JP5766316B2

JP5766316B2 - Substrate processing apparatus, substrate processing method, program, and computer storage medium

Info

Publication number: JP5766316B2
Application number: JP2014024275A
Authority: JP
Inventors: 古閑　法久; 法久古閑
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2014-02-12
Filing date: 2014-02-12
Publication date: 2015-08-19
Anticipated expiration: 2030-07-16
Also published as: JP2014132672A

Description

本発明は、基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, a program, and a computer storage medium.

例えば半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィ処理では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜の周縁部を選択的に露光する周辺露光処理、周縁部が露光されたレジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストのパターンが形成される。 For example, in the photolithography process in the manufacture of semiconductor devices, for example, a resist coating process for forming a resist film by applying a resist solution on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”), and selectively exposing the peripheral portion of the resist film Peripheral exposure processing, exposure processing for exposing a predetermined pattern on the resist film exposed at the peripheral portion, development processing for developing the exposed resist film, etc. are sequentially performed to form a predetermined resist pattern on the wafer. The

また、上述のようにフォトリソグラフィ処理が行われるウェハには、検査装置によって、いわゆるマクロ欠陥検査が行われる。マクロ欠陥検査は、種々のタイミングで行われるが、例えば周辺露光処理が行われた後に行われる。かかる場合、ウェハ表面に所定のレジスト膜が形成されているか否か、あるいは傷、異物の付着があるかどうか等が検査される。 In addition, a so-called macro defect inspection is performed by an inspection apparatus on a wafer on which photolithography processing is performed as described above. The macro defect inspection is performed at various timings, for example, after the peripheral exposure processing is performed. In such a case, it is inspected whether or not a predetermined resist film is formed on the wafer surface, whether or not there are any flaws or foreign matters.

このようなマクロ欠陥検査は、検査装置において、例えばウェハを載置している載置台を移動させながら、照明部からハーフミラーを通って載置台上のウェハに照明を照らし、さらにウェハからの反射光を上記ハーフミラーで反射させて、例えばＣＣＤラインセンサの撮像装置によってウェハの画像を取り込む。そして、この画像を画像処理して欠陥の有無を判定するようにしている（特許文献１）。 Such a macro defect inspection is performed by, for example, illuminating the wafer on the mounting table from the illumination unit through the half mirror while moving the mounting table on which the wafer is mounted in the inspection apparatus, and further reflecting from the wafer. The light is reflected by the half mirror, and an image of the wafer is captured by, for example, an imaging device of a CCD line sensor. Then, this image is subjected to image processing to determine the presence or absence of a defect (Patent Document 1).

また、上述したフォトリソグラフィ処理と欠陥検査は、例えば塗布現像処理装置と露光装置で行われる。塗布現像処理装置には、例えば上述したレジスト塗布処理を行うレジスト塗布装置や、現像処理を行う現像処理装置等の液処理装置、あるいは周辺露光処理を行う周辺露光装置に加えて、ウェハの検査を行う検査装置が設けられている。すなわち、検査装置は、周辺露光装置等とは別途設けられている。さらに塗布現像処理装置には、ウェハを各処理装置に搬送するための搬送装置も設けられている（特許文献１）。 The above-described photolithography process and defect inspection are performed by, for example, a coating and developing treatment apparatus and an exposure apparatus. In addition to the resist coating apparatus that performs the above-described resist coating process, the liquid processing apparatus such as the development processing apparatus that performs the development process, or the peripheral exposure apparatus that performs the peripheral exposure process, the coating and developing apparatus can inspect the wafer. An inspection device to perform is provided. That is, the inspection apparatus is provided separately from the peripheral exposure apparatus and the like. Further, the coating and developing processing apparatus is also provided with a transfer device for transferring the wafer to each processing device (Patent Document 1).

特開２００７−２４０５１９号公報JP 2007-240519 A

特許文献１の塗布現像処理装置を用いた場合、周辺露光装置での周辺露光処理が終了したウェハは、搬送装置によって検査装置に搬送される。かかる場合、周辺露光装置から検査装置にウェハを搬送中、上記搬送装置を他のウェハの搬送に用いることができない。すなわち、他のウェハに対する処理が終了し、別の処理装置に搬送可能になっているにも関わらず、当該他のウェハを待機させておかなければならず、搬送待ちが生じる場合があった。したがって、ウェハ処理のスループットに改善の余地があった。 When the coating and developing apparatus of Patent Document 1 is used, the wafer that has been subjected to the peripheral exposure process in the peripheral exposure apparatus is transferred to the inspection apparatus by the transfer apparatus. In such a case, while the wafer is being transferred from the peripheral exposure apparatus to the inspection apparatus, the transfer apparatus cannot be used for transferring another wafer. That is, although the processing for another wafer has been completed and the wafer can be transferred to another processing apparatus, the other wafer has to be kept on standby, which may result in waiting for transfer. Therefore, there is room for improvement in wafer processing throughput.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、周辺露光処理後の基板の検査において、当該検査を含む基板処理のスループットを向上させることを目的とする。 The present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to improve the throughput of substrate processing including the inspection in the inspection of the substrate after the peripheral exposure processing.

前記の目的を達成するため、本発明は、処理容器を有する基板の処理装置であって、
基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板を回転させる回転駆動部と、
外部との間で基板の受け渡しを行う受渡位置と、基板上に形成された塗布膜の周縁部に対して周辺露光処理を行う周辺露光位置との間で、前記保持部を移動させる移動機構と、
前記周辺露光位置側に設けられ、前記保持部に保持された基板上の塗布膜の周縁部を露光する露光部と、
前記周辺露光位置側であって前記露光部の上方に設けられ、前記保持部が前記受渡位置と前記周辺露光位置との間を移動する間に前記保持部に保持された基板を撮像する撮像部と、
前記受渡位置と前記周辺露光位置との間に設けられ、前記保持部に保持された基板と前記撮像部との間で形成される光路の方向を変更させる方向変換部と、
を有し、
前記保持部、前記回転駆動部、前記移動機構、前記露光部、前記撮像部、前記方向変換部は、いずれも前記処理容器内に収容されていることを特徴としている。 To achieve the above object, the present invention provides a substrate processing apparatus having a processing container ,
A holding unit for holding the substrate;
A rotation drive unit that rotates the substrate held by the holding unit;
A moving mechanism for moving the holding unit between a delivery position for delivering the substrate to / from the outside and a peripheral exposure position for performing a peripheral exposure process on the peripheral edge of the coating film formed on the substrate; ,
An exposure unit that is provided on the peripheral exposure position side and exposes a peripheral portion of a coating film on the substrate held by the holding unit;
An imaging unit that is provided on the peripheral exposure position side and above the exposure unit, and images the substrate held by the holding unit while the holding unit moves between the delivery position and the peripheral exposure position. When,
A direction changing unit that is provided between the delivery position and the peripheral exposure position and changes a direction of an optical path formed between the substrate held by the holding unit and the imaging unit;
I have a,
The holding unit, the rotation driving unit, the moving mechanism, the exposure unit, the imaging unit, and the direction changing unit are all housed in the processing container .

本発明の基板処理装置には、処理容器内に露光部、撮像部、回転駆動部及び移動機構が設けられているので、当該基板処理装置の処理容器内で基板を搬送しつつ、基板の周辺露光処理と当該基板の検査を共に行うことができる。具体的には、先ず、例えば移動機構によって、保持部に保持された基板を周辺露光位置に移動させ、当該周辺露光位置において、回転駆動部によって基板を回転させつつ、露光部から基板上の塗布膜の周縁部に光を照射し、当該周縁部を露光する。その後、移動機構によって、保持部に保持された基板を周辺露光位置から受渡位置に移動させる間であって、当該基板が方向変換部の下方を通過する際に、撮像部によって基板を撮像し、当該撮像された基板の撮像画像に基づいて、基板の欠陥を検査する。したがって、本発明によれば、基板の周辺露光処理と当該基板の検査を行う際に、従来のように周辺露光装置と検査装置間で搬送装置を用いて基板を搬送する必要がなくなるため、当該搬送装置を用いて他の処理装置間で他の基板の搬送を行うことができる。したがって、他の基板の搬送待ちを軽減でき、基板処理のスループットを向上させることができる。さらに、従来のように周辺露光装置と検査装置を個別に設ける必要がないため、フットプリントの低減にも寄与する。 In the substrate processing apparatus of the present invention , since the exposure unit, the imaging unit, the rotation driving unit, and the moving mechanism are provided in the processing container , the substrate is transported in the processing container of the substrate processing apparatus, and the periphery of the substrate Both the exposure process and the inspection of the substrate can be performed. Specifically, first, the substrate held by the holding unit is moved to the peripheral exposure position by, for example, a moving mechanism, and the substrate is applied from the exposure unit to the peripheral exposure position while rotating the substrate by the rotation driving unit at the peripheral exposure position. The periphery of the film is irradiated with light to expose the periphery. Thereafter, while the substrate held by the holding unit is moved from the peripheral exposure position to the delivery position by the moving mechanism, and when the substrate passes under the direction changing unit, the imaging unit images the substrate, A defect of the substrate is inspected based on the captured image of the substrate. Therefore, according to the present invention, when performing the peripheral exposure processing of the substrate and the inspection of the substrate, there is no need to transport the substrate using the transport device between the peripheral exposure device and the inspection device as in the prior art. Another substrate can be transferred between other processing apparatuses using the transfer apparatus. Therefore, the waiting time for transporting other substrates can be reduced, and the throughput of substrate processing can be improved. Further, it is not necessary to provide a peripheral exposure device and an inspection device separately as in the conventional case, which contributes to a reduction in footprint.

前記保持部に保持された基板の周縁部の位置を検出する位置検出センサと、前記位置検出センサの検出結果に基づいて、基板の周縁部の位置を調整するように前記回転駆動部を制御する制御部と、を有していてもよい。 Based on a position detection sensor that detects the position of the peripheral edge of the substrate held by the holding portion, and the detection result of the position detection sensor, the rotation driving unit is controlled to adjust the position of the peripheral edge of the substrate. And a control unit.

前記露光部に設けられる光源装置は、前記処理容器の外部に配置されていてもよい。 The light source device provided in the exposure unit may be disposed outside the processing container.

別な観点による本発明は、処理容器を有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された基板を回転させる回転駆動部と、外部との間で基板の受け渡しを行う受渡位置と、基板上に形成された塗布膜の周縁部に対して周辺露光処理を行う周辺露光位置との間で、前記保持部を移動させる移動機構と、前記周辺露光位置側に設けられ、前記保持部に保持された基板上の塗布膜の周縁部を露光する露光部と、前記周辺露光位置側であって前記露光部の上方に設けられ、前記保持部に保持された基板を撮像する撮像部と、前記保持部に保持された基板と前記撮像部との間で形成される光路の方向を変更させ、且つ前記受渡位置と前記周辺露光位置との間に設けられた方向変換部とを有し、前記保持部、前記回転駆動部、前記移動機構、前記露光部、前記撮像部、前記方向変換部は、いずれも前記処理容器内に収容されており、
前記基板処理方法は、
前記移動機構によって、前記保持部に保持された基板を前記周辺露光位置に移動させ、当該周辺露光位置において、前記回転駆動部によって基板を回転させつつ、前記露光部から基板上の塗布膜の周縁部に光を照射し、当該周縁部を露光する周辺露光工程と、その後、移動機構によって、前記保持部に保持された基板を前記周辺露光位置から前記受渡位置に移動させる間であって、当該基板が前記方向変換部の下方を通過する際に、前記撮像部によって基板を撮像し、当該撮像された基板の撮像画像に基づいて、基板の欠陥を検査する検査工程と、を有することを特徴としている。 Another aspect of the present invention is a substrate processing method using a substrate processing apparatus having a processing container ,
The substrate processing apparatus is formed on a substrate, a holding unit that holds the substrate, a rotation driving unit that rotates the substrate held by the holding unit, a delivery position for delivering the substrate to / from the outside, and the substrate A movement mechanism for moving the holding unit between a peripheral exposure position for performing a peripheral exposure process on the peripheral portion of the coating film, and a substrate provided on the peripheral exposure position side and held on the holding unit An exposure unit that exposes a peripheral portion of the coating film, an imaging unit that is provided on the peripheral exposure position side and above the exposure unit, and that images the substrate held by the holding unit, and is held by the holding unit And changing the direction of an optical path formed between the substrate and the imaging unit, and having a direction changing unit provided between the delivery position and the peripheral exposure position, the holding unit, the rotation Drive unit, moving mechanism, exposure unit, imaging unit, front Direction changing part are both housed in the processing chamber;
The substrate processing method includes:
The substrate held by the holding unit is moved to the peripheral exposure position by the moving mechanism, and the peripheral edge of the coating film on the substrate from the exposure unit while rotating the substrate by the rotation driving unit at the peripheral exposure position. A peripheral exposure step of irradiating the part with light and exposing the peripheral part, and then moving the substrate held by the holding part from the peripheral exposure position to the delivery position by a moving mechanism, An inspection step of imaging the substrate by the imaging unit and inspecting the defect of the substrate based on the captured image of the substrate when the substrate passes below the direction changing unit. It is said.

前記基板処理装置は、前記保持部に保持された基板の周縁部の位置を検出する位置検出センサを備え、前記周辺露光工程において、前記位置検出センサの検出結果に基づいて、前記回転駆動部によって基板を回転させ、当該基板の周縁部の位置を調整してもよい。 The substrate processing apparatus includes a position detection sensor that detects a position of a peripheral edge of the substrate held by the holding unit, and in the peripheral exposure step, based on a detection result of the position detection sensor, the rotation driving unit You may rotate a board | substrate and adjust the position of the peripheral part of the said board | substrate.

また別な観点による本発明によれば、前記基板処理方法を基板処理装置によって実行させるように、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control unit that controls the substrate processing apparatus so that the substrate processing method is executed by the substrate processing apparatus.

さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。 According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.

本発明によれば、周辺露光処理後の基板の検査において、当該検査を含む基板処理のスループットを向上させることができる。 According to the present invention, in the inspection of a substrate after peripheral exposure processing, the throughput of substrate processing including the inspection can be improved.

本実施の形態にかかるウェハ処理装置を備えた塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the internal structure of the coating-development processing system provided with the wafer processing apparatus concerning this Embodiment. 塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of an internal structure of a coating and developing treatment system. 塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of an internal structure of a coating and developing treatment system. ウェハ処理装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a wafer processing apparatus. ウェハ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a wafer processing apparatus. 搬送アームと保持部の関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship between a conveyance arm and a holding part. ウェハと撮像部との間の光路を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the optical path between a wafer and an imaging part. ウェハ処理装置にウェハを搬入する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a wafer is carried in to a wafer processing apparatus. ウェハの周縁部に周辺露光処理を行う様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a peripheral exposure process is performed to the peripheral part of a wafer. ウェハの検査を行う様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the test | inspection of a wafer is performed. ウェハ処理装置からウェハを搬出する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a wafer is carried out from a wafer processing apparatus. 他の実施の形態にかかるウェハ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the wafer processing apparatus concerning other embodiment.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理装置を備えた塗布現像処理システム１の内部構成の概略を示す平面図である。図２及び図３は、塗布現像処理システム１の内部構成の概略を示す側面図である。 Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view showing an outline of the internal configuration of a coating and developing treatment system 1 including a wafer processing apparatus as a substrate processing apparatus according to the present embodiment. 2 and 3 are side views showing an outline of the internal configuration of the coating and developing treatment system 1.

塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、フォトリソグラフィ処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。 As shown in FIG. 1, the coating and developing treatment system 1 includes, for example, a cassette station 2 in which a cassette C containing a plurality of wafers W is carried in and out of the outside, and a predetermined single-wafer type in a photolithography process. It has a configuration in which a processing station 3 including a plurality of various processing apparatuses that perform processing and an interface station 5 that transfers the wafer W between the exposure apparatus 4 adjacent to the processing station 3 are integrally connected. .

カセットステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、水平方向のＸ方向（図１中の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板１１には、塗布現像処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。 The cassette station 2 is provided with a cassette mounting table 10. The cassette mounting table 10 is provided with a plurality of, for example, four cassette mounting plates 11. The cassette mounting plates 11 are arranged in a line in the horizontal X direction (vertical direction in FIG. 1). The cassette C can be placed on these cassette placement plates 11 when the cassette C is carried into and out of the coating and developing treatment system 1.

カセットステーション２には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２０上を移動自在なウェハ搬送装置２１が設けられている。ウェハ搬送装置２１は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板１１上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。 The cassette station 2 is provided with a wafer transfer device 21 that is movable on a transfer path 20 extending in the X direction as shown in FIG. The wafer transfer device 21 is also movable in the vertical direction and the vertical axis direction (θ direction), and the cassette C on each cassette mounting plate 11 and a delivery device for a third block G3 of the processing station 3 to be described later. The wafer W can be transferred between the two.

処理ステーション３には、各種装置を備えた複数、例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。 The processing station 3 is provided with a plurality of, for example, four blocks G1, G2, G3, and G4 having various devices. For example, the first block G1 is provided on the front side of the processing station 3 (X direction negative direction side in FIG. 1), and the second side is provided on the back side of the processing station 3 (X direction positive direction side in FIG. 1). Block G2 is provided. Further, a third block G3 is provided on the cassette station 2 side (Y direction negative direction side in FIG. 1) of the processing station 3, and the processing station 3 interface station 5 side (Y direction positive direction side in FIG. 1). Is provided with a fourth block G4.

例えば第１のブロックＧ１には、図３に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下、「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３１、ウェハＷにレジスト液を塗布して塗布膜としてのレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下、「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が下から順に４段に重ねられている。 For example, in the first block G1, as shown in FIG. 3, a plurality of liquid processing devices, for example, a developing device 30 for developing the wafer W, an antireflection film (hereinafter referred to as “lower antireflection”) on the lower layer of the resist film of the wafer W. A lower antireflection film forming device 31 for forming a film), a resist coating device 32 for applying a resist solution to the wafer W to form a resist film as a coating film, and an antireflection film (on the upper layer of the resist film on the wafer W). Hereinafter, an upper antireflection film forming apparatus 33 for forming an “upper antireflection film” is stacked in four stages in order from the bottom.

例えば第１のブロックＧ１の各装置３０〜３３は、処理時にウェハＷを収容するカップＦを水平方向に複数有し、複数のウェハＷを並行して処理することができる。 For example, each of the devices 30 to 33 in the first block G1 has a plurality of cups F that accommodate the wafers W in the horizontal direction during processing, and can process the plurality of wafers W in parallel.

例えば第２のブロックＧ２には、図２に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理装置４０や、ウェハＷを疎水化処理するアドヒージョン装置４１、ウェハＷ上のレジスト膜の周縁部に対して周辺露光処理を行うと共に、当該周辺露光処理が終了したウェハＷの欠陥を検査するウェハ処理装置４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理装置４０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、熱処理装置４０、アドヒージョン装置４１及びウェハ処理装置４２の数や配置は、任意に選択できる。また、ウェハ処理装置４２の詳細な構成については後述する。 For example, in the second block G2, as shown in FIG. 2, the heat treatment apparatus 40 for heat treatment of the wafer W, the adhesion apparatus 41 for hydrophobizing the wafer W, and the periphery of the resist film on the wafer W are peripheral. A wafer processing apparatus 42 for performing the exposure process and inspecting the defect of the wafer W for which the peripheral exposure process has been completed is provided side by side in the vertical direction and the horizontal direction. The heat treatment apparatus 40 includes a hot plate for placing and heating the wafer W and a cooling plate for placing and cooling the wafer W, and can perform both heat treatment and cooling treatment. In addition, the number and arrangement | positioning of the heat processing apparatus 40, the adhesion apparatus 41, and the wafer processing apparatus 42 can be selected arbitrarily. The detailed configuration of the wafer processing apparatus 42 will be described later.

例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。 For example, in the third block G3, a plurality of delivery devices 50, 51, 52, 53, 54, 55, and 56 are provided in order from the bottom. The fourth block G4 is provided with a plurality of delivery devices 60, 61, 62 in order from the bottom.

図１に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばウェハ搬送装置７０が配置されている。 As shown in FIG. 1, a wafer transfer region D is formed in a region surrounded by the first block G1 to the fourth block G4. For example, a wafer transfer device 70 is disposed in the wafer transfer region D.

ウェハ搬送装置７０は、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。 The wafer transfer device 70 has a transfer arm that is movable in the Y direction, the X direction, the θ direction, and the vertical direction, for example. The wafer transfer device 70 moves in the wafer transfer area D and transfers the wafer W to a predetermined device in the surrounding first block G1, second block G2, third block G3, and fourth block G4. it can.

ウェハ搬送装置７０は、例えば図２に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックＧ１〜Ｇ４の同程度の高さの所定の装置にウェハＷを搬送できる。 For example, as shown in FIG. 2, a plurality of wafer transfer apparatuses 70 are arranged in the vertical direction, and can transfer the wafer W to a predetermined apparatus having the same height of the blocks G1 to G4, for example.

また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。 Further, in the wafer transfer region D, a shuttle transfer device 80 that transfers the wafer W linearly between the third block G3 and the fourth block G4 is provided.

シャトル搬送装置８０は、例えばＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送できる。 The shuttle transport device 80 is movable linearly in the Y direction, for example. The shuttle transfer device 80 moves in the Y direction while supporting the wafer W, and can transfer the wafer W between the transfer device 52 of the third block G3 and the transfer device 62 of the fourth block G4.

図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。 As shown in FIG. 1, a wafer transfer device 90 is provided next to the third block G3 on the positive side in the X direction. The wafer transfer device 90 has a transfer arm that is movable in the X direction, the θ direction, and the vertical direction, for example. The wafer transfer device 90 moves up and down while supporting the wafer W, and can transfer the wafer W to each delivery device in the third block G3.

インターフェイスステーション５には、ウェハ搬送装置１００と受け渡し装置１０１が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１００は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置と受け渡し装置１０１にウェハＷを搬送できる。 The interface station 5 is provided with a wafer transfer device 100 and a delivery device 101. The wafer transfer apparatus 100 has a transfer arm that is movable in the Y direction, the θ direction, and the vertical direction, for example. For example, the wafer transfer apparatus 100 can support the wafer W on a transfer arm and transfer the wafer W to each transfer apparatus and transfer apparatus 101 in the fourth block G4.

次に、上述したウェハ処理装置４２の構成について説明する。ウェハ処理装置４２は、図４及び図５に示すように処理容器１１０を有している。処理容器１１０のウェハ搬送領域Ｄ側（図４及び図５のＸ方向負方向側）の側面には、ウェハＷを搬入出させる搬入出口１１１が形成されている。搬入出口１１１には、開閉シャッタ１１２が設けられている。 Next, the configuration of the wafer processing apparatus 42 described above will be described. The wafer processing apparatus 42 has a processing container 110 as shown in FIGS. A loading / unloading port 111 for loading / unloading the wafer W is formed on the side surface of the processing container 110 on the wafer transfer region D side (X direction negative direction side in FIGS. 4 and 5). An opening / closing shutter 112 is provided at the loading / unloading port 111.

処理容器１１０の内部には、ウェハＷを吸着保持する保持部１２０が設けられている。保持部１２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷを保持部１２０上に吸着保持できる。 A holding unit 120 that holds the wafer W by suction is provided inside the processing container 110. The holding unit 120 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W, for example, is provided on the upper surface. The wafer W can be sucked and held on the holding unit 120 by suction from the suction port.

保持部１２０には、図５に示すように駆動部１２１が取り付けられている。駆動部１２１は、例えばモータ（図示せず）を内蔵している。そして、駆動部１２１は、保持部１２０を回転させることができ、本発明における回転保持部としての機能を有すると共に、ウェハＷの位置を調節するアライメント機能を有している。処理容器１１０の底面には、処理容器１１０内の一端側（図５中のＸ方向負方向側）から他端側（図５中のＸ方向正方向側）まで延伸するガイドレール１２２が設けられている。駆動部１２１は、ガイドレール１２２上に設けられている。そして保持部１２０と駆動部１２１は、ガイドレール１２２に沿って、ウェハ処理装置４２の外部との間でウェハＷの受け渡しを行う受渡位置Ｐ１とウェハＷの周縁部に対して周辺露光処理を行う周辺露光位置Ｐ２との間で移動できる。なお、これら駆動部１２１とガイドレール１２２が、本発明における移動機構を構成している。また、本実施の形態では、処理容器１１０の底面上にガイドレール１２２を設けたが、当該ガイドレールは処理容器１１０の底面に埋設されていてもよい。 As shown in FIG. 5, a driving unit 121 is attached to the holding unit 120. The drive unit 121 includes a motor (not shown), for example. And the drive part 121 can rotate the holding | maintenance part 120, and has an alignment function which adjusts the position of the wafer W while having a function as a rotation holding | maintenance part in this invention. A guide rail 122 extending from one end side (X direction negative direction side in FIG. 5) to the other end side (X direction positive direction side in FIG. 5) is provided on the bottom surface of the processing container 110. ing. The drive unit 121 is provided on the guide rail 122. The holding unit 120 and the driving unit 121 perform peripheral exposure processing on the delivery position P1 for delivering the wafer W between the outside of the wafer processing apparatus 42 and the peripheral portion of the wafer W along the guide rail 122. It can move between the peripheral exposure position P2. In addition, these drive part 121 and the guide rail 122 comprise the moving mechanism in this invention. In the present embodiment, the guide rail 122 is provided on the bottom surface of the processing container 110, but the guide rail may be embedded in the bottom surface of the processing container 110.

また、受渡位置Ｐ１においてウェハ処理装置４２の外部との間でウェハＷを受け渡す際、図６に示すように保持部１２０は、ウェハ処理装置４２の外部に設けられたウェハ搬送装置７０と干渉しない。ここで、ウェハ搬送装置７０は、例えばウェハＷより僅かに大きい径の略Ｃ字型のアーム部７０ａを有している。アーム部７０ａの内側には、内側に向かって突出し、ウェハＷの外周部を支持する支持部７０ｂが複数箇所、例えば３箇所に設けられている。保持部１２０は、ウェハＷの径よりも小さい径を有し、ウェハＷの中心部を吸着保持する。したがって、保持部１２０はウェハ搬送装置７０と干渉しない。 Further, when the wafer W is delivered to the outside of the wafer processing apparatus 42 at the delivery position P1, the holding unit 120 interferes with the wafer transfer apparatus 70 provided outside the wafer processing apparatus 42 as shown in FIG. do not do. Here, the wafer conveyance device 70 has, for example, a substantially C-shaped arm portion 70 a having a diameter slightly larger than that of the wafer W. Inside the arm portion 70a, support portions 70b that protrude toward the inside and support the outer peripheral portion of the wafer W are provided at a plurality of locations, for example, three locations. The holding unit 120 has a diameter smaller than the diameter of the wafer W, and holds the central part of the wafer W by suction. Therefore, the holding unit 120 does not interfere with the wafer transfer device 70.

処理容器１１０の内部であって周辺露光位置Ｐ２には、保持部１２０に保持されたウェハＷの周縁部の位置を検出する位置検出センサ１３０が設けられている。位置検出センサ１３０は例えばＣＣＤカメラ（図示せず）を有し、保持部１２０に保持されたウェハＷの中心からの偏心量やウェハＷのノッチ部の位置を検出する。そして、ウェハＷの偏心量に基づいて、露光部１４０による光の照射位置が設定される。また、位置検出センサ１３０によってノッチ部の位置を検出しながら、駆動部１２１によって保持部１２０を回転させて、ウェハＷのノッチ部の位置を調整することができる。 A position detection sensor 130 that detects the position of the peripheral edge of the wafer W held by the holding unit 120 is provided inside the processing container 110 and at the peripheral exposure position P2. The position detection sensor 130 has, for example, a CCD camera (not shown), and detects the amount of eccentricity from the center of the wafer W held by the holding unit 120 and the position of the notch portion of the wafer W. Based on the amount of eccentricity of the wafer W, the light irradiation position by the exposure unit 140 is set. Further, the position of the notch part of the wafer W can be adjusted by rotating the holding part 120 by the driving part 121 while detecting the position of the notch part by the position detection sensor 130.

処理容器１１０の内部には、保持部１２０に保持されたウェハＷ上のレジスト膜の周縁部に光を照射して露光する露光部１４０が設けられている。露光部１４０には、当該露光部１４０に光を供給する光源装置としてのランプハウス１４１が設けられている。ランプハウス１４１の内部には、超高圧水銀ランプ（図示せず）や超高圧水銀ランプからの光を集光する集光ミラー（図示せず）が設けられている。これら露光部１４０とランプハウス１４１は、周辺露光位置Ｐ２よりＸ方向正方向側、すなわち処理容器１１０のＸ方向正方向端部に配置されている。 An exposure unit 140 is provided inside the processing container 110 to irradiate light to the peripheral portion of the resist film on the wafer W held by the holding unit 120 for exposure. The exposure unit 140 is provided with a lamp house 141 as a light source device that supplies light to the exposure unit 140. Inside the lamp house 141, an ultra high pressure mercury lamp (not shown) and a condenser mirror (not shown) for collecting light from the ultra high pressure mercury lamp are provided. The exposure unit 140 and the lamp house 141 are arranged on the X direction positive direction side from the peripheral exposure position P2, that is, on the X direction positive direction end of the processing container 110.

処理容器１１０の内部には、保持部１２０に保持されたウェハＷを撮像する撮像部１５０が設けられている。撮像部１５０は、周辺露光位置Ｐ２よりＸ方向正方向側、すなわち処理容器１１０のＸ方向正方向端部であって、露光部１４０とランプハウス１４１の上方に配置されている。撮像部１５０には、例えばＣＣＤカメラが用いられる。また、撮像部１５０には、当該撮像部１５０で撮像した画像が出力され、この画像に基づいてウェハＷの欠陥が検査される検査部１５１が設けられている。 An imaging unit 150 that captures an image of the wafer W held by the holding unit 120 is provided inside the processing container 110. The imaging unit 150 is disposed on the positive side in the X direction from the peripheral exposure position P2, that is, on the positive end in the X direction of the processing container 110, and above the exposure unit 140 and the lamp house 141. For the imaging unit 150, for example, a CCD camera is used. Further, the imaging unit 150 is provided with an inspection unit 151 that outputs an image captured by the imaging unit 150 and inspects a defect of the wafer W based on the image.

処理容器１１０の内部であって受渡位置Ｐ１と周辺露光位置Ｐ２との間には、照明を照射する照明部１５２と、保持部１２０に保持されたウェハＷと撮像部１５０との間で形成される光路の方向を変更させる方向変換部１５３とが設けられている。照明部１５２と方向変換部１５３は、撮像部１５０と対向する位置にそれぞれ設けられ、且つ保持部１２０に保持されたウェハＷの上方にそれぞれ設けられている。また、これら照明部１５２と方向変換部１５３は、例えば支持部材（図示せず）によって処理容器１１０に固定されている。 Inside the processing container 110 and between the delivery position P1 and the peripheral exposure position P2, an illumination unit 152 that irradiates illumination, a wafer W held by the holding unit 120, and the imaging unit 150 are formed. And a direction changing unit 153 that changes the direction of the optical path. The illumination unit 152 and the direction conversion unit 153 are provided at positions facing the imaging unit 150 and are provided above the wafer W held by the holding unit 120, respectively. Moreover, these illumination part 152 and direction change part 153 are being fixed to the processing container 110, for example by the supporting member (not shown).

方向変換部１５３は、図７に示すように第１の反射鏡１５４、第２の反射鏡１５５及び第３の反射鏡１５６を有している。第１の反射鏡１５４は、照明部１５２の下方に設けられている。第１の反射鏡１５４には例えばハーフミラーが用いられ、水平方向から４５度傾斜して設けられている。そして、照明部１５２からの照明は第１の反射鏡を通過して鉛直方向下方に照射されウェハＷ上で反射する。また、ウェハＷから鉛直方向上方に反射された光は、第１の反射鏡１５４で反射して周辺露光位置Ｐ２側（図７のＸ方向正方向側）に水平方向に進行する。 The direction conversion unit 153 includes a first reflecting mirror 154, a second reflecting mirror 155, and a third reflecting mirror 156 as shown in FIG. The first reflecting mirror 154 is provided below the illumination unit 152. For example, a half mirror is used as the first reflecting mirror 154 and is inclined by 45 degrees from the horizontal direction. The illumination from the illumination unit 152 passes through the first reflecting mirror, is irradiated downward in the vertical direction, and is reflected on the wafer W. Further, the light reflected upward in the vertical direction from the wafer W is reflected by the first reflecting mirror 154 and travels in the horizontal direction to the peripheral exposure position P2 side (the X direction positive direction side in FIG. 7).

第２の反射鏡１５５は、第１の反射鏡１５４と対向する位置であって、第１の反射鏡１５４より周辺露光位置Ｐ２側（図７のＸ方向正方向側）に配置されている。また、第２の反射鏡１５５は、水平方向から所定の傾斜角θで傾斜して設けられている。所定の傾斜角θは、例えば４５度より大きい角度である。そして、第１の反射鏡１５４からの光は、第２の反射鏡１５５で反射して受渡位置Ｐ１側（図７のＸ方向負方向側）に所定の反射角で斜め上方に進行する。このとき、第２の反射鏡１５５の傾斜角θが４５度より大きいため、当該第２の反射鏡１５５における光の反射角は４５度より小さくなる。 The second reflecting mirror 155 is disposed at a position facing the first reflecting mirror 154 and on the peripheral exposure position P2 side (the X direction positive direction side in FIG. 7) from the first reflecting mirror 154. Further, the second reflecting mirror 155 is provided to be inclined at a predetermined inclination angle θ from the horizontal direction. The predetermined inclination angle θ is an angle larger than 45 degrees, for example. Then, the light from the first reflecting mirror 154 is reflected by the second reflecting mirror 155 and travels obliquely upward at a predetermined reflection angle to the delivery position P1 side (X direction negative direction side in FIG. 7). At this time, since the inclination angle θ of the second reflecting mirror 155 is larger than 45 degrees, the reflection angle of light in the second reflecting mirror 155 is smaller than 45 degrees.

第３の反射鏡１５６は、第１の反射鏡１５４と第２の反射鏡１５５との間であって、これら第１の反射鏡１５４と第２の反射鏡１５５の上方に配置されている。また、第３の反射鏡１５６は、水平方向から所定の傾斜角θで傾斜して設けられている。この所定の傾斜角θは、第２の反射鏡１５５の所定の傾斜角θと同一である。そして、第２の反射鏡１５５からの光は、第３の反射鏡１５６で反射して周辺露光位置Ｐ２側（図７のＸ方向正方向側）に水平方向に進行する。 The third reflecting mirror 156 is disposed between the first reflecting mirror 154 and the second reflecting mirror 155 and above the first reflecting mirror 154 and the second reflecting mirror 155. The third reflecting mirror 156 is provided so as to be inclined at a predetermined inclination angle θ from the horizontal direction. This predetermined inclination angle θ is the same as the predetermined inclination angle θ of the second reflecting mirror 155. Then, the light from the second reflecting mirror 155 is reflected by the third reflecting mirror 156 and travels in the horizontal direction toward the peripheral exposure position P2 side (X direction positive direction side in FIG. 7).

以上のように、方向変換部１５３が第１の反射鏡１５４、第２の反射鏡１５５及び第３の反射鏡１５６を有しているので、反射鏡が１枚の場合と比較して、平面視における撮像部１５０の位置を変更することなく、ウェハＷと撮像部１５０との間の光路Ｌのワークディスタンスを長くすることができる。そして、ウェハＷで反射した光は、光路Ｌに沿って進行して撮像部１５０に取り込まれ、撮像部１５０でウェハＷが撮像される。 As described above, since the direction changing unit 153 includes the first reflecting mirror 154, the second reflecting mirror 155, and the third reflecting mirror 156, it is a plane as compared with the case where there is one reflecting mirror. The work distance of the optical path L between the wafer W and the imaging unit 150 can be increased without changing the position of the imaging unit 150 when viewed. The light reflected by the wafer W travels along the optical path L and is taken into the imaging unit 150, and the wafer W is imaged by the imaging unit 150.

また、第３の反射鏡１５６が第１の反射鏡１５４と第２の反射鏡１５５の上方に設けられているので、反射鏡が１枚の場合と比較して、光路Ｌが鉛直方向上方に伸び、さらに撮像部１５０も上方に配置される。ここで、撮像部１５０と露光部１７０は、ウェハＷの中心軸線上に配置される必要があるため、従来の装置構成では撮像部と露光部が干渉し、両方を配置することはできない。また、周辺露光処理又は検査毎に、露光部又は撮像部のいずれかを移動させることも考えられるが、この場合露光部又は撮像部の移動機構が必要となり、装置が大掛かりなものになってしまう。この点、本実施の形態では、撮像部１５０が上方に配置されるので、撮像部１５０の下方にできたスペースに露光部１４０を配置することが可能となる。 In addition, since the third reflecting mirror 156 is provided above the first reflecting mirror 154 and the second reflecting mirror 155, the optical path L is higher in the vertical direction than in the case of a single reflecting mirror. In addition, the imaging unit 150 is also disposed above. Here, since the imaging unit 150 and the exposure unit 170 need to be arranged on the central axis of the wafer W, in the conventional apparatus configuration, the imaging unit and the exposure unit interfere with each other, and both cannot be arranged. In addition, it is conceivable to move either the exposure unit or the imaging unit for each peripheral exposure process or inspection, but in this case, a moving mechanism for the exposure unit or the imaging unit is necessary, and the apparatus becomes large. . In this regard, in the present embodiment, since the imaging unit 150 is disposed above, the exposure unit 140 can be disposed in a space formed below the imaging unit 150.

以上の塗布現像処理システム１には、図１に示すように制御部２００が設けられている。制御部２００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理装置４２におけるウェハＷの周辺露光処理と当該ウェハＷの検査を実行するプログラムが格納されている。これに加えて、プログラム格納部には、塗布現像処理システム１におけるウェハ処理を実行するプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部２００にインストールされたものであってもよい。 The coating and developing processing system 1 is provided with a control unit 200 as shown in FIG. The control unit 200 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for executing the peripheral exposure processing of the wafer W and the inspection of the wafer W in the wafer processing apparatus 42. In addition to this, the program storage unit also stores a program for executing wafer processing in the coating and developing processing system 1. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), or a memory card. May have been installed in the control unit 200 from the storage medium H.

次に、以上のように構成された塗布現像処理システム１を用いて行われるウェハＷの処理方法について説明する。 Next, a processing method of the wafer W performed using the coating and developing processing system 1 configured as described above will be described.

先ず、複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが、カセットステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。その後、ウェハ搬送装置２１によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、処理ステーション３の第３のブロックＧ３の例えば受け渡し装置５３に搬送される。 First, a cassette C containing a plurality of wafers W is placed on a predetermined cassette placement plate 11 of the cassette station 2. Thereafter, the wafers W in the cassette C are sequentially taken out by the wafer transfer device 21 and transferred to, for example, the transfer device 53 of the third block G3 of the processing station 3.

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、温度調節される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成装置３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、加熱され、温度調節され、その後第３のブロックＧ３の受け渡し装置５３に戻される。 Next, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70, and the temperature is adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the lower antireflection film forming device 31 of the first block G1 by the wafer transfer device 70, and a lower antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2, heated, temperature-controlled, and then returned to the transfer apparatus 53 of the third block G3.

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって同じ第３のブロックＧ３の受け渡し装置５４に搬送される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２のアドヒージョン装置４１に搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、温度調節される。 Next, the wafer W is transferred by the wafer transfer device 90 to the delivery device 54 of the same third block G3. Thereafter, the wafer W is transferred to the adhesion device 41 of the second block G2 by the wafer transfer device 70 and subjected to an adhesion process. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, and the temperature is adjusted.

その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によってレジスト塗布装置３２に搬送され、回転中のウェハＷ上にレジスト液を塗布し、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。 Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating device 32 by the wafer transfer device 70, and a resist solution is applied onto the rotating wafer W to form a resist film on the wafer W.

その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送されて、プリベーク処理される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡し装置５５に搬送される。 Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70 and pre-baked. Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer device 70 to the delivery device 55 of the third block G3.

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によってウェハ処理装置４２に搬送される。そして、ウェハ処理装置４２において、ウェハＷ上のレジスト膜の周縁部に対して周辺露光処理が行われ、当該周辺露光処理が終了したウェハＷの欠陥の検査が行われる。なお、このウェハ処理装置４２におけるウェハＷの周辺露光処理と検査の詳細については後述する。 Next, the wafer W is transferred to the upper antireflection film forming apparatus 33 by the wafer transfer apparatus 70, and an upper antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, heated, and temperature-adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the wafer processing apparatus 42 by the wafer transfer apparatus 70. Then, in the wafer processing apparatus 42, the peripheral exposure process is performed on the peripheral portion of the resist film on the wafer W, and the inspection of the defect of the wafer W after the peripheral exposure process is performed. The details of the peripheral exposure processing and inspection of the wafer W in the wafer processing apparatus 42 will be described later.

その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡し装置５６に搬送される。そして、ウェハ処理装置４２において欠陥があると判定されたウェハＷは、その後ウェハ搬送装置２１によって所定のカセット載置板１１のカセットＣに搬送される。 Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer device 70 to the delivery device 56 of the third block G3. Then, the wafer W determined to be defective in the wafer processing apparatus 42 is then transferred to the cassette C of the predetermined cassette mounting plate 11 by the wafer transfer apparatus 21.

一方、ウェハ処理装置４２において欠陥がなく正常であると判定されたウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって受け渡し装置５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２に搬送される。 On the other hand, the wafer W determined to be normal with no defects in the wafer processing apparatus 42 is transferred to the transfer apparatus 52 by the wafer transfer apparatus 90 and transferred to the transfer apparatus 62 of the fourth block G4 by the shuttle transfer apparatus 80. The

その後ウェハＷは、インターフェイスステーション５のウェハ搬送装置１００によって露光装置４に搬送され、露光処理される。 Thereafter, the wafer W is transferred to the exposure apparatus 4 by the wafer transfer apparatus 100 of the interface station 5 and subjected to exposure processing.

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって露光装置４から第４のブロックＧ４の受け渡し装置６０に搬送される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、露光後ベーク処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像装置３０に搬送され、現像される。現像終了後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。 Next, the wafer W is transferred from the exposure apparatus 4 to the delivery apparatus 60 of the fourth block G4 by the wafer transfer apparatus 100. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70 and subjected to post-exposure baking. Thereafter, the wafer W is transferred to the developing device 30 by the wafer transfer device 70 and developed. After the development is completed, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70 and subjected to a post-bake process.

その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡し装置５０に搬送され、その後カセットステーション２のウェハ搬送装置２１によって所定のカセット載置板１１のカセットＣに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィ工程が終了する。 Thereafter, the wafer W is transferred to the delivery device 50 of the third block G3 by the wafer transfer device 70, and then transferred to the cassette C of the predetermined cassette mounting plate 11 by the wafer transfer device 21 of the cassette station 2. Thus, a series of photolithography steps is completed.

次に、上述したウェハ処理装置４２におけるウェハＷの周辺露光処理と当該ウェハＷの検査について説明する。 Next, the peripheral exposure processing of the wafer W and the inspection of the wafer W in the wafer processing apparatus 42 described above will be described.

ウェハ搬送装置７０によって搬入出口１１１を介してウェハ処理装置４２に搬送されたウェハＷは、先ず、図８に示すように受渡位置Ｐ１において保持部１２０に受け渡され、当該保持部１２０に保持される。その後、駆動部１２１によって保持部１２０を受渡位置Ｐ１から周辺露光位置Ｐ２側に所定速度で移動させる。 The wafer W transferred to the wafer processing apparatus 42 via the loading / unloading port 111 by the wafer transfer apparatus 70 is first transferred to the holding unit 120 at the transfer position P1 as shown in FIG. The Thereafter, the driving unit 121 moves the holding unit 120 from the delivery position P1 to the peripheral exposure position P2 side at a predetermined speed.

保持部１２０に保持されたウェハＷが周辺露光位置Ｐ２に移動すると、図９に示すように位置検出センサ１３０によってウェハＷのノッチ部の位置を検出しながら、駆動部１２１によって保持部１２０を回転させる。そして、ウェハＷのノッチ部の位置を調整して、ウェハＷを所定の位置に配置する。また、位置検出センサ１３０によって、保持部１２０に保持されたウェハＷの中心からの偏心量が検出され、当該ウェハＷの偏心量に基づいて、露光部１４０による光の照射位置が設定される。その後、駆動部１２１によってウェハＷを回転させつつ、露光部１４０からウェハＷの周縁部の所定の位置に光が照射される。こうしてウェハＷ上のレジスト膜の周縁部が露光処理される。 When the wafer W held by the holding unit 120 moves to the peripheral exposure position P2, the driving unit 121 rotates the holding unit 120 while detecting the position of the notch portion of the wafer W by the position detection sensor 130 as shown in FIG. Let And the position of the notch part of the wafer W is adjusted, and the wafer W is arrange | positioned in a predetermined position. Further, the position detection sensor 130 detects the amount of eccentricity from the center of the wafer W held by the holding unit 120, and the light irradiation position by the exposure unit 140 is set based on the amount of eccentricity of the wafer W. Thereafter, light is irradiated from the exposure unit 140 to a predetermined position on the peripheral edge of the wafer W while the wafer W is rotated by the driving unit 121. Thus, the peripheral portion of the resist film on the wafer W is exposed.

その後、図１０に示すように駆動部１２１によって保持部１２０を周辺露光位置Ｐ２から受渡位置Ｐ１側に所定速度で移動させる。そして、ウェハＷが第１の反射鏡１５４の下を通過する際に、照明部１５２からウェハＷに対して照明を照らす。この照明によるウェハＷ上での反射光は、上述したように第１の反射鏡１５４、第２の反射鏡１５５及び第３の反射鏡１５６で反射して、光路Ｌに沿って進行し、撮像部１５０に取り込まれる。そして、撮像部１５０によってウェハＷが撮像される。撮像されたウェハＷの画像は検査部１５１に出力され、検査部１５１において、出力された画像に基づいてウェハＷの欠陥が検査される。 After that, as shown in FIG. 10, the driving unit 121 moves the holding unit 120 from the peripheral exposure position P2 to the delivery position P1 side at a predetermined speed. When the wafer W passes under the first reflecting mirror 154, the illumination unit 152 illuminates the wafer W with illumination. The reflected light on the wafer W due to this illumination is reflected by the first reflecting mirror 154, the second reflecting mirror 155, and the third reflecting mirror 156 as described above, travels along the optical path L, and is imaged. The data is captured by the unit 150. Then, the wafer W is imaged by the imaging unit 150. The captured image of the wafer W is output to the inspection unit 151, and the inspection unit 151 inspects the defect of the wafer W based on the output image.

その後、図１１に示すように保持部１２０に保持されたウェハＷが周辺露光位置Ｐ２に移動すると、保持部１２０からウェハ搬送装置７０にウェハＷが受け渡される。そして、搬入出口１１１を介してウェハＷはウェハ処理装置４２から搬出される。 Thereafter, as shown in FIG. 11, when the wafer W held by the holding unit 120 moves to the peripheral exposure position P <b> 2, the wafer W is delivered from the holding unit 120 to the wafer conveyance device 70. Then, the wafer W is unloaded from the wafer processing apparatus 42 via the loading / unloading port 111.

以上の実施の形態によれば、方向変換部１５３は第１の反射鏡１５４、第２の反射鏡１５５及び第３の反射鏡１５６を有しているので、平面視における撮像部１５０の位置を変更することなく、保持部１２０に保持されたウェハＷと撮像部１５０との間の光路Ｌのワークディスタンスを長くできる。しかも、この場合、撮像部１５０のＣＣＤカメラのレンズを変更する必要もない。したがって、撮像部１５０において像の歪みを抑えた高精度の画像を取得することができ、ウェハＷの検査を適切に行うことができる。 According to the above embodiment, since the direction changing unit 153 includes the first reflecting mirror 154, the second reflecting mirror 155, and the third reflecting mirror 156, the position of the imaging unit 150 in plan view is determined. Without changing, the work distance of the optical path L between the wafer W held by the holding unit 120 and the imaging unit 150 can be increased. In addition, in this case, it is not necessary to change the lens of the CCD camera of the imaging unit 150. Therefore, it is possible to acquire a high-accuracy image in which image distortion is suppressed in the imaging unit 150, and to inspect the wafer W appropriately.

また、第２の反射鏡１５５と第３の反射鏡１５６で反射される光の反射角は、４５度より小さい角度であるので、光路Ｌの鉛直上方への伸びを抑えつつ、当該光路Ｌのワークディスタンスを確保できる。したがって、ウェハ処理装置４２の大型化を抑えることができる。 Further, since the reflection angle of the light reflected by the second reflecting mirror 155 and the third reflecting mirror 156 is smaller than 45 degrees, it is possible to suppress the vertical extension of the optical path L while suppressing the extension of the optical path L. Work distance can be secured. Therefore, an increase in the size of the wafer processing apparatus 42 can be suppressed.

また、ウェハＷと撮像部１５０との間の光路Ｌが鉛直上方に伸び、さらに撮像部１５０も上方に配置されるので、撮像部１５０の下方にできたスペースに露光部１４０を配置することが可能となる。このようにウェハ処理装置４２には、露光部１４０と撮像部１５０が設けられているので、当該ウェハ処理装置４２内でウェハＷを搬送しつつ、ウェハＷの周辺露光処理と当該ウェハＷの検査を共に行うことができる。したがって、ウェハＷの周辺露光処理と当該ウェハＷの検査を行う際に、従来のようにウェハ搬送装置７０を用いて周辺露光装置と検査装置間でウェハＷを搬送する必要がなくなるため、当該ウェハ搬送装置７０を用いて他の処理装置間で他のウェハＷの搬送を行うことができる。したがって、他のウェハＷの搬送待ちを軽減でき、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。さらに、従来のように周辺露光装置と検査装置を個別に設ける必要がないため、フットプリントの低減にも寄与する。 Further, since the optical path L between the wafer W and the imaging unit 150 extends vertically upward, and the imaging unit 150 is also arranged upward, the exposure unit 140 can be arranged in a space formed below the imaging unit 150. It becomes possible. As described above, since the exposure unit 140 and the imaging unit 150 are provided in the wafer processing apparatus 42, the peripheral exposure process of the wafer W and the inspection of the wafer W are performed while the wafer W is transported in the wafer processing apparatus 42. Can be performed together. Therefore, when performing the peripheral exposure processing of the wafer W and the inspection of the wafer W, it is not necessary to transfer the wafer W between the peripheral exposure apparatus and the inspection apparatus using the wafer transfer apparatus 70 as in the prior art. Another wafer W can be transferred between other processing apparatuses using the transfer apparatus 70. Therefore, it is possible to reduce the waiting time for transporting other wafers W, and to improve the throughput of wafer processing. Further, it is not necessary to provide a peripheral exposure device and an inspection device separately as in the conventional case, which contributes to a reduction in footprint.

また、ウェハ処理装置４２には、ウェハＷの周縁部の位置を検出する位置検出センサ１３０が設けられているので、当該位置検出センサ１３０によってノッチ部の位置を検出しながら、駆動部１２１によって保持部１２０を回転させて、ウェハＷのノッチ部の位置を調整することができる。ここで、従来のように周辺露光装置と検査装置が別々に設けられ、ウェハ搬送装置７０を用いて周辺露光装置と検査装置間でウェハＷを搬送した場合、周辺露光装置でウェハＷのノッチ部の位置を調整しても、ウェハ搬送装置７０が水平方向にも移動自在であるため、搬送中にウェハＷのノッチ部の位置がずれ、検査装置でウェハＷのノッチ部の位置を再調整する必要があった。この点、本実施の形態によれば、ウェハＷの周辺露光処理と当該ウェハＷの検査を行う際に、ノッチ部の位置調整を１回のみとすることができる。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。なお、発明者らが調べたところ、ウェハＷのノッチ部の位置調整を１回とすることにより、ウェハ処理のスループットを約２秒間短縮できることが分かった。 Further, since the wafer processing apparatus 42 is provided with a position detection sensor 130 for detecting the position of the peripheral portion of the wafer W, it is held by the drive unit 121 while the position detection sensor 130 detects the position of the notch portion. The position of the notch portion of the wafer W can be adjusted by rotating the portion 120. Here, when the peripheral exposure apparatus and the inspection apparatus are separately provided as in the prior art, and the wafer W is transferred between the peripheral exposure apparatus and the inspection apparatus using the wafer transfer apparatus 70, the notch portion of the wafer W is transferred by the peripheral exposure apparatus. Even if the position of the wafer W is adjusted, the wafer transfer device 70 is also movable in the horizontal direction. Therefore, the position of the notch portion of the wafer W is shifted during the transfer, and the position of the notch portion of the wafer W is readjusted by the inspection device. There was a need. In this regard, according to the present embodiment, the position adjustment of the notch portion can be performed only once when the peripheral exposure processing of the wafer W and the inspection of the wafer W are performed. Therefore, the throughput of wafer processing can be improved. As a result of investigations by the inventors, it was found that the wafer processing throughput can be reduced by about 2 seconds by adjusting the position of the notch portion of the wafer W once.

以上の実施の形態のウェハ処理装置４２では、ランプハウス１４１を処理容器１１０の内部に設けていたが、図１２に示すようにランプハウス１４１を処理容器１１０の外部に配置してもよい。なお、ウェハ処理装置４２のその他の構成は、上述したウェハ処理装置４２の構成と同様であるので説明を省略する。 In the wafer processing apparatus 42 of the above embodiment, the lamp house 141 is provided inside the processing container 110, but the lamp house 141 may be arranged outside the processing container 110 as shown in FIG. The other configuration of the wafer processing apparatus 42 is the same as the configuration of the wafer processing apparatus 42 described above, and a description thereof will be omitted.

ここで、処理容器１１０の内部は、上述したウェハＷの周辺露光処理と当該ウェハＷの検査が行われるため、陽圧に維持されている。かかる状況下でランプハウス１４１のメンテナンスを行う場合、ランプハウス１４１が処理容器１１０の外部に設けられているので、処理容器１１０内の雰囲気を大気に開放する必要がない。したがって、ランプハウス１４１のメンテナンスを容易に行うことができる。また、処理容器１１０の内部が、ランプハウス１４１からの発熱による影響を受けることもない。 Here, the inside of the processing container 110 is maintained at a positive pressure because the peripheral exposure processing of the wafer W and the inspection of the wafer W are performed. When performing maintenance of the lamp house 141 under such circumstances, the lamp house 141 is provided outside the processing container 110, so that the atmosphere in the processing container 110 does not need to be opened to the atmosphere. Therefore, the maintenance of the lamp house 141 can be easily performed. Further, the inside of the processing container 110 is not affected by the heat generated from the lamp house 141.

以上の実施の形態では、ウェハ処理装置４２は処理ステーション３の第２のブロックＧ２に配置されていたが、当該ウェハ処理装置４２の位置は任意に選択できる。例えばウェハ処理装置４２をインターフェイスステーション５に配置してもよいし、あるいは処理ステーション３の第３のブロックＧ３や第４のブロックＧ４に配置してもよい。 In the above embodiment, the wafer processing apparatus 42 is arranged in the second block G2 of the processing station 3. However, the position of the wafer processing apparatus 42 can be arbitrarily selected. For example, the wafer processing apparatus 42 may be disposed in the interface station 5, or may be disposed in the third block G3 or the fourth block G4 of the processing station 3.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。 The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

１塗布現像処理システム
４２ウェハ処理装置
７０ウェハ搬送装置
１１０処理容器
１２０保持部
１２１駆動部
１２２ガイドレール
１３０位置検出センサ
１４０露光部
１４１ランプハウス
１５０撮像部
１５２照明部
１５３方向変換部
２００制御部
Ｌ光路
Ｐ１受渡位置
Ｐ２周辺露光位置
Ｗウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Application | coating development processing system 42 Wafer processing apparatus 70 Wafer transfer apparatus 110 Processing container 120 Holding part 121 Drive part 122 Guide rail 130 Position detection sensor 140 Exposure part 141 Lamphouse 150 Imaging part 152 Illumination part 153 Direction conversion part 200 Control part L Optical path P1 Delivery position P2 Peripheral exposure position W Wafer

Claims

A substrate processing apparatus having a processing container ,
A holding unit for holding the substrate;
A rotation drive unit that rotates the substrate held by the holding unit;
A moving mechanism for moving the holding unit between a delivery position for delivering the substrate to / from the outside and a peripheral exposure position for performing a peripheral exposure process on the peripheral edge of the coating film formed on the substrate; ,
An exposure unit that is provided on the peripheral exposure position side and exposes a peripheral portion of a coating film on the substrate held by the holding unit;
An imaging unit that is provided on the peripheral exposure position side and above the exposure unit, and images the substrate held by the holding unit while the holding unit moves between the delivery position and the peripheral exposure position. When,
A direction changing unit that is provided between the delivery position and the peripheral exposure position and changes a direction of an optical path formed between the substrate held by the holding unit and the imaging unit;
I have a,
The substrate processing apparatus, wherein the holding unit, the rotation driving unit, the moving mechanism, the exposure unit, the imaging unit, and the direction changing unit are all housed in the processing container .

A position detection sensor for detecting the position of the peripheral edge of the substrate held by the holding part;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a control unit that controls the rotation driving unit so as to adjust a position of a peripheral portion of the substrate based on a detection result of the position detection sensor. .

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the light source device provided in the exposure unit is disposed outside the processing container.

A substrate processing method using a substrate processing apparatus having a processing container ,
The substrate processing apparatus includes:
A holding unit for holding the substrate, a rotation driving unit for rotating the substrate held by the holding unit, a delivery position for delivering the substrate to / from the outside, and a peripheral portion of the coating film formed on the substrate And a peripheral mechanism of the coating film on the substrate, which is provided on the side of the peripheral exposure position and is held on the side of the peripheral exposure position. An exposure unit that exposes, an imaging unit that is provided on the peripheral exposure position side and above the exposure unit, and that images the substrate held by the holding unit, and the substrate and the imaging unit that are held by the holding unit A direction changing unit provided between the delivery position and the peripheral exposure position, the holding unit, the rotation driving unit, and the moving mechanism. The exposure unit, the imaging unit, and the direction changing unit are It has also been accommodated in the processing chamber;
The substrate processing method includes:
The substrate held by the holding unit is moved to the peripheral exposure position by the moving mechanism, and the peripheral edge of the coating film on the substrate from the exposure unit while rotating the substrate by the rotation driving unit at the peripheral exposure position. A peripheral exposure step of irradiating the part with light and exposing the peripheral part;
Thereafter, when the substrate held by the holding unit is moved from the peripheral exposure position to the delivery position by the moving mechanism, and when the substrate passes below the direction changing unit, the imaging unit An inspection step of imaging a substrate and inspecting a defect of the substrate based on a captured image of the imaged substrate;
The substrate processing method characterized by having.

The substrate processing apparatus includes a position detection sensor that detects a position of a peripheral edge of the substrate held by the holding unit,
5. The substrate according to claim 4, wherein, in the peripheral exposure step, based on a detection result of the position detection sensor, the rotation drive unit rotates the substrate to adjust the position of the peripheral edge of the substrate. Processing method.

A program that operates on a computer of a control unit that controls the substrate processing apparatus so that the substrate processing method according to any one of claims 4 and 5 is executed by the substrate processing apparatus.

A readable computer storage medium storing the program according to claim 6.