KR101269748B1 - Heat treatment unit - Google Patents
Heat treatment unit Download PDFInfo
- Publication number
- KR101269748B1 KR101269748B1 KR1020060123948A KR20060123948A KR101269748B1 KR 101269748 B1 KR101269748 B1 KR 101269748B1 KR 1020060123948 A KR1020060123948 A KR 1020060123948A KR 20060123948 A KR20060123948 A KR 20060123948A KR 101269748 B1 KR101269748 B1 KR 101269748B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- casing
- heat treatment
- board
- heaters
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
Abstract
본 발명은 가열처리장치에 관한 것으로서 가열 처리 장치 (28)은 기판 (G)를 한방향으로 반송하는 반송로로서의 롤러 반송 기구 (5)와 반송로를 포위하도록 설치된 케이싱 (6)과 케이싱 (6)내에 반송로를 반송되는 기판 (G)의 양면 측에 기판 (G)에 근접하도록 반송로를 따라 각각 설치된 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r, 72a~72r)를 구비하여 기판이 대형으로서도 기판의 휘어짐이나 파손등의 발생을 억제할 수가 있는 것과 동시에 기판을 수용하는 케이싱의 소형화를 도모하는 것이 가능한 가열 처리 장치를 제공한다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus, wherein the heat treatment apparatus 28 includes a roller conveyance mechanism 5 serving as a conveying path for conveying the substrate G in one direction, and a casing 6 and a casing 6 provided to surround the conveying path. The board | substrate is provided with the 1st and 2nd surface heater 71a-71r, 72a-72r provided along the conveyance path in the both sides of the board | substrate G which conveys a conveyance path inside, so that the board | substrate G may approach. The present invention provides a heat treatment apparatus capable of suppressing the occurrence of warpage or breakage of a substrate even in a large size, and at the same time miniaturizing a casing that accommodates the substrate.
Description
도 1은 FPD용의 유리 기판에의 레지스트막의 형성 및 노광 처리 후의 레지스트막의 현상 처리를 실시하는 본 발명과 관련되는 가열 처리 장치를 구비한 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 개략 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic plan view of a resist coating / development processing system equipped with a heat treatment apparatus according to the present invention for forming a resist film on a glass substrate for FPD and developing the resist film after exposure treatment.
도 2는 가열 처리 장치의 평면 방향의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view in the planar direction of the heat treatment apparatus.
도 3은 가열 처리 장치의 측면 방향의 단면도이다.3 is a cross-sectional view in the lateral direction of the heat treatment apparatus.
도 4는 가열 처리 장치를 구성하는 제1 및 제2의 면형상 히터의 개략 평면도이다.4 is a schematic plan view of the first and second planar heaters constituting the heat treatment apparatus.
도 5는 제1 및 제2의 면형상 히터의 제어계를 나타내는 개념도이다.5 is a conceptual diagram showing a control system of the first and second surface heaters.
도 6은 가열 처리 장치에서의 기판의 가열 처리를 설명하기 위한 도이다.It is a figure for demonstrating the heat processing of the board | substrate in a heat processing apparatus.
도 7은 제1 및 제2의 면형상 히터의 제어계의 다른 예를 나타내는 개념도이다. 7 is a conceptual diagram illustrating another example of the control system of the first and second surface heaters.
**주요부위를 나타내는 도면부호의 설명**** Description of reference numerals indicating main parts **
28, 31···가열 처리 유니트(가열 처리 장치) 28, 31 ... Heating unit (heating unit)
5···롤러 반송 기구 5 ... roller conveying mechanism
6···케이싱 6 ... Casing
50···롤러 부재 50 ... roller member
52···외주위면부 52 ... outer periphery
63···내벽63 ... inner wall
64···외벽 64 ... outer walls
65···공간 65 ...
71 (71a~71r)…제1의 면형상 히터 71 (71a to 71r). First surface heater
72 (72a~72r)…제2의 면형상 히터 72 (72a to 72r). Second surface heater
G···기판G ...
본 발명은, 플랫 패널 디스플레이(FPD) 용의 유리 기판 등의 기판에 가열 처리를 실시하는 가열 처리 장치에 관한다.This invention relates to the heat processing apparatus which heat-processes board | substrates, such as a glass substrate for flat panel displays (FPD).
FPD의 제조에 있어서는 FPD용의 유리 기판상에 회로 패턴을 형성하기 위해서 포트리소그래피 기술이 이용된다. 포트리소그래피에 의한 회로 패턴의 형성은 유리 기판상에 레지스트액을 도포해 레지스트막을 형성하고 회로 패턴에 대응하도록 레지스트막을 노광해 이것을 현상 처리하는 순서로 행해진다.In the manufacture of FPDs, photolithography techniques are used to form circuit patterns on glass substrates for FPDs. The formation of the circuit pattern by photolithography is performed in the order of applying a resist liquid on a glass substrate to form a resist film, exposing the resist film so as to correspond to the circuit pattern, and developing it.
포트리소그래피 기술에서는 일반적으로, 레지스트막의 형성 후 및 현상 처리 후에 레지스트막을 건조시키기 때문에 유리 기판에 대해서 가열 처리가 실시된다. 이러한 가열 처리에는 유리 기판을 수용 가능한 케이싱과 케이싱내에 설치된 유리 기판을 재치하여 가열하는 가열 플레이트와 가열 플레이트상으로부터 돌출 및 몰입 하도록 승강 가능하게 설치되어 반송 아암에 의해 파지되어 반송된 유리 기판을 가열 플레이트상에 수수하는 승강 핀을 구비한 가열 처리 장치가 이용되고 있다(예를 들면 특허 문헌 1, 2, 3 참조). In the photolithography technique, since a resist film is generally dried after formation of a resist film and after image development processing, heat processing is performed with respect to a glass substrate. In this heat treatment, a heating plate for placing a casing capable of accommodating the glass substrate and a glass substrate provided in the casing, and a heating substrate for heating and protruding from the heating plate and lifting and immersing on the heating plate, held and conveyed by the conveying arm, is heated. The heat processing apparatus provided with the lift pin which receives a phase is used (for example, refer
그런데, 최근 FPD의 대형화가 지향되어 한 변이 2 m 이상이나 되는 거대한 유리 기판이 출현하기에 이르고 있다. 이것에 대해서 상술한 종래의 가열 처리 장치에서는 유리 기판의 가열 수단이 유리 기판을 재치하는 가열 플레이트이기 때문에 유리 기판이 대형이 되면 기판 전체를 균등하게 가열하는 것이 어려워져 가열 처리에 의해 유리 기판에 휘어짐이 생겨 버릴 우려가 있다. 또, 유리 기판은 대형화에 수반해 취급성이 나빠지기 때문에, 이 가열 처리 장치에서는 유리 기판이 대형이 되면 반송 아암과 승강 핀의 사이 또는 승강 핀과 가열 플레이트의 사이의 수수시의 충격에 의해 파손해 버릴 우려도 있다.By the way, in recent years, the FPD has been aimed at increasing the size of a large glass substrate with a side length of 2 m or more. On the other hand, in the above-mentioned conventional heat processing apparatus, since the heating means of a glass substrate is a heating plate which mounts a glass substrate, when a glass substrate becomes large, it becomes difficult to evenly heat the whole board | substrate, and it bends to a glass substrate by heat processing. This may occur. In addition, since handleability worsens with enlargement of a glass substrate, in this heat processing apparatus, when a glass substrate becomes large, it is damaged by the impact at the time of a transfer between a conveyance arm and a lifting pin, or between a lifting pin and a heating plate. There is also a fear.
그 한편, 가열 처리 장치에서는 기판의 대형화에 수반하는 장치 자체의 현저한 거대화를 회피하기 위해 케이싱내의 기판 주위의 스페이스를 매우 작게 억제해 케이싱을 소형화하는 것이 바람직하게 되고 있다.On the other hand, in the heat treatment apparatus, in order to avoid the remarkable enlarging of the apparatus itself accompanying the enlargement of a board | substrate, it is desirable to reduce the space around the board | substrate in a casing very small, and to miniaturize a casing.
[특허 문헌 1] 일본국 특개 2002-231792호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-231792
[특허 문헌 2] 일본국 특개 2001-196299호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-196299
[특허 문헌 3] 일본국 특개평11-204428호 공보[Patent Document 3] Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-204428
본 발명은, 관련된 사정에 비추어 이루어진 것 으로서, 기판이 대형으로서도 기판의 휘어짐이나 파손등의 불편의 발생을 억제할 수가 있는 것과 동시에, 기판을 수용하는 케이싱의 소형화를 도모하는 것이 가능한 가열 처리 장치의 제공을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the related circumstances, and it is possible to suppress the occurrence of inconvenience such as bending or damage of the substrate even when the substrate is large, and at the same time, it is possible to reduce the size of the casing containing the substrate. It is for the purpose of providing.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은 기판에 가열 처리를 실시하는 가열 처리 장치로서, 기판을 한방향으로 반송하는 반송로와 상기 반송로를 포위하도록 설치된 케이싱과 상기 반송로를 따라 상기 케이싱내에 상기 반송로를 반송되는 기판에 근접하도록 기판의 양면 측에 각각 설치된 제1 및 제2의 면형상 히터를 구비하는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치를 제공한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, this invention is a heat processing apparatus which heat-processes a board | substrate, The conveyance path which conveys a board | substrate in one direction, the casing provided to surround the said conveyance path, and the said conveyance path in the said casing along the said conveyance path It is provided with the 1st and 2nd surface heater respectively provided in the both sides of the board | substrate so that the board | substrate may approach to the board | substrate conveyed, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned.
본 발명에 있어서, 상기 반송로는 한방향에 간격을 두고 복수 설치된 롤러 부재의 회전에 의해 기판을 롤러 반송하고 상기 제1의 면형상 히터는 상기 롤러 부재들 사이에 각각 설치되어 반송 방향으로 복수 배열되고 있는 것이 바람직하다. 이 경우에, 상기 제2의 면형상 히터는 상기 제1의 면형상 히터의 배열 피치와 대응하도록 반송 방향으로 복수 배열되어 상기 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터는 개별 또는 반송 방향으로 구분된 그룹마다 온도 제어 가능한 것이 바람직하다. 또한 이 경우에, 상기 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터가 개별 또는 반송 방향으로 구분된 그룹마다 온도 제어되는 것으로 상기 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터로부터 이루어지는 히터군은 소정의 온도 프로 파일을 형성하는 것이 바람직하고, 상기 제1 및 제2의 면형상 히터는 각각 상기 반송로의 폭방향으로 복수로 구분된 영역마다 온도 제어 가능한 것이 바람직하고, 상기 제2의 면형상 히터는 상기 케이싱의 하나의 벽부에 장착되고 있고 상기 케이싱의 상기 하나의 벽부는 상기 케이싱내를 개폐하는 문으로서 기능하는 것이 바람직하다. 또, 이들의 경우에 상기 롤러 부재는 적어도 외주위면이 열전도율이 낮은 재료로 이루어지는 것이 바람직하다.In this invention, the said conveyance path roller conveys a board | substrate by the rotation of the roller member provided in multiple space | interval at one direction, and the said 1st surface heater was respectively installed between the said roller members, and is arranged in multiple conveyance direction, It is desirable to have. In this case, the second planar heaters are arranged in plural in the conveying direction so as to correspond to the arrangement pitch of the first planar heaters so that the plurality of first and second planar heaters are divided into individual or conveying directions. It is preferable that temperature control is possible for every group. In this case, the plurality of first and second planar heaters are temperature-controlled for each group divided into individual or conveying directions so that the heater group formed from the plurality of first and second planar heaters is It is preferable to form a temperature profile, and it is preferable that the first and second planar heaters are each capable of temperature control in a plurality of divided regions in the width direction of the conveying path, and the second planar heater is It is preferable that it is attached to one wall part of the casing, and the one wall part of the casing functions as a door for opening and closing the inside of the casing. Moreover, in these cases, it is preferable that the said roller member consists of a material with low thermal conductivity at least on the outer peripheral surface.
이상의 본 발명에 있어서, 상기 케이싱의 벽부는 서로 공간을 비워 설치된 내벽 및 외벽을 구비한 이중벽구조를 가지고 있어 상기 내벽 및 외벽의 사이의 공간이 상기 케이싱 내외를 단열하는 공기 단열층으로서 기능하는 것이 바람직하다.In the present invention described above, the wall portion of the casing has a double wall structure having an inner wall and an outer wall provided with empty spaces so that the space between the inner wall and the outer wall functions as an air insulating layer for insulating the inside and outside of the casing. .
또한 이상의 본 발명에 있어서, 상기 반송로를 반송되는 기판의 반송 경로와 상기 제1 및 제2의 면형상 히터의 간격은 각각 5~30 mm인 것이 바람직하다.Moreover, in the above this invention, it is preferable that the space | intervals of the conveyance path | route of the board | substrate which conveys the said conveyance path, and the said 1st and 2nd surface heater are 5-30 mm, respectively.
이하, 첨부 도면을 참조해 본 발명의 실시 형태에 대해서 구체적으로 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described concretely with reference to an accompanying drawing.
도 1은, 본 발명의 하나의 실시형태와 관련되는 가열 처리 장치가 탑재된 FPD용의 유리 기판(이하, 단지 「기판」이라고 적는다)에의 레지스트막의 형성 및 노광 처리 후의 레지스트막의 현상 처리를 실시하는 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 개략 평면도이다.1 shows the formation of a resist film on a glass substrate for FPD (hereinafter, simply referred to as a "substrate") equipped with a heat treatment apparatus according to one embodiment of the present invention, and the development of the resist film after exposure treatment. A schematic plan view of a resist coating and developing treatment system.
레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)은 복수의 기판 (G)를 수용하기 위한 카셋트 (C)가 재치되는 카셋트 스테이션 (1)과 기판 (G)에 레지스트 도포 및 현상을 포함한 일련의 처리를 실시하는 처리 스테이션 (2)와 기판 (G)에 노광 처리를 실시하는 노광 장치 (9)의 사이에 기판 (G)의 수수를 실시하는 인터페이스 스테이션 (4)를 구비하고 있어 카셋트 스테이션 (1) 및 인터페이스 스테이션 (4)는 각각 처리 스테이션 (2)의 양측으로 배치되고 있다. 또한 도 1에 있어서 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)의 긴 방향을 X방향, 평면상에 있어서 X방향과 직교하는 방향을 Y방향으로 한다.The resist coating and developing
카셋트 스테이션 (1)은 카셋트 (C)를 Y방향으로 병렬로 재치 가능한 재치대 (12)와 처리 스테이션 (2)의 사이에 기판 (G)의 반입출을 실시하는 반송 장치 (11)을 구비하고 재치대 (12)와 외부의 사이에 카셋트 (C)의 반송을 한다. 반송 장치 (11)에 설치된 반송 아암 (11a)는 Y방향으로 연장하는 가이드 (10)을 따라 이동 가능함과 동시에 상하 이동, 전후 이동 및 수평 회전 가능하고, 카셋트 (C)와 처리 스테이션 (2)의 사이에 기판 (G)의 반입출을 실시하는 것이다.The
처리 스테이션 (2)는 카셋트 스테이션 (1)과 인터페이스 스테이션 (4)의 사이에 X방향으로 연장하는 평행한 2열의 기판 (G)의 반송 라인 (A,B)를 가지고 있다. 반송 라인 (A)는 롤러 반송이나 벨트 반송 등의 소위 평류 반송에 의해 기판 (G)를 카셋트 스테이션 (1)측으로부터 인터페이스 스테이션 (4) 측에 향해 반송하도록 구성되고 반송 라인 (B)는 롤러 반송이나 벨트 반송 등의 소위 평류 반송에 의해 기판 (G)를 인터페이스 스테이션 (4)측으로부터 카셋트 스테이션 (1)측으로 향하여 반송하도록 구성되고 있다.The
반송 라인 (A)상에는 카셋트 스테이션 (1)측으로부터 인터페이스 스테이션 (4)측에 향해, 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 21), 스크러브 세정 유니트(SCR, 22), 예비 가열 유니트(PH, 23), 애드히젼유닛트(AD, 24), 냉각 유니트(COL, 25), 레지스트 도포 유니트(CT, 26), 감압 건조 유니트(DP, 27), 가열 처리 유니트(HT, 28), 냉각 유니트(COL, 29)가 차례로 배열되고 있다.On the conveying line A, from the
엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 21)은 기판 (G)에 포함되는 유기물의 제거 처리를 실시하고 스크러브 세정 유니트(SCR, 22)는 기판 (G)의 스크러브 세정 처리 및 건조 처리를 실시한다. 예비 가열 유니트(PH, 23)은 기판 (G)의 가열 처리를 실시하고 애드히젼유닛트(AD, 24)는 기판 (G)의 소수화 처리를 실시하고, 냉각 유니트(COL, 25)는 기판 (G)를 냉각한다. 레지스트 도포 유니트(CT, 26)은 기판 (G)상에 레지스트액을 공급해 레지스트막을 형성하고 감압 건조 유니트(DP, 27)은, 감압하에서 기판 (G)상의 레지스트막에 포함되는 휘발 성분을 증발시켜 레지스트막을 건조시킨다. 후에 상술 하는 가열 처리 유니트(HT, 28)은 기판 (G)의 가열 처리를 실시해, 냉각 유니트(COL, 29)는 냉각 유니트(COL, 25)와 동일하게 기판 (G)를 냉각한다.The excimer UV irradiation unit (e-UV) 21 performs the removal treatment of the organic matter contained in the substrate G, and the scrub
반송 라인 (B)상에는 인터페이스 스테이션 (4)측으로부터 카셋트 스테이션 (1) 측에 향해 현상 유니트(DEV, 30), 가열 처리 유니트(HT, 31), 냉각 유니트(COL, 32)가 차례로 배열되고 있다. 또한 냉각 유니트(COL, 32)와 카세트 스테이션 (1)의 사이에는 레지스트 도포 및 현상을 포함한 일련의 처리가 실시된 기판 (G)를 검사하는 검사 장치(IP, 35)가 설치되고 있다.On the conveyance line B, the developing unit DEV, 30, the heat treatment unit HT, 31, and the cooling unit COL, 32 are sequentially arranged from the
현상 유니트(DEV, 30)은 기판 (G)상에의 현상액의 도포, 기판 (G)의 린스 처리, 기판 (G)의 건조 처리를 차례로 실시한다. 가열 처리 유니트(HT, 31)은, 가열 처리 유니트(HT, 28)과 동일하게 기판 (G)의 가열 처리를 실시하고, 냉각 유니트(COL, 32)는 냉각 유니트(COL, 25)와 동일하게 기판 (G)를 냉각한다.The developing
인터페이스 스테이션 (4)는 기판 (G)를 수용 가능한 버퍼 카셋트가 배치된, 기판 (G)의 수수부인 로터리 스테이지(RS, 44)와 반송 라인 (A)를 반송된 기판 (G)를 수취하여 로터리 스테이지(RS, 44)에 반송하는 반송 아암 (43)을 구비하고 있다. 반송 아암 (43)은, 상하 이동, 전후 이동 및 수평 회전 가능하고, 반송 아암 (43)에 인접해 설치된 노광 장치 (9)와 반송 아암 (43) 및 현상 유니트(DEV, 30)에 인접하여 설치된, 주변 노광 장치(EE) 및 타이틀러(TITLER)를 가지는 외부 장치 블럭 (90)에도 액세스 가능하다.The
레지스트 도포·현상 처리 장치 (100)은 CPU를 구비한 프로세스 컨트롤러 (101)에 접속되어 제어되도록 구성되고 있다. 프로세스 컨트롤러 (101)에는, 공정관리자가 레지스트 도포·현상 처리 장치 (100)의 각부 또는 각 유니트를 관리하기 위해서 커멘드의 입력 조작등을 실시하는 키보드나, 각부 또는 각 유니트의 가동 상황을 가시화해 표시하는 디스플레이등으로 이루어지는 유저 인터페이스 (102)와 레지스트 도포·현상 처리 장치 (100)으로 실행되는 가열 처리나 냉각 처리 등의 각종 처리를 프로세스 컨트롤러 (101)의 제어로 실현되기 위한 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피가 격납된 기억부 (103)이 접속되고 있다.The resist coating and developing
그리고, 필요에 따라서, 유저 인터페이스 (102)로부터의 지시등에서 임의의 레시피를 기억부 (103)으로부터 호출해 프로세스 컨트롤러 (101)에 실행시키는 것으로 프로세스 컨트롤러 (101)의 제어하에서 레지스트 도포·현상 처리 장치 (100)으로 원하는 처리를 한다. 또, 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터등의 레시피는 컴퓨터 독취 가능한 기억 매체, 예를 들면 CD-ROM, 하드 디스크, 플렉시블 디스크 플래쉬 메모리 등에 격납된 상태의 것을 이용하거나 혹은, 다른 장치로부터, 예를 들면 전용회선을 개재하여 수시 전송시켜 온라인으로 이용하거나 하는 것도 가능하다.Then, a resist coating / development processing apparatus under the control of the
이와 같이 구성된 레지스트 도포 현상 처리 장치 (100)에 있어서는 우선, 카셋트 스테이션 (1)의 재치대 (12)에 재치된 카셋트 (C)내의 기판 (G)가 반송 장치 (11)의 반송 아암 (11a)에 의해 처리 스테이션 (2)의 반송 라인 (A)의 상류측 단부에 반송되고 또한 반송 라인 (A)상을 반송되고, 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 21)으로 기판 (G)에 포함되는 유기물의 제거 처리를 한다. 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 21)에서의 유기물의 제거 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고, 스크러브 세정 유니트(SCR, 22)로 스크러브 세정 처리 및 건조 처리가 실시된다.In the resist coating and developing
스크러브 세정 유니트(SCR, 22)에서의 스크러브 세정 처리 및 건조 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고 예비 가열 유니트(PH, 23)으로 가열 처리가 실시되고 탈수된다. 예비 가열 유니트(PH, 23)에서의 가열 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고, 애드히젼유닛트(AD, 24)로 소수화 처리가 실시된다. 애드히젼유닛트(AD, 24)에서의 소수화 처리가 종료한 기판 (G)는, 반송 라인 (A)상을 반송되고 냉각 유니트(COL, 25)로 냉각된다.The board | substrate G in which the scrub cleaning process and the drying process in the scrub
냉각 유니트(COL, 25)로 냉각된 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고 레지스트 도포 유니트(CT, 26)으로 레지스트막이 형성된다. 레지스트 도포 유니트(CT, 26)에서의 레지스트막의 형성은 기판 (G)가 반송 라인 (A)상을 반송되면서, 기판 (G)상에 레지스트액이 공급되는 것으로 행해진다.The substrate G cooled by the
레지스트 도포 유니트(CT, 26)으로 레지스트막이 형성된 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고 감압 건조 유니트(DP, 27)로 감압 환경에 노출되는 것으로, 레지스트막의 건조 처리가 실시된다.The substrate G on which the resist film is formed by the resist coating units CT and 26 is conveyed on the conveying line A and exposed to the reduced pressure environment by the vacuum drying unit DP and 27, and the resist film is dried.
감압 건조 유니트(DP, 27)로 레지스트막의 건조 처리가 실시된 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고 가열 처리 유니트(HT, 28)로 가열 처리가 실시되고 레지스트막에 포함되는 용제가 제거된다. 기판 (G)의 가열 처리는 후술하는 롤러 반송 기구 (5)에 의해 반송 라인 (A)상을 반송되면서 행해진다. 가열 처리 유니트(HT, 28)에서의 가열 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고 냉각 유니트(COL, 29)로 냉각된다.The substrate G subjected to the drying treatment of the resist film by the vacuum drying unit DP, 27 is conveyed on the conveying line A, and is subjected to heat treatment by the heat treatment unit HT, 28, and included in the resist film. Is removed. The heat processing of the board | substrate G is performed, conveying the conveyance line A image by the
냉각 유니트(COL, 29)로 냉각된 기판 (G)는, 반송 라인 (A)상을 하류측 단부까지 반송된 후, 인터페이스 스테이션 (4)의 반송 아암 (43)에 의해 로터리 스테이지(RS, 44)에 반송된다. 다음에, 기판 (G)는 반송 아암 (43)에 의해 외부 장치 블럭 (90)의 주변 노광 장치(EE)에 반송되어 주변 노광 장치(EE)로 레지스트막의 외주부(불필요 부분)를 제거하기 위한 노광 처리가 실시된다. 이어서 기판 (G)는, 반송 아암 (43)에 의해 노광 장치 (9)에 반송되어 레지스트막에 소정 패턴의 노광 처리가 실시된다. 또한 기판 (G)는, 일시적으로 로터리 스테이지(RS, 44)상의 버퍼 카셋트에 수용된 후에 노광 장치 (9)에 반송되는 경우가 있다. 노광 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 아암 (43)에 의해 외부 장치 블럭 (90)의 타이틀러(TITLER)에 반송되어 타이틀러(TITLER)로 소정의 정보가 기록된다.After the board | substrate G cooled by the cooling unit COL and 29 is conveyed on the conveyance line A to a downstream end part, the rotary stage RS, 44 by the
타이틀러(TITLER)로 소정의 정보가 기록된 기판 (G)는, 반송 라인 (B)상을 반송되고 현상 유니트(DEV, 30)으로 현상액의 도포 처리, 린스 처리 및 건조 처리가 차례로 실시된다. 현상액의 도포 처리, 린스 처리 및 건조 처리는 예를 들면, 기판 (G)가 반송 라인 (B)상을 반송되면서 기판 (G)상에 현상액이 액활성되어 다음에 반송이 일단 정지되어 기판이 소정 각도 경사해 현상액이 흘러 떨어져 이 상태로 기판 (G)상에 린스액이 공급되어 현상액이 세정되고 그 후, 기판 (G)가 수평 자세로 돌아가 다시 반송되면서 기판 (G)에 건조 가스가 분무되는 순서로 행해진다.The board | substrate G in which predetermined | prescribed information was recorded by the titler TITLER is conveyed on the conveyance line B, and a coating process, a rinse process, and a drying process of a developing solution are performed in order by the developing
현상 유니트(DEV, 30)에서의 현상액의 도포 처리, 린스 처리 및 건조 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (B)상을 반송되고 가열 처리 유니트(HT, 31)으로 가열 처리가 실시되고 레지스트막에 포함되는 용제 및 수분이 제거된다. 기판 (G)의 가열 처리는 후술하는 롤러 반송 기구 (5)에 의해 반송 라인 (B)상을 반송되면서 행해진다. 또한 현상 유니트(DEV, 30)과 가열 처리 유니트(HT, 31)의 사이에는, 현상액의 탈색 처리를 실시하는 i선 UV조사 유니트를 설치해도 좋다. 가열 처리 유니트(HT, 31)에서의 가열 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (B)상을 반송되고, 냉각 유니트(COL, 32)로 냉각된다.The substrate G on which the coating, rinsing, and drying processing of the developing solution in the developing
냉각 유니트(COL, 32)로 냉각된 기판 (G)는 반송 라인 (B)상을 반송되고 검사 유니트(IP, 35)로 검사된다. 검사를 통과한 기판 (G)는 카셋트 스테이션 (1)에 설치된 반송 장치 (11)의 반송 아암 (11a)에 의해 재치대 (12)에 재치된 소정의 카셋트 (C)에 수용되게 된다.The substrate G cooled by the
다음에, 가열 처리 유니트(HT, 28)에 대해서 상세하게 설명한다. 또한 가열 처리 유니트(HT, 31)도 가열 처리 유니트(HT, 28)과 완전히 동일한 구조를 가지고 있다.Next, the heat treatment units HT and 28 will be described in detail. The heat treatment units HT and 31 also have the same structure as the heat treatment units HT and 28.
도 2는 가열 처리 유니트(HT, 28) (가열 처리 장치)를 나타내는 평면 방향의 단면도이고, 도 3은 그 측면 방향의 단면도이다.FIG. 2 is a sectional view in a planar direction showing the heat treatment units HT 28 (heating apparatus), and FIG. 3 is a sectional view in the lateral direction thereof.
가열 처리 유니트(HT, 28)은 기판 (G)를 X방향 한방향측으로 반송하는 롤러 반송 기구 (5)와 롤러 반송 기구 (5)를 포위 또는 수납하도록 설치된 케이싱 (6)과 케이싱 (6)내에서 롤러 반송 기구 (5)에 의해 롤러 반송되고 있는 기판 (G)를 가열하는 가열 기구 (7)을 구비하고 있다.The heat treatment units HT and 28 are provided in the
롤러 반송 기구 (5)는 Y방향으로 연장하는 대략 원주형상의 회전 가능한 롤러 부재 (50)을 X방향으로 간격을 두고 복수 가지고 있다. 롤러 부재 (50)은 각각 회전축 (51)이 도시하지 않는 모터 등의 구동원에 직접적 또는 간접적으로 접속되어 구동원의 구동에 의해 회전해, 이것에 의해 기판 (G)가 복수의 롤러 부재 (50)상을 X방향의 한방향측에 향하여 반송된다. 또, 롤러 부재 (50)은 각각 기판 (G)의 전폭(Y방향)에 걸쳐서 접하는 형상을 가지고 있어 가열 기구 (7)에 의해 가열된 기판 (G)의 열이 전달하기 어렵게 외주위면부 (52)가 수지 등의 열전도율이 낮은 재료로 형성되어 회전축 (51)이 알루미늄, 스텐레스, 세라믹 등의 고강도면서도 열전도율의 비교적 낮은 재료로 형성되고 있다. 롤러 반송 기구 (5)는, 그 반송로 또는 반송면이 반송 라인 (A; 가열 처리 유니트(HT, 31)에 있어서는 반송 라인 (B))의 일부를 구성하고 있다.The
케이싱 (6)은 박형의 상자 모양으로 형성되어 기판 (G)를 대략 수평 상태로 수용 가능하고, X방향으로 대향하는 측벽부에 각각 반송 라인 (A,가열 처리 유니트(HT, 31)에서는 반송 라인 (B)) 상의 기판 (G)가 통과 가능한 Y방향으로 연장하는 슬릿 형상의 반입구 (61) 및 반출구 (62)를 가지고 있다. 롤러 반송 기구 (5)의 롤러 부재 (50)은 각각 회전축 (51)이 케이싱 (6)의 Y방향으로 대향하는 측벽부에 설치된 베어링 (60)에 회전 가능하게 지지를 수취하여 케이싱 (6)내에 배치되고 있다.The
케이싱 (6)의 벽부 여기에서는 상벽부, 저벽부 및 Y방향으로 대향하는 측벽부는 서로 공간을 비워 설치된 내벽 (63) 및 외벽 (64)를 구비한 이중벽구조를 가지고 있고 내벽 (63) 및 외벽 (64)의 사이의 공간 (65)가 케이싱 (6) 내외를 단열하는 공기 단열층으로서 기능한다. 또한 외벽 (64)의 내측면에도, 케이싱 (6) 내외를 단열하기 위한 단열재 (66)이 설치되고 있다.Wall part of
가열 기구 (7)은 롤러 반송 기구 (5)에 의한 기판 (G)의 반송로를 따라 케이싱 (6)내에 설치된 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 71a~71r), (72, 72a~72r)를 구비하고 있고 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)는 각각, 롤러 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판에 근접하도록 롤러 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)의 이면(하면) 측 및 표면(상면) 측에 설치되고 있다. 이것에 의해, 케이싱 (6)의 박형화가 도모되고 있다.The
제1의 면형상 히터 (71)은 Y방향으로 연장하는 단책 형상으로 형성되어 롤러 부재 (50)들 사이에 각각 설치되어 X방향으로 복수(X방향 상류측으로부터 차례로 71a~71r) 배열되고 있다. 이것에 의해, 케이싱 (6)의 새로운 박형화가 도모되고 있다. 제1의 면형상 히터 (71)은 예를 들면 케이싱 (6)의 Y방향으로 대향하는 측벽부에 장착되어 지지를 받고 있다. 제2의 면형상 히터 (72)는, Y방향으로 연장하는 단책 형상으로 형성되어 제1의 면형상 히터 (71)의 배열 피치와 대응하도록 X방향으로 복수(X방향 상류측으로부터 차례로(72a~72r) 배열되고 있다. 제2의 면형상 히터 (72)는 케이싱 (6)에 상벽부에 장착되어 지지를 받고 있다. 제1의 면형상 히터 (71)과 롤러 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)의 반송 경로의 간격과 제2의 면형상 히터 (72)와 롤러 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)의 반송 경로의 간격은 동일하게 되어 있다.The
본 실시 형태에서는 기판 (G)를 가열하기 위한 제 1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)를 동일한 피치로 X방향으로 복수 배열한 것에 의해 제1의 면형상 히터 (71)들(또는 제2의 면형상 히터 (72)들)의 사이의 위치(예를 들면 도 3의 부호 P 위치)에서 케이싱 (6)을 X방향으로 복수 분할 가능하게 구성할 수가 있다. 이것에 의해, 기판 (G)가 대형화해도 가열 처리 장치 (28) 자체의 운반이 용이하다.In the present embodiment, the first planar heaters 71 (or the plurality of first and second
또한 본 실시 형태에서는, 기판 (G)를 가열하기 위한 제 2의 면형상 히터 (72)를 X방향으로 복수 배열한 것에 의해, 제2의 면형상 히터 (72)들 사이의 위치(예를 들면 도 3의 부호 P 위치)에서, 케이싱 (6) 상벽부를 양문 도어 형상으로 개폐 가능하게 구성할 수가 있다(도 3의 가상선참조). 이것에 의해, 케이싱 (6)내의 롤러 반송 기구 (5)나 가열 기구 (7)의 메인터넌스를 용이하게 실시할 수가 있다.In the present embodiment, a plurality of second
제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)는 각각 도 4에 나타나는 바와 같이 (도 4는 가열 처리 장치 (28)을 구성하는 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)의 개략 평면도), 마이카판에 발열체를 설치하여 구성된 복수, 예를 들면 4매의 마이카 히터 (73 ; 73a, 73b, 73c, 73d)과 이들의 복수의 마이카 히터 (73)이 Y방향으로 배열되도록 장착된 단책 형상의 전열체 (74)를 가지고 있다.As shown in Fig. 4, the first and second
복수의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r, 72a~72r)은 도 5에 나타나는 바와 같이 (도 5는 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)의 제어계를 나타내는 개념도), X방향으로 구분된 X방향 상류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71g, 72a~72g)(의 마이카 히터 (73))와 X방향 하류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71r, 72h~72r)(의 마이카 히터 (73))가 각각, 다른 히터 전원 (105a, 105b)에 접속되고 있다. X방향 상류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71g, 72a~72g) 및 X방향 하류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71r, 72h~72r)에는 각각, 도시하지 않는 온도센서가 설치되고 히터 전원 (105a, 105b)는 각각, 온도센서의 검출 신호 및 프로세스 컨트롤러 (101)으로부터의 지령을 받은 히터 컨트롤러(제어부, 104)에 의해 제어된다. 즉, X방향 상류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71g, 72a~72g)로 이루어지는 영역 (S)와 X방향 하류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71r, 72h~72r)로 이루어지는 영역 (T)라는 것은, 히터 컨트롤러 (104)에 의해 별개로 온도 제어되도록 구성되고 있다. 또한 영역 (S)와 영역 (T)를 같은 전원에 접속하고 이 전원에 있어서의 영역 (S)의 출력과 영역 (T)의 출력을 바꾸도록 구성해도 괜찮다.The plurality of first and second
케이싱 (6)의 X방향 양단부의 예를 들면 상벽부 및 저벽부에는 각각 배기구 (67)이 설치되고 있고 배기구 (67)에는 배기 장치 (68)이 접속되고 있다. 그리고, 배기 장치 (68)이 작동하는 것으로써, 배기구 (67)을 개재하여 케이싱 (6)내의 배기를 하도록 구성되고 있다. 배기구 (67) 및 배기 장치 (68)은 케이싱 (6)내를 배기하는 배기 기구를 구성하고 있다. 배기구 (67)은 예를 들면, Y방향으로 복수 형성되고 있어도 좋고, Y방향으로 연장하는 긴 구멍 형상으로 형성되고 있어도 괜찮다. 배기 기구를 케이싱 (6)의 X방향 양단부에 각각 설치하는 것으로 반입구 (61) 및 반출구 (62)에 에어 커튼이 형성되어 외부의 진애 등이 반입구 (61) 및 반출구 (62)로부터 케이싱 (6)내에 침입해 버리는 것이 억제된다. 또한 배기구 (67)은 측벽부에 형성되고 있어도 좋고 이 경우에는 X방향으로 복수 혹은 X방향으로 연장하는 긴 구멍 형성되고 있어도 괜찮다.For example, the
한편, 케이싱 (6)의 X방향 중앙부의 예를 들면 상벽부 및 바닥벽부에는 케이싱내에 흡기를 실시하는 흡기 기구로서의 흡기구 (69)가 설치되고 있다. 흡기구 (69)는 예를 들면 Y방향으로 복수 형성되고 있어도 좋고, Y방향으로 연장하는 긴 구멍 형상으로 형성되고 있어도 괜찮다. 배기구 (67)과는 대조적으로 흡기구 (69)를 케이싱 (6)의 X방향 중앙부에 설치하는 것으로, 케이싱 (6)내의 환경의 체류를 확실히 방지할 수가 있기 때문에, 가열 기구 (7)에 의한 열을 케이싱 (6)내에 효과적으로 확산시키는 것과 동시에 가열 처리 시에 발생하는 레지스트막에 포함되는 승화물의 케이싱 (6)내로의 부착을 방지할 수가 있다. 또한 흡기구 (69)는 측벽부에 형성되고 있어도 좋고 이 경우에는 X방향으로 복수, 혹은 X방향으로 연장하는 긴 구멍 형상으로 형성되고 있어도 괜찮다. 또, 흡기구 (69)에 흡기 장치(도시하지 않음)를 접속해 이 흡기 장치의 작동에 의해 가열된 공기가 케이싱 (6)내에 도입되 도록 구성해도 괜찮다.On the other hand, for example, the upper wall portion and the bottom wall portion of the central portion in the X-direction of the
다음에, 상술한 바와 같이 구성된 가열 처리 유니트(HT, 28)에서의 기판 (G)의 가열 처리에 대해서 설명한다.Next, the heat processing of the board | substrate G in the heat processing units HT and 28 comprised as mentioned above is demonstrated.
가열 처리 유니트(HT, 28)에서는, 감압 건조 유니트(DP, 27)측(가열 처리 유니트(HT, 31)에서는 현상 유니트(DEV, 30)측)의 반송 기구에 의해 반송된 기판 (G)가 반입구 (61)을 통과하면 롤러 반송 기구 (5)에 수수되고 이 롤러 반송 기구 (5)에 의해 반송되면서,히터 컨트롤러 (104)에 의해 온도 제어된 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)에 의해 케이싱 (6)내에서 가열된다. 따라서, 기판의 반송 및 가열이 병행하여 행해지기 때문에, 처리 시간의 단축화가 도모된다. 기판 (G)는, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)에 의해 양면측으로부터 가열되기 때문에, 휘어짐이 발생한다고 하는 것이 억제된다. 롤러 반송 기구 (5)에 의해 반송된 기판 (G)가 반출구 (62)를 통과하면 냉각 유니트(COL, 29)측(가열 처리 유니트(HT, 31)에서는 냉각 유니트(COL, 32))측의 반송 기구에 수수되고 이 평류식의 반송 기구에 의해 반송되는 것으로 이루어진다. 따라서, 가열 처리시 및 가열 처리 전후의 기판 (G)의 반송이 롤러 반송 기구 (5)등에 의한 소위 평류식만이므로 기판 (G)를 안전하게 반송할 수가 있다.In the heat treatment unit HT, 28, the substrate G conveyed by the conveyance mechanism of the pressure reduction drying unit DP, 27 side (in the heat treatment unit HT, 31, the developing unit DEV, 30 side) is The first and
가열 처리 시에는 X방향 상류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71g, 72a~72g)와 X방향 하류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71r, 72h~72r)이 각각 다른 히터 전원 (105a, 105b)에 접속되고 있기 때문에, X방향 상류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71g, 72a~72g)로 이루어지는 영역 (S)와 X방향 하류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71r, 72h~72r)로 이루어지는 영역 (T)를 다른 온도로 설정할 수가 있다. 기판 (G)를 소정의 온도, 예를 들면 130 ℃정도로 가열하는 경우에 영역 (T)를 소정의 온도의 대충 동일한 또는 소정의 온도보다 약간 높은 온도, 예를 들면 140~150 ℃정도로 설정하고, 영역 (S)를 영역 (T)의 온도보다 높은 온도, 예를 들면 170~180 ℃정도로 설정하면, 도 6에 나타나는 바와 같이(도 6은 가열 처리 유니트(HT, 28)에서의 기판 (G)의 가열 처리를 설명하기 위한 도), 롤러 반송 기구 (5)에 의해 반송되고 있는 기판 (G)를 영역 (S)에서 가열하고(도 6(a) 참조), 소정의 온도 부근까지 급속히 온도상승시킨 후, 영역 (T)에서 가열하여(도 6(b) 참조) 소정의 온도로 보온하는 것이 가능하고 가열 처리 시간의 단축화를 도모하는 것이 가능해진다.In the heat treatment, the first and
또, 제1의 면형상 히터 (71)의 배열 피치와 제2의 면형상 히터 (72)의 배열 피치가 동일하기 때문에, 상하에 대응하는 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)를 동일한 가열 온도로 설정하는 것으로써, 기판 (G)의 휘어짐의 발생을 확실히 방지하는 것이 가능해진다.Moreover, since the arrangement pitch of the 1st
다음에, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)의 제어계의 다른 예에 대해서 설명한다. 도 7은 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)의 제어계의 다른 예를 나타내는 개념도이다.Next, another example of the control system of the first and
복수의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r, 72a~72r)를, X방향으로 구분된 그룹별로 온도 제어 가능하게 구성함과 동시에, 각 그룹을 마이카 히터 (73)에 의해 Y방향으로 복수로 구분된 영역마다 온도 제어 가능하게 구성해도 괜찮다. 예를 들면, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71c, 72a~72c)의 Y방향 양측부의 마이카 히터 (73a, 73d)를 가지는 영역 (H)와 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71c, 72a~72c)의 Y방향 중앙부의 마이카 히터 (73b, 73c)를 가지는 영역 (I)와 제1 및 제2의 면형상 히터 (71d~71g), (72d~72g)의 Y방향 양 측부의 마이카 히터 (73a, 73d)를 가지는 영역 (J)와, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71d~71g, 72d~72g)의 Y방향 중앙부의 마이카 히터 (73b, 73c)를 가지는 K와, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71o, 72h~72o)의 Y방향 양측부의 마이카 히터 (73a, 73d)를 가지는 L과, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71o, 72h~72o)의 Y방향 중앙부의 마이카 히터 (73b, 73c)를 가지는 M과, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71p~71r, 72p~72r)의 Y방향 양측부의 마이카 히터 (73a, 73d)를 가지는 N과, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71p~71r, 72p~72r)의 Y방향 중앙부의 마이카 히터 (73b, 73c)를 가지는 영역 (O)를 각각 다른 히터 전원 105c~j에 접속하고, 히터 전원 105c~j를 각각, 온도센서의 검출 신호 및 프로세스 컨트롤러 (101)으로부터의 지령을 받은 히터 컨트롤러 (104)에 의해 제어시켜도 괜찮다. 이러한 구성에 의해, 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r, 72a~72r)로 이루어지는 히터군을 보다 면밀히 제어할 수가 있다. 또한 영역 (H~O)를 동일한 전원에 접속해, 이 전원에 있어서의 영역 (H~O)의 출력을 바꾸도록 구성해도 좋고, 도 5에 나타낸 제어계와 병용 해, 영역 (H~K) 및 영역 (L~O)를 각각 같은 전원에 접속해, 이것들의 전원에 있어서의 영역 (H~K)및 영역 (L~O)의 출력을 각각 바꾸도록 구성해도 괜찮다.The plurality of first and second
이 경우에, 케이싱 (6)의 측벽부나 배기 기구 등에 의한 열손실을 고려해, 영역 (S)에 있어서는, 영역 K보다 영역 (I), (J)의 온도를 높게 설정하고 또한 영역 (I), (J) 보다 영역 (H)의 온도를 높게 설정함과 동시에, 영역 (T) 에 있어서는 영역 (M)보다 영역 (O), (L)의 온도를 높게 설정하고 또한, 영역 (O), (L)보다 영역 (N)의 온도를 높게 설정하면, 가열 처리 시간의 단축화를 도모할 수가 있는 것과 동시에 영역 (S) 및 영역 (T)에 있어서 케이싱 (6)내의 기판 (G)의 전면을 균등한 온도로 가열할 수 있고 가열 처리의 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.In this case, in consideration of the heat loss caused by the side wall portion of the
히터는 통상, 피가열물에 대해서 어느 정도의 거리를 두고 설치하면 피가열물을 균등하게 가열하기 쉬워지는 대신에 가열 효율이 낮아지지만, 본 실시 형태에서는 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r,72a~72r)로 이루어지는 히터군이 구분된 영역마다 온도 제어 가능하기 때문에, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)를 롤러 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)와 근접하도록 설치해도, 기판 (G)전체를 균등하게 가열하는 것이 가능해진다. 롤러 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)가 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)와 접촉하지 않게, 또한, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)의 가열 효율을 저하하지 않게 롤러 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)의 반송 경로와 제1의 면형상 히터 (71) 및 제2의 면형상 히터 (72)의 간격은 각각 5~30 mm로 하는 것이 바람직하다.In general, when the heater is provided at a certain distance from the object to be heated, the heating efficiency is lowered instead of easily heating the heated object evenly. However, in the present embodiment, a plurality of first and second surface heaters are provided. Since temperature control is possible for every area | region where the heater group which consists of 71a-71r, 72a-72r is divided, the board | substrate which conveys the 1st and
또한 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r, 72a~72r)를 각각 다른 히터 전원에 접속해 히터 컨트롤러 (104)에 의해 개별적으로 온도 제어 가능하게 구성해도 좋고 또, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r, 72a~72r)의 마이카 히터 (73a~73d)를 각각 다른 히터 전원에 접속해 히터 컨트롤러 (104)에 의해 개별적으로 온도 제어 가능하게 구성해도 괜찮다.The first and second
본 실시 형태에 있어서는, 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r, 72a~72r)가 개별 또는 X방향으로 구분된 그룹마다 온도 제어되기 때문에 복수의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r, 72a~72r)로 이루어지는 히터군은, 용도에 따른 소정의 온도 프로 파일을 형성하는 것이 가능해진다. 또한, 주가열부 (7b)에 있어서 상벽부의 제 2의 면형상 히터 (72)는 예비가열부 (7a)로 기판의 휘어짐이 억제되면 설치하지 않아도 좋다.In the present embodiment, the plurality of first and
본 발명에 의하면, FPD용의 유리 기판과 같이 특히 기판이 대형의 경우에 매우 적합하지만 유리 기판에 한정하지 않고 반도체 웨이퍼등의 다른 기판의 가열 처리에도 넓게 적용할 수가 있다.According to the present invention, like a glass substrate for FPD, the substrate is particularly suitable for a large size, but can be widely applied not only to glass substrate but also to heat treatment of other substrates such as semiconductor wafers.
본 발명에 의하면, 기판을 한방향으로 반송하는 반송로를 설치하는 것과 동시에 기판을 가열하는 제1 및 제2의 면형상 히터를 반송로를 따라 설치했기 때문에 기판에 반송에 의한 큰 충격이 더해지는 것을 방지하면서 가열 처리를 가할 수가 있고 또한 반송로를 포위 하도록 케이싱을 설치하는 것과 동시에 케이싱내에 반송로를 반송되는 기판에 근접하도록 기판의 양면 측에 각각, 제1 및 제2의 면형상 히터를 설치했기 때문에, 기판의 표면 및 이면을 균등하게 가열하는 것을 가능으로 하면서도, 케이싱내의 기판 양면측의 스페이스를 작게 억제할 수가 있다. 따라서, 기판이 대형으로서도 기판의 파손이나 휘어짐 등의 불편의 발생을 억제할 수가 있는 것과 동시에 기판을 수용하는 케이싱의 박형화 즉 소형화를 도모하는 것이 가능 해진다.According to the present invention, since the conveyance path for conveying the substrate in one direction is provided and the first and second surface heaters for heating the substrate are provided along the conveyance path, it is possible to prevent a large impact due to conveyance on the substrate. The first and second planar heaters are respectively provided on both sides of the substrate so that the heat treatment can be applied and the casing is provided so as to surround the conveying path and the conveying path is close to the substrate being conveyed in the casing. While making it possible to evenly heat the front and rear surfaces of the substrate, the space on both sides of the substrate in the casing can be kept small. Therefore, even when the substrate is large, it is possible to suppress the occurrence of inconvenience such as breakage or warpage of the substrate, and at the same time, it is possible to reduce the thickness of the casing that accommodates the substrate, that is, reduce the size.
Claims (11)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2005-00355183 | 2005-12-08 | ||
JP2005355183A JP4531690B2 (en) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | Heat treatment device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070061418A KR20070061418A (en) | 2007-06-13 |
KR101269748B1 true KR101269748B1 (en) | 2013-05-30 |
Family
ID=38130875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060123948A KR101269748B1 (en) | 2005-12-08 | 2006-12-07 | Heat treatment unit |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4531690B2 (en) |
KR (1) | KR101269748B1 (en) |
CN (1) | CN100474507C (en) |
TW (1) | TWI339872B (en) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101055862B1 (en) * | 2009-03-23 | 2011-08-09 | 주식회사 테라세미콘 | Inline heat treatment equipment |
JP4936567B2 (en) * | 2009-09-18 | 2012-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment equipment |
JP2011216572A (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
JP5226037B2 (en) * | 2010-06-04 | 2013-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
JP5165731B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | Local exposure apparatus and local exposure method |
JP5470236B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Local exposure method and local exposure apparatus |
JP5369128B2 (en) * | 2011-03-01 | 2013-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Floating coating device |
JP5451798B2 (en) | 2011-03-15 | 2014-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Local exposure method and local exposure apparatus |
JP5773815B2 (en) * | 2011-09-12 | 2015-09-02 | 株式会社Screenホールディングス | Heat treatment equipment |
US11476167B2 (en) | 2017-03-03 | 2022-10-18 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment method and heat treatment apparatus of light irradiation type |
JP7265314B2 (en) * | 2017-03-03 | 2023-04-26 | 株式会社Screenホールディングス | Heat treatment method and heat treatment apparatus |
JP7232593B2 (en) | 2018-08-30 | 2023-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
JP7232596B2 (en) * | 2018-08-30 | 2023-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
JP7142566B2 (en) | 2018-12-27 | 2022-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
JP7186605B2 (en) * | 2018-12-27 | 2022-12-09 | 東京エレクトロン株式会社 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
KR102220853B1 (en) * | 2019-05-27 | 2021-02-26 | 주식회사 선코리아 | Thermal processing apparatus |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005123284A (en) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Renesas Technology Corp | Semiconductor manufacturing device |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62252989A (en) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | 日本電気株式会社 | Manufacture of printed circuit board |
JPH0193121A (en) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Kawasaki Steel Corp | Semiconductor wafer baking device |
JPH0270426A (en) * | 1988-09-06 | 1990-03-09 | Kawasaki Steel Corp | Composite steel plate having vibration suppressing property |
JPH04243119A (en) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Sharp Corp | Resist heating apparatus |
JPH0531223U (en) * | 1991-09-30 | 1993-04-23 | 日本電気株式会社 | LCD Display Active Device Manufacturing Equipment |
JP3438790B2 (en) * | 1994-07-28 | 2003-08-18 | 富士通株式会社 | Baking equipment |
JPH0953881A (en) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Baking device of hard board |
JPH09310198A (en) * | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Dainippon Printing Co Ltd | Electrodeposition resist drying device |
JPH1147668A (en) * | 1997-06-06 | 1999-02-23 | Kansai Denshi Kk | Substrate dryer |
-
2005
- 2005-12-08 JP JP2005355183A patent/JP4531690B2/en active Active
-
2006
- 2006-12-07 KR KR1020060123948A patent/KR101269748B1/en active IP Right Grant
- 2006-12-07 TW TW095145644A patent/TWI339872B/en not_active IP Right Cessation
- 2006-12-08 CN CNB2006101656028A patent/CN100474507C/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005123284A (en) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Renesas Technology Corp | Semiconductor manufacturing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100474507C (en) | 2009-04-01 |
JP2007158253A (en) | 2007-06-21 |
CN1979765A (en) | 2007-06-13 |
TW200737393A (en) | 2007-10-01 |
TWI339872B (en) | 2011-04-01 |
JP4531690B2 (en) | 2010-08-25 |
KR20070061418A (en) | 2007-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101269748B1 (en) | Heat treatment unit | |
KR101332120B1 (en) | Heat treatment unit, heat treatment method, and computer-readable recording medium | |
KR101299763B1 (en) | Substrate cooling device and substrate cooling method | |
JP4542577B2 (en) | Normal pressure drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method | |
JP2000056474A (en) | Method for treating substrate | |
JP4384686B2 (en) | Normal pressure drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method | |
KR101299898B1 (en) | Substrate cooling device | |
KR20080060165A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP4407971B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR101069494B1 (en) | Coating film forming apparatus | |
JP2013225681A (en) | Decompression dryer and decompression dry method | |
KR20120052871A (en) | Heat processing apparatus | |
JP2008159768A (en) | Baking apparatus, and substrate treating apparatus | |
JP4620536B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR20050043706A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TWI797325B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4472647B2 (en) | Heat treatment apparatus, heat treatment method, and computer-readable storage medium | |
JP4015015B2 (en) | Heat treatment equipment | |
JP2005270932A (en) | Coating film forming apparatus | |
JP2001307978A (en) | Substrate mounting table | |
JPH1140470A (en) | Method and device for treating substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160418 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170421 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180518 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190516 Year of fee payment: 7 |