JP3649048B2 - Resist coating / developing apparatus, and substrate heating processing apparatus and substrate transfer apparatus used therefor - Google Patents

Resist coating / developing apparatus, and substrate heating processing apparatus and substrate transfer apparatus used therefor Download PDF

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【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、LCD基板等の基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、レジスト膜を露光後に現像するレジスト塗布・現像装置、ならびにそれに用いる基板加熱処理装置および基板搬送装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶ディスプレイ(LCD)の製造においては、ガラス製の矩形のLCD基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンが形成される。
【0003】
このレジスト液を塗布する工程では、矩形のLCD基板は、レジストの定着性を高めるために、アドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理(HMDS処理)され、冷却ユニットで冷却後、レジスト塗布ユニットに搬入される。
【0004】
レジスト塗布ユニットでは、矩形の基板をスピンチャック上に保持した状態で回転させながら、その上方に設けられたノズルから基板の表面中心部にレジスト液を供給し、基板の回転による遠心力によってレジスト液を拡散させ、これにより、基板の表面全体にレジスト膜が塗布される。
【0005】
このレジスト液が塗布された基板は、周縁の余分なレジストが除去された後、加熱処理ユニットに搬入され、プリベーク処理が行われる。この加熱処理ユニットにおいては、加熱プレートと基板とが直接に接触することによって発生する静電気の悪影響を避けるために、リフトピンにより受け取られた基板を加熱プレートの固定ピンに載置して加熱プレートからの放熱によって加熱する、いわゆるプロキシミティー方式が採用されることが多い。
【0006】
次いで、基板は、冷却ユニットで冷却され、露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光され、その後現像処理され、ポストベーク処理が施されて、所定のレジストパターンが形成される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した塗布・現像処理においては、レジスト液が塗布された基板がプリベーク処理等された後に、または、基板が露光されて現像処理された後に、上述した加熱処理ユニットのリフトピン、固定ピン、またはバキューム溝等の形状が基板に転写されることがある。
【0008】
このリフトピン等の転写は、具体的には、プリベーク処理後には、基板上に塗布されたレジスト液の膜厚が、リフトピン等の形状に対応して変化することによって生じ、露光・現像処理後には、基板上に形成された回路パターンの線幅が、リフトピン等の形状に対応するように変化することにより生じる。また、プリベーク後には転写の存在が認められない場合でも現像後に転写が生じる場合もある。
【0009】
このような転写が生じるのは、近年、高感度型のレジスト液が用いられるようになってきたこと、および、LCD基板に形成される回路パターンの線幅が3μmと従来よりも細くなったことが原因と推測されるが、その原因は詳細には把握されておらず、したがってこのような転写を防止することは未だ成功していないのが実状である。
【0010】
しかし、上述したように、このようなリフトピン等の転写は、レジスト液の膜厚の不均一、および、回路パターンの線幅の変動に対応しているため、LCD基板の塗布・現像工程においては、このような転写が基板上に生じることを極力防止することが要望されている。
【0011】
また、加熱処理ユニットおよび搬送装置においては、パーティクルの発生は十分に抑制されているが、LCD基板の製品完成後に製品となる部分の裏面に、リフトピン、固定ピン、または支持ピンが触れていると、これらリフトピン等からのパーティクルが、製品完成後に製品となる部分に回り込むおそれがあり、このようなパーティクルの影響をより一層抑制したいという要望もある。
【0012】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、基板上の製品に対応する部分に転写が生じることを防止することができ、かつパーティクルの影響をより一層抑制することができるレジスト塗布・現像装置、ならびにそれに用いられる基板加熱処理装置および基板搬送装置を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第の観点によれば、少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置であって、
基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットと、
少なくとも塗布後の基板にプリベーク処理を施す第1の加熱処理ユニットおよび第2の加熱処理ユニットと、
レジスト膜を露光後に現像処理を施す現像処理ユニットと、
これらユニットの間およびこれらユニットと露光装置との間で基板を搬送する搬送装置と
を具備し、
前記第1および第2の加熱処理ユニットは、加熱プレートと、加熱プレートの上方で基板を支持する複数の支持ピンとを有し、
前記第1の加熱処理ユニットは、その支持ピンが、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、前記第2の加熱処理ユニットは、その支持ピンが、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、
基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の加熱処理ユニットでプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の加熱処理ユニットでプリベーク処理されることを特徴とするレジスト塗布・現像装置が提供される。
【0016】
このような構成によれば、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、支持ピンが第1のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置された第1の加熱処理ユニットでプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、支持ピンが第2のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置された第2の加熱処理ユニットでプリベーク処理されるので、複数枚の製品に対応する部分のパターンが2種類の基板に塗布・現像処理を行う場合でも、プリベークの際に基板に支持ピンの跡の転写部分が製品に影響を与えることがなく、製品へのパーティクルの影響を抑制することもできる。また、複数枚の製品に対応する部分のパターンが3種類以上ある場合にも、同様に、それに対応する加熱処理ユニットを配置すれば、いずれの基板についても製品に対応した部分以外を支持することとなるため、転写部分およびパーティクルの製品への影響を抑制することができる。
【0017】
この場合に、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の加熱処理ユニットでプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の加熱処理ユニットでプリベーク処理されるように前記搬送装置を制御する制御機構をさらに具備すれば、自動的に所望の加熱処理ユニットで基板の加熱処理を実行することができる。
【0018】
本発明の第の観点によれば、少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置であって、
基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットと、
少なくとも塗布後の基板にプリベーク処理を施す第1の加熱処理ユニットおよび第2の加熱処理ユニットと、
レジスト膜を露光後に現像処理を施す現像処理ユニットと、
これらユニットの間およびこれらユニットと露光装置との間で基板を搬送する搬送装置と
を具備し、
前記搬送装置は、基板を支持する基板支持部材を有し、前記基板支持部材は、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持する第1の支持部と、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持する第2の支持部と、第1の支持部および第2の支持部のいずれかを基板支持位置に移動する移動機構とを有し、
少なくとも基板にレジストを塗布した後、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の支持部を基板支持位置とし、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の支持部を基板支持位置として基板を搬送することを特徴とするレジスト塗布・現像装置が提供される。
【0019】
このような構成によれば、少なくとも基板にレジストを塗布した後、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1のパターンの製品対応部分以外を支持する第1の支持部を基板支持位置とし、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2のパターンの製品対応部分以外を支持する第2の支持部を基板支持位置として基板を搬送するので、複数枚の製品に対応する部分のパターンが2種類の基板に塗布・現像処理を行う場合でも、少なくとも基板にレジストを塗布した後の搬送の際に基板に支持ピンの跡の転写部分が製品に影響を与えることがなく、製品へのパーティクルの影響を抑制することもできる。また、複数枚の製品に対応する部分のパターンが3種類以上ある場合にも、同様に、それに対応する基板支持部を設ければ、いずれの基板についても製品に対応した部分以外を支持することとなるため、転写部分およびパーティクルの製品への影響を抑制することができる。
【0020】
この場合に、少なくとも基板にレジストを塗布した後、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の支持部を基板支持位置とし、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の支持部を基板支持位置とするように、前記基板搬送装置を制御する制御機構をさらに具備すれば、自動的に所望の支持部で基板を支持することができる。
【0021】
本発明の第の観点によれば、少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置であって、
基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットと、
少なくとも塗布後の基板にプリベーク処理を施す第1の加熱処理ユニットおよび第2の加熱処理ユニットと、
レジスト膜を露光後に現像処理を施す現像処理ユニットと、
これらユニットの間およびこれらユニットと露光装置との間で基板を搬送する搬送装置と
を具備し、
前記第1および第2の加熱処理ユニットは、加熱プレートと、加熱プレートの上方で基板を支持する複数の支持ピンとを有し、
前記第1の加熱処理ユニットは、その支持ピンが、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、前記第2の加熱処理ユニットは、その支持ピンが、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、
前記搬送装置は、基板を支持する基板支持部材を有し、前記基板支持部材は、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持する第1の支持部と、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持する第2の支持部と、第1の支持部および第2の支持部のいずれかを基板支持位置に移動する移動機構とを有し、
前記搬送装置は、少なくとも基板にレジストを塗布した後、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の支持部を基板支持位置とし、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の支持部を基板支持位置として基板を搬送し、
かつ、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の加熱処理ユニットでプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の加熱処理ユニットでプリベーク処理されることを特徴とするレジスト塗布・現像装置が提供される。
【0022】
このような構成によれば、上記第2の観点および第3の観点の構成を兼ね備えているので、複数枚の製品に対応する部分のパターンが2種類以上の基板に対して、レジスト塗布後の基板搬送時およびプリベーク時の両方において転写の発生およびパーティクルの悪影響を確実に抑制することができる。
【0023】
この場合に、少なくとも基板にレジストを塗布した後、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の支持部を基板支持位置とし、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の支持部を基板支持位置とするように、かつ、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の加熱処理ユニットでプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の加熱処理ユニットでプリベーク処理されるように前記搬送装置を制御する制御機構をさらに具備すれば、自動的に所望の支持部で基板を支持することができ、また自動的に所望の加熱処理ユニットで基板の加熱処理を実行することができる。
【0025】
本発明の第の観点によれば、少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置において、基板を搬送する基板搬送装置であって、
基板を支持する基板支持部材を有し、前記基板支持部材は、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持する第1の支持部と、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持する第2の支持部と、第1の支持部および第2の支持部のいずれかを基板支持位置に移動する移動機構とを具備し、
少なくとも基板にレジストを塗布した後、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の支持部を基板支持位置とし、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の支持部を基板支持位置として基板を搬送することを特徴とする基板搬送装置が提供される。
【0026】
本発明の第の観点によれば、少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置であって、
基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットと、
少なくとも塗布後の基板にプリベーク処理を施す加熱処理ユニットと、
レジスト膜を露光後に現像処理を施す現像処理ユニットと、
これらユニットの間およびこれらユニットと露光装置との間で基板を搬送する搬送装置と
を具備し、
前記加熱処理ユニットは、加熱プレートと、前記搬送装置によって前記加熱プレート上に載置される少なくとも第1および第2の交換用加熱プレートとを有し、
前記第1の交換用加熱プレートは、その支持ピンが、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、前記第2の交換用加熱プレートは、その支持ピンが、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、
基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、前記加熱プレート上に前記第1の交換用加熱プレートが載置され、この第1の交換用加熱プレート上でプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、前記加熱プレート上に前記第2の交換用加熱プレートが載置され、この第2の交換用加熱プレート上でプリベーク処理されることを特徴とするレジスト塗布・現像装置が提供される。
【0027】
本発明の第の観点によれば、少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置であって、
基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットと、
少なくとも塗布後の基板にプリベーク処理を施す加熱処理ユニットと、
レジスト膜を露光後に現像処理を施す現像処理ユニットと、
これらユニットの間およびこれらユニットと露光装置との間で基板を搬送する搬送装置と
を具備し、
前記加熱処理ユニットは、加熱プレートと、基板をほぼ90°回転する回転機構とを有し、
前記加熱プレートは、第1の位置で前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持し、かつこの第1の位置から基板を90°回転させた第2の位置の基板を支持しない位置に配置された第1の支持ピン群と、前記第2の位置で前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持し、かつ前記第1の位置の基板を支持しない位置に配置された第2の支持ピン群と、前記第1の位置の基板の前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持し、かつ第2の位置の基板の前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持する第2の支持ピン群とを有し、
基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、前記加熱プレート上の第1の位置に基板が載置されてプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、前記回転機構で基板がほぼ90°回転され、前記加熱プレート上の第2の位置に基板が載置されてプリベーク処理されることを特徴とするレジスト塗布・現像装置が提供される。
【0028】
本発明の第の観点によれば、少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置であって、
基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットと、
少なくとも塗布後の基板にプリベーク処理を施す加熱処理ユニットと、
レジスト膜を露光後に現像処理を施す現像処理ユニットと、
これらユニットの間およびこれらユニットと露光装置との間で基板を搬送する搬送装置と、
を具備し、
前記加熱処理ユニットは、加熱プレートを有し、
前記加熱プレートは、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持し、かつ加熱プレート表面から出没自在に設けられた第1の支持ピン群と、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持し、かつ加熱プレート表面から出没自在に設けられた第2の支持ピン群とを少なくとも有し、
基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、前記加熱プレート表面から第1の支持ピン群が突出するとともに第2の支持ピン群が没してこの上に基板が載置されて、プリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、前記加熱プレート表面から第2の支持ピン群が突出するとともに第1の支持ピン群が没してこの上に基板が載置されてプリベーク処理されることを特徴とするレジスト塗布・現像装置が提供される。
本発明の第の観点によれば、少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置における、塗布後の基板にプリベーク処理を施す基板加熱処理装置であって、
加熱プレートと、
前記加熱プレート上に載置される少なくとも第1および第2の交換用加熱プレートとを有し、
前記第1の交換用加熱プレートは、その支持ピンが、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、前記第2の交換用加熱プレートは、その支持ピンが、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、
基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、前記加熱プレート上に前記第1の交換用加熱プレートが載置され、この第1の交換用加熱プレート上でプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、前記加熱プレート上に前記第2の交換用加熱プレートが載置され、この第2の交換用加熱プレート上でプリベーク処理されることを特徴とする基板加熱処理装置が提供される。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明が適用されるLCD基板の塗布・現像処理システムを示す平面図である。
【0030】
この塗布・現像処理システムは、複数の基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部2と、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイス部3とを備えており、処理部2の両端にそれぞれカセットステーション1およびインターフェイス3が配置されている。
【0031】
カセットステーション1は、カセットCと処理部2との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機構10を備えている。そして、カセットステーション1においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路10a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アーム11によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬送が行われる。
【0032】
処理部2は、前段部2aと中段部2bと後段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路12、13、14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部15、16が設けられている。
【0033】
前段部2aは、搬送路12に沿って移動可能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側には、2つの洗浄ユニット(SCR)21a、21bが配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射・冷却ユニット(UV/COL)25、それぞれ上下2段に積層されてなる加熱処理ユニット(HP)26および冷却ユニット(COL)27が配置されている。
【0034】
また、中段部2bは、搬送路13に沿って移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22および基板Gの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバー(ER)23が一体的に設けられており、搬送路13の他方側には、加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層されてなる2つの加熱処理・冷却ユニット(HP/COL)28,29、およびアドヒージョン処理ユニットと冷却ユニットとが上下に積層されてなるアドヒージョン処理・冷却ユニット(AD/COL)30が配置されている。
【0035】
さらに、後段部2cは、搬送路14に沿って移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14の一方側には、3つの現像処理ユニット24a、24b、24cが配置されており、搬送路14の他方側には上下2段に積層されてなる加熱処理ユニット31、および加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層されてなる2つの加熱処理・冷却ユニット(HP/COL)32、33が配置されている。
【0036】
なお、処理部2は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄処理ユニット21a、レジスト処理ユニット22、現像処理ユニット24aのようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【0037】
また、中継部15、16のスピナー系ユニット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置されており、さらに主搬送装置の出し入れが可能なスペース35が設けられている。
【0038】
上記主搬送装置17は、搬送機構10のアーム11との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、前段部2aの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには中継部15との間で基板Gの受け渡しを行う機能を有している。また、主搬送装置18は中継部15との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2bの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を有している。さらに、主搬送装置19は中継部16との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、後段部2cの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらにはインターフェイス部3との間の基板Gの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部15、16は冷却プレートとしても機能する。
【0039】
インターフェイス部3は、処理部2との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション36と、さらにその両側に設けられた、バッファーカセットを配置する2つのバッファーステージ37と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板Gの搬入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構38はエクステンション36およびバッファステージ37の配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動可能な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39により処理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われる。
【0040】
このように各処理ユニットを集約して一体化することにより、省スペース化および処理の効率化を図ることができる。
【0041】
このように構成される塗布・現像処理システムにおいては、カセットC内の基板Gが、処理部2に搬送され、処理部2では、まず、前段部2aの紫外線照射・冷却ユニット(UV/COL)25で表面改質・洗浄処理およびその後の冷却された後、洗浄ユニット(SCR)21a,21bでスクラバー洗浄が施され、加熱処理ユニット(HP)26の一つで加熱乾燥された後、冷却ユニット(COL)27の一つで冷却される。
【0042】
その後、基板Gは中段部2bに搬送され、レジストの定着性を高めるために、ユニット30の上段のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化処理(HMDS処理)され、冷却ユニット(COL)で冷却後、レジスト塗布ユニット(CT)22でレジストが塗布され、エッジリムーバー(ER)23で基板Gの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱処理ユニット(HP)の一つでプリベーク処理され、ユニット28,29,30の下段の冷却ユニット(COL)で冷却される。
【0043】
その後、基板Gは中継部16から主搬送装置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、現像処理ユニット(DEV)24a,24b,24cのいずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理された基板Gは、後段部2cのいずれかの加熱処理ユニット(HP)にてポストベーク処理が施された後、冷却ユニット(COL)にて冷却され、主搬送装置19,18,17および搬送機構10によってカセットステーション1上の所定のカセットに収容される。
【0044】
次に、本実施の形態に係る塗布・現像処理システムに装着されるレジスト塗布処理ユニット(CT)22およびエッジリムーバー(ER)23について説明する。図2は、レジスト塗布処理ユニット(CT)およびエッジリムーバー(ER)の全体構成を示す概略断面図および概略平面図である。
【0045】
図2に示すように、これらレジスト塗布処理ユニット(CT)22およびエッジリムーバー(ER)23は、同一のステージに一体的に並設されている。レジスト塗布処理ユニット(CT)22でレジストが塗布された基板Gは、ガイドレール42に沿って移動可能な一対の搬送アーム41によりエッジリムーバー(ER)23に搬送されるようになっている。なお、レジスト塗布処理ユニット(CT)22の搬送路13側の面には、主搬送装置18により基板Gが搬入される搬入口22aが形成されており、エッジリムーバー(ER)23の搬送路13側の面には、主搬送装置18により基板Gが搬出される搬出口23aが形成されている。
【0046】
レジスト塗布処理ユニット(CT)22は、基板Gを吸着保持する水平回転可能なスピンチャック51、このスピンチャック51の上端部を囲みかつこのスピンチャック51に吸着保持された基板Gを包囲して上端部が開口する有底円筒形状の回転カップ52、回転カップ52の上端開口にかぶせられる蓋体(図示せず)、回転カップ52の外周を取り囲むように固定配置され、レジスト塗布の際にレジストの飛散を防止するためのコーターカップ53、およびコーターカップ53を取り囲むように配置された中空リング状のドレンカップ54を備えている。そして、後述するレジストの滴下時には、回転カップ52は蓋体が開かれた状態とされ、図示しない回転機構により基板Gがスピンチャック51とともに低速で回転されると同時に回転カップ52も回転され、レジストの拡散時には、回転カップ52は図示しない蓋体がかぶせられた状態とされ、図示しない回転機構により基板Gがスピンチャック51とともに高速で回転されると同時に、回転カップ52も回転されるようになっている。
【0047】
また、レジスト塗布処理ユニット(CT)22は、基板Gにレジスト液および溶剤を供給するための噴頭56を先端に有するアーム55を有している。アーム55は、軸55aを中心として回動可能となっており、レジスト塗布時には噴頭56がスピンチャック51に吸着された基板Gの上方に位置し、基板G搬送時等には、図示するように、ドレンカップ54のさらに外側の待機位置に置かれる。噴頭56には、レジスト液を吐出するレジストノズル57およびシンナー等の溶剤を吐出する溶剤ノズル58が設けられている。レジストノズル57は、レジスト供給管(図示せず)を介してレジスト供給部(図示せず)に接続されており、溶剤ノズル58は、溶剤供給管(図示せず)を介して溶剤供給部(図示せず)に接続されている。
【0048】
エッジリムーバー(ER)23には、載置台61が設けられ、この載置台61に基板Gが載置されている。この基板Gの四辺には、それぞれ、基板Gの四辺のエッジから余分なレジスト液を除去するための四個のリムーバーヘッド62が設けられている。各リムーバーヘッド62は、内部からシンナーを吐出するように断面略U字状を有し、基板Gの四辺に沿って移動機構(図示せず)によって移動されるようになっている。これにより、各リムーバーヘッド62は、基板Gの各辺に沿って移動してシンナーを吐出しながら、基板Gの四辺のエッジに付着した余分なレジストを取り除くことができる。
【0049】
このように一体的に構成されたレジスト塗布処理ユニット(CT)22およびエッジリムーバー(ER)23においては、まず、レジスト塗布処理ユニット(CT)22において、スピンチャック51および回転カップ52とともに基板Gが回転され、噴頭56が基板Gの中心上方に位置するようにアーム55が回動され、溶剤ノズル58から基板Gの表面中心にシンナーが供給される。
【0050】
続いて、基板Gを回転させた状態でレジストノズル57から基板Gの中心にレジストを滴下して基板G全体に拡散させ、その後図示しない蓋体で回転カップ52を閉塞し、基板Gの回転数を上昇させてレジスト膜の膜厚を整える。
【0051】
このようにしてレジスト塗布が終了した基板Gは、スピンチャック51から搬送アーム41によりエッジリムーバー(ER)23に搬送され、載置台61上に載置される。エッジリムーバー(ER)23では、4個のリムーバーヘッド62が基板Gの各辺に沿って移動し、吐出されたシンナーにより基板Gの四辺のエッジに付着した余分なレジストが除去される。
【0052】
次に、図3を参照して、2つの加熱処理・冷却ユニット(HP/COL)28,29の上段に配置されたプリベーク用の加熱処理ユニット(HP)について説明する。図3は、この加熱処理ユニット(HP)の概略断面図である。この加熱処理ユニット(HP)は、図3に示すように、昇降自在のカバー71を有し、このカバー71の下側には、基板Gを加熱するための加熱プレート72がその面を水平にして配置されいてる。この加熱プレート72には、ヒーター(図示せず)が装着されており、所望の温度に設定可能となっている。
【0053】
この加熱プレート72の表面には、複数の固定ピン(プロキシミティピン)73が設けられており、これらの固定ピン73によって加熱プレート72との間に微少間隔をおいて基板Gが保持されている。すなわち、プロキシミティ方式が採用されており、加熱プレート72と基板Gとの直接の接触を避け、加熱プレート72からの輻射熱によって、基板Gが加熱処理されるようになっている。このように加熱プレート72への接触がないので、加熱プレート72と基板Gとの間で静電気が発生することはない。
【0054】
また、加熱プレート72の複数の孔を通挿して、複数のリフトピン74が昇降自在に設けられている。これらリフトピン74の下部は、支持部材75により水平方向移動自在に支持されており、この支持部材75は、昇降機構76により昇降されるように構成されている。これにより、昇降機構76によって支持部材75が上昇されると、リフトピン74は、上昇して、搬入された基板Gを受け取り、次いで、若干下降して加熱プレート72上に載置するとともに、加熱処理終了後、再び上昇して基板Gを搬出位置まで持ち上げる。
【0055】
このように構成された加熱処理ユニット(HP)において、レジスト液が塗布されて端面処理された基板Gは、例えば100〜120℃の温度でプリベーク処理され、後工程の露光工程に送られるようになっている。
【0056】
次に、図4および図5を参照して、このような加熱処理ユニット(HP)におけるリフトピンの配置について説明する。図4は、4枚の製品が取られる(4面取り)LCD基板をプリベークするための加熱処理ユニットの分解斜視図であり、図5は、6枚の製品が取られる(6面取り)LCD基板基板をプリベークするための加熱処理ユニットの分解斜視図である。
【0057】
図4に示すように、LCD基板Gが4面取りされる場合、非製品領域は、基板Gの外周囲に沿って形成された帯状部分80、および中央部に十字に形成された帯状部分81からなっている。図4の加熱処理ユニットでは、リフトピン74は、これら基板Gの外周囲の帯状部分80、および中央部の十字の帯状部分81に対向するように配置されている。
【0058】
したがって、レジスト液が塗布された基板Gがプリベーク処理等された後に、または、基板Gが露光されて現像処理された後に、リフトピン74の転写が生じたとしても、この転写の生じた箇所は、このような基板Gの外周囲の帯状部分80および中央部の十字の帯状部分81とからなる非製品領域であるため、その転写部分が製品に影響を与えることがない。しかも、基板Gの外周囲の帯状部分80と中央部の十字の帯状部分81とからなる非製品領域は、帯状であるため、リフトピン74は十分に安定して基板を載置することができる。さらに、基板Gは、リフトピン74によりその非製品部分で支持されるようになっているため、製品へのパーティクルの影響を抑えることができる。
【0059】
図5に示すように、LCD基板Gが6面取りされる場合、非製品領域は、基板Gの外周囲に沿って帯状部分80、および中央部に2個十字として形成された帯状部分82,83からなっている。図5の加熱処理ユニットでは、リフトピン74は、これら基板Gの外周囲の帯状部分80、および中央部の2個十字の帯状部分82,83に対向するように配置されている。
【0060】
したがって、この場合にも、4面取りの場合と同様に、基板Gの外周囲の帯状部分80および中央部の2個十字の帯状部分82,83にリフトピン74の転写が生じたとしても、その部分は非製品領域であるため、その転写部分が製品に影響を与えることがない。しかも、基板Gの外周囲の帯状部分80と中央部の2個十字の帯状部分82,83とからなる非製品領域は、帯状であるため、リフトピン74は十分に安定して基板を載置することができる。さらに、基板Gは、リフトピン74によりその非製品領域で支持されるようになっているため、製品へのパーティクルの影響を抑えることができる。
【0061】
実際に4面取り用の基板と6面取り用の基板とを両方処理する場合には、図1に示す加熱処理・冷却ユニット(HP/COL)28,29の上段の加熱処理ユニット(HP)のいずれか一方を、図4に示すような4面取り用にリフトピン74が配置された加熱プレート72が有するものとし、他方を、図5に示すような6面取り用にリフトピン74が配置された加熱プレート72を有するものとする。この場合には、4面取り用の基板Gの場合には、4面取り用にリフトピン74が配置された加熱プレート72を有する加熱処理ユニット(HP)に基板Gを搬送してプリベーク処理を行い、6面取り用の基板Gの場合には、6面取り用にリフトピン74が配置された加熱プレート72を有する加熱処理ユニット(HP)に基板Gを搬送してプリベーク処理を行うようにすれば、上記2種類の基板について、製品部分にリフトピンの転写部分が生じることを防止することができるし、製品部分へのパーティクルの影響を抑えることができる。なお、図示してはいないが、プロキシミティピン73も基板の非製品領域に対応する位置に設けられている。
【0062】
この場合に、搬送装置18に4面取り/6面取り兼用の搬送アーム93を設け、基板Gが4面取りの場合には、4面取り用の支持部で基板を支持し、基板Gが6面取りの場合には、6面取り用の支持部で基板を支持することが好ましい。
【0063】
このような搬送アームを有する搬送機構18について、図6ないし図8を参照して説明する。図6はその基板搬送装置の斜視図、図7は4面取りのLCD基板を搬送する際の搬送アームの状態を示す斜視図であり、図8は6面取りのLCD基板を搬送する際の搬送アームの状態を示す斜視図である。
【0064】
図6に示すように、搬送装置18は、搬送路13に沿って移動可能な装置本体91と、装置本体91に対して上下動および旋回動が可能なベース部材92と、ベース部材92上を水平方向に沿って移動可能な搬送アーム93とを有している。装置本体91は、搬送路13に沿ってY軸方向に移動され、この装置本体91に載置されたベース部材92は、Z軸方向に上下動されるとともに、θ軸方向に旋回動され、さらに、このベース部材92に載置された搬送アーム93は、基板Gを支持しながら各処理ユニットに対してX軸方向に進退動されるようになっている。
【0065】
図7または図8に示すように、この搬送アーム93は、基板Gの端部に沿って延在された一対の端アーム部94,95と、基板Gの中央部を載置するための3個の中間アーム部96,97,98とを備えている。これらのアーム部94〜98には、それぞれ、基板Gの裏面に接触して支持するための複数の支持ピン99が設けられている。
【0066】
中間アーム部96,97,98は、昇降機構100によって、昇降されるように構成されている。基板Gから製品が4面取りされる場合には、図7に示すように、昇降機構100により中央の中間アーム部97が両側の一対の端アーム部94,95と同じ高さの基板支持位置まで上昇され、中間アーム部96,98は下降された状態とされる。そして、基板Gの外周囲の帯状部分80(図4)が両側の一対の端アーム部94,95により支持され、中央部の十字の帯状部分81(図4)が中間アーム部97により支持される。
【0067】
基板Gから製品が6面取りされる場合には、図8に示すように、昇降機構により中間アーム部96,98が両側の一対の端アーム部94,95と同じ高さの基板支持位置まで上昇され、中間アーム部97は下降された状態とされる。そして、基板Gの外周囲の帯状部分80(図5)が両側の一対の端アーム部94,95により支持され、中央部の2個十字の帯状部分82,83(図5)は、両側の2個の中間アーム部96,98により支持される。
【0068】
このように搬送アーム93は、基板の4面/6面取り兼用に構成されているため、4面取り用の基板および6面取り用の基板のいずれについても、レジスト塗布後の基板搬送において基板の製品部分に支持ピン99が接触することがなく、露光後、現像後に搬送アーム93の支持ピン99の転写が生じることを防止することができる。また、製品へのパーティクルの発生を抑えることができる。
【0069】
そして、例えば加熱処理・冷却ユニット(HP/COL)28の上段の加熱処理ユニット(HP)を、図4に示すような4面取り用にリフトピン74が配置された加熱プレート72が有するものとし、加熱処理・冷却ユニット(HP/COL)29の上段の加熱処理ユニット(HP)を、図5に示すような6面取り用にリフトピン74が配置された加熱プレート72を有するものとした場合に、4面取り用基板の処理の際には、レジスト塗布後、搬送アーム93を4面取り対応とした状態で加熱処理・冷却ユニット(HP/COL)28の上段の加熱処理ユニット(HP)内に搬送するようにし、6面取り用基板の処理の際には、レジスト塗布後、搬送アーム93を6面取り対応とした状態で加熱処理・冷却ユニット(HP/COL)29の上段の加熱処理ユニット(HP)内に搬送するようにすれば、搬送の際にもプリベーク処理の際にも支持ピンが基板の製品部分に接触しないので、4面取り用基板および6面取り用基板の両方を処理する場合における転写防止効果およびパーティクル抑制効果が極めて高いものとなる。
【0070】
このように4面取り用の基板と6面取り用の基板とに応じて、搬送アーム93の状態および搬送する加熱処理ユニットを変化させるためには、図9に示すように、コントローラ110により、予め設定されたレシピに基づいて、または図示しない検出手段により読みとられた基板GのID等に基づいて、搬送装置18の駆動機構101および昇降機構100が制御されるようにすればよい。
【0071】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
図10は本発明の他の実施形態に係る加熱処理ユニット(HP)の構成を示す断面図である。図10に示すように、この加熱処理ユニット(HP)では、下段に熱処理部111が配置され、上段に交換用加熱プレート保管部112が配置されている。なお、熱処理部111を上段に配置し、交換用加熱プレート保管部112を下段に配置しても構わない。
【0072】
熱処理部111では、表面に載置された基板Gを加熱処理するための加熱プレート113が配置されている。この加熱プレート113の上方には、昇降可能なカバー171が配置され、加熱プレート113とカバー171との間で加熱処理空間が形成されるようになっている。加熱プレート113の内部には、例えばコントローラ(図示せず)により電力供給が制御されるヒータ(図示せず)が埋め込まれており、これにより加熱プレート113の表面が所望の加熱処理温度となるようにされている。
【0073】
図11に示すように、この加熱プレート113の表面には、基板Gまたは後述する交換用加熱プレート121または122を加熱プレート113に吸着させるための溝114がその全域に亘り設けられている。この溝114には、吸引装置(図示せず)に接続された吸着孔115が連接しており、この吸引装置の吸引によって吸着孔115および溝114を介して基板Gが加熱プレート113に吸着されるようになっている。
【0074】
また、図10に示すように、加熱プレート113には、複数、例えば3本の支持ピン117が貫通孔116を介して加熱プレート113表面より突没自在に配置されている。加熱プレート113の裏面側には支持ピン117を昇降駆動する昇降機構118が配置されている。そして、支持ピン117が加熱プレート113表面より突き出た状態で主搬送装置17(18、19)より支持ピン117上に基板Gが受け渡され、その状態から支持ピン117が下降して加熱プレート113表面より没し、基板Gが加熱プレート113の表面に載置され、基板Gの加熱処理が行われる。基板Gの加熱処理が終了すると、支持ピン117が上昇して加熱プレート113表面より突き出る。この状態で主搬送装置17(18、19)が支持ピン117上から基板Gを受け取る。
【0075】
交換用加熱プレート保管部112には、例えば上下2段の保管棚119、120が設けられている。各保管棚119、120の表面には、交換用加熱プレート121、122を支持するための複数、例えば3本のプレート支持ピン123が設けられている。
【0076】
交換用加熱プレート121は、図12に示すように、4枚の製品を取ることができる(4面取り)LCD基板をプリベークするためのものである。図4にも示したように、LCD基板Gが4面取りされる場合、非製品領域は、基板Gの外周囲に沿って形成された帯状部分80、および中央部に十字に形成された帯状部分81からなっている。図12に示した交換用加熱プレート121では、プロキシミティーピン124はこれら基板Gの外周囲の帯状部分80、および中央部の十字の帯状部分81に対向するように配置されている。また交換用加熱プレート121には、上述した加熱プレート113表面より突没自在に設けられた支持ピン117に対応する位置に貫通孔(図示せず)が設けられている。
【0077】
一方、交換用加熱プレート122は、図13に示すように、6枚の製品を取ることができる(6面取り)LCD基板をプリベークするためのものである。図5にも示したように、LCD基板Gが6面取りされる場合、非製品領域は、基板Gの外周囲に沿って帯状部分80、および中央部に2個十字として形成された帯状部分82、83からなっている。図13に示した交換用加熱プレート122では、プロキシミティーピン126はこれら基板Gの外周囲の帯状部分80、および中央部の2個十字の帯状部分82、83に対向するように配置されている。また交換用加熱プレート122には、上述した加熱プレート113表面より突没自在に設けられた支持ピン117に対応する位置に貫通孔(図示せず)が設けられている。
【0078】
そして、これら交換用加熱プレート121、122は、主搬送装置17(18、19)により、熱処理部111における加熱プレート113上に搬送されるようになっている。また、加熱プレート113上に載置された交換用加熱プレート121、122は、吸引装置の吸引によって吸着孔115および溝114を介して加熱プレート113上に吸着されて固定されるようになっている。
【0079】
このように構成された本実施形態の加熱処理ユニット(HP)では、加熱処理の際に静電気による悪影響が問題とならない場合には、加熱プレート113上に直接基板Gを搭載して加熱処理することができる。これにより、効率よくかつ高精度に加熱処理することができる。
【0080】
一方、静電気による悪影響が問題となる場合には、交換用加熱プレート121、122を加熱プレート113上に載置した状態で、交換用加熱プレート121、122上に基板Gを搭載して加熱処理する。その際、4面取り用の基板Gの場合には、4面取り用のプロキシミティーピン124が設けられた交換用加熱プレート121を加熱プレート113上に搭載して基板Gの加熱処理を行う。一方、6面取り用の基板Gの場合には、6面取り用のプロキシミティーピン126が配置された交換用加熱プレート122を加熱プレート113上に搭載して基板Gの加熱処理を行う。これにより、上記2種類の基板について、製品部分にリフトピンの転写部分が生じることを防止することができるし、製品部分へのパーティクルの影響を抑えることができる。
【0081】
本実施形態では、特にこのような交換用加熱プレート121、122の交換を、基板Gを搬送するための主搬送装置17(18、19)によって行っているので、構成をより簡略化することができる。
【0082】
次に、本発明のさらに他の実施形態について説明する。
図14は本発明のさらに他の実施形態に係る加熱処理ユニット(HP)の構成を示す断面図である。図14に示すように、この加熱処理ユニット(HP)では、下段に熱処理部131が配置され、上段に基板回転部132が配置されている。なお、熱処理部131を上段に配置し、基板回転部132を下段に配置しても構わない。
【0083】
熱処理部131には、表面に載置された基板Gを加熱処理するための加熱プレート133が配置されている。この加熱プレート133の上方には、昇降可能なカバー134が配置され、加熱プレート133とカバー134との間で加熱処理空間が形成されるようになっている。加熱プレート133の内部には、例えばコントローラ(図示せず)により電力供給が制御されるヒータ(図示せず)が埋め込まれており、これにより加熱プレート133の表面が所望の加熱処理温度となるようにされている。
【0084】
図15に示すように、加熱プレート133の表面には、例えば10本のプロキシミティーピン135〜144が配置されている。プロキシミティーピン135〜138は、加熱プレート133上の所定の位置に載置される4面取り用の基板Gの4隅(非製品領域)に対応した位置に設けられ、4面取り用の基板G専用に使われる。プロキシミティーピン139〜142は、加熱プレート133上の4面取り用の基板Gが搭載される位置から90°回転した位置に搭載される6面取り用の基板Gの4隅(非製品領域)に対応した位置に設けられ、6面取り用の基板G専用で使われる。プロキシミティーピン143、144は、加熱プレート133上の所定の位置に載置される4面取り用の基板Gの非製品領域81と加熱プレート133上の上記の4面取り用の基板Gが搭載される位置から90°回転した位置に搭載される6面取り用の基板Gの非製品領域82、83とが重なる領域に設けられ、4面取り用の基板Gおよび4面取り用の基板Gの両方で使われるようになっている。
【0085】
また、図14に示すように、加熱プレート133には、複数、例えば3本の支持ピン145が貫通孔146を介して加熱プレート133表面より突没自在に配置されている。加熱プレート133の表面側には支持ピン145を昇降駆動する昇降機構147が配置されている。そして、支持ピン145が加熱プレート133表面より突き出た状態で主搬送装置17(18、19)より支持ピン145上に基板Gが受け渡され、その状態から支持ピン145が下降して加熱プレート133表面より没し、基板Gが加熱プレート133の表面に載置され、基板Gの加熱処理が行われる。基板Gの加熱処理が終了すると、支持ピン145が上昇して加熱プレート133表面より突き出る。この状態で主搬送装置17(18、19)が支持ピン145上から基板Gを受け取る。
【0086】
基板回転部132には、載置板149が配置されている。この載置板149の表面には、例えば3本の支持ピン150が設けられ、この上に基板Gが載置されるようになっている。また、載置板149の裏面側にこの載置板149を90°回転させる回転駆動部151が設けられている。
【0087】
そして、例えば4面取り用基板Gについては主搬送装置17(18、19)によってそのまま加熱プレート133上に搬送して加熱処理するが、6面取り用の基板Gについては主搬送装置17(18、19)がまずこの基板Gを基板回転部132に搬送して90°回転させ、その後主搬送装置17(18、19)によってそのまま加熱プレート133上に搬送して加熱処理する。
【0088】
このように本実施形態の加熱処理ユニット(HP)においては、特に1つのユニットでしかも1枚の加熱プレート133で4面取り用の基板Gと6面取り用の基板Gの両方について対応することが可能となる。
【0089】
次に、本発明のさらに他の実施形態について説明する。
図16はこの実施形態に係る加熱処理ユニット(HP)における加熱プレートの構成を説明するための斜視図である。図16に示すように、本実施形態に係る加熱プレート161の表面には、例えば15本のプロキシミティーピン162〜176が配置されている。これらプロキシミティーピン162〜176のうち、長方形の加熱プレート161の短辺に沿って設けられたプロキシミティーピン162〜167については、固定状態で加熱プレート161の表面より突出しているが、残りのプロキシミティーピン168〜176については、それぞれ加熱プレート161の裏面側に配置された昇降機構(図示せず)により昇降されることで加熱プレート161の表面に対して突没するようになっている。加熱プレート161の表面から突没自在に設けられたプロキシミティーピン168〜176のうち、プロキシミティーピン168〜170については、4面取り用の基板Gの非製品領域81に対応した位置に設けられ、プロキシミティーピン171〜176については、6面取り用の基板Gの非製品領域82、83に対応する位置に設けられている。
【0090】
そして、図16に示したものは、プロキシミティーピン171〜176が加熱プレート161から突出しており、これらのプロキシミティーピン171〜176とプロキシミティーピン162〜167とによって、6面取り用の基板Gを加熱処理する状態を示している。一方、4面取り用の基板Gを加熱処理する場合には、プロキシミティーピン171〜176が加熱プレート161から没してプロキシミティーピン168〜170が加熱プレート161から突出する。そして、これらのプロキシミティーピン168〜170とプロキシミティーピン162〜167とによって、4面取り用の基板Gを加熱処理するようになっている。
【0091】
このように本実施形態の加熱プレート161を用いた加熱処理ユニット(HP)においても、1つのユニットでしかも1枚の加熱プレート161で4面取り用の基板Gと6面取り用の基板Gの両方について対応することが可能となる。
【0092】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、主搬送装置18に本発明を適用した例について示したが、洗浄ユニット(SCR)等が設けられている主搬送装置17および現像処理ユニット(DEV)が設けられている主搬送装置19における搬送アームに適用することもでき、この場合には、製品へのパーティクルの影響を抑えることができるという効果が得られる。また、基板Gとして4面取りまたは6面取りされる場合について示したが、これに限定されず、2面取り、9面取り等であってもよく、一つの基板Gから複数枚の製品がされるあらゆる場合に適用可能である。さらに、基板の複数枚の製品に対応する部分のパターンが2種類の例について示したが、3種類以上であっても、それに対応した加熱処理ユニットを準備し、搬送アームをそれぞれのパターンで切り換え可能とすれば適用することができる。さらにまた、上記実施の形態では、LCD基板用のレジスト塗布・現像処理システムについて説明したが、LCD基板以外の他の被処理基板、例えば半導体ウエハ用のレジスト塗布・現像処理システムにも本発明を適用することができる。
【0093】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、加熱処理ユニットにおいて、複数の支持ピンは、基板の製品に対応した部分以外を支持するように設けられているので、プリベークの際に基板に支持ピンの跡が転写されたとしても、このような転写部分が製品に影響を与えることがない。また、基板は、支持ピンは、製品に対応した部分以外を支持するため、製品へのパーティクルの影響を抑制することができる。
【0094】
また、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、支持ピンが第1のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置された第1の加熱処理ユニットでプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、支持ピンが第2のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置された第2の加熱処理ユニットでプリベーク処理されるので、複数枚の製品に対応する部分のパターンが2種類の基板に塗布・現像処理を行う場合でも、プリベークの際に基板に支持ピンの跡の転写部分が製品に影響を与えることがなく、製品へのパーティクルの影響を抑制することもできる。
【0095】
さらに、少なくとも基板にレジストを塗布した後、基板の製品対応部分が第1のパターンの場合には、第1のパターンの製品対応部分以外を支持する第1の支持部を基板支持位置とし、基板の製品対応部分が第2のパターンの場合には、第2のパターンの製品対応部分以外を支持する第2の支持部を基板支持位置として基板を搬送するので、複数枚の製品に対応する部分のパターンが2種類の基板に塗布・現像処理を行う場合でも、少なくとも基板にレジストを塗布した後の搬送の際に基板に支持ピンの跡の転写部分が製品に影響を与えることがなく、製品へのパーティクルの影響を抑制することもできる。
【0096】
さらにまた、(1)基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、支持ピンが第1のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置された第1の加熱処理ユニットでプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、支持ピンが第2のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置された第2の加熱処理ユニットでプリベーク処理されること、および(2)少なくとも基板にレジストを塗布した後、基板の製品対応部分が第1のパターンの場合には、第1のパターンの製品対応部分以外を支持する第1の支持部を基板支持位置とし、基板の製品対応部分が第2のパターンの場合には、第2のパターンの製品対応部分以外を支持する第2の支持部を基板支持位置として基板を搬送することの上述した2つの構成を兼ね備えているので、複数枚の製品に対応する部分のパターンが2種類以上の基板に対して、レジスト塗布後の基板搬送時およびプリベーク時の両方において転写の発生およびパーティクルの悪影響を確実に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用されるLCD基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図。
【図2】図1のレジスト塗布・現像処理システムにおけるレジスト塗布処理ユニット(CT)およびエッジリムーバー(ER)の全体構成を示す概略平面図。
【図3】図1のレジスト塗布・現像処理システムにおける本発明の加熱処理ユニット(HP)を示す概略断面図。
【図4】本発明の実施形態に係る4面取り用のLCD基板に対応した加熱処理ユニットを示す分解斜視図。
【図5】本発明の他の実施形態に係る6面取り用のLCD基板に対応した加熱処理ユニットを示す分解斜視図。
【図6】本発明の実施形態に係る基板搬送装置を示す斜視図。
【図7】図6の基板搬送装置の搬送アームを4面取り用のLCD基板に対応させた状態を示す斜視図。
【図8】図6の基板搬送装置の搬送アームを6面取り用のLCD基板に対応させた状態を示す斜視図。
【図9】基板搬送機構の制御系を示す概略図。
【図10】本発明の他の実施形態に係る加熱処理ユニットの構成を示す断面図。
【図11】図10に示した加熱プレートの構成を示す斜視図。
【図12】図10に示した第1の交換用加熱プレートの構成を示す斜視図。
【図13】図10に示した第2の交換用加熱プレートの構成を示す斜視図。
【図14】本発明のさらに他の実施形態に係る加熱処理ユニットの構成を示す断面図。
【図15】図14に示した加熱プレートの構成を示す平面図。
【図16】本発明のさらに他の実施形態に係る加熱処理ユニットにおける加熱プレートの構成を説明するための斜視図。
【符号の説明】
13;搬送路
18;主搬送装置
22;レジスト塗布処理ユニット
23;エッジリムーバー
28,29;加熱処理・冷却ユニット
72;加熱プレート
73;固定ピン(プロキシミティピン)
74;リフトピン
80;基板の外周囲の非製品領域である帯状部分
81,82,83;基板の中央部の非製品領域である帯状部分
91;装置本体
92;ベース部材
93;搬送アーム
94,95;端アーム部
96,97,98;中間アーム部
99;支持ピン
100;昇降機構
101;駆動機構
110;コントローラ
G;LCD基板
HP;加熱処理ユニット
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a resist coating / developing apparatus for applying a resist solution to a substrate such as an LCD substrate to form a resist film, and developing the resist film after exposure, and a substrate heating apparatus and a substrate transport apparatus used therefor.
[0002]
[Prior art]
In the manufacture of a liquid crystal display (LCD), a photoresist liquid is applied to a rectangular LCD substrate made of glass to form a resist film, the resist film is exposed corresponding to a circuit pattern, and this is developed. A circuit pattern is formed by a so-called photolithography technique.
[0003]
In the step of applying the resist solution, the rectangular LCD substrate is subjected to a hydrophobic treatment (HMDS treatment) by an adhesion processing unit in order to improve the resist fixing property, and after being cooled by the cooling unit, is carried into the resist coating unit. The
[0004]
In the resist coating unit, while rotating a rectangular substrate while being held on a spin chuck, the resist solution is supplied to the center of the surface of the substrate from a nozzle provided thereabove, and the resist solution is subjected to centrifugal force by the rotation of the substrate. As a result, a resist film is applied to the entire surface of the substrate.
[0005]
The substrate on which this resist solution has been applied is carried into a heat treatment unit after the excess resist on the periphery is removed, and pre-baked. In this heat treatment unit, in order to avoid the adverse effects of static electricity generated by direct contact between the heating plate and the substrate, the substrate received by the lift pins is placed on the fixing pins of the heating plate and is removed from the heating plate. In many cases, a so-called proximity method of heating by heat radiation is employed.
[0006]
Next, the substrate is cooled by a cooling unit, conveyed to an exposure apparatus, where a predetermined pattern is exposed, developed, and post-baked to form a predetermined resist pattern.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described application / development processing, after the substrate coated with the resist solution is pre-baked or the like, or after the substrate is exposed and developed, the lift pins, fixing pins, Alternatively, a shape such as a vacuum groove may be transferred to the substrate.
[0008]
Specifically, the transfer of the lift pins or the like occurs when the film thickness of the resist solution applied on the substrate changes corresponding to the shape of the lift pins or the like after the pre-bake processing, and after the exposure / development processing. This occurs when the line width of the circuit pattern formed on the substrate changes so as to correspond to the shape of a lift pin or the like. Further, even if the presence of transfer is not recognized after pre-baking, transfer may occur after development.
[0009]
Such transfer occurs in recent years because high-sensitivity resist solutions have come to be used, and the line width of circuit patterns formed on LCD substrates has become thinner than the conventional 3 μm. However, the cause has not been grasped in detail, and therefore, in reality, it has not yet been successful to prevent such transcription.
[0010]
However, as described above, such transfer of lift pins and the like corresponds to non-uniform film thickness of the resist solution and fluctuations in the line width of the circuit pattern. Therefore, it is desired to prevent such transfer from occurring on the substrate as much as possible.
[0011]
In addition, in the heat treatment unit and the transfer device, the generation of particles is sufficiently suppressed, but when the lift pin, the fixing pin, or the support pin touches the back surface of the part that becomes the product after the product of the LCD substrate is completed. In addition, there is a possibility that particles from these lift pins and the like may wrap around a product part after the product is completed, and there is a demand for further suppressing the influence of such particles.
[0012]
The present invention has been made in view of such circumstances, and resist application / development that can prevent transfer from occurring in a portion corresponding to a product on a substrate and can further suppress the influence of particles. An object of the present invention is to provide an apparatus, and a substrate heating apparatus and a substrate transfer apparatus used therefor.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
  To solve the above problem,First of the present invention1According to the above aspect, at least a resist that performs resist coating / development processing on a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern A coating / developing device,
  A resist coating unit that forms a resist film by applying a resist solution to a substrate;
  A first heat treatment unit and a second heat treatment unit for performing a pre-bake treatment on at least the substrate after coating;
  A development processing unit for performing development processing after exposing the resist film;
  A transfer device for transferring a substrate between these units and between these units and the exposure apparatus;
Comprising
  The first and second heat treatment units have a heating plate and a plurality of support pins for supporting the substrate above the heating plate,
  The first heat treatment unit is arranged such that the support pins support portions other than the product-corresponding portions of the first pattern, and the second heat treatment unit has the support pins that are the second heat treatment units. It is arranged to support other than the product corresponding part of the pattern,
  When the product-corresponding portion of the substrate is the first pattern, prebaking is performed by the first heat treatment unit, and when the product-corresponding portion of the substrate is the second pattern, the second heat treatment unit is used. There is provided a resist coating / developing apparatus that is pre-baked.
[0016]
According to such a configuration, when the product corresponding part of the substrate is the first pattern, the first heat treatment unit is arranged so that the support pins support other than the product corresponding part of the first pattern. When the product corresponding part of the substrate is the second pattern, the pre-baking process is performed by the second heat processing unit in which the support pins are arranged to support other than the product corresponding part of the second pattern. Therefore, even when the pattern of the part corresponding to a plurality of products is applied and developed on two types of substrates, the transfer part of the trace of the support pins on the substrate may affect the product during pre-baking. In addition, the influence of particles on the product can be suppressed. Also, when there are three or more types of patterns corresponding to a plurality of products, similarly, if a heat treatment unit corresponding to the pattern is arranged, any substrate other than the portion corresponding to the product can be supported. Therefore, it is possible to suppress the influence of the transfer portion and the particles on the product.
[0017]
In this case, when the product corresponding portion of the substrate is the first pattern, prebaking is performed by the first heat treatment unit, and when the product corresponding portion of the substrate is the second pattern, the second pattern is the second pattern. If a control mechanism for controlling the transfer device so as to be pre-baked by the heat treatment unit is further provided, the substrate can be automatically heat-treated by the desired heat treatment unit.
[0018]
  First of the present invention2According to the above aspect, at least a resist that performs resist coating / development processing on a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern A coating / developing device,
  A resist coating unit that forms a resist film by applying a resist solution to a substrate;
  A first heat treatment unit and a second heat treatment unit for performing a pre-bake treatment on at least the substrate after coating;
  A development processing unit for performing development processing after exposing the resist film;
  A transfer device for transferring a substrate between these units and between these units and the exposure apparatus;
Comprising
  The transport device includes a substrate support member that supports a substrate, and the substrate support member supports a first support portion that supports a portion other than the product-corresponding portion of the first pattern, and the product correspondence of the second pattern. A second support part that supports other than the part, and a moving mechanism that moves one of the first support part and the second support part to the substrate support position,
  When the product corresponding portion of the substrate is at least the first pattern after the resist is applied to the substrate, the first support portion is the substrate support position, and the product corresponding portion of the substrate is the second pattern. Provides a resist coating / developing apparatus for transporting a substrate using the second support portion as a substrate support position.
[0019]
According to such a configuration, after the resist is applied to at least the substrate, when the product corresponding portion of the substrate is the first pattern, the first support portion that supports other than the product corresponding portion of the first pattern Is the substrate support position, and when the product corresponding part of the substrate is the second pattern, the substrate is transported with the second support part supporting the part other than the product corresponding part of the second pattern as the substrate support position. Even when the pattern of the part corresponding to multiple products is applied and developed on two types of substrates, the transfer part of the traces of the support pins on the substrate is transferred to the substrate at least after the resist is applied to the substrate. It is possible to suppress the influence of particles on the product without affecting the product. Similarly, when there are three or more types of patterns corresponding to a plurality of products, if a substrate support section corresponding to the patterns is provided, any substrate other than the section corresponding to the product can be supported. Therefore, it is possible to suppress the influence of the transfer portion and the particles on the product.
[0020]
In this case, after the resist is applied to at least the substrate, when the product corresponding portion of the substrate is the first pattern, the first support portion is set as the substrate support position, and the product corresponding portion of the substrate is the second pattern. In the case of a pattern, if a control mechanism for controlling the substrate transport device is further provided so that the second support portion is set to the substrate support position, the substrate can be automatically supported by a desired support portion. .
[0021]
  First of the present invention3According to the above aspect, at least a resist that performs resist coating / development processing on a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern A coating / developing device,
  A resist coating unit that forms a resist film by applying a resist solution to a substrate;
  A first heat treatment unit and a second heat treatment unit for performing a pre-bake treatment on at least the substrate after coating;
  A development processing unit for performing development processing after exposing the resist film;
  A transfer device for transferring a substrate between these units and between these units and the exposure apparatus;
Comprising
  The first and second heat treatment units have a heating plate and a plurality of support pins for supporting the substrate above the heating plate,
  The first heat treatment unit is arranged such that the support pins support portions other than the product-corresponding portions of the first pattern, and the second heat treatment unit has the support pins that are the second heat treatment units. It is arranged to support other than the product corresponding part of the pattern,
  The transport device includes a substrate support member that supports a substrate, and the substrate support member supports a first support portion that supports a portion other than the product-corresponding portion of the first pattern, and the product correspondence of the second pattern. A second support part that supports other than the part, and a moving mechanism that moves one of the first support part and the second support part to the substrate support position,
  In the case where the product corresponding portion of the substrate is the first pattern after the resist is applied to at least the substrate, the transfer device sets the first support portion as the substrate support position and the product corresponding portion of the substrate as the second corresponding portion. In the case of this pattern, the substrate is transported using the second support portion as the substrate support position,
  In addition, when the product corresponding portion of the substrate is the first pattern, prebaking is performed by the first heat treatment unit, and when the product corresponding portion of the substrate is the second pattern, the second heat treatment is performed. There is provided a resist coating / developing apparatus which is pre-baked in a unit.
[0022]
According to such a structure, since the structure of the said 2nd viewpoint and the 3rd viewpoint is combined, the pattern of the part corresponding to several sheets of products is after a resist application with respect to two or more types of board | substrates. Generation of transfer and adverse effects of particles can be reliably suppressed both during substrate conveyance and during pre-baking.
[0023]
In this case, after the resist is applied to at least the substrate, when the product corresponding portion of the substrate is the first pattern, the first support portion is set as the substrate support position, and the product corresponding portion of the substrate is the second pattern. In the case of a pattern, the substrate is subjected to a pre-baking process in the first heat treatment unit so that the second support portion is set as a substrate support position and the product corresponding portion of the substrate is the first pattern. If the product corresponding part is the second pattern, a control mechanism for controlling the transport device so as to be pre-baked by the second heat treatment unit can be further provided. The substrate can be supported, and the heat treatment of the substrate can be automatically executed by a desired heat treatment unit.
[0025]
  First of the present invention4According to the above aspect, at least a resist that performs resist coating / development processing on a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern In a coating / developing apparatus, a substrate transport apparatus for transporting a substrate,
  A substrate support member for supporting the substrate; and the substrate support member supports a first support portion that supports a portion other than the product corresponding portion of the first pattern and a portion other than the product corresponding portion of the second pattern. A second support unit, and a moving mechanism that moves one of the first support unit and the second support unit to the substrate support position,
  When the product corresponding portion of the substrate is at least the first pattern after the resist is applied to the substrate, the first support portion is the substrate support position, and the product corresponding portion of the substrate is the second pattern. Is provided with a substrate transport apparatus that transports a substrate using the second support portion as a substrate support position.
[0026]
  First of the present invention5According to the above aspect, at least a resist that performs resist coating / development processing on a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern A coating / developing device,
  A resist coating unit that forms a resist film by applying a resist solution to a substrate;
  A heat treatment unit for performing a pre-bake treatment on at least the substrate after coating;
  A development processing unit for performing development processing after exposing the resist film;
  A transfer device for transferring a substrate between these units and between these units and the exposure apparatus;
Comprising
  The heat treatment unit has a heating plate and at least first and second replacement heating plates placed on the heating plate by the transport device,
  The first replacement heating plate is arranged such that its support pins support parts other than the product-corresponding portions of the first pattern, and the second replacement heating plate has its support pins, It is arranged to support other than the product corresponding part of the pattern of 2,
  When the product corresponding portion of the substrate is the first pattern, the first replacement heating plate is placed on the heating plate, prebaked on the first replacement heating plate, When the product corresponding part is the second pattern, the second replacement heating plate is placed on the heating plate and prebaked on the second replacement heating plate. A resist coating / developing apparatus is provided.
[0027]
  First of the present invention6According to the above aspect, at least a resist that performs resist coating / development processing on a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern A coating / developing device,
  A resist coating unit that forms a resist film by applying a resist solution to a substrate;
  A heat treatment unit for performing a pre-bake treatment on at least the substrate after coating;
  A development processing unit for performing development processing after exposing the resist film;
  A transfer device for transferring a substrate between these units and between these units and the exposure apparatus;
Comprising
  The heat treatment unit has a heating plate and a rotation mechanism that rotates the substrate by approximately 90 °,
  The heating plate supports a portion other than the product corresponding portion of the first pattern at the first position, and is disposed at a position where the substrate at the second position obtained by rotating the substrate by 90 ° from the first position is not supported. A first support pin group, and a second support disposed at a position where the second position supports a portion other than the product corresponding portion of the second pattern and does not support the substrate at the first position. A second group of pins supporting a portion other than the product corresponding portion of the first pattern of the substrate at the first position and supporting a portion other than the product corresponding portion of the second pattern of the substrate at the second position. A support pin group,
  When the product corresponding part of the substrate is the first pattern, the substrate is placed at the first position on the heating plate and prebaked, and when the product corresponding part of the substrate is the second pattern A resist coating / developing apparatus is provided in which the substrate is rotated approximately 90 ° by the rotating mechanism, and the substrate is placed at a second position on the heating plate and pre-baked.
[0028]
  First of the present invention7According to the above aspect, at least a resist that performs resist coating / development processing on a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern A coating / developing device,
  A resist coating unit that forms a resist film by applying a resist solution to a substrate;
  A heat treatment unit for performing a pre-bake treatment on at least the substrate after coating;
  A development processing unit for performing development processing after exposing the resist film;
  A transfer device for transferring a substrate between these units and between these units and the exposure apparatus;
Comprising
  The heat treatment unit has a heating plate,
  The heating plate supports a portion other than the product-corresponding portion of the first pattern, and supports a portion of the first support pin provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the heating plate and a portion other than the product-corresponding portion of the second pattern. And at least a second support pin group provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the heating plate,
  When the product-corresponding portion of the substrate is the first pattern, the first support pin group protrudes from the surface of the heating plate and the second support pin group sinks and the substrate is placed thereon. In the case where the pre-baking process and the product corresponding part of the substrate is the second pattern, the second support pin group protrudes from the surface of the heating plate and the first support pin group is submerged on the substrate. A resist coating / developing apparatus is provided in which is prebaked and placed.
  First of the present invention8According to the above aspect, at least a resist that performs resist coating / development processing on a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern In the coating / developing apparatus, a substrate heat treatment apparatus for performing a pre-bake treatment on the substrate after coating,
  A heating plate;
  Having at least first and second replacement heating plates mounted on the heating plate;
  The first replacement heating plate is arranged such that its support pins support parts other than the product-corresponding portions of the first pattern, and the second replacement heating plate has its support pins, It is arranged to support other than the product corresponding part of the pattern of 2,
  When the product corresponding portion of the substrate is the first pattern, the first replacement heating plate is placed on the heating plate, prebaked on the first replacement heating plate, When the product corresponding part is the second pattern, the second replacement heating plate is placed on the heating plate and prebaked on the second replacement heating plate. A substrate heat treatment apparatus is provided.
[0029]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a plan view showing a coating / development processing system for an LCD substrate to which the present invention is applied.
[0030]
This coating / development processing system includes a cassette station 1 on which a cassette C that accommodates a plurality of substrates G is placed, and a processing including a plurality of processing units for performing a series of processes including resist coating and development on the substrates G. And an interface unit 3 for transferring the substrate G between the exposure unit (not shown), and the cassette station 1 and the interface 3 are disposed at both ends of the processing unit 2, respectively. .
[0031]
The cassette station 1 includes a transport mechanism 10 for transporting the LCD substrate between the cassette C and the processing unit 2. Then, the cassette C is loaded and unloaded at the cassette station 1. Further, the transport mechanism 10 includes a transport arm 11 that can move on a transport path 10 a provided along the cassette arrangement direction, and the transport arm 11 can transport the substrate G between the cassette C and the processing unit 2. Done.
[0032]
The processing section 2 is divided into a front stage section 2a, a middle stage section 2b, and a rear stage section 2c. Each of the processing sections 2 has transport paths 12, 13, and 14 at the center, and each processing unit is disposed on both sides of these transport paths. Yes. And between these, the relay parts 15 and 16 are provided.
[0033]
The front section 2a includes a main transport device 17 that can move along the transport path 12, and two cleaning units (SCRs) 21a and 21b are arranged on one side of the transport path 12, and the transport path On the other side of 12, an ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 25, a heat treatment unit (HP) 26 and a cooling unit (COL) 27 that are stacked in two upper and lower stages are arranged.
[0034]
The middle stage 2 b includes a main transfer device 18 that can move along the transfer path 13. On one side of the transfer path 13, a resist coating processing unit (CT) 22 and a resist on the peripheral edge of the substrate G are provided. An edge remover (ER) 23 for removing the heat is integrally provided, and two heat treatment / cooling units (HP) in which a heat treatment unit and a cooling treatment unit are vertically stacked on the other side of the conveyance path 13. / COL) 28, 29, and an adhesion processing / cooling unit (AD / COL) 30 in which an adhesion processing unit and a cooling unit are stacked one above the other.
[0035]
Further, the rear stage portion 2 c includes a main transport device 19 that can move along the transport path 14, and three development processing units 24 a, 24 b, 24 c are arranged on one side of the transport path 14, On the other side of the conveyance path 14, a heat treatment unit 31 that is laminated in two upper and lower stages, and two heat treatment / cooling units (HP / COL) 32 in which the heat treatment unit and the cooling treatment unit are vertically laminated, 33 is arranged.
[0036]
In the processing unit 2, only a spinner system unit such as the cleaning processing unit 21a, the resist processing unit 22, and the development processing unit 24a is disposed on one side of the conveyance path, and the heating processing unit is disposed on the other side. Only a thermal processing unit such as a cooling processing unit is arranged.
[0037]
Further, a chemical solution supply unit 34 is disposed at a portion of the relay units 15 and 16 on the spinner system unit arrangement side, and a space 35 in which the main transfer device can be taken in and out is provided.
[0038]
The main transfer device 17 transfers the substrate G to and from the arm 11 of the transfer mechanism 10, loads / unloads the substrate G to / from each processing unit of the front stage 2 a, and further transfers the substrate to / from the relay unit 15. It has a function to deliver G. The main transfer device 18 transfers the substrate G to and from the relay unit 15, and loads and unloads the substrate G to / from each processing unit of the middle stage 2 b, and further transfers the substrate G to and from the relay unit 16. It has a function to perform. Further, the main transfer device 19 transfers the substrate G to and from the relay unit 16, loads and unloads the substrate G to / from each processing unit of the rear-stage unit 2 c, and transfers the substrate G to and from the interface unit 3. It has a function to perform. The relay parts 15 and 16 also function as cooling plates.
[0039]
The interface unit 3 includes an extension 36 that temporarily holds a substrate when the substrate is transferred to and from the processing unit 2, two buffer stages 37 that are provided on both sides of the substrate and that are provided with buffer cassettes, and these And a transfer mechanism 38 that carries in and out the substrate G between the exposure apparatus (not shown). The transport mechanism 38 includes a transport arm 39 that can move on a transport path 38 a provided along the arrangement direction of the extension 36 and the buffer stage 37. The transport arm 39 allows the substrate G to be transferred between the processing unit 2 and the exposure apparatus. Is carried out.
[0040]
By consolidating and integrating the processing units in this way, it is possible to save space and improve processing efficiency.
[0041]
In the coating / development processing system configured as described above, the substrate G in the cassette C is transported to the processing unit 2, and first, the ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) of the front stage unit 2a is first processed. After the surface modification / cleaning process and the subsequent cooling in 25, scrubber cleaning is performed in the cleaning units (SCR) 21a and 21b, and the drying unit is heated and dried in one of the heat processing units (HP) 26, and then the cooling unit. It is cooled by one of (COL) 27.
[0042]
Thereafter, the substrate G is transported to the middle stage 2b and subjected to hydrophobic treatment (HMDS treatment) in the upper adhesion processing unit (AD) of the unit 30 and cooled in the cooling unit (COL) in order to improve the fixability of the resist. Thereafter, a resist is applied by a resist coating unit (CT) 22, and excess resist on the periphery of the substrate G is removed by an edge remover (ER) 23. Thereafter, the substrate G is pre-baked by one of the heat treatment units (HP) in the middle stage 2b, and cooled by the lower cooling units (COL) of the units 28, 29, and 30.
[0043]
Thereafter, the substrate G is transported from the relay section 16 to the exposure apparatus via the interface section 3 by the main transport apparatus 19, where a predetermined pattern is exposed. Then, the substrate G is again carried in through the interface unit 3 and developed in any one of the development processing units (DEV) 24a, 24b, 24c, and a predetermined circuit pattern is formed. The developed substrate G is subjected to a post-baking process in any one of the heat treatment units (HP) in the rear stage 2c, and is then cooled in a cooling unit (COL). And it is accommodated in a predetermined cassette on the cassette station 1 by the transport mechanism 10.
[0044]
Next, the resist coating processing unit (CT) 22 and the edge remover (ER) 23 mounted on the coating / developing system according to this embodiment will be described. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view and a schematic plan view showing the overall configuration of the resist coating unit (CT) and the edge remover (ER).
[0045]
As shown in FIG. 2, the resist coating unit (CT) 22 and the edge remover (ER) 23 are integrally arranged on the same stage. The substrate G coated with resist by the resist coating unit (CT) 22 is transported to the edge remover (ER) 23 by a pair of transport arms 41 movable along the guide rails 42. In addition, on the surface of the resist coating unit (CT) 22 on the side of the transport path 13, a transport entrance 22 a into which the substrate G is transported by the main transport device 18 is formed, and the transport path 13 of the edge remover (ER) 23. On the side surface, a carry-out port 23a through which the substrate G is carried out by the main transfer device 18 is formed.
[0046]
The resist coating unit (CT) 22 is a spin chuck 51 that can horizontally rotate and holds the substrate G, surrounds the upper end of the spin chuck 51, and surrounds the substrate G held by the spin chuck 51. The bottomed cylindrical rotating cup 52 having an opening, a lid (not shown) that covers the upper end opening of the rotating cup 52, and a fixed arrangement so as to surround the outer periphery of the rotating cup 52. A coater cup 53 for preventing scattering and a hollow ring-shaped drain cup 54 disposed so as to surround the coater cup 53 are provided. When the resist is dropped as will be described later, the rotating cup 52 is opened, and the rotating cup 52 is rotated at the same time as the substrate G is rotated together with the spin chuck 51 by a rotating mechanism (not shown). During the diffusion, the rotating cup 52 is covered with a lid (not shown), and the rotating cup 52 is rotated simultaneously with the rotation of the substrate G together with the spin chuck 51 by a rotating mechanism (not shown). ing.
[0047]
The resist coating unit (CT) 22 has an arm 55 having a nozzle 56 for supplying a resist solution and a solvent to the substrate G at the tip. The arm 55 is rotatable about a shaft 55a, and the nozzle 56 is positioned above the substrate G adsorbed by the spin chuck 51 at the time of resist coating, and when the substrate G is transported, as shown in the figure. , And placed at a standby position further outside the drain cup 54. The nozzle 56 is provided with a resist nozzle 57 for discharging a resist solution and a solvent nozzle 58 for discharging a solvent such as thinner. The resist nozzle 57 is connected to a resist supply unit (not shown) via a resist supply pipe (not shown), and the solvent nozzle 58 is connected to a solvent supply part (not shown) via a solvent supply pipe (not shown). (Not shown).
[0048]
The edge remover (ER) 23 is provided with a mounting table 61, and the substrate G is mounted on the mounting table 61. Four remover heads 62 for removing excess resist solution from the four edges of the substrate G are provided on the four sides of the substrate G, respectively. Each remover head 62 has a substantially U-shaped cross section so as to discharge thinner from the inside, and is moved along four sides of the substrate G by a moving mechanism (not shown). Thereby, each remover head 62 can remove excess resist adhering to the edges of the four sides of the substrate G while moving along each side of the substrate G to discharge thinner.
[0049]
In the resist coating processing unit (CT) 22 and the edge remover (ER) 23 configured integrally as described above, first, the substrate G together with the spin chuck 51 and the rotary cup 52 is formed in the resist coating processing unit (CT) 22. The arm 55 is rotated so that the nozzle 56 is positioned above the center of the substrate G, and the thinner is supplied from the solvent nozzle 58 to the center of the surface of the substrate G.
[0050]
Subsequently, with the substrate G rotated, a resist is dropped from the resist nozzle 57 to the center of the substrate G to be diffused throughout the substrate G, and then the rotating cup 52 is closed with a lid (not shown). To increase the thickness of the resist film.
[0051]
The substrate G on which the resist coating has been completed in this way is transported from the spin chuck 51 to the edge remover (ER) 23 by the transport arm 41 and mounted on the mounting table 61. In the edge remover (ER) 23, four remover heads 62 move along each side of the substrate G, and excess resist attached to the edges of the four sides of the substrate G is removed by the discharged thinner.
[0052]
Next, the pre-baking heat treatment unit (HP) disposed on the upper stage of the two heat treatment / cooling units (HP / COL) 28, 29 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic sectional view of the heat treatment unit (HP). As shown in FIG. 3, the heat treatment unit (HP) has a cover 71 that can be moved up and down. A heating plate 72 for heating the substrate G is leveled below the cover 71. It is arranged. The heating plate 72 is equipped with a heater (not shown) and can be set to a desired temperature.
[0053]
A plurality of fixing pins (proximity pins) 73 are provided on the surface of the heating plate 72, and the substrate G is held by the fixing pins 73 at a slight interval from the heating plate 72. . That is, a proximity method is employed, and the substrate G is heated by the radiant heat from the heating plate 72 while avoiding direct contact between the heating plate 72 and the substrate G. Since there is no contact with the heating plate 72 in this way, static electricity is not generated between the heating plate 72 and the substrate G.
[0054]
A plurality of lift pins 74 are provided so as to be movable up and down by inserting a plurality of holes in the heating plate 72. Lower portions of these lift pins 74 are supported by a support member 75 so as to be movable in the horizontal direction, and the support member 75 is configured to be lifted and lowered by a lifting mechanism 76. As a result, when the support member 75 is raised by the elevating mechanism 76, the lift pins 74 are raised to receive the loaded substrate G, and then lowered slightly to be placed on the heating plate 72 and subjected to heat treatment. After the completion, the substrate G is raised again to lift the substrate G to the carry-out position.
[0055]
In the heat treatment unit (HP) configured as described above, the substrate G that has been coated with the resist solution and subjected to the end face treatment is pre-baked at a temperature of, for example, 100 to 120 ° C., and is sent to the subsequent exposure process. It has become.
[0056]
Next, with reference to FIGS. 4 and 5, the arrangement of lift pins in such a heat treatment unit (HP) will be described. 4 is an exploded perspective view of a heat treatment unit for pre-baking an LCD substrate from which four products are taken (four chamfers), and FIG. 5 is an LCD substrate substrate from which six products are taken (six chamfers). It is a disassembled perspective view of the heat processing unit for prebaking.
[0057]
As shown in FIG. 4, when the LCD substrate G is chamfered four times, the non-product region is formed from a band-shaped portion 80 formed along the outer periphery of the substrate G and a band-shaped portion 81 formed in a cross shape at the center. It has become. In the heat treatment unit of FIG. 4, the lift pins 74 are arranged so as to face the outer peripheral belt-like portion 80 of the substrate G and the cross-like belt-like portion 81 in the center.
[0058]
Therefore, even if the transfer of the lift pins 74 occurs after the substrate G coated with the resist solution is pre-baked or the like, or after the substrate G is exposed and developed, Since this is a non-product region composed of the belt-like portion 80 on the outer periphery of the substrate G and the cross-like belt-like portion 81 at the center, the transferred portion does not affect the product. In addition, since the non-product region composed of the belt-like portion 80 on the outer periphery of the substrate G and the cross-like belt-like portion 81 at the center is a belt-like shape, the lift pins 74 can place the substrate sufficiently stably. Further, since the substrate G is supported by the non-product portion by the lift pins 74, the influence of particles on the product can be suppressed.
[0059]
As shown in FIG. 5, when the LCD substrate G is chamfered, the non-product region has a strip-shaped portion 80 along the outer periphery of the substrate G, and strip-shaped portions 82 and 83 formed as two crosses in the center. It is made up of. In the heat treatment unit of FIG. 5, the lift pins 74 are arranged so as to face the outer peripheral belt-like portion 80 of the substrate G and the two cross-like belt-like portions 82 and 83 at the center.
[0060]
Therefore, in this case as well, even when the transfer of the lift pins 74 occurs in the belt-shaped portion 80 on the outer periphery of the substrate G and the two cross-shaped belt-shaped portions 82 and 83 in the center, as in the case of four-sided chamfering. Since this is a non-product area, the transferred portion does not affect the product. In addition, since the non-product region composed of the belt-shaped portion 80 on the outer periphery of the substrate G and the two cross-shaped belt-shaped portions 82 and 83 in the center is a belt-like shape, the lift pins 74 place the substrate sufficiently stably. be able to. Furthermore, since the substrate G is supported in the non-product region by the lift pins 74, the influence of particles on the product can be suppressed.
[0061]
When both the 4-chamfer substrate and the 6-chamfer substrate are actually processed, any of the upper heat treatment units (HP) of the heat treatment / cooling units (HP / COL) 28, 29 shown in FIG. One of them has a heating plate 72 in which lift pins 74 are arranged for four chamfering as shown in FIG. 4, and the other is a heating plate 72 in which lift pins 74 are arranged for six chamfering as shown in FIG. It shall have. In this case, in the case of a four-sided substrate G, the substrate G is transported to a heat treatment unit (HP) having a heating plate 72 on which lift pins 74 are arranged for four-sided chamfering, and prebaking is performed. In the case of the substrate G for chamfering, if the substrate G is transported to a heat treatment unit (HP) having a heating plate 72 on which lift pins 74 are arranged for six chamfering and prebaking is performed, the above two types With respect to the substrate, it is possible to prevent the transfer portion of the lift pin from being generated in the product portion, and to suppress the influence of particles on the product portion. Although not shown, the proximity pin 73 is also provided at a position corresponding to the non-product area of the substrate.
[0062]
In this case, when the transfer device 18 is provided with a transfer arm 93 for both chamfering and 6 chamfering, and the substrate G is 4 chamfering, the substrate is supported by a support unit for 4 chamfering, and the substrate G is 6 chamfering. In this case, it is preferable to support the substrate with a support portion for six chamfering.
[0063]
A transport mechanism 18 having such a transport arm will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a perspective view of the substrate transfer device, FIG. 7 is a perspective view showing a state of the transfer arm when transferring a four-chamfered LCD substrate, and FIG. 8 is a transfer arm when transferring a six-chamfered LCD substrate. It is a perspective view which shows the state of.
[0064]
As illustrated in FIG. 6, the transport device 18 includes a device main body 91 that can move along the transport path 13, a base member 92 that can move up and down with respect to the device main body 91, and a base member 92. It has a transfer arm 93 that can move along the horizontal direction. The apparatus main body 91 is moved in the Y-axis direction along the transport path 13, and the base member 92 placed on the apparatus main body 91 is moved up and down in the Z-axis direction and swung in the θ-axis direction. Further, the transfer arm 93 placed on the base member 92 is moved back and forth in the X-axis direction with respect to each processing unit while supporting the substrate G.
[0065]
As shown in FIG. 7 or FIG. 8, the transfer arm 93 includes a pair of end arm portions 94 and 95 extending along the end portion of the substrate G, and 3 for mounting the central portion of the substrate G. Intermediate arm portions 96, 97, 98. Each of the arm portions 94 to 98 is provided with a plurality of support pins 99 for contacting and supporting the back surface of the substrate G.
[0066]
The intermediate arm portions 96, 97, and 98 are configured to be lifted and lowered by the lifting mechanism 100. When the product is chamfered from the substrate G, as shown in FIG. 7, the middle intermediate arm portion 97 is moved to the substrate support position at the same height as the pair of end arm portions 94 and 95 on both sides by the lifting mechanism 100. The intermediate arms 96 and 98 are raised and lowered. The belt-shaped portion 80 (FIG. 4) around the outer periphery of the substrate G is supported by a pair of end arm portions 94 and 95 on both sides, and the cross-shaped belt-shaped portion 81 (FIG. 4) at the center is supported by the intermediate arm portion 97. The
[0067]
When the product is chamfered from the substrate G, as shown in FIG. 8, the intermediate arm portions 96 and 98 are raised to the substrate support position at the same height as the pair of end arm portions 94 and 95 on both sides by the lifting mechanism. As a result, the intermediate arm portion 97 is lowered. Then, a belt-like portion 80 (FIG. 5) around the outer periphery of the substrate G is supported by a pair of end arm portions 94 and 95 on both sides, and two cross-shaped belt-like portions 82 and 83 (FIG. 5) in the center are formed on both sides. It is supported by two intermediate arm portions 96 and 98.
[0068]
As described above, since the transfer arm 93 is configured to be used for four-sided / six-sided chamfering of the substrate, both the 4-sided substrate and the 6-sided substrate are used to transfer the product portion of the substrate in the substrate transfer after applying the resist. Therefore, the transfer of the support pins 99 of the transport arm 93 can be prevented after exposure and after development. In addition, the generation of particles in the product can be suppressed.
[0069]
Then, for example, the heating processing unit (HP) in the upper stage of the heating processing / cooling unit (HP / COL) 28 is assumed to have a heating plate 72 on which lift pins 74 are arranged for chamfering as shown in FIG. When the upper heat treatment unit (HP) of the treatment / cooling unit (HP / COL) 29 has a heating plate 72 on which lift pins 74 are arranged for six chamfering as shown in FIG. When processing the substrate, after applying the resist, the transfer arm 93 is transferred to the upper heating processing unit (HP) of the heating processing / cooling unit (HP / COL) 28 with the four-chamfering support. When processing the 6-sided chamfering substrate, after applying the resist, the heat treatment / cooling unit (HP / COL) 29 is used with the transfer arm 93 ready for 6-sided chamfering. If transported into the stage heat treatment unit (HP), the support pins do not come into contact with the product portion of the substrate during transport and pre-bake processing. When both are processed, the transfer prevention effect and the particle suppression effect are extremely high.
[0070]
In this way, in order to change the state of the transfer arm 93 and the heat treatment unit to be transferred according to the substrate for four chamfering and the substrate for six chamfering, as shown in FIG. The driving mechanism 101 and the lifting mechanism 100 of the transport device 18 may be controlled based on the recipes that have been read or based on the ID of the substrate G read by a detection means (not shown).
[0071]
Next, another embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a configuration of a heat treatment unit (HP) according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 10, in this heat treatment unit (HP), the heat treatment part 111 is arranged in the lower stage, and the replacement heating plate storage part 112 is arranged in the upper stage. The heat treatment part 111 may be arranged in the upper stage, and the replacement heating plate storage part 112 may be arranged in the lower stage.
[0072]
In the heat treatment part 111, a heating plate 113 for heat-treating the substrate G placed on the surface is arranged. A cover 171 that can be raised and lowered is disposed above the heating plate 113, and a heat treatment space is formed between the heating plate 113 and the cover 171. For example, a heater (not shown) whose power supply is controlled by a controller (not shown) is embedded in the heating plate 113 so that the surface of the heating plate 113 reaches a desired heat treatment temperature. Has been.
[0073]
As shown in FIG. 11, a groove 114 for adsorbing the substrate G or a later-described replacement heating plate 121 or 122 to the heating plate 113 is provided over the entire surface of the heating plate 113. A suction hole 115 connected to a suction device (not shown) is connected to the groove 114, and the substrate G is sucked to the heating plate 113 through the suction hole 115 and the groove 114 by suction of the suction device. It has become so.
[0074]
As shown in FIG. 10, a plurality of, for example, three support pins 117 are arranged on the heating plate 113 so as to protrude and retract from the surface of the heating plate 113 through the through holes 116. An elevating mechanism 118 that moves the support pins 117 up and down is disposed on the back side of the heating plate 113. Then, the substrate G is transferred onto the support pins 117 from the main transport device 17 (18, 19) in a state where the support pins 117 protrude from the surface of the heating plate 113, and the support pins 117 descend from the state to the heating plate 113. Submerged from the surface, the substrate G is placed on the surface of the heating plate 113, and the substrate G is subjected to heat treatment. When the heat treatment of the substrate G is completed, the support pins 117 rise and protrude from the surface of the heating plate 113. In this state, the main transfer device 17 (18, 19) receives the substrate G from the support pins 117.
[0075]
The replacement heating plate storage unit 112 is provided with, for example, two upper and lower storage shelves 119 and 120. A plurality of, for example, three plate support pins 123 for supporting the replacement heating plates 121 and 122 are provided on the surfaces of the storage shelves 119 and 120.
[0076]
As shown in FIG. 12, the replacement heating plate 121 is for pre-baking an LCD substrate that can take four products (four-sided). As shown in FIG. 4, when the LCD substrate G is chamfered four times, the non-product region includes a strip-shaped portion 80 formed along the outer periphery of the substrate G, and a strip-shaped portion formed in a cross shape in the central portion. 81. In the replacement heating plate 121 shown in FIG. 12, the proximity pins 124 are disposed so as to face the outer peripheral belt-shaped portion 80 of the substrate G and the cross-shaped belt-shaped portion 81 in the center. The replacement heating plate 121 is provided with a through hole (not shown) at a position corresponding to the support pin 117 provided so as to protrude and retract from the surface of the heating plate 113 described above.
[0077]
On the other hand, as shown in FIG. 13, the replacement heating plate 122 is for pre-baking an LCD substrate that can take six products (six chamfers). As shown in FIG. 5, when the LCD substrate G is chamfered six times, the non-product region has a strip-shaped portion 80 along the outer periphery of the substrate G, and a strip-shaped portion 82 formed as two crosses in the central portion. , 83. In the heating plate 122 for replacement shown in FIG. 13, the proximity pins 126 are disposed so as to face the outer peripheral belt-shaped portion 80 of the substrate G and the two cross-shaped belt-shaped portions 82 and 83 at the center. . The replacement heating plate 122 is provided with a through hole (not shown) at a position corresponding to the support pin 117 provided so as to protrude and retract from the surface of the heating plate 113 described above.
[0078]
These replacement heating plates 121 and 122 are transferred onto the heating plate 113 in the heat treatment section 111 by the main transfer device 17 (18, 19). Further, the replacement heating plates 121 and 122 placed on the heating plate 113 are sucked and fixed on the heating plate 113 through the suction holes 115 and the grooves 114 by the suction of the suction device. .
[0079]
In the heat treatment unit (HP) of the present embodiment configured as described above, when the adverse effect due to static electricity is not a problem during the heat treatment, the substrate G is directly mounted on the heating plate 113 for heat treatment. Can do. Thereby, it can heat-process efficiently and with high precision.
[0080]
On the other hand, when adverse effects due to static electricity become a problem, the substrate G is mounted on the replacement heating plates 121 and 122 and heat-treated while the replacement heating plates 121 and 122 are placed on the heating plate 113. . At that time, in the case of the four-sided substrate G, the replacement heating plate 121 provided with the four-sided proximity pins 124 is mounted on the heating plate 113 to heat the substrate G. On the other hand, in the case of the six-chamfer substrate G, the replacement heating plate 122 on which the six-chamfer proximity pins 126 are arranged is mounted on the heating plate 113 and the substrate G is heated. Thereby, about the said 2 types of board | substrate, it can prevent that the transfer part of a lift pin arises in a product part, and can suppress the influence of the particle on a product part.
[0081]
In the present embodiment, the replacement heating plates 121 and 122 are particularly replaced by the main transport device 17 (18 and 19) for transporting the substrate G, so that the configuration can be further simplified. it can.
[0082]
Next, still another embodiment of the present invention will be described.
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a configuration of a heat treatment unit (HP) according to still another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 14, in this heat treatment unit (HP), a heat treatment part 131 is arranged at the lower stage, and a substrate rotation part 132 is arranged at the upper stage. The heat treatment part 131 may be arranged on the upper stage and the substrate rotating part 132 may be arranged on the lower stage.
[0083]
In the heat treatment part 131, a heating plate 133 for heat-treating the substrate G placed on the surface is arranged. A cover 134 that can be raised and lowered is disposed above the heating plate 133, and a heat treatment space is formed between the heating plate 133 and the cover 134. For example, a heater (not shown) whose power supply is controlled by a controller (not shown) is embedded in the heating plate 133 so that the surface of the heating plate 133 reaches a desired heat treatment temperature. Has been.
[0084]
As shown in FIG. 15, for example, ten proximity pins 135 to 144 are arranged on the surface of the heating plate 133. The proximity pins 135 to 138 are provided at positions corresponding to the four corners (non-product area) of the four-sided substrate G placed at a predetermined position on the heating plate 133, and are dedicated to the four-sided substrate G. Used for. Proximity pins 139 to 142 correspond to the four corners (non-product region) of the six-sided substrate G mounted at a position rotated by 90 ° from the position on the heating plate 133 where the four-sided substrate G is mounted. And is used exclusively for the six-sided substrate G. The proximity pins 143 and 144 are mounted with the non-product area 81 of the four-sided substrate G placed on a predetermined position on the heating plate 133 and the above-mentioned four-sided substrate G on the heating plate 133. It is provided in a region where the non-product regions 82 and 83 of the six-chamfering substrate G mounted at a position rotated by 90 ° from the position are used, and is used for both the four-sided substrate G and the four-sided substrate G. It is like that.
[0085]
Further, as shown in FIG. 14, a plurality of, for example, three support pins 145 are disposed on the heating plate 133 so as to protrude and retract from the surface of the heating plate 133 through the through holes 146. An elevating mechanism 147 that drives the support pins 145 to move up and down is disposed on the surface side of the heating plate 133. Then, the substrate G is transferred onto the support pins 145 from the main transport device 17 (18, 19) in a state where the support pins 145 protrude from the surface of the heating plate 133. Submerged from the surface, the substrate G is placed on the surface of the heating plate 133, and the substrate G is subjected to heat treatment. When the heat treatment of the substrate G is completed, the support pins 145 are raised and protrude from the surface of the heating plate 133. In this state, the main transfer device 17 (18, 19) receives the substrate G from the support pins 145.
[0086]
A placement plate 149 is disposed on the substrate rotating unit 132. For example, three support pins 150 are provided on the surface of the mounting plate 149, and the substrate G is mounted thereon. In addition, a rotation driving unit 151 that rotates the mounting plate 149 by 90 ° is provided on the back side of the mounting plate 149.
[0087]
For example, the four-chamfering substrate G is directly transferred onto the heating plate 133 by the main transfer device 17 (18, 19) and is heated, but the six-chamfering substrate G is heated by the main transfer device 17 (18, 19). First, the substrate G is transported to the substrate rotating unit 132 and rotated by 90 °, and then transported as it is onto the heating plate 133 by the main transport device 17 (18, 19) and subjected to heat treatment.
[0088]
As described above, in the heat treatment unit (HP) of the present embodiment, it is possible to cope with both the four-sided substrate G and the six-sided substrate G with one heating plate 133 in particular. It becomes.
[0089]
Next, still another embodiment of the present invention will be described.
FIG. 16 is a perspective view for explaining the configuration of the heating plate in the heat treatment unit (HP) according to this embodiment. As shown in FIG. 16, for example, 15 proximity pins 162 to 176 are arranged on the surface of the heating plate 161 according to the present embodiment. Among these proximity pins 162 to 176, the proximity pins 162 to 167 provided along the short side of the rectangular heating plate 161 protrude from the surface of the heating plate 161 in a fixed state, but the remaining proxies The Mitty pins 168 to 176 are raised and lowered with respect to the surface of the heating plate 161 by being raised and lowered by an elevating mechanism (not shown) disposed on the back side of the heating plate 161. Among the proximity pins 168 to 176 provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the heating plate 161, the proximity pins 168 to 170 are provided at positions corresponding to the non-product region 81 of the four-sided substrate G, The proximity pins 171 to 176 are provided at positions corresponding to the non-product regions 82 and 83 of the six-chamfer substrate G.
[0090]
In FIG. 16, proximity pins 171 to 176 protrude from the heating plate 161, and these proximity pins 171 to 176 and proximity pins 162 to 167 form a six-sided substrate G. The state which heat-processes is shown. On the other hand, when the four-sided substrate G is subjected to heat treatment, the proximity pins 171 to 176 are submerged from the heating plate 161 and the proximity pins 168 to 170 are projected from the heating plate 161. The four-sided substrate G is heated by the proximity pins 168 to 170 and the proximity pins 162 to 167.
[0091]
As described above, also in the heat treatment unit (HP) using the heating plate 161 of the present embodiment, both the four-sided substrate G and the six-sided substrate G with one unit and one heating plate 161 are used. It becomes possible to respond.
[0092]
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, in the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to the main transport device 18 has been described. However, the main transport device 17 provided with a cleaning unit (SCR) and the development processing unit (DEV) are provided. The present invention can also be applied to a transfer arm in the main transfer device 19, and in this case, an effect of suppressing the influence of particles on the product can be obtained. Moreover, although the case where 4 chamfering or 6 chamfering is shown as the substrate G is not limited to this, it may be 2 chamfering, 9 chamfering, etc., and any case where a plurality of products are produced from one substrate G It is applicable to. In addition, the example of two types of patterns corresponding to multiple products on the substrate has been shown, but even if there are more than three types of patterns, heat treatment units corresponding to those patterns are prepared and the transfer arm is switched according to each pattern. It can be applied if possible. Furthermore, in the above embodiment, the resist coating / development processing system for the LCD substrate has been described. However, the present invention is applied to a substrate other than the LCD substrate, for example, a resist coating / development processing system for a semiconductor wafer. Can be applied.
[0093]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, in the heat treatment unit, the plurality of support pins are provided so as to support portions other than the portion corresponding to the product of the substrate. Even if the trace is transferred, such a transfer portion does not affect the product. In addition, since the support pins support portions other than the portion corresponding to the product, the influence of particles on the product can be suppressed.
[0094]
Further, when the product corresponding part of the substrate is the first pattern, the substrate is pre-baked by the first heat processing unit arranged so that the support pins support other than the product corresponding part of the first pattern, When the product corresponding portion of the second pattern is the second pattern, the support pins are pre-baked by the second heat treatment unit arranged to support other than the product corresponding portion of the second pattern. Even if the pattern of the part corresponding to the product is applied and developed on two types of substrates, the transfer part of the trace of the support pins on the substrate does not affect the product during pre-baking, and the particles on the product It is also possible to suppress the influence of.
[0095]
Further, after the resist is applied to at least the substrate, when the product corresponding portion of the substrate is the first pattern, the first support portion that supports other than the product corresponding portion of the first pattern is set as the substrate support position, When the product corresponding portion of the second pattern is the second pattern, the substrate is transported with the second support portion supporting the portion other than the product corresponding portion of the second pattern as the substrate support position, so that the portion corresponding to a plurality of products Even when the pattern is applied and developed on two types of substrates, at least the transfer of traces of support pins on the substrate will not affect the product during transport after applying the resist to the substrate. It is also possible to suppress the influence of particles on the surface.
[0096]
Furthermore, (1) when the product corresponding part of the substrate is the first pattern, pre-baking is performed by the first heat treatment unit arranged so that the support pins support other than the product corresponding part of the first pattern. In the case where the product corresponding portion of the substrate is the second pattern, the substrate is pre-baked by the second heat treatment unit arranged so that the support pins support other than the product corresponding portion of the second pattern. And (2) at least after the resist is applied to the substrate, if the product corresponding portion of the substrate is the first pattern, the first support portion that supports the portion other than the product corresponding portion of the first pattern is supported on the substrate. In the case where the product corresponding part of the substrate is the second pattern, the substrate is transported with the second support part supporting the part other than the product corresponding part of the second pattern as the substrate support position. Since there are two configurations, transfer patterns and adverse effects of particles are ensured both when the substrate is transported after resist coating and during pre-baking for two or more types of substrate patterns corresponding to multiple products. Can be suppressed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a resist coating / development processing system for an LCD substrate to which the present invention is applied.
2 is a schematic plan view showing the overall configuration of a resist coating unit (CT) and an edge remover (ER) in the resist coating / development processing system of FIG. 1;
3 is a schematic sectional view showing a heat treatment unit (HP) of the present invention in the resist coating / development processing system of FIG. 1. FIG.
FIG. 4 is an exploded perspective view showing a heat treatment unit corresponding to a four-sided LCD substrate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an exploded perspective view showing a heat treatment unit corresponding to a six-chamfered LCD substrate according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a perspective view showing a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 is a perspective view showing a state in which the transfer arm of the substrate transfer apparatus of FIG. 6 is made to correspond to a four-sided LCD substrate.
8 is a perspective view showing a state in which the transfer arm of the substrate transfer apparatus of FIG. 6 is made to correspond to an LCD substrate for six chamfering.
FIG. 9 is a schematic diagram showing a control system of a substrate transport mechanism.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a configuration of a heat treatment unit according to another embodiment of the present invention.
11 is a perspective view showing a configuration of a heating plate shown in FIG.
12 is a perspective view showing the configuration of the first replacement heating plate shown in FIG.
13 is a perspective view showing a configuration of a second replacement heating plate shown in FIG.
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a configuration of a heat treatment unit according to still another embodiment of the present invention.
15 is a plan view showing the configuration of the heating plate shown in FIG.
FIG. 16 is a perspective view for explaining a configuration of a heating plate in a heat treatment unit according to still another embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
13: Transport path
18; Main transfer device
22: Resist coating unit
23; Edge remover
28, 29; Heat treatment / cooling unit
72; heating plate
73; Fixing pin (proximity pin)
74; Lift pin
80: A band-shaped portion that is a non-product area around the outside of the substrate
81, 82, 83; strip-like portions that are non-product areas in the center of the substrate
91; Main unit
92; base member
93; Transfer arm
94, 95; end arm part
96, 97, 98; intermediate arm
99; Support pin
100; lifting mechanism
101; Drive mechanism
110; Controller
G: LCD substrate
HP: Heat treatment unit

Claims (13)

少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置であって、
基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットと、
少なくとも塗布後の基板にプリベーク処理を施す第1の加熱処理ユニットおよび第2の加熱処理ユニットと、
レジスト膜を露光後に現像処理を施す現像処理ユニットと、
これらユニットの間およびこれらユニットと露光装置との間で基板を搬送する搬送装置と
を具備し、
前記第1および第2の加熱処理ユニットは、加熱プレートと、加熱プレートの上方で基板を支持する複数の支持ピンとを有し、
前記第1の加熱処理ユニットは、その支持ピンが、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、前記第2の加熱処理ユニットは、その支持ピンが、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、
基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の加熱処理ユニットでプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の加熱処理ユニットでプリベーク処理されることを特徴とするレジスト塗布・現像装置。
A resist coating / developing apparatus that applies a resist coating / developing process to a substrate having at least a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern. And
A resist coating unit for coating a substrate with a resist solution to form a resist film;
A first heat treatment unit and a second heat treatment unit for performing a pre-bake treatment on at least the substrate after coating;
A development processing unit for performing development processing after exposing the resist film;
A transport device for transporting the substrate between these units and between these units and the exposure apparatus;
The first and second heat treatment units have a heating plate and a plurality of support pins for supporting the substrate above the heating plate,
The first heat treatment unit is arranged such that the support pins support portions other than the product-corresponding portions of the first pattern, and the second heat treatment unit has the support pins that are the second heat treatment units. It is arranged to support other than the product corresponding part of the pattern,
When the product-corresponding portion of the substrate is the first pattern, prebaking is performed by the first heat treatment unit, and when the product-corresponding portion of the substrate is the second pattern, the second heat treatment unit is used. A resist coating / developing apparatus which is pre-baked.
基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の加熱処理ユニットでプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の加熱処理ユニットでプリベーク処理されるように前記搬送装置を制御する制御機構をさらに具備することを特徴とする請求項に記載のレジスト塗布・現像装置。When the product-corresponding portion of the substrate is the first pattern, prebaking is performed by the first heat treatment unit, and when the product-corresponding portion of the substrate is the second pattern, the second heat treatment unit is used. The resist coating / developing apparatus according to claim 1 , further comprising a control mechanism that controls the transport device so as to be pre-baked. 少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置であって、
基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットと、
少なくとも塗布後の基板にプリベーク処理を施す第1の加熱処理ユニットおよび第2の加熱処理ユニットと、
レジスト膜を露光後に現像処理を施す現像処理ユニットと、
これらユニットの間およびこれらユニットと露光装置との間で基板を搬送する搬送装置と
を具備し、
前記搬送装置は、基板を支持する基板支持部材を有し、前記基板支持部材は、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持する第1の支持部と、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持する第2の支持部と、第1の支持部および第2の支持部のいずれかを基板支持位置に移動する移動機構とを有し、
少なくとも基板にレジストを塗布した後、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の支持部を基板支持位置とし、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の支持部を基板支持位置として基板を搬送することを特徴とするレジスト塗布・現像装置。
A resist coating / developing apparatus that applies a resist coating / developing process to a substrate having at least a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern. And
A resist coating unit for coating a substrate with a resist solution to form a resist film;
A first heat treatment unit and a second heat treatment unit for performing a pre-bake treatment on at least the substrate after coating;
A development processing unit for performing development processing after exposing the resist film;
A transport device for transporting the substrate between these units and between these units and the exposure apparatus;
The transport device includes a substrate support member that supports a substrate, and the substrate support member supports a first support portion that supports a portion other than the product-corresponding portion of the first pattern, and the product correspondence of the second pattern. A second support part that supports other than the part, and a moving mechanism that moves one of the first support part and the second support part to the substrate support position,
When the product corresponding portion of the substrate is at least the first pattern after the resist is applied to the substrate, the first support portion is the substrate support position, and the product corresponding portion of the substrate is the second pattern. Is a resist coating / developing apparatus for transporting a substrate using the second support portion as a substrate support position.
少なくとも基板にレジストを塗布した後、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の支持部を基板支持位置とし、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の支持部を基板支持位置とするように、前記基板搬送装置を制御する制御機構をさらに具備することを特徴とする請求項に記載のレジスト塗布・現像装置。When the product corresponding portion of the substrate is at least the first pattern after the resist is applied to the substrate, the first support portion is the substrate support position, and the product corresponding portion of the substrate is the second pattern. 4. The resist coating / developing apparatus according to claim 3 , further comprising a control mechanism for controlling the substrate transport device so that the second support portion is set to a substrate support position. 5. 少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置であって、
基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットと、
少なくとも塗布後の基板にプリベーク処理を施す第1の加熱処理ユニットおよび第2の加熱処理ユニットと、
レジスト膜を露光後に現像処理を施す現像処理ユニットと、
これらユニットの間およびこれらユニットと露光装置との間で基板を搬送する搬送装置と
を具備し、
前記第1および第2の加熱処理ユニットは、加熱プレートと、加熱プレートの上方で基板を支持する複数の支持ピンとを有し、
前記第1の加熱処理ユニットは、その支持ピンが、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、前記第2の加熱処理ユニットは、その支持ピンが、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、
前記搬送装置は、基板を支持する基板支持部材を有し、前記基板支持部材は、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持する第1の支持部と、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持する第2の支持部と、第1の支持部および第2の支持部のいずれかを基板支持位置に移動する移動機構とを有し、
前記搬送装置は、少なくとも基板にレジストを塗布した後、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の支持部を基板支持位置とし、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の支持部を基板支持位置として基板を搬送し、
かつ、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の加熱処理ユニットでプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の加熱処理ユニットでプリベーク処理されることを特徴とするレジスト塗布・現像装置。
A resist coating / developing apparatus that applies a resist coating / developing process to a substrate having at least a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern. And
A resist coating unit for coating a substrate with a resist solution to form a resist film;
A first heat treatment unit and a second heat treatment unit for performing a pre-bake treatment on at least the substrate after coating;
A development processing unit for performing development processing after exposing the resist film;
A transport device for transporting the substrate between these units and between these units and the exposure apparatus;
The first and second heat treatment units have a heating plate and a plurality of support pins for supporting the substrate above the heating plate,
The first heat treatment unit is arranged such that the support pins support portions other than the product-corresponding portions of the first pattern, and the second heat treatment unit has the support pins that are the second heat treatment units. It is arranged to support other than the product corresponding part of the pattern,
The transport device includes a substrate support member that supports a substrate, and the substrate support member supports a first support portion that supports a portion other than the product-corresponding portion of the first pattern, and the product correspondence of the second pattern. A second support part that supports other than the part, and a moving mechanism that moves one of the first support part and the second support part to the substrate support position,
In the case where the product corresponding portion of the substrate is the first pattern after the resist is applied to at least the substrate, the transfer device sets the first support portion as the substrate support position and the product corresponding portion of the substrate as the second corresponding portion. In the case of this pattern, the substrate is transported using the second support portion as the substrate support position,
In addition, when the product corresponding portion of the substrate is the first pattern, prebaking is performed by the first heat treatment unit, and when the product corresponding portion of the substrate is the second pattern, the second heat treatment is performed. A resist coating / developing apparatus, which is pre-baked in a unit.
少なくとも基板にレジストを塗布した後、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の支持部を基板支持位置とし、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の支持部を基板支持位置とするように、かつ、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の加熱処理ユニットでプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の加熱処理ユニットでプリベーク処理されるように前記搬送装置を制御する制御機構をさらに具備することを特徴とする請求項に記載のレジスト塗布・現像装置。When the product corresponding portion of the substrate is at least the first pattern after the resist is applied to the substrate, the first support portion is the substrate support position, and the product corresponding portion of the substrate is the second pattern. In the case where the second support portion is set as the substrate support position and the product corresponding portion of the substrate is the first pattern, the product corresponding portion of the substrate is prebaked by the first heat treatment unit. 6. The resist coating and coating method according to claim 5 , further comprising a control mechanism for controlling the transport device so that pre-bake processing is performed in a second heat processing unit when the second pattern is the second pattern. Development device. 少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置における、基板を搬送する基板搬送装置であって、
基板を支持する基板支持部材を有し、前記基板支持部材は、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持する第1の支持部と、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持する第2の支持部と、第1の支持部および第2の支持部のいずれかを基板支持位置に移動する移動機構とを具備し、
少なくとも基板にレジストを塗布した後、基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、第1の支持部を基板支持位置とし、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、第2の支持部を基板支持位置として基板を搬送することを特徴とする基板搬送装置。
In a resist coating / developing apparatus that performs resist coating / developing processing on a substrate having at least a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern, A substrate transfer device for transferring a substrate,
A substrate support member for supporting the substrate; and the substrate support member supports a first support portion that supports a portion other than the product corresponding portion of the first pattern and a portion other than the product corresponding portion of the second pattern. A second support unit, and a moving mechanism that moves one of the first support unit and the second support unit to the substrate support position,
When the product corresponding portion of the substrate is at least the first pattern after the resist is applied to the substrate, the first support portion is the substrate support position, and the product corresponding portion of the substrate is the second pattern. Is a substrate transport apparatus for transporting a substrate using the second support portion as a substrate support position.
少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置であって、
基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットと、
少なくとも塗布後の基板にプリベーク処理を施す加熱処理ユニットと、
レジスト膜を露光後に現像処理を施す現像処理ユニットと、
これらユニットの間およびこれらユニットと露光装置との間で基板を搬送する搬送装置と
を具備し、
前記加熱処理ユニットは、加熱プレートと、前記搬送装置によって前記加熱プレート上に載置される少なくとも第1および第2の交換用加熱プレートとを有し、
前記第1の交換用加熱プレートは、その支持ピンが、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、前記第2の交換用加熱プレートは、その支持ピンが、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、
基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、前記加熱プレート上に前記第1の交換用加熱プレートが載置され、この第1の交換用加熱プレート上でプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、前記加熱プレート上に前記第2の交換用加熱プレートが載置され、この第2の交換用加熱プレート上でプリベーク処理されることを特徴とするレジスト塗布・現像装置。
A resist coating / developing apparatus that applies a resist coating / developing process to a substrate having at least a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern. And
A resist coating unit for coating a substrate with a resist solution to form a resist film;
A heat treatment unit for performing a pre-bake treatment on at least the substrate after coating;
A development processing unit for performing development processing after exposing the resist film;
A transport device for transporting the substrate between these units and between these units and the exposure apparatus;
The heat treatment unit has a heating plate, and at least first and second replacement heating plates placed on the heating plate by the transport device,
The first replacement heating plate is arranged such that its support pins support parts other than the product-corresponding portions of the first pattern, and the second replacement heating plate has its support pins, It is arranged to support other than the product corresponding part of the pattern of 2,
When the product corresponding portion of the substrate is the first pattern, the first replacement heating plate is placed on the heating plate, prebaked on the first replacement heating plate, When the product corresponding part is the second pattern, the second replacement heating plate is placed on the heating plate and prebaked on the second replacement heating plate. Resist coating and developing equipment.
前記加熱プレートは、その表面に基板、ならびに前記第1および第2の交換用加熱プレートのいずれかを吸着保持する保持機構を有し、基板は前記保持機構に保持された状態で直接プリベーク処理されるか、あるいは前記第1または第2の交換用加熱プレートが前記保持機構に保持された状態でいずれかの支持ピン上でプリベーク処理されることを特徴とする請求項に記載のレジスト塗布・現像装置。The heating plate has a holding mechanism for sucking and holding the substrate and one of the first and second replacement heating plates on its surface, and the substrate is directly pre-baked while being held by the holding mechanism. Luke, or resist coating and of claim 8, wherein the first or the second replacement heating plate is pre-baking treatment on one of the support pin in a state of being held by the holding mechanism Development device. 少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置であって、
基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットと、
少なくとも塗布後の基板にプリベーク処理を施す加熱処理ユニットと、
レジスト膜を露光後に現像処理を施す現像処理ユニットと、
これらユニットの間およびこれらユニットと露光装置との間で基板を搬送する搬送装置と
を具備し、
前記加熱処理ユニットは、加熱プレートと、基板をほぼ90°回転する回転機構とを有し、
前記加熱プレートは、第1の位置で前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持し、かつこの第1の位置から基板を90°回転させた第2の位置の基板を支持しない位置に配置された第1の支持ピン群と、前記第2の位置で前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持し、かつ前記第1の位置の基板を支持しない位置に配置された第2の支持ピン群と、前記第1の位置の基板の前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持し、かつ第2の位置の基板の前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持する第2の支持ピン群とを有し、
基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、前記加熱プレート上の第1の位置に基板が載置されてプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、前記回転機構で基板がほぼ90°回転され、前記加熱プレート上の第2の位置に基板が載置されてプリベーク処理されることを特徴とするレジスト塗布・現像装置。
A resist coating / developing apparatus that applies a resist coating / developing process to a substrate having at least a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern. And
A resist coating unit for coating a substrate with a resist solution to form a resist film;
A heat treatment unit for performing a pre-bake treatment on at least the substrate after coating;
A development processing unit for performing development processing after exposing the resist film;
A transport device for transporting the substrate between these units and between these units and the exposure apparatus;
The heat treatment unit has a heating plate and a rotation mechanism that rotates the substrate by approximately 90 °,
The heating plate supports a portion other than the product corresponding portion of the first pattern at the first position, and is disposed at a position where the substrate at the second position obtained by rotating the substrate by 90 ° from the first position is not supported. A first support pin group, and a second support disposed at a position where the second position supports a portion other than the product corresponding portion of the second pattern and does not support the substrate at the first position. A second group of pins supporting a portion other than the product corresponding portion of the first pattern of the substrate at the first position and supporting a portion other than the product corresponding portion of the second pattern of the substrate at the second position. A support pin group,
When the product corresponding part of the substrate is the first pattern, the substrate is placed at the first position on the heating plate and prebaked, and when the product corresponding part of the substrate is the second pattern The resist coating / developing apparatus is characterized in that the substrate is rotated approximately 90 ° by the rotating mechanism, and the substrate is placed at a second position on the heating plate and pre-baked.
少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置であって、
基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットと、
少なくとも塗布後の基板にプリベーク処理を施す加熱処理ユニットと、
レジスト膜を露光後に現像処理を施す現像処理ユニットと、
これらユニットの間およびこれらユニットと露光装置との間で基板を搬送する搬送装置と、
を具備し、
前記加熱処理ユニットは、加熱プレートを有し、
前記加熱プレートは、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持し、かつ加熱プレート表面から出没自在に設けられた第1の支持ピン群と、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持し、かつ加熱プレート表面から出没自在に設けられた第2の支持ピン群とを少なくとも有し、
基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、前記加熱プレート表面から第1の支持ピン群が突出するとともに第2の支持ピン群が没してこの上に基板が載置されてプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、前記加熱プレート表面から第2の支持ピン群が突出するとともに第1の支持ピン群が没してこの上に基板が載置されてプリベーク処理されることを特徴とするレジスト塗布・現像装置。
A resist coating / developing apparatus that applies a resist coating / developing process to a substrate having at least a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern. And
A resist coating unit for coating a substrate with a resist solution to form a resist film;
A heat treatment unit for performing a pre-bake treatment on at least the substrate after coating;
A development processing unit for performing development processing after exposing the resist film;
A transfer device for transferring a substrate between these units and between these units and the exposure apparatus;
Comprising
The heat treatment unit has a heating plate,
The heating plate supports a portion other than the product-corresponding portion of the first pattern, and supports a portion of the first support pin provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the heating plate and a portion other than the product-corresponding portion of the second pattern. And at least a second support pin group provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the heating plate,
When the product-corresponding portion of the substrate is the first pattern, the first support pin group protrudes from the surface of the heating plate and the second support pin group sinks and the substrate is placed thereon. When the pre-baking process is performed and the product corresponding portion of the substrate is the second pattern, the second support pin group protrudes from the surface of the heating plate and the first support pin group is submerged, and the substrate is placed thereon. A resist coating / developing apparatus which is placed and pre-baked.
少なくとも、複数枚の製品に対応する部分を第1のパターンで有する基板および複数枚の製品に対応した部分を第2のパターンで有する基板にレジスト塗布・現像処理を施すレジスト塗布・現像装置における、塗布後の基板にプリベーク処理を施す基板加熱処理装置であって、
加熱プレートと、
前記加熱プレート上に載置される少なくとも第1および第2の交換用加熱プレートとを有し、
前記第1の交換用加熱プレートは、その支持ピンが、前記第1のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、前記第2の交換用加熱プレートは、その支持ピンが、前記第2のパターンの製品対応部分以外を支持するように配置され、
基板の製品対応部分が前記第1のパターンの場合には、前記加熱プレート上に前記第1の交換用加熱プレートが載置され、この第1の交換用加熱プレート上でプリベーク処理され、基板の製品対応部分が前記第2のパターンの場合には、前記加熱プレート上に前記第2の交換用加熱プレートが載置され、この第2の交換用加熱プレート上でプリベーク処理されることを特徴とする基板加熱処理装置。
In a resist coating / developing apparatus that performs resist coating / developing processing on a substrate having at least a portion corresponding to a plurality of products in a first pattern and a substrate having a portion corresponding to a plurality of products in a second pattern, A substrate heat treatment apparatus for performing a pre-bake treatment on a substrate after coating,
A heating plate;
Having at least first and second replacement heating plates mounted on the heating plate;
The first replacement heating plate is arranged such that its support pins support parts other than the product-corresponding portions of the first pattern, and the second replacement heating plate has its support pins, It is arranged to support other than the product corresponding part of the pattern of 2,
When the product corresponding portion of the substrate is the first pattern, the first replacement heating plate is placed on the heating plate, prebaked on the first replacement heating plate, When the product corresponding part is the second pattern, the second replacement heating plate is placed on the heating plate and prebaked on the second replacement heating plate. A substrate heat treatment apparatus.
前記加熱プレートは、その表面に基板、ならびに前記第1および第2の交換用加熱プレートのいずれかを吸着保持する保持機構を有し、基板は前記保持機構に保持された状態で直接プリベーク処理されるか、あるいは前記第1または第2の交換用加熱プレートが前記保持機構に保持された状態でいずれかの支持ピン上でプリベーク処理されることを特徴とする請求項12に記載の基板加熱処理装置。The heating plate has a holding mechanism for sucking and holding the substrate and one of the first and second replacement heating plates on its surface, and the substrate is directly pre-baked while being held by the holding mechanism. The substrate heating process according to claim 12 , wherein a pre-baking process is performed on one of the support pins in a state where the first or second replacement heating plate is held by the holding mechanism. apparatus.
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