafer processing apparatus. ウェハ処理装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a wafer processing apparatus. ウェハ処理装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a wafer processing apparatus. 搬送アーム、第1の保持部及びウェハ搬送装置の関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship between a transfer arm, a 1st holding | maintenance part, and a wafer transfer apparatus. 一のウェハを搬送室に搬送する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the one wafer is conveyed to a conveyance chamber. 一のウェハを下側周辺露光室に搬送すると共に、他のウェハを搬送室に搬送する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that one wafer is conveyed to a lower side periphery exposure chamber, and another wafer is conveyed to a conveyance chamber. 下側周辺露光室で一のウェハに周辺露光処理を行うと共に、他のウェハを上側周辺露光室の高さまで搬送する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a peripheral exposure process is performed to one wafer in a lower side peripheral exposure chamber, and another wafer is conveyed to the height of an upper side peripheral exposure chamber. 一のウェハを搬送室に搬送すると共に、他のウェハを上側周辺露光室に搬送する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that one wafer is conveyed to a conveyance chamber, and another wafer is conveyed to an upper periphery exposure chamber. 一のウェハを検査室の高さまで搬送すると共に、上側周辺露光室で他のウェハに周辺露光処理を行う様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a wafer is conveyed to the height of a test | inspection room, and a peripheral exposure process is performed to another wafer in an upper side peripheral exposure chamber. 一のウェハを検査室に搬送すると共に、上側周辺露光室で他のウェハに周辺露光処理を行う様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a wafer is conveyed to a test | inspection room and a periphery exposure process is performed to another wafer in an upper side periphery exposure chamber. 検査室で一のウェハの検査を行うと共に、上側周辺露光室で他のウェハに周辺露光処理を行う様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that one wafer is test | inspected in a test | inspection room, and a peripheral exposure process is performed to another wafer in an upper side peripheral exposure chamber. 他の実施の形態にかかるウェハ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the wafer processing apparatus concerning other embodiment.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理装置を備えた塗布現像処理システム1の内部構成の概略を示す平面図である。図2及び図3は、塗布現像処理システム1の内部構成の概略を示す側面図である。   Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view showing an outline of the internal configuration of a coating and developing treatment system 1 including a wafer processing apparatus as a substrate processing apparatus according to the present embodiment. 2 and 3 are side views showing an outline of the internal configuration of the coating and developing treatment system 1.

塗布現像処理システム1は、図1に示すように例えば外部との間で複数枚のウェハWを収容したカセットCが搬入出されるカセットステーション2と、フォトリソグラフィ処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション3と、処理ステーション3に隣接する露光装置4との間でウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション5とを一体に接続した構成を有している。   As shown in FIG. 1, the coating and developing treatment system 1 includes, for example, a cassette station 2 in which a cassette C containing a plurality of wafers W is carried in and out of the outside, and a predetermined single-wafer type in a photolithography process. It has a configuration in which a processing station 3 including a plurality of various processing apparatuses that perform processing and an interface station 5 that transfers the wafer W between the exposure apparatus 4 adjacent to the processing station 3 are integrally connected. .

カセットステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10には、複数、例えば4つのカセット載置板11が設けられている。カセット載置板11は、水平方向のX方向(図1中の上下方向)に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板11には、塗布現像処理システム1の外部に対してカセットCを搬入出する際に、カセットCを載置することができる。   The cassette station 2 is provided with a cassette mounting table 10. The cassette mounting table 10 is provided with a plurality of, for example, four cassette mounting plates 11. The cassette mounting plates 11 are arranged in a line in the horizontal X direction (vertical direction in FIG. 1). The cassette C can be placed on these cassette placement plates 11 when the cassette C is carried into and out of the coating and developing treatment system 1.

カセットステーション2には、図1に示すようにX方向に延びる搬送路20上を移動自在なウェハ搬送装置21が設けられている。ウェハ搬送装置21は、上下方向及び鉛直軸周り(θ方向)にも移動自在であり、各カセット載置板11上のカセットCと、後述する処理ステーション3の第3のブロックG3の受け渡し装置との間でウェハWを搬送できる。   The cassette station 2 is provided with a wafer transfer device 21 that is movable on a transfer path 20 extending in the X direction as shown in FIG. The wafer transfer device 21 is also movable in the vertical direction and around the vertical axis (θ direction), and a cassette C on each cassette mounting plate 11 and a delivery device for a third block G3 of the processing station 3 to be described later. The wafer W can be transferred between the two.

処理ステーション3には、各種装置を備えた複数、例えば4つのブロックG1、G2、G3、G4が設けられている。例えば処理ステーション3の正面側(図1のX方向負方向側)には、第1のブロックG1が設けられ、処理ステーション3の背面側(図1のX方向正方向側)には、第2のブロックG2が設けられている。また、処理ステーション3のカセットステーション2側(図1のY方向負方向側)には、第3のブロックG3が設けられ、処理ステーション3のインターフェイスステーション5側(図1のY方向正方向側)には、第4のブロックG4が設けられている。   The processing station 3 is provided with a plurality of, for example, four blocks G1, G2, G3, and G4 having various devices. For example, the first block G1 is provided on the front side of the processing station 3 (X direction negative direction side in FIG. 1), and the second side is provided on the back side of the processing station 3 (X direction positive direction side in FIG. 1). Block G2 is provided. Further, a third block G3 is provided on the cassette station 2 side (Y direction negative direction side in FIG. 1) of the processing station 3, and the processing station 3 interface station 5 side (Y direction positive direction side in FIG. 1). Is provided with a fourth block G4.

例えば第1のブロックG1には、図3に示すように複数の液処理装置、例えばウェハWを現像処理する現像装置30、ウェハWのレジスト膜の下層に反射防止膜(以下、「下部反射防止膜」という)を形成する下部反射防止膜形成装置31、ウェハWにレジスト液を塗布して塗布膜としてのレジスト膜を形成するレジスト塗布装置32、ウェハWのレジスト膜の上層に反射防止膜(以下、「上部反射防止膜」という)を形成する上部反射防止膜形成装置33が下から順に4段に重ねられている。   For example, in the first block G1, as shown in FIG. 3, a plurality of liquid processing devices, for example, a developing device 30 for developing the wafer W, an antireflection film (hereinafter referred to as “lower antireflection”) on the lower layer of the resist film of the wafer W. A lower antireflection film forming device 31 for forming a film), a resist coating device 32 for applying a resist solution to the wafer W to form a resist film as a coating film, and an antireflection film (on the upper layer of the resist film on the wafer W). Hereinafter, an upper antireflection film forming apparatus 33 for forming an “upper antireflection film” is stacked in four stages in order from the bottom.

例えば第1のブロックG1の各装置30〜33は、処理時にウェハWを収容するカップFを水平方向に複数有し、複数のウェハWを並行して処理することができる。   For example, each of the devices 30 to 33 in the first block G1 has a plurality of cups F that accommodate the wafers W in the horizontal direction during processing, and can process the plurality of wafers W in parallel.

例えば第2のブロックG2には、図2に示すようにウェハWの熱処理を行う熱処理装置40や、ウェハWを疎水化処理するアドヒージョン装置41、ウェハW上のレジスト膜の周縁部に対して周辺露光処理を行うと共に、当該周辺露光処理が終了したウェハWの欠陥を検査するウェハ処理装置42が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理装置40は、ウェハWを載置して加熱する熱板と、ウェハWを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、熱処理装置40、アドヒージョン装置41及びウェハ処理装置42の数や配置は、任意に選択できる。また、ウェハ処理装置42の詳細な構成については後述する。   For example, in the second block G2, as shown in FIG. 2, the heat treatment apparatus 40 for heat treatment of the wafer W, the adhesion apparatus 41 for hydrophobizing the wafer W, and the periphery of the resist film on the wafer W are peripheral. A wafer processing apparatus 42 for performing the exposure process and inspecting the defect of the wafer W for which the peripheral exposure process has been completed is provided side by side in the vertical direction and the horizontal direction. The heat treatment apparatus 40 includes a hot plate for placing and heating the wafer W and a cooling plate for placing and cooling the wafer W, and can perform both heat treatment and cooling treatment. In addition, the number and arrangement | positioning of the heat processing apparatus 40, the adhesion apparatus 41, and the wafer processing apparatus 42 can be selected arbitrarily. The detailed configuration of the wafer processing apparatus 42 will be described later.

例えば第3のブロックG3には、複数の受け渡し装置50、51、52、53、54、55、56が下から順に設けられている。また、第4のブロックG4には、複数の受け渡し装置60、61、62が下から順に設けられている。   For example, in the third block G3, a plurality of delivery devices 50, 51, 52, 53, 54, 55, and 56 are provided in order from the bottom. The fourth block G4 is provided with a plurality of delivery devices 60, 61, 62 in order from the bottom.

図1に示すように第1のブロックG1〜第4のブロックG4に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Dが形成されている。ウェハ搬送領域Dには、例えばウェハ搬送装置70が配置されている。   As shown in FIG. 1, a wafer transfer region D is formed in a region surrounded by the first block G1 to the fourth block G4. For example, a wafer transfer device 70 is disposed in the wafer transfer region D.

ウェハ搬送装置70は、例えばY方向、X方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置70は、ウェハ搬送領域D内を移動し、周囲の第1のブロックG1、第2のブロックG2、第3のブロックG3及び第4のブロックG4内の所定の装置にウェハWを搬送できる。   The wafer transfer device 70 has a transfer arm that is movable in the Y direction, the X direction, the θ direction, and the vertical direction, for example. The wafer transfer device 70 moves in the wafer transfer area D and transfers the wafer W to a predetermined device in the surrounding first block G1, second block G2, third block G3, and fourth block G4. it can.

ウェハ搬送装置70は、例えば図2に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックG1〜G4の同程度の高さの所定の装置にウェハWを搬送できる。   For example, as shown in FIG. 2, a plurality of wafer transfer apparatuses 70 are arranged in the vertical direction, and can transfer the wafer W to a predetermined apparatus having the same height of each of the blocks G1 to G4, for example.

また、ウェハ搬送領域Dには、第3のブロックG3と第4のブロックG4との間で直線的にウェハWを搬送するシャトル搬送装置80が設けられている。   Further, in the wafer transfer region D, a shuttle transfer device 80 that transfers the wafer W linearly between the third block G3 and the fourth block G4 is provided.

シャトル搬送装置80は、例えばY方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置80は、ウェハWを支持した状態でY方向に移動し、第3のブロックG3の受け渡し装置52と第4のブロックG4の受け渡し装置62との間でウェハWを搬送できる。   The shuttle transport device 80 is movable linearly in the Y direction, for example. The shuttle transfer device 80 moves in the Y direction while supporting the wafer W, and can transfer the wafer W between the transfer device 52 of the third block G3 and the transfer device 62 of the fourth block G4.

図1に示すように第3のブロックG3のX方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置90が設けられている。ウェハ搬送装置90は、例えばX方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置90は、ウェハWを支持した状態で上下に移動して、第3のブロックG3内の各受け渡し装置にウェハWを搬送できる。   As shown in FIG. 1, a wafer transfer device 90 is provided next to the third block G3 on the positive side in the X direction. The wafer transfer device 90 has a transfer arm that is movable in the X direction, the θ direction, and the vertical direction, for example. The wafer transfer device 90 moves up and down while supporting the wafer W, and can transfer the wafer W to each delivery device in the third block G3.

インターフェイスステーション5には、ウェハ搬送装置100と受け渡し装置101が設けられている。ウェハ搬送装置100は、例えばY方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置100は、例えば搬送アームにウェハWを支持して、第4のブロックG4内の各受け渡し装置と受け渡し装置101にウェハWを搬送できる。   The interface station 5 is provided with a wafer transfer device 100 and a delivery device 101. The wafer transfer apparatus 100 has a transfer arm that is movable in the Y direction, the θ direction, and the vertical direction, for example. For example, the wafer transfer apparatus 100 can support the wafer W on a transfer arm and transfer the wafer W to each transfer apparatus and transfer apparatus 101 in the fourth block G4.

次に、上述したウェハ処理装置42の構成について説明する。ウェハ処理装置42は、図4〜図7に示すように処理容器110を有している。処理容器110の内部には、図4に示すようにウェハW上のレジスト膜の周縁部に対して周辺露光処理を行う2室の周辺露光室111、112と、周辺露光室111、112における周辺露光処理が終了したウェハWの欠陥を検査する1室の検査室113とが、下からこの順で積層されている。以下、下側の周辺露光室111を「下側周辺露光室111」といい、上側の周辺露光室112を「上側周辺露光室112」という場合がある。また、各周辺露光室111、112において、後述する搬送室114側の側面は開口し、それぞれ第1の開口部111a、112aを形成している。同様に検査室113の搬送室114側の側面は開口し、第2の開口部113aを形成している。なお、周辺露光室111、112と検査室113の内部の詳細な構成については後述する。   Next, the configuration of the wafer processing apparatus 42 described above will be described. The wafer processing apparatus 42 has a processing container 110 as shown in FIGS. Inside the processing chamber 110 are two peripheral exposure chambers 111 and 112 that perform peripheral exposure processing on the peripheral portion of the resist film on the wafer W as shown in FIG. One inspection chamber 113 for inspecting the defect of the wafer W after the exposure processing is stacked in this order from the bottom. Hereinafter, the lower peripheral exposure chamber 111 may be referred to as a “lower peripheral exposure chamber 111”, and the upper peripheral exposure chamber 112 may be referred to as an “upper peripheral exposure chamber 112”. In each of the peripheral exposure chambers 111 and 112, a side surface on the side of the transfer chamber 114 described later is opened to form first openings 111a and 112a, respectively. Similarly, the side surface of the inspection chamber 113 on the transfer chamber 114 side is opened to form a second opening 113a. The detailed configuration inside the peripheral exposure chambers 111 and 112 and the inspection chamber 113 will be described later.

本実施の形態では、2室の周辺露光室111、112と1室の検査室113を積層しているが、周辺露光室の数と検査室の数は任意に設定することができる。但し、周辺露光室と検査室は、その室数の比が周辺露光室における周辺露光処理時間と検査室における検査時間との比に設定されるのが好ましい。かかる場合、各周辺露光室と検査室において、ウェハWを連続して処理でき、周辺露光室又は検査室が空き状態となるのを抑制できる。したがって、ウェハWの周辺露光処理と当該ウェハWの検査を効率よく行うことができる。   In the present embodiment, two peripheral exposure chambers 111 and 112 and one inspection chamber 113 are stacked, but the number of peripheral exposure chambers and the number of inspection chambers can be arbitrarily set. However, it is preferable that the ratio of the number of the peripheral exposure chamber and the inspection chamber is set to the ratio of the peripheral exposure processing time in the peripheral exposure chamber and the inspection time in the inspection chamber. In such a case, the wafer W can be processed continuously in each peripheral exposure chamber and inspection chamber, and the peripheral exposure chamber or inspection chamber can be prevented from becoming empty. Therefore, the peripheral exposure processing of the wafer W and the inspection of the wafer W can be performed efficiently.

本実施の形態においては、各周辺露光処理室111、112におけるウェハWの処理枚数は例えば150枚/時間であり、検査室におけるウェハWの処理枚数は例えば300枚/時間であって、周辺露光処理時間と検査時間の比は1:2になる。そして、2室の周辺露光室111、112と1室の検査室113を積層しているので、ウェハWの周辺露光処理と当該ウェハWの検査を連続して行うことができる。   In the present embodiment, the processing number of wafers W in each of the peripheral exposure processing chambers 111 and 112 is, for example, 150 wafers / hour, and the processing number of wafers W in the inspection chamber is, for example, 300 wafers / hour. The ratio of processing time to inspection time is 1: 2. Since the two peripheral exposure chambers 111 and 112 and the single inspection chamber 113 are stacked, the peripheral exposure processing of the wafer W and the inspection of the wafer W can be performed continuously.

また、本実施の形態では、周辺露光室111、112の上側に検査室113を積層していたが、検査室113の上側に周辺露光室111、112を積層してもよい。   In this embodiment, the inspection chamber 113 is stacked above the peripheral exposure chambers 111 and 112. However, the peripheral exposure chambers 111 and 112 may be stacked above the inspection chamber 113.

処理容器110の内部には、周辺露光室111、112と検査室113に隣接して、ウェハWを搬送するための搬送室114がさらに設けられている。搬送室114は、周辺露光室111、112と検査室113のウェハ搬送領域D側(図4中のX方向負方向側)に設けられている。なお、搬送室114は、周辺露光室111、112及び検査室113のように鉛直方向に区画されずに設けられている。   Inside the processing container 110, a transfer chamber 114 for transferring the wafer W is further provided adjacent to the peripheral exposure chambers 111 and 112 and the inspection chamber 113. The transfer chamber 114 is provided on the wafer transfer region D side (the X direction negative direction side in FIG. 4) of the peripheral exposure chambers 111 and 112 and the inspection chamber 113. The transfer chamber 114 is provided without being partitioned in the vertical direction like the peripheral exposure chambers 111 and 112 and the inspection chamber 113.

搬送室114では、ウェハ処理装置42の外部との間でウェハWが搬入出される。処理容器110のウェハ搬送領域D側の側面には、ウェハWを処理容器110内に搬入させる搬入口120と、ウェハWを処理容器110から搬出させる搬出口121とが形成されている。搬入口120は下側周辺露光室111に対応する高さに形成され、搬出口121は検査室113に対応する高さに形成されている。また、搬入口120と搬出口121には、開閉シャッタ122、123がそれぞれ設けられている。   In the transfer chamber 114, the wafer W is transferred into and out of the wafer processing apparatus 42. On the side surface of the processing container 110 on the wafer transfer region D side, a loading port 120 for loading the wafer W into the processing container 110 and a loading port 121 for unloading the wafer W from the processing container 110 are formed. The carry-in port 120 is formed at a height corresponding to the lower peripheral exposure chamber 111, and the carry-out port 121 is formed at a height corresponding to the inspection chamber 113. In addition, opening / closing shutters 122 and 123 are provided at the carry-in port 120 and the carry-out port 121, respectively.

また、搬送室114には、ウェハWを鉛直方向に搬送する搬送アーム130が設けられている。搬送アーム130は、処理容器110内の天井面から底面まで鉛直方向に延伸する、例えばモータなどの昇降駆動部131に支持されている。そして、この昇降駆動部131によって、搬送アーム130は鉛直方向に移動自在に構成されており、各周辺露光室111、112、検査室113の高さにウェハWを搬送することができる。   The transfer chamber 114 is provided with a transfer arm 130 for transferring the wafer W in the vertical direction. The transfer arm 130 is supported by an elevating drive unit 131 such as a motor that extends vertically from the ceiling surface to the bottom surface in the processing container 110. The lift arm 131 is configured so that the transfer arm 130 is movable in the vertical direction, and the wafer W can be transferred to the heights of the peripheral exposure chambers 111 and 112 and the inspection chamber 113.

搬送アーム130は、図5及び図8に示すように先端にウェハWの支持部132を有している。支持部132は、例えば略半円環状に形成されている。支持部132上には複数、例えば3本の支持ピン133が設けられ、ウェハWはこの支持ピン133上に支持される。支持部132には基部134が設けられ、基部134は上述した昇降駆動部131に取り付けられている。   As shown in FIGS. 5 and 8, the transfer arm 130 has a support portion 132 for the wafer W at the tip. The support part 132 is formed in, for example, a substantially semi-annular shape. A plurality of, for example, three support pins 133 are provided on the support portion 132, and the wafer W is supported on the support pins 133. The support part 132 is provided with a base part 134, and the base part 134 is attached to the above-described lifting drive part 131.

また、搬送アーム130は、後述する第1の保持部140と干渉しないように設けられている。すなわち、搬送アーム130の支持部132の半円環状の径は、第1の保持部140の径よりも大きく、支持部材132の内側に第1の保持部140を収容できる。支持部132の半円環状の切り欠き部分は、処理容器110内の下側周辺露光室111側(図5中のX方向正方向側)に形成されており、第1の保持部140は、支持部132と干渉せずに下側周辺露光室111側に移動できる。なお、搬送アーム130は、第1の保持部140と同様に後述する第2の保持部160とも干渉しないように構成されている。   Further, the transfer arm 130 is provided so as not to interfere with a first holding unit 140 described later. That is, the semicircular diameter of the support portion 132 of the transfer arm 130 is larger than the diameter of the first holding portion 140, and the first holding portion 140 can be accommodated inside the support member 132. The semicircular cutout portion of the support portion 132 is formed on the lower peripheral exposure chamber 111 side (the X direction positive direction side in FIG. 5) in the processing container 110, and the first holding portion 140 is It can move to the lower peripheral exposure chamber 111 without interfering with the support part 132. Note that the transfer arm 130 is configured not to interfere with a second holding unit 160 described later in the same manner as the first holding unit 140.

さらに、搬送アーム130は、図8に示すようにウェハ処理装置42の外部に設けられたウェハ搬送装置70と干渉しないようになっている。ここで、ウェハ搬送装置70は、例えばウェハWより僅かに大きい径の略C字型のアーム部70aを有している。アーム部70aの内側には、内側に向かって突出し、ウェハWの外周部を支持する支持部70bが複数箇所、例えば3箇所に設けられている。そして、搬送アーム130の基部134は、ウェハ搬送装置70のアーム部70aと干渉しないように設けられている。また、搬送アーム130の支持部132が、ウェハ搬送装置70のアーム部70a及び支持部70bと干渉することもない。   Further, the transfer arm 130 is configured not to interfere with the wafer transfer apparatus 70 provided outside the wafer processing apparatus 42 as shown in FIG. Here, the wafer conveyance device 70 has, for example, a substantially C-shaped arm portion 70 a having a diameter slightly larger than that of the wafer W. Inside the arm portion 70a, support portions 70b that protrude toward the inside and support the outer peripheral portion of the wafer W are provided at a plurality of locations, for example, three locations. The base portion 134 of the transfer arm 130 is provided so as not to interfere with the arm portion 70 a of the wafer transfer device 70. Further, the support part 132 of the transfer arm 130 does not interfere with the arm part 70 a and the support part 70 b of the wafer transfer apparatus 70.

次に、下側周辺露光室111の内部の構成について説明する。下側周辺露光室111には、図4及び図5に示すようにウェハWを吸着保持する第1の保持部140が設けられている。第1の保持部140は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWを第1の保持部140上に吸着保持できる。   Next, the internal configuration of the lower peripheral exposure chamber 111 will be described. As shown in FIGS. 4 and 5, the lower peripheral exposure chamber 111 is provided with a first holding unit 140 that holds the wafer W by suction. The first holding unit 140 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W, for example, is provided on the upper surface. By suction from the suction port, the wafer W can be sucked and held on the first holding unit 140.

第1の保持部140は、基台141に取り付けられた駆動部142に支持されている。駆動部142は、例えばモータ(図示せず)を内蔵している。第1の保持部140は、この駆動部142により基台141に沿って移動し、第1の開口部111aを介して下側周辺露光室111と搬送室114との間を移動自在になっている。また、駆動部142は、第1の保持部140を回転させることができ、本発明における回転駆動部としての機能を有すると共に、ウェハWの位置を調節するアライメント機能を有している。なお、これら基台141と駆動部142が、本発明における第1の移動機構を構成している。また、本実施の形態では、駆動部142内にモータが設けられていたが、基台141内にモータを設け、駆動部142がそのモータからの動力を第1の保持部140に伝達する動力伝達部として機能するようにしてもよい。   The first holding unit 140 is supported by a driving unit 142 attached to the base 141. The drive unit 142 includes, for example, a motor (not shown). The first holding unit 140 is moved along the base 141 by the driving unit 142, and is movable between the lower peripheral exposure chamber 111 and the transfer chamber 114 via the first opening 111a. Yes. In addition, the drive unit 142 can rotate the first holding unit 140, has a function as a rotation drive unit in the present invention, and has an alignment function for adjusting the position of the wafer W. The base 141 and the drive unit 142 constitute the first moving mechanism in the present invention. In the present embodiment, the motor is provided in the drive unit 142. However, the motor is provided in the base 141, and the drive unit 142 transmits the power from the motor to the first holding unit 140. You may make it function as a transmission part.

下側周辺露光室111には、第1の保持部140に保持されたウェハW上のレジスト膜の周縁部に光を照射して露光する露光部150が設けられている。露光部150には、当該露光部150に光を供給するランプハウス151が設けられている。ランプハウス151の内部には、超高圧水銀ランプ(図示せず)や超高圧水銀ランプからの光を集光する集光ミラー(図示せず)が設けられている。これら露光部150とランプハウス151は、基台141を挟んで第1の開口部111aと対向する位置、すなわち基台141よりX方向正方向側に配置されている。   The lower peripheral exposure chamber 111 is provided with an exposure unit 150 that exposes the periphery of the resist film on the wafer W held by the first holding unit 140 by irradiating light. The exposure unit 150 is provided with a lamp house 151 that supplies light to the exposure unit 150. Inside the lamp house 151, an ultra-high pressure mercury lamp (not shown) and a condenser mirror (not shown) for collecting light from the ultra-high pressure mercury lamp are provided. The exposure unit 150 and the lamp house 151 are arranged at positions facing the first opening 111a with the base 141 interposed therebetween, that is, on the X direction positive direction side from the base 141.

また、下側周辺露光室111の中央部付近には、第1の保持部140に保持されたウェハWの周縁部の位置を検出する位置検出センサ152が設けられている。位置検出センサ152は例えばCCDカメラ(図示せず)を有し、第1の保持部140に保持されたウェハWの中心からの偏心量やウェハWのノッチ部の位置を検出する。そして、ウェハWの偏心量に基づいて、露光部150による光の照射位置が設定される。また、位置検出センサ152によってノッチ部の位置を検出しながら、駆動部142によって第1の保持部140を回転させて、ウェハWのノッチ部の位置を調整することができる。   A position detection sensor 152 that detects the position of the peripheral edge of the wafer W held by the first holding unit 140 is provided near the center of the lower peripheral exposure chamber 111. The position detection sensor 152 includes, for example, a CCD camera (not shown), and detects the amount of eccentricity from the center of the wafer W held by the first holding unit 140 and the position of the notch portion of the wafer W. Based on the amount of eccentricity of the wafer W, the light irradiation position by the exposure unit 150 is set. Further, the position of the notch part of the wafer W can be adjusted by rotating the first holding part 140 by the driving part 142 while detecting the position of the notch part by the position detection sensor 152.

なお、図4及び図6に示すように上側周辺露光室112の構成は、上述した下側周辺露光室111の構成と同様であるので説明を省略する。   As shown in FIGS. 4 and 6, the configuration of the upper peripheral exposure chamber 112 is the same as the configuration of the lower peripheral exposure chamber 111 described above, and a description thereof will be omitted.

次に、検査室113の内部の構成について説明する。検査室113には、図4及び図7に示すようにウェハWを吸着保持する第2の保持部160が設けられている。第2の保持部160は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWを第2の保持部160上に吸着保持できる。   Next, the internal configuration of the examination room 113 will be described. As shown in FIGS. 4 and 7, the inspection chamber 113 is provided with a second holding unit 160 that holds the wafer W by suction. The second holding unit 160 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking, for example, the wafer W is provided on the upper surface. By suction from the suction port, the wafer W can be sucked and held on the second holding unit 160.

第2の保持部160は、基台161に取り付けられた駆動部162に支持されている。駆動部162は、例えばモータ(図示せず)を内蔵している。第2の保持部160は、この駆動部162により基台161に沿って移動し、第2の開口部113aを介して検査室113と搬送室114との間を移動自在になっている。また、駆動部162は、第2の保持部160を回転させることができ、本発明における回転駆動部としての機能を有すると共に、ウェハWの位置を調節するアライメント機能を有している。なお、これら基台161と駆動部162が、本発明における第2の移動機構を構成している。また、本実施の形態では、駆動部162内にモータが設けられていたが、基台161内にモータを設け、駆動部162がそのモータからの動力を第2の保持部160に伝達する動力伝達部として機能するようにしてもよい。   The second holding unit 160 is supported by a driving unit 162 attached to the base 161. The drive unit 162 includes, for example, a motor (not shown). The second holding unit 160 is moved along the base 161 by the driving unit 162, and is movable between the examination chamber 113 and the transfer chamber 114 via the second opening 113a. In addition, the driving unit 162 can rotate the second holding unit 160, has a function as a rotation driving unit in the present invention, and has an alignment function for adjusting the position of the wafer W. The base 161 and the drive unit 162 constitute a second moving mechanism in the present invention. In the present embodiment, the motor is provided in the drive unit 162. However, the motor is provided in the base 161, and the drive unit 162 transmits the power from the motor to the second holding unit 160. You may make it function as a transmission part.

検査室113には、第2の保持部160に保持されたウェハWを撮像する撮像部170が設けられている。撮像部170は、基台161を挟んで第2の開口部113aと対向する位置、すなわち基台161よりX方向正方向側に配置されている。撮像部170には、例えばCCDカメラが用いられる。   The inspection chamber 113 is provided with an imaging unit 170 that images the wafer W held by the second holding unit 160. The imaging unit 170 is disposed at a position facing the second opening 113a across the base 161, that is, on the X direction positive direction side from the base 161. For the imaging unit 170, for example, a CCD camera is used.

また、検査室113において第2の開口部113aの上部付近には、ハーフミラー171が設けられている。ハーフミラー171は、撮像部170と対向する位置に設けられ、鉛直方向から45度傾斜して設けられている。ハーフミラー171の上方には、照度を変更することができる照明部172が設けられ、ハーフミラー171と照明部172は、例えば検査室113の上面に固定されている。また、ハーフミラー171と照明部172は、第2の保持部160に保持されたウェハWの上方にそれぞれ設けられている。そして、照明部172からの照明は、ハーフミラー171を通過して下方に向けて照らされる。したがって、この照射領域にある物体の反射光は、ハーフミラー171で反射して、撮像部170に取り込まれる。すなわち、撮像部170は、照射領域にある物体を撮像することができる。そして撮像部170で撮像したウェハWの画像は検査部173に出力され、検査部173において出力された画像に基づいてウェハWの欠陥が検査される。   In the examination room 113, a half mirror 171 is provided in the vicinity of the upper portion of the second opening 113a. The half mirror 171 is provided at a position facing the imaging unit 170 and is inclined by 45 degrees from the vertical direction. An illumination unit 172 that can change the illuminance is provided above the half mirror 171, and the half mirror 171 and the illumination unit 172 are fixed to the upper surface of the examination room 113, for example. Further, the half mirror 171 and the illumination unit 172 are respectively provided above the wafer W held by the second holding unit 160. The illumination from the illumination unit 172 passes through the half mirror 171 and is illuminated downward. Therefore, the reflected light of the object in the irradiation area is reflected by the half mirror 171 and is taken into the imaging unit 170. That is, the imaging unit 170 can image an object in the irradiation area. Then, the image of the wafer W imaged by the imaging unit 170 is output to the inspection unit 173, and the defect of the wafer W is inspected based on the image output by the inspection unit 173.

以上の塗布現像処理システム1には、図1に示すように制御部200が設けられている。制御部200は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理装置42におけるウェアWの周辺露光処理と当該ウェハWの検査を実行するプログラムが格納されている。これに加えて、プログラム格納部には、塗布現像処理システム1におけるウェハ処理を実行するプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部200にインストールされたものであってもよい。   The coating and developing processing system 1 is provided with a control unit 200 as shown in FIG. The control unit 200 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for executing the peripheral exposure processing of the wear W and the inspection of the wafer W in the wafer processing apparatus 42. In addition to this, the program storage unit also stores a program for executing wafer processing in the coating and developing processing system 1. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), or a memory card. May have been installed in the control unit 200 from the storage medium H.

次に、以上のように構成された塗布現像処理システム1を用いて行われるウェハWの処理方法について説明する。   Next, a processing method of the wafer W performed using the coating and developing processing system 1 configured as described above will be described.

先ず、複数枚のウェハWを収容したカセットCが、カセットステーション2の所定のカセット載置板11に載置される。その後、ウェハ搬送装置21によりカセットC内の各ウェハWが順次取り出され、処理ステーション3の第3のブロックG3の例えば受け渡し装置53に搬送される。   First, a cassette C containing a plurality of wafers W is placed on a predetermined cassette placement plate 11 of the cassette station 2. Thereafter, the wafers W in the cassette C are sequentially taken out by the wafer transfer device 21 and transferred to, for example, the transfer device 53 of the third block G3 of the processing station 3.

次にウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第2のブロックG2の熱処理装置40に搬送され、温度調節される。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第1のブロックG1の下部反射防止膜形成装置31に搬送され、ウェハW上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハWは、第2のブロックG2の熱処理装置40に搬送され、加熱され、温度調節され、その後第3のブロックG3の受け渡し装置53に戻される。   Next, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70, and the temperature is adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the lower antireflection film forming device 31 of the first block G1 by the wafer transfer device 70, and a lower antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2, heated, temperature-controlled, and then returned to the transfer apparatus 53 of the third block G3.

次にウェハWは、ウェハ搬送装置90によって同じ第3のブロックG3の受け渡し装置54に搬送される。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第2のブロックG2のアドヒージョン装置41に搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理装置40に搬送され、温度調節される。   Next, the wafer W is transferred by the wafer transfer device 90 to the delivery device 54 of the same third block G3. Thereafter, the wafer W is transferred to the adhesion device 41 of the second block G2 by the wafer transfer device 70 and subjected to an adhesion process. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, and the temperature is adjusted.

その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によってレジスト塗布装置32に搬送され、回転中のウェハW上にレジスト液を塗布し、ウェハW上にレジスト膜が形成される。   Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating device 32 by the wafer transfer device 70, and a resist solution is applied onto the rotating wafer W to form a resist film on the wafer W.

その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理装置40に搬送されて、プリベーク処理される。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡し装置55に搬送される。   Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70 and pre-baked. Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer device 70 to the delivery device 55 of the third block G3.

次にウェハWは、ウェハ搬送装置70によって上部反射防止膜形成装置33に搬送され、ウェハW上に上部反射防止膜が形成される。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理装置40に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によってウェハ処理装置42に搬送される。そして、ウェハ処理装置42において、ウェハW上のレジスト膜の周縁部に対して周辺露光処理が行われ、当該周辺露光処理が終了したウェハWの欠陥の検査が行われる。なお、このウェハ処理装置42におけるウェハWの周辺露光処理と当該ウェハWの検査の詳細については後述する。   Next, the wafer W is transferred to the upper antireflection film forming apparatus 33 by the wafer transfer apparatus 70, and an upper antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, heated, and temperature-adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the wafer processing apparatus 42 by the wafer transfer apparatus 70. Then, in the wafer processing apparatus 42, the peripheral exposure process is performed on the peripheral portion of the resist film on the wafer W, and the inspection of the defect of the wafer W after the peripheral exposure process is performed. Details of the peripheral exposure processing of the wafer W and the inspection of the wafer W in the wafer processing apparatus 42 will be described later.

その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡しユニット56に搬送される。そして、ウェハ処理装置42において欠陥があると判定されたウェハWは、その後ウェハ搬送装置21によって所定のカセット載置板11のカセットCに搬送される。   Thereafter, the wafer W is transferred to the delivery unit 56 of the third block G3 by the wafer transfer device 70. Then, the wafer W determined to be defective in the wafer processing apparatus 42 is then transferred to the cassette C of the predetermined cassette mounting plate 11 by the wafer transfer apparatus 21.

一方、ウェハ処理装置42において欠陥がなく正常であると判定されたウェハWは、ウェハ搬送装置90によって受け渡し装置52に搬送され、シャトル搬送装置80によって第4のブロックG4の受け渡し装置62に搬送される。   On the other hand, the wafer W determined to be normal with no defects in the wafer processing apparatus 42 is transferred to the transfer apparatus 52 by the wafer transfer apparatus 90 and transferred to the transfer apparatus 62 of the fourth block G4 by the shuttle transfer apparatus 80. The

その後ウェハWは、インターフェイスステーション5のウェハ搬送装置100によって露光装置4に搬送され、露光処理される。   Thereafter, the wafer W is transferred to the exposure apparatus 4 by the wafer transfer apparatus 100 of the interface station 5 and subjected to exposure processing.

次に、ウェハWは、ウェハ搬送装置100によって露光装置4から第4のブロックG4の受け渡し装置60に搬送される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理装置40に搬送され、露光後ベーク処理される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって現像装置30に搬送され、現像される。現像終了後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理装置40に搬送され、ポストベーク処理される。   Next, the wafer W is transferred from the exposure apparatus 4 to the delivery apparatus 60 of the fourth block G4 by the wafer transfer apparatus 100. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70 and subjected to post-exposure baking. Thereafter, the wafer W is transferred to the developing device 30 by the wafer transfer device 70 and developed. After the development is completed, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70 and subjected to a post-bake process.

その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡し装置50に搬送され、その後カセットステーション2のウェハ搬送装置21によって所定のカセット載置板11のカセットCに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィ工程が終了する。   Thereafter, the wafer W is transferred to the delivery device 50 of the third block G3 by the wafer transfer device 70, and then transferred to the cassette C of the predetermined cassette mounting plate 11 by the wafer transfer device 21 of the cassette station 2. Thus, a series of photolithography steps is completed.

次に、上述したウェハ処理装置42におけるウェハWの周辺露光処理と当該ウェハWの検査について説明する。本実施の形態では、ウェハ処理装置42で2枚のウェハWとウェハWに対して処理を行う。 Next, the peripheral exposure processing of the wafer W and the inspection of the wafer W in the wafer processing apparatus 42 described above will be described. In the present embodiment, the wafer processing apparatus 42 processes two wafers W 1 and W 2 .

ウェハ処理装置42に搬送されたウェハWは、先ず、図9に示すように搬入口120を介して搬送室114に搬送される。そして、ウェハ搬送装置70から搬送アーム130にウェハWが受け渡される。続いて下側周辺露光室111の駆動部142によって第1の保持部140が搬送室114内に移動し、搬送アーム130から第1の保持部140にウェハWが受け渡される。なおこのとき、搬送アーム130を介さずに、ウェハ搬送装置70から第1の保持部140にウェハWを直接受け渡してもよい。 The wafer W 1 transferred to the wafer processing apparatus 42 is first transferred to the transfer chamber 114 via the transfer port 120 as shown in FIG. Then, the wafer W 1 is delivered from the wafer transfer device 70 to the transfer arm 130. Subsequently, the first holding unit 140 is moved into the transfer chamber 114 by the driving unit 142 of the lower peripheral exposure chamber 111, and the wafer W 1 is transferred from the transfer arm 130 to the first holding unit 140. At this time, the wafer W 1 may be directly transferred from the wafer transfer device 70 to the first holding unit 140 without using the transfer arm 130.

その後、図10に示すように駆動部142によって第1の保持部140が下側周辺露光室111内に移動し、ウェハWが所定の位置に配置される。なお、この所定の位置は、露光部150からウェハWの周縁部に光を照射できる位置であって、位置検出センサ152がウェハWの周縁部の位置を検出できる位置である。一方、このようにウェハWが下側周辺露光室111に搬送されると、図10に示すように搬送室114には次のウェハWが搬送され、搬送アーム130にウェハWが受け渡される。 Thereafter, the first holding portion 140 is moved to the lower edge exposure chamber 111 by the drive unit 142 as shown in FIG. 10, the wafer W 1 is in place. The predetermined position, the exposed portion 150 at a position capable of irradiating light to the peripheral portion of the wafer W 1, the position detection sensor 152 is a position where it can detect the position of the peripheral portion of the wafer W 1. On the other hand, when the wafer W 1 is thus transferred to the lower peripheral exposure chamber 111, the next wafer W 2 is transferred to the transfer chamber 114 as shown in FIG. 10, and the wafer W 2 is received by the transfer arm 130. Passed.

その後、図11に示すように下側周辺露光室111では、ウェハWに対して周辺露光処理が行われる。先ず、位置検出センサ152によってウェハWのノッチ部の位置を検出しながら、駆動部142によって第1の保持部140を回転させる。そして、ウェハWのノッチ部の位置を調整して、ウェハWを所定の位置に配置する。また、位置検出センサ152によって、第1の保持部140に保持されたウェハWの中心からの偏心量が検出され、当該ウェハWの偏心量に基づいて、露光部150による光の照射位置が設定される。その後、駆動部142によってウェハWを回転させつつ、露光部150からウェハWの周縁部の所定の位置に光が照射される。こうしてウェハW上のレジスト膜の周縁部が露光処理される。 Thereafter, the lower edge exposure chamber 111 as shown in FIG. 11, the peripheral exposure process is performed on the wafer W 1. First, while detecting the position of the notch portion of the wafer W 1 by the position detecting sensor 152, to rotate the first holding portion 140 by the drive unit 142. Then, by adjusting the position of the notch portion of the wafer W 1, to place the wafer W 1 to the predetermined position. Further, the position detection sensor 152, the detected eccentricity amount from the first center of the wafer W 1 held by the holding portion 140, on the basis of the eccentricity of the wafer W 1, the irradiation position of the light by the exposure unit 150 Is set. Thereafter, while rotating the wafer W 1 by the drive unit 142, light is irradiated from the exposure unit 150 to a predetermined position of the peripheral portion of the wafer W 1. Thus the periphery of the resist film on the wafer W 1 is the exposure process.

このように下側周辺露光室111でウェハWに周辺露光処理を行っている間、図11に示すように搬送アーム130を上側周辺露光室112の高さまで上昇させる。そして、上側周辺露光室112の駆動部142によって第1の保持部140が搬送室114内に移動し、搬送アーム130から第1の保持部140にウェハWが受け渡される。続いて図12に示すように駆動部142によって第1の保持部140が上側周辺露光室112内に移動し、ウェハWが所定の位置に配置される。なお、ウェハWの所定の位置は、下側周辺露光室111におけるウェハWの所定の位置と同様であるので説明を省略する。 While this way is performed edge exposure processing on the wafer W 1 by the lower edge exposure chamber 111 to raise the transfer arm 130 as shown in FIG. 11 to the height of the upper edge exposure chamber 112. Then, the first holding unit 140 is moved into the transfer chamber 114 by the driving unit 142 of the upper peripheral exposure chamber 112, and the wafer W 2 is transferred from the transfer arm 130 to the first holding unit 140. Then the first holding portion 140 by the drive unit 142 as shown in FIG. 12 moves upward around the exposure chamber 112, the wafer W 2 is in place. Note that the predetermined position of the wafer W 2 is the same as the predetermined position of the wafer W 1 in the lower peripheral exposure chamber 111, and thus the description thereof is omitted.

搬送アーム130から上側周辺露光室112の第1の保持部140にウェハWが受け渡されると、図12に示すように搬送アーム130を下側周辺露光室111の高さまで下降させる。そして、駆動部142によって第1の保持部140を移動させ、下側周辺露光室111で周辺露光処理が終了したウェハWが搬送室114に配置する。そして、第1の保持部140から搬送アーム130にウェハWが受け渡される。 When the wafer W 2 is transferred from the transfer arm 130 to the first holding unit 140 of the upper peripheral exposure chamber 112, the transfer arm 130 is lowered to the height of the lower peripheral exposure chamber 111 as shown in FIG. Then, the first holding unit 140 is moved by the driving unit 142, and the wafer W 1 that has been subjected to the peripheral exposure processing in the lower peripheral exposure chamber 111 is placed in the transfer chamber 114. Then, the wafer W 1 is delivered from the first holding unit 140 to the transfer arm 130.

その後、図13に示すように搬送アーム130を検査室113の高さまで上昇させる。そして、検査室113の駆動部162によって第2の保持部160が搬送室114内に移動し、搬送アーム130から第2の保持部160にウェハWが受け渡される。続いて図14に示すように駆動部162によって第2の保持部160が検査室113内に移動し、ウェハWが所定の位置、すなわちハーフミラー171よりも撮像部170側の位置であってウェハWの撮像を開始する位置に配置される。 Thereafter, the transfer arm 130 is raised to the height of the examination chamber 113 as shown in FIG. Then, the second holding unit 160 is moved into the transfer chamber 114 by the driving unit 162 of the inspection chamber 113, and the wafer W 1 is transferred from the transfer arm 130 to the second holding unit 160. Subsequently, as shown in FIG. 14, the second holding unit 160 is moved into the inspection chamber 113 by the driving unit 162, and the wafer W 1 is at a predetermined position, that is, a position closer to the imaging unit 170 than the half mirror 171. It is arranged at a position to start imaging of the wafer W 1.

その後、図15に示すように駆動部162によって第2の保持部160を搬送室114側に所定の速度で移動させながら、ウェハWがハーフミラー171の下を通過する際に、照明部172からウェハWに対して照明を照らす。この照明によるウェハW上での反射光は、ハーフミラー171で反射して、撮像部170に取り込まれる。そして、撮像部170によってウェハWが撮像される。撮像されたウェハWの画像は検査部173に出力され、検査部173において、出力された画像に基づいてウェハWの欠陥が検査される。その後、第2の保持部160から搬送アーム130にウェハWが受け渡された後、搬送アーム130からウェハ搬送装置70に受け渡され、搬出口122を介してウェハWはウェハ処理装置42から搬出される。なおこのとき、搬送アーム130を介さずに、第2の保持部160からウェハ搬送装置70にウェハWを直接受け渡してもよい。 Thereafter, as shown in FIG. 15, the illumination unit 172 moves when the wafer W 1 passes under the half mirror 171 while moving the second holding unit 160 toward the transfer chamber 114 by the driving unit 162 at a predetermined speed. illuminate the illumination to the wafer W 1 from. The reflected light on the wafer W 1 due to this illumination is reflected by the half mirror 171 and taken into the imaging unit 170. Then, the wafer W 1 is imaged by the imaging section 170. Imaged wafer W 1 of the image is output to the inspection unit 173, the inspection unit 173, a defect of the wafer W 1 is inspected based on the output image. Thereafter, the wafer W 1 is transferred from the second holding unit 160 to the transfer arm 130, and then transferred from the transfer arm 130 to the wafer transfer device 70, and the wafer W 1 is transferred to the wafer processing apparatus 42 via the transfer port 122. It is carried out from. At this time, the wafer W 1 may be directly transferred from the second holding unit 160 to the wafer transfer device 70 without using the transfer arm 130.

なお、このようにウェハWを検査室113に搬送し、当該検査室113でウェハWの欠陥を検査している間、図13〜図15に示すように上側周辺露光室112でウェハWの周辺露光処理が行われる。ウェハWの周辺露光処理は、上述したウェハWの周辺露光処理と同様であるので説明を省略する。 In this way, while the wafer W 1 is transported to the inspection chamber 113 and the defect in the wafer W 1 is inspected in the inspection chamber 113, the wafer W 1 is transferred in the upper peripheral exposure chamber 112 as shown in FIGS. 2 peripheral exposure processing is performed. The peripheral exposure process for the wafer W 2 is the same as the peripheral exposure process for the wafer W 1 described above, and a description thereof will be omitted.

以上の実施の形態によれば、ウェハ処理装置42には、周辺露光室111、112と検査室113が積層して設けられ、且つこれら周辺露光室111、112と検査室113に隣接して搬送室114が設けられているので、当該ウェハ処理装置42内でウェハWを搬送しつつ、ウェハWの周辺露光処理と当該ウェハWの検査を共に行うことができる。したがって、ウェハWの周辺露光処理と当該ウェハWの検査を行う際に、従来のようにウェハ搬送装置70を用いて周辺露光装置と検査装置間でウェハWを搬送する必要がなくなるため、当該ウェハ搬送装置70を用いて他の処理装置間で他のウェハWの搬送を行うことができる。したがって、他のウェハWの搬送待ちを軽減でき、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。   According to the above embodiment, the wafer processing apparatus 42 is provided with the peripheral exposure chambers 111 and 112 and the inspection chamber 113 stacked, and is transported adjacent to the peripheral exposure chambers 111 and 112 and the inspection chamber 113. Since the chamber 114 is provided, both the peripheral exposure processing of the wafer W and the inspection of the wafer W can be performed while the wafer W is being transferred in the wafer processing apparatus 42. Therefore, when performing the peripheral exposure processing of the wafer W and the inspection of the wafer W, it is not necessary to transfer the wafer W between the peripheral exposure apparatus and the inspection apparatus using the wafer transfer apparatus 70 as in the prior art. Another wafer W can be transferred between other processing apparatuses using the transfer apparatus 70. Therefore, it is possible to reduce the waiting time for transporting other wafers W, and to improve the throughput of wafer processing.

また、周辺露光室111、112には、ウェハWの周縁部の位置を位置検出センサ152が設けられているので、当該位置検出センサ152によってノッチ部の位置を検出しながら、駆動部142によって第1の保持部140を回転させて、ウェハWのノッチ部の位置を調整することができる。ここで、従来のようにウェハ搬送装置70を用いて周辺露光装置と検査装置間でウェハWを搬送した場合、周辺露光装置でウェハWのノッチ部の位置を調整しても、ウェハ搬送装置70が水平方向にも移動自在であるため、搬送中にウェハWのノッチ部の位置がずれ、検査装置でウェハWのノッチ部の位置を再調整する必要があった。この点、本実施の形態によれば、搬送室114内に設けられた搬送アーム130は鉛直方向のみに移動自在に構成されているため、搬送アーム130でウェハWを搬送中に当該ウェハWが水平方向に移動することがなく、ウェハWのノッチ部の位置がずれることはない。このため、本実施の形態のように周辺露光室111、112でウェハWのノッチ部の位置が調整されると、その後検査室113でウェハWのノッチ部の位置を調整する必要がなくなる。このように検査室113でのウェハWのノッチ部の位置を調整する時間が不要となるので、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。なお、発明者らが調べたところ、検査室113でのウェハWのノッチ部の位置調整を省略することにより、ウェハ処理のスループットを約2秒間短縮できることが分かった。   Further, since the peripheral exposure chambers 111 and 112 are provided with the position detection sensor 152 for the position of the peripheral portion of the wafer W, the drive unit 142 detects the position of the notch by the position detection sensor 152. The position of the notch portion of the wafer W can be adjusted by rotating the one holding portion 140. Here, when the wafer W is transferred between the peripheral exposure apparatus and the inspection apparatus using the wafer transfer apparatus 70 as in the conventional case, even if the position of the notch portion of the wafer W is adjusted by the peripheral exposure apparatus, the wafer transfer apparatus 70 is adjusted. Is movable in the horizontal direction, the position of the notch portion of the wafer W is shifted during transfer, and the position of the notch portion of the wafer W needs to be readjusted by the inspection apparatus. In this regard, according to the present embodiment, since the transfer arm 130 provided in the transfer chamber 114 is configured to be movable only in the vertical direction, the wafer W is being transferred while the transfer arm 130 is transferring the wafer W. It does not move in the horizontal direction, and the position of the notch portion of the wafer W does not shift. Therefore, when the position of the notch portion of the wafer W is adjusted in the peripheral exposure chambers 111 and 112 as in the present embodiment, it is not necessary to adjust the position of the notch portion of the wafer W in the inspection chamber 113 thereafter. Thus, since the time for adjusting the position of the notch portion of the wafer W in the inspection chamber 113 is not required, the throughput of the wafer processing can be improved. As a result of investigations by the inventors, it has been found that the wafer processing throughput can be reduced by about 2 seconds by omitting the position adjustment of the notch portion of the wafer W in the inspection chamber 113.

また、ウェハ処理装置42には、2室の周辺露光室111、112と1室の検査室113が積層されているが、この周辺露光室の数と検査室の数は、周辺露光室における周辺露光処理時間と検査室における検査時間との比に基づいて設定されている。すなわち、本実施の形態では、周辺露光処理時間と検査時間の比が1:2であるため、周辺露光室を2室設け、検査室を1室設けている。かかる場合、各周辺露光室111、112と検査室113において、ウェハWを連続して処理することができ、周辺露光室111、112と検査室113が空き状態となるのを抑制することができる。したがって、ウェハ処理装置42においてウェハWの周辺露光処理と当該ウェハWの検査を効率よく行うことができ、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。   In addition, the wafer processing apparatus 42 includes two peripheral exposure chambers 111 and 112 and one inspection chamber 113, and the number of peripheral exposure chambers and the number of inspection chambers are the same as those in the peripheral exposure chamber. It is set based on the ratio between the exposure processing time and the inspection time in the inspection room. That is, in this embodiment, since the ratio between the peripheral exposure processing time and the inspection time is 1: 2, two peripheral exposure chambers are provided and one inspection chamber is provided. In such a case, the wafer W can be continuously processed in each of the peripheral exposure chambers 111 and 112 and the inspection chamber 113, and the peripheral exposure chambers 111 and 112 and the inspection chamber 113 can be prevented from becoming empty. . Therefore, the peripheral exposure processing of the wafer W and the inspection of the wafer W can be efficiently performed in the wafer processing apparatus 42, and the throughput of the wafer processing can be improved.

以上の実施の形態のウェハ処理装置42において、図16に示すように検査室113の中央部付近に、第2の保持部160に保持されたウェハWの周縁部の位置を検出する位置検出センサ210を設けてもよい。位置検出センサ210は例えばCCDカメラ(図示せず)を有し、第2の保持部160に保持されたウェハWのノッチ部の位置を検出する。なお、ウェハ処理装置42のその他の構成は、上述したウェハ処理装置42の構成と同様であるので説明を省略する。   In the wafer processing apparatus 42 of the above embodiment, as shown in FIG. 16, a position detection sensor that detects the position of the peripheral portion of the wafer W held by the second holding unit 160 near the center of the inspection chamber 113. 210 may be provided. The position detection sensor 210 includes, for example, a CCD camera (not shown), and detects the position of the notch portion of the wafer W held by the second holding unit 160. The other configuration of the wafer processing apparatus 42 is the same as the configuration of the wafer processing apparatus 42 described above, and a description thereof will be omitted.

かかる場合、検査室113に第2の保持部160に保持されたウェハWが搬送されると、位置検出センサ210によってノッチ部の位置を検出しながら、駆動部162によって第2の保持部160を回転させて、ウェハWのノッチ部の位置を調整することができる。本実施の形態によれば、ウェハWの検査を行う直前にノッチ部の位置を調整することによって、より適切にウェハWの検査を行うことができる。   In this case, when the wafer W held by the second holding unit 160 is transferred to the inspection chamber 113, the second holding unit 160 is moved by the driving unit 162 while detecting the position of the notch portion by the position detection sensor 210. The position of the notch portion of the wafer W can be adjusted by rotating. According to the present embodiment, the wafer W can be inspected more appropriately by adjusting the position of the notch portion immediately before inspecting the wafer W.

以上の実施の形態では、ウェハ処理装置42は処理ステーション3の第2のブロックG2に配置されていたが、当該ウェハ処理装置42の位置は任意に選択できる。例えばウェハ処理装置42をインターフェイスステーション5に配置してもよいし、あるいは処理ステーション3の第3のブロックG3や第4のブロックG4に配置してもよい。   In the above embodiment, the wafer processing apparatus 42 is arranged in the second block G2 of the processing station 3. However, the position of the wafer processing apparatus 42 can be arbitrarily selected. For example, the wafer processing apparatus 42 may be disposed in the interface station 5, or may be disposed in the third block G3 or the fourth block G4 of the processing station 3.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

1 塗布現像処理システム
42 ウェハ処理装置
70 ウェハ搬送装置
110 処理容器
111 下側周辺露光室
111a 第1の開口部
112 上側周辺露光室
112a 第1の開口部
113 検査室
113a 第2の開口部
114 搬送室
130 搬送アーム
140 第1の保持部
141 基台
142 駆動部
150 露光部
152 位置検出センサ
160 第2の保持部
161 基台
162 駆動部
170 撮像部
200 制御部
210 位置検出センサ
W、W、W ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Coating | development processing system 42 Wafer processing apparatus 70 Wafer conveyance apparatus 110 Processing container 111 Lower side peripheral exposure chamber 111a 1st opening part 112 Upper side peripheral exposure chamber 112a 1st opening part 113 Inspection room 113a 2nd opening part 114 Conveyance Chamber 130 Transfer arm 140 First holding unit 141 Base 142 Driving unit 150 Exposure unit 152 Position detection sensor 160 Second holding unit 161 Base 162 Driving unit 170 Imaging unit 200 Control unit 210 Position detection sensors W, W 1 , W 2 wafer

Claims (10)

基板の処理装置であって、
基板上に形成された塗布膜の周縁部に対して周辺露光処理を行う周辺露光室と、
前記周辺露光室に積層して設けられ、当該周辺露光室における周辺露光処理が終了した基板の欠陥を検査する検査室と、
他の処理装置に基板を搬送する基板搬送装置に対して基板を受け渡し、前記周辺露光室と前記検査室に隣接して設けられ、基板を鉛直方向に搬送する搬送アームを備えた搬送室と、を有し、
前記周辺露光室は、
基板を保持する第1の保持部と、
前記周辺露光室の搬送室側に形成された第1の開口部を介して、前記周辺露光室と前記搬送室との間で前記第1の保持部を移動させる第1の移動機構と、
前記第1の保持部に保持された基板上の塗布膜の周縁部を露光する露光部と、を有し、
前記検査室は、
基板を保持する第2の保持部と、
前記検査室の搬送室側に形成された第2の開口部を介して、前記検査室と前記搬送室との間で前記第2の保持部を移動させる第2の移動機構と、
前記第2の保持部に保持された基板を撮像する撮像部と、を有することを特徴とする、基板処理装置。
A substrate processing apparatus,
A peripheral exposure chamber for performing peripheral exposure processing on the peripheral edge of the coating film formed on the substrate;
An inspection chamber that is provided in a stacked manner in the peripheral exposure chamber, and inspects for defects in the substrate for which peripheral exposure processing has been completed in the peripheral exposure chamber;
Delivering the substrate to the substrate transfer apparatus that transfers the substrate to another processing apparatus, the transfer chamber provided adjacent to the peripheral exposure chamber and the inspection chamber, and having a transfer arm for transferring the substrate in the vertical direction; Have
The peripheral exposure chamber is
A first holding unit for holding a substrate;
A first moving mechanism for moving the first holding unit between the peripheral exposure chamber and the transfer chamber via a first opening formed on the transfer chamber side of the peripheral exposure chamber;
An exposure part that exposes a peripheral part of the coating film on the substrate held by the first holding part,
The laboratory is
A second holding unit for holding the substrate;
A second moving mechanism for moving the second holding portion between the inspection chamber and the transfer chamber via a second opening formed on the transfer chamber side of the inspection chamber;
A substrate processing apparatus comprising: an imaging unit configured to image the substrate held by the second holding unit.
基板の処理装置であって、
基板上に形成された塗布膜の周縁部に対して周辺露光処理を行う周辺露光室と、
前記周辺露光室に積層して設けられ、当該周辺露光室における周辺露光処理が終了した基板の欠陥を検査する検査室と、
外部との間で基板を搬入出しつつ、前記周辺露光室と前記検査室に隣接して設けられ、基板を鉛直方向に搬送する搬送アームを備えた搬送室と、を有し、
前記周辺露光室は、
基板を保持する第1の保持部と、
前記周辺露光室の搬送室側に形成された第1の開口部を介して、前記周辺露光室と前記搬送室との間で前記第1の保持部を移動させる第1の移動機構と、
前記第1の保持部に保持された基板上の塗布膜の周縁部を露光する露光部と、
前記第1の保持部に保持された基板の周縁部の位置を検出する位置検出センサと、
前記第1の保持部に保持された基板を回転させる回転駆動部と、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて、基板の周縁部の位置を調整するように前記回転駆動部を制御する制御部と、を有し、
前記検査室は、
基板を保持する第2の保持部と、
前記検査室の搬送室側に形成された第2の開口部を介して、前記検査室と前記搬送室との間で前記第2の保持部を移動させる第2の移動機構と、
前記第2の保持部に保持された基板を撮像する撮像部と、を有し、
前記搬送室の搬送アームは、前記周辺露光室で周辺露光処理が終了した基板を前記検査室まで搬送することを特徴とする、基板処理装置。
A substrate processing apparatus,
A peripheral exposure chamber for performing peripheral exposure processing on the peripheral edge of the coating film formed on the substrate;
An inspection chamber that is provided in a stacked manner in the peripheral exposure chamber, and inspects for defects in the substrate for which peripheral exposure processing has been completed in the peripheral exposure chamber;
A transfer chamber provided with a transfer arm that is provided adjacent to the peripheral exposure chamber and the inspection chamber and transfers the substrate in the vertical direction while carrying the substrate in and out of the outside;
The peripheral exposure chamber is
A first holding unit for holding a substrate;
A first moving mechanism for moving the first holding unit between the peripheral exposure chamber and the transfer chamber via a first opening formed on the transfer chamber side of the peripheral exposure chamber;
An exposure unit that exposes a peripheral portion of the coating film on the substrate held by the first holding unit;
A position detection sensor for detecting the position of the peripheral edge of the substrate held by the first holding part;
A rotation drive unit that rotates the substrate held by the first holding unit;
Based on the detection result of the position detection sensor, it possesses a control unit for controlling the rotation driving unit to adjust the position of the peripheral portion of the substrate, and
The laboratory is
A second holding unit for holding the substrate;
A second moving mechanism for moving the second holding portion between the inspection chamber and the transfer chamber via a second opening formed on the transfer chamber side of the inspection chamber;
An imaging unit that images the substrate held by the second holding unit,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the transfer arm of the transfer chamber transfers the substrate that has been subjected to the peripheral exposure process in the peripheral exposure chamber to the inspection chamber.
前記検査室は、
前記第2の保持部に保持された基板の周縁部の位置を検出する位置検出センサと、
前記第2の保持部に保持された基板を回転させる回転駆動部と、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて、基板の周縁部の位置を調整するように前記回転駆動部を制御する制御部と、を有することを特徴とする、請求項1に記載の基板処理装置。
The laboratory is
A position detection sensor for detecting the position of the peripheral edge of the substrate held by the second holding part;
A rotation drive unit that rotates the substrate held by the second holding unit;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a control unit that controls the rotation driving unit so as to adjust a position of a peripheral portion of the substrate based on a detection result of the position detection sensor. .
1室以上の前記周辺露光室と1室以上の前記検査室がそれぞれ積層され、
前記周辺露光室における周辺露光処理時間と前記検査室における検査時間との比率に基づいて、前記周辺露光室の数と前記検査室の数が設定されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。
One or more peripheral exposure chambers and one or more inspection chambers are stacked,
The number of the peripheral exposure chambers and the number of the inspection chambers are set based on a ratio between the peripheral exposure processing time in the peripheral exposure chamber and the inspection time in the inspection chamber. The substrate processing apparatus according to any one of the above.
2室の前記周辺露光室と1室の前記検査室が積層されていることを特徴とする、請求項4に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the two peripheral exposure chambers and the one inspection chamber are stacked. 基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、基板上に形成された塗布膜の周縁部に対して周辺露光処理を行う周辺露光室と、前記周辺露光室に積層して設けられ、当該周辺露光室における周辺露光処理が終了した基板の欠陥を検査する検査室と、他の処理装置に基板を搬送する基板搬送装置に対して基板を受け渡し、前記周辺露光室と前記検査室に隣接して設けられ、基板を鉛直方向に搬送する搬送アームを備えた搬送室と、を備え、
前記周辺露光室は、基板を保持する第1の保持部と、前記周辺露光室の搬送室側に形成された第1の開口部を介して、前記周辺露光室と前記搬送室との間で前記第1の保持部を移動させる第1の移動機構と、前記第1の保持部に保持された基板上の塗布膜の周縁部を露光する露光部と、を備え、
前記検査室は、基板を保持する第2の保持部と、前記検査室の搬送室側に形成された第2の開口部を介して、前記検査室と前記搬送室との間で前記第2の保持部を移動させる第2の移動機構と、前記第2の保持部に保持された基板を撮像する撮像部と、を備え、
前記基板処理方法は、
前記第1の移動機構によって、前記第1の保持部に保持された基板を前記周辺露光室に搬送し、当該周辺露光室で基板上の塗布膜の周縁部を露光する周辺露光工程と、
その後、第1の保持部から前記搬送アームに基板を受け渡した後、前記搬送アームを前記検査室と同じ高さまで移動させる搬送工程と、
その後、前記搬送アームから前記第2の保持部に基板を受け渡した後、前記第2の移動機構によって、前記第2の保持部に保持された基板を前記検査室に搬送し、当該検査室で基板の欠陥を検査する検査工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。
A substrate processing method using a substrate processing apparatus,
The substrate processing apparatus is provided with a peripheral exposure chamber for performing peripheral exposure processing on a peripheral portion of a coating film formed on a substrate, and a stack in the peripheral exposure chamber, and the peripheral exposure processing in the peripheral exposure chamber is performed. Deliver the substrate to the inspection chamber for inspecting the defects of the finished substrate and the substrate transfer device for transferring the substrate to another processing apparatus, provided adjacent to the peripheral exposure chamber and the inspection chamber, and the substrate in the vertical direction And a transfer chamber having a transfer arm for transferring to
The peripheral exposure chamber is interposed between the peripheral exposure chamber and the transfer chamber via a first holding portion that holds the substrate and a first opening formed on the transfer chamber side of the peripheral exposure chamber. A first moving mechanism that moves the first holding unit; and an exposure unit that exposes a peripheral portion of the coating film on the substrate held by the first holding unit;
The inspection chamber has a second holding portion that holds the substrate and a second opening formed on the transfer chamber side of the inspection chamber, and the second chamber is provided between the inspection chamber and the transfer chamber. A second moving mechanism that moves the holding unit, and an imaging unit that images the substrate held by the second holding unit,
The substrate processing method includes:
A peripheral exposure step of transporting the substrate held by the first holding unit to the peripheral exposure chamber by the first moving mechanism, and exposing a peripheral portion of a coating film on the substrate in the peripheral exposure chamber;
Then, after delivering the substrate from the first holding unit to the transfer arm, the transfer step of moving the transfer arm to the same height as the inspection room,
Thereafter, the substrate is delivered from the transfer arm to the second holding unit, and then the substrate held by the second holding unit is transferred to the inspection chamber by the second moving mechanism. An inspection process for inspecting a substrate for defects.
基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、基板上に形成された塗布膜の周縁部に対して周辺露光処理を行う周辺露光室と、前記周辺露光室に積層して設けられ、当該周辺露光室における周辺露光処理が終了した基板の欠陥を検査する検査室と、外部との間で基板を搬入出しつつ、前記周辺露光室と前記検査室に隣接して設けられ、基板を鉛直方向に搬送する搬送アームを備えた搬送室と、を備え、
前記周辺露光室は、基板を保持する第1の保持部と、前記周辺露光室の搬送室側に形成された第1の開口部を介して、前記周辺露光室と前記搬送室との間で前記第1の保持部を移動させる第1の移動機構と、前記第1の保持部に保持された基板上の塗布膜の周縁部を露光する露光部と、前記第1の保持部に保持された基板の周縁部の位置を検出する位置検出センサと、前記第1の保持部に保持された基板を回転させる回転駆動部と、を備え、
前記検査室は、基板を保持する第2の保持部と、前記検査室の搬送室側に形成された第2の開口部を介して、前記検査室と前記搬送室との間で前記第2の保持部を移動させる第2の移動機構と、前記第2の保持部に保持された基板を撮像する撮像部と、を備え、
前記基板処理方法は、
前記第1の移動機構によって、前記第1の保持部に保持された基板を前記周辺露光室に搬送し、前記位置検出センサの検出結果に基づいて、前記回転駆動部によって基板を回転させ、当該基板の周縁部の位置を調整し、当該周辺露光室で基板上の塗布膜の周縁部を露光する周辺露光工程と、
その後、第1の保持部から前記搬送アームに基板を受け渡した後、前記搬送アームを前記検査室と同じ高さまで移動させる搬送工程と、
その後、前記搬送アームから前記第2の保持部に基板を受け渡した後、前記第2の移動機構によって、前記第2の保持部に保持された基板を前記検査室に搬送し、当該検査室で基板の欠陥を検査する検査工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。
A substrate processing method using a substrate processing apparatus,
The substrate processing apparatus is provided with a peripheral exposure chamber for performing peripheral exposure processing on a peripheral portion of a coating film formed on a substrate, and a stack in the peripheral exposure chamber, and the peripheral exposure processing in the peripheral exposure chamber is performed. Provided with an inspection chamber for inspecting defects of the finished substrate and a transfer arm that is provided adjacent to the peripheral exposure chamber and the inspection chamber while carrying the substrate in and out of the outside, and transfers the substrate in the vertical direction A transfer chamber,
The peripheral exposure chamber is interposed between the peripheral exposure chamber and the transfer chamber via a first holding portion that holds the substrate and a first opening formed on the transfer chamber side of the peripheral exposure chamber. A first moving mechanism that moves the first holding unit; an exposure unit that exposes a peripheral portion of the coating film on the substrate held by the first holding unit; and a holding unit that holds the first holding unit. a position detection sensor for detecting the position of the peripheral portion of the substrate, Bei example and a rotary drive unit for rotating the substrate held by the first holding portion,
The inspection chamber has a second holding portion that holds the substrate and a second opening formed on the transfer chamber side of the inspection chamber, and the second chamber is provided between the inspection chamber and the transfer chamber. A second moving mechanism that moves the holding unit, and an imaging unit that images the substrate held by the second holding unit,
The substrate processing method includes:
The first moving mechanism transports the substrate held by the first holding unit to the peripheral exposure chamber, and rotates the substrate by the rotation driving unit based on the detection result of the position detection sensor. A peripheral exposure step of adjusting the position of the peripheral edge of the substrate and exposing the peripheral edge of the coating film on the substrate in the peripheral exposure chamber;
Then, after delivering the substrate from the first holding unit to the transfer arm, the transfer step of moving the transfer arm to the same height as the inspection room,
Thereafter, the substrate is delivered from the transfer arm to the second holding unit, and then the substrate held by the second holding unit is transferred to the inspection chamber by the second moving mechanism. An inspection process for inspecting a substrate for defects.
前記検査室は、前記第2の保持部に保持された基板の周縁部の位置を検出する位置検出センサと、前記第2の保持部に保持された基板を回転させる回転駆動部と、を備え、
前記検査工程において、前記位置検出センサの検出結果に基づいて、前記回転駆動部によって基板を回転させ、当該基板の周縁部の位置を調整することを特徴とする、請求項6に記載の基板処理方法。
The inspection room includes a position detection sensor that detects a position of a peripheral portion of the substrate held by the second holding unit, and a rotation driving unit that rotates the substrate held by the second holding unit. ,
The substrate processing according to claim 6, wherein in the inspection step, the position of a peripheral portion of the substrate is adjusted by rotating the substrate by the rotation driving unit based on a detection result of the position detection sensor. Method.
請求項6〜8のいずかに記載の基板処理方法を基板処理装置によって実行させるために、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。 A program that operates on a computer of a control unit that controls the substrate processing apparatus in order to cause the substrate processing apparatus to execute the substrate processing method according to claim 6. 請求項9に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
A readable computer storage medium storing the program according to claim 9.
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