JP2011121775A - Substrate processing device, substrate processing method, and recording medium recording program for executing the substrate processing method - Google Patents

Substrate processing device, substrate processing method, and recording medium recording program for executing the substrate processing method Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing device performing processing to a substrate to be processed, capable of performing substrate processing evenly to the whole surface of the substrate, and to provide a substrate processing method in the substrate processing device. <P>SOLUTION: The substrate processing device includes: a placing stage 150 with a stage surface 152 arranged in the middle of a conveying passage 34 for placing the substrate G to be processed on the stage surface 152; and first and second rotors 160, 170 arranged turnably along an axis 156 extending in a direction crossing the conveying passage 34 below the stage surface 152, formed into a shape in which a part of the rotor with a radius protrudable above the stage surface 152 is cut off along the axis 156, and having first and second chord parts 164, 174 forming a surface substantially in parallel with the stage surface 152 when located respectively at first and second rotation angle positions. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置、その基板処理装置における基板処理方法、及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate, a substrate processing method in the substrate processing apparatus, and a recording medium on which a program for executing the substrate processing method is recorded.

液晶ディスプレイ(LCD)の製造においては、基板処理装置を用い、ガラス基板等の被処理基板(以下「基板」ともいう。)上にレジスト(処理液)を塗布処理し、塗布処理した基板を加熱処理し、露光し、現像処理してレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程を行う。フォトリソグラフィー工程の中で、レジスト等(以下「処理液」という場合がある。)を塗布した後、レジスト中の残存溶剤を蒸発させる加熱処理つまりプリベーキングを即座に行うと、溶剤の蒸発が不均一になり、乾燥して形成される塗布膜の膜厚にムラが発生するという問題がある。これは、例えば加熱処理を行う加熱処理ユニット内で、基板と接触するリフトピン、支持ピンまたはバキューム溝等から熱的な影響を受けて溶剤の蒸発が基板面内で不均一になるためである。   In the manufacture of a liquid crystal display (LCD), a substrate processing apparatus is used to apply a resist (treatment liquid) on a substrate to be processed (hereinafter also referred to as “substrate”) such as a glass substrate, and to heat the applied substrate. A photolithography process is performed to form a resist pattern by processing, exposing, and developing. In the photolithography process, after applying a resist or the like (hereinafter sometimes referred to as a “treatment liquid”), if a heat treatment for evaporating the residual solvent in the resist, ie, pre-baking, is performed immediately, the solvent will not evaporate. There is a problem that unevenness occurs in the film thickness of the coating film that is uniform and dried. This is because, for example, in a heat treatment unit that performs heat treatment, evaporation of the solvent becomes uneven in the substrate surface due to thermal influence from lift pins, support pins, vacuum grooves, or the like that come into contact with the substrate.

そこで、レジストを塗布した後、プリベーキングに先立って、減圧雰囲気中で基板上のレジスト中の残存溶剤をある程度まで揮発させることでレジスト塗布膜の表面に固い層(一種の変質層)を形成する減圧乾燥処理が行われている。レジスト塗布膜の内部またはバルク部を液状に保ちつつ表層部のみを固化する減圧乾燥処理を行うことにより、プリベーキングの際にバルクレジストの流動を抑制して乾燥斑の発生を低減し、膜厚にムラが発生することを防止する。これによって、露光時におけるレジスト解像度が高くなる。   Therefore, after applying the resist, prior to pre-baking, the remaining solvent in the resist on the substrate is volatilized to some extent in a reduced pressure atmosphere to form a hard layer (a kind of altered layer) on the surface of the resist coating film. A vacuum drying process is performed. By performing a vacuum drying process that solidifies only the surface layer part while keeping the inside or bulk part of the resist coating film in a liquid state, the flow of the bulk resist is suppressed during pre-baking to reduce the occurrence of dry spots, and the film thickness Prevents unevenness from occurring. This increases the resist resolution during exposure.

このような減圧乾燥処理を行う基板処理装置は、基板を減圧下に保持するためのチャンバよりなる減圧乾燥ユニットを有する(例えば特許文献1参照)。減圧乾燥ユニットのチャンバは、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバと、この下部チャンバの上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバとを有しており、下部チャンバの中にはステージが配設されている。このステージ上にレジストが塗布処理された基板を水平に載置し、チャンバを閉じて室内を排気して減圧状態にする。   A substrate processing apparatus that performs such a reduced-pressure drying process includes a reduced-pressure drying unit that includes a chamber for holding the substrate under reduced pressure (see, for example, Patent Document 1). The vacuum drying unit chamber has a tray or shallow container-type lower chamber having an open top surface, and a lid-shaped upper chamber configured to be tightly fitted or fitted to the upper surface of the lower chamber. A stage is disposed in the lower chamber. A substrate coated with a resist is placed horizontally on this stage, the chamber is closed, and the chamber is evacuated to a reduced pressure state.

また、減圧乾燥ユニットのチャンバの中に、基板をピン先端で略水平に支えて上げ下げするために離散的に配置された多数のリフトピンを有するものがある(例えば特許文献2参照)。減圧乾燥処理を行うときはリフトピンの先端をコロ搬送路よりも高くして基板を支持し、基板の搬入出を行うときはリフトピンのピン先端をコロ搬送路よりも低くして搬送機構による基板のコロ搬送を可能としている。   Some chambers of the vacuum drying unit have a large number of lift pins that are discretely arranged to support the substrate substantially horizontally at the tip of the pin to raise and lower it (see, for example, Patent Document 2). When carrying out the vacuum drying process, the tip of the lift pin is made higher than the roller conveyance path to support the substrate, and when carrying the substrate in and out, the pin tip of the lift pin is made lower than the roller conveyance path to Rolling is possible.

特開2000−181079号公報JP 2000-181079 A 特開2008−124366号公報JP 2008-124366 A

上記のような基板処理装置においては、減圧乾燥ユニット内において、被処理基板を支持する支持部材が被処理基板に点状に接触した状態で、被処理基板が停止する。そのため、減圧乾燥処理して形成される塗布膜の膜厚にムラが生じやすいということが問題になっている。   In the substrate processing apparatus as described above, the substrate to be processed stops in a state where the supporting member that supports the substrate to be processed is in contact with the substrate to be processed in a point-like manner in the vacuum drying unit. Therefore, there is a problem that unevenness is likely to occur in the film thickness of the coating film formed by drying under reduced pressure.

例えば、塗布処理された被処理基板を、減圧乾燥ユニット内において搬送コロによってコロ搬送し、その搬送コロ上で停止させて減圧乾燥処理するときに、減圧乾燥処理して形成される塗布膜に点状に接触した搬送コロの跡が膜厚のムラとして残ってしまうことがある。また、塗布処理された被処理基板を、減圧乾燥ユニット内で搬送コロの上方に突出するリフトピンにより支持して減圧乾燥処理するときに、減圧乾燥処理して形成される塗布膜にリフトピンの跡が膜厚のムラとして残ってしまうことがある。更に、減圧乾燥ユニット以外の各ユニット及び搬送路においても、基板を停止すると、基板全面を均一に支持することができない。そのため、基板温度にムラが生じ、塗布処理、検査処理を含めた基板処理の各工程において、基板全面に均一に基板処理を行うことができないという問題がある。   For example, when the substrate to be processed is transported by a transport roller in a vacuum drying unit and stopped on the transport roller and subjected to a vacuum drying process, the coating film formed by the vacuum drying process is spotted. In some cases, the traces of the conveyance rollers that have come into contact with the film may remain as unevenness in film thickness. In addition, when the substrate to be processed that has been coated is supported by lift pins protruding above the transfer rollers in the vacuum drying unit and vacuum-dried, the lift pin marks are left on the coating film formed by the vacuum drying. It may remain as unevenness in film thickness. Furthermore, even in each unit other than the vacuum drying unit and the transport path, when the substrate is stopped, the entire surface of the substrate cannot be uniformly supported. Therefore, there is a problem that the substrate temperature is uneven, and the substrate processing cannot be performed uniformly on the entire surface of each substrate processing step including the coating process and the inspection process.

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、被処理基板に処理を行う基板処理装置において、基板全面に均一に基板処理を行うことができる基板処理装置及びその基板処理装置における基板処理方法を提供する。   The present invention has been made in view of the above points, and in a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed, the substrate processing apparatus capable of performing substrate processing uniformly on the entire surface of the substrate, and substrate processing in the substrate processing apparatus Provide a method.

上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。   In order to solve the above-described problems, the present invention is characterized by the following measures.

本発明の一実施例によれば、被処理基板を一方向に沿って搬送する搬送路の途中に設けられたステージ面を有し、前記被処理基板を前記ステージ面の上に載置する載置ステージと、前記ステージ面の下方で前記搬送路を横切る方向に延びる軸に沿って回転可能に設けられ、前記ステージ面より上方に突出可能な半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第1の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第1の弦部を備えた第1の回転体と、前記軸に沿って前記第1の回転体と独立して回転可能に設けられ、前記半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第2の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第2の弦部を備えた第2の回転体とを有する、基板処理装置が提供される。   According to one embodiment of the present invention, there is provided a stage surface provided in the middle of a transport path for transporting a substrate to be processed along one direction, and the substrate to be processed is placed on the stage surface. And a part of a rotating body that is rotatably provided along an axis extending in a direction crossing the conveyance path below the stage surface and projecting above the stage surface along the axis. And a first rotating body having a first chord portion that forms a surface substantially parallel to the stage surface when in the first rotation angle position, and the axis along the axis. The stage surface is provided so as to be rotatable independently of the first rotating body, is formed in a shape obtained by cutting off a part of the rotating body having the radius along the axis, and is at the second rotation angle position. Second with a second chord forming a plane substantially parallel to the And a rotary member, a substrate processing apparatus is provided.

また、本発明の一実施例によれば、被処理基板を一方向に沿って搬送する搬送路の途中に設けられたステージ面を有し、前記被処理基板を前記ステージ面の上に載置する載置ステージと、前記ステージ面の下方で前記搬送路を横切る方向に延びる軸に沿って回転可能に設けられ、前記ステージ面より上方に突出可能な半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第1の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第1の弦部を備えた第1の回転体と、前記軸に沿って前記第1の回転体と独立して回転可能に設けられ、前記半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第2の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第2の弦部を備えた第2の回転体とを有する、基板処理装置における基板処理方法であって、前記軸に沿って視たときに前記第1の弦部と前記第2の弦部とが重ならない状態で、前記第1の回転体と前記第2の回転体とを回転駆動して前記被処理基板を前記載置ステージ上に搬入する搬入工程と、前記第1の回転体の回転角度位置が前記第1の回転角度位置にあり、前記第2の回転体の回転角度位置が前記第2の回転角度位置にある状態で、前記第1の回転体の回転駆動及び前記第2の回転体の回転駆動を停止して、前記被処理基板を前記ステージ面に載置する載置工程とを有する、基板処理方法が提供される。   Further, according to one embodiment of the present invention, there is a stage surface provided in the middle of a transport path for transporting the substrate to be processed along one direction, and the substrate to be processed is placed on the stage surface. And a part of a rotating body that is provided so as to be rotatable along an axis extending in a direction crossing the conveyance path below the stage surface and has a radius capable of projecting upward from the stage surface. And a first rotating body having a first chord portion that forms a surface substantially parallel to the stage surface when in the first rotation angle position, and along the axis. Provided to be rotatable independently of the first rotating body, formed in a shape obtained by cutting off a part of the rotating body having the radius along the axis, and when in a second rotational angle position It has a second chord that forms a surface that is substantially parallel to the stage surface. A substrate processing method in a substrate processing apparatus, comprising: a second rotating body, wherein the first string portion and the second string portion do not overlap when viewed along the axis, A loading step of rotating the first rotating body and the second rotating body to load the substrate to be processed onto the placement stage; and a rotation angle position of the first rotating body is the first rotating body. Rotation drive of the first rotator and rotation drive of the second rotator are stopped in a state where the rotation angle position of the second rotator is at the second rotation angle position. And the board | substrate processing method which has the mounting process which mounts the said to-be-processed substrate on the said stage surface is provided.

本発明によれば、被処理基板に処理を行う基板処理装置及びその基板処理装置における基板処理方法において、基板全面に均一に基板処理を行うことができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in the substrate processing apparatus which processes to a to-be-processed substrate, and the substrate processing method in the substrate processing apparatus, substrate processing can be performed uniformly on the whole substrate surface.

第1の実施の形態に係る基板処理装置を適用した塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。1 is a plan view showing an overall configuration of a coating and developing treatment system to which a substrate processing apparatus according to a first embodiment is applied. 第1の実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおける1枚の基板に対する全工程の処理手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process sequence of all the processes with respect to one board | substrate in the coating and developing treatment system which is a substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニット、減圧乾燥ユニット及びプリベークユニットの構成を示す一部断面を含む平面図である。It is a top view including the partial cross section which shows the structure of the resist coating unit, the reduced pressure drying unit, and the prebaking unit in the coating and developing processing system which is the substrate processing apparatus according to the first embodiment. 第1の実施の形態に係る基板処理装置の減圧乾燥ユニットの構成を示す一部断面を含む側面図である。It is a side view including the partial cross section which shows the structure of the pressure reduction drying unit of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 載置ステージ、第1のコロ及び第2のコロの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of a mounting stage, a 1st roller, and a 2nd roller. 載置ステージ、第1のコロ及び第2のコロの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of a mounting stage, a 1st roller, and a 2nd roller. 第1のコロ及び第2のコロの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of a 1st roller and a 2nd roller. 載置ステージ及び第1のコロを、軸に沿って視たときの一部断面を含む図である。It is a figure containing a partial cross section when a mounting stage and a 1st roller are seen along an axis | shaft. 減圧乾燥ユニットを用いた基板処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the procedure of each process of the substrate processing method using a reduced pressure drying unit. 減圧乾燥ユニットを用いた基板処理方法の各工程における第1のコロ及び第2のコロの回転の様子を示す一部断面を含む図である(その1)。It is a figure including the partial cross section which shows the mode of rotation of the 1st roller and the 2nd roller in each process of the substrate processing method using a reduced pressure drying unit (the 1). 減圧乾燥ユニットを用いた基板処理方法の各工程における第1のコロ及び第2のコロの回転の様子を示す一部断面を含む図である(その2)。It is a figure including the partial cross section which shows the mode of rotation of the 1st roller and the 2nd roller in each process of the substrate processing method using a reduced pressure drying unit (the 2). 第1の実施の形態の第1の変形例における第1のコロ及び第2のコロの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the 1st roller in the 1st modification of 1st Embodiment, and a 2nd roller. 第1の実施の形態の第2の変形例における第1のコロ及び第2のコロの回転の様子を示す一部断面を含む図である。It is a figure including the partial cross section which shows the mode of rotation of the 1st roller and the 2nd roller in the 2nd modification of 1st Embodiment. 第2の実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニット、減圧乾燥ユニット及びプリベークユニットの構成を示す一部断面を含む平面図である。It is a top view including the partial cross section which shows the structure of the resist coating unit, the reduced pressure drying unit, and the prebaking unit in the coating and developing treatment system which is the substrate processing apparatus according to the second embodiment. 第3の実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおける検査ユニットの一部の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of a part of test | inspection unit in the coating-and-development processing system which is a substrate processing apparatus concerning 3rd Embodiment.

次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
(第1の実施の形態)
始めに、図1から図9を参照し、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
Next, a mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
First, a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図1は、本実施の形態に係る基板処理装置を適用した塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。   FIG. 1 is a plan view showing an overall configuration of a coating and developing treatment system to which a substrate processing apparatus according to the present embodiment is applied.

図1に示すように、塗布現像処理システム10は、例えばガラス基板(以下「基板G」という。)を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像及びポストベーク等の一連の処理を行う。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置12で行われる。   As shown in FIG. 1, a coating and developing processing system 10 uses, for example, a glass substrate (hereinafter referred to as “substrate G”) as a substrate to be processed, and cleaning, resist coating, pre-baking, and developing in a photolithography process in an LCD manufacturing process. And a series of processes such as post-baking. The exposure process is performed by an external exposure apparatus 12 installed adjacent to this system.

塗布現像処理システム10は、カセットステーション(C/S)14、プロセスステーション(P/S)16及びインタフェースステーション(I/F)18を有している。塗布現像処理システム10の中心部には横長のプロセスステーション(P/S)16が配置され、その長手方向(X方向)両端部にカセットステーション(C/S)14とインタフェースステーション(I/F)18とが配置されている。   The coating and developing processing system 10 includes a cassette station (C / S) 14, a process station (P / S) 16, and an interface station (I / F) 18. A laterally long process station (P / S) 16 is disposed at the center of the coating and developing treatment system 10, and a cassette station (C / S) 14 and an interface station (I / F) are arranged at both ends in the longitudinal direction (X direction). 18 are arranged.

カセットステーション(C/S)14は、システム10のカセット搬入出ポートであり、カセットステージ20及び搬送機構22を備えている。カセットステージ20は、基板Gを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットCを水平な一方向(Y方向)に4個まで並べて載置できる。搬送機構22は、カセットステージ20上のカセットCに対して基板Gの出し入れを行う。搬送機構22は、基板Gを1枚単位で保持できる搬送アーム22aを有し、X、Y、Z、θの4軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション(P/S)16側と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。   The cassette station (C / S) 14 is a cassette loading / unloading port of the system 10 and includes a cassette stage 20 and a conveyance mechanism 22. The cassette stage 20 can mount up to four cassettes C that can accommodate a plurality of substrates G in a horizontal direction (Y direction) by stacking the substrates G in multiple stages. The transport mechanism 22 moves the substrate G in and out of the cassette C on the cassette stage 20. The transport mechanism 22 includes a transport arm 22a that can hold the substrate G in units of one sheet, and can operate on four axes of X, Y, Z, and θ, and the adjacent process station (P / S) 16 side and the substrate. G can be delivered.

プロセスステーション(P/S)16は、水平なシステム長手方向(X方向)に延在する平行かつ逆向きの一対のプロセスラインA、Bを有している。また、プロセスラインA、Bには、各処理部がプロセスフローまたは工程の順に配置されている。   The process station (P / S) 16 has a pair of parallel and opposite process lines A and B extending in the horizontal system longitudinal direction (X direction). In the process lines A and B, the respective processing units are arranged in the order of process flow or process.

プロセスラインAは、カセットステーション(C/S)14側からインタフェースステーション(I/F)18側へ向う上流部のプロセスラインである。プロセスラインAは、搬入ユニット(IN PASS)24、洗浄プロセス部26、第1の熱的処理部28、塗布プロセス部30、第2の熱的処理部32及び第1の搬送路34を有している。搬入ユニット(IN PASS)24、洗浄プロセス部26、第1の熱的処理部28、塗布プロセス部30及び第2の熱的処理部32は、第1の搬送路34に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。なお、第1の搬送路34は、本発明における搬送路に相当する。   The process line A is an upstream process line from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side. The process line A includes a carry-in unit (IN PASS) 24, a cleaning process unit 26, a first thermal processing unit 28, a coating process unit 30, a second thermal processing unit 32, and a first transport path 34. ing. The carry-in unit (IN PASS) 24, the cleaning process unit 26, the first thermal processing unit 28, the coating process unit 30 and the second thermal processing unit 32 are arranged along the first transport path 34 from the upstream side. They are arranged in a row in order. The first transport path 34 corresponds to the transport path in the present invention.

搬入ユニット(IN PASS)24は、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22から未処理の基板Gを受け取り、被処理面を上に向けた状態で第1の搬送路34に投入する。洗浄プロセス部26は、第1の搬送路34に沿って上流側から順に設けられたエキシマUV照射ユニット(E−UV)36及びスクラバ洗浄ユニット(SCR)38を有している。第1の熱的処理部28は、上流側から順に設けられたアドヒージョンユニット(AD)40及び冷却ユニット(COL)42を有している。塗布プロセス部30は、上流側から順に設けられたレジスト塗布ユニット(COT)44及び減圧乾燥ユニット(VD)46を有している。第2の熱的処理部32は、上流側から順に設けられたプリベークユニット(PRE−BAKE)48及び冷却ユニット(COL)50を有している。第2の熱的処理部32の下流側隣に位置する第1の搬送路34の終点にはパスユニット(PASS)52が設けられている。第1の搬送路34上を搬送されてきた基板Gは、この終点のパスユニット(PASS)52からインタフェースステーション(I/F)18へ渡されるようになっている。   The carry-in unit (IN PASS) 24 receives the unprocessed substrate G from the transport mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14 and puts it into the first transport path 34 with the surface to be processed facing upward. The cleaning process unit 26 includes an excimer UV irradiation unit (E-UV) 36 and a scrubber cleaning unit (SCR) 38 provided in order from the upstream side along the first transport path 34. The first thermal processing unit 28 includes an adhesion unit (AD) 40 and a cooling unit (COL) 42 provided in order from the upstream side. The coating process unit 30 includes a resist coating unit (COT) 44 and a vacuum drying unit (VD) 46 that are provided in order from the upstream side. The second thermal processing unit 32 includes a pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 and a cooling unit (COL) 50 that are sequentially provided from the upstream side. A pass unit (PASS) 52 is provided at the end point of the first transport path 34 located on the downstream side of the second thermal processing unit 32. The substrate G that has been transported on the first transport path 34 is transferred from the end unit PASS 52 to the interface station (I / F) 18.

プロセスラインBは、インタフェースステーション(I/F)18側からカセットステーション(C/S)14側へ向う下流部のプロセスラインである。プロセスラインBは、現像ユニット(DEV)54、ポストベークユニット(POST−BAKE)56、冷却ユニット(COL)58、検査ユニット(AP)60、搬出ユニット(OUT−PASS)62及び第2の搬送路64を有している。現像ユニット(DEV)54、ポストベークユニット(POST−BAKE)56、冷却ユニット(COL)58、検査ユニット(AP)60及び搬出ユニット(OUT−PASS)62は、第2の搬送路64に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット(POST−BAKE)56及び冷却ユニット(COL)58は第3の熱的処理部66を構成する。搬出ユニット(OUT PASS)62は、第2の搬送路64から処理済の基板Gを1枚ずつ受け取って、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22に渡す。   The process line B is a downstream process line from the interface station (I / F) 18 side to the cassette station (C / S) 14 side. The process line B includes a development unit (DEV) 54, a post-bake unit (POST-BAKE) 56, a cooling unit (COL) 58, an inspection unit (AP) 60, a carry-out unit (OUT-PASS) 62, and a second conveyance path. 64. The development unit (DEV) 54, the post-bake unit (POST-BAKE) 56, the cooling unit (COL) 58, the inspection unit (AP) 60, and the carry-out unit (OUT-PASS) 62 are arranged along the second conveyance path 64. They are arranged in a line in this order from the upstream side. Here, the post-bake unit (POST-BAKE) 56 and the cooling unit (COL) 58 constitute a third thermal processing unit 66. The carry-out unit (OUT PASS) 62 receives the processed substrates G one by one from the second transport path 64 and passes them to the transport mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14.

両プロセスラインA、Bの間には補助搬送空間68が設けられており、基板Gを1枚単位で水平に載置可能なシャトル70が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向(X方向)で双方向に移動できるようになっている。   An auxiliary transfer space 68 is provided between the process lines A and B, and a shuttle 70 capable of placing the substrate G horizontally in units of one sheet is both in the process line direction (X direction) by a drive mechanism (not shown). You can move in the direction.

インタフェースステーション(I/F)18は、搬送装置72、ロータリステージ(R/S)74及び周辺装置76を有している。搬送装置72は、上記第1及び第2の搬送路34、64や隣接する露光装置12と基板Gのやりとりを行う。ロータリステージ(R/S)74及び周辺装置76は、搬送装置72の周囲に配置されている。ロータリステージ(R/S)74は、基板Gを水平面内で回転させるステージであり、露光装置12との受け渡しに際して長方形の基板Gの向きを変換するために用いられる。周辺装置76は、例えばタイトラー(TITLER)や周辺露光装置(EE)等よりなる。周辺装置76は、第2の搬送路64に接続されている。   The interface station (I / F) 18 includes a transfer device 72, a rotary stage (R / S) 74, and a peripheral device 76. The transfer device 72 exchanges the substrate G with the first and second transfer paths 34 and 64 and the adjacent exposure device 12. The rotary stage (R / S) 74 and the peripheral device 76 are arranged around the transport device 72. The rotary stage (R / S) 74 is a stage that rotates the substrate G in a horizontal plane, and is used to change the orientation of the rectangular substrate G when it is transferred to the exposure apparatus 12. The peripheral device 76 is composed of, for example, a titler (TITLER), a peripheral exposure device (EE), or the like. The peripheral device 76 is connected to the second transport path 64.

図2は、本実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおける1枚の基板に対する全工程の処理手順を示すフローチャートである。   FIG. 2 is a flowchart showing a processing procedure of all the steps for one substrate in the coating and developing treatment system as the substrate processing apparatus according to the present embodiment.

先ず、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22が、カセットステージ20上のいずれか1つのカセットCから基板Gを1枚取り出し、プロセスステーション(P/S)16のプロセスラインA側の搬入ユニット(IN PASS)24に搬入する(ステップS1)。搬入ユニット(IN PASS)24に搬入された基板Gは、第1の搬送路34上に移載または投入される。   First, the transport mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14 takes out one substrate G from any one of the cassettes C on the cassette stage 20 and carries it on the process line A side of the process station (P / S) 16. It is carried into the unit (IN PASS) 24 (step S1). The substrate G carried into the carry-in unit (IN PASS) 24 is transferred or loaded onto the first conveyance path 34.

第1の搬送路34に投入された基板Gは、最初に洗浄プロセス部26においてエキシマUV照射ユニット(E−UV)36及びスクラバ洗浄ユニット(SCR)38により紫外線洗浄処理(ステップS2)及びスクラビング洗浄処理(ステップS3)を順次施される。スクラバ洗浄ユニット(SCR)38において、基板Gは、基板表面から粒子状の汚れを除去するブラッシング洗浄やブロー洗浄が施され、その後にリンス処理が施され、最後にエアーナイフ等を用いて乾燥処理が施される。スクラバ洗浄ユニット(SCR)38における一連の洗浄処理が施された後、基板Gは第1の搬送路34を通って第1の熱的処理部28へ搬入される。   The substrate G put into the first transport path 34 is first subjected to an ultraviolet cleaning process (step S2) and a scrubbing cleaning by an excimer UV irradiation unit (E-UV) 36 and a scrubber cleaning unit (SCR) 38 in the cleaning process section 26. Processing (step S3) is sequentially performed. In the scrubber cleaning unit (SCR) 38, the substrate G is subjected to brushing cleaning and blow cleaning for removing particulate dirt from the substrate surface, followed by rinsing, and finally drying using an air knife or the like. Is given. After a series of cleaning processes in the scrubber cleaning unit (SCR) 38 is performed, the substrate G is carried into the first thermal processing unit 28 through the first transport path 34.

第1の熱的処理部28において、基板Gは、最初にアドヒージョンユニット(AD)40で蒸気状のHMDSを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される(ステップS4)。アドヒージョン処理が施された後、基板Gは冷却ユニット(COL)42で所定の基板温度まで冷却される(ステップS5)。その後、基板Gは第1の搬送路34を通って塗布プロセス部30へ搬入される。   In the first thermal processing section 28, the substrate G is first subjected to an adhesion process using vapor HMDS in the adhesion unit (AD) 40, and the surface to be processed is hydrophobized (step S4). After the adhesion process is performed, the substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by the cooling unit (COL) 42 (step S5). Thereafter, the substrate G is carried into the coating process unit 30 through the first transport path 34.

塗布プロセス部30において、基板Gは、最初にレジスト塗布ユニット(COT)44で基板上面(被処理面)にレジスト液を塗布処理され、その後に、減圧乾燥ユニット(VD)46で後述する減圧雰囲気下のレジスト乾燥処理を受ける(ステップS6)。その後、基板Gは、第1の搬送路34を通って第2の熱的処理部32へ搬入される。   In the coating process unit 30, the substrate G is first coated with a resist solution on the upper surface (surface to be processed) by a resist coating unit (COT) 44, and then a reduced pressure atmosphere described later by a reduced pressure drying unit (VD) 46. A lower resist drying process is performed (step S6). Thereafter, the substrate G passes through the first transfer path 34 and is carried into the second thermal processing unit 32.

第2の熱的処理部32において、基板Gは、最初にプリベークユニット(PRE−BAKE)48でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを施される(ステップS7)。このプリベーキングによって、基板G上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)50で所定の基板温度まで冷却される(ステップS8)。その後、基板Gは、第1の搬送路34の終点のパスユニット(PASS)52からインタフェースステーション(I/F)18の搬送装置72に引き取られる。   In the second thermal processing section 32, the substrate G is first pre-baked by the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 as a heat treatment after resist coating or a heat treatment before exposure (step S7). By this pre-baking, the solvent remaining in the resist film on the substrate G is evaporated and removed, and the adhesion of the resist film to the substrate is enhanced. Next, the substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by the cooling unit (COL) 50 (step S8). Thereafter, the substrate G is taken from the pass unit (PASS) 52 at the end point of the first transport path 34 to the transport device 72 of the interface station (I / F) 18.

インタフェースステーション(I/F)18において、基板Gは、ロータリステージ(R/S)74で例えば90度の方向変換を受けてから周辺装置76の周辺露光装置(EE)に搬入される。周辺露光装置に搬入された基板Gは、周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置12へ送られる(ステップS9)。   In the interface station (I / F) 18, the substrate G undergoes a direction change of, for example, 90 degrees by the rotary stage (R / S) 74 and then is carried into the peripheral exposure apparatus (EE) of the peripheral apparatus 76. The substrate G carried into the peripheral exposure apparatus is subjected to exposure for removing the resist adhering to the peripheral portion during development, and then sent to the adjacent exposure apparatus 12 (step S9).

露光装置12では、基板G上のレジストに所定の回路パターンが露光される。パターン露光が施された基板Gは、露光装置12からインタフェースステーション(I/F)18に戻されると(ステップS9)、先ず周辺装置76のタイトラー(TITLER)に搬入される。タイトラー(TITLER)において、基板Gは、基板上の所定の部位に所定の情報が記される(ステップS10)。その後、基板Gは、搬送装置72よりプロセスステーション(P/S)16のプロセスラインB側に敷設されている第2の搬送路64の始点に搬入される。   In the exposure apparatus 12, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. When the substrate G subjected to the pattern exposure is returned from the exposure apparatus 12 to the interface station (I / F) 18 (step S9), first, it is carried into a titler (TITLER) of the peripheral device 76. In the titler (TITLER), predetermined information is written on the substrate G at a predetermined portion on the substrate (step S10). Thereafter, the substrate G is carried into the starting point of the second conveyance path 64 laid on the process line B side of the process station (P / S) 16 from the conveyance device 72.

こうして、基板Gは、今度は第2の搬送路64上を、被処理面を上に向けた状態でプロセスラインBの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット(DEV)54において、基板Gは、現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される(ステップS11)。   In this way, the substrate G is now transported on the second transport path 64 toward the downstream side of the process line B with the surface to be processed facing upward. In the first development unit (DEV) 54, the substrate G is subjected to a series of development processes of development, rinsing, and drying (step S11).

現像ユニット(DEV)54で一連の現像処理が施された基板Gは、第2の搬送路64を通って第3の熱的処理部66及び検査ユニット(AP)60に順次搬入される。第3の熱的処理部66において、基板Gは、最初にポストベークユニット(POST−BAKE)56で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける(ステップS12)。このポストベーキングによって、基板G上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)58で所定の基板温度に冷却される(ステップS13)。検査ユニット(AP)60では、基板G上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる(ステップS14)。   The substrate G that has undergone a series of development processing in the development unit (DEV) 54 is sequentially carried into the third thermal processing unit 66 and the inspection unit (AP) 60 through the second transport path 64. In the third thermal processing section 66, the substrate G is first subjected to post-baking as post-development heat treatment in the post-bake unit (POST-BAKE) 56 (step S12). By this post-baking, the developing solution and the cleaning solution remaining in the resist film on the substrate G are removed by evaporation, and the adhesion of the resist pattern to the substrate is enhanced. Next, the substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by the cooling unit (COL) 58 (step S13). In the inspection unit (AP) 60, non-contact line width inspection, film quality / film thickness inspection, and the like are performed on the resist pattern on the substrate G (step S14).

搬出ユニット(OUT PASS)62は、第2の搬送路64から全工程の処理を終えてきた基板Gを受け取って、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22へ渡す。カセットステーション(C/S)14側では、搬送機構22が、搬出ユニット(OUT PASS)62から受け取った処理済の基板Gをいずれか1つ(通常は元)のカセットCに収容する(ステップS1)。   The carry-out unit (OUT PASS) 62 receives the substrate G that has been processed in all steps from the second transfer path 64 and transfers it to the transfer mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14. On the cassette station (C / S) 14 side, the transport mechanism 22 accommodates the processed substrate G received from the carry-out unit (OUT PASS) 62 in any one (usually the original) cassette C (step S1). ).

塗布現像処理システム10においては、塗布プロセス部30のレジスト塗布ユニット(CT)44から第2の熱的処理部32のプリベークユニット(PRE−BAKE)48までのレジスト処理部(44、46、48)のうち、特に減圧乾燥ユニット(VD)46に本発明を適用することができる。以下、図3から図9を参照し、本実施の形態におけるレジスト処理部(44、46、48)の構成及び作用を詳細に説明する。   In the coating and developing treatment system 10, resist processing units (44, 46, 48) from the resist coating unit (CT) 44 of the coating process unit 30 to the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 of the second thermal processing unit 32. Of these, the present invention is particularly applicable to the vacuum drying unit (VD) 46. Hereinafter, with reference to FIGS. 3 to 9, the configuration and operation of the resist processing unit (44, 46, 48) in the present embodiment will be described in detail.

図3は、本実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニット、減圧乾燥ユニット及びプリベークユニットの構成を示す一部断面を含む平面図である。   FIG. 3 is a plan view including a partial cross-section showing configurations of a resist coating unit, a vacuum drying unit, and a pre-bake unit in the coating and developing processing system which is the substrate processing apparatus according to the present embodiment.

図3に示すように、レジスト塗布ユニット(COT)44は、塗布処理用浮上ステージ80、基板搬送機構82、レジストノズル84及びリフレッシュ部86を有している。塗布処理用浮上ステージ80は、第1の搬送路34の一部または一区間を構成する。基板搬送機構82は、塗布処理用浮上ステージ80上で浮上している基板Gを塗布処理用浮上ステージ80の長手方向(X方向)に搬送する。レジストノズル84は、塗布処理用浮上ステージ80上を搬送される基板Gの上面にレジスト液を供給する。ノズルリフレッシュ部86は、塗布処理の合間にレジストノズル84をリフレッシュする。   As shown in FIG. 3, the resist coating unit (COT) 44 includes a coating processing floating stage 80, a substrate transport mechanism 82, a resist nozzle 84, and a refresh unit 86. The coating treatment floating stage 80 constitutes a part or one section of the first conveyance path 34. The substrate transport mechanism 82 transports the substrate G floating on the coating treatment floating stage 80 in the longitudinal direction (X direction) of the coating treatment floating stage 80. The resist nozzle 84 supplies a resist solution to the upper surface of the substrate G conveyed on the coating treatment floating stage 80. The nozzle refresh unit 86 refreshes the resist nozzle 84 between coating processes.

塗布処理用浮上ステージ80の上面には所定のガス(例えばエア)を上方に噴射する多数のガス噴射孔88が設けられており、それらのガス噴射孔88から噴射されるガスの圧力によって基板Gがステージ上面から一定の高さに浮上するように構成されている。   A large number of gas injection holes 88 for injecting a predetermined gas (for example, air) upward are provided on the upper surface of the coating treatment levitation stage 80, and the pressure of the gas injected from these gas injection holes 88 allows the substrate G to be injected. Is configured to float at a certain height from the upper surface of the stage.

基板搬送機構82は、ガイドレール90a、90b、スライダ92を備えている。ガイドレール90a、90bは、塗布処理用浮上ステージ80を挟んでX方向に延びる一対のガイドレールである。スライダ92は、ガイドレール90a、90bに沿って往復移動可能に設けられている。また、スライダ92には、塗布処理用浮上ステージ80上で基板Gの両側端部を着脱可能に保持するように、吸着パッド等の基板保持部材(図示せず)が設けられている。また、基板搬送機構82には、図示しない直進移動機構が設けられており、直進移動機構によりスライダ92を搬送方向(X方向)に移動させることによって、塗布処理用浮上ステージ80上で基板Gの浮上搬送を行うように構成されている。   The substrate transport mechanism 82 includes guide rails 90 a and 90 b and a slider 92. The guide rails 90a and 90b are a pair of guide rails extending in the X direction with the coating treatment floating stage 80 interposed therebetween. The slider 92 is provided so as to be able to reciprocate along the guide rails 90a and 90b. Further, the slider 92 is provided with a substrate holding member (not shown) such as a suction pad so as to detachably hold both side ends of the substrate G on the coating treatment floating stage 80. Further, the substrate transport mechanism 82 is provided with a linear movement mechanism (not shown). By moving the slider 92 in the transport direction (X direction) by the linear movement mechanism, the substrate G is moved on the coating treatment floating stage 80. It is configured to perform floating transportation.

レジストノズル84は、塗布処理用浮上ステージ80の上方を搬送方向(X方向)と直交する水平方向(Y方向)に横断して延びる長尺形ノズルである。レジストノズル84は、所定の塗布位置でその直下を通過する基板Gの上面に対してスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出するようになっている。また、レジストノズル84は、このノズルを支持するノズル支持部材94と一体にX方向に移動可能、かつZ方向に昇降可能に構成されており、上記塗布位置とノズルリフレッシュ部86との間で移動できるようになっている。   The resist nozzle 84 is an elongate nozzle extending across the upper part of the coating treatment floating stage 80 in the horizontal direction (Y direction) orthogonal to the transport direction (X direction). The resist nozzle 84 discharges the resist liquid in a strip shape from the slit-shaped discharge port to the upper surface of the substrate G passing immediately below at a predetermined application position. Further, the resist nozzle 84 is configured to be movable in the X direction integrally with the nozzle support member 94 that supports the nozzle, and is movable up and down in the Z direction, and moves between the application position and the nozzle refreshing portion 86. It can be done.

ノズルリフレッシュ部86は、プライミング処理部98、ノズルバス100及びノズル洗浄機構102を備えている。プライミング処理部98は、塗布処理用浮上ステージ80の上方の所定位置で支柱部材96に保持されており、塗布処理のための下準備としてレジストノズル84にレジスト液を吐出させるためのものである。ノズルバス100は、レジストノズル84のレジスト吐出口を乾燥防止の目的から溶剤蒸気の雰囲気中に保つためのものである。洗浄機構102は、ノズルバス100と、レジストノズル84のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのものである。   The nozzle refresh unit 86 includes a priming processing unit 98, a nozzle bath 100, and a nozzle cleaning mechanism 102. The priming processing unit 98 is held by the support member 96 at a predetermined position above the coating processing floating stage 80, and discharges the resist solution to the resist nozzle 84 as a preparation for the coating processing. The nozzle bath 100 is for keeping the resist discharge port of the resist nozzle 84 in a solvent vapor atmosphere for the purpose of preventing drying. The cleaning mechanism 102 is for removing the resist adhering to the vicinity of the resist discharge port of the nozzle bath 100 and the resist nozzle 84.

ここで、レジスト塗布ユニット(COT)44における主な作用を説明する。先ず、上流側の第1の熱的処理部28(図1)より例えばコロ搬送で搬送されてきた基板Gが、塗布処理用浮上ステージ80上の前端側に設定された搬入部に搬入され、そこで待機していたスライダ92が基板Gを保持して受け取る。塗布処理用浮上ステージ80上で基板Gはガス噴射孔88より噴射されるガス(エア)の圧力を受けて略水平な姿勢で浮上状態を保つ。   Here, main actions in the resist coating unit (COT) 44 will be described. First, the substrate G transported by, for example, roller transport from the first thermal processing section 28 (FIG. 1) on the upstream side is transported to a transport section set on the front end side on the coating treatment floating stage 80, The slider 92 that has been waiting there holds and receives the substrate G. On the coating treatment floating stage 80, the substrate G receives the pressure of the gas (air) injected from the gas injection holes 88 and keeps the floating state in a substantially horizontal posture.

基板Gは、スライダ92に保持された状態で減圧乾燥ユニット(VD)46側に向かって搬送方向(X方向)に搬送される。そして、基板Gがレジストノズル84の下を通過する際に、レジストノズル84が基板Gの上面である被処理面に向けて液状のレジスト液を帯状に吐出することにより、基板Gの被処理面上に基板前端から後端に向ってレジストが塗布処理される。レジストが塗布処理された基板Gは、スライダ92により塗布処理用浮上ステージ80上で浮上搬送され、塗布処理用浮上ステージ80の後端を越えると、受け渡し用のコロ搬送路104に受け渡される。コロ搬送路104に受け渡された基板Gは、下流側の減圧乾燥ユニット(VD)46へ搬入される。   The substrate G is transported in the transport direction (X direction) toward the reduced-pressure drying unit (VD) 46 while being held by the slider 92. When the substrate G passes under the resist nozzle 84, the resist nozzle 84 discharges a liquid resist solution in a strip shape toward the surface to be processed which is the upper surface of the substrate G. A resist is coated on the substrate from the front end toward the rear end. The substrate G on which the resist has been applied is levitated and conveyed on the floating stage 80 for application treatment by the slider 92, and is transferred to the transfer roller conveyance path 104 for passing over the rear end of the application treatment floating stage 80. The substrate G delivered to the roller conveyance path 104 is carried into the downstream reduced pressure drying unit (VD) 46.

一方、塗布処理が施された基板Gを減圧乾燥ユニット(VD)46側へ搬出した後、スライダ92は次の基板Gを受け取るために塗布処理用浮上ステージ80の前端側の搬入部へ戻る。また、レジストノズル84は、1回または複数回の塗布処理を終えると、塗布位置(レジスト吐出位置)からノズルリフレッシュ部86へ移動してそこでノズル洗浄やプライミング処理等のリフレッシュないし下準備をしてから、塗布位置に戻る。   On the other hand, after the substrate G on which the coating process has been performed is carried out to the reduced pressure drying unit (VD) 46 side, the slider 92 returns to the carry-in portion on the front end side of the coating processing floating stage 80 in order to receive the next substrate G. The resist nozzle 84 moves from the application position (resist discharge position) to the nozzle refresh unit 86 after completing one or a plurality of application processes, and refreshes or prepares for nozzle cleaning and priming processes there. To return to the application position.

図3に示すように、第1の搬送路34の途中であって、レジスト塗布ユニット(COT)44の塗布処理用浮上ステージ80の延長線上(下流側)には、コロ搬送路104及び減圧乾燥ユニット(VD)46が設けられている。また、減圧乾燥ユニット(VD)46の延長線上(下流側)には、コロ搬送路105及びプリベークユニット(PREBAKE)48が設けられている。   As shown in FIG. 3, in the middle of the first conveyance path 34, on the extension line (downstream side) of the coating treatment floating stage 80 of the resist coating unit (COT) 44, the roller conveyance path 104 and the vacuum drying are performed. A unit (VD) 46 is provided. Further, a roller conveyance path 105 and a pre-bake unit (PREBAKE) 48 are provided on the extension line (downstream side) of the reduced pressure drying unit (VD) 46.

次に、図3及び図4を参照し、減圧乾燥ユニット(VD)46について説明する。図4は、本実施の形態に係る基板処理装置の減圧乾燥ユニットの構成を示す一部断面を含む側面図である。   Next, the vacuum drying unit (VD) 46 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 4 is a side view including a partial cross section showing the configuration of the vacuum drying unit of the substrate processing apparatus according to the present embodiment.

図3に示すように、レジスト塗布ユニット(COT)44の塗布処理用浮上ステージ80の延長上(下流側)には、第1の搬送路34の一部または一区間を構成するコロ搬送路104が敷設されている。コロ搬送路104は、減圧乾燥ユニット(VD)46の後述するチャンバ106の中と外(前後)で連続して敷設されている。   As shown in FIG. 3, on the extension (downstream side) of the coating treatment floating stage 80 of the resist coating unit (COT) 44, the roller transport path 104 constituting a part or one section of the first transport path 34. Is laid. The roller conveyance path 104 is continuously laid inside and outside (front and rear) of a chamber 106 described later of the reduced-pressure drying unit (VD) 46.

コロ搬送路104は、搬入側コロ搬送路104a、内部コロ搬送路104b及び搬出側コロ搬送路104cを有する。   The roller conveyance path 104 includes a carry-in side roller conveyance path 104a, an internal roller conveyance path 104b, and a carry-out side roller conveyance path 104c.

搬入側コロ搬送路104aは、チャンバ106の搬送上流側つまり搬入側に敷設されている。搬入側コロ搬送路104aは、レジスト塗布ユニット(COT)44の塗布処理用浮上ステージ80から浮上搬送の延長で搬出された基板Gを受け取り、減圧乾燥ユニット(VD)46のチャンバ106内へコロ搬送する。搬入側コロ搬送路104aは、搬送方向(X方向)にそれぞれ適当な間隔で配置した複数本のコロ108aを各独立または共通の搬送駆動部により回転させて、基板Gをコロ搬送で搬送方向(X方向)に送るようになっている。   The carry-in side roller conveyance path 104 a is laid on the conveyance upstream side of the chamber 106, that is, on the carry-in side. The carry-in side roller conveyance path 104 a receives the substrate G unloaded from the coating treatment floating stage 80 of the resist coating unit (COT) 44 as an extension of the floating conveyance and rolls it into the chamber 106 of the vacuum drying unit (VD) 46. To do. In the carry-in side roller conveyance path 104a, a plurality of rollers 108a arranged at appropriate intervals in the conveyance direction (X direction) are rotated by each independent or common conveyance drive unit, and the substrate G is conveyed in the conveyance direction ( (X direction).

搬出側コロ搬送路104cは、チャンバ106の搬送下流側つまり搬出側に敷設されている。搬出側コロ搬送路104cは、チャンバ106内から送り出されてくる処理済の基板Gを同速度のコロ搬送で引き出して後段の処理部(第2の熱的処理部32)へ送る。搬出側コロ搬送路104cは、搬送方向(X方向)にそれぞれ適当な間隔で配置した複数本のコロ108cを各独立または共通の搬送駆動部により回転させて、基板Gをコロ搬送で搬送方向(X方向)に送るようになっている。   The carry-out side roller conveyance path 104c is laid on the conveyance downstream side of the chamber 106, that is, on the carry-out side. The carry-out side roller conveyance path 104c pulls out the processed substrate G sent out from the chamber 106 by roller conveyance at the same speed and sends it to the subsequent processing unit (second thermal processing unit 32). The carry-out side roller conveyance path 104c rotates a plurality of rollers 108c arranged at appropriate intervals in the conveyance direction (X direction) by each independent or common conveyance drive unit to convey the substrate G in the conveyance direction ( (X direction).

一方、内部コロ搬送路104bは、後述するように、チャンバ106内に敷設されている。内部コロ搬送路104bは、載置ステージ150のステージ面152より上方に突出可能に設けられている。内部コロ搬送路104bは、搬入側コロ搬送路104aからコロ搬送で送られてくる基板Gを同速度のコロ搬送でチャンバ106内に引き込むとともに、チャンバ106内で減圧乾燥処理の済んだ基板Gをチャンバ106の外(後段)へコロ搬送で送り出す。   On the other hand, the inner roller conveyance path 104b is laid in the chamber 106 as described later. The inner roller conveyance path 104b is provided so as to protrude upward from the stage surface 152 of the mounting stage 150. The internal roller transport path 104b draws the substrate G sent by the roller transport from the carry-in side roller transport path 104a into the chamber 106 by roller transport at the same speed, and the substrate G that has been subjected to the vacuum drying process in the chamber 106. Roll out to the outside of the chamber 106 (back stage) by roller conveyance.

図3及び図4に示すように、減圧乾燥ユニット(VD)46は、チャンバ106、内部コロ搬送路104bを有する。内部コロ搬送路104bは、載置ステージ150、第1のコロ160及び第2のコロ170を有する。   As shown in FIGS. 3 and 4, the vacuum drying unit (VD) 46 includes a chamber 106 and an internal roller conveyance path 104 b. The inner roller conveyance path 104b includes a placement stage 150, a first roller 160, and a second roller 170.

チャンバ106は、比較的扁平な直方体に形成され、その中に基板Gを水平に収容するための空間を有している。このチャンバ106の搬送方向(X方向)において互いに向き合う一対(上流側および下流側)のチャンバ側壁には、基板Gが平流しでようやく通れる大きさに形成されたスリット状の搬入口110および搬出口112がそれぞれ設けられている。さらに、これらの搬入口110および搬出口112を開閉するためのゲート機構114、116がチャンバ106の外壁に取り付けられている。チャンバ106の上面部または上蓋118は、メンテナンス用に取り外し可能になっている。   The chamber 106 is formed in a relatively flat rectangular parallelepiped, and has a space for horizontally accommodating the substrate G therein. A pair of (upstream and downstream) chamber sidewalls facing each other in the transport direction (X direction) of the chamber 106 is formed with a slit-shaped transport inlet 110 and a transport outlet formed so as to allow the substrate G to pass through in a flat flow. 112 are provided. Furthermore, gate mechanisms 114 and 116 for opening and closing the carry-in port 110 and the carry-out port 112 are attached to the outer wall of the chamber 106. The upper surface portion or upper lid 118 of the chamber 106 is removable for maintenance.

チャンバ106の底壁には1箇所または複数個所に排気口138が形成されている。これらの排気口138には排気管140を介して真空排気装置142が接続されている。各真空排気装置142は、チャンバ106を真空排気する真空ポンプを有している。これにより、チャンバ106は、チャンバ106内を大気圧状態から所定の真空度の減圧状態に減圧可能に設けられている。   An exhaust port 138 is formed at one or a plurality of locations on the bottom wall of the chamber 106. A vacuum exhaust device 142 is connected to these exhaust ports 138 through an exhaust pipe 140. Each evacuation device 142 includes a vacuum pump that evacuates the chamber 106. Thereby, the chamber 106 is provided so that the inside of the chamber 106 can be depressurized from an atmospheric pressure state to a depressurized state with a predetermined degree of vacuum.

チャンバ106内の両端部、つまり搬入口110および搬出口112の近くで内部コロ搬送路104bよりも低い位置に、Y方向に延びる円筒状の窒素ガス噴出部144が設けられている。これらの窒素ガス噴出部144は、たとえば金属粉末を焼結してなる多孔質の中空管からなり、窒素ガス供給源(図示せず)に接続されている。減圧乾燥処理の終了後にチャンバ106を密閉したまま減圧状態から大気圧状態に戻す際に、これらの窒素ガス噴出部144が管の全周面から窒素ガスを噴き出すようになっている。   Cylindrical nitrogen gas ejection portions 144 extending in the Y direction are provided at both ends in the chamber 106, that is, near the carry-in port 110 and the carry-out port 112 and lower than the internal roller transport path 104 b. These nitrogen gas ejection parts 144 are made of, for example, a porous hollow tube formed by sintering metal powder, and are connected to a nitrogen gas supply source (not shown). When returning from the reduced pressure state to the atmospheric pressure state with the chamber 106 sealed after completion of the reduced pressure drying process, these nitrogen gas ejection portions 144 eject nitrogen gas from the entire circumferential surface of the tube.

ここで、図3から図8を参照し、載置ステージ、第1のコロ及び第2のコロについて説明する。図5及び図6は、載置ステージ、第1のコロ及び第2のコロの構成を示す斜視図である。図7は、第1のコロ及び第2のコロの構成を示す斜視図である。図5は、図3において点線Iで囲まれた部分を切り出して示す。図6及び図7は、図5における点線IIで囲まれた第1のコロ及び第2のコロの周辺を拡大して示す図である。図8は、載置ステージ及び第1のコロを、軸に沿って視たときの一部断面を含む図である。図8では、第1のコロ及び第2のコロを第1のコロで代表し、第2のコロの図示を省略している。図8(a)は、第1のコロがステージ面と同一の平面を形成している状態を示す。図8(b)及び図8(c)は、第1のコロがステージ面より上方に突出している状態を示す。   Here, the mounting stage, the first roller, and the second roller will be described with reference to FIGS. 5 and 6 are perspective views showing the configuration of the mounting stage, the first roller, and the second roller. FIG. 7 is a perspective view showing the configuration of the first roller and the second roller. FIG. 5 shows a portion surrounded by a dotted line I in FIG. 6 and 7 are enlarged views showing the periphery of the first roller and the second roller surrounded by the dotted line II in FIG. FIG. 8 is a diagram including a partial cross section when the mounting stage and the first roller are viewed along the axis. In FIG. 8, the first roller and the second roller are represented by the first roller, and the second roller is not shown. FIG. 8A shows a state where the first roller forms the same plane as the stage surface. FIG. 8B and FIG. 8C show a state in which the first roller protrudes upward from the stage surface.

図3及び図4に示すように、載置ステージ150は、チャンバ106内に設けられている。載置ステージ150は、基板Gを一方向に沿って搬送する第1の搬送路34の途中に設けられている。載置ステージ150は、ステージ面152を有し、基板Gをステージ面152の上に載置する。ステージ面152は、水平面に略平行であり、平面視において基板Gと略同じ大きさか、又は基板Gより少し大きくなるように設けられている。また、ステージ面152には開口部154が形成されており、開口部154を除いて平坦な面を形成している。   As shown in FIGS. 3 and 4, the mounting stage 150 is provided in the chamber 106. The mounting stage 150 is provided in the middle of the 1st conveyance path 34 which conveys the board | substrate G along one direction. The placement stage 150 has a stage surface 152 and places the substrate G on the stage surface 152. The stage surface 152 is substantially parallel to the horizontal plane, and is provided so as to be approximately the same size as the substrate G or slightly larger than the substrate G in plan view. An opening 154 is formed in the stage surface 152, and a flat surface is formed except for the opening 154.

図5から図7に示すように、第1のコロ160及び第2のコロ170は、ステージ面152の下方で搬送路を横切る方向(Y方向)に延びる軸156に沿って互いに独立して回転可能に設けられている。   As shown in FIGS. 5 to 7, the first roller 160 and the second roller 170 rotate independently of each other along an axis 156 extending in the direction (Y direction) across the conveyance path below the stage surface 152. It is provided as possible.

第1のコロ160は、軸156に対して軸対称であってステージ面152より上方に突出可能な半径を有するコロの一部を軸156に沿って切り落とした形状に形成されている。第1のコロ160は、第1の円弧部162と、第1の回転角度位置にあるときにステージ面152と同一の平面を形成する第1の弦部164とを有する。第2のコロ170も、軸156に対して軸対称であってステージ面152より上方に突出可能な半径を有するコロの一部を軸156に沿って切り落とした形状に形成されている。第2のコロ170は、第2の円弧部172と、第2の回転角度位置にあるときにステージ面152と同一の平面を形成する第2の弦部174とを有する。第2のコロ170も、第1のコロ160も、等しい半径を有するコロの一部を軸156に沿って切り落とした形状に形成されることができる。   The first roller 160 is formed in a shape in which a part of a roller having a radius which is axially symmetric with respect to the axis 156 and can protrude above the stage surface 152 is cut off along the axis 156. The first roller 160 includes a first arc portion 162 and a first chord portion 164 that forms the same plane as the stage surface 152 when in the first rotation angle position. The second roller 170 is also formed in a shape in which a part of a roller having a radius that is axially symmetric with respect to the axis 156 and can protrude above the stage surface 152 is cut off along the axis 156. The second roller 170 has a second arc portion 172 and a second chord portion 174 that forms the same plane as the stage surface 152 when in the second rotation angle position. Both the second roller 170 and the first roller 160 can be formed in a shape in which a part of a roller having the same radius is cut off along the axis 156.

なお、本実施の形態におけるコロは、本発明における回転体に相当する。また、本実施の形態におけるコロとは、半径に対する回転軸方向の長さの比率が大きな円柱形状(丸棒形状)の回転体も、半径に対する回転軸方向の長さの比率が小さな円板形状の回転体も含むものとする。   In addition, the roller in this Embodiment is corresponded to the rotary body in this invention. In addition, the roller in the present embodiment is a cylindrical shape (round bar shape) having a large ratio of the length in the rotation axis direction to the radius, and a disk shape having a small ratio of the length in the rotation axis direction to the radius. The rotating body is also included.

また、以下では、一例として、第1の弦部164及び第2の弦部174が、ステージ面152と同一の平面を形成する場合について説明する。ここで、ステージ面152と同一の平面とは、ステージ面152と等しい高さの平面を意味する。しかしながら、第1の弦部164、第2の弦部174が形成する平面は、ステージ面152と同一の平面(等しい高さの平面)に限定されず、ステージ面152と略同一の平面(略等しい高さの平面)であってもよい。また、第1の弦部164及び第2の弦部174は、後述するように、エンボス加工やブラスト加工により形成してもよく、凹凸や溝が形成されていてもよい。更に、第1の弦部164及び第2の弦部174が形成する平面が、ステージ面152と少し異なる高さにある場合も含まれる。従って、第1の弦部164は、第1の回転角度位置にあるときにステージ面152と略平行な面を形成するものであってもよい。また、第2の弦部174は、第2の回転角度位置にあるときにステージ面152と略平行な面を形成するものであってもよい。   In the following, a case where the first string portion 164 and the second string portion 174 form the same plane as the stage surface 152 will be described as an example. Here, the same plane as the stage surface 152 means a plane having the same height as the stage surface 152. However, the plane formed by the first chord part 164 and the second chord part 174 is not limited to the same plane as the stage surface 152 (a plane having the same height), and is substantially the same plane (substantially the same as the stage surface 152). It may be a plane of equal height). Further, as will be described later, the first string portion 164 and the second string portion 174 may be formed by embossing or blasting, and irregularities or grooves may be formed. Furthermore, the case where the plane formed by the first chord portion 164 and the second chord portion 174 is slightly different from the stage surface 152 is also included. Therefore, the first chord portion 164 may form a surface substantially parallel to the stage surface 152 when in the first rotation angle position. Further, the second string portion 174 may form a surface substantially parallel to the stage surface 152 when in the second rotation angle position.

図8に示すように、第1のコロ160の第1の円弧部162の半径をR1、軸156から載置ステージ150のステージ面152までの距離をD0、軸156から第1の弦部164までの距離をD1とする。そして、図8では図示を省略するが、第2のコロ170の第2の円弧部172の半径をR2、軸156から第2の弦部174までの距離をD2とする。そして、R1=R2、D0=D1=D2とする。すなわち、第2の円弧部172の半径R2を、第1の円弧部162の半径R1と等しくする。また、軸156から第1の弦部164までの距離D1及び軸156から第2の弦部174までの距離D2を、軸156から載置ステージ150のステージ面152までの距離D0と等しくする。   As shown in FIG. 8, the radius of the first arc portion 162 of the first roller 160 is R1, the distance from the shaft 156 to the stage surface 152 of the mounting stage 150 is D0, and the first chord portion 164 is from the shaft 156. The distance to is D1. Although not shown in FIG. 8, the radius of the second arc portion 172 of the second roller 170 is R2, and the distance from the shaft 156 to the second chord portion 174 is D2. Then, R1 = R2 and D0 = D1 = D2. That is, the radius R2 of the second arc portion 172 is made equal to the radius R1 of the first arc portion 162. Further, the distance D1 from the shaft 156 to the first chord portion 164 and the distance D2 from the shaft 156 to the second chord portion 174 are made equal to the distance D0 from the shaft 156 to the stage surface 152 of the mounting stage 150.

また、円において、中心から弦までの距離は、半径よりも小さいことから、D1<R1、D2<R2が成り立つ。すなわち、軸156から第1の弦部164までの距離D1は、第1の円弧部162の半径R1より小さく、軸156から第2の弦部174までの距離D2は、第2の円弧部172の半径R2より小さい。   In the circle, since the distance from the center to the chord is smaller than the radius, D1 <R1 and D2 <R2 hold. That is, the distance D1 from the shaft 156 to the first chord portion 164 is smaller than the radius R1 of the first arc portion 162, and the distance D2 from the shaft 156 to the second chord portion 174 is the second arc portion 172. Smaller than the radius R2.

以上の関係を満たすことにより、第1のコロ160における回転角度位置とステージ面152からの突出の有無の関係は、次のようになる。   By satisfying the above relationship, the relationship between the rotation angle position of the first roller 160 and the presence or absence of protrusion from the stage surface 152 is as follows.

第1の弦部164がステージ面152と平行になるような回転角度位置(第1の回転角度位置)にあるときは、図8(a)に示すように、第1の弦部164は、ステージ面152と同一の平面を形成することができる。図8(a)に示す状態では、第1のコロ160は、いずれの部分でもステージ面152より突出していない。また、回転角度位置が第1の回転角度位置でないときは、図8(b)に示すように、第1の円弧部162が開口部154を介してステージ面152より上方に突出する。特に、第1の弦部164が完全にステージ面152より下方になるような回転角度位置の範囲にあるときは、図8(c)に示すように、第1の円弧部162のみが開口部154を介してステージ面152より上方に突出する。図8(c)に示す状態では、第1のコロ160は、最高点においてステージ面152より距離R1−D0だけ突出する。   When the first chord portion 164 is at a rotation angle position (first rotation angle position) such that the first chord portion 164 is parallel to the stage surface 152, as shown in FIG. The same plane as the stage surface 152 can be formed. In the state shown in FIG. 8A, the first roller 160 does not protrude from the stage surface 152 at any part. When the rotation angle position is not the first rotation angle position, the first arc portion 162 protrudes above the stage surface 152 via the opening 154 as shown in FIG. In particular, when the first chord portion 164 is in the range of the rotation angle position so as to be completely below the stage surface 152, only the first arc portion 162 has an opening as shown in FIG. It protrudes upward from the stage surface 152 via 154. In the state shown in FIG. 8C, the first roller 160 protrudes from the stage surface 152 by the distance R1-D0 at the highest point.

また、第2のコロ170における回転角度位置とステージ面152より上方への突出の有無の関係も、上記した第1のコロ160における回転角度位置とステージ面152より上方への突出の有無の関係と同様である。すなわち、第2の弦部174がステージ面152と平行になるような回転角度位置(第2の回転角度位置)にあるときは、第2の弦部174は、ステージ面152と同一の平面を形成する。   Further, the relationship between the rotational angle position of the second roller 170 and the presence or absence of the upward projection from the stage surface 152 is also the relationship between the rotational angle position of the first roller 160 and the presence or absence of the upward projection from the stage surface 152. It is the same. That is, when the second string portion 174 is at a rotation angle position (second rotation angle position) such that the second string portion 174 is parallel to the stage surface 152, the second string portion 174 has the same plane as the stage surface 152. Form.

また、第1のコロ160が第1の回転角度位置にあり、第2のコロ170が第2の回転角度位置にあるときに、載置ステージ150は、基板Gを、開口部154を含むステージ面152の略全面に当接して載置することができる。   In addition, when the first roller 160 is at the first rotation angle position and the second roller 170 is at the second rotation angle position, the mounting stage 150 places the substrate G on the stage including the opening 154. It can be placed in contact with substantially the entire surface 152.

図4に示すように、第1のコロ160及び第2のコロ170よりなる内部搬送路104bは、その軸156が、搬入側コロ搬送路104a、搬出側コロ搬送路104c及び搬入出口(110、112)に対応した高さ位置に設けられている。従って、第1の弦部164及び第2の弦部174がステージ面152と同一の平面を形成し、基板Gがステージ面152に載置されるとき、基板Gの高さは、搬入側コロ搬送路104a、搬出側コロ搬送路104c及び搬入出口(110、112)に対応した高さよりも低い高さに保持されている。   As shown in FIG. 4, the inner conveyance path 104 b composed of the first roller 160 and the second roller 170 has a shaft 156 whose carry-in side roller conveyance path 104 a, carry-out side roller conveyance path 104 c, and carry-in / out port (110, 112). Therefore, when the first string portion 164 and the second string portion 174 form the same plane as the stage surface 152 and the substrate G is placed on the stage surface 152, the height of the substrate G is set to the carry-in side roller. The height is lower than the height corresponding to the conveyance path 104a, the carry-out side roller conveyance path 104c, and the carry-in / out port (110, 112).

図6及び図7に示すように、軸156に沿って設けられた第1のコロ160は、第1のギヤ166及び第1の駆動軸168を介し、チャンバ106の外に設けられている図示しない第1の回転モータに接続されている。第1のギヤ166、第1の駆動軸168及び第1の回転モータは、本発明における第1の回転駆動機構に相当する。また、第1のコロ160は、軸156に沿って複数設けられていてもよい。   As shown in FIGS. 6 and 7, the first roller 160 provided along the shaft 156 is provided outside the chamber 106 via the first gear 166 and the first drive shaft 168. Not connected to the first rotary motor. The first gear 166, the first drive shaft 168, and the first rotary motor correspond to the first rotary drive mechanism in the present invention. A plurality of first rollers 160 may be provided along the axis 156.

一方、図6及び図7に示すように、軸156に沿って設けられた第2のコロ170は、第2のギヤ176及び第2の駆動軸178を介し、チャンバ106の外に設けられている図示しない第2の回転モータに接続されている。第2のギヤ176、第2の駆動軸178及び第2の回転モータは、本発明における第2の回転駆動機構に相当する。また、第2のコロ170は、軸156に沿って複数設けられていてもよい。   On the other hand, as shown in FIGS. 6 and 7, the second roller 170 provided along the shaft 156 is provided outside the chamber 106 via the second gear 176 and the second drive shaft 178. Connected to a second rotary motor (not shown). The second gear 176, the second drive shaft 178, and the second rotary motor correspond to the second rotary drive mechanism in the present invention. A plurality of second rollers 170 may be provided along the axis 156.

図3及び図5に示すように、第1のコロ160及び第2のコロ170が設けられる軸156は、載置ステージ150の略全体に亘り、搬送方向(X方向)に適当な間隔を置いて配列するように配置されている。   As shown in FIGS. 3 and 5, the shaft 156 on which the first roller 160 and the second roller 170 are provided has an appropriate interval in the transport direction (X direction) over substantially the entire mounting stage 150. Are arranged to arrange.

図5から図7に示すように、第1のコロ160と第2のコロ170は、1つの開口部154を介してステージ面152より上方に突出可能なように、軸156に沿って接するように設けられている。また、開口部154は、軸156に沿って接する第1のコロ160及び第2のコロ170と隙間がほとんど無いように、ステージ面152に形成されている。   As shown in FIGS. 5 to 7, the first roller 160 and the second roller 170 are in contact with each other along the axis 156 so that the first roller 160 and the second roller 170 can protrude upward from the stage surface 152 through one opening 154. Is provided. The opening 154 is formed in the stage surface 152 so that there is almost no gap between the first roller 160 and the second roller 170 that are in contact with each other along the axis 156.

第1のコロ160及び第2のコロ170は、例えば直径が50〜100mm程度、軸方向の厚さが5mm程度の円板の一部を軸に沿って切り落とした半月状の形状にすることができる。また、開口部154と第1のコロ160又は第2のコロ170との隙間は、例えば0.3mm〜0.4mm程度にすることができる。   For example, the first roller 160 and the second roller 170 may have a half-moon shape in which a part of a disk having a diameter of about 50 to 100 mm and an axial thickness of about 5 mm is cut off along the axis. it can. Moreover, the clearance gap between the opening part 154 and the 1st roller 160 or the 2nd roller 170 can be about 0.3 mm-0.4 mm, for example.

このように第1のコロ160と第2のコロ170とを接して設け、開口部154との隙間をほとんど無くすことにより、載置ステージ150、第1のコロ160、第2のコロ170が隙間無く同一の平面を形成することができる。これにより、載置ステージ150に基板Gを載置して停止するときに、基板G全面を均一に支持することができ、基板Gの温度にムラが生じることを防止でき、基板G全面に均一に基板処理を行うことができる。   As described above, the first roller 160 and the second roller 170 are provided in contact with each other, and the gap between the opening 154 is almost eliminated, so that the mounting stage 150, the first roller 160, and the second roller 170 have a gap. And the same plane can be formed. Accordingly, when the substrate G is placed on the placement stage 150 and stopped, the entire surface of the substrate G can be uniformly supported, and unevenness in the temperature of the substrate G can be prevented, and the entire surface of the substrate G can be uniformly distributed. Substrate processing can be performed.

また、ステージ面152をエンボス加工やブラスト加工により形成してもよい。ステージ面152をエンボス加工やブラスト加工により形成することにより、微小な凹凸面が面上に均一に分布して形成される。従って、ステージ面152の上に基板Gを載置する際に、基板Gの下面と接触する接触点の分布を基板全面に亘り均一にすることができる。これにより、ステージ面152の上に載置する基板Gの温度にムラが生じることを防止できる。   Further, the stage surface 152 may be formed by embossing or blasting. By forming the stage surface 152 by embossing or blasting, minute uneven surfaces are uniformly distributed on the surface. Therefore, when the substrate G is placed on the stage surface 152, the distribution of contact points in contact with the lower surface of the substrate G can be made uniform over the entire surface of the substrate. Thereby, it is possible to prevent unevenness in the temperature of the substrate G placed on the stage surface 152.

更に、ステージ面152をエンボス加工やブラスト加工にするときは、第1の弦部164及び第2の弦部174の表面であって、回転角度位置によりステージ面152と同一の平面を形成する面も、同様にエンボス加工やブラスト加工により形成してもよい。これによっても、ステージ面152の上に載置する基板Gの温度にムラが生じることを防止できる。   Further, when the stage surface 152 is embossed or blasted, it is a surface of the first chord portion 164 and the second chord portion 174 that forms the same plane as the stage surface 152 depending on the rotational angle position. Similarly, it may be formed by embossing or blasting. This can also prevent the temperature of the substrate G placed on the stage surface 152 from becoming uneven.

次に、図9から図10Bを参照し、減圧乾燥ユニット(VD)46を用いた基板処理方法及びその作用について説明する。   Next, a substrate processing method using the reduced pressure drying unit (VD) 46 and its operation will be described with reference to FIGS. 9 to 10B.

図9は、減圧乾燥ユニットを用いた基板処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。図10A及び図10Bは、各工程における第1のコロ及び第2のコロの回転の様子を示す一部断面を含む図である。図10A(a)から図10B(g)において、第1のコロ及び第2のコロの回転角度位置を示す斜視図を左側に示し、その回転角度位置における基板、載置ステージ、第1のコロ及び第2のコロの様子を軸に沿って視たときの一部断面を右側に示す。なお、図10Aから図10Bでは、見やすくするために、搬送方向に沿った基板の長さを短くしている。   FIG. 9 is a flowchart for explaining the procedure of each step of the substrate processing method using the vacuum drying unit. FIG. 10A and FIG. 10B are views including a partial cross section showing a state of rotation of the first roller and the second roller in each step. 10A (a) to 10B (g), a perspective view showing rotation angle positions of the first roller and the second roller is shown on the left side, and the substrate, the mounting stage, and the first roller at the rotation angle position are shown. A partial cross section when the state of the second roller is viewed along the axis is shown on the right side. In FIGS. 10A to 10B, the length of the substrate along the transport direction is shortened for easy viewing.

図9に示すように、減圧乾燥ユニット(VD)46を用いた基板処理方法は、搬入工程(ステップS21)、載置工程(ステップS22及びステップS23)、搬出工程(ステップS24及びステップS25)を有する。載置工程は、第1の回転停止工程(ステップS22)及び第2の回転停止工程(ステップS23)を有する。搬出工程は、第1の回転開始工程(ステップS24)及び第2の回転開始工程(ステップS25)を有する。   As shown in FIG. 9, the substrate processing method using the reduced pressure drying unit (VD) 46 includes a carry-in process (step S21), a placing process (step S22 and step S23), and a carry-out process (step S24 and step S25). Have. The placement process includes a first rotation stop process (step S22) and a second rotation stop process (step S23). The carry-out process includes a first rotation start process (step S24) and a second rotation start process (step S25).

始めに、ステップS21の搬入工程を行う。ステップS21では、軸156に沿って視たときに第1の弦部164と第2の弦部174とが重ならない状態で、第1のコロ160と第2のコロ170とを回転駆動して基板Gを載置ステージ150上に搬入する。図10A(a)に、ステップS21における第1のコロ及び第2のコロの回転角度位置を示す。   First, the carrying-in process of step S21 is performed. In step S21, the first roller 160 and the second roller 170 are rotationally driven in a state where the first string portion 164 and the second string portion 174 do not overlap when viewed along the axis 156. The substrate G is carried onto the mounting stage 150. FIG. 10A (a) shows the rotational angle positions of the first roller and the second roller in step S21.

あらかじめ、上流側隣のレジスト塗布ユニット(COT)44でレジスト液を塗布された基板Gは、塗布処理用浮上ステージ80から搬入側コロ搬送部104aのコロ108aに受け渡される。コロ108a上に受け渡された基板Gは、コロ108aの駆動力によって搬送方向(X方向)に搬送され、減圧乾燥ユニット(VD)46のチャンバ106の中にその搬入口110から進入する。この時、ゲート機構114は搬入口110を開けておく。   The substrate G on which the resist solution has been coated in advance by the resist coating unit (COT) 44 adjacent to the upstream side is transferred from the coating processing floating stage 80 to the rollers 108a of the loading-side roller transport unit 104a. The substrate G transferred onto the roller 108a is transported in the transport direction (X direction) by the driving force of the roller 108a, and enters the chamber 106 of the vacuum drying unit (VD) 46 from the transport inlet 110 thereof. At this time, the gate mechanism 114 keeps the carry-in entrance 110 open.

ステップS21では、複数の第1のコロ160及び複数の第2のコロ170を、それぞれ第1の回転駆動機構及び第2の回転駆動機構により同期して回転駆動する。図10A(a)に示すように、第1のコロ160及び第2のコロ170は、軸156に沿って視たときに第1の弦部164と第2の弦部174とが重ならない状態で、同期して回転駆動される。また、第1のコロ160及び第2のコロ170は、軸156に沿って視たときに一つの円に見えるような状態で、同期して回転駆動される。これにより、第1のコロ160及び第2のコロ170は、一つの通常の円柱形状(丸棒形状)又は円板形状のコロとして機能する。従って、基板Gは、同期して回転駆動される第1のコロ160及び第2のコロ170により、被処理面を上に向けた状態で水平に保持されたまま、搬送方向(X方向)に沿って水平に滑らかに搬送される。   In step S21, the plurality of first rollers 160 and the plurality of second rollers 170 are rotationally driven in synchronization by the first rotation driving mechanism and the second rotation driving mechanism, respectively. As shown in FIG. 10A (a), when the first roller 160 and the second roller 170 are viewed along the axis 156, the first string portion 164 and the second string portion 174 do not overlap. Thus, it is driven to rotate synchronously. Further, the first roller 160 and the second roller 170 are synchronously driven so as to look like one circle when viewed along the axis 156. Thereby, the first roller 160 and the second roller 170 function as one normal cylindrical (round bar) or disk-shaped roller. Accordingly, the substrate G is held in the transport direction (X direction) while being held horizontally with the surface to be processed facing upward by the first roller 160 and the second roller 170 that are rotationally driven synchronously. It is smoothly transported horizontally along.

このようにして、複数の第1のコロ160及び複数の第2のコロ170よりなる内部コロ搬送路104bは、搬入側コロ搬送路104aのコロ搬送動作とタイミングの合った同一搬送速度のコロ搬送動作を行い、搬入口110から入ってきた基板Gをコロ搬送でチャンバ106の奥に引き込む。   In this way, the internal roller conveyance path 104b composed of the plurality of first rollers 160 and the plurality of second rollers 170 has the same conveyance speed as the roller conveyance operation of the carry-in side roller conveyance path 104a. The operation is performed, and the substrate G that has entered from the carry-in port 110 is drawn into the interior of the chamber 106 by roller conveyance.

なお、ステップS21では、第2のコロ170の最高点のステージ面152からの距離は、R2−D0である。   In step S21, the distance from the stage surface 152 at the highest point of the second roller 170 is R2-D0.

次に、ステップS22の第1の回転停止工程を行う。ステップS22では、第1のコロ160が第1の回転角度位置にある時に第1のコロ160の回転を停止する。図10A(b)に、ステップS22における第1のコロ及び第2のコロの回転角度位置を示す。   Next, the first rotation stop process in step S22 is performed. In step S22, the rotation of the first roller 160 is stopped when the first roller 160 is at the first rotation angle position. FIG. 10A (b) shows the rotational angle positions of the first roller and the second roller in step S22.

ステップS22では、第1のコロ160の第1の弦部164がステージ面152と同一の平面を形成する時、すなわち回転角度位置が第1の回転角度位置にある時に、第1の回転駆動機構を停止することにより第1のコロ160の回転を停止する。ステップS21では、複数の第1のコロ160及び複数の第2のコロ170は、それぞれ第1の回転駆動機構及び第2の回転駆動機構により同期して回転駆動されていた。従って、ステップS22では、第2のコロ170は、ステップS21に引続いて第2の回転駆動機構により回転駆動される。これにより、基板Gは、回転駆動される第2のコロ170により、被処理面を上に向けた状態で水平に保持されたまま、搬送方向(X方向)に沿って水平に滑らかに搬送される。   In step S22, when the first chord portion 164 of the first roller 160 forms the same plane as the stage surface 152, that is, when the rotation angle position is at the first rotation angle position, the first rotation drive mechanism. Is stopped, the rotation of the first roller 160 is stopped. In step S21, the plurality of first rollers 160 and the plurality of second rollers 170 were driven to rotate in synchronization with each other by the first rotation driving mechanism and the second rotation driving mechanism. Accordingly, in step S22, the second roller 170 is rotationally driven by the second rotational drive mechanism subsequent to step S21. Accordingly, the substrate G is smoothly transported horizontally along the transport direction (X direction) while being held horizontally with the surface to be processed facing upward by the second roller 170 that is rotationally driven. The

ただし、ステップS22の途中で、第2のコロ170の第2の弦部174が開口部154を介してステージ面152より上方に突出し、さらに第2の弦部174の前端P1が軸156の真上を通過した後、基板Gのステージ面152からの高さが徐々に減少する。図10A(c)は、第2の弦部の前端が軸の真上を通過した後の第1のコロ及び第2のコロの回転角度位置を示す。   However, in the middle of step S22, the second string portion 174 of the second roller 170 protrudes above the stage surface 152 through the opening 154, and the front end P1 of the second string portion 174 is the true axis of the shaft 156. After passing above, the height of the substrate G from the stage surface 152 gradually decreases. FIG. 10A (c) shows the rotational angular positions of the first roller and the second roller after the front end of the second chord has passed right above the axis.

図10A(c)に示すように、第2の弦部174の先端P1が軸156の上を通過した後の状態では、第2のコロ170の最高点のステージ面152からの距離は、前述したR2−D0よりも小さい。従って、基板Gが、被処理面を上に向けた状態で、搬送方向(X方向)に沿って搬送されるのは変わらないが、ステージ面152からの高さが徐々に減少する。   As shown in FIG. 10A (c), in the state after the tip P1 of the second chord portion 174 has passed over the shaft 156, the distance from the stage surface 152 at the highest point of the second roller 170 is as described above. Smaller than R2-D0. Accordingly, while the substrate G is transported along the transport direction (X direction) with the surface to be processed facing upward, the height from the stage surface 152 gradually decreases.

次に、ステップS23の第2の回転停止工程を行う。ステップS23では、第2のコロ170が第2の回転角度位置にある時に第2のコロ170の回転を停止し、基板Gをステージ面152の上に載置する。図10A(d)に、ステップS23における第1のコロ及び第2のコロの回転角度位置を示す。   Next, a second rotation stop process in step S23 is performed. In step S23, the rotation of the second roller 170 is stopped when the second roller 170 is at the second rotation angle position, and the substrate G is placed on the stage surface 152. FIG. 10A (d) shows the rotational angle positions of the first roller and the second roller in step S23.

ステップS23では、第2のコロ170の第2の弦部174がステージ面152と同一の平面を形成する時、すなわち回転角度位置が第2の回転角度位置にある時に、第2の回転駆動機構を停止することにより第2のコロ170の回転を停止する。これにより、基板Gは、被処理面を上に向けた状態で水平に保持されたまま、載置ステージ150のステージ面152の上に載置される。   In step S23, when the second string portion 174 of the second roller 170 forms the same plane as the stage surface 152, that is, when the rotation angle position is at the second rotation angle position, the second rotation drive mechanism. Is stopped, the rotation of the second roller 170 is stopped. Thus, the substrate G is placed on the stage surface 152 of the placement stage 150 while being held horizontally with the surface to be processed facing upward.

なお、ステップS21を行った後、ステップS22を行う前若しくは行う際又はステップS23を行う際に、ゲート機構114、116が作動して、それまで開けていた搬入口110および搬出口112をそれぞれ閉塞し、チャンバ106を密閉する。そして、チャンバ106が密閉された直後から真空排気装置142が作動して、チャンバ106内を所定の真空度まで真空排気する。これにより、レジスト塗布膜における溶剤の空中への拡散(揮発)を一定に保持することができる。その結果、レジスト塗布膜内の乾燥度合いにばらつき(乾燥斑)を生じることなく膜厚が面内均一に乾燥初期値(例えば8μm)から所望の乾燥目標値(例えば2〜3μm)まで減少することになる。このようにして、チャンバ106内で基板Gが減圧雰囲気の中に置かれることで、レジスト塗布ユニット(COT)44によりレジストが塗布処理された基板G上のレジスト液膜が、減圧下で乾燥処理される。   In addition, after performing step S21, before performing step S22, or when performing step S23, or when performing step S23, the gate mechanisms 114 and 116 are operated, and the carry-in port 110 and the carry-out port 112 that have been opened so far are respectively closed. Then, the chamber 106 is sealed. Then, immediately after the chamber 106 is sealed, the evacuation device 142 is operated to evacuate the chamber 106 to a predetermined degree of vacuum. Thereby, the diffusion (volatilization) of the solvent into the air in the resist coating film can be kept constant. As a result, the film thickness is uniformly reduced from the initial drying value (for example, 8 μm) to a desired drying target value (for example, 2 to 3 μm) without causing variation (dry spots) in the degree of drying in the resist coating film. become. In this way, the substrate G is placed in a reduced-pressure atmosphere in the chamber 106, so that the resist liquid film on the substrate G on which the resist is applied by the resist application unit (COT) 44 is dried under reduced pressure. Is done.

上記の減圧乾燥処理は一定時間を経過すると終了し、真空排気装置142が排気動作を停止する。これと入れ代わりに、窒素ガス噴出部144がチャンバ106内に窒素ガスを流し込む。そして、室内の圧力が大気圧まで上がってから、ゲート機構114、116が作動して搬入口110および搬出口112を開ける。   The reduced-pressure drying process ends when a certain time has elapsed, and the vacuum exhaust device 142 stops the exhaust operation. Instead of this, the nitrogen gas ejection part 144 flows nitrogen gas into the chamber 106. Then, after the indoor pressure rises to atmospheric pressure, the gate mechanisms 114 and 116 are operated to open the carry-in port 110 and the carry-out port 112.

次に、ステップS24の第1の回転開始工程を行う。ステップS24では、第2のコロ170の回転を開始する。図10B(f)に、ステップS24における第1のコロ及び第2のコロの回転角度位置を示す。   Next, the first rotation start process in step S24 is performed. In step S24, the rotation of the second roller 170 is started. FIG. 10B (f) shows the rotation angle positions of the first roller and the second roller in step S24.

ステップS24では、第1のコロ160の第1の弦部164がステージ面152と同一の平面を形成する状態、すなわち回転角度位置が第1の回転角度位置にある状態で、第2の回転駆動機構により第2のコロ170の回転を開始する。これにより、基板Gは、回転駆動される第2のコロ170により、被処理面を上に向けた状態で水平に保持されたまま、搬送方向(X方向)に沿って水平に滑らかに搬送される。   In step S24, the second rotation drive is performed in a state where the first chord portion 164 of the first roller 160 forms the same plane as the stage surface 152, that is, in a state where the rotation angle position is at the first rotation angle position. The rotation of the second roller 170 is started by the mechanism. Accordingly, the substrate G is smoothly transported horizontally along the transport direction (X direction) while being held horizontally with the surface to be processed facing upward by the second roller 170 that is rotationally driven. The

ただし、ステップS24を開始した後、第2のコロ170の第2の弦部174が開口部154を介してステージ面152より上方に突出し、第2の弦部174の後端P2が軸156の真上を通過する前は、基板Gのステージ面152からの高さが徐々に増加する。図10B(e)は、第2の弦部の後端が軸の真上を通過する前の第1のコロ及び第2のコロの回転角度位置を示す。   However, after starting step S24, the second chord part 174 of the second roller 170 protrudes upward from the stage surface 152 through the opening 154, and the rear end P2 of the second chord part 174 is connected to the shaft 156. Before passing directly above, the height of the substrate G from the stage surface 152 gradually increases. FIG. 10B (e) shows the rotational angular positions of the first roller and the second roller before the rear end of the second string portion passes right above the axis.

図10B(e)に示すように、第2の弦部174の後端P2が軸156の上を通過する前の状態では、第2のコロ170の最高点のステージ面152からの距離は、前述したR2−D0よりも小さい。また、基板Gが、被処理面を上に向けた状態で、搬送方向(X方向)に沿って搬送されるのは変わらないが、ステージ面152からの高さが徐々に増大する。   As shown in FIG. 10B (e), in the state before the rear end P2 of the second chord 174 passes over the axis 156, the distance from the stage surface 152 of the highest point of the second roller 170 is It is smaller than R2-D0 described above. Further, the substrate G is transported along the transport direction (X direction) with the surface to be processed facing upward, but the height from the stage surface 152 gradually increases.

次に、ステップS25の第2の回転開始工程を行う。ステップS25では、第2のコロ170の第2の弦部174がステージ面152より上方へ突出しない回転角度位置にある時に第1のコロ160の回転を停止する。図10B(g)に、ステップS25における第1のコロ及び第2のコロの回転角度位置を示す。   Next, the second rotation start process in step S25 is performed. In step S <b> 25, the rotation of the first roller 160 is stopped when the second string portion 174 of the second roller 170 is at a rotation angle position that does not protrude upward from the stage surface 152. FIG. 10B (g) shows the rotational angle positions of the first roller and the second roller in step S25.

ステップS25では、図10B(g)に示すように、第1のコロ160及び第2のコロ170が、軸156に沿って視たときに一つの円に見えるような状態になった時に、第1の回転駆動機構により第1のコロ160の回転を開始する。ステップS25では、複数の第1のコロ160及び複数の第2のコロ170を、それぞれ第1の回転駆動機構及び第2の回転駆動機構により同期して回転駆動する。これにより、第1のコロ160及び第2のコロ170は、一つの通常の円柱形状(丸棒形状)又は円板形状のコロとして機能する。従って、基板Gは、同期して回転駆動される第1のコロ160及び第2のコロ170により、被処理面を上に向けた状態で水平に保持されたまま、搬送方向(X方向)に沿って水平に滑らかに搬送される。   In step S25, as shown in FIG. 10B (g), when the first roller 160 and the second roller 170 appear to be a single circle when viewed along the axis 156, The rotation of the first roller 160 is started by one rotation driving mechanism. In step S25, the plurality of first rollers 160 and the plurality of second rollers 170 are rotationally driven in synchronization by the first rotation driving mechanism and the second rotation driving mechanism, respectively. Thereby, the first roller 160 and the second roller 170 function as one normal cylindrical (round bar) or disk-shaped roller. Accordingly, the substrate G is held in the transport direction (X direction) while being held horizontally with the surface to be processed facing upward by the first roller 160 and the second roller 170 that are rotationally driven synchronously. It is smoothly transported horizontally along.

このようにして、複数の第1のコロ160及び複数の第2のコロ170よりなる内部コロ搬送路104bでコロ搬送動作が開始される。そして、減圧乾燥処理が行われた基板Gは、搬出口112からコロ搬送によって搬出され、プリベークユニット(PRE−BAKE)48に搬入される。   In this manner, the roller conveyance operation is started in the internal roller conveyance path 104b including the plurality of first rollers 160 and the plurality of second rollers 170. Then, the substrate G that has been subjected to the reduced-pressure drying process is carried out by roller conveyance from the carry-out port 112 and carried into the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48.

図3に示すように、プリベークユニット(PRE−BAKE)48は、加熱用のヒータとして例えば平板形のシーズヒータ184を有している。シーズヒータ184は、コロ搬送路105を構成する相隣接するコロ109とコロ109の間に、搬送方向(X方向)に1枚または複数枚並べて配置されている。各シーズヒータ184は、その表面(上面)に例えばセラミックコーティングを有している。セラミックコーティングが図示しないヒータ電源より供給される電力により通電して発熱することにより、シーズヒータ184の高温の表面から放射する熱を至近距離からコロ搬送路105上の基板Gに与える。   As shown in FIG. 3, the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 includes, for example, a plate-shaped sheathed heater 184 as a heater for heating. One or a plurality of sheathed heaters 184 are arranged in the transport direction (X direction) between adjacent rollers 109 and rollers 109 constituting the roller transport path 105. Each sheathed heater 184 has, for example, a ceramic coating on its surface (upper surface). The ceramic coating energizes with electric power supplied from a heater power source (not shown) to generate heat, so that the heat radiated from the hot surface of the sheathed heater 184 is applied to the substrate G on the roller conveyance path 105 from a very short distance.

さらに、プリベークユニット(PRE−BAKE)48には、コロ搬送路105に沿ってその上方に例えばグレイチングパネルからなる排気用吸い込み天井板(多孔板)190が設けられていてもよい。排気用吸い込み天井板190は、コロ搬送路105の搬送面から所定距離のギャップを挟んで水平に配置されており、その上方にバッファ室192が形成されていてもよい。バッファ室192は、排気管または排気路194を介して排気ポンプまたは排気ファン等を有している排気部196に通じている。コロ搬送路105上で基板G上のレジスト塗布膜から蒸発した溶剤は周囲の空気と一緒に排気用吸い込み天井板190の中へ吸い込まれ、排気部196へ送られるようになっている。   Furthermore, the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 may be provided with an exhaust suction ceiling plate (perforated plate) 190 made of, for example, a grating panel above the roller conveyance path 105. The exhaust suction ceiling plate 190 may be horizontally disposed with a gap of a predetermined distance from the conveyance surface of the roller conveyance path 105, and a buffer chamber 192 may be formed thereabove. The buffer chamber 192 communicates with an exhaust unit 196 having an exhaust pump or an exhaust fan through an exhaust pipe or an exhaust path 194. The solvent evaporated from the resist coating film on the substrate G on the roller transport path 105 is sucked into the exhaust suction ceiling plate 190 together with the surrounding air and sent to the exhaust unit 196.

なお、コロ搬送路105を構成するコロ109は、図示しない例えばフレーム等に固定された軸受に回転可能に支持されており、電気モータ等の搬送駆動源に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。   A roller 109 constituting the roller conveyance path 105 is rotatably supported by a bearing (not shown) fixed to a frame or the like, and a transmission mechanism such as a gear mechanism or a belt mechanism is provided as a conveyance drive source such as an electric motor. Connected through.

次に、プリベークユニット(PRE−BAKE)48における作用を説明する。   Next, the operation in the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 will be described.

減圧乾燥ユニット(VD)46で乾燥処理を終えた基板Gは、コロ搬送路105に搬送されてプリベークユニット(PRE−BAKE)48へ搬入される。コロ搬送路105上で基板Gは、プリベークユニット(PRE−BAKE)48に搬入されると、そこで至近距離のシーズヒータ184から基板裏面に放射熱を受ける。この急速加熱より、コロ搬送路105上を搬送される間に基板Gの温度は所定温度(例えば180〜200℃程度)まで上昇し、短時間の間にレジスト塗布膜中の残留溶媒の大部分が蒸発して膜が一層薄く固くなり、基板Gとの密着性が高められる。このプリベーキングの加熱処理の際に、シーズヒータ184からの熱的な影響を受けても、前工程の常圧乾燥処理によってレジスト塗布膜のバルク部内の溶剤が平均化ないし均一化されており、かつ膜厚も十分に(例えば2〜3μmまでに)薄くなっている。そのため、加熱工程でもレジスト塗布膜に斑は発生し難い。なお、レジスト塗布膜から蒸発した溶剤は、周囲の空気と一緒に排気用吸い込み天井板190の中へ吸い込まれて、排気部196へ送られる。   The substrate G that has been dried by the reduced pressure drying unit (VD) 46 is transported to the roller transport path 105 and is transported into the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48. When the substrate G is carried into the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 on the roller conveyance path 105, the substrate G receives radiant heat from the sheathed heater 184 at a close distance to the substrate back surface. Due to this rapid heating, the temperature of the substrate G rises to a predetermined temperature (for example, about 180 to 200 ° C.) while being conveyed on the roller conveyance path 105, and most of the residual solvent in the resist coating film in a short time. Evaporates, the film becomes thinner and harder, and the adhesion to the substrate G is improved. During the pre-baking heat treatment, the solvent in the bulk portion of the resist coating film is averaged or homogenized by the normal pressure drying treatment in the previous step, even if it is thermally affected by the sheathed heater 184. In addition, the film thickness is sufficiently thin (for example, up to 2 to 3 μm). Therefore, even in the heating step, spots are hardly generated on the resist coating film. The solvent evaporated from the resist coating film is sucked into the exhaust suction ceiling plate 190 together with the surrounding air and sent to the exhaust unit 196.

プリベークユニット(PRE−BAKE)48でプリベーキングの加熱処理を終えた基板Gはそのままコロ搬送路105上を搬送され、下流側隣の冷却ユニット(COL)50(図1)へ送られる。   The substrate G that has been pre-baked by the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 is transported on the roller transport path 105 as it is, and is sent to the cooling unit (COL) 50 (FIG. 1) adjacent to the downstream side.

また、レジスト塗布ユニット(COT)44、減圧乾燥ユニット(VD)46及びプリベークユニット(PRE−BAKE)48内の各部は、図1に示すように、コントローラ201によって制御される。コントローラ201をマイクロコンピュータで構成した場合は、コントローラ201に装置全体の動作(シーケンス)を統括制御させることもできる。また、コントローラ201には、基板処理装置である塗布現像処理システムで実行される各種処理をコントローラの制御にて実現するための制御プログラムを格納した記憶媒体(記録媒体)よりなる記憶部202が接続されていてもよい。記憶媒体(記録媒体)は、ハードディスクや半導体メモリであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介して制御プログラムを適宜伝送させるようにしてもよい。   Further, each part in the resist coating unit (COT) 44, the reduced pressure drying unit (VD) 46, and the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 is controlled by a controller 201 as shown in FIG. When the controller 201 is configured by a microcomputer, the controller 201 can also control the operation (sequence) of the entire apparatus. Also connected to the controller 201 is a storage unit 202 composed of a storage medium (recording medium) storing a control program for realizing various processes executed by the coating and developing processing system as a substrate processing apparatus under the control of the controller. May be. The storage medium (recording medium) may be a hard disk or a semiconductor memory. Further, the control program may be appropriately transmitted from another device via, for example, a dedicated line.

また、減圧乾燥ユニット(VD)46に基板Gを搬入し(搬入工程)、載置ステージに載置し(載置工程)、乾燥処理後に搬出する(搬出工程)工程を含む基板処理方法をコントローラ201に実行させるための制御プログラムを、記憶媒体(記録媒体)よりなる記憶部202に記憶してもよい。   In addition, the substrate processing method including the step of carrying the substrate G into the reduced-pressure drying unit (VD) 46 (carrying-in step), placing it on the mounting stage (mounting step), and carrying it out after the drying process (carrying-out step) is a controller. A control program to be executed by 201 may be stored in the storage unit 202 including a storage medium (recording medium).

なお、本実施の形態では、第1のコロと第2のコロとを軸に沿って隣接するように設け、同一の開口部を介してステージ面より上方に突出可能に設けられて例を説明した。しかしながら、第1のコロと第2のコロとは、軸に沿って離れて設けられてもよく、離れて形成された異なる開口部を介してステージ面より上方に突出可能に設けられてもよい。
(第1の実施の形態の第1の変形例)
次に、図11を参照し、本発明の第1の実施の形態の第1の変形例に係る基板処理装置について説明する。
In this embodiment, an example is described in which the first roller and the second roller are provided so as to be adjacent to each other along the axis, and are provided so as to protrude upward from the stage surface through the same opening. did. However, the first roller and the second roller may be provided apart along the axis, or may be provided so as to protrude above the stage surface via different openings formed separately. .
(First modification of the first embodiment)
Next, a substrate processing apparatus according to a first modification of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本変形例に係る基板処理装置は、複数の第1のコロ及び複数の第2のコロに、回転モータが個別に取り付けられている点で、第1の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。   The substrate processing apparatus according to the present modification is different from the substrate processing apparatus according to the first embodiment in that a rotation motor is individually attached to the plurality of first rollers and the plurality of second rollers. To do.

図11は、第1のコロ及び第2のコロの構成を示す斜視図である。なお、以下の文中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある(以下の変形例及び実施の形態においても同様)。   FIG. 11 is a perspective view showing the configuration of the first roller and the second roller. In the following text, the same reference numerals are given to the portions described above, and the description may be omitted (the same applies to the following modified examples and embodiments).

本変形例でも、減圧乾燥ユニット以外の塗布現像処理システムの各処理部は、図1から図4を用いて説明した第1の実施の形態に係る塗布現像処理システムと同様にすることができる。また、載置ステージ、第1のコロ及び第2のコロは、図3から図5を用いて説明した第1の実施の形態と同様にすることができる。   Also in this modification, each processing unit of the coating and developing processing system other than the reduced-pressure drying unit can be the same as the coating and developing processing system according to the first embodiment described with reference to FIGS. 1 to 4. Further, the mounting stage, the first roller, and the second roller can be the same as those of the first embodiment described with reference to FIGS.

また、本変形例におけるコロも、本発明における回転体に相当する。また、本変形例におけるコロも、半径に対する回転軸方向の長さの比率が大きな円柱形状(丸棒形状)の回転体も、半径に対する回転軸方向の長さの比率が小さな円板形状の回転体も含むものとする。   Further, the roller in this modification also corresponds to the rotating body in the present invention. In addition, the roller in this modified example, and the rotating body in a cylindrical shape (round bar shape) with a large ratio of the length in the rotation axis direction to the radius, and the disk-shaped rotation in which the ratio of the length in the rotation axis direction to the radius is small It also includes the body.

また、本変形例でも、第1の弦部は、第1の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。また、第2の弦部は、第2の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。   Also in this modified example, the first chord portion may form a surface substantially parallel to the stage surface when the first chord portion is at the first rotation angle position. Further, the second chord portion may form a surface substantially parallel to the stage surface when in the second rotation angle position.

一方、本変形例では、軸156に沿って設けられている第1のコロ160及び第2のコロ170は、ギヤ及び駆動軸を介してチャンバ106の外に設けられている回転モータに接続されていない。第1のコロ160及び第2のコロ170は、個別に回転モータ169、179に直結されている。回転モータ169、179の回転軸169a、179aは、取付部材169b、179bにより、載置ステージに取り付けられる。それぞれの回転モータは、それぞれ1つのコロを回転駆動させればよいため、小型で安価なものを用いることができる。   On the other hand, in this modification, the first roller 160 and the second roller 170 provided along the shaft 156 are connected to a rotary motor provided outside the chamber 106 through a gear and a drive shaft. Not. The first roller 160 and the second roller 170 are directly connected to the rotary motors 169 and 179, respectively. The rotation shafts 169a and 179a of the rotary motors 169 and 179 are attached to the mounting stage by attachment members 169b and 179b. Since each rotary motor has only to rotate and drive one roller, a small and inexpensive one can be used.

本変形例でも、第1のコロ及び第2のコロがそれぞれ第1の弦部及び第2の弦部を有しており、第1の弦部及び第2の弦部が載置ステージのステージ面と同一の平面を形成することができる。そのため、基板を停止するときに、基板全面を均一に支持することができ、基板温度にムラが生じることを防止でき、基板全面に均一に基板処理を行うことができる。   Also in this modification, the first roller and the second roller have the first string portion and the second string portion, respectively, and the first string portion and the second string portion are stages of the placement stage. The same plane as the surface can be formed. Therefore, when the substrate is stopped, the entire surface of the substrate can be supported uniformly, unevenness in the substrate temperature can be prevented, and substrate processing can be performed uniformly on the entire surface of the substrate.

更に、本変形例では、ギヤ、駆動軸及びチャンバの外に設けられる回転モータを省略することができる。従って、基板処理装置を小型化し、基板処理装置の装置コストを削減することができる。
(第1の実施の形態の第2の変形例)
次に、図12を参照し、本発明の第1の実施の形態の第2の変形例に係る基板処理装置について説明する。
Further, in this modification, the gear, the drive shaft, and the rotary motor provided outside the chamber can be omitted. Therefore, the substrate processing apparatus can be downsized and the apparatus cost of the substrate processing apparatus can be reduced.
(Second modification of the first embodiment)
Next, a substrate processing apparatus according to a second modification of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本変形例に係る基板処理装置は、第1の弦部が軸の周りに沿って複数設けられている点で、第1の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。   The substrate processing apparatus according to this modification is different from the substrate processing apparatus according to the first embodiment in that a plurality of first chord portions are provided along the axis.

なお、後述するように、第2の弦部も軸の周りに沿って複数設けられていてもよいが、ここでは、一例として、第2の弦部は一つ設けられており、第1の弦部のみ複数設けられている例について説明する。   As will be described later, a plurality of second chord portions may be provided along the axis, but here, as an example, one second chord portion is provided, An example in which only a plurality of strings are provided will be described.

図12は、第1のコロ及び第2のコロの回転の様子を示す一部断面を含む図である。図12(a)から図12(d)において、第1のコロ及び第2のコロの回転角度位置を示す斜視図を左側に示し、その回転角度位置における基板、載置ステージ、第1のコロ及び第2のコロの様子を軸に沿って視たときの一部断面を右側に示す。   FIG. 12 is a view including a partial cross section showing a state of rotation of the first roller and the second roller. 12 (a) to 12 (d), a perspective view showing rotation angle positions of the first roller and the second roller is shown on the left side, and the substrate, the mounting stage, and the first roller at the rotation angle position are shown on the left side. A partial cross section when the state of the second roller is viewed along the axis is shown on the right side.

本変形例でも、減圧乾燥ユニット以外の塗布現像処理システムの各処理部は、図1から図4を用いて説明した第1の実施の形態に係る塗布現像処理システムと同様にすることができる。また、載置ステージ及び第2のコロは、図3から図5を用いて説明した第1の実施の形態と同様にすることができる。   Also in this modification, each processing unit of the coating and developing processing system other than the reduced-pressure drying unit can be the same as the coating and developing processing system according to the first embodiment described with reference to FIGS. 1 to 4. Further, the mounting stage and the second roller can be the same as those in the first embodiment described with reference to FIGS.

また、本変形例におけるコロも、本発明における回転体に相当する。また、本変形例におけるコロも、半径に対する回転軸方向の長さの比率が大きな円柱形状(丸棒形状)の回転体も、半径に対する回転軸方向の長さの比率が小さな円板形状の回転体も含むものとする。   Further, the roller in this modification also corresponds to the rotating body in the present invention. In addition, the roller in this modified example, and the rotating body in a cylindrical shape (round bar shape) with a large ratio of the length in the rotation axis direction to the radius, and the disk-shaped rotation in which the ratio of the length in the rotation axis direction to the radius is small It also includes the body.

また、本変形例でも、第1の弦部は、第1の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。また、第2の弦部は、第2の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。   Also in this modified example, the first chord portion may form a surface substantially parallel to the stage surface when the first chord portion is at the first rotation angle position. Further, the second chord portion may form a surface substantially parallel to the stage surface when in the second rotation angle position.

一方、本変形例では、第1のコロ160aにおいて、第1の弦部164aが軸156の周りに沿って複数設けられている。例えば図12(a)及び図12(b)に示すように、第1の弦部164aを3つ設けることができる。図12(a)は、第1のコロと第2のコロとを同期回転させて基板を搬送するときの状態を示す。第1のコロ160a及び第2のコロ170は、軸156に沿って視たときに一つの円に見えるような状態で、同期して回転駆動されている。図12(b)は、第1の弦部及び第2の弦部がステージ面と同一の平面を形成するときの状態を示す。すなわち、第1のコロ160aの回転角度位置及び第2のコロ170の回転角度位置が、それぞれ第1の回転角度位置及び第2の回転角度位置にある状態を示す。   On the other hand, in the present modification, a plurality of first chord portions 164a are provided around the shaft 156 in the first roller 160a. For example, as shown in FIGS. 12A and 12B, three first chord portions 164a can be provided. FIG. 12A shows a state when the substrate is transported by synchronously rotating the first roller and the second roller. The first roller 160a and the second roller 170 are synchronously driven so as to look like one circle when viewed along the axis 156. FIG. 12B shows a state when the first string portion and the second string portion form the same plane as the stage surface. That is, the rotation angle position of the first roller 160a and the rotation angle position of the second roller 170 are in the first rotation angle position and the second rotation angle position, respectively.

図12(a)及び図12(b)に示すように、第1の弦部164aは、軸156の周りに沿って3つ設けられている。また、第1の円弧部162aは、軸156の周りに沿って3つ設けられた第1の弦部164aと交互に配列するように3つ設けられている。従って、第1のコロ160aは、第1の弦部164aがステージ面152と同一の平面を形成するような回転角度位置を3つ有する。すなわち、1周360°の範囲に3つの第1の回転角度位置がある。   As shown in FIGS. 12A and 12B, three first chord portions 164 a are provided along the axis 156. In addition, three first arc portions 162 a are provided so as to be alternately arranged with three first chord portions 164 a provided around the shaft 156. Therefore, the first roller 160 a has three rotation angle positions such that the first chord portion 164 a forms the same plane as the stage surface 152. That is, there are three first rotation angle positions in the range of 360 ° per revolution.

第1の回転角度位置は、例えば120°、240°、360°のように、回転角度位置が等間隔になるように設けられてもよい。このようなときは、第1のコロ160aは、軸156に沿って視たときに3回対称となるような形状を有する。ただし、3回対称の形状には限定されない。   The first rotation angle positions may be provided such that the rotation angle positions are equally spaced, for example, 120 °, 240 °, and 360 °. In such a case, the first roller 160a has a shape that is three-fold symmetric when viewed along the axis 156. However, it is not limited to a three-fold symmetrical shape.

また、本変形例では、例えば図12(c)及び図12(d)に示すように、第1の弦部164bを4つ設けることもできる。図12(c)は、第1のコロと第2のコロとを同期回転させて基板を搬送するときの状態を示す。第1のコロ160b及び第2のコロ170は、軸156に沿って視たときに一つの円に見えるような状態で、同期して回転駆動されている。図12(d)は、第1の弦部及び第2の弦部がステージ面と同一の平面を形成するときの状態を示す。すなわち第1のコロ160bの回転角度位置及び第2のコロ170の回転角度位置が、それぞれ第1の回転角度位置及び第2の回転角度位置にある状態を示す。   Moreover, in this modification, as shown in FIG.12 (c) and FIG.12 (d), the four 1st string parts 164b can also be provided, for example. FIG. 12C shows a state when the substrate is transported by synchronously rotating the first roller and the second roller. The first roller 160b and the second roller 170 are rotationally driven synchronously so that they appear as one circle when viewed along the axis 156. FIG. 12D shows a state where the first string portion and the second string portion form the same plane as the stage surface. That is, the rotation angle position of the first roller 160b and the rotation angle position of the second roller 170 are in the first rotation angle position and the second rotation angle position, respectively.

図12(c)及び図12(d)に示すように、第1の弦部164bは、軸156の周りに沿って4つ設けられている。また、第1の円弧部162bは、軸156の周りに沿って4つ設けられた第1の弦部164bと交互に配列するように4つ設けられている。従って、第1のコロ160bは、第1の弦部164bがステージ面152と同一の平面を形成するような回転角度位置を4つ有する。すなわち、1周360°の範囲に4つの回転角度位置がある。   As shown in FIGS. 12C and 12D, four first chord portions 164 b are provided along the axis 156. Four first arc portions 162b are provided so as to be alternately arranged with four first chord portions 164b provided around the axis 156. Therefore, the first roller 160 b has four rotation angle positions such that the first chord portion 164 b forms the same plane as the stage surface 152. That is, there are four rotation angle positions in the range of 360 ° per revolution.

第1の回転角度位置は、例えば90°、180°、270°、360°のように、回転角度位置が等間隔になるように設けられてもよい。このようなときは、第1のコロ160bは、軸156に沿って視たときに4回対称となるような形状を有する。ただし、4回対称の形状には限定されない。   The first rotation angle positions may be provided such that the rotation angle positions are equally spaced, for example, 90 °, 180 °, 270 °, 360 °. In such a case, the first roller 160b has a shape that is four-fold symmetric when viewed along the axis 156. However, the shape is not limited to four-fold symmetry.

本変形例でも、第1のコロ及び第2のコロがそれぞれ第1の弦部及び第2の弦部を有しており、第1の弦部及び第2の弦部が載置ステージのステージ面と同一の平面を形成することができる。そのため、基板を停止するときに、基板全面を均一に支持することができ、基板温度にムラが生じることを防止でき、基板全面に均一に基板処理を行うことができる。   Also in this modification, the first roller and the second roller have the first string portion and the second string portion, respectively, and the first string portion and the second string portion are stages of the placement stage. The same plane as the surface can be formed. Therefore, when the substrate is stopped, the entire surface of the substrate can be supported uniformly, unevenness in the substrate temperature can be prevented, and substrate processing can be performed uniformly on the entire surface of the substrate.

更に、本変形例では、第1の弦部を複数設けることができるため、第1のコロの形状を例えば軽量化するために任意の形状で設計することができる。   Furthermore, in this modification, since a plurality of first chord portions can be provided, the shape of the first roller can be designed with an arbitrary shape in order to reduce the weight, for example.

また、第1のコロ及び第2のコロを、軸に沿って視たときに第1の弦部と第2の弦部とが周方向に沿って近接するような配置で同期して回転駆動するときは、第1のコロを停止してから第2のコロを停止するまでに基板が移動する距離を短くすることができる。よって、載置ステージの搬送方向に沿った長さを、基板の搬送方向に沿った長さに略等しくなるように短くすることができ、基板処理装置のフットプリントを削減することができる。また、チャンバの容積を小さくすることにより、真空排気装置を小型化、省電力化することができる。   Further, the first roller and the second roller are synchronously driven to rotate in such an arrangement that the first chord part and the second chord part are close to each other in the circumferential direction when viewed along the axis. When this is done, the distance that the substrate moves from when the first roller is stopped to when the second roller is stopped can be shortened. Therefore, the length along the carrying direction of the mounting stage can be shortened so as to be substantially equal to the length along the carrying direction of the substrate, and the footprint of the substrate processing apparatus can be reduced. Further, by reducing the volume of the chamber, the vacuum exhaust device can be reduced in size and power can be saved.

なお、本変形例では、第2のコロの形状を第1の実施の形態と同様にし、第1のコロの形状を第1の弦部が複数設けられるように変えた例を説明した。しかし、第1のコロの形状を第1の実施の形態と同様にし、第2のコロの形状を第2の弦部が複数設けられるようにしてもよい。   In this modification, the second roller has the same shape as that of the first embodiment, and the first roller has been changed so that a plurality of first chords are provided. However, the shape of the first roller may be the same as that of the first embodiment, and the shape of the second roller may be provided with a plurality of second string portions.

また、第1のコロ及び第2のコロは、ステージ面と略同一の平面を形成するものであればよいため、第1の弦部及び第2の弦部は、平面でなく多少の凹凸、溝等を有していてもよい。   In addition, since the first roller and the second roller only need to form a plane substantially the same as the stage surface, the first chord part and the second chord part are not flat and have some unevenness, You may have a groove | channel etc.

また、本変形例では、第1のコロのみ、第1の弦部が軸の周りに沿って複数設けられている例を説明した。しかし、前述したように、第1のコロにおいて第1の弦部が軸の周りに沿って複数設けられているのに加え、第2のコロにおいて第2の弦部が軸の周りに沿って複数設けられていてもよい。すなわち、第2のコロの形状を、本変形例における第1のコロの形状と略同じにしてもよい。このとき、第2のコロにおいても、複数の第2の弦部及び複数の第2の円弧部が、軸の周りに沿って交互に配列するように設けられる。これにより、第1のコロ及び第2のコロは、どのような回転角度位置においても、軸に沿って視たときに第1の弦部と第2の弦部とが周方向に沿って近接する。従って、第1のコロを停止してから第2のコロを停止するまでに基板が移動する距離を短くすることができる。よって、載置ステージの搬送方向に沿った長さを基板の搬送方向に沿った長さに略等しくなるように短くすることができ、基板処理装置のフットプリントを削減することができる。また、チャンバの容積を小さくすることにより、真空排気装置を小型化、省電力化することができる。
(第2の実施の形態)
次に、図13を参照し、本発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
In the present modification, an example in which only the first roller is provided with a plurality of first chord portions around the axis has been described. However, as described above, in addition to the plurality of first chord portions provided around the axis in the first roller, the second chord portion is provided around the axis in the second roller. A plurality may be provided. That is, the shape of the second roller may be substantially the same as the shape of the first roller in this modification. At this time, also in the second roller, a plurality of second chord portions and a plurality of second arc portions are provided so as to be alternately arranged around the axis. Accordingly, the first chord part and the second chord part are close to each other in the circumferential direction when viewed along the axis at any rotational angle position. To do. Therefore, the distance that the substrate moves from when the first roller is stopped to when the second roller is stopped can be shortened. Therefore, the length along the carrying direction of the mounting stage can be shortened to be substantially equal to the length along the carrying direction of the substrate, and the footprint of the substrate processing apparatus can be reduced. Further, by reducing the volume of the chamber, the vacuum exhaust device can be reduced in size and power can be saved.
(Second Embodiment)
Next, a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施の形態に係る基板処理装置は、レジスト塗布ユニットが、載置ステージ、第1のコロ及び第2のコロを有する点で、第1の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。   The substrate processing apparatus according to the present embodiment is different from the substrate processing apparatus according to the first embodiment in that the resist coating unit includes a mounting stage, a first roller, and a second roller.

図13は、本実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニット、減圧乾燥ユニット及びプリベークユニットの構成を示す一部断面を含む平面図である。なお、図13においては、リフレッシュ部の図示を省略している。   FIG. 13 is a plan view including a partial cross-section showing configurations of a resist coating unit, a vacuum drying unit, and a pre-bake unit in the coating and developing processing system which is the substrate processing apparatus according to the present embodiment. In FIG. 13, the refresh unit is not shown.

本実施の形態でも、レジスト塗布ユニット以外の塗布現像処理システムの各処理部は、図1から図4を用いて説明した第1の実施の形態に係る塗布現像処理システムと同様にすることができる。また、図13において図示していないリフレッシュ部は、図3から図5を用いて説明した第1の実施の形態と同様にすることができる。   Also in this embodiment, each processing unit of the coating and developing processing system other than the resist coating unit can be the same as the coating and developing processing system according to the first embodiment described with reference to FIGS. 1 to 4. . Further, the refresh unit not shown in FIG. 13 can be the same as that of the first embodiment described with reference to FIGS.

また、本実施の形態におけるコロも、本発明における回転体に相当する。また、本実施の形態におけるコロも、半径に対する回転軸方向の長さの比率が大きな円柱形状(丸棒形状)の回転体も、半径に対する回転軸方向の長さの比率が小さな円板形状の回転体も含むものとする。   Further, the roller in the present embodiment also corresponds to the rotating body in the present invention. In addition, the roller in the present embodiment is also a cylindrical body (round bar shape) having a large ratio of the length in the rotation axis direction to the radius, and the disk-shaped rotation body having a small ratio of the length in the rotation axis direction to the radius. A rotating body is also included.

また、本実施の形態でも、第1の弦部は、第1の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。また、第2の弦部は、第2の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。   Also in the present embodiment, the first chord portion may form a surface substantially parallel to the stage surface when in the first rotation angle position. Further, the second chord portion may form a surface substantially parallel to the stage surface when in the second rotation angle position.

一方、本実施の形態では、レジスト塗布ユニット(COT)44は、塗布処理用浮上ステージ、基板搬送機構を有していない。それらに代え、本実施の形態では、レジスト塗布ユニット(COT)44は、載置ステージ250、第1のコロ260及び第2のコロ270を有する。また、本実施の形態では、レジストノズル284は、載置ステージ250上で搬送方向(X方向)に沿って前後に移動可能に設けられている。   On the other hand, in the present embodiment, the resist coating unit (COT) 44 does not have a coating processing floating stage and a substrate transport mechanism. Instead, in this embodiment, the resist coating unit (COT) 44 includes a placement stage 250, a first roller 260, and a second roller 270. In the present embodiment, the resist nozzle 284 is provided on the mounting stage 250 so as to be movable back and forth along the transport direction (X direction).

載置ステージ250は、減圧乾燥ユニット(VD)に備えられた載置ステージ150と同様に、基板Gを一方向に沿って搬送する第1の搬送路34の途中に設けられている。載置ステージ250は、ステージ面252を有し、基板Gをステージ面252の上に載置する。ステージ面252には開口部254が形成されており、開口部254を除いて平坦な面を形成している。   Similar to the mounting stage 150 provided in the reduced pressure drying unit (VD), the mounting stage 250 is provided in the middle of the first transport path 34 that transports the substrate G along one direction. The placement stage 250 has a stage surface 252 and places the substrate G on the stage surface 252. An opening 254 is formed in the stage surface 252, and a flat surface is formed except for the opening 254.

第1のコロ260及び第2のコロ270は、ステージ面252の下方で搬送路を横切る方向(Y方向)に延びる軸256に沿って互いに独立して回転可能に設けられている。第1のコロ260及び第2のコロ270は、軸256に対して軸対称であってステージ面252より上方に突出可能な互いに等しい半径を有するコロの一部を軸256に沿って切り落とした形状に形成されている。第1のコロ260は、図10A及び図10Bに示した第1のコロ160と同様に、第1の円弧部と、第1の回転角度位置にあるときにステージ面252と同一の平面を形成する第1の弦部とを有する。第2のコロ270は、図10A及び図10Bに示した第2のコロ170と同様に、第2の円弧部と、第2の回転角度位置にあるときにステージ面252と同一の平面を形成する第2の弦部とを有する。また、載置ステージ250、第1のコロ260及び第2のコロ270については、第1の回転駆動機構及び第2の回転駆動機構その他の部分についても、第1の実施の形態と同様にすることができる。   The first roller 260 and the second roller 270 are rotatably provided independently of each other along an axis 256 extending in a direction (Y direction) across the conveyance path below the stage surface 252. The first roller 260 and the second roller 270 have a shape in which a part of a roller having an equal radius that is axially symmetric with respect to the axis 256 and can protrude above the stage surface 252 is cut off along the axis 256. Is formed. Similar to the first roller 160 shown in FIGS. 10A and 10B, the first roller 260 forms the same plane as the stage surface 252 when it is at the first rotation angle position. And a first string portion. Similarly to the second roller 170 shown in FIGS. 10A and 10B, the second roller 270 forms the same plane as the stage surface 252 when it is at the second rotation angle position with the second arc portion. And a second string portion. Further, regarding the mounting stage 250, the first roller 260, and the second roller 270, the first rotation driving mechanism, the second rotation driving mechanism, and other parts are the same as in the first embodiment. be able to.

レジストノズル284は、載置ステージ250の上方を搬送方向(X方向)と直交する水平方向(Y方向)に横断して延びる長尺形ノズルである。レジストノズル284は、塗布位置を移動しながらその直下の基板Gの上面に対してスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出するようになっている。   The resist nozzle 284 is a long nozzle extending across the placement stage 250 in a horizontal direction (Y direction) orthogonal to the transport direction (X direction). The resist nozzle 284 discharges the resist liquid in a strip shape from the slit-like discharge port to the upper surface of the substrate G immediately below the application position while moving the application position.

レジストノズル284は、第1の実施の形態よりも長い距離の範囲で、載置ステージ250の上方をX方向に移動できるようになっている。レジストノズル284は、このノズルを支持するノズル支持部材294と一体に第1の搬送路34の搬送方向(X方向)に移動可能に構成されている。これにより、第1の弦部及び第2の弦部が載置ステージ250のステージ面252と同一の平面を形成するような回転角度位置で停止し、基板Gをステージ面252の上に載置した後、レジストノズル284を搬送方向(X方向)に移動させながら、基板G全面に亘りレジスト液を塗布することができる。   The resist nozzle 284 can move in the X direction above the mounting stage 250 within a range of a distance longer than that of the first embodiment. The resist nozzle 284 is configured to be movable in the transport direction (X direction) of the first transport path 34 integrally with a nozzle support member 294 that supports the nozzle. Thereby, the first chord part and the second chord part are stopped at a rotation angle position so as to form the same plane as the stage surface 252 of the placement stage 250, and the substrate G is placed on the stage surface 252. After that, the resist solution can be applied over the entire surface of the substrate G while moving the resist nozzle 284 in the transport direction (X direction).

本実施の形態では、第1のコロ及び第2のコロがそれぞれ第1の弦部及び第2の弦部を有しているため、基板を停止するときに、基板全面を均一に支持することができ、基板温度にムラが生じることを防止でき、基板全面に均一に基板処理を行うことができる。これにより、レジスト液を塗布する際の塗りムラを防止することができる。
(第3の実施の形態)
次に、図14を参照し、本発明の第3の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
In this embodiment, since the first roller and the second roller have the first string portion and the second string portion, respectively, the entire surface of the substrate is uniformly supported when the substrate is stopped. Thus, unevenness in the substrate temperature can be prevented, and the substrate can be uniformly processed over the entire surface of the substrate. Thereby, the coating nonuniformity at the time of apply | coating a resist liquid can be prevented.
(Third embodiment)
Next, a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施の形態に係る基板処理装置は、検査ユニットが、載置ステージ、第1のコロ及び第2のコロを有する点で、第1の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。   The substrate processing apparatus according to the present embodiment is different from the substrate processing apparatus according to the first embodiment in that the inspection unit includes a mounting stage, a first roller, and a second roller.

図14は、本実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおける検査ユニットの一部の構成を示す斜視図である。   FIG. 14 is a perspective view showing a partial configuration of the inspection unit in the coating and developing treatment system which is the substrate processing apparatus according to the present embodiment.

本実施の形態でも、検査ユニット以外の塗布現像処理システムの各処理部は、図1から図4を用いて説明した第1の実施の形態に係る塗布現像処理システムと同様にすることができる。   Also in this embodiment, each processing unit of the coating and developing processing system other than the inspection unit can be made the same as the coating and developing processing system according to the first embodiment described with reference to FIGS.

また、本実施の形態におけるコロも、本発明における回転体に相当する。また、本実施の形態におけるコロも、半径に対する回転軸方向の長さの比率が大きな円柱形状(丸棒形状)の回転体も、半径に対する回転軸方向の長さの比率が小さな円板形状の回転体も含むものとする。   Further, the roller in the present embodiment also corresponds to the rotating body in the present invention. In addition, the roller in the present embodiment is also a cylindrical body (round bar shape) having a large ratio of the length in the rotation axis direction to the radius, and the disk-shaped rotation body having a small ratio of the length in the rotation axis direction to the radius. A rotating body is also included.

また、本実施の形態でも、第1の弦部は、第1の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。また、第2の弦部は、第2の回転角度位置にあるときにステージ面と略平行な面を形成するものであってもよい。   Also in the present embodiment, the first chord portion may form a surface substantially parallel to the stage surface when in the first rotation angle position. Further, the second chord portion may form a surface substantially parallel to the stage surface when in the second rotation angle position.

一方、本実施の形態では、検査ユニット(AP)60は、載置ステージ350、第1のコロ360及び第2のコロ370を有する。   On the other hand, in the present embodiment, the inspection unit (AP) 60 includes a mounting stage 350, a first roller 360, and a second roller 370.

載置ステージ350は、基板Gを一方向に沿って搬送する第2の搬送路64の途中に設けられている。載置ステージ350は、ステージ面352を有し、基板Gをステージ面352の上に載置する。ステージ面352には開口部354が形成されており、開口部354を除いて平坦な面を形成している。なお、第2の搬送路64は、本発明における搬送路に相当する。   The mounting stage 350 is provided in the middle of the second transport path 64 that transports the substrate G along one direction. The placement stage 350 has a stage surface 352 and places the substrate G on the stage surface 352. An opening 354 is formed on the stage surface 352, and a flat surface is formed except for the opening 354. The second transport path 64 corresponds to the transport path in the present invention.

第1のコロ360及び第2のコロ370は、ステージ面352の下方で第2の搬送路64を横切る方向(Y方向)に延びる軸356に沿って互いに独立して回転可能に設けられている。第1のコロ360及び第2のコロ370は、軸356に対して軸対称であってステージ面352より上方に突出可能な互いに等しい半径を有するコロの一部を軸356に沿って切り落とした形状に形成されている。第1のコロ360は、図10A及び図10Bに示した第1のコロ160と同様に、第1の円弧部362と、第1の回転角度位置にあるときにステージ面352と同一の平面を形成する第1の弦部とを有する。第2のコロ370は、図10A及び図10Bに示した第2のコロ170と同様に、第2の円弧部372と、第2の回転角度位置にあるときにステージ面352と同一の平面を形成する第2の弦部374とを有する。また、載置ステージ350、第1のコロ360及び第2のコロ370については、第1の回転駆動機構及び第2の回転駆動機構その他の部分についても、第1の実施の形態と同様にすることができる。   The first roller 360 and the second roller 370 are provided independently of each other along an axis 356 extending in a direction (Y direction) across the second transport path 64 below the stage surface 352. . The first roller 360 and the second roller 370 have a shape in which a part of a roller that is axially symmetric with respect to the axis 356 and has an equal radius that can protrude upward from the stage surface 352 is cut off along the axis 356. Is formed. Similar to the first roller 160 shown in FIGS. 10A and 10B, the first roller 360 has a first arc portion 362 and the same plane as the stage surface 352 when in the first rotation angle position. A first string portion to be formed. Similar to the second roller 170 shown in FIGS. 10A and 10B, the second roller 370 has the same plane as the stage surface 352 when it is at the second rotation angle position with the second arc portion 372. And a second string portion 374 to be formed. Further, regarding the mounting stage 350, the first roller 360, and the second roller 370, the first rotation driving mechanism, the second rotation driving mechanism, and other parts are the same as those in the first embodiment. be able to.

しかしながら、本実施の形態では、載置ステージ350は、減圧乾燥ユニット(VD)に備えられた載置ステージと相違し、図14に示すように、搬送方向(X方向)に沿った長さが基板Gの長さよりも短い。従って、第1のコロ360及び第2のコロ370が設けられる軸356は、搬送方向(X方向)に沿って例えば1つ程度設けられる。また、第1のコロ360及び第2のコロ370よりなる組は、図14に示すように、例えば2組程度設けられる。   However, in the present embodiment, the mounting stage 350 is different from the mounting stage provided in the reduced pressure drying unit (VD), and has a length along the transport direction (X direction) as shown in FIG. It is shorter than the length of the substrate G. Therefore, for example, about one shaft 356 on which the first roller 360 and the second roller 370 are provided is provided along the transport direction (X direction). Further, as shown in FIG. 14, for example, two sets of the first roller 360 and the second roller 370 are provided.

検査ユニット(AP)60では、非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる。そして、検査項目によっては、基板全面に亘り同時に検査を行うのではなく、検査ステップと搬送ステップとを繰り返して順次検査を行う場合がある。具体的には、搬送路を横切る方向(Y方向)に沿ってライン状に検査装置を設置し、検査装置の下で一旦停止させて基板Gの一部を検査する検査ステップと、搬送方向(X方向)に沿って微小距離移動させる移動ステップとを繰り返す。   The inspection unit (AP) 60 performs non-contact line width inspection, film quality / film thickness inspection, and the like. Depending on the inspection item, the inspection may not be performed simultaneously over the entire surface of the substrate, but may be sequentially performed by repeating the inspection step and the transport step. Specifically, an inspection apparatus is installed in a line along a direction (Y direction) crossing the conveyance path, and is temporarily stopped under the inspection apparatus to inspect a part of the substrate G, and a conveyance direction ( The moving step of moving a minute distance along (X direction) is repeated.

本実施の形態では、検査ステップにおいて一旦停止させて基板の一部を検査するとき、検査する部分を載置ステージ350のステージ面352に載置する。第1のコロ360及び第2のコロ370がそれぞれ第1の弦部及び第2の弦部374を有しており、第1の弦部及び第2の弦部374が載置ステージ350のステージ面352と同一の平面を形成することができる。そのため、基板を停止するときに、基板全面を均一に支持することができ、基板温度にムラが生じることを防止できる。よって、温度依存性の大きな検査装置を用いる場合、または温度依存性が大きい検査項目を検査する場合にも、基板全面に均一に検査処理を行うことができる。   In this embodiment, when a part of the substrate is inspected by temporarily stopping in the inspection step, the part to be inspected is placed on the stage surface 352 of the placement stage 350. The first roller 360 and the second roller 370 have a first string portion and a second string portion 374, respectively, and the first string portion and the second string portion 374 are stages of the mounting stage 350. The same plane as the surface 352 can be formed. Therefore, when the substrate is stopped, the entire surface of the substrate can be uniformly supported, and unevenness in the substrate temperature can be prevented. Therefore, even when using an inspection device having a large temperature dependency, or when inspecting an inspection item having a large temperature dependency, the entire surface of the substrate can be inspected.

以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. Can be modified or changed.

10 塗布現像処理システム
34 第1の搬送路
46 減圧乾燥ユニット(VD)
150 載置ステージ
152 ステージ面
154 開口部
156 軸
160 第1のコロ
164 第1の弦部
170 第2のコロ
174 第2の弦部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Coating / development processing system 34 1st conveyance path 46 Pressure reduction drying unit (VD)
150 Placement stage 152 Stage surface 154 Opening 156 Axis 160 First roller 164 First chord part 170 Second roll 174 Second chord part

Claims (15)

被処理基板を一方向に沿って搬送する搬送路の途中に設けられたステージ面を有し、前記被処理基板を前記ステージ面の上に載置する載置ステージと、
前記ステージ面の下方で前記搬送路を横切る方向に延びる軸に沿って回転可能に設けられ、前記ステージ面より上方に突出可能な半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第1の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第1の弦部を備えた第1の回転体と、
前記軸に沿って前記第1の回転体と独立して回転可能に設けられ、前記半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第2の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第2の弦部を備えた第2の回転体と
を有する、基板処理装置。
A stage having a stage surface provided in the middle of a conveyance path for conveying the substrate to be processed along one direction; and a stage for placing the substrate to be processed on the stage surface;
A shape in which a part of a rotating body that is provided so as to be rotatable along an axis extending in a direction crossing the conveyance path below the stage surface and has a radius capable of projecting upward from the stage surface is cut off along the axis. And a first rotating body including a first chord portion that forms a surface substantially parallel to the stage surface when in the first rotation angle position;
It is provided so as to be able to rotate independently of the first rotating body along the axis, and is formed in a shape obtained by cutting off a part of the rotating body having the radius along the axis, and at a second rotational angle position. A substrate processing apparatus comprising: a second rotating body including a second chord portion that forms a surface substantially parallel to the stage surface at a certain time.
前記載置ステージは、前記ステージ面に開口部が形成されており、
前記第1の回転体は、前記開口部を介して前記ステージ面より上方に突出可能な第1の円弧部を備え、
前記第2の回転体は、前記開口部を介して前記ステージ面より上方に突出可能な第2の円弧部を備えた、請求項1に記載の基板処理装置。
The mounting stage has an opening formed on the stage surface,
The first rotating body includes a first arc portion that can protrude upward from the stage surface through the opening,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second rotating body includes a second arc portion that can protrude upward from the stage surface through the opening.
前記第1の弦部は、前記軸の周りに沿って複数設けられた、請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the first chord portions are provided along the axis. 前記第2の弦部は、前記軸の周りに沿って複数設けられた、請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the second chord portions are provided along the axis. 前記第1の回転体は、前記軸に沿って複数設けられ、
前記第2の回転体は、前記軸に沿って複数設けられ、
前記複数の第1の回転体は、第1の回転駆動機構によって回転駆動され、
前記複数の第2の回転体は、第2の回転駆動機構によって回転駆動される、請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理装置。
A plurality of the first rotating bodies are provided along the axis,
A plurality of the second rotating bodies are provided along the axis,
The plurality of first rotating bodies are rotationally driven by a first rotational driving mechanism,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of second rotating bodies are rotationally driven by a second rotational driving mechanism.
前記搬送路の途中に設けられ、前記被処理基板を収容するための空間を有する減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内を真空排気する排気部と
を有し、
前記載置ステージと、前記第1の回転体と、前記第2の回転体とは、前記チャンバ内に設けられた、請求項1から請求項5のいずれかに記載の基板処理装置。
A depressurizable chamber provided in the middle of the transfer path and having a space for accommodating the substrate to be processed;
An exhaust part for evacuating the chamber,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the placement stage, the first rotating body, and the second rotating body are provided in the chamber.
被処理基板を一方向に沿って搬送する搬送路の途中に設けられたステージ面を有し、前記被処理基板を前記ステージ面の上に載置する載置ステージと、前記ステージ面の下方で前記搬送路を横切る方向に延びる軸に沿って回転可能に設けられ、前記ステージ面より上方に突出可能な半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第1の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第1の弦部を備えた第1の回転体と、前記軸に沿って前記第1の回転体と独立して回転可能に設けられ、前記半径を有する回転体の一部を前記軸に沿って切り落とした形状に形成され、第2の回転角度位置にあるときに前記ステージ面と略平行な面を形成する第2の弦部を備えた第2の回転体とを有する、基板処理装置における基板処理方法であって、
前記軸に沿って視たときに前記第1の弦部と前記第2の弦部とが重ならない状態で、前記第1の回転体と前記第2の回転体とを回転駆動して前記被処理基板を前記載置ステージ上に搬入する搬入工程と、
前記第1の回転体の回転角度位置が前記第1の回転角度位置にあり、前記第2の回転体の回転角度位置が前記第2の回転角度位置にある状態で、前記第1の回転体の回転駆動及び前記第2の回転体の回転駆動を停止して、前記被処理基板を前記ステージ面に載置する載置工程と
を有する、基板処理方法。
A stage surface provided in the middle of a transport path for transporting the substrate to be processed along one direction, a mounting stage for mounting the substrate to be processed on the stage surface, and a position below the stage surface A part of a rotating body, which is provided so as to be rotatable along an axis extending in a direction crossing the conveyance path and has a radius capable of projecting upward from the stage surface, is formed in a shape cut off along the axis. And a first rotating body having a first chord portion that forms a surface substantially parallel to the stage surface when the rotation angle position is set to be independent of the first rotating body along the axis. A second part that is formed in a shape that is partly cut off along the axis and that is substantially parallel to the stage surface when in a second rotational angle position. And a second rotating body having a string portion of the substrate. The substrate processing method in the apparatus,
When the first chord and the second chord are not overlapped when viewed along the axis, the first rotating body and the second rotating body are rotated to drive the object. A loading step of loading the processing substrate onto the mounting stage described above;
In a state where the rotation angle position of the first rotation body is at the first rotation angle position and the rotation angle position of the second rotation body is at the second rotation angle position, the first rotation body And a mounting step of mounting the substrate to be processed on the stage surface by stopping the rotational driving of the second rotating body and the rotational driving of the second rotating body.
前記載置工程は、
前記搬入工程の後、前記第1の回転体の回転角度位置が前記第1の回転角度位置にある時に前記第1の回転体の回転を停止する第1の回転停止工程と、
前記第1の回転停止工程の後、前記第2の回転体の回転角度位置が前記第2の回転角度位置にある時に前記第2の回転体の回転を停止し、前記被処理基板を前記ステージ面の上に載置する第2の回転停止工程と
を有する、請求項7に記載の基板処理方法。
The previous placement process is
A first rotation stopping step for stopping rotation of the first rotating body when the rotation angle position of the first rotating body is at the first rotation angle position after the carrying-in step;
After the first rotation stopping step, when the rotation angle position of the second rotation body is at the second rotation angle position, the rotation of the second rotation body is stopped, and the substrate to be processed is placed on the stage. The substrate processing method according to claim 7, further comprising a second rotation stopping step that is placed on the surface.
前記搬出工程は、
前記載置工程の後、前記第2の回転体の回転を開始する第1の回転開始工程と、
前記第1の回転開始工程の後、前記第2の回転体の回転角度位置が前記第2の弦部が前記ステージ面より突出しない回転角度位置にある時に前記第1の回転体の回転を開始し、前記軸に沿って視たときに前記第1の弦部と前記第2の弦部とが重ならない状態で、前記第1の回転体と前記第2の回転体とを回転駆動して前記被処理基板を前記載置ステージ上から搬出する第2の回転開始工程と
を有する請求項7又は請求項8に記載の基板処理方法。
The unloading step
A first rotation starting step for starting rotation of the second rotating body after the placing step;
After the first rotation start step, the rotation of the first rotating body starts when the rotation angle position of the second rotating body is at a rotation angle position at which the second chord portion does not protrude from the stage surface. Then, when the first chord part and the second chord part do not overlap when viewed along the axis, the first rotary body and the second rotary body are rotationally driven. The substrate processing method according to claim 7, further comprising a second rotation start step of unloading the substrate to be processed from the placement stage.
前記載置ステージは、前記ステージ面に開口部が形成されており、
前記第1の回転体は、前記開口部を介して前記ステージ面より上方に突出可能な第1の円弧部を備え、
前記第2の回転体は、前記開口部を介して前記ステージ面より上方に突出可能な第2の円弧部を備えた、請求項7から請求項9のいずれかに記載の基板処理方法。
The mounting stage has an opening formed on the stage surface,
The first rotating body includes a first arc portion that can protrude upward from the stage surface through the opening,
The substrate processing method according to claim 7, wherein the second rotating body includes a second arc portion that can project upward from the stage surface through the opening.
前記第1の弦部は、前記軸の周りに沿って複数設けられた、請求項7から請求項10のいずれかに記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 7, wherein a plurality of the first string portions are provided along the axis. 前記第2の弦部は、前記軸の周りに沿って複数設けられた、請求項7から請求項11のいずれかに記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 7, wherein a plurality of the second chord portions are provided along the axis. 前記第1の回転体は、前記軸に沿って複数設けられ、
前記第2の回転体は、前記軸に沿って複数設けられ、
前記複数の第1の回転体は、第1の回転駆動機構によって回転駆動され、
前記複数の第2の回転体は、第2の回転駆動機構によって回転駆動される、請求項7から請求項12のいずれかに記載の基板処理方法。
A plurality of the first rotating bodies are provided along the axis,
A plurality of the second rotating bodies are provided along the axis,
The plurality of first rotating bodies are rotationally driven by a first rotational driving mechanism,
The substrate processing method according to claim 7, wherein the plurality of second rotating bodies are rotationally driven by a second rotational driving mechanism.
前記基板処理装置は、前記搬送路の途中に設けられ、前記被処理基板を収容するための空間を有する減圧可能なチャンバと、前記チャンバ内を真空排気する排気部とを有し、
前記載置ステージと、前記第1の回転体と、前記第2の回転体とは、前記チャンバ内に設けられた、請求項7から請求項13のいずれかに記載の基板処理方法。
The substrate processing apparatus has a decompressable chamber provided in the middle of the transfer path and having a space for accommodating the substrate to be processed, and an exhaust unit for evacuating the chamber,
The substrate processing method according to claim 7, wherein the placement stage, the first rotating body, and the second rotating body are provided in the chamber.
コンピュータに請求項7から請求項14のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。   A computer-readable recording medium recording a program for causing a computer to execute the substrate processing method according to claim 7.
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