JP3761081B2

JP3761081B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP3761081B2
Application number: JP2001345005A
Authority: JP
Inventors: 清次中島
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-11-09
Filing date: 2001-11-09
Publication date: 2006-03-29
Anticipated expiration: 2021-11-09
Also published as: JP2003151878A

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment apparatus that can carry out inspection/measurement without being affected by heat, vibration, or the like, at the same time, simplifies work from substrate treatment to the inspection, and shortens time. SOLUTION: A first inspection/measurement station S2 is connected to a cassette station S1, a second inspection/measurement station S6 is connected to a treatment station S3, and a third inspection/measurement station S7 is connected to an interface station S4. Therefore, the inspection/measurement station can be chosen according to the treatment state of a substrate, throughput is increased, and the treatment state can be inspected in real time.

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などの基板に対してレジスト液の塗布処理や現像処理などを行ない、これら処理の処理状態の検査、測定を行う検査・測定装置を備えた基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー技術においては半導体ウエハ（以下ウエハという）の表面にレジストを塗布し、この塗布レジストを所定パターンに露光処理し、更に現像処理して所定パターンのレジスト膜が形成される。このような一連の処理は、塗布・現像装置に露光装置を接続したシステムにより行なわれる。
【０００３】
図９はこのような装置の従来例を示す平面図であり、塗布・現像装置１００に露光装置１１０を接続したパターン形成システムによって行われる。塗布・現像装置１００は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）を処理する場合を例にとると、ウエハキャリアＣからウエハを搬入、搬出するキャリアステージ１０１と、このキャリアステージ１０１に載置されたキャリアＣからウエハを取り出す受け渡しアーム１０２と、処理ステーション１０３及びインターフェイスステーション１０４からなり、露光装置１１０に接続される。
【０００４】
このシステムにあっては、受け渡しアーム１０２を介して処理ステーション１０３に搬入されたウエハＷは、レジスト膜が形成され、露光装置１１０にて露光され、その後処理ステーション１０３に戻されて現像処理され、受け渡しアーム１０２を介してキャリアＣに戻される。
このようにして、処理を終えたウエハＷがキャリアＣに収納されると、キャリアＣはオペレータあるいは自動搬送ロボットによってキャリアステージ１０１から搬出され、塗布・現像装置１００とは別のエリアに設置された検査・測定装置１１１に搬送される。この検査・測定装置１１１では、ウエハＷ上に形成されたレジストパターンの線幅、レジストパターンと下地パターンとの重なり具合、レジストの塗布ムラ及び現像欠陥等について検査を行う。
【０００５】
そして、合格と判定されたウエハＷは次工程に送られるが、不合格と判定されたウエハＷは図示しない洗浄ユニットに送られてレジストを溶解除去し、当該塗布、現像が行われる前の状態に戻す。そして、このウエハは再び、現像システムに送られ、再度同様の処理が行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記したパターン形成システムにあっては、検査・測定装置が塗布・現像装置とは別個に設置されているため、検査・測定装置の作業を確認するオペレータが別に必要になる。また、塗布・現像装置と検査・測定装置との間でウエハＷを搬送しなければならないので、搬送作業が面倒であり、ウエハＷの全数検査が要求される場合にはかなり問題となる。また、搬送に時間がかかるため、現像処理の状態をリアルタイムで検査することが難しく、さらに検査・測定装置が置かれる環境のパーティクルを低減するために新たな設備が必要になるという問題もある。
【０００７】
このため本発明者らは、前記した塗布・現像装置に検査・測定装置を組み込むことを検討している。この際、現状の塗布・現像装置のレイアウトを活用しようとすると、カセットステーションの横に検査・測定装置を接続することが考えられる。
【０００８】
しかしながら、現像後のみならずレジスト液の塗布後にも検査を行なうことが必要な場合もあり、単にカセットステーションの横に検査・測定装置を接続するのみではスループットが低下し、処理の状態をリアルタイムで検査することが難しいという課題があった。また、塗布・現像装置に検査・測定装置を組み込んだ際、検査・測定装置が処理ステーション内の加熱部（熱処理装置）からの熱の影響を受けないようにする必要がある。更に、検査・測定装置が塗布・現像装置に組み込まれた際、受け渡しアーム等から発生する振動の影響を受けないようにする必要がある。
【０００９】
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、検査・測定装置をカセットステーション、処理ステーション等に接続して基板処理装置を構成することにより、熱、振動などの影響を受けることなく検査・測定を行うことができると共に、基板処理から検査に亘る作業の簡便化と、時間の短縮とを図る基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するためになされたものであり、本発明にかかる基板処理装置は、複数の基板を収納した基板カセットを載置するカセットステージと、このカセットステージに載置された基板カセットに対して基板の受け渡しを行う受け渡し手段とを含むカセットステーションと、前記カセットステーションに接続され、カセットステーションから搬送された基板に対して所定の処理を施す処理ステーションと、前記処理ステーションに接続され、処理ステーションから搬送された基板を他の処理装置に搬送するインターフェイスステーションと、前記処理ステーションにおける基板の処理状態を検査・測定する第一乃至第三の検査・測定ステーションとを備え、前記カセットステーションに第一の検査・測定ステーションが接続され、前記処理ステーションに第二の検査・測定ステーションが接続され、前記インターフェイスステーションに第三の検査・測定ステーションが接続され、前記第一乃至第三の検査・測定ステーションのすべての検査・測定ステーションがカセットステーションから見て一方の側に配置され、前記処理ステーションに接続された第二の検査・測定ステーションが、前記処理ステーションに設けられたレジスト塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットに対向するように配置されていることを特徴としている。
【００１１】
このような構成を備えているため、カセットステーションの横に検査・測定ステーションを配置する場合に比べて、基板の処理状態に応じて検査・測定ステーションを使い分けることができ、スループットが向上し、処理の状態をリアルタイムで検査することができる。即ち、基板処理から検査に亘る作業の簡便化と、時間の短縮化を図ることができる。
【００１２】
また、前記第一乃至第三の検査・測定ステーションが、カセットステーションから見て、一方の側に設けられているため、その側にオペレータを配置でき、オペレータの操作も容易になる。
なお、この基板処理装置としては、前記処理ステーションにおける処理が、レジスト塗布、現像処理であり、かつ前記他の処理装置が露光装置である基板処理装置に適している。
【００１３】
また、前記カセットステーションから見て、一方の側に設けられている前記第一乃至第三の検査・測定ステーションに配置される検査・測定装置は、一のコンピュータに接続されていることが望ましい。
このように第一乃至第三の検査・測定ステーションが、カセットステーションから見て一方の側に設けられているため、一のコンピュータに接続することが容易であり、検査・測定データを集中して管理することができ、しかも処理ステーションの処理装置等に対して、直ちにその結果をフィードバックすることができる。
【００１４】
また、前記第一乃至第三の検査・測定ステーションに配置される検査・測定装置は、表面検査装置、膜厚測定装置、線幅測定装置のいずれかであることが望ましい。
【００１５】
また、前記第一の検査・測定ステーションに配置される検査・測定装置は、表面検査装置であることが望ましく、前記第二の検査・測定ステーションに配置される検査・測定装置は、線幅測定装置であることが望ましく、更には、前記第三の検査・測定ステーションに配置される検査・測定装置は、膜厚測定装置であることが望ましい。
更に、第一乃至第三の検査・測定ステーションには、表面検査装置、膜厚測定装置、線幅測定装置から選択された、同種あるいは異種の複数の装置が配置されていることが望ましい。このように、同一のステーション内に同種あるいは異種の複数の検査測定装置を配置することによって、基板に対して同種あるいは異種の複数の検査を行なうことができ、検査測定に要するトータルの時間も短縮される。
【００１６】
また、本発明は上記目的を達成するためになされたものであり、本発明にかかる基板処理装置は、複数の基板を収納した基板カセットを載置するカセットステージと、このカセットステージに載置された基板カセットに対して基板の受け渡しを行う受け渡し手段とを含むカセットステーションと、前記カセットステーションに接続され、カセットステーションから搬送された基板に対して所定の処理を施す処理ステーションと、前記処理ステーションに接続され、処理ステーションから搬送された基板を他の処理装置に搬送するインターフェイスステーションと、前記処理ステーションにおける基板の処理状態を検査・測定する検査・測定ステーションとを備え、前記処理ステーションは、その中心部に配置された基板を搬送する基板搬送手段と、前記カセットステーション側に配置された加熱部を有する第一の棚ユニットと、前記基板搬送手段を挟んで第一の棚ユニットに対向して配置された加熱部を有する第二の棚ユニットと、前記基板搬送手段を囲むように前記第一、第二の棚ユニットの配列方向と略直交した位置に配置された処理ユニットとを含み、前記検査・測定ステーションは、前記基板搬送手段を囲むように処理ユニットに対向して配置されると共に、該検査・測定ステーションの上方に加熱部、その下方に検査・測定装置が配置され、さらに、前記検査・測定ステーションに配置された加熱部の処理温度が、前記第一、第二の棚ユニットの加熱部の処理温度より低く設定されていることを特徴としている。
【００１７】
このように検査・測定ステーションには、前記処理ステーションの基板搬送手段を囲むように処理ユニットに対向して検査・測定装置が配置されているため、迅速に処理状態の検査・測定を行うことができ、基板処理から検査に亘る作業の簡便化と、時間の短縮化を図ることができる。また、前記検査・測定ステーションの上方に加熱部、その下方に検査・測定装置が配置されている。このため、検査・測定装置の下方に加熱部を配置した場合に比べて、検査・測定装置は該加熱部からの熱の影響を抑制することができる。また、前記検査・測定ステーションの下方に検査・測定装置を配置することにより、基板搬送手段等から発生する振動の影響を小さくすることができる。
なお、前記検査・測定装置の上方に配置された加熱部の処理温度は、前記棚ユニットの加熱部の処理温度より低く設定されている。
【００１８】
ここで、前記検査・測定ステーションは、第一の棚ユニット及び第二の棚ユニットから離間して配置されていることが望ましい。
このように離間して配置されているため、第一、第二の棚ユニットの加熱部からの熱の影響を抑制することができる。
【００１９】
なお、前記検査・測定ステーションの最下部に、検査・測定装置のエレキユニット部が配置され、前記エレキユニット部の上部に検査・測定装置が配置されていることが望ましい。
【００２０】
更に、前記検査・測定ステーション内に配置された、前記検査・測定装置と前記加熱部との間に断熱部材が配置されていることが望ましく、検査・測定装置と前記加熱部との間に断熱部材を配置した場合には、該加熱部からの熱の影響を小さくすることができる。
なお、前記検査・測定装置の上方に配置された加熱部の処理温度は、前記棚ユニットの加熱部の処理温度より低く設定されている。
【００２１】
更にまた、前記検査・測定装置には装置内部の排気を行うためのファン及びフィルタが設けられていることが望ましく、駆動部等から発生するパーティクル等を捕捉し、清浄な状態を維持することができる。
【００２２】
また、前記検査・測定装置は線幅測定装置であることが望ましい。前記検査・測定装置として、線幅測定装置が配置されているため、現像後のパターンの線幅を迅速に検査・測定を行うことができ、基板処理から検査に亘る作業の簡便化と、時間の短縮化を図ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を基板の塗布・現像装置に適用した実施の形態について説明する。図１及び図２は、この発明が適用された基板処理装置（塗布・現像装置）の基本構成を示したものである。なお、図１はこれを上面から透視して見た状態を示しており、図２は斜視図を示している。
【００２４】
図中、Ｓ１はカセットステーション、Ｓ２はウエハＷに対して所定の検査・測定を行なうための第一の検査・測定ステーション、Ｓ３はウエハＷに対してレジストの塗布処理や現像処理等の基板処理を行なうための処理ステーション、Ｓ４はインターフェイスステーション、Ｓ５は露光装置、Ｓ６はウエハＷに対して所定の検査・測定を行なうための第二の検査・測定ステーション、Ｓ７はＳ２、Ｓ６と同様に、ウエハＷに対して所定の検査・測定を行なうための第三の検査・測定ステーションである。
【００２５】
カセットステーションＳ１は、複数の基板例えば２５枚のウエハＷを収納した例えば４個のウエハカセット（以下「カセット」という）２を載置するカセットステージ１と、カセットステージ１上のカセット２、処理ステーションＳ３、第一の検査・測定ステーションＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行なうための受け渡し手段をなす受け渡しアーム３とを備えている。
この受け渡しアーム３は、昇降自在（Ｚ方向）、Ｘ，Ｙ方向に移動自在、鉛直軸まわり（θ方向）に回転自在に構成されている。
【００２６】
この第一の検査・測定ステーションＳ２は、カセットステーションＳ１のカセット２の配列方向と平行（処理ステーションＳ３方向と直交する方向）に、カセットステーションＳ１に接続して設けられている。この第一の検査・測定ステーションＳ２には、基板の表面状態を検査・測定する表面検査装置１０が配置されている。
この表面検査装置１０は、例えば後述するように顕微分分光光学系ユニットによる撮像によりレジスト膜の表面の傷や、上層部のレジストパターンと下層部のレジストパターンの重なり具合、レジスト液の塗布時に混入する異物の有無、レジスト液の塗布ムラ、現像処理後の現像欠陥等を検査する装置である。
【００２７】
ここで、表面検査装置１０の一例について図３に基づいて説明すると、例えばウエハＷの搬送口（図示せず）を備えた筐体１１と、この筐体１１内に設けられ、ウエハＷを水平に支持してその向きを調整できるように構成された回転載置台１２と、この回転載置台１２上のウエハＷの表面を撮像するＸ，Ｙ，Ｚ方向（Ｙ方向はＸ，Ｚ方向に垂直な方向であって、紙面に対して垂直な方向）に移動自在なＣＣＤカメラ１３と、照明手段１４とを備えている。
そして、このＣＣＤカメラ１３で得られたウエハＷの画像をデータ処理部であるコンピュータ４にて解析することによって検査を行なうように構成されている。なおＣＣＤカメラ１３は固定されていて、ウエハＷの載置台１２側がＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動できる構成であってもよい。また、第一の検査・測定ステーションＳ２の空いたスペースにコンピュータを備え（図示せず）、ウエハＷの画像データの処理の一部を行うようにしても良い。
【００２８】
次に、処理ステーションＳ３について説明すると、この処理ステーションＳ３はカセットステーションＳ１のカセットの配列方向と略直交する方向に、カセットステーションＳ１に接続して設けられている。そして、例えば２個の基板処理部をなす現像ユニット２０（２０Ａ，２０Ｂ）と、２個の基板処理部をなす塗布ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ）と、例えば２個の第一、第二の棚ユニットＲ１、Ｒ２と、例えば１個の基板搬送手段２２と、第二の検査・測定ステーションＳ６とを備えている。この第二の検査・測定ステーションＳ６には、ウエハＷ上に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定装置２３が配置されている。
【００２９】
そして、この基板搬送手段２２によって、カセットステーションＳ１との間でウエハＷの受け渡しを行うと共に、インターフェイスステーションＳ４との間でウエハＷの受け渡し行うために、第一、第二の棚ユニットＲ１、Ｒ２中にそれぞれ受け渡し台を備えた受け渡し部４３が配置されている。
また、この基板搬送手段２２によって、ウエハＷにレジスト液を塗布する塗布ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ）と、ウエハＷの現像処理を行う現像ユニット２０（２０Ａ，２０Ｂ）と、これらの処理の前後にウエハＷを所定の温度に加熱し、冷却する処理をする第一、第二の棚ユニットＲ１、Ｒ２と、更には基板上に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定装置２３との間を、ウエハＷが搬送されるように構成されている。
【００３０】
このような処理ステーションＳ３のレイアウトの一例について説明すると、例えばカセットステーションＳ１から奥を見て例えば右側には現像ユニット２０や塗布ユニット２１等を備えた処理ユニットが２段に亘って設けられている。
なお、以降の説明では、カセットステーションＳ１側を手前側、露光装置Ｓ５側を奥側として述べることにする。
【００３１】
また、カセットステーションＳ１から見て（図１の矢印Ａ方向からみて）、処理ステーションＳ３の右側には、現像ユニット２０、塗布ユニット２１が配置されている。また、処理ステーションＳ３の中央部には、第一、第二の棚ユニットＲ１、Ｒ２と、第一の棚ユニットＲ１および第二の棚ユニットＲ２との間でウエハＷを受け渡しするための、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成された基板搬送手段２２が設けられている。なお、この基板搬送手段２２のカセットステーションＳ１側から見て手前側には第一の棚ユニットＲ１、奥側には第二の棚ユニットＲ２が配置されている。
【００３２】
そしてまた、基板搬送手段２２のカセットステーションＳ１側から見て左側には第二の検査・測定ステーションＳ６が配置され、この第二の検査・測定ステーションＳ６には線幅測定装置２３が配置されている。したがって、前記第一の検査・測定ステーションＳ２と第二の検査・測定ステーションＳ６は、塗布・現像処理装置の同一側に配置されている。なお、図２には便宜上、基板搬送手段２２は省略してある。
【００３３】
以上のように、前記処理ステーションＳ３は、中心部に配置された基板を搬送する基板搬送手段２２と、前記カセットステーション側に配置された第一の棚ユニットＲ１と、前記基板搬送手段２２を挟んで第一の棚ユニットＲ１に対向して配置された第二の棚ユニットＲ２と、前記基板搬送手段２２を囲むように配置された前記第一、第二の棚ユニットＲ１、Ｒ２の配列方向と略直交した位置に配置された現像ユニット２０、塗布ユニット２１とを備えている。そして、前記検査・測定ステーションＳ６は、前記基板搬送手段２２を囲むように現像ユニット２０、塗布ユニット２１に対向して配置されると共に、該検査・測定ステーションに検査・測定装置が配置されている。
【００３４】
なお、前記検査・測定ステーションＳ６は、第一の棚ユニットＲ１及び第二の棚ユニットＲ２から離間して配置されている。
この検査測定装置は、一般的に周辺環境温度が例えば３０℃以上になると検査測定装置の測定精度に悪影響を及ぼすため、後述するように加熱部を有する第一、第二の棚ユニットＲ１，Ｒ２に隣接して配置しないことが望ましい。
【００３５】
ここで、線幅測定装置２３の一例について図４に基づいて説明する。なお、図４（ａ）は線幅測定装置２３の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示したＩ−Ｉ断面図である。
図４に示すように、線幅測定装置２３はウエハＷの搬送口２５ａを備えた筐体２５と、この筐体２５内に設けられ、ウエハＷを水平に支持してその向きを調整できるように構成された回転載置台２６と、この回転載置台２６上のウエハＷに対して線幅測定装置２３の上方に設けられた照明手段２８からの光を入射し、反射した光を検出するＸ，Ｙ，Ｚ方向（Ｙ方向はＸ，Ｚ方向に垂直な方向であって、紙面に対して垂直な方向）に移動自在なレンズを備えた光学手段である顕微分分光光学系ユニット２７と、筐体内部を排気するファン２９と、このファン２９の前面に配置されたフィルタ３０とを備えている。
【００３６】
また、前記顕微分分光光学系ユニット２７は一端部にボールスクリュー部３２が形成された支持部３１に設けられている。前記支持部３１の他端部にはガイド部３３が形成され、ガイド棒３４に沿って案内されるように形成されている。即ち、図示しないモータによってネジ軸３５が回転することによって、Ｘ，Ｙ方向に、顕微分分光光学系ユニット２７が移動可能に形成されている。なお顕微分分光光学系ユニット２７は固定されていて、ウエハＷの載置台２６側がＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動できる構成であってもよい。
【００３７】
更に、前記ファン２９の排出口２５ｂは、カセットステーションＳ１側から見て、線幅測定装置２３の左側面に設けられている。即ち、排出口２５ｂからの排気が、処理ステーションＳ３の内部に入り込まない位置に設けられている。
また、前記したようにファン２９およびフィルタ３０が形成されているため、顕微分分光光学系ユニット２７を移動させた際、ボールスクリュー部３２、ネジ軸３５、ガイド部３３、ガイド棒３４から発生するパーティクルが処理装置内に侵入するのを防止できる。
【００３８】
また，この線幅測定装置２３は、顕微分分光光学系ユニット２７によって得られた反射光を、データ処理部であるコンピュータ４にて解析することによって検査を行なうように構成されている。また、第二の検査・測定ステーションＳ６の空いたスペースにコンピュータを備え（図示せず）、得られたデータの解析、処理を行うようにしても良い。
【００３９】
また、棚ユニットについて説明するが、第一、第二の棚ユニットＲ１，Ｒ２は略同一の構成を有するため、図５に第一の棚ユニットＲ１を代表して示し、図５に基づいて棚ユニットについて説明する。なお、この図５においては、基板搬送手段２２を図示するため、第一の棚ユニットＲ１と現像ユニット２０、塗布ユニット２１との間が、拡げて図示されている。
【００４０】
この第一、第二の棚ユニットＲ１，Ｒ２は、ウエハＷを加熱するための加熱部４０と、ウエハＷを冷却するための冷却部４１と、ウエハ表面を疎水化するための疎水化部４２を備えている。
また、第一の棚ユニットＲ１においてはカセットステーションＳ１の受け渡しアーム３と処理ステーションＳ３の基板搬送手段２２との間でウエハＷの受け渡しを行なうための、一方第二の棚ユニットＲ２においては処理ステーションＳ３の基板搬送手段２２と後述するインターフェイスステーションＳ４の搬送アーム６０との間でウエハＷの受け渡しを行なうための、受け渡し台を備えた受け渡し部４３を備えている。
更に、第一の棚ユニットＲ１においてはウエハＷの位置合わせを行なうためのアライメント部４４とが縦に配列されている。
【００４１】
また、図５に示されるように第二の検査・測定ステーションＳ６には、前記したように線幅測定装置２３およびランプ等の照明手段２８が配置されている。またこの線幅測定装置２３の下部には、エレキユニット部５０が設けられている。このエレキユニット部５０には、線幅測定装置２３、前記基板搬送手段２２や後述する塗布ユニット２１や現像ユニット２０に用いられる部材、例えばこれらの駆動系の電源部や、これらの電力制御等を行うためのコントローラ、これらに電力を分配するための配電盤等の電気関係設備が収納されている。
【００４２】
また、前記照明手段２８の上部は空間部５１となっている。この空間部にウエハＷを加熱するための加熱部５３を設ける場合には、図６に示すように断熱部材５２を照明手段２８の上部に配置し、その断熱部材５２の上部に加熱部５３を配置する。
このように配置することで、塗布・現像装置全体の専有面積の低減を図ることができると共に、処理のスループットを向上させることができる。また、図６のように加熱部５３を複数段配置せず、線幅測定装置２３から遠い上方の段のみに加熱部５３を配置するような場合には、断熱部材５２を省くこともできる。この場合、加熱部５３と線幅測定装置２３との間は、空間部（ブランク）である。
【００４３】
なお、この加熱部５３の処理温度は９０℃乃至２５０℃であり、この加熱部５３では、前記第一、第二の棚ユニットＲ１，Ｒ２における加熱部４０の処理温度１００℃乃至３５０℃よりも低い温度で処理される。このように加熱部４０の処理温度よりも低い処理温度の加熱部５３を配置したため、線幅測定装置２３に与える熱の影響は小さくすることができる。
【００４４】
上記したように、第二の検査・測定ステーションＳ６において、線幅測定装置２３の下部には加熱部５３のような処理部が設けられておらず、線幅測定装置２３の下部に設けなければならないエレキユニット部５０を除いて、線幅測定装置２３は最も下部に設けられている。
このように、線幅測定装置２３が第二検査・測定ステーションＳ６の下方に設けられているため、基板搬送手段２２等から発生する振動を受けた場合であっても、第二の検査・測定ステーションＳ６の上方に配置されている場合に比べて、振動の影響を小さくすることができる。
【００４５】
また、加熱部５３を設ける場合、線幅測定装置２３上方に加熱部５３が配置されているため、加熱部５３から生ずる熱の影響を少なくすることができる。即ち、加熱部５３の熱によって温められた空気の大部分は上昇し、線幅測定装置２３方向に下降する空気は少ない。また加熱部５３と照明手段２８との間に断熱部材が介装されているため、加熱部５３からの伝熱による熱の影響を小さくすることができる。
【００４６】
このように線幅測定装置２３を配置することにより、振動、熱の影響を極力抑制しているため、精度の高い測定を行うことができると共に、その寿命を延ばすことができる。なお、同様に照明手段２８のランプ等の寿命も延ばすことができる。
【００４７】
また、現像ユニット２０、塗布ユニット２１は従来から用いられている一般的な現像ユニット２０、塗布ユニット２１を用いることができるため、詳細な説明は省略し、その概略を説明する。
現像ユニット２０には、例えば、カップ内に真空吸着機能を有する回転自在なスピンチャック、処理液の吐出ノズル、処理液供給管、ノズルを水平移動させる支持アームが設けられている。このスピンチャックは昇降機構により昇降自在に構成されており、カップの上方側に位置しているときに、前記基板搬送手段２２との間でウエハＷの受け渡しが行なわれる。
【００４８】
そして、ウエハＷをカップの上方位置においてスピンチャックが受取ると、下降する。その後、スピンチャック上のウエハＷの表面に吐出ノズルから現像液を吐出し、スピンチャックを半回転させることによりウエハＷ上に現像液の液盛りが行なわれ、現像液の液膜が形成されるようになっている。
【００４９】
また塗布ユニット２１は現像ユニット２０とほぼ同一の構成であるが、塗布ユニット２１は吐出ノズルが例えばウエハＷのほぼ中心付近に処理液を供給するように構成され、スピンチャック上のウエハＷの表面に吐出ノズルから処理液であるレジスト液を滴下し、スピンチャックを回転させてレジスト液をウエハＷ上に伸展させ塗布するようになっている。
【００５０】
また、塗布ユニット２１の下部には収納部５４が設けられ、塗布ユニットや現像ユニットに用いられる部材、例えば、現像液、洗浄液等のケミカル材、駆動系の電源部や、これらの電力制御等を行なうためのコントローラ、これらに電力を分配するための配電盤等の電気関係の設備が収納されている。
【００５１】
次に、この処理ステーションＳ３の隣に接続されたインターフェイスステーションＳ４について説明する。
このインターフェイスステーションＳ４の奥側には、レジスト膜が形成されたウエハＷに対して露光を行なうための露光装置Ｓ５が接続され、このインターフェイスステーションＳ４には、処理ステーションＳ３と露光装置Ｓ５との間でウエハＷの受け渡しを行なうための搬送アーム６０が設けられている。
この搬送アーム６０は、処理ステーションＳ３の第二の棚ユニットＲ２の受け渡し部４３と露光装置Ｓ５との間でウエハＷの受け渡しを行なうために、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成されている。
【００５２】
このインターフェイスステーションＳ４には、第三の検査・測定ステーションＳ７が設けられている。この第三の検査・測定ステーションＳ７には、レジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定装置６１が配置されている。
【００５３】
また上述の膜厚測定装置６１は、例えば図７に示すように、発光部と受光部とを備えた膜厚プローブ６２を設け、ウエハに光を照射して反射率を求め、これをコンピュータで解析することにより膜厚が検出されるようになっている。
即ち、膜厚測定装置６１は、ウエハＷの搬送口を備えた筐体６４と、この筐体６４内に設けられ、ウエハＷを水平に支持してその向きを調整できるように構成された回転載置台６３と、この回転載置台６３上に載置されたウエハ表面の膜厚を測定する膜厚プローブ６２とを備えている。
そして、この膜厚プローブ６２で得られたデータをデータ処理部であるコンピュータ４にて解析することによって測定を行なうように構成されている。なお膜厚プローブ６２は固定されていて、ウエハＷの載置台６３側がＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動できる構成であってもよい。また、インターフェイスステーションＳ４の空いたスペースにコンピュータを備え（図示せず）、得られたデータの処理の一部を行うようにしても良い。
【００５４】
また、この第一乃至第三の検査測定ステーションＳ２、Ｓ６、Ｓ７は、独立して構成されている。即ち、図１及び図２に示すように、当該ステーションＳ２、Ｓ６、Ｓ７は壁部７０，７１，７２により他の空間から区画され、ユニット化されている。
そのため、カセットステーションＳ１に隣接する前記壁部７０には、第一の検査・測定ステーションＳ２の表面検査装置１０に対してウエハＷを受け渡すための受け渡し口（図示せず）が形成されている。また、処理ステーションＳ３における第二の検査測定ステーションＳ６の基板搬送手段２２に隣接する前記壁部７１には、第二の検査・測定ステーションＳ６の線幅測定装置２３に対してウエハＷを受け渡すための受け渡し口（図示せず）が形成されている。更に、インターフェイスステーションＳ４に隣接する前記壁部７２には、第三の検査・測定ステーションＳ７の膜厚測定装置６１に対してウエハＷを受け渡すための受け渡し口（図示せず）が形成されている。
【００５５】
こうして壁部７０，７１、７２により区画された第一乃至第三の検査測定ステーションＳ２、Ｓ６、Ｓ７の背面側には、コンピュ−タ４に接続するための接続コードを導出するための開口部（図示せず）が設けられている。
このように第一乃至第三の検査測定ステーションＳ２、Ｓ６、Ｓ７をカセットステーションＳ１側から見て一方側に配置され、しかも接続コードを導出するための開口部が壁部７０，７１、７２の背面側に設けられているため、コンピュータ４に接続し易く、煩雑にならない。
なお、本実施形態においては、コンピュータ４を塗布・現像装置本体とは離れた構成としているが、これに限らずＳ１〜Ｓ７のステーションの空いたスペースにコンピュータ４を組み込んで、操作パネル等を介して操作可能な構成とすることもできる。この場合、操作パネルを設ける位置は、装置本体の背面側が望ましい。
【００５６】
また、壁部７０，７１、７２により区画された第一乃至第三の検査測定ステーションＳ２、Ｓ６、Ｓ７の上部側には、フィルタユニットＦが覆うように設けられている。これを第二の検査測定ステーションＳ６の場合について図８に基づいて説明する。なお、図８は図１に示すＩ−Ｉ線断面図である。
【００５７】
図に示されるように、壁部７１により区画された第二の検査測定ステーションＳ６にはフィルタユニットＦが上部側を覆うように設けられ、エレキユニット部５０、収納部５４の下部側から回収される雰囲気が上昇排気系に排気される一方、一部が調整部をなすフィルタ装置７５へと導入され、このフィルタ装置７５にて清浄化され、所定の温度及び所定湿度に調整された空気が、前記フィルタユニットＦを介して各部内にダウンフローとして吹き出されるようになっている。
前記フィルタユニットＦは、例えば空気を清浄化するためのフィルタ、吸い込みファン等を備えており、前記フィルタ装置は、不純物を除去するための不純物除去部や、加熱機構及び加湿機構、空気を送出する送出部等を備えている。
【００５８】
なお、前記壁部７１と前記した線幅測定装置２３の筐体２５とを兼用することが好ましい。この場合、壁部７１にファン２９の排気口２５ｂを壁部７１に形成する必要がある。
【００５９】
このように、検査・測定ステーションＳ２、Ｓ６、Ｓ７は、壁部７０，７１、７２によって覆われているため温度影響を受けにくく、また検査測定ステーションＳ２、Ｓ６、Ｓ７を、フィルタ装置７５で所定の温度・湿度に調整できるように構成するようにすれば、各検査測定装置は、周辺環境温度湿度が所定範囲に調整されるので、周囲の温度湿度の影響を受けることなく、精度の高い検査を行なうことができる。
【００６０】
次に、実施の形態の作用について説明する。
先ず自動搬送ロボット（あるいは作業者）により例えば２５枚のウエハＷを収納したカセット２がカセットステージ１に搬入され、受け渡しアーム３によりカセット２２内からウエハＷが取り出される。なお、このウエハＷは、すでにベアシリコンの膜厚が測定されているものが用いられる。また、ベアシリコンの膜厚が測定されていないウエハにあっては、ベアシリコンの膜厚も本発明の装置で測定することもできる。
このウエハＷはカセットステージ１の受け渡しアーム３により処理ステーションＳ３の第一の棚ユニットＲ１の受け渡し部４３に置かれ、次いで処理ステーションＳ３の基板搬送手段２２により、第一、第二の棚ユニットＲ１，Ｒ２の疎水化部４５→第一、第二の棚ユニットＲ１，Ｒ２の冷却部４４→塗布ユニット４２の経路で搬送され、ウエハ表面が疎水化された後、所定温度まで冷却されて温度調整が行なわれ、塗布ユニット４２にて所定温度でレジスト液が塗布される。
【００６１】
こうしてレジスト液が塗布されたウエハＷは、基板搬送手段２２、基板搬送手段３を介して、第一の検査測定ステーションＳ２の表面検査装置１０に搬送され、レジストの塗布ムラ、スクラッチ、パーティクル等の表面検査が行われる。
その後、基板搬送手段３、基板搬送手段２２を介して、第二の棚ユニットＲ２の受け渡し部４６を介してインターフェイスステーションＳ４の搬送アーム６０に受け渡され、膜厚測定装置６１にてレジスト膜の膜厚が測定される。測定後のウエハＷは、インターフェイスステーションＳ４の搬送アーム６０を介して露光装置Ｓ５に搬送されて、露光が行なわれる。
【００６２】
露光後のウエハＷは露光装置Ｓ５→インターフェイスステーションＳ４の搬送アーム６０→処理ステーションＳ３の第二の棚ユニットＲ２の受け渡し部４６を介して処理ステーションＳ３に搬送され、ここで基板搬送手段２２により第一、第二の棚ユニットＲ１，Ｒ２の加熱部４０→第一、第二の棚ユニットＲ１，Ｒ２の冷却部４４→現像ユニット４１の経路で搬送され、所定の温度調整が行なわれたウエハＷは現像ユニット４１にて所定温度例えば現像液の塗布温度である２３℃で現像処理される。
【００６３】
その後、ウエハＷは処理ステーションＳ３の基板搬送手段２２により、第一、第二の棚ユニットＲ１，Ｒ２の加熱部４０→第一、第二の棚ユニットＲ１，Ｒ２の冷却部４４→第二の検査測定ステーションＳ６の経路で搬送される。
そして、第二の検査測定ステーションＳ６の線幅測定装置によって線幅が測定される。
測定後、処理ステーションＳ３の基板搬送手段２２により、第二の検査測定ステーションＳ６から第一の棚ユニットＲ１の受け渡し部４６の経路で搬送され、この受け渡し部４６のウエハＷは、カセットステーションＳ１の基板搬送手段３に受け取られる。
【００６４】
そして、前記基板搬送手段３により第一の検査測定ステーションＳ２の表面検査装置１０に搬送され、現像欠陥等の現像処理状態の検査が行なわれる。次いで所定の検査が行なわれたウエハＷは、受け渡しアーム３より元のカセット２内に戻される。
【００６５】
上述の実施形態では、検査測定ステーションを備えているため、レジストの塗布、露光、現像、検査を、共通のオペレータで監視することができるので、オペレータの省数化を図ることができる上、検査により何らかの欠陥が認められたときに、速やかに原因の特定や、原因排除のため、次のアクションを起こすことができる。
【００６６】
さらに各ステーションＳ１、Ｓ３、Ｓ４と検査測定ステーションＳ２、Ｓ６、Ｓ７との間のウエハＷの搬送は全て自動で行なわれるので、搬送作業の煩わしさがなくなり、基板処理から検査までのトータルの作業の簡便化を図ることができる。
またこれらのステーションＳ１乃至Ｓ７間のウエハＷの搬送時間も短いので、前記基板処理から検査までのトータルの作業時間を短縮することができる上、処理の状態をリアルタイムで検査することができるので、より精度の高い検査を行なうことができ、さらに何らかの欠陥の早期発見等を図ることができる。
更にまた、検査測定ステーションＳ２、Ｓ６、Ｓ７における検査測定装置は、塗布・現像装置の内部に組み込まれるので、パーティクルを低減するための設備を共用できる。
【００６７】
また、上記実施形態にあっては、各検査測定ステーションに一つの検査測定装置を配置した場合を示したが、同種あるいは異種の複数の検査測定装置を組み合わせて一つの検査測定ステーションを構成しても良い。
即ち、第一の検査測定ステーションに複数の表面検査装置を、第二の検査測定ステーションに複数の線幅測定装置を、第三の検査測定ステーションに複数の線幅測定装置を配置しても良い。また、第一の検査測定ステーションに表面検査装置と膜厚測定装置を、第二の検査測定ステーションに線幅測定装置と表面検査装置を、第三の検査測定ステーションに線幅測定装置と膜厚測定装置を配置しても良い。
このように、同一のステーション内に同種あるいは異種の複数の検査測定装置を配置することによって、ウエハＷに対して同種あるいは異種の複数の検査を行なうことができ、検査測定に要するトータルの時間も短縮される。
【００６８】
また、本実施形態においては、表面検査装置、線幅測定装置、膜厚測定装置の全てを備えた塗布・現像装置の例について説明したが、これに限らず各検査測定ステーションの検査・測定装置を同一の検査測定装置としてもよい。即ち、第一乃至第三の検査測定ステーションの検査測地装置を、たとえば表面検査装置としても良い。
【００６９】
【発明の効果】
本発明にかかる基板処理装置によれば、熱、振動などの影響が小さく、高精度な検査・測定を行うことができると共に、基板処理から検査に亘る作業の簡便化と、時間の短縮とを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明にかかる一実施形態を示す平面概略図である。
【図２】図２は、図１に示した装置の斜視図である。
【図３】図３は、表面検査装置の概略構成図である。
【図４】図４は、線幅測定装置の概略平面図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ断面図である。
【図５】図５は、各ステーションの配置関係を示す図である。
【図６】図６は、第二検査・測定ステーションの配置図である。
【図７】図７は、膜厚測定装置の概略構成図である。
【図８】図８は、図１のＩ−Ｉ断面図である。
【図９】図９は、従来の基板処理装置を示す平面概略図である。
【符号の説明】
２カセット
３受け渡しアーム
４コンピュータ
１０表面検査装置
２０現像ユニット
２１塗布ユニット
２２基板搬送手段
２３線幅測定装置
４０加熱部
４３受け渡し部
５２断熱部材
５３加熱部
６０搬送アーム
６１膜厚測定装置
７０壁部
７１壁部
７２壁部
Ｓ１カセットステーション
Ｓ２第一の検査・測定ステーション
Ｓ３処理ステーション
Ｓ４インターフェイスステーション
Ｓ５露光装置
Ｓ６第二の検査・測定ステーション
Ｓ７第三の検査・測定ステーション
Ｒ１第一の棚ユニット
Ｒ２第二の棚ユニット[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention includes an inspection / measurement apparatus that performs a coating process or a development process of a resist solution on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display, and inspects and measures the processing state of these processes. The present invention relates to a substrate processing apparatus.
[0002]
[Prior art]
In photolithography technology in the manufacturing process of semiconductor devices, a resist is applied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), this coated resist is exposed to a predetermined pattern, and further developed to form a resist film having a predetermined pattern. The Such a series of processes is performed by a system in which an exposure apparatus is connected to a coating / developing apparatus.
[0003]
FIG. 9 is a plan view showing a conventional example of such an apparatus, which is performed by a pattern forming system in which an exposure apparatus 110 is connected to a coating / developing apparatus 100. For example, in the case of processing a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), for example, the coating / developing apparatus 100 carries a wafer in and out of the wafer carrier C, and a carrier placed on the carrier stage 101. The transfer arm 102 for taking out the wafer from C, the processing station 103 and the interface station 104 are connected to the exposure apparatus 110.
[0004]
In this system, the wafer W carried into the processing station 103 via the transfer arm 102 is formed with a resist film, exposed by the exposure apparatus 110, and then returned to the processing station 103 for development processing. It is returned to the carrier C via the delivery arm 102.
In this way, when the processed wafer W is stored in the carrier C, the carrier C is unloaded from the carrier stage 101 by an operator or an automatic transfer robot, and is installed in a different area from the coating / developing apparatus 100. It is conveyed to the inspection / measurement device 111. The inspection / measurement apparatus 111 inspects the line width of the resist pattern formed on the wafer W, the degree of overlap between the resist pattern and the underlying pattern, resist coating unevenness, development defects, and the like.
[0005]
Then, the wafer W determined to be acceptable is sent to the next process, but the wafer W determined to be unacceptable is sent to a cleaning unit (not shown) to dissolve and remove the resist, and before the application and development are performed. Return to. Then, this wafer is sent again to the development system, and the same processing is performed again.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the pattern forming system described above, since the inspection / measurement apparatus is installed separately from the coating / development apparatus, a separate operator is required to confirm the operation of the inspection / measurement apparatus. Further, since the wafer W has to be transferred between the coating / developing apparatus and the inspection / measurement apparatus, the transfer operation is troublesome, and it becomes a considerable problem when 100% inspection of the wafer W is required. In addition, since it takes time to carry, it is difficult to inspect the state of the development processing in real time, and there is a problem that new equipment is required to reduce particles in the environment where the inspection / measurement apparatus is placed.
[0007]
For this reason, the present inventors are considering incorporating an inspection / measurement apparatus into the coating / developing apparatus. At this time, in order to utilize the current layout of the coating / developing apparatus, it is conceivable to connect an inspection / measurement apparatus beside the cassette station.
[0008]
However, it may be necessary to inspect not only after development but also after application of the resist solution. Simply connecting an inspection / measurement device next to the cassette station will reduce the throughput, and the processing status in real time. There was a problem that it was difficult to inspect. Further, when the inspection / measurement apparatus is incorporated in the coating / developing apparatus, it is necessary to prevent the inspection / measurement apparatus from being affected by the heat from the heating unit (heat treatment apparatus) in the processing station. Furthermore, when the inspection / measurement device is incorporated in the coating / developing device, it is necessary to prevent the inspection / measurement device from being affected by vibrations generated from the transfer arm or the like.
[0009]
The present invention has been made in order to solve the above technical problem, and by connecting the inspection / measurement apparatus to a cassette station, a processing station, etc. to constitute a substrate processing apparatus, the influence of heat, vibration, etc., can be achieved. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that can perform inspection / measurement without receiving it, and that simplifies work from substrate processing to inspection and shortens time.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
  The present invention has been made to achieve the above object, and a substrate processing apparatus according to the present invention includes a cassette stage on which a substrate cassette storing a plurality of substrates is placed, and a substrate placed on the cassette stage. A cassette station including a transfer means for transferring a substrate to the cassette; a processing station connected to the cassette station for performing a predetermined process on the substrate conveyed from the cassette station; and connected to the processing station. The cassette station comprising: an interface station that transports the substrate transported from the processing station to another processing apparatus; and first to third inspection / measurement stations that inspect and measure the processing state of the substrate in the processing station. Connected to the first inspection / measurement station The second test and measurement station is connected to the processing station, the third inspection and measurement station is connected to the interface station,All inspection / measurement stations of the first to third inspection / measurement stations are arranged on one side when viewed from the cassette station, and a second inspection / measurement station connected to the processing station is the processing station. Is disposed so as to face the resist coating processing unit and the development processing unit provided inIt is characterized by that.
[0011]
With this configuration, compared to the case where an inspection / measurement station is placed next to the cassette station, the inspection / measurement station can be used properly according to the processing state of the substrate, improving throughput and processing. Can be inspected in real time. That is, the work from the substrate processing to the inspection can be simplified and the time can be shortened.
[0012]
  Also,The first to third inspection / measurement stations are provided on one side when viewed from the cassette station.Because on that sideOperators can be arranged, and operator operations are facilitated.
  This substrate processing apparatus is suitable for a substrate processing apparatus in which processing at the processing station is resist coating and development processing, and the other processing apparatus is an exposure apparatus.
[0013]
Further, it is preferable that the inspection / measurement devices arranged in the first to third inspection / measurement stations provided on one side as viewed from the cassette station are connected to one computer.
Thus, since the first to third inspection / measurement stations are provided on one side when viewed from the cassette station, it is easy to connect to one computer, and the inspection / measurement data is concentrated. In addition, the result can be immediately fed back to the processing device of the processing station.
[0014]
The inspection / measurement apparatus disposed in the first to third inspection / measurement stations is preferably any of a surface inspection apparatus, a film thickness measurement apparatus, and a line width measurement apparatus.
[0015]
Preferably, the inspection / measurement apparatus disposed at the first inspection / measurement station is a surface inspection apparatus, and the inspection / measurement apparatus disposed at the second inspection / measurement station is a line width measurement. It is preferable that the inspection / measurement apparatus disposed in the third inspection / measurement station is a film thickness measurement apparatus.
Further, it is desirable that a plurality of the same or different devices selected from the surface inspection device, the film thickness measuring device, and the line width measuring device are arranged in the first to third inspection / measurement stations. As described above, by arranging a plurality of inspection / measurement devices of the same type or different types in the same station, a plurality of inspections of the same type or different types can be performed on the substrate, and the total time required for the inspection / measurement can be shortened. Is done.
[0016]
  In addition, the present invention has been made to achieve the above object, and a substrate processing apparatus according to the present invention is mounted on a cassette stage on which a substrate cassette storing a plurality of substrates is mounted, and on this cassette stage. A cassette station including a transfer means for transferring the substrate to the substrate cassette, a processing station connected to the cassette station and performing a predetermined process on the substrate conveyed from the cassette station, and the processing station. An interface station for transferring a substrate transferred from the processing station to another processing apparatus, and an inspection / measurement station for inspecting / measuring the processing state of the substrate in the processing station, Substrate transporter that transports the substrate placed in the section A first shelf unit having a heating unit disposed on the cassette station side, and a second shelf unit having a heating unit disposed to face the first shelf unit across the substrate transfer means, The first and second shelf units so as to surround the substrate transfer meansAt a position approximately perpendicular to the direction ofThe inspection / measurement station is disposed to face the processing unit so as to surround the substrate transfer means, andA heating unit is disposed above the inspection / measurement station, an inspection / measurement device is disposed below the heating unit, and a processing temperature of the heating unit disposed in the inspection / measurement station is equal to that of the first and second shelf units. It is set lower than the processing temperature of the heating unitIt is characterized by that.
[0017]
  As described above, the inspection / measurement station is provided with the inspection / measurement device facing the processing unit so as to surround the substrate transfer means of the processing station, so that the processing state can be inspected / measured quickly. It is possible to simplify the work from the substrate processing to the inspection and to shorten the time.A heating unit is disposed above the inspection / measurement station, and an inspection / measurement device is disposed below the heating unit. For this reason, compared with the case where the heating unit is arranged below the inspection / measurement apparatus, the inspection / measurement apparatus can suppress the influence of heat from the heating unit. Further, by arranging the inspection / measurement device below the inspection / measurement station, it is possible to reduce the influence of vibration generated from the substrate transfer means or the like.
  The processing temperature of the heating unit disposed above the inspection / measurement device is set lower than the processing temperature of the heating unit of the shelf unit.
[0018]
Here, it is preferable that the inspection / measurement station is disposed apart from the first shelf unit and the second shelf unit.
Since they are spaced apart in this way, it is possible to suppress the influence of heat from the heating portions of the first and second shelf units.
[0019]
  In addition, it is desirable that an electric unit part of the inspection / measurement apparatus is disposed at the lowermost part of the inspection / measurement station, and an inspection / measurement apparatus is disposed above the electric unit part.
[0020]
  Furthermore, it is desirable that a heat insulating member is disposed between the inspection / measurement apparatus and the heating unit, which is disposed in the inspection / measurement station, and is insulated between the inspection / measurement apparatus and the heating unit. When a member is placedThe influence of heat from the heating unit can be reduced.
  The processing temperature of the heating unit disposed above the inspection / measurement device is set lower than the processing temperature of the heating unit of the shelf unit.
[0021]
Furthermore, it is desirable that the inspection / measurement apparatus is provided with a fan and a filter for exhausting the inside of the apparatus, so that particles generated from the drive unit and the like can be captured and maintained in a clean state. it can.
[0022]
The inspection / measurement device is preferably a line width measurement device. Since the line width measuring device is arranged as the inspection / measurement device, the line width of the developed pattern can be quickly inspected / measured, and the work from substrate processing to inspection can be simplified and time-consuming. Can be shortened.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments in which the present invention is applied to a substrate coating / developing apparatus will be described below. 1 and 2 show a basic configuration of a substrate processing apparatus (coating / developing apparatus) to which the present invention is applied. FIG. 1 shows a state seen through from above, and FIG. 2 shows a perspective view.
[0024]
In the figure, S1 is a cassette station, S2 is a first inspection / measurement station for performing predetermined inspection / measurement on the wafer W, and S3 is substrate processing such as resist coating processing and development processing on the wafer W. S4 is an interface station, S5 is an exposure apparatus, S6 is a second inspection / measurement station for performing predetermined inspection / measurement on the wafer W, and S7 is similar to S2 and S6. This is a third inspection / measurement station for performing predetermined inspection / measurement on the wafer W.
[0025]
The cassette station S1 includes a cassette stage 1 on which, for example, four wafer cassettes (hereinafter referred to as “cassettes”) 2 storing a plurality of substrates, for example, 25 wafers W, a cassette 2 on the cassette stage 1, and a processing station. S3, and a transfer arm 3 serving as a transfer means for transferring the wafer W to and from the first inspection / measurement station S2.
The delivery arm 3 is configured to be movable up and down (Z direction), movable in the X and Y directions, and rotatable about the vertical axis (θ direction).
[0026]
The first inspection / measurement station S2 is connected to the cassette station S1 in parallel to the arrangement direction of the cassettes 2 in the cassette station S1 (direction orthogonal to the direction of the processing station S3). In the first inspection / measurement station S2, a surface inspection apparatus 10 for inspecting / measuring the surface state of the substrate is disposed.
This surface inspection apparatus 10 is mixed with, for example, a scratch on the surface of a resist film by an imaging by a microspectroscopic optical system unit, an overlapping state of a resist pattern on an upper layer portion and a resist pattern on a lower layer portion, or application of a resist solution, as described later. It is an apparatus for inspecting the presence or absence of foreign matter to be applied, uneven coating of resist solution, development defects after development processing, and the like.
[0027]
Here, an example of the surface inspection apparatus 10 will be described with reference to FIG. 3. For example, a housing 11 having a transfer port (not shown) for the wafer W, and the wafer W disposed horizontally in the housing 11. Rotation table 12 configured to be supported and adjustable in its orientation, and X, Y, and Z directions for imaging the surface of wafer W on rotation table 12 (Y direction is perpendicular to X and Z directions) A CCD camera 13 that is movable in a vertical direction (perpendicular to the paper surface) and an illumination means 14.
The inspection is performed by analyzing the image of the wafer W obtained by the CCD camera 13 by the computer 4 which is a data processing unit. The CCD camera 13 may be fixed, and the stage 12 side of the wafer W may be moved in the X, Y, and Z directions. Further, a computer (not shown) may be provided in the vacant space of the first inspection / measurement station S2, and a part of the processing of the image data of the wafer W may be performed.
[0028]
Next, the processing station S3 will be described. The processing station S3 is connected to the cassette station S1 in a direction substantially orthogonal to the cassette arrangement direction of the cassette station S1. For example, the developing unit 20 (20A, 20B) that forms two substrate processing units, the coating unit 21 (21A, 21B) that forms two substrate processing units, and two first and second shelves, for example. Units R1, R2, for example, one substrate transport means 22, and a second inspection / measurement station S6 are provided. In the second inspection / measurement station S6, a line width measuring device 23 for measuring the line width of the pattern formed on the wafer W is arranged.
[0029]
The substrate transfer means 22 transfers the wafer W to and from the cassette station S1 and also transfers the wafer W to and from the interface station S4 in order to transfer the wafer W to the first and second shelf units R1 and R2. The delivery part 43 provided with the delivery stand in each is arrange | positioned.
Further, the substrate transport means 22 applies a coating unit 21 (21A, 21B) for applying a resist solution to the wafer W, a developing unit 20 (20A, 20B) for developing the wafer W, and before and after these processes. The first and second shelf units R1 and R2 that perform a process of heating and cooling the wafer W to a predetermined temperature, and a line width measuring device 23 that measures the line width of the pattern formed on the substrate. The wafer W is configured to be transferred between them.
[0030]
An example of the layout of such a processing station S3 will be described. For example, when viewed from the back of the cassette station S1, processing units including a developing unit 20, a coating unit 21, and the like are provided in two stages on the right side. .
In the following description, the cassette station S1 side is referred to as the front side, and the exposure apparatus S5 side is referred to as the back side.
[0031]
Further, when viewed from the cassette station S1 (as viewed from the direction of arrow A in FIG. 1), a developing unit 20 and a coating unit 21 are disposed on the right side of the processing station S3. Further, in the central portion of the processing station S3, for example, for transferring the wafer W between the first and second shelf units R1 and R2 and the first shelf unit R1 and the second shelf unit R2, There is provided a substrate transfer means 22 configured to be movable up and down, movable left and right, back and forth, and rotatable about a vertical axis. A first shelf unit R1 is disposed on the front side of the substrate transport unit 22 as viewed from the cassette station S1 side, and a second shelf unit R2 is disposed on the back side.
[0032]
In addition, a second inspection / measurement station S6 is disposed on the left side when viewed from the cassette station S1 side of the substrate transfer means 22, and a line width measuring device 23 is disposed in the second inspection / measurement station S6. Yes. Accordingly, the first inspection / measurement station S2 and the second inspection / measurement station S6 are disposed on the same side of the coating / developing apparatus. In FIG. 2, for convenience, the substrate transfer means 22 is omitted.
[0033]
  As described above, the processing station S3 sandwiches the substrate transport unit 22 that transports the substrate disposed at the center, the first shelf unit R1 disposed on the cassette station side, and the substrate transport unit 22. The second shelf unit R2 disposed opposite to the first shelf unit R1 and the first and second shelf units R1, R2 disposed so as to surround the substrate transfer means 22At a position approximately perpendicular to the direction ofA developing unit 20 and a coating unit 21 are provided. The inspection / measurement station S6 is disposed so as to face the developing unit 20 and the coating unit 21 so as to surround the substrate transport unit 22, and an inspection / measurement device is disposed in the inspection / measurement station. .
[0034]
The inspection / measurement station S6 is disposed apart from the first shelf unit R1 and the second shelf unit R2.
Since this inspection and measurement apparatus generally adversely affects the measurement accuracy of the inspection and measurement apparatus when the ambient environment temperature becomes, for example, 30 ° C. or higher, the first and second shelf units R1 and R2 having heating units as described later. It is desirable not to place it adjacent to.
[0035]
Here, an example of the line width measuring device 23 will be described with reference to FIG. 4A is a plan view of the line width measuring device 23, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line II shown in FIG.
As shown in FIG. 4, the line width measuring device 23 is provided in a housing 25 having a transfer port 25a for the wafer W, and is provided in the housing 25 so that the wafer W can be supported horizontally and its orientation can be adjusted. The rotation mounting table 26 configured as described above, and the light from the illumination means 28 provided above the line width measuring device 23 are incident on the wafer W on the rotation mounting table 26, and the reflected light is detected. , Y and Z directions (Y direction is a direction perpendicular to the X and Z directions, and a direction perpendicular to the paper surface), a microspectroscopic optical system unit 27 which is an optical means provided with a lens, A fan 29 that exhausts the inside of the housing and a filter 30 disposed in front of the fan 29 are provided.
[0036]
The microspectroscopy optical system unit 27 is provided on a support portion 31 having a ball screw portion 32 formed at one end thereof. A guide portion 33 is formed at the other end portion of the support portion 31 so as to be guided along the guide bar 34. That is, the microscopic spectroscopic optical system unit 27 is formed to be movable in the X and Y directions when the screw shaft 35 is rotated by a motor (not shown). The microspectroscopy optical system unit 27 may be fixed, and the stage 26 side of the wafer W may be configured to move in the X, Y, and Z directions.
[0037]
Further, the discharge port 25b of the fan 29 is provided on the left side surface of the line width measuring device 23 when viewed from the cassette station S1 side. That is, the exhaust from the discharge port 25b is provided at a position where it does not enter the processing station S3.
Further, since the fan 29 and the filter 30 are formed as described above, the microscopic spectroscopic optical system unit 27 is generated from the ball screw portion 32, the screw shaft 35, the guide portion 33, and the guide rod 34 when moved. Particles can be prevented from entering the processing apparatus.
[0038]
The line width measuring device 23 is configured to inspect the reflected light obtained by the microspectroscopy optical system unit 27 by analyzing it with a computer 4 that is a data processing unit. Further, a computer (not shown) may be provided in the empty space of the second inspection / measurement station S6, and the obtained data may be analyzed and processed.
[0039]
Further, the shelf unit will be described. Since the first and second shelf units R1 and R2 have substantially the same configuration, the first shelf unit R1 is shown as a representative in FIG. The unit will be described. In FIG. 5, the space between the first shelf unit R <b> 1, the developing unit 20, and the coating unit 21 is illustrated in an enlarged manner in order to illustrate the substrate transport unit 22.
[0040]
The first and second shelf units R1 and R2 include a heating unit 40 for heating the wafer W, a cooling unit 41 for cooling the wafer W, and a hydrophobizing unit 42 for hydrophobizing the wafer surface. It has.
In the first shelf unit R1, the wafer W is transferred between the transfer arm 3 of the cassette station S1 and the substrate transfer means 22 of the processing station S3. On the other hand, in the second shelf unit R2, the processing station A transfer unit 43 including a transfer table is provided for transferring the wafer W between the substrate transfer means 22 of S3 and a transfer arm 60 of the interface station S4 described later.
Further, in the first shelf unit R1, an alignment unit 44 for aligning the wafer W is vertically arranged.
[0041]
Further, as shown in FIG. 5, the line width measuring device 23 and the illumination means 28 such as a lamp are arranged in the second inspection / measurement station S6 as described above. In addition, an electric unit section 50 is provided below the line width measuring device 23. The electric unit section 50 includes members used for the line width measuring device 23, the substrate transport means 22, the coating unit 21 and the developing unit 20, which will be described later, such as power supply sections of these drive systems, power control thereof, and the like. A controller for carrying out, and electrical equipment such as a switchboard for distributing power to these are housed.
[0042]
The upper part of the illumination means 28 is a space 51. When the heating unit 53 for heating the wafer W is provided in the space portion, the heat insulating member 52 is disposed above the illumination unit 28 as shown in FIG. 6, and the heating unit 53 is disposed above the heat insulating member 52. Deploy.
By arranging in this way, the area occupied by the entire coating / developing apparatus can be reduced, and the throughput of processing can be improved. Further, when the heating unit 53 is not arranged in a plurality of stages as shown in FIG. 6 and the heating unit 53 is arranged only in the upper stage far from the line width measuring device 23, the heat insulating member 52 can be omitted. In this case, the space between the heating unit 53 and the line width measuring device 23 is a space (blank).
[0043]
The processing temperature of the heating unit 53 is 90 ° C. to 250 ° C. In the heating unit 53, the processing temperature of the heating unit 40 in the first and second shelf units R1 and R2 is higher than 100 ° C. to 350 ° C. Processed at low temperature. As described above, since the heating unit 53 having a processing temperature lower than the processing temperature of the heating unit 40 is arranged, the influence of heat on the line width measuring device 23 can be reduced.
[0044]
As described above, in the second inspection / measurement station S <b> 6, a processing unit such as the heating unit 53 is not provided below the line width measuring device 23, and must be provided below the line width measuring device 23. The line width measuring device 23 is provided at the lowermost portion except for the electric unit portion 50 that does not become necessary.
As described above, since the line width measuring device 23 is provided below the second inspection / measurement station S6, the second inspection / measurement is performed even when it is subjected to vibrations generated from the substrate transfer means 22 or the like. The influence of vibration can be reduced as compared with the case where it is arranged above the station S6.
[0045]
Further, when the heating unit 53 is provided, since the heating unit 53 is disposed above the line width measuring device 23, the influence of heat generated from the heating unit 53 can be reduced. That is, most of the air heated by the heat of the heating unit 53 rises, and there is little air that falls in the direction of the line width measuring device 23. In addition, since a heat insulating member is interposed between the heating unit 53 and the illumination unit 28, the influence of heat due to heat transfer from the heating unit 53 can be reduced.
[0046]
By arranging the line width measuring device 23 in this way, the influence of vibration and heat is suppressed as much as possible, so that highly accurate measurement can be performed and the life thereof can be extended. Similarly, the life of the lamp of the illumination means 28 can be extended.
[0047]
Further, since the developing unit 20 and the coating unit 21 can use the general developing unit 20 and the coating unit 21 that have been used conventionally, a detailed description thereof will be omitted, and an outline thereof will be described.
The developing unit 20 includes, for example, a rotatable spin chuck having a vacuum suction function in a cup, a processing liquid discharge nozzle, a processing liquid supply pipe, and a support arm that horizontally moves the nozzle. The spin chuck is configured to be movable up and down by an elevating mechanism. When the spin chuck is positioned above the cup, the wafer W is transferred to and from the substrate transfer means 22.
[0048]
When the spin chuck receives the wafer W at the upper position of the cup, the wafer W is lowered. Thereafter, the developer is discharged from the discharge nozzle onto the surface of the wafer W on the spin chuck, and the spin chuck is half-rotated to deposit the developer on the wafer W, thereby forming a liquid film of the developer. It is like that.
[0049]
The coating unit 21 has substantially the same configuration as the developing unit 20, but the coating unit 21 is configured such that the discharge nozzle supplies the processing liquid to, for example, the vicinity of the center of the wafer W, and the surface of the wafer W on the spin chuck. A resist solution, which is a processing solution, is dropped from the discharge nozzle, and the spin chuck is rotated so that the resist solution is spread on the wafer W and applied.
[0050]
In addition, a storage portion 54 is provided below the coating unit 21, and members used for the coating unit and the developing unit, for example, chemical materials such as a developer and a cleaning solution, a power source for a driving system, and power control of these components are provided. A controller for carrying out, and electrical equipment such as a switchboard for distributing power to these are housed.
[0051]
Next, the interface station S4 connected next to the processing station S3 will be described.
An exposure apparatus S5 for exposing the wafer W on which the resist film is formed is connected to the back side of the interface station S4. The interface station S4 is connected between the processing station S3 and the exposure apparatus S5. A transfer arm 60 for transferring the wafer W is provided.
The transfer arm 60 is, for example, freely movable up and down, left and right, back and forth, and a vertical axis in order to transfer the wafer W between the transfer unit 43 of the second shelf unit R2 of the processing station S3 and the exposure apparatus S5. It is configured to be rotatable around.
[0052]
The interface station S4 is provided with a third inspection / measurement station S7. In the third inspection / measurement station S7, a film thickness measuring device 61 for measuring the film thickness of the resist film is arranged.
[0053]
Further, the film thickness measuring device 61 described above is provided with a film thickness probe 62 having a light emitting portion and a light receiving portion, for example, as shown in FIG. The film thickness is detected by analysis.
That is, the film thickness measuring device 61 is a casing 64 provided with a transfer port for the wafer W and a circuit provided in the casing 64 so as to horizontally support the wafer W and adjust its orientation. A transfer table 63 and a film thickness probe 62 for measuring the film thickness of the wafer surface mounted on the rotary table 63 are provided.
And it is comprised so that the data obtained with this film thickness probe 62 may be measured by analyzing with the computer 4 which is a data processing part. The film thickness probe 62 may be fixed, and the stage 63 side of the wafer W may be movable in the X, Y, and Z directions. Further, a computer (not shown) may be provided in the vacant space of the interface station S4, and a part of the processing of the obtained data may be performed.
[0054]
In addition, the first to third inspection and measurement stations S2, S6, and S7 are configured independently. That is, as shown in FIGS. 1 and 2, the stations S2, S6, and S7 are partitioned from other spaces by the walls 70, 71, and 72 and are unitized.
Therefore, a delivery port (not shown) for delivering the wafer W to the surface inspection apparatus 10 of the first inspection / measurement station S2 is formed in the wall portion 70 adjacent to the cassette station S1. . Further, the wafer W is delivered to the wall portion 71 adjacent to the substrate transfer means 22 of the second inspection / measurement station S6 in the processing station S3 to the line width measuring device 23 of the second inspection / measurement station S6. A transfer port (not shown) is formed. Further, a delivery port (not shown) for delivering the wafer W to the film thickness measuring device 61 of the third inspection / measurement station S7 is formed in the wall portion 72 adjacent to the interface station S4. Yes.
[0055]
In this way, on the back side of the first to third inspection and measurement stations S2, S6, and S7 divided by the walls 70, 71, and 72, an opening for leading a connection cord for connection to the computer 4 is provided. (Not shown) is provided.
As described above, the first to third inspection / measurement stations S2, S6, and S7 are arranged on one side when viewed from the cassette station S1, and the openings for leading out the connection cords are formed in the walls 70, 71, and 72. Since it is provided on the back side, it can be easily connected to the computer 4 and is not complicated.
In the present embodiment, the computer 4 is separated from the coating / developing apparatus main body. However, the present invention is not limited to this, and the computer 4 is incorporated in a vacant space in the stations S1 to S7, and the operation panel or the like is inserted. It can also be configured to be operable. In this case, the position where the operation panel is provided is preferably on the back side of the apparatus main body.
[0056]
A filter unit F is provided on the upper side of the first to third inspection and measurement stations S2, S6, and S7 defined by the walls 70, 71, and 72 so as to cover them. This will be described with reference to FIG. 8 in the case of the second inspection and measurement station S6. 8 is a cross-sectional view taken along the line I-I shown in FIG.
[0057]
As shown in the figure, a filter unit F is provided to cover the upper side of the second inspection / measurement station S6 defined by the wall 71, and is recovered from the lower side of the electric unit 50 and the storage unit 54. The atmosphere is exhausted to the rising exhaust system, while part of the air is introduced into the filter device 75 that forms the adjustment unit, and the air that has been cleaned by the filter device 75 and adjusted to a predetermined temperature and humidity is It is blown out as a down flow into each part via the filter unit F.
The filter unit F includes, for example, a filter for cleaning air, a suction fan, and the like, and the filter device sends out an impurity removing unit for removing impurities, a heating mechanism and a humidifying mechanism, and air. It has a sending part.
[0058]
In addition, it is preferable that the wall 71 and the housing 25 of the line width measuring device 23 are also used. In this case, it is necessary to form the exhaust port 25 b of the fan 29 in the wall portion 71 in the wall portion 71.
[0059]
As described above, the inspection / measurement stations S2, S6, and S7 are covered with the walls 70, 71, and 72, so that they are not easily affected by temperature, and the inspection / measurement stations S2, S6, and S7 are predetermined by the filter device 75. If it is configured so that it can be adjusted to the temperature / humidity of the environment, each inspection and measurement device adjusts the ambient temperature and humidity to a predetermined range, so it is not affected by the ambient temperature and humidity, and high-precision inspection is possible. Can be performed.
[0060]
Next, the operation of the embodiment will be described.
First, a cassette 2 storing, for example, 25 wafers W is loaded into the cassette stage 1 by an automatic transfer robot (or an operator), and the wafers W are taken out from the cassette 22 by the transfer arm 3. As the wafer W, a wafer whose bare silicon film thickness has already been measured is used. In the case of a wafer whose bare silicon film thickness is not measured, the bare silicon film thickness can also be measured by the apparatus of the present invention.
This wafer W is placed on the transfer section 43 of the first shelf unit R1 of the processing station S3 by the transfer arm 3 of the cassette stage 1, and then the first and second shelf units R1 by the substrate transfer means 22 of the processing station S3. , R2 hydrophobic section 45 → first and second shelf units R1, R2 cooling section 44 → coating unit 42 is transported through the path, the wafer surface is hydrophobized, and then cooled to a predetermined temperature to adjust the temperature. The resist solution is applied at a predetermined temperature by the application unit 42.
[0061]
The wafer W thus coated with the resist solution is transferred to the surface inspection apparatus 10 of the first inspection / measuring station S2 via the substrate transfer means 22 and the substrate transfer means 3, and the resist coating unevenness, scratches, particles, etc. Surface inspection is performed.
Thereafter, the film is transferred to the transfer arm 60 of the interface station S4 via the transfer unit 46 of the second shelf unit R2 through the substrate transfer unit 3 and the substrate transfer unit 22, and the film thickness measuring device 61 applies the resist film. The film thickness is measured. The measured wafer W is transferred to the exposure apparatus S5 via the transfer arm 60 of the interface station S4, and exposure is performed.
[0062]
The exposed wafer W is transferred to the processing station S3 via the exposure unit S5 → the transfer arm 60 of the interface station S4 → the transfer unit 46 of the second shelf unit R2 of the processing station S3. Wafer W which has been transported through a path of heating unit 40 of first and second shelf units R1 and R2 → cooling unit 44 of first and second shelf units R1 and R2 → development unit 41 and has been subjected to a predetermined temperature adjustment. Is developed in the developing unit 41 at a predetermined temperature, for example, 23 ° C., which is a coating temperature of the developer.
[0063]
Thereafter, the wafer W is heated by the substrate transfer means 22 of the processing station S3, the heating unit 40 of the first and second shelf units R1 and R2, the cooling unit 44 of the first and second shelf units R1 and R2, and then the second. It is transported along the route of the inspection and measurement station S6.
Then, the line width is measured by the line width measuring device of the second inspection / measurement station S6.
After the measurement, the substrate is transferred by the substrate transfer means 22 of the processing station S3 from the second inspection / measurement station S6 along the path of the transfer section 46 of the first shelf unit R1, and the wafer W of the transfer section 46 is transferred from the cassette station S1. It is received by the substrate transfer means 3.
[0064]
Then, the substrate is conveyed to the surface inspection apparatus 10 of the first inspection / measurement station S2 by the substrate conveying means 3, and the development processing state such as a development defect is inspected. Next, the wafer W subjected to the predetermined inspection is returned from the transfer arm 3 into the original cassette 2.
[0065]
In the above-described embodiment, since the inspection and measurement station is provided, the resist application, exposure, development, and inspection can be monitored by a common operator, so that the number of operators can be saved and the inspection can be performed. When any defect is recognized, the following actions can be taken to quickly identify the cause and eliminate the cause.
[0066]
Furthermore, since the transfer of the wafer W between each of the stations S1, S3, S4 and the inspection / measurement stations S2, S6, S7 is automatically performed, the trouble of the transfer work is eliminated, and the total work from the substrate processing to the inspection is performed. Can be simplified.
Also, since the transfer time of the wafer W between these stations S1 to S7 is short, the total work time from the substrate processing to the inspection can be shortened, and the processing state can be inspected in real time. Inspection with higher accuracy can be performed, and early detection of some defects can be achieved.
Furthermore, since the inspection / measurement apparatuses in the inspection / measurement stations S2, S6, and S7 are incorporated in the coating / developing apparatus, facilities for reducing particles can be shared.
[0067]
Further, in the above embodiment, the case where one inspection measuring device is arranged in each inspection measuring station is shown, but one inspection measuring station is configured by combining a plurality of same or different inspection measuring devices. Also good.
That is, a plurality of surface inspection devices may be arranged at the first inspection and measurement station, a plurality of line width measurement devices at the second inspection and measurement station, and a plurality of line width measurement devices at the third inspection and measurement station. . Also, a surface inspection device and a film thickness measurement device are provided at the first inspection and measurement station, a line width measurement device and a surface inspection device are provided at the second inspection and measurement station, and a line width measurement device and a film thickness are provided at the third inspection and measurement station. A measuring device may be arranged.
In this way, by arranging a plurality of inspection / measurement devices of the same type or different types in the same station, a plurality of inspections of the same type or different types can be performed on the wafer W, and the total time required for the inspection measurement is also increased. Shortened.
[0068]
In the present embodiment, the example of the coating / developing apparatus provided with all of the surface inspection apparatus, the line width measurement apparatus, and the film thickness measurement apparatus has been described. May be the same inspection and measurement device. That is, the inspection geodetic device of the first to third inspection / measurement stations may be a surface inspection device, for example.
[0069]
【The invention's effect】
According to the substrate processing apparatus of the present invention, the influence of heat, vibration, etc. is small, high-precision inspection / measurement can be performed, and work from substrate processing to inspection can be simplified and time can be reduced. Can be planned.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan view showing an embodiment according to the present invention.
FIG. 2 is a perspective view of the apparatus shown in FIG.
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a surface inspection apparatus.
4A and 4B are schematic plan views of the line width measuring device, in which FIG. 4A is a plan view and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line II of FIG.
FIG. 5 is a diagram illustrating an arrangement relationship between stations.
FIG. 6 is a layout view of a second inspection / measurement station.
FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a film thickness measuring apparatus.
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line II in FIG.
FIG. 9 is a schematic plan view showing a conventional substrate processing apparatus.
[Explanation of symbols]
2 cassettes
3 Delivery arm
4 Computer
10 Surface inspection equipment
20 Development unit
21 Application unit
22 Substrate transfer means
23 Line width measuring device
40 Heating section
43 Delivery Department
52 Heat insulation member
53 Heating part
60 Transfer arm
61 Film thickness measuring device
70 wall
71 Wall
72 Wall
S1 cassette station
S2 First inspection / measurement station
S3 processing station
S4 interface station
S5 Exposure equipment
S6 Second inspection / measurement station
S7 Third inspection and measurement station
R1 first shelf unit
R2 Second shelf unit

Claims

A cassette station including a cassette stage for mounting a substrate cassette containing a plurality of substrates, and a transfer means for transferring a substrate to the substrate cassette mounted on the cassette stage; and connected to the cassette station, A processing station that performs a predetermined process on a substrate transported from a cassette station, an interface station that is connected to the processing station and transports the substrate transported from the processing station to another processing apparatus, and a substrate in the processing station And first to third inspection / measurement stations for inspecting / measuring the processing state of
A first inspection / measurement station is connected to the cassette station, a second inspection / measurement station is connected to the processing station, and a third inspection / measurement station is connected to the interface station;
All the inspection / measurement stations of the first to third inspection / measurement stations are arranged on one side when viewed from the cassette station,
A substrate processing apparatus, wherein a second inspection / measurement station connected to the processing station is arranged to face a resist coating processing unit and a development processing unit provided in the processing station.

As viewed from the cassette station, the first to have been provided on one side of the test and measurement device disposed in the third test and measurement station are claims characterized in that it is connected to a computer Item 2. The substrate processing apparatus according to Item 1 .

The first to test and measurement device disposed in the third inspection and measurement station of a surface inspection apparatus, the film thickness measuring apparatus, according to claim 1 or claim characterized in that it contains either a line width measuring apparatus 2. The substrate processing apparatus described in 2 .

The substrate processing apparatus according to claim 3 , wherein the inspection / measurement apparatus disposed in the first inspection / measurement station is a surface inspection apparatus.

The substrate processing apparatus according to claim 3 , wherein the inspection / measurement apparatus disposed in the second inspection / measurement station is a line width measurement apparatus.

The substrate processing apparatus according to claim 3 , wherein the inspection / measurement apparatus disposed in the third inspection / measurement station is a film thickness measurement apparatus.

Wherein the first to third inspection and measurement station, the surface inspection apparatus, the film thickness measuring device, which is selected from line width measuring apparatus, wherein, wherein a plurality of devices of the same type or different are arranged Item 4. The substrate processing apparatus according to Item 3 .

A cassette station including a cassette stage for mounting a substrate cassette containing a plurality of substrates, and a transfer means for transferring a substrate to the substrate cassette mounted on the cassette stage; and connected to the cassette station, A processing station that performs a predetermined process on a substrate transported from a cassette station, an interface station that is connected to the processing station and transports the substrate transported from the processing station to another processing apparatus, and a substrate in the processing station An inspection / measurement station that inspects / measures the processing state of
The processing station includes a substrate transport unit that transports a substrate disposed at a central portion thereof, a first shelf unit having a heating unit disposed on the cassette station side, and a first shelf across the substrate transport unit. A second shelf unit having a heating unit disposed opposite to the shelf unit, and a process disposed at a position substantially orthogonal to the arrangement direction of the first and second shelf units so as to surround the substrate transfer means. Including units,
The inspection / measurement station is disposed so as to face the processing unit so as to surround the substrate transfer means, a heating unit is disposed above the inspection / measurement station, and an inspection / measurement apparatus is disposed below the heating unit.
Furthermore, the processing temperature of the heating part arrange | positioned at the said test | inspection / measurement station is set lower than the processing temperature of the heating part of said 1st, 2nd shelf unit, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.

9. The substrate processing apparatus according to claim 8 , wherein the inspection / measurement station is disposed apart from the first shelf unit and the second shelf unit.

The bottom of the inspection-measurement station are arranged electric unit section of the inspection and measurement apparatus, according to claim 8 or claim, characterized in that inspection and measuring device on top of the electric unit portion is disposed 9 The substrate processing apparatus described in 1.

The thermal insulation member is arrange | positioned between the said test | inspection / measurement apparatus and the said heating part which are arrange | positioned in the said test | inspection / measurement station, It was described in any one of Claim 8 thru | or 10 characterized by the above-mentioned. Substrate processing equipment.

The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the inspection / measurement apparatus is provided with a fan and a filter for exhausting the inside of the apparatus.

13. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the inspection / measurement apparatus is a line width measurement apparatus.