KR20070061418A - Heat treatment unit - Google Patents

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KR20070061418A
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Abstract

A heat treatment apparatus is provided to restrain the damage of a large sized substrate and to reduce the size of the apparatus by using a transfer path enclosed with a casing and first/second sheet type heaters. A heat treatment apparatus includes a transfer path for transferring a substrate to one way, a casing, and first and second sheet type heaters. The casing(6) is used for enclosing the transfer path. The first and second sheet type heaters(71a to 71r, 72a to 72r) are arranged along the transfer path in the casing. The first and second sheet type heaters are installed adjacent to both sides of the substrate. The transfer path is composed of a plurality of rotator members spaced apart from each other. The first and second sheet type heaters are installed at portions between the rotator members.

Description

가열 처리 장치{HEAT TREATMENT UNIT}Heat Treatment Unit {HEAT TREATMENT UNIT}

도 1은 FPD용의 유리 기판에의 레지스트막의 형성 및 노광 처리 후의 레지스트막의 현상 처리를 실시하는 본 발명과 관련되는 가열 처리 장치를 구비한 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 개략 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic plan view of a resist coating / development processing system equipped with a heat treatment apparatus according to the present invention for forming a resist film on a glass substrate for FPD and developing the resist film after exposure treatment.

도 2는 가열 처리 장치의 평면 방향의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view in the planar direction of the heat treatment apparatus.

도 3은 가열 처리 장치의 측면 방향의 단면도이다.3 is a cross-sectional view in the lateral direction of the heat treatment apparatus.

도 4는 가열 처리 장치를 구성하는 제1 및 제2의 면형상 히터의 개략 평면도이다.4 is a schematic plan view of the first and second planar heaters constituting the heat treatment apparatus.

도 5는 제1 및 제2의 면형상 히터의 제어계를 나타내는 개념도이다.5 is a conceptual diagram showing a control system of the first and second surface heaters.

도 6은 가열 처리 장치에서의 기판의 가열 처리를 설명하기 위한 도이다.It is a figure for demonstrating the heat processing of the board | substrate in a heat processing apparatus.

도 7은 제1 및 제2의 면형상 히터의 제어계의 다른 예를 나타내는 개념도이다. 7 is a conceptual diagram illustrating another example of the control system of the first and second surface heaters.

**주요부위를 나타내는 도면부호의 설명**** Description of reference numerals indicating major parts **

28, 31···가열 처리 유니트(가열 처리 장치) 28, 31 ... Heating unit (heating unit)

5···회전자 반송 기구 5. Rotor conveyance mechanism

6···케이싱 6 ... Casing

50···회전자 부재 50 ... rotor member

52···외주위면부 52 ... outer periphery

63···내벽63 ... inner wall

64···외벽 64 ... outer walls

65···공간 65 ...

71 (71a~71r)…제1의 면형상 히터 71 (71a to 71r). First surface heater

72 (72a~72r)…제2의 면형상 히터 72 (72a to 72r). Second surface heater

G···기판G ...

본 발명은, 플랫 패널 디스플레이(FPD) 용의 유리 기판 등의 기판에 가열 처리를 실시하는 가열 처리 장치에 관한다.This invention relates to the heat processing apparatus which heat-processes board | substrates, such as a glass substrate for flat panel displays (FPD).

FPD의 제조에 있어서는 FPD용의 유리 기판상에 회로 패턴을 형성하기 위해서 포트리소그래피 기술이 이용된다. 포트리소그래피에 의한 회로 패턴의 형성은 유리 기판상에 레지스트액을 도포해 레지스트막을 형성하고 회로 패턴에 대응하도록 레지스트막을 노광해 이것을 현상 처리하는 순서로 행해진다.In the manufacture of FPDs, photolithography techniques are used to form circuit patterns on glass substrates for FPDs. The formation of the circuit pattern by photolithography is performed in the order of applying a resist liquid on a glass substrate to form a resist film, exposing the resist film so as to correspond to the circuit pattern, and developing it.

포트리소그래피 기술에서는 일반적으로, 레지스트막의 형성 후 및 현상 처리 후에 레지스트막을 건조시키기 때문에 유리 기판에 대해서 가열 처리가 실시된다. 이러한 가열 처리에는 유리 기판을 수용 가능한 케이싱과 케이싱내에 설치된 유리 기판을 재치하여 가열하는 가열 플레이트와 가열 플레이트상으로부터 돌출 및 몰입 하도록 승강 가능하게 설치되어 반송 아암에 의해 파지되어 반송된 유리 기판을 가열 플레이트상에 수수하는 승강 핀을 구비한 가열 처리 장치가 이용되고 있다(예를 들면 특허 문헌 1, 2, 3 참조). In the photolithography technique, since a resist film is generally dried after formation of a resist film and after image development processing, heat processing is performed with respect to a glass substrate. In this heat treatment, a heating plate for placing a casing capable of accommodating the glass substrate and a glass substrate provided in the casing, and a heating substrate for heating and protruding from the heating plate and lifting and immersing on the heating plate, held and conveyed by the conveying arm, is heated. The heat processing apparatus provided with the lift pin which receives a phase is used (for example, refer patent document 1, 2, 3).

그런데, 최근 FPD의 대형화가 지향되어 한 변이 2 m 이상이나 되는 거대한 유리 기판이 출현하기에 이르고 있다. 이것에 대해서 상술한 종래의 가열 처리 장치에서는 유리 기판의 가열 수단이 유리 기판을 재치하는 가열 플레이트이기 때문에 유리 기판이 대형이 되면 기판 전체를 균등하게 가열하는 것이 어려워져 가열 처리에 의해 유리 기판에 휘어짐이 생겨 버릴 우려가 있다. 또, 유리 기판은 대형화에 수반해 취급성이 나빠지기 때문에, 이 가열 처리 장치에서는 유리 기판이 대형이 되면 반송 아암과 승강 핀의 사이 또는 승강 핀과 가열 플레이트의 사이의 수수시의 충격에 의해 파손해 버릴 우려도 있다.By the way, in recent years, the FPD has been aimed at increasing the size of a large glass substrate with a side length of 2 m or more. On the other hand, in the above-mentioned conventional heat processing apparatus, since the heating means of a glass substrate is a heating plate which mounts a glass substrate, when a glass substrate becomes large, it becomes difficult to evenly heat the whole board | substrate, and it bends to a glass substrate by heat processing. This may occur. In addition, since handleability worsens with enlargement of a glass substrate, in this heat processing apparatus, when a glass substrate becomes large, it is damaged by the impact at the time of a transfer between a conveyance arm and a lifting pin, or between a lifting pin and a heating plate. There is also a fear.

그 한편, 가열 처리 장치에서는 기판의 대형화에 수반하는 장치 자체의 현저한 거대화를 회피하기 위해 케이싱내의 기판 주위의 스페이스를 매우 작게 억제해 케이싱을 소형화하는 것이 바람직하게 되고 있다.On the other hand, in the heat treatment apparatus, in order to avoid the remarkable enlarging of the apparatus itself accompanying the enlargement of a board | substrate, it is desirable to reduce the space around the board | substrate in a casing very small, and to miniaturize a casing.

[특허 문헌 1] 일본국 특개 2002-231792호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-231792

[특허 문헌 2] 일본국 특개 2001-196299호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-196299

[특허 문헌 3] 일본국 특개평11-204428호 공보[Patent Document 3] Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-204428

본 발명은, 관련된 사정에 비추어 이루어진 것 으로서, 기판이 대형으로서도 기판의 휘어짐이나 파손등의 불편의 발생을 억제할 수가 있는 것과 동시에, 기판을 수용하는 케이싱의 소형화를 도모하는 것이 가능한 가열 처리 장치의 제공을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the related circumstances, and it is possible to suppress the occurrence of inconvenience such as bending or damage of the substrate even when the substrate is large, and at the same time, it is possible to reduce the size of the casing containing the substrate. It is for the purpose of providing.

상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은 기판에 가열 처리를 실시하는 가열 처리 장치로서, 기판을 한방향으로 반송하는 반송로와 상기 반송로를 포위하도록 설치된 케이싱과 상기 반송로를 따라 상기 케이싱내에 상기 반송로를 반송되는 기판에 근접하도록 기판의 양면 측에 각각 설치된 제1 및 제2의 면형상 히터를 구비하는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치를 제공한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, this invention is a heat processing apparatus which heat-processes a board | substrate, The conveyance path which conveys a board | substrate in one direction, the casing provided to surround the said conveyance path, and the said conveyance path in the said casing along the said conveyance path It is provided with the 1st and 2nd surface heater respectively provided in the both sides of the board | substrate so that the board | substrate may approach to the board | substrate conveyed, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned.

본 발명에 있어서, 상기 반송로는 한방향에 간격을 두고 복수 설치된 회전자 부재의 회전에 의해 기판을 회전자 반송하고 상기 제1의 면형상 히터는 상기 회전자 부재동지의 사이에 각각 설치되어 반송 방향으로 복수 배열되고 있는 것이 바람직하다. 이 경우에, 상기 제2의 면형상 히터는 상기 제1의 면형상 히터의 배열 피치와 대응하도록 반송 방향으로 복수 배열되어 상기 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터는 개별 또는 반송 방향으로 구분된 그룹마다 온도 제어 가능한 것이 바람직하다. 또한 이 경우에, 상기 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터가 개별 또는 반송 방향으로 구분된 그룹마다 온도 제어되는 것으로 상기 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터로부터 이루어지는 히터군은 소정의 온도 프로 파일을 형성하는 것이 바람직하고, 상기 제1 및 제2의 면형상 히터는 각각 상기 반송로의 폭방향으로 복수로 구분된 영역마다 온도 제어 가능한 것이 바람직하고, 상기 제2의 면형상 히터는 상기 케이싱의 하나의 벽부에 장착되고 있고 상기 케이싱의 상기 하나의 벽부는 상기 케 이싱내를 개폐하는 문으로서 기능하는 것이 바람직하다. 또, 이들의 경우에 상기 회전자 부재는 적어도 외주위면이 열전도율이 낮은 재료로 이루어지는 것이 바람직하다.In this invention, the said conveyance path carries out rotor conveyance by the rotation of the rotor member provided in multiple space | interval at one direction, and the said 1st surface heater is respectively installed between the rotor member comrades, and is conveyed direction. It is preferable to be arranged in plurality. In this case, the second planar heaters are arranged in plural in the conveying direction so as to correspond to the arrangement pitch of the first planar heaters so that the plurality of first and second planar heaters are divided into individual or conveying directions. It is preferable that temperature control is possible for every group. In this case, the plurality of first and second planar heaters are temperature-controlled for each group divided into individual or conveying directions so that the heater group formed from the plurality of first and second planar heaters is It is preferable to form a temperature profile, and it is preferable that the first and second planar heaters are each capable of temperature control in a plurality of divided regions in the width direction of the conveying path, and the second planar heater is It is preferable that it is attached to one wall part of the casing, and the one wall part of the casing functions as a door for opening and closing the inside of the casing. Moreover, in these cases, it is preferable that the said rotor member consists of a material with low thermal conductivity at least on the outer peripheral surface.

이상의 본 발명에 있어서, 상기 케이싱의 벽부는 서로 공간을 비워 설치된 내벽 및 외벽을 구비한 이중벽구조를 가지고 있어 상기 내벽 및 외벽의 사이의 공간이 상기 케이싱 내외를 단열하는 공기 단열층으로서 기능하는 것이 바람직하다.In the present invention described above, the wall portion of the casing has a double wall structure having an inner wall and an outer wall provided with empty spaces so that the space between the inner wall and the outer wall functions as an air insulating layer for insulating the inside and outside of the casing. .

또한 이상의 본 발명에 있어서, 상기 반송로를 반송되는 기판의 반송 경로와 상기 제1 및 제2의 면형상 히터의 간격은 각각 5~30 mm인 것이 바람직하다.Moreover, in the above this invention, it is preferable that the space | intervals of the conveyance path | route of the board | substrate which conveys the said conveyance path, and the said 1st and 2nd surface heater are 5-30 mm, respectively.

이하, 첨부 도면을 참조해 본 발명의 실시 형태에 대해서 구체적으로 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described concretely with reference to an accompanying drawing.

도 1은, 본 발명의 하나의 실시형태와 관련되는 가열 처리 장치가 탑재된 FPD용의 유리 기판(이하, 단지 「기판」이라고 적는다)에의 레지스트막의 형성 및 노광 처리 후의 레지스트막의 현상 처리를 실시하는 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 개략 평면도이다.1 shows the formation of a resist film on a glass substrate for FPD (hereinafter, simply referred to as a "substrate") equipped with a heat treatment apparatus according to one embodiment of the present invention, and the development of the resist film after exposure treatment. A schematic plan view of a resist coating and developing treatment system.

레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)은 복수의 기판 (G)를 수용하기 위한 카셋트 (C)가 재치되는 카셋트 스테이션 (1)과 기판 (G)에 레지스트 도포 및 현상을 포함한 일련의 처리를 실시하는 처리 스테이션 (2)와 기판 (G)에 노광 처리를 실시하는 노광 장치 (9)의 사이에 기판 (G)의 수수를 실시하는 인터페이스 스테이션 (4)를 구비하고 있어 카셋트 스테이션 (1) 및 인터페이스 스테이션 (4)는 각각 처리 스테이션 (2)의 양측으로 배치되고 있다. 또한 도 1에 있어서 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)의 긴 방향을 X방향 평면상에 있어서 X방향과 직교하는 방향을 Y방향으로 한다.The resist coating and developing processing system 100 performs a series of processes including resist coating and developing on the cassette station 1 and the substrate G on which the cassette C for accommodating the plurality of substrates G is placed. The interface station 4 which delivers the board | substrate G is provided between the processing station 2 and the exposure apparatus 9 which performs exposure processing to the board | substrate G, The cassette station 1 and the interface station are provided. (4) is arrange | positioned at both sides of the processing station 2, respectively. In addition, in FIG. 1, the longitudinal direction of the resist coating and developing processing system 100 is made into the Y direction the direction orthogonal to the X direction on a X direction plane.

카셋트 스테이션 (1)은 카셋트 (C)를 Y방향으로 병렬에 재치 가능한 재치대 (12)와 처리 스테이션 (2)의 사이에 기판 (G)의 반입출을 실시하는 반송 장치 (11)을 구비하고 재치대 (12)와 외부의 사이에 카셋트 (C)의 반송을 한다. 반송 장치 (11)에 설치된 반송 아암 (11a)는 Y방향으로 연장하는 가이드 (10)을 따라 이동 가능함과 동시에 상하 이동, 전후 이동 및 수평 회전 가능하고, 카셋트 (C)와 처리 스테이션 (2)의 사이에 기판 (G)의 반입출을 실시하는 것이다.The cassette station 1 is provided with the conveying apparatus 11 which carries in / out of the board | substrate G between the mounting base 12 and the processing station 2 which can arrange the cassette C in parallel in a Y direction, and The cassette C is conveyed between the mounting table 12 and the outside. The conveying arm 11a provided in the conveying apparatus 11 is movable along the guide 10 extending in the Y direction, and can be moved up and down, back and forth, and horizontally rotated, and the cassette C and the processing station 2 Carrying in and out of the board | substrate G is performed in between.

처리 스테이션 (2)는 카셋트 스테이션 (1)과 인터페이스 스테이션 (4)의 사이에 X방향으로 연장하는 평행한 2열의 기판 (G)의 반송 라인 (A,b)를 가지고 있다. 반송 라인 (A)는 회전자 반송이나 벨트 반송 등의 소위 평류 반송에 의해 기판 (G)를 카셋트 스테이션 (1)측으로부터 인터페이스 스테이션 (4) 측에 향해 반송하도록 구성되고 반송 라인 (B)는 회전자 반송이나 벨트 반송 등의 소위 평류 반송에 의해 기판 (G)를 인터페이스 스테이션 (4)측으로부터 카셋트 스테이션 (1)측으로 향하여 반송하도록 구성되고 있다.The processing station 2 has conveying lines A and b of two parallel rows of substrates G extending in the X direction between the cassette station 1 and the interface station 4. The conveying line A is configured to convey the substrate G from the cassette station 1 side to the interface station 4 side by so-called flat flow conveying such as rotor conveyance or belt conveyance, and the conveying line B is It is comprised so that board | substrate G may be conveyed toward the cassette station 1 side from the interface station 4 side by what is called flat flow conveyance, such as an electron conveyance and a belt conveyance.

반송 라인 (A)상에는 카셋트 스테이션 (1)측으로부터 인터페이스 스테이션 (4)측에 향해, 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 21), 스크러브 세정 유니트(SCR, 22), 플레이히트 유니트(PH, 23), 애드히젼유닛트(AD, 24), 냉각 유니트(COL, 25), 레지스트 도포 유니트(CT, 26), 감압 건조 유니트(DP, 27), 가열 처리 유니트(HT, 28), 냉각 유니트(COL, 29)가 차례로 배열되고 있다.On the conveying line A, from the cassette station 1 side to the interface station 4 side, excimer UV irradiation unit (e-UV, 21), scrub cleaning unit (SCR, 22), play heat unit (PH, 23) ADH Unit (AD, 24), Cooling Unit (COL, 25), Resist Coating Unit (CT, 26), Decompression Drying Unit (DP, 27), Heat Treatment Unit (HT, 28), Cooling Unit ( COL, 29) are arranged in sequence.

엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 21)은 기판 (G)에 포함되는 유기물의 제거 처리를 실시하고 스크러브 세정 유니트(SCR, 22)는 기판 (G)의 스크러브 세정 처리 및 건조 처리를 실시한다. 플레이히트 유니트(PH, 23)은 기판 (G)의 가열 처리를 실시하고 애드히젼유닛트(AD, 24)는 기판 (G)의 소수화 처리를 실시하고, 냉각 유니트(COL, 25)는 기판 (G)를 냉각한다. 레지스트 도포 유니트(CT, 26)은 기판 (G)상에 레지스트액을 공급해 레지스트막을 형성하고 감압 건조 유니트(DP, 27)은, 감압하에서 기판 (G)상의 레지스트막에 포함되는 휘발 성분을 증발시켜 레지스트막을 건조시킨다. 후에 상술 하는 가열 처리 유니트(HT, 28)은 기판 (G)의 가열 처리를 실시해, 냉각 유니트(COL, 29)는 냉각 유니트(COL, 25)와 동일하게 기판 (G)를 냉각한다.The excimer UV irradiation unit (e-UV) 21 performs the removal treatment of the organic matter contained in the substrate G, and the scrub cleaning unit SCR 22 performs the scrub cleaning treatment and the drying treatment of the substrate G. do. The play heat units PH and 23 perform the heat treatment of the substrate G, the ad unit units AD 24 perform the hydrophobization treatment of the substrate G, and the cooling unit COL 25 performs the substrate G. Cool). The resist coating units CT and 26 supply a resist liquid on the substrate G to form a resist film, and the vacuum drying unit DP and 27 evaporate volatile components contained in the resist film on the substrate G under reduced pressure. The resist film is dried. Subsequently, the heat treatment units HT and 28 described above heat-treat the substrate G, and the cooling units COL and 29 cool the substrate G in the same manner as the cooling units COL 25.

반송 라인 (B)상에는 인터페이스 스테이션 (4)측으로부터 카셋트 스테이션 (1) 측에 향해 현상 유니트(DEV, 30), 가열 처리 유니트(HT, 31), 냉각 유니트(COL, 32)가 차례로 배열되고 있다. 또한 냉각 유니트(COL, 32)와 카세트 스테이션 (1)의 사이에는 레지스트 도포 및 현상을 포함한 일련의 처리가 실시된 기판 (G)를 검사하는 검사 장치(IP, 35)가 설치되고 있다.On the conveyance line B, the developing unit DEV, 30, the heat treatment unit HT, 31, and the cooling unit COL, 32 are sequentially arranged from the interface station 4 side to the cassette station 1 side. . Moreover, between the cooling unit COL 32 and the cassette station 1, the inspection apparatus IP 35 which examines the board | substrate G by which a series of processes including application | coating of resist and image development was performed is provided.

현상 유니트(DEV, 30)은 기판 (G)상에의 현상액의 도포, 기판 (G)의 린스 처리, 기판 (G)의 건조 처리를 차례로 실시한다. 가열 처리 유니트(HT, 31)은, 가열 처리 유니트(HT, 28)과 동일하게 기판 (G)의 가열 처리를 실시하고, 냉각 유니트(COL, 32)는 냉각 유니트(COL, 25)와 동일하게 기판 (G)를 냉각한다.The developing unit DEV 30 performs application of the developer onto the substrate G, rinsing the substrate G, and drying of the substrate G in this order. The heat treatment units HT and 31 perform the heat treatment of the substrate G in the same manner as the heat treatment units HT and 28, and the cooling units COL and 32 are the same as the cooling units COL and 25. Cool the substrate G.

인터페이스 스테이션 (4)는 기판 (G)를 수용 가능한 버퍼 카셋트가 배치된, 기판 (G)의 수수부인 로터리 스테이지(RS, 44)와 반송 라인 (A)를 반송된 기판 (G)를 수취하여 로터리 스테이지(RS, 44)에 반송하는 반송 아암 (43)을 구비하고 있다. 반송 아암 (43)은, 상하 이동, 전후 이동 및 수평 회전 가능하고, 반송 아암 (43)에 인접해 설치된 노광 장치 (9)와 반송 아암 (43) 및 현상 유니트(DEV, 30)에 인접하여 설치된, 주변 노광 장치(EE) 및 타이틀러(TITLER)를 가지는 외부 장치 블럭 (90)에도 액세스 가능하다.The interface station 4 receives the rotary stage RS, 44, which is a receiving part of the substrate G, and the transfer line A, on which the buffer cassette capable of accommodating the substrate G is disposed, and the substrate G conveyed the rotary. The conveying arm 43 which conveys to stage RS, 44 is provided. The conveyance arm 43 is capable of vertical movement, forward and backward movement and horizontal rotation, and is provided adjacent to the exposure apparatus 9 and the conveyance arm 43 and the developing unit DEV, 30 provided adjacent to the conveyance arm 43. The external device block 90 having the peripheral exposure device EE and the titler TITLER is also accessible.

레지스트 도포·현상 처리 장치 (100)은cPU를 구비한 프로세스 컨트롤러 (101)에 접속되어 제어되도록 구성되고 있다. 프로세스 컨트롤러 (101)에는, 공정관리자가 레지스트 도포·현상 처리 장치 (100)의 각부 또는 각 유니트를 관리하기 위해서 커멘드의 입력 조작등을 실시하는 키보드나, 각부 또는 각 유니트의 가동 상황을 가시화해 표시하는 디스플레이등으로 이루어지는 유저 인터페이스 (102)와 레지스트 도포·현상 처리 장치 (100)으로 실행되는 가열 처리나 냉각 처리 등의 각종 처리를 프로세스 컨트롤러 (101)의 제어로 실현되기 위한 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피가 격납된 기억부 (103)이 접속되고 있다.The resist coating and developing processing apparatus 100 is configured to be connected to and controlled by a process controller 101 provided with a CPU. In the process controller 101, a process manager visualizes and displays the operation status of each part or each unit, or a keyboard for performing command input operations for managing each part or each unit of the resist coating and developing processing apparatus 100. Control program and processing condition data for realizing various processes such as heating process and cooling process performed by the user interface 102 and the resist coating / development processing apparatus 100 made of a display or the like to be controlled by the process controller 101. The storage unit 103 in which the recipe on which the back is recorded is stored is connected.

그리고, 필요에 따라서, 유저 인터페이스 (102)로부터의 지시등에서 임의의 레시피를 기억부 (103)으로부터 호출해 프로세스 컨트롤러 (101)에 실행시키는 것으로 프로세스 컨트롤러 (101)의 제어하에서 레지스트 도포·현상 처리 장치 (100)으로 원하는 처리를 한다. 또, 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터등의 레시피는 컴퓨터 독취 가능한 기억 매체, 예를 들면cD-ROM, 하드 디스크, 플렉시블 디스크 플래쉬 메모리 등에 격납된 상태의 것을 이용하거나 혹은, 다른 장치로부터, 예를 들면 전용회선을 개재하여 수시 전송시켜 온라인으로 이용하거나 하는 것도 가능하다.Then, a resist coating / development processing apparatus under the control of the process controller 101 by calling an arbitrary recipe from the storage unit 103 and executing it in the process controller 101 by an instruction or the like from the user interface 102 as necessary. The desired processing is carried out at 100. In addition, recipes, such as a control program and processing condition data, can use the computer-readable storage medium, for example, the state stored in a cD-ROM, a hard disk, a flexible disk flash memory, etc. It is also possible to transmit online at any time via a line.

이와 같이 구성된 레지스트 도포 현상 처리 장치 (100)에 있어서는 우선, 카셋트 스테이션 (1)의 재치대 (12)에 재치된 카셋트 (C)내의 기판 (G)가 반송 장치 (11)의 반송 아암 (11a)에 의해 처리 스테이션 (2)의 반송 라인 (A)의 상류측 단부에 반송되고 또한 반송 라인 (A)상을 반송되고, 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 21)으로 기판 (G)에 포함되는 유기물의 제거 처리를 한다. 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 21)에서의 유기물의 제거 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고, 스크러브 세정 유니트(SCR, 22)로 스크러브 세정 처리 및 건조 처리가 실시된다.In the resist coating and developing apparatus 100 configured as described above, first, the substrate G in the cassette C placed on the mounting table 12 of the cassette station 1 is the transfer arm 11a of the transfer apparatus 11. Is conveyed to the upstream end part of the conveyance line A of the processing station 2, and conveys the conveyance line A phase, and is contained in the board | substrate G by the excimer UV irradiation unit (e-UV, 21). The organic matter removal process is performed. The board | substrate G in which the removal process of the organic substance in the excimer UV irradiation unit (e-UV, 21) was complete | finished is conveyed on the conveyance line (A), and the scrub cleaning process with the scrub cleaning unit (SCR, 22), and Drying treatment is performed.

스크러브 세정 유니트(SCR, 22)에서의 스크러브 세정 처리 및 건조 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고 플레이히트 유니트(PH, 23)으로 가열 처리가 실시되고 탈수된다. 플레이히트 유니트(PH, 23)에서의 가열 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고, 애드히젼유닛트(AD, 24)로 소수화 처리가 실시된다. 애드히젼유닛트(AD, 24)에서의 소수화 처리가 종료한 기판 (G)는, 반송 라인 (A)상을 반송되고 냉각 유니트(COL, 25)로 냉각된다.The board | substrate G in which the scrub cleaning process and the drying process in the scrub cleaning unit SCR 22 were complete | finished is conveyed on the conveyance line A phase, heat-processed by the play heat unit PH, 23, and dewatered. do. The board | substrate G by which the heat processing in the play heat unit PH and 23 was complete | finished is conveyed on the conveyance line A, and hydrophobization process is performed by the adhesion unit AD and 24. As shown in FIG. The board | substrate G in which the hydrophobization process in the adhance unit AD AD 24 was complete | finished is conveyed on the conveyance line A phase, and is cooled by the cooling unit COL 25.

냉각 유니트(COL, 25)로 냉각된 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고 레지스트 도포 유니트(CT, 26)으로 레지스트막이 형성된다. 레지스트 도포 유니트(CT, 26)에서의 레지스트막의 형성은 기판 (G)가 반송 라인 (A)상을 반송되면서, 기판 (G)상에 레지스트액이 공급되는 것으로 행해진다.The substrate G cooled by the cooling unit COL 25 is conveyed on the conveying line A and a resist film is formed by the resist coating unit CT 26. The formation of the resist film in the resist coating units CT and 26 is performed by supplying the resist liquid onto the substrate G while the substrate G is conveyed on the conveying line A.

레지스트 도포 유니트(CT, 26)으로 레지스트막이 형성된 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고 감압 건조 유니트(DP, 27)로 감압 환경에 노출되는 것으로, 레지스트막의 건조 처리가 실시된다.The substrate G on which the resist film is formed by the resist coating units CT and 26 is conveyed on the conveying line A and exposed to the reduced pressure environment by the vacuum drying unit DP and 27, and the resist film is dried.

감압 건조 유니트(DP, 27)로 레지스트막의 건조 처리가 실시된 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고 가열 처리 유니트(HT, 28)로 가열 처리가 실시되고 레지스트막에 포함되는 용제가 제거된다. 기판 (G)의 가열 처리는 후술하는 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송 라인 (A)상을 반송되면서 행해진다. 가열 처리 유니트(HT, 28)에서의 가열 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고 냉각 유니트(COL, 29)로 냉각된다.The substrate G subjected to the drying treatment of the resist film by the vacuum drying unit DP, 27 is conveyed on the conveying line A, and is subjected to heat treatment by the heat treatment unit HT, 28, and included in the resist film. Is removed. The heat processing of the board | substrate G is performed, conveying the conveyance line A phase by the rotor conveyance mechanism 5 mentioned later. The board | substrate G in which the heat processing in the heat processing units HT and 28 was complete | finished is conveyed on the conveyance line A, and is cooled by the cooling unit COL and 29. As shown in FIG.

냉각 유니트(COL, 29)로 냉각된 기판 (G)는, 반송 라인 (A)상을 하류측 단부까지 반송된 후, 인터페이스 스테이션 (4)의 반송 아암 (43)에 의해 로터리 스테이지(RS, 44)에 반송된다. 다음에, 기판 (G)는 반송 아암 (43)에 의해 외부 장치 블럭 (90)의 주변 노광 장치(EE)에 반송되어 주변 노광 장치(EE)로 레지스트막의 외주부(불필요 부분)를 제거하기 위한 노광 처리가 실시된다. 이어서 기판 (G)는, 반송 아암 (43)에 의해 노광 장치 (9)에 반송되어 레지스트막에 소정 패턴의 노광 처리가 실시된다. 또한 기판 (G)는, 일시적으로 로터리 스테이지(RS, 44)상의 버퍼 카셋트에 수용된 후에 노광 장치 (9)에 반송되는 경우가 있다. 노광 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 아암 (43)에 의해 외부 장치 블럭 (90)의 타이틀러(TITLER)에 반송되어 타이틀러(TITLER)로 소정의 정보가 기록된다.After the board | substrate G cooled by the cooling unit COL and 29 is conveyed on the conveyance line A to a downstream end part, the rotary stage RS, 44 by the conveyance arm 43 of the interface station 4 is carried out. Is returned. Next, the substrate G is conveyed to the peripheral exposure apparatus EE of the external device block 90 by the transfer arm 43, and the exposure for removing the outer peripheral portion (unnecessary portion) of the resist film by the peripheral exposure apparatus EE. Processing is carried out. Subsequently, the board | substrate G is conveyed to the exposure apparatus 9 by the conveyance arm 43, and the exposure process of a predetermined pattern is performed to a resist film. In addition, the board | substrate G may be conveyed to the exposure apparatus 9 after being temporarily accommodated in the buffer cassette on rotary stage RS, 44. FIG. The substrate G on which the exposure process is completed is conveyed to the titler TITLER of the external device block 90 by the transfer arm 43, and predetermined information is recorded by the titler TITLER.

타이틀러(TITLER)로 소정의 정보가 기록된 기판 (G)는, 반송 라인 (B)상을 반송되고 현상 유니트(DEV, 30)으로 현상액의 도포 처리, 린스 처리 및 건조 처리가 차례로 실시된다. 현상액의 도포 처리, 린스 처리 및 건조 처리는 예를 들면, 기판 (G)가 반송 라인 (B)상을 반송되면서 기판 (G)상에 현상액이 액활성되어 다음에 반송이 일단 정지되어 기판이 소정 각도 경사해 현상액이 흘러 떨어져 이 상태로 기판 (G)상에 린스액이 공급되어 현상액이 세정되고 그 후, 기판 (G)가 수평 자세로 돌아가 다시 반송되면서 기판 (G)에 건조 가스가 분무되는 순서로 행해진다.The board | substrate G in which predetermined | prescribed information was recorded by the titler TITLER is conveyed on the conveyance line B, and a coating process, a rinse process, and a drying process of a developing solution are performed in order by the developing unit DEV 30. For example, the coating treatment, the rinsing treatment and the drying treatment of the developing solution include, for example, the developing solution being activated on the substrate G while the substrate G is conveyed on the conveying line B. The developer is inclined at an angle and the rinse liquid is supplied onto the substrate G in this state so that the developer is washed, and then the dry gas is sprayed onto the substrate G while the substrate G is returned to the horizontal position and conveyed again. In order.

현상 유니트(DEV, 30)에서의 현상액의 도포 처리, 린스 처리 및 건조 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (B)상을 반송되고 가열 처리 유니트(HT, 31)으로 가열 처리가 실시되고 레지스트막에 포함되는 용제 및 수분이 제거된다. 기판 (G)의 가열 처리는 후술하는 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송 라인 (B)상을 반송되면서 행해진다. 또한 현상 유니트(DEV, 30)과 가열 처리 유니트(HT, 31)의 사이에는, 현상액의 탈색 처리를 실시하는 i선 UV조사 유니트를 설치해도 좋다. 가열 처리 유니트(HT, 31)에서의 가열 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (B)상을 반송되고, 냉각 유니트(COL, 32)로 냉각된다.The substrate G on which the coating, rinsing, and drying processing of the developing solution in the developing unit DEV 30 has been completed is conveyed on the conveying line B, and heated by the heat treating unit HT 31. The solvent and water contained in the resist film are removed. The heat processing of the board | substrate G is performed, conveying the conveyance line B phase by the rotor conveyance mechanism 5 mentioned later. An i-ray UV irradiation unit for decolorizing the developer may be provided between the developing unit DEV 30 and the heat treatment unit HT 31. The board | substrate G by which the heat processing in heat processing unit HT, 31 was complete | finished is conveyed on the conveyance line B, and is cooled by the cooling unit COL 32.

냉각 유니트(COL, 32)로 냉각된 기판 (G)는 반송 라인 (B)상을 반송되고 검사 유니트(IP, 35)로 검사된다. 검사를 통과한 기판 (G)는 카셋트 스테이션 (1)에 설치된 반송 장치 (11)의 반송 아암 (11a)에 의해 재치대 (12)에 재치된 소정의 카셋트 (C)에 수용되게 된다.The substrate G cooled by the cooling unit COL 32 is conveyed on the conveying line B and inspected by the inspection unit IP 35. The board | substrate G which passed the test | inspection is accommodated in the predetermined | prescribed cassette C mounted on the mounting table 12 by the conveyance arm 11a of the conveying apparatus 11 installed in the cassette station 1.

다음에, 가열 처리 유니트(HT, 28)에 대해서 상세하게 설명한다. 또한 가열 처리 유니트(HT, 31)도 가열 처리 유니트(HT, 28)과 완전히 동일한 구조를 가지고 있다.Next, the heat treatment units HT and 28 will be described in detail. The heat treatment units HT and 31 also have the same structure as the heat treatment units HT and 28.

도 2는 가열 처리 유니트(HT, 28) (가열 처리 장치)를 나타내는 평면 방향의 단면도이고, 도 3은 그 측면 방향의 단면도이다.FIG. 2 is a sectional view in a planar direction showing the heat treatment units HT 28 (heating apparatus), and FIG. 3 is a sectional view in the lateral direction thereof.

가열 처리 유니트(HT, 28)은 기판 (G)를 X방향 한방향측으로 반송하는 회전자 반송 기구 (5)와 회전자 반송 기구 (5)를 포위 또는 수납하도록 설치된 케이싱 (6)과 케이싱 (6)내에서 회전자 반송 기구 (5)에 의해 회전자 반송되고 있는 기판 (G)를 가열하는 가열 기구 (7)을 구비하고 있다.The heat treatment units HT and 28 are provided with a casing 6 and a casing 6 arranged to enclose or receive the rotor conveyance mechanism 5 and the rotor conveyance mechanism 5 for conveying the substrate G in one direction in the X-direction. The heating mechanism 7 which heats the board | substrate G currently conveyed by the rotor conveyance mechanism 5 by the rotor is provided.

회전자 반송 기구 (5)는 Y방향으로 연장하는 대략 원주형상의 회전 가능한 회전자 부재 (50)을 X방향으로 간격을 두고 복수 가지고 있다. 회전자 부재 (50)은 각각 회전축 (51)이 도시하지 않는 모터 등의 구동원에 직접적 또는 간접적으로 접속되어 구동원의 구동에 의해 회전해, 이것에 의해 기판 (G)가 복수의 회전자 부재 (50)상을 X방향의 한방향측에 향하여 반송된다. 또, 회전자 부재 (50)은 각각 기판 (G)의 전폭(Y방향)에 걸쳐서 접하는 형상을 가지고 있어 가열 기구 (7)에 의해 가열된 기판 (G)의 열이 전달하기 어렵게 외주위면부 (52)가 수지 등의 열전도율이 낮은 재료로 형성되어 회전축 (51)이 알루미늄, 스텐레스, 세라믹 등의 고강도면서도 열전도율의 비교적 낮은 재료로 형성되고 있다. 회전자 반송 기구 (5)는, 그 반송로 또는 반송면이 반송 라인 (A; 가열 처리 유니트(HT, 31)에 있어서는 반송 라인 (B))의 일부를 구성하고 있다.The rotor conveyance mechanism 5 has a plurality of substantially cylindrical rotatable rotor members 50 extending in the Y direction at intervals in the X direction. Each of the rotor members 50 is directly or indirectly connected to a drive source such as a motor (not shown) by the rotating shaft 51 and rotates by driving of the drive source, whereby the substrate G causes the plurality of rotor members 50 to be rotated. ) Phase is conveyed toward one direction side of X direction. Moreover, the rotor member 50 has the shape which contact | abuts over the full width (Y direction) of the board | substrate G, respectively, and the outer peripheral surface part (it is hard to transfer the heat of the board | substrate G heated by the heating mechanism 7). 52 is formed of a material having a low thermal conductivity such as resin, and the rotating shaft 51 is formed of a material having a high strength and a relatively low thermal conductivity such as aluminum, stainless steel, or ceramic. As for the rotor conveyance mechanism 5, the conveyance path or conveyance surface comprises a part of conveyance line A (conveyance line B in heat processing units HT and 31).

케이싱 (6)은 엷은 틀의 상자 모양으로 형성되어 기판 (G)를 대략 수평 상태로 수용 가능하고, X방향으로 대향하는 측벽부에 각각 반송 라인 (A,가열 처리 유 니트(HT, 31)에서는 반송 라인 (B)) 상의 기판 (G)가 통과 가능한 Y방향으로 연장하는 슬릿 형상의 반입구 (61) 및 반출구 (62)를 가지고 있다. 회전자 반송 기구 (5)의 회전자 부재 (50)은 각각 회전축 (51)이 케이싱 (6)의 Y방향으로 대향하는 측벽부에 설치된 베어링 (600에 회전 가능하게 지지를 수취하여 케이싱 (6)내에 배치되고 있다.The casing 6 is formed in a thin box shape to accommodate the substrate G in a substantially horizontal state, and each of the conveying lines A and the heating processing units HT 31 in the side wall portions facing in the X direction is formed. The board | substrate G on the conveyance line B has the slit-shaped delivery opening 61 and the delivery opening 62 which extend in the Y direction which can pass. The rotor member 50 of the rotor conveyance mechanism 5 receives the support rotatably to the bearing 600 provided in the side wall part in which the rotating shaft 51 opposes the Y direction of the casing 6, and the casing 6 is carried out. It is arranged inside.

케이싱 (6)의 벽부 여기에서는 상벽부, 저벽부 및 Y방향으로 대향하는 측벽부는 서로 공간을 비워 설치된 내벽 (63) 및 외벽 (64)를 구비한 이중벽구조를 가지고 있고 내벽 (63) 및 외벽 (64)의 사이의 공간 (65)가 케이싱 (6) 내외를 단열하는 공기 단열층으로서 기능한다. 또한 외벽 (64)의 내측면에도, 케이싱 (6) 내외를 단열하기 위한 단열재 (66)이 설치되고 있다.Wall part of casing 6 Here, the upper wall part, the bottom wall part, and the side wall part facing in the Y direction have a double wall structure having an inner wall 63 and an outer wall 64 which are provided with a space therebetween, and the inner wall 63 and the outer wall ( The space 65 between 64 functions as an air insulation layer which insulates the inside and outside of the casing 6. Moreover, the heat insulating material 66 for heat-insulating inside and outside the casing 6 is provided also in the inner side surface of the outer wall 64. As shown in FIG.

가열 기구 (7)은 회전자 반송 기구 (5)에 의한 기판 (G)의 반송로를 따라 케이싱 (6)내에 설치된 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 71a~71r), (72, 72a~72r)를 구비하고 있고 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)는 각각, 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판에 근접하도록 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)의 이면(하면) 측 및 표면(상면) 측에 설치되고 있다. 이것에 의해, 케이싱 (6)의 박형화가 도모되고 있다.The heating mechanism 7 comprises first and second surface heaters 71, 71a to 71r, 72, which are provided in the casing 6 along the conveyance path of the substrate G by the rotor conveyance mechanism 5. 72a-72r, and the 1st and 2nd surface heaters 71 and 72 are conveyed by the rotor conveyance mechanism 5 so that the 1st and 2nd surface heaters 71 and 72 may approach the board | substrate conveyed by the rotor conveyance mechanism 5, respectively. It is provided in the back surface (lower surface) side and the surface (upper surface) side of the board | substrate G to become. As a result, the casing 6 can be thinned.

제1의 면형상 히터 (71)은 Y방향으로 연장하는 단책 형상으로 형성되어 회전자 부재 (50) 동지의 사이에 각각 설치되어 X방향으로 복수(X방향 상류측으로부터 차례로 71a~71r) 배열되고 있다. 이것에 의해, 케이싱 (6)의 새로운 박형화가 도모되고 있다. 제1의 면형상 히터 (71)은 예를 들면 케이싱 (6)의 Y방향으로 대향하는 측벽부에 장착되어 지지를 받고 있다. 제2의 면형상 히터 (72)는, Y방향으로 연장하는 단책 형상으로 형성되어 제1의 면형상 히터 (71)의 배열 피치와 대응하도록 X방향으로 복수(X방향 상류측으로부터 차례로(72a~72r)) 배열되고 있다. 제2의 면형상 히터 (72)는 케이싱 (6)에 상벽부에 장착되어 지지를 받고 있다. 제1의 면형상 히터 (71)과 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)의 반송 경로의 간격과 제2의 면형상 히터 (72)와 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)의 반송 경로의 간격은 동일하게 되어 있다.The first planar heaters 71 are formed in a single-sheet shape extending in the Y direction, respectively provided between the rotor members 50, and arranged in a plurality in the X direction (71a to 71r in turn from the X-direction upstream side). have. As a result, new thinning of the casing 6 is achieved. The first planar heater 71 is mounted on and supported by, for example, a side wall portion facing the Y direction of the casing 6. The 2nd planar heater 72 is formed in the unitary shape extending in a Y direction, and is plurality (72a-in order from an X-direction upstream side) so that it may correspond to the arrangement pitch of the 1st planar heater 71. FIG. 72r)) are arranged. The second surface heater 72 is attached to the upper wall portion of the casing 6 and is supported. By the space | interval of the conveyance path of the board | substrate G conveyed by the 1st surface heater 71 and the rotor conveyance mechanism 5, and by the 2nd surface heater 72 and the rotor conveyance mechanism 5, The spacing of the conveyance path | route of the board | substrate G conveyed is the same.

본 실시 형태에서는 기판 (G)를 가열하기 위한 제 1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)를 동일한 피치로 X방향으로 복수 배열한 것에 의해 제1의 면형상 히터 (71) 동지(또는 제2의 면형상 히터 (72)동지)의 사이의 위치(예를 들면 도 3의 부호p위치)에서 케이싱 (6)을 X방향으로 복수 분할 가능하게 구성할 수가 있다. 이것에 의해, 기판 (G)가 대형화해도 가열 처리 장치 (28) 자체의 운반이 용이하다.In the present embodiment, the first and the second planar heaters 71 and 72 for heating the substrate G are arranged in the X direction at the same pitch so as to align the first planar heaters 71 (or The casing 6 can be configured to be divided into multiple directions in the X direction at positions (for example, p positions in FIG. 3) between the second planar heaters 72. Thereby, even if the board | substrate G enlarges, the conveyance of the heat processing apparatus 28 itself is easy.

또한 본 실시 형태에서는, 기판 (G)를 가열하기 위한 제 2의 면형상 히터 (72)를 X방향으로 복수 배열한 것에 의해, 제2의 면형상 히터 (72) 동지 사이의 위치(예를 들면 도 3의 부호p위치)에서, 케이싱 (6) 상벽부를 양문 도어 형상으로 개폐 가능하게 구성할 수가 있다(도 3의 가상선참조). 이것에 의해, 케이싱 (6)내의 회전자 반송 기구 (5)나 가열 기구 (7)의 메인터넌스를 용이하게 실시할 수가 있다.In the present embodiment, a plurality of second planar heaters 72 for heating the substrate G are arranged in the X direction, so as to position (for example, between the second planar heaters 72). 3, the upper wall part of the casing 6 can be comprised so that opening and closing is possible in the shape of a double door (refer to the virtual line of FIG. 3). Thereby, maintenance of the rotor conveyance mechanism 5 and the heating mechanism 7 in the casing 6 can be performed easily.

제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)는 각각 도 4에 나타나는 바와 같이 (도 4는 가열 처리 장치 (28)을 구성하는 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)의 개략 평면도), 마이카판에 발열체를 설치하여 구성된 복수, 예를 들면 4매의 마이카 히터 (73 ; 73a, 73b, 73c, 73d)과 이들의 복수의 마이카 히터 (73)이 Y방향으로 배열되도록 장착된 단책 형상의 전열체 (74)를 가지고 있다.As shown in Fig. 4, the first and second planar heaters 71 and 72 are respectively shown in Fig. 4 (Fig. 4 shows the first and second planar heaters 71 and 72 of the heat treatment apparatus 28. Figs. Outline plane), a plurality of mica heaters 73 (73; 73a, 73b, 73c, 73d) and a plurality of mica heaters 73 formed by arranging a heating element in the mica plate and the plurality of mica heaters 73 are mounted in the Y direction. It has the single heat exchanger 74 of the shape of single.

복수의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r), (72a~72r)은 도 5에 나타나는 바와 같이 (도 5는 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)의 제어계를 나타내는 개념도), X방향으로 구분된 X방향 상류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71g), ((72a~72g)의 마이카 히터 (73))와 X방향 하류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71r), (72h~72r)의 마이카 히터 (73))가 각각, 다른 히터 전원 (105a, 105b)에 접속되고 있다. X방향 상류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71g), (72a~72g) 및 X방향 하류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71r),(72h~72r)에는 각각, 도시하지 않는 온도센서가 설치되고 히터 전원 (105a, 105b)는 각각, 온도센서의 검출 신호 및 프로세스 컨트롤러 (101)으로부터의 지령을 받은 히터 컨트롤러(제어부, 104)에 의해 제어된다. 즉, X방향 상류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71g),(72a~72g)로 이루어지는 영역 (S)와 X방향 하류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71r), (72h~72r)로 이루어지는 영역 (T)라는 것은, 히터 컨트롤러 (104)에 의해 별개로 온도 제어되도록 구성되고 있다. 또한 영역 (S)와 영역 (T)를 같은 전원에 접속하고 이 전원에 있어서의 영역 (S)의 출력과 영역 (T)의 출력을 바꾸도록 구성해도 괜찮다.The plurality of first and second planar heaters 71a to 71r and 72a to 72r are shown in FIG. 5 (FIG. 5 shows a control system of the first and second planar heaters 71 and 72). Conceptual diagram), the first and second surface heaters 71a to 71g of the X-direction upstream group divided by the X-direction, (the mica heater 73 of (72a to 72g)) and the X-direction downstream group The mica heaters 73 of the first and second planar heaters 71h to 71r and 72h to 72r are connected to different heater power sources 105a and 105b, respectively. First and second planar heaters 71a to 71g and 72a to 72g of the X-direction upstream group and First and second planar heaters 71h to 71r and 72h of the X-direction downstream group 72r), respectively, are provided with a temperature sensor (not shown), and the heater power supplies 105a and 105b are each controlled by the heater controller (control unit 104) which has received a detection signal from the temperature sensor and a command from the process controller 101, respectively. do. That is, the area S consisting of the first and second surface heaters 71a to 71g and 72a to 72g of the X-direction upstream group and the first and second surface heaters of the X-direction downstream group The region T composed of 71h to 71r and 72h to 72r is configured to be temperature controlled separately by the heater controller 104. In addition, the area S and the area T may be connected to the same power supply, and the configuration may be configured so as to switch the output of the area S and the output of the area T in this power supply.

케이싱 (6)의 X방향 양단부의 예를 들면 상벽부 및 저벽부에는 각각 배기구 (67)이 설치되고 있고 배기구 (67)에는 배기 장치 (68)이 접속되고 있다. 그리고, 배기 장치 (68)이 작동하는 것으로써, 배기구 (67)을 개재하여 케이싱 (6)내의 배기를 하도록 구성되고 있다. 배기구 (67) 및 배기 장치 (68)은 케이싱 (6)내를 배기하는 배기 기구를 구성하고 있다. 배기구 (67)은 예를 들면, Y방향으로 복수 형성되고 있어도 좋고, Y방향으로 연장하는 긴 구멍 형상으로 형성되고 있어도 괜찮다. 배기 기구를 케이싱 (6)의 X방향 양단부에 각각 설치하는 것으로 반입구 (61) 및 반출구 (62)에 에어 커튼이 형성되어 외부의 진애 등이 반입구 (61) 및 반출구 (62)로부터 케이싱 (6)내에 침입해 버리는 것이 억제된다. 또한 배기구 (67)은 측벽부에 형성되고 있어도 좋고 이 경우에는 X방향으로 복수 혹은 X방향으로 연장하는 긴 구멍 형성되고 있어도 괜찮다.For example, the exhaust port 67 is provided in the upper wall part and the bottom wall part of the X direction both ends of the casing 6, and the exhaust device 68 is connected to the exhaust port 67, for example. Then, the exhaust device 68 is operated so that the exhaust device 68 is exhausted through the exhaust port 67. The exhaust port 67 and the exhaust device 68 constitute an exhaust mechanism for exhausting the inside of the casing 6. For example, a plurality of exhaust ports 67 may be formed in the Y direction, or may be formed in an elongated hole shape extending in the Y direction. By installing the exhaust mechanisms at both ends of the casing 6 in the X-direction, air curtains are formed at the inlet 61 and the outlet 62 so that external dust and the like are discharged from the inlet 61 and the outlet 62. Intrusion into the casing 6 is suppressed. In addition, the exhaust port 67 may be formed in the side wall part, and in this case, a plurality of long holes extending in the X direction or in the X direction may be formed.

한편, 케이싱 (6)의 X방향 중앙부의 예를 들면 상벽부 및 바닥벽부에는 케이싱내에 흡기를 실시하는 흡기 기구로서의 흡기구 (69)가 설치되고 있다. 흡기구 (69)는 예를 들면 Y방향으로 복수 형성되고 있어도 좋고, Y방향으로 연장하는 긴 구멍 형상으로 형성되고 있어도 괜찮다. 배기구 (67)과는 대조적으로 흡기구 (69)를 케이싱 (6)의 X방향 중앙부에 설치하는 것으로, 케이싱 (6)내의 환경의 체류를 확실히 방지할 수가 있기 때문에, 가열 기구 (7)에 의한 열을 케이싱 (6)내에 효과적으로 확산시키는 것과 동시에 가열 처리 시에 발생하는 레지스트막에 포함되는 승화물의 케이싱 (6)내로의 부착을 방지할 수가 있다. 또한 흡기구 (69)는 측벽부에 형성되고 있어도 좋고 이 경우에는 X방향으로 복수, 혹은 X방향으로 연장하는 긴 구멍 형상으로 형성되고 있어도 괜찮다. 또, 흡기구 (69)에 흡기 장치(도시하지 않음)를 접속해 이 흡기 장치의 작동에 의해 가열된 공기가 케이싱 (6)내에 도입되 도록 구성해도 괜찮다.On the other hand, for example, the upper wall portion and the bottom wall portion of the central portion in the X-direction of the casing 6 are provided with an intake port 69 as an intake mechanism for intake air in the casing. The intake port 69 may be formed in multiple numbers in the Y direction, for example, and may be formed in the elongate hole shape extended in a Y direction. In contrast to the exhaust port 67, by providing the inlet port 69 in the X-direction central portion of the casing 6, since the retention of the environment in the casing 6 can be reliably prevented, the heat generated by the heating mechanism 7 Can be effectively diffused into the casing 6 and the adhesion of the sublimation contained in the resist film generated during the heat treatment into the casing 6 can be prevented. In addition, the inlet port 69 may be formed in the side wall portion, and in this case, it may be formed in the shape of a plurality of holes in the X direction or an elongated hole shape extending in the X direction. An intake device (not shown) may be connected to the intake port 69 so that the heated air is introduced into the casing 6 by the operation of the intake device.

다음에, 상술한 바와 같이 구성된 가열 처리 유니트(HT, 28)에서의 기판 (G)의 가열 처리에 대해서 설명한다.Next, the heat processing of the board | substrate G in the heat processing units HT and 28 comprised as mentioned above is demonstrated.

가열 처리 유니트(HT, 28)에서는, 감압 건조 유니트(DP, 27)측(가열 처리 유니트(HT, 31)에서는 현상 유니트(DEV, 30)측)의 반송 기구에 의해 반송된 기판 (G)가 반입구 (61)을 통과하면 회전자 반송 기구 (5)에 수수되고 이 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되면서,히터 컨트롤러 (104)에 의해 온도 제어된 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)에 의해 케이싱 (6)내에서 가열된다. 따라서, 기판의 반송 및 가열이 병행하여 행해지기 때문에, 처리 시간의 단축화가 도모된다. 기판 (G)는, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)에 의해 양면측으로부터 가열되기 때문에, 휘어짐이 발생한다고 하는 것이 억제된다. 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송된 기판 (G)가 반출구 (62)를 통과하면 냉각 유니트(COL, 29)측(가열 처리 유니트(HT, 31)에서는 냉각 유니트(COL, 32))측의 반송 기구에 수수되고 이 평류식의 반송 기구에 의해 반송되는 것으로 이루어진다. 따라서, 가열 처리시 및 가열 처리 전후의 기판 (G)의 반송이 회전자 반송 기구 (5)등에 의한 소위 평류식만이므로 기판 (G)를 안전하게 반송할 수가 있다.In the heat treatment unit HT, 28, the substrate G conveyed by the conveyance mechanism of the pressure reduction drying unit DP, 27 side (in the heat treatment unit HT, 31, the developing unit DEV, 30 side) is When passing through the inlet 61, the first and second surface heaters, which are received by the rotor conveyance mechanism 5 and conveyed by the rotor conveyance mechanism 5, are temperature controlled by the heater controller 104. It is heated in the casing 6 by 71 and 72. Therefore, since conveyance and heating of a board | substrate are performed in parallel, processing time can be shortened. Since the board | substrate G is heated from both sides by the 1st and 2nd surface heaters 71 and 72, it is suppressed that curvature generate | occur | produces. When the board | substrate G conveyed by the rotor conveyance mechanism 5 passes through the discharge opening 62, the cooling unit COL and 29 side (cooling unit COL and 32 in the heating processing units HT and 31). It is received by the conveyance mechanism of a side, and is conveyed by this flat flow conveyance mechanism. Therefore, since the conveyance of the board | substrate G at the time of heat processing and before and after heat processing is only the so-called flat flow type by the rotor conveyance mechanism 5 etc., the board | substrate G can be conveyed safely.

가열 처리에 즈음해서는 X방향 상류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71g),(72a~72g)와 X방향 하류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71r), (72h~72r)이 각각 다른 히터 전원 (105a, 105b)에 접속되고 있기 때문에, X방향 상류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71g), (72a~72g)로 이루어지는 영역 (S)와 X방향 하류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71r), (72h~72r)로 이루어지는 영역 (T)를 다른 온도로 설정할 수가 있다. 기판 (G)를 소정의 온도, 예를 들면 130 ℃정도로 가열하는 경우에 영역 (T)를 소정의 온도의 대충 동일한 또는 소정의 온도보다 약간 높은 온도, 예를 들면 140~150 ℃정도로 설정하고, 영역 (S)를 영역 (T)의 온도보다 높은 온도, 예를 들면 170~180 ℃정도로 설정하면, 도 6에 나타나는 바와 같이(도 6은 가열 처리 유니트(HT, 28)에서의 기판 (G)의 가열 처리를 설명하기 위한 도), 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되고 있는 기판 (G)를 영역 (S)에서 가열하고(도 6(a) 참조), 소정의 온도 부근까지 급속히 온도상승시킨 후, 영역 (T)에서 가열하여(도 6(b) 참조) 소정의 온도로 보온하는 것이 가능하고 가열 처리 시간의 단축화를 도모하는 것이 가능해진다.In the heat treatment, the first and second planar heaters 71a to 71g and 72a to 72g of the X-direction upstream side group and the first and second planar heaters 71h to the X-direction downstream side group. Since 71r and 72h-72r are respectively connected to the other heater power supply 105a, 105b, the 1st and 2nd surface heaters 71a-71g and 72a-72g of an X-direction upstream group The area | region S which consists of and the area | region T which consists of the 1st and 2nd surface heaters 71h-71r and 72h-72r of the X-direction downstream group can be set to another temperature. In the case where the substrate G is heated to a predetermined temperature, for example, about 130 ° C, the region T is set at a temperature roughly the same or slightly higher than the predetermined temperature, for example, about 140 to 150 ° C, When the area S is set to a temperature higher than the temperature of the area T, for example, about 170 to 180 ° C., as shown in Fig. 6 (Fig. 6 shows the substrate G in the heat treatment unit HT, 28). To explain the heat treatment of the substrate) and the substrate G conveyed by the rotor conveyance mechanism 5 is heated in the region S (see FIG. 6 (a)), and the temperature is rapidly increased to a predetermined temperature vicinity. After raising, heating can be performed in the region T (see FIG. 6 (b)) to maintain the temperature at a predetermined temperature, and the heat treatment time can be shortened.

또, 제1의 면형상 히터 (71)의 배열 피치와 제2의 면형상 히터 (72)의 배열 피치가 동일하기 때문에, 상하에 대응하는 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)를 동일한 가열 온도로 설정하는 것으로써, 기판 (G)의 휘어짐의 발생을 확실히 방지하는 것이 가능해진다.Moreover, since the arrangement pitch of the 1st planar heater 71 and the arrangement pitch of the 2nd planar heater 72 are the same, the 1st and 2nd planar heaters 71 and 72 corresponding to the up-and-down By setting the temperature to the same heating temperature, it is possible to reliably prevent the occurrence of the warpage of the substrate G.

다음에, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)의 제어계의 다른 예에 대해서 설명한다. 도 7은 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)의 제어계의 다른 예를 나타내는 개념도이다.Next, another example of the control system of the first and second surface heaters 71 and 72 will be described. 7 is a conceptual diagram showing another example of the control system of the first and second surface heaters 71 and 72.

복수의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r,(72a~72r)를, X방향으로 구분된 그룹별로 온도 제어 가능하게 구성함과 동시에, 각 그룹을 마이카 히터 (73)에 의해 Y방향으로 복수로 구분된 영역마다 온도 제어 가능하게 구성해도 괜찮다. 예를 들면, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71c), (72a~72c)의 Y방향 양측부의 마이카 히터 (73a, 73d)를 가지는 영역 (H)와 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71c), (72a~72c)의 Y방향 중앙부의 마이카 히터 (73b, 73c)를 가지는 영역 (I)와 제1 및 제2의 면형상 히터 (71d~71g), (72d~72g)의 Y방향 양 측부의 마이카 히터 (73a, 73d)를 가지는 영역 (J)와, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71d~71g), (72d~72g)의 Y방향 중앙부의 마이카 히터 (73b, 73c)를 가지는 K와, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71o), (72h~72o)의 Y방향 양측부의 마이카 히터 (73a, 73d)를 가지는 L과, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71o), (72h~72o)의 Y방향 중앙부의 마이카 히터 (73b, 73c)를 가지는 M과, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71p~71r), (72p~72r)의 Y방향 양측부의 마이카 히터 (73a, 73d)를 가지는 N과, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71p~71r), (72p~72r)의 Y방향 중앙부의 마이카 히터 (73b, 73c)를 가지는 영역 (o)를 각각 다른 히터 전원 105c~j에 접속하고, 히터 전원 105c~j를 각각, 온도센서의 검출 신호 및 프로세스 컨트롤러 (101)으로부터의 지령을 받은 히터 컨트롤러 (104)에 의해 제어시켜도 괜찮다. 이러한 구성에 의해, 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r,72a~72r)로 이루어지는 히터군을 보다 면밀히 제어할 수가 있다. 또한 영역 (H~O)를 동일한 전원에 접속해, 이 전원에 있어서의 영역 (H~O)의 출력을 바꾸도록 구성해도 좋고, 도 5에 나타낸 제어계와 병용 해, 영역 (H~K) 및 영역 (L~O)를 각각 같은 전원에 접속해, 이것들의 전원에 있어서의 영역 (H~K)및 영역 (L~O)의 출력을 각각 바꾸도록 구성해도 괜찮다.The plurality of first and second planar heaters 71a to 71r and 72a to 72r are configured to be temperature-controlled for each group divided in the X direction, and each group is controlled by the mica heater 73. The temperature control may be configured for each region divided into a plurality of directions, for example, the mica heaters 73a, which are provided at both sides in the Y-direction of the first and second surface heaters 71a to 71c and 72a to 72c. Region H having 73d) and region I having first and second planar heaters 71a to 71c and mica heaters 73b and 73c at the central portion in the Y direction of 72a to 72c. And the region J having the second planar heaters 71d to 71g and the mica heaters 73a and 73d on both sides of the Y-direction of the 72d to 72g, and the first and second planar heaters 71d. 71g), K having mica heaters 73b and 73c in the Y-direction central portion of (72d to 72g), and Y-direction both of the first and second surface heaters 71h to 71o and 72h to 72o. L having negative mica heaters 73a and 73d, and first and second surface shapes Of the mica heaters 73b and 73c in the center of the Y-direction at the centers 71h to 71o and 72h to 72o, and the first and second surface heaters 71p to 71r and 72p to 72r. N having mica heaters 73a and 73d in both sides of the Y direction, and mica heaters 73b and 73c in the center of the Y direction of the first and second surface heaters 71p to 71r and 72p to 72r. The area o may be connected to different heater power supplies 105c to j, and the heater power supplies 105c to j may be controlled by the heater controller 104 which has received the detection signal of the temperature sensor and the command from the process controller 101, respectively. This configuration makes it possible to more closely control the heater group composed of the plurality of first and second planar heaters 71a to 71r and 72a to 72r, and to connect the regions H to O to the same power source. It may be configured so as to change the output of the regions H to O in this power supply, to be used in combination with the control system shown in FIG. 5, and the regions H to K and the regions L to O are the same. It may be connected to a power supply, and may be configured to change the outputs of the areas H to K and the areas L to O in these power supplies, respectively.

이 경우에, 케이싱 (6)의 측벽부나 배기 기구 등에 의한 열손실을 고려해, 영역 (S)에 있어서는, 영역 K보다 영역 (I), (J)의 온도를 높게 설정하고 또한 영역 (I), (J) 보다 영역 (H)의 온도를 높게 설정함과 동시에, 영역 (T) 에 있어서는 영역 (M)보다 영역 (O), (L)의 온도를 높게 설정하고 또한, 영역 (O), (L)보다 영역 (N)의 온도를 높게 설정하면, 가열 처리 시간의 단축화를 도모할 수가 있는 것과 동시에 영역 (S) 및 영역 (T)에 있어서 케이싱 (6)내의 기판 (G)의 전면을 균등한 온도로 가열할 수 있고 가열 처리의 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.In this case, in consideration of the heat loss caused by the side wall portion of the casing 6, the exhaust mechanism, or the like, in the region S, the temperature of the regions I, J is set higher than that of the region K, and the region I, The temperature of the region H is set higher than that of (J), and the temperature of the regions O and L is set higher than that of the region M in the region T, and the regions O and ( By setting the temperature of the region N higher than L), the heat treatment time can be shortened and the entire surface of the substrate G in the casing 6 is equalized in the region S and the region T. It can be heated to a temperature and it becomes possible to improve the quality of heat processing.

히터는 통상, 피가열물에 대해서 어느 정도의 거리를 두고 설치하면 피가열물을 균등하게 가열하기 쉬워지는 대신에 가열 효율이 낮아지지만, 본 실시 형태에서는 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r,72a~72r)로 이루어지는 히터군이 구분된 영역마다 온도 제어 가능하기 때문에, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)를 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)와 근접하도록 설치해도, 기판 (G)전체를 균등하게 가열하는 것이 가능해진다. 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)가 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)와 접촉하지 않게, 또한, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)의 가열 효율을 저하하지 않게 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)의 반송 경로와 제1의 면형상 히터 (71) 및 제2의 면형상 히터 (72)의 간격은 각각 5~30 mm로 하는 것이 바람직하다.In general, when the heater is provided at a certain distance from the object to be heated, the heating efficiency is lowered instead of easily heating the heated object evenly. However, in the present embodiment, a plurality of first and second surface heaters are provided. Since temperature control is possible for every area | region where the heater group which consists of 71a-71r, 72a-72r is divided, the 1st and 2nd surface heater 71, 72 is conveyed by the rotor conveyance mechanism 5, Even if it is provided so that the board | substrate G may approach, it becomes possible to heat the whole board | substrate G evenly. In order that the board | substrate G conveyed by the rotor conveyance mechanism 5 does not contact 1st and 2nd surface heaters 71 and 72, Furthermore, 1st and 2nd surface heaters 71 and 72 In order not to reduce the heating efficiency of the s), the conveyance path of the substrate G conveyed by the rotor conveyance mechanism 5 and the interval between the first planar heater 71 and the second planar heater 72 are respectively. It is preferable to set it as 5-30 mm.

또한 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r, 72a~72r)를 각각 다른 히터 전원에 접속해 히터 컨트롤러 (104)에 의해 개별적으로 온도 제어 가능하게 구성해도 좋고 또, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r),(72a~72r)의 마이카 히터 (73a~73d)를 각각 다른 히터 전원에 접속해 히터 컨트롤러 (104)에 의해 개별적으로 온도 제 어 가능하게 구성해도 괜찮다.The first and second planar heaters 71a to 71r and 72a to 72r may be connected to different heater power sources, respectively, and configured to be individually temperature controlled by the heater controller 104. The mica heaters 73a to 73d of the planar heaters 71a to 71r and 72a to 72r may be connected to different heater power sources so as to be individually controlled by the heater controller 104.

본 실시 형태에 있어서는, 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r, 72a~72r)가 개별 또는 X방향으로 구분된 그룹마다 온도 제어되기 때문에 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r, 72a~72r)로 이루어지는 히터군은, 용도에 따른 소정의 온도 프로 파일을 형성하는 것이 가능해진다. 또한, 주가열부 (7b)에 있어서 상벽부의 제 2의 면형상 히터 (72)는 예비가열부 (7a)로 기판의 휘어짐이 억제되면 설치하지 않아도 좋다.In the present embodiment, the plurality of first and second surface heaters 71a to 71r and 72a to 72r are temperature controlled for each group divided into individual or X directions, and thus, the plurality of first and second surface shapes. The heater group which consists of heaters 71a-71r and 72a-72r can form the predetermined temperature profile according to a use. In addition, the 2nd surface heater 72 of the upper wall part in the main heating part 7b does not need to be provided if the bending of a board | substrate is suppressed by the preheating part 7a.

본 발명에 의하면, FPD용의 유리 기판과 같이 특히 기판이 대형의 경우에 매우 적합하지만 유리 기판에 한정하지 않고 반도체 웨이퍼등의 다른 기판의 가열 처리에도 넓게 적용할 수가 있다.According to the present invention, like a glass substrate for FPD, the substrate is particularly suitable for a large size, but can be widely applied not only to glass substrate but also to heat treatment of other substrates such as semiconductor wafers.

본 발명에 의하면, 기판을 한방향으로 반송하는 반송로를 설치하는 것과 동시에 기판을 가열하는 제1 및 제2의 면형상 히터를 반송로를 따라 설치했기 때문에 기판에 반송에 의한 큰 충격이 더해지는 것을 방지하면서 가열 처리를 가할 수가 있고 또한 반송로를 포위 하도록 케이싱을 설치하는 것과 동시에 케이싱내에 반송로를 반송되는 기판에 근접하도록 기판의 양면 측에 각각, 제1 및 제2의 면형상 히터를 설치했기 때문에, 기판의 표면 및 이면을 균등하게 가열하는 것을 가능으로 하면서도, 케이싱내의 기판 양면측의 스페이스를 작게 억제할 수가 있다. 따라서, 기판이 대형으로서도 기판의 파손이나 휘어짐 등의 불편의 발생을 억제할 수가 있는 것과 동시에 기판을 수용하는 케이싱의 박형화 즉 소형화를 도모하는 것이 가능 해진다.According to the present invention, since the conveyance path for conveying the substrate in one direction is provided and the first and second surface heaters for heating the substrate are provided along the conveyance path, it is possible to prevent a large impact due to conveyance on the substrate. The first and second planar heaters are respectively provided on both sides of the substrate so that the heat treatment can be applied and the casing is provided so as to surround the conveying path and the conveying path is close to the substrate being conveyed in the casing. While making it possible to evenly heat the front and rear surfaces of the substrate, the space on both sides of the substrate in the casing can be kept small. Therefore, even when the substrate is large, it is possible to suppress the occurrence of inconvenience such as breakage or warpage of the substrate, and at the same time, it is possible to reduce the thickness of the casing that accommodates the substrate, that is, reduce the size.

Claims (9)

기판에 가열 처리를 실시하는 가열 처리 장치로서, As a heat processing apparatus which heat-processes a board | substrate, 기판을 한방향으로 반송하는 반송로와,A conveying path for conveying the substrate in one direction, 상기 반송로를 포위 하도록 설치된 케이싱과,A casing installed to surround the conveying path; 상기 반송로를 따라 상기 케이싱내에 상기 반송로를 반송되는 기판에 근접하도록 기판의 양면 측에 각각 설치된 제1 및 제2의 면형상 히터를 구비하는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치. And a first and second planar heater respectively provided on both sides of the substrate so as to approach the substrate to be transported in the casing along the conveyance path. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 반송로는 한방향으로 간격을 두고 복수 설치된 회전자 부재의 회전에 의해 기판을 회전자 반송하고,The said conveyance path carries out rotor conveyance of a board | substrate by rotation of the rotor member provided in multiple at intervals in one direction, 상기 제1의 면형상 히터는 상기 회전자 부재동지의 사이에 각각 설치되어 반송 방향으로 복수 배열되고 있는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.The said 1st surface heater is respectively provided between the said rotor member comrades, and is arranged in multiple numbers in a conveyance direction, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned. 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 제2의 면형상 히터는 상기 제1의 면형상 히터의 배열 피치와 대응하도록 반송 방향으로 복수 배열되고,The second planar heater is arranged in plural in the conveying direction so as to correspond to the arrangement pitch of the first planar heater, 상기 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터는 개별 또는 반송 방향으로 구분된 그룹별로 온도 제어 가능한 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.And the plurality of first and second surface heaters are capable of temperature control for each group divided into individual or conveying directions. 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터가 개별 또는 반송 방향으로 구분된 그룹별로 온도 제어되는 것으로, 상기 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터로 이루어지는 히터군은 소정의 온도 프로 파일을 형성하는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.The plurality of first and second planar heaters are temperature-controlled for each group divided into individual or conveying directions, and the heater group including the plurality of first and second planar heaters has a predetermined temperature profile. The heat treatment apparatus characterized by the above-mentioned. 청구항 3 또는 4에 있어서,The method according to claim 3 or 4, 상기 제1 및 제2의 면형상 히터는 각각 상기 반송로의 폭방향으로 복수로 구분된 영역마다 온도 제어 가능한 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.The said 1st and 2nd surface heater is each heat-processing apparatus characterized by the temperature control for every area | region divided | segmented into the width direction of the said conveyance path. 청구항 3 또는 4에 있어서,The method according to claim 3 or 4, 상기 제2의 면형상 히터는 상기 케이싱의 하나의 벽부에 장착되고 있고,The second surface heater is mounted on one wall of the casing, 상기 케이싱의 상기 하나의 벽부는 상기 케이싱내를 개폐하는 문으로서 기능하는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.And said one wall portion of said casing functions as a door for opening and closing the inside of said casing. 청구항 2 에서 4중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 2 to 4, 상기 회전자 부재는 적어도 외주위면이 열전도율이 낮은 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.And said rotor member is made of a material having a low thermal conductivity at least on its outer circumferential surface. 청구항 1 에서 4중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 케이싱의 벽부의 적어도 일부는 서로 공간을 비워 설치된 내벽 및 외벽을 구비한 이중벽구조를 가지고 있고, 상기 내벽 및 외벽의 사이의 공간이 상기 케이싱 내외를 단열하는 공기 단열층으로서 기능하는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.At least a part of the wall portion of the casing has a double wall structure having an inner wall and an outer wall provided with spaces therebetween, and the space between the inner wall and the outer wall functions as an air insulating layer for insulating the inside and outside of the casing. Processing unit. 청구항 1에서 4중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 반송로를 반송되는 기판의 반송 경로와 상기 제1 및 제2의 면형상 히터의 간격은 각각, 5~30 mm인 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.The distance between the conveyance path | route of the board | substrate which conveys the said conveyance path, and the said 1st and 2nd surface heater is 5-30 mm, respectively, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned.
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