KR101818070B1 - Substrate treating apparatus - Google Patents

Substrate treating apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101818070B1
KR101818070B1 KR1020120005525A KR20120005525A KR101818070B1 KR 101818070 B1 KR101818070 B1 KR 101818070B1 KR 1020120005525 A KR1020120005525 A KR 1020120005525A KR 20120005525 A KR20120005525 A KR 20120005525A KR 101818070 B1 KR101818070 B1 KR 101818070B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processed
support plate
chemical liquid
substrate stage
Prior art date
Application number
KR1020120005525A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130084742A (en
Inventor
이경일
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020120005525A priority Critical patent/KR101818070B1/en
Publication of KR20130084742A publication Critical patent/KR20130084742A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101818070B1 publication Critical patent/KR101818070B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/04—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
    • B05D3/0486—Operating the coating or treatment in a controlled atmosphere
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G47/00—Article or material-handling devices associated with conveyors; Methods employing such devices
    • B65G47/74—Feeding, transfer, or discharging devices of particular kinds or types
    • B65G47/90—Devices for picking-up and depositing articles or materials
    • B65G47/91—Devices for picking-up and depositing articles or materials incorporating pneumatic, e.g. suction, grippers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/061—Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 피처리 기판이 거치되는 기판 스테이지와; 상기 기판 스테이지에 거치된 상기 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 슬릿 노즐과; 약액 도포 공정이 행해진 이후에 상기 피처리 기판을 그 다음 공정이 행해지는 제2장치까지 이송하는 이송 경로에 설치되어 에어를 상방으로 분사하여 상기 피처리 기판을 부상시키는 부상 유닛과; 상기 기판 스테이지로부터 상기 제2장치까지 상기 피처리 기판을 파지하여 부상된 상태로 이동시키는 캐리지를; 포함하여 구성되어, 피처리 기판의 저면을 균일하게 분사되는 에어로 부상한 상태로 운반함에 따라, 피처리 기판의 운반하는 도중이나 피처리 기판을 운반의 시작 및 정지시에 발생되는 진동을 최소화하고, 피처리 기판에 발생되는 자중에 의한 휨 변위를 억제하여 약액이 두껍게 도포되었더라도 도포된 약액 상태를 그대로 그 다음 공정이 행해지는 제2장치로 이송할 수 있는 기판 처리 장치 및 그 방법을 제공한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. A slit nozzle for applying a chemical liquid to a surface of the substrate to be processed which is placed on the substrate stage; A floating unit installed on a transfer path for transferring the substrate to be processed next to a second apparatus after the chemical liquid applying process is performed, and for blowing air upward to float the substrate to be processed; A carriage holding the target substrate from the substrate stage to the second apparatus and moving the target substrate in a floating state; And the bottom surface of the target substrate is uniformly transported in a state of being floated with air to be sprayed so as to minimize the vibrations generated during transportation of the target substrate or at the start and stop of transporting the target substrate, The present invention provides a substrate processing apparatus capable of transferring a state of a coated chemical liquid to a second apparatus in which a subsequent process is performed as it is, even if the chemical liquid is thickly coated, by suppressing deflection displacement caused by its own weight generated on the substrate to be processed.

Description

기판 처리 장치 {SUBSTRATE TREATING APPARATUS} [0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 약액 도포 장치에서 약액이 도포된 피처리 기판을 그다음 공정이 행해지는 제2장치로 이송하는 데 있어서, 피처리 기판에 가해지는 진동을 최소화하여, 약액 도포 장치에서 약액이 두껍게 도포되더라도 운반 과정에서 흘러내리지 않고 원래의 도포 상태를 그대로 유지할 수 있는 기판 처리 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate processing apparatus, in which, in transferring a substrate to be processed to which a chemical liquid is applied to a second apparatus to be subjected to a next process in the chemical liquid applying apparatus, vibration applied to the substrate to be processed is minimized, The present invention relates to a substrate processing apparatus and method which can maintain the original applied state without flowing down during transportation even if the chemical liquid is applied thickly.

액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display Device), 발광 표시 장치(Light Emitting Display Device) 등 플랫 패널 디스플레이를 제조하는 공정에서는 유리 등으로 제작된 피처리 기판의 표면에 레지스트액 등의 약액을 도포하는 코팅 공정과, 약액이 도포된 피처리 기판을 합착 기판과 합착시키는 공정이 수반된다. BACKGROUND ART In a process for manufacturing a flat panel display such as a liquid crystal display device, a plasma display panel, a field emission display device, and a light emitting display device, A coating process of applying a chemical liquid such as a resist solution onto the surface of the substrate to be processed, and a process of attaching the substrate to which the chemical liquid is applied to the adhesion substrate.

이를 위하여, 도1에 도시된 바와 같이 약액 도포 장치(20)를 이용하여 피처리 기판(G)의 표면에 약액(55)을 도포한 후, 약액(55)이 도포된 피처리 기판(G)을 기판 운반 장치(10)로 기판 합착 장치(30)로 운반하여, 약액이 도포된 피처리 기판(G)에 합착 기판(S)을 합착시켜 패널을 제작한다. 1, the chemical liquid 55 is applied to the surface of the target substrate G by using the chemical liquid application device 20, and then the target substrate G coated with the chemical liquid 55 is coated on the surface of the target substrate G, Is transferred to the substrate adhesion apparatus 30 by the substrate transport apparatus 10 and the adhesion substrate S is adhered to the substrate G on which the chemical liquid is applied to manufacture the panel.

여기서, 약액 도포 장치(20)는 피처리 기판(G)의 표면에 스핀 코팅 방식 등 다양한 방법으로 약액을 도포할 수도 있다. 예를 들어, 도1에 도시된 바와 같이 기판 척(21)에 피처리 기판(G)을 거치시키고, 피처리 기판(G)의 도포 폭에 대응하는 슬릿 토출구를 구비한 슬릿 노즐(22)을 노즐 이송 기구(24)로 이동(22y)시키면서, 약액 공급 펌프(23)로부터 약액(55)을 공급받아 피처리 기판(G)의 표면에 도포하는 형태로 이루어질 수 있다. 또는 피처리 기판(G)을 회전시키면서 약액을 피처리 기판(G)의 중앙부에 공급하여, 회전 원심력에 의해 약액이 피처리 기판(G)의 표면에 퍼지도록 하는 형태로 도포할 수도 있다.Here, the chemical solution applying device 20 may apply a chemical solution to the surface of the substrate G by various methods such as a spin coating method. For example, as shown in Fig. 1, a substrate to be processed G is mounted on a substrate chuck 21, and a slit nozzle 22 having a slit discharge port corresponding to a coating width of the substrate G The chemical liquid 55 may be supplied from the chemical liquid supply pump 23 while being moved to the nozzle feed mechanism 24 so as to be applied to the surface of the substrate G to be processed. Or may be applied in such a form that the chemical liquid is supplied to the central portion of the target substrate G while rotating the target substrate G so that the chemical liquid spreads on the surface of the target substrate G by the centrifugal force.

상기 기판 운반 장치(10)는 도2에 도시된 바와 같이 3개~4개의 지지대를 갖는 포크(fork)형태로 형성되어 약액이 도포된 피처리 기판(G)의 저면을 지지대로 지지한 상태로 약액 도포 장치(20)로부터 기판 합착 장치(30)로 이동시킨다. The substrate transport apparatus 10 is formed in a fork shape having three to four supports as shown in FIG. 2, and supports the bottom surface of the substrate G coated with the chemical solution by a support And moves from the chemical liquid application device 20 to the substrate laminating device 30. [

상기 기판 합착 장치(30)는 운반된 피처리 기판(G)을 고정 몸체(31)의 거치대(31a)의 표면(31s)에 거치시킨 상태에서, 도면부호 32d로 왕복 이동하는 이동 몸체(32)의 고정대(32a)에 진공 펌프(33)의 흡입압으로 흡착 고정된 합착 기판(S)을 피처리 기판(G)에 합착시켜, 한 쌍의 기판(G, S) 사이에 약액이 중간에 개재된 상태의 패널을 제작한다. The substrate cementing apparatus 30 includes a moving body 32 reciprocating at 32d in a state where the transported substrate G is mounted on the surface 31s of the stationary body 31a of the stationary body 31, The adhesion substrate S adhered and fixed by the suction pressure of the vacuum pump 33 to the fixed base 32a of the substrate W is adhered to the substrate G so that a chemical solution is interposed between the pair of substrates G, Thereby producing a panel in a state of being formed.

그러나, 상기와 같이 피처리 기판(G)을 약액 도포 장치(20)로부터 기판 합착 장치(30)로 이동시키는 기판 운반 장치(30)는 피처리 기판(G)을 그 저면에서 3~4개의 지지대(11)로 지지함에 따라, 도3에 도시된 바와 같이 지지대(11) 사이의 영역에서 얇은 피처리 기판은 하방(z)으로의 처짐이 발생되고, 이 처짐에 의해 약액(55)이 도면부호 55x로 표시된 방향으로 흘러내려, 약액 도포 장치(20)에서 균일한 두께로 약액(55)이 도포되었더라도, 피처리 기판(G)의 합착 단계에서는 일정한 두께로 분포되지 않은 상태에서 합착되는 문제가 야기된다. However, the substrate conveying device 30 for moving the substrate G from the chemical liquid applying device 20 to the substrate laminating device 30 as described above has three to four supports The thin substrate to be processed in the region between the supports 11 as shown in Fig. 3 is deflected downward (z), and by this sagging, 55x and the chemical liquid 55 is applied with a uniform thickness in the chemical liquid application device 20, there is a problem that the chemical liquid 55 is adhered in a state where it is not distributed in a uniform thickness in the laminating step of the substrate G to be processed do.

무엇보다도, 약액 도포 장치(20)로부터 그 다음 공정이 행해지는 기판 합착 장치(30)로 이동시키는 데 있어서, 종래의 기판 운송 장치(10)는 피처리 기판(G)을 저면에서 지지하는 형태로 파지하므로, 피처리 기판(G)의 크기가 대형화될 수록 파지되는 순간에 진동이 불가피하게 발생된다. 이 진동 에너지는 피처리 기판(G)을 매질로 하여 피처리 기판(G)에 일정 시간동안 잔류하여 여러차례 반복하여 피처리 기판(G)을 진동시키는 원인이 되어, 균일한 두께로 도포된 약액이 불균일한 두께로 변질되어, 최종적으로 제작되는 패널의 성능을 저하시키는 원인이 되어 왔다.Above all, the conventional substrate transport apparatus 10 has a structure in which the substrate to be processed G is supported on the bottom surface in moving from the chemical liquid application apparatus 20 to the substrate laminating apparatus 30 where the next process is performed Therefore, as the size of the substrate G to be processed becomes larger, vibration is inevitably generated at the moment of grasping. This vibration energy causes the target substrate G to remain on the target substrate G for a certain period of time using the target substrate G as a medium and causes the target substrate G to vibrate repeatedly several times, It has become uneven in thickness to deteriorate the performance of the finally produced panel.

따라서, 피처리 기판(G)을 약액 도포 장치(20)로부터 그 다음 공정이 행해지는 장치(30)로 이동시키는 데 있어서, 피처리 기판(G)에 가해지는 진동을 최소화하여 약액 도포 장치(20)에서 도포된 상태를 그대로 유지시킬 수 있는 방안의 필요성이 절실히 대두되고 있다.Therefore, in moving the substrate G from the chemical liquid application device 20 to the next device 30, the vibration applied to the substrate G is minimized, and the chemical liquid application device 20 It is necessary to provide a method of maintaining the applied state as it is.

더욱이, 최근 피처리 기판(G)의 크기가 대형화됨에 따라 3~4개의 지지대(11)에 의해 지지되는 방식으로는 피처리 기판(G)의 국부적인 처짐 현상을 방지하는 데 한계가 있고, 피처리 기판(G)의 표면에 도포되는 약액의 두께도 종래의 수마이크론 내지 수십마이크론이 아니라 수mm로 형성되는 경우도 있게 됨에 따라, 약액 도포 장치(20)에서 도포된 약액 상태를 그대로 유지하면서 피처리 기판(G)을 그 다음 공정으로 운반시킬 필요성이 크게 높아지고 있다.
Further, as the size of the substrate G to be processed recently becomes larger, there is a limitation in preventing the local sagging phenomenon of the substrate G in the method in which the substrate G is supported by three to four supports 11, The thickness of the chemical solution applied to the surface of the substrate G may be several millimeters rather than a few microns to several tens of microns, The necessity of carrying the processed substrate G to the next process is greatly increased.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 것으로, 약액 도포 장치에서 피처리 기판에 도포된 약액이 흘러내리지 않고 도포된 원 상태로 그 다음 공정이 행해지는 제2장치로 운반할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of transferring a chemical solution applied to a substrate to be processed from a chemical liquid application apparatus to a second apparatus, And to provide the above-mentioned objects.

즉, 본 발명은 약액 도포 장치에서 약액이 도포된 피처리 기판에 가해지는 진동을 최소화하여, 도포된 약액이 원 상태를 유지하면서 그 다음 공정이 행해지는 장치로 운반하는 것을 목적으로 한다. That is, an object of the present invention is to minimize vibration applied to a substrate to which a chemical solution is applied in a chemical solution applying device, and to convey the applied chemical solution to an apparatus in which the next process is performed while maintaining the original state.

다시 말하면, 본 발명은 약액 도포 장치에서 피처리 기판의 표면에 2~3mm의 두께로 약액이 도포된 경우에도 운반 중에 발생되는 진동에 의해 약액이 흘러 내려 주변을 오염시키는 것을 방지하는 것을 목적으로 한다.In other words, the object of the present invention is to prevent the chemical solution from flowing down due to the vibration generated during transportation even when the chemical solution is applied to the surface of the substrate to be treated in the chemical solution applying device with a thickness of 2 to 3 mm .

한편, 본 발명은 약액 도포 장치에서 그 다음 공정이 행해지는 제2장치로 피처리 기판을 운반함에 있어서, 인라인 방식으로 연속하여 운반할 수 있도록 함으로써, 공정의 효율을 개선하는 것을 목적으로 한다. On the other hand, the object of the present invention is to improve the efficiency of the process by making it possible to carry the substrate to be processed successively in an inline manner in the second apparatus in which the subsequent process is carried out in the chemical liquid application apparatus.

이를 위하여, 본 발명은 약액이 도포된 피처리 기판을 운반하는 데 있어서 피처리 기판의 상하 이동을 최소한으로 제한하고 피처리 기판의 저면 전체에 균일한 힘으로 지지받은 상태를 유지하면서 그 다음 공정이 행해지는 제2장치로 이송하는 것을 목적으로 한다.
In order to achieve the above object, the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, which is capable of minimizing up-and-down movement of a substrate to be processed in transporting a substrate to which a chemical liquid is applied, To the second device to be performed.

본 발명은 상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 피처리 기판이 거치되는 기판 스테이지와; 상기 기판 스테이지에 거치된 상기 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 슬릿 노즐과; 약액 도포 공정이 행해진 이후에 상기 피처리 기판을 그 다음 공정이 행해지는 제2장치까지 이송하는 이송 경로에 설치되어 에어를 상방으로 분사하여 상기 피처리 기판을 부상시키는 부상 유닛과; 상기 기판 스테이지로부터 상기 제2장치까지 상기 피처리 기판을 파지하여 부상된 상태로 이동시키는 캐리지를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate processing apparatus comprising: a substrate stage on which a substrate to be processed is mounted; A slit nozzle for applying a chemical liquid to a surface of the substrate to be processed which is placed on the substrate stage; A floating unit installed on a transfer path for transferring the substrate to be processed next to a second apparatus after the chemical liquid applying process is performed, and for blowing air upward to float the substrate to be processed; A carriage holding the target substrate from the substrate stage to the second apparatus and moving the target substrate in a floating state; And a substrate processing apparatus.

이는, 기판 스테이지에서 약액이 도포된 피처리 기판을 그다음 공정이 행해지는 제2장치로 운반함에 있어서, 피처리 기판의 저면을 균일하게 분사되는 에어로 부상한 상태로 운반함에 따라, 피처리 기판의 운반하는 도중이나 피처리 기판을 운반의 시작 및 정지시에 발생되는 진동을 최소화할 수 있다. This is because, in transporting the substrate to which the chemical liquid has been applied on the substrate stage to the second apparatus for subsequent processing, the bottom surface of the substrate to be processed is transported uniformly in the state of being floated with the sprayed air, The vibration generated at the time of starting and stopping the transportation of the substrate to be processed and the transportation of the substrate to be processed can be minimized.

이 때, 본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 상기 기판 스테이지는 상기 피처리 기판을 위치 고정시키는 흡입공과 상기 피처리 기판을 부상시키는 배기공이 함께 형성될 수 있다. 이를 통해, 기판 스테이지에서 약액이 도포된 피처리 기판을 살짝 부상한 상태에서 캐리지가 피처리 기판을 파지할 수 있게 된다.At this time, according to one embodiment of the present invention, the substrate stage may be formed with a suction hole for fixing the position of the substrate to be processed and an exhaust hole for floating the substrate to be processed. This allows the carriage to grasp the substrate to be processed while the substrate to be treated with the chemical liquid is slightly lifted from the substrate stage.

한편, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 상기 피처리 기판은 상기 기판 스테이지에 지지판 상에 거치되고, 상기 지지판이 상기 캐리지에 의해 파지된 상태로 상기 제2장치까지 이송될 수도 있다. 이 경우에도 지지판의 저면에는 부상 유닛에 의해 균일한 부상력이 작용하여, 피처리 기판에 가해지는 진동을 최소화하여 그 다음 공정이 행해지는 제2장치까지 이송하는 것이 가능하다.
On the other hand, according to another embodiment of the present invention, the substrate to be processed is mounted on the support plate on the substrate stage, and may be transferred to the second device while the support plate is held by the carriage. Even in this case, it is possible to carry a uniform lifting force to the bottom surface of the support plate by the lifting unit, thereby minimizing the vibration applied to the substrate to be transferred to the second apparatus where subsequent processing is performed.

한편, 발명의 다른 분야에 따르면, 본 발명은, 기판 스테이지에 피처리 기판을 거치시키는 단계와; 상기 기판 스테이지에 거치된 상태의 상기 피처리 기판에 약액을 도포하는 단계와; 상기 기판 스테이지로부터 분사되는 에어로 상기 피처리 기판을 부상시키고, 부상된 피처리 기판을 캐리지로 파지하는 단계와; 상기 피처리 기판에 대하여 그 다음 공정이 행해질 제2장치로 상기 캐리지를 이동하되, 상기 피처리 기판의 저면에 에어가 상방으로 분사되어 상기 피처리 기판이 부상된 상태로 상기 제2장치까지 이송시키는 단계를 포함하는 기판 처리 방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: mounting a substrate to be processed on a substrate stage; Applying a chemical liquid to the substrate to be processed which is placed on the substrate stage; A step of floating the substrate to be processed by the air ejected from the substrate stage and holding the floating target substrate by a carriage; The carriage is moved to the second apparatus in which the next process is to be performed on the substrate to be processed, the air is blown upward on the bottom surface of the substrate to be processed, and the substrate is transferred to the second apparatus in a floating state The substrate processing method comprising the steps of:

그리고, 본 발명은, 그립부가 형성된 지지판 상에 피처리 기판을 거치시킨 후, 상기 지지판과 상기 피처리 기판을 기판 스테이지에 거치시키는 단계와; 상기 피처리 기판에 약액을 도포하는 단계와; 상기 지지판의 그립부를 캐리지로 파지하는 단계와; 상기 피처리 기판에 대하여 그 다음 공정이 행해질 제2장치로 상기 캐리지를 이동하되, 상기 기판 스테이지와 상기 제2장치를 연결하는 영역에 설치된 부상 유닛으로부터 상방을 향하는 에어가 분사되어 상기 피처리 기판이 부상된 상태로 상기 제2장치까지 이송시키는 단계를; 포함하는 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: mounting a substrate to be processed on a support plate on which a grip portion is formed; Applying a chemical liquid to the substrate to be processed; Gripping the grip portion of the support plate with a carriage; The air is directed upward from a floating unit provided in an area connecting the substrate stage and the second device to the second device in which the next process is to be performed on the substrate to be processed, Transporting the second device in a floating state to the second device; And a substrate processing method.

상기와 같이 피처리 기판을 제2장치까지 운반함으로써, 피처리 기판의 표면에 약액이 2mm이상의 두께로 도포되어 작은 진동에 의해 도포된 약액의 유동이 야기될 수 있는 경우에도, 약액의 도포 상태를 그대로 유지하면서 약액 도포 장치로부터 제2장치까지 도포 상태를 그대로 유지하면서 도포할 수 있다는 것이 확인되었다.
Even when the chemical liquid is applied to the surface of the substrate to be processed to a thickness of 2 mm or more so that the chemical liquid applied by the small vibration can be caused by carrying the substrate to be processed to the second apparatus as described above, It is confirmed that the coating liquid can be applied from the chemical liquid application device to the second device while maintaining the application state.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 기판 스테이지에서 약액이 도포된 피처리 기판을 그다음 공정이 행해지는 제2장치로 운반함에 있어서, 피처리 기판의 저면을 균일하게 분사되는 에어에 의한 부상력으로 균일하게 지지된 상태로 운반함에 따라, 피처리 기판의 운반하는 도중이나 피처리 기판을 운반의 시작 및 정지시에 발생되는 진동을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, in transferring a substrate to be processed to which a chemical liquid is applied on a substrate stage to a second apparatus for subsequent processing, the bottom surface of the substrate is uniformly sprayed It is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the vibration generated during transportation of the substrate to be processed or at the start and stop of transporting the substrate to be processed.

또한, 본 발명은 약액이 도포된 피처리 기판을 균일한 부상력으로 지지함으로써, 피처리 기판의 휨 변위를 최소화하여 약액의 도포 상태를 그대로 유지하면서 제2장치로 운반할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다. The present invention also provides an advantageous effect that the deflection displacement of the substrate to be processed can be minimized by supporting the substrate to which the chemical liquid has been applied by a uniform floating force so that the substrate can be transported to the second device while maintaining the coating state of the chemical liquid .

이와 같이 피처리 기판에 도포된 약액의 도포 상태를 그대로 유지하면서 제2장치에 피처리 기판을 운반하는 것은 피처리 기판의 표면에 3mm의 두께로 약액이 도포된 경우에도 실험적으로 확인되었다.The transfer of the target substrate to the second apparatus while maintaining the applied state of the chemical liquid applied to the target substrate was experimentally confirmed even when the chemical liquid was applied to the surface of the target substrate with a thickness of 3 mm.

또한, 본 발명은 약액 도포 장치에서 그 다음 공정이 행해지는 제2장치로 인라인 방식으로 이송함에 따라, 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 공정과 그 다음 제2장치에서 행해지는 진공 건조 공정 또는 기판 합착 공정을 일련의 연속 공정으로 행할 수 있게 되어 공정 효율이 향상되는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
In addition, the present invention can be applied to a process for applying a chemical liquid on the surface of a substrate to be processed and a vacuum drying process performed in the second device, The substrate laminating process can be performed in a series of continuous processes, and an advantageous effect of improving the process efficiency can be obtained.

도1은 일반적인 기판 처리 공정을 도시한 도면
도2는 도1의 종래 기판 운반 장치의 지지부에 의해 피처리 기판이 파지된 구성을 도시한 평면도
도3은 도2의 지지부에 의해 파지된 피처리 기판의 처짐을 도시한 측면도
도4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도
도4b는 도4a의 정면도
도5는 도4b의 절단선 A-A에 따른 횡단면도
도6a 내지 도6c는 도4a의 기판 처리 장치를 이용하여 피처리 기판을 처리하는 공정에 따른 구성을 순차적으로 도시한 도면
도7a은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도
도7b은 도7a의 정면도
도8은 도7b의 절단선 B-B에 따른 횡단면도
도9a 내지 도9c는 도7a의 기판 처리 장치를 이용하여 피처리 기판을 처리하는 공정에 따른 구성을 순차적으로 도시한 도면이다.1 is a view showing a general substrate processing process
FIG. 2 is a plan view showing a configuration in which a substrate to be processed is held by a support portion of the conventional substrate transport apparatus of FIG.
Fig. 3 is a side view showing deflection of the target substrate held by the support portion of Fig. 2
4A is a plan view schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4B is a front view of Fig.
FIG. 5 is a cross-sectional view along the cutting line AA in FIG.
6A to 6C are views sequentially showing the configuration according to the process of processing the substrate to be processed using the substrate processing apparatus of FIG. 4A
7A is a plan view schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
7B is a front view of Fig.
8 is a cross-sectional view along the cutting line BB in Fig.
Figs. 9A to 9C are views sequentially showing the configuration of a process for processing a substrate using the substrate processing apparatus of Fig. 7A. Fig.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 상술한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid obscuring the subject matter of the present invention.

도4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도, 도4b는 도4a의 정면도, 도5는 도4b의 절단선 A-A에 따른 횡단면도, 도6a 내지 도6c는 도4의 기판 처리 장치를 이용하여 피처리 기판을 처리하는 공정에 따른 구성을 순차적으로 도시한 도면이다.
Fig. 4A is a plan view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Fig. 4B is a front view of Fig. 4A, Fig. 5 is a transverse sectional view along a cutting line AA in Fig. 4 is a view sequentially showing a configuration according to a process of processing a substrate to be processed by using the substrate processing apparatus of FIG.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 피처리 기판(G)을 거치시키는 기판 스테이지(110)와, 기판 스테이지(110)에 거치된 피처리 기판(G)의 표면에 약액(55)을 도포하는 노즐 유닛(120)과, 약액(55)이 도포된 피처리 기판(G)을 파지하여 피처리 기판(G)에 대하여 그 다음 공정이 행해지는 제2장치(30)로 이송하는 캐리지(130, 130')와, 기판 스테이지(110)와 제2장치(30)의 사이 공간에 운반되는 피처리 기판(G)의 저면에 에어를 분사하여 피처리 기판(G)을 균일한 부상력으로 부상시키는 부상 유닛(140)으로 구성된다.A substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a substrate stage 110 for mounting a substrate G to be processed and a substrate stage 110 A nozzle unit 120 for applying a chemical liquid 55 to the surface of the substrate G and a nozzle unit 120 for gripping the substrate G on which the chemical liquid 55 is applied, The carriage 130 and 130 'for transferring the processed substrate G to the first apparatus 30 and the second substrate 30 for transferring the air to the bottom surface of the substrate G to be transported in the space between the substrate stage 110 and the second apparatus 30, And a floating unit 140 for floating the substrate G with a uniform floating force.

상기 기판 스테이지(110)는 도면에 도시되지 않았지만 다수의 흡입공과 배기공이 형성되어, 피처리 기판(G)이 거치된 상태에서는 진공펌프(111)로 흡입압(111p)을 인가하여 피처리 기판(G)의 위치를 고정시키고, 피처리 기판(G)에 약액(55)의 도포가 완료되면 제1가압펌프(112)로 정압(112p)을 인가하여 피처리 기판(G)을 기판 스테이지(110)로부터 살짝 부상시킨다. Although not shown in the drawing, the substrate stage 110 has a plurality of suction holes and an exhaust hole. In the state where the substrate G is mounted, a suction pressure 111p is applied to the vacuum pump 111, And the static pressure 112p is applied by the first pressurizing pump 112 to the substrate stage 110 to be processed after the application of the chemical solution 55 to the substrate G is completed, ).

상기 노즐 유닛(120)은 기판 스테이지(110)에 대하여 종방향(120d)로 이동하면서, 슬릿 노즐(도 1의 도면부호 22)로부터 약액(55)을 토출하여 피처리 기판(G)의 표면에 일정 두께의 약액(55)을 도포한다. 도4 내지 도6c에는 노즐 유닛(120)의 상세 구성이 도시되지 않았지만, 공지된 슬릿 코터 장치의 약액 도포 유닛과 동일하거나 유사한 구성이 채용될 수 있다.The nozzle unit 120 moves in the longitudinal direction 120d with respect to the substrate stage 110 and discharges the chemical liquid 55 from the slit nozzle 22 A chemical liquid 55 having a predetermined thickness is applied. Although the detailed configuration of the nozzle unit 120 is not shown in Figs. 4 to 6C, the same or similar configuration as the chemical liquid application unit of the known slit coater apparatus can be employed.

상기 캐리지(130, 130')는 피처리 기판(G)의 가장자리를 파지하는 파지부(130a)가 구비되어, 피처리 기판(G)을 파지한다. 파지부(130a)는 집게 형태로 집는 형태로 형성될 수도 있고, 상면에 흡입압(131p)이 인가되는 흡입구가 흡입 펌프(131)와 연통되도록 설치되어 피처리 기판(G)의 가장 자리의 저면을 여러 위치에서 흡착하여 고정시킬 수도 있다. 이를 위하여 도5에 도시된 바와 같이, 각각의 캐리지(130, 130')에는 흡입압이 인가되는 흡입 펌프(131)와 연통 설치된다. The carriage 130 or 130 'is provided with a gripper 130a for holding the edge of the substrate G to grip the substrate G to be processed. The suction port 131p is connected to the suction pump 131 to communicate with the suction pump 131. The suction port 131p is provided on the bottom surface of the substrate G May be adsorbed and fixed at various positions. As shown in FIG. 5, each of the carriages 130 and 130 'is connected to a suction pump 131 to which a suction pressure is applied.

캐리지(130, 130')가 기판 스테이지(110)로부터 제2장치(30)의 고정 몸체(31)에 이르기까지 이동할 수 있도록, 기판 스테이지(110)로부터 제2장치(30)의 양측에는 가이드 레일(70)이 설치되어, 캐리지(130, 130')의 종방향(130d)으로의 이동을 안내한다. 도면에는 캐리지(130, 130')가 2쌍으로 이루어진 구성을 예로 들었지만, 3~4쌍으로 구성될 수도 있다. 그리고, 도면에는 노즐 유닛(120)도 가이드 레일(70)을 따라 이동하는 구성이 예시로서 도시되어 있지만, 노즐 유닛(120)은 별도의 안내 수단에 의해 이동될 수도 있다. On both sides of the second device 30 from the substrate stage 110 are provided guide rails 130 and 130 'so that the carriage 130 and 130' can move from the substrate stage 110 to the fixed body 31 of the second device 30. [ (70) is provided to guide the movement of the carriage (130, 130 ') in the longitudinal direction (130d). Although the figure shows a configuration in which two pairs of carriages 130 and 130 'are provided, it may be composed of three to four pairs. Although the drawing shows the structure in which the nozzle unit 120 moves along the guide rail 70 as an example, the nozzle unit 120 may be moved by a separate guide means.

캐리지(130, 130')와 노즐 유닛(120)은 가이드 레일(70)을 따라 리니어 모터의 원리로 이동될 수 있다. 즉, 가이드 레일(70)에는 N극과 S극이 교대로 배열되고, 가이드 레일(70)과 맞물리는 캐리지(130, 130') 및 노즐 유닛(120)에는 코일이 설치되어, 코일에 제어되는 전류를 인가하여 캐리지(130, 130')와 노즐 유닛(120)이 가이드 레일(70)을 따라 정교하게 위치 이동할 수 있게 된다. The carriage 130, 130 'and the nozzle unit 120 can be moved along the guide rail 70 to the principle of a linear motor. That is, the N-poles and the S-poles are alternately arranged in the guide rail 70, and the coils are installed in the carriage 130, 130 'and the nozzle unit 120 which are engaged with the guide rail 70, The carriage 130, 130 'and the nozzle unit 120 can be precisely moved along the guide rail 70 by applying a current.

상기 부상 유닛(140)은 기판 스테이지(110)로부터 제2장치(30) 내의 고정몸체(31)에 이르기까지 형성되며, 피처리 기판(G)의 저면에 균일한 부상력(140v)을 인가하기 위하여, 상면에 걸쳐 일정한 간격으로 배기공(140a)이 형성된다. 배기공(140a)은 제2가압 펌프(141)와 연통되어, 피처리 기판(G)이 운반될 때에 에어가 제어된 압력으로 분사되어, 피처리 기판(G)의 저면이 균일하게 지지됨으로써, 피처리 기판(G)의 휨 변위가 발생되는 것을 억제하고 피처리 기판(G)이 평탄한 상태를 유지시킨다.
The floating unit 140 is formed from the substrate stage 110 to the fixed body 31 in the second device 30 and applies a uniform floating force 140v to the bottom surface of the target substrate G An exhaust hole 140a is formed at regular intervals over the upper surface. The exhaust hole 140a communicates with the second pressurizing pump 141 so that air is injected at a controlled pressure when the substrate to be processed G is transported and the bottom surface of the substrate G is uniformly supported, The occurrence of flexural displacement of the target substrate G is suppressed and the target substrate G is maintained in a flat state.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 이용한 기판 처리 방법을 도6a 내지 도6c를 참조하여 상술한다.Hereinafter, a substrate processing method using the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6A to 6C.

단계 1: 먼저, 도6a에 도시된 바와 같이, 다수의 캐리지(130, 130')가 기판 스테이지(110)의 일측 바깥에 위치하도록 캐리지(130, 130')를 도면부호 130x로 표시된 방향으로 가이드 레일(70)을 따라 이동시킨다. Step 1: First, as shown in FIG. 6A, the carriage 130, 130 'is guided in the direction indicated by reference numeral 130x so that a plurality of carriages 130, 130' are positioned outside one side of the substrate stage 110 And moves along the rail 70.

그 다음, 기판 스테이지(110)에 피처리 기판(G)을 거치하고, 진공 펌프(111)를 작동시켜, 기판 스테이지(110)의 흡입공에 흡입압(111p)이 인가하도록 하여, 피처리 기판(G)의 위치를 고정시킨다. Subsequently, the target substrate G is placed on the substrate stage 110, the vacuum pump 111 is operated, and the suction pressure 111p is applied to the suction holes of the substrate stage 110, (G) is fixed.

그리고, 노즐 유닛(120)이 도면부호 120x로 이동하면서, 슬릿 노즐로부터 약액(55)을 피처리 기판(G)의 표면에 균일한 두께로 도포한다.
Then, while the nozzle unit 120 moves to 120 x, the chemical liquid 55 is applied to the surface of the target substrate G from the slit nozzle with a uniform thickness.

단계 2: 그리고 나서, 도6b에 도시된 바와 같이, 노즐 유닛(120)은 도면부호 120x'로 표시된 방향으로 이동하여 기판 스테이지(110)의 타측 바깥으로 이동된다. 이와 동시에, 기판 스테이지(110)는 제1가압 펌프(112)로 배기공에 에어를 분사하여 피처리 기판(G)에 부상력(110v)을 인가하여 피처리 기판(G)을 기판 스테이지(110)로부터 부상시킨다.Step 2: Then, as shown in FIG. 6B, the nozzle unit 120 is moved in the direction indicated by 120x 'and moved to the outside of the other side of the substrate stage 110. At the same time, the substrate stage 110 injects air into the exhaust hole with the first pressurizing pump 112 to apply a levitation force 110v to the target substrate G, thereby moving the target substrate G to the substrate stage 110 .

그 다음, 다수의 캐리지(130, 130')는 도면부호 130x'로 표시된 방향으로 이동하여 기판 스테이지(110)의 양측에 서로 간격을 두고 위치한 후, 도5에 도시된 바와 같이 흡입 펌프(131)를 작동시켜 캐리지(130, 130')의 흡입구에 흡입압(131p)을 인가하여, 캐리지(130, 130')의 파지부(130a)에서 피처리 기판(G)을 파지한다.
Next, a plurality of carriages 130, 130 'move in the direction indicated by reference numeral 130x' and are spaced apart from each other on both sides of the substrate stage 110, and then the suction pump 131, as shown in FIG. 5, The suction pressure 131p is applied to the suction port of the carriage 130 or 130 'to grip the substrate G from the grip 130a of the carriage 130 or 130'.

단계 3: 그리고 나서, 부상 유닛(140)의 다수의 배기공에는 제2가압 펌프(141)에 의해 에어가 분사되어 부상력(140v)이 작용하도록 한 상태에서, 캐리지(130, 130')는 가이드 레일(70)을 따라 피처리 기판(G)을 그 다음 공정이 행해지는 제2장치(30)로 이송시킨다. 부상 유닛(140)으로부터 배출되는 에어에 의해 피처리 기판(G)은 균일한 부상력(140v)으로 지지되므로, 피처리 기판(G)은 국부적인 휨 변형 없이 평탄한 상태를 유지하면서, 기판 스테이지(110)로부터 제2장치(30)까지 운반된다. Step 3: The carriage 130, 130 'is then moved in the state that the air is sprayed by the second pressurizing pump 141 to act on the flotation force 140v on the plurality of exhaust holes of the floating unit 140 And transfers the substrate G along the guide rail 70 to the second apparatus 30 where the next process is performed. The target substrate G is supported by the uniform lifting force 140v by the air discharged from the floating unit 140 so that the target substrate G is held on the substrate stage 110) to the second device (30).

이 때, 기판 스테이지(110)에 작용하는 부상력(110v)은 피처리 기판(G)이 기판 스테이지(110)로부터 벗어날 때까지 지속적으로 인가된다. 더욱 바람직하게는, 그 다음 공정이 행해지는 제2장치(20)의 고정 몸체(31)의 상면에도 에어가 분사되는 배기공이 형성되어, 기판 스테이지(110)가 고정 몸체(31)의 상측에 위치한 상태에서도 기판 스테이지가 균일한 부상력으로 지지될 수 있다. At this time, the lifting force 110v acting on the substrate stage 110 is continuously applied until the substrate G is released from the substrate stage 110. More preferably, an exhaust hole through which air is injected is formed on the upper surface of the fixed body 31 of the second device 20 in which the next process is performed, so that the substrate stage 110 is positioned on the upper side of the fixed body 31 The substrate stage can be supported with a uniform lifting force.

그 다음, 피처리 기판(G)이 고정 몸체(31)의 상측에 위치하면, 캐리지(130, 130')에 인가되었던 흡입압(131p)은 제거되고, 캐리지(130, 130')는 부상 유닛(140)의 양측으로 이동된다. 그리고, 피처리 기판(G)은 고정 몸체(31)의 거치면(31s)의 배기공(미도시)으로부터 분사되고 있던 에어의 부상력이 낮아지면서 서서히 고정 몸체(31)의 거치면에 안착된다.
Subsequently, when the target substrate G is positioned on the fixed body 31, the suction pressure 131p applied to the carriages 130 and 130 'is removed, and the carriages 130 and 130' (140). The to-be-processed substrate G is seated on the stationary surface of the stationary body 31 gradually while the floating force of the air injected from the exhaust hole (not shown) of the stationary body 31 is lowered.

상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 피처리 기판(G)이 기판 스테이지(110)에서 약액이 도포된 이후에, 에어에 의한 부상력으로 피처리 기판(G)의 저면 전체에 균일하게 지지된 상태로 제2장치(30)로 이송되므로, 종래에 로봇 아암으로 피처리 기판(G)을 파지할 때와 피처리 기판(G)을 놓을 때에 발생되는 진동을 제거할 수 있고, 기판 스테이지(110)로부터 제2장치(30)로 이송되는 동안 내내 일정한 에어 부상력에 의해 지지되어 평탄한 상태로 유지되므로, 기판 스테이지(110)에서 도포된 약액이 균일하게 분포된 상태를 유지할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
The substrate processing method according to an embodiment of the present invention configured as described above is such that after the substrate G is coated with the chemical liquid on the substrate stage 110, The vibration generated when the substrate W is held by the robot arm and when the target substrate G is placed can be removed by the conventional robot arm And is maintained in a flat state while being supported by a constant air lifting force throughout the time from the substrate stage 110 to the second device 30, so that the chemical solution applied on the substrate stage 110 is maintained in a uniformly distributed state It is possible to obtain an advantageous effect.

이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)를 상술한다. 다만, 본 발명의 다른 실시예를 설명함에 있어서, 전술한 일 실시예의 기판 처리 장치(100)와 공통된 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 실시예의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus 200 according to another embodiment of the present invention will be described in detail. However, in explaining another embodiment of the present invention, a detailed description of functions or configurations common to the substrate processing apparatus 100 of the above-described embodiment will be omitted for the sake of clarity of the present embodiment.

도7a은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도, 도7b은 도7a의 정면도, 도8은 도7b의 절단선 B-B에 따른 횡단면도, 도9a 내지 도9c는 도7a의 기판 처리 장치를 이용하여 피처리 기판을 처리하는 공정에 따른 구성을 순차적으로 도시한 도면이다.
Fig. 7A is a plan view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, Fig. 7B is a front view of Fig. 7A, Fig. 8 is a transverse sectional view along a cutting line BB in Fig. Is a diagram sequentially showing a configuration according to a process of processing a substrate to be processed by using the substrate processing apparatus of Fig. 7A.

본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)는 기판 스테이지(110)상에서 피처리 기판(G)을 부상시키지 않고, 기판 스테이지(110)와 제2장치(30)의 사이에서만 에어 부상된 상태로 운반된다는 점에서 전술한 실시예와 차이가 있다. 즉, 도7a 및 도7b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)는 피처리 기판(G)을 거치시키는 기판 스테이지(110)와, 기판 스테이지(110)에 거치된 피처리 기판(G)의 표면에 약액(55)을 도포하는 노즐 유닛(120)과, 약액(55)이 도포된 피처리 기판(G)을 파지하여 피처리 기판(G)에 대하여 그 다음 공정이 행해지는 제2장치(30)로 이송하는 캐리지(230, 230')와, 기판 스테이지(110)와 제2장치(30)의 사이 공간에 운반되는 피처리 기판(G)의 저면에 에어를 분사하여 피처리 기판(G)을 균일한 부상력으로 부상시키는 부상 유닛(140)과, 피처리 기판(G)의 저면에 위치하여 피처리 기판(G)과 함께 이송되는 지지판(250)으로 구성된다.The substrate processing apparatus 200 according to another embodiment of the present invention does not float the target substrate G on the substrate stage 110 but does not float the target substrate G between the substrate stage 110 and the second device 30 The present invention is different from the above-described embodiment in that it is transported in a state of being transported. 7A and 7B, the substrate processing apparatus 200 according to another embodiment of the present invention includes a substrate stage 110 for mounting a substrate G to be processed, A nozzle unit 120 for applying the chemical liquid 55 to the surface of the substrate G to be processed and a target substrate G to which the chemical liquid 55 is applied are gripped and the target substrate G A carriage 230 and 230 'for transferring the wafer W to a second apparatus 30 where the next process is performed and a carriage 230 and 230' for transferring the processed substrates G and B to the lower surface of the substrate G to be transferred to the space between the substrate stage 110 and the second apparatus 30 A float unit 140 for spraying air to float the target substrate G with a uniform levitation force and a support plate 250 which is disposed on the bottom surface of the target substrate G and is transported together with the target substrate G, .

상기 기판 스테이지(110)는 도면에 도시되지 않았지만 다수의 흡입공이 형성되어, 피처리 기판(G)이 거치된 상태에서는 진공펌프(111)로 흡입압(111p)을 인가하여 피처리 기판(G)의 위치를 고정시킨다. 기판 스테이지(110)의 흡입공은 지지판(250)의 연통홀과 정렬되어, 진공 펌프(111)에 의한 흡입압(111p)이 피처리 기판(G)에 인가되도록 구성된다.A plurality of suction holes are formed in the substrate stage 110 although not shown in the figure so that the suction pressure 111p is applied to the substrate G by the vacuum pump 111 in a state in which the substrate G is stationary, . The suction holes of the substrate stage 110 are aligned with the communication holes of the support plate 250 so that the suction pressure 111p by the vacuum pump 111 is applied to the substrate G to be processed.

상기 캐리지(230, 230')는 피처리 기판(G)의 가장자리를 파지하는 파지부(130a)가 구비되어, 피처리 기판(G)을 거치하는 지지판(250)의 양측을 파지한다. 보다 구체적으로는, 도8에 도시된 바와 같이 파지부(230a)에는 집게 형태로 집는 형태로 형성될 수도 있고, 전술한 일 실시예에서와 같이 지지판(250)의 양측을 흡입압으로 흡착하여 파지할 수도 있다. 도8에 도시된 바와 같이 집게 형태로 집는 경우에는, 이동 집게부(235)와 맞물리는 나사축(234)을 234d로 표시된 정,역방향으로 회전하는 것에 의해, 이동 집게부(235)를 캐리지(230)의 상측에 상하 방향(235v)으로 이동시켜, 지지판(250)의 양측부(255)를 파지할 수 있다.The carriage 230 and 230 'is provided with a gripping portion 130a for gripping the edge of the substrate G to grip both sides of the support plate 250 for holding the substrate G to be processed. More specifically, as shown in FIG. 8, the grip portion 230a may be formed in the form of a gripping pin. Alternatively, as in the above-described embodiment, both sides of the support plate 250 may be suction- You may. 8, by rotating the screw shaft 234 engaged with the movable gripper 235 in the forward and reverse directions indicated by 234d, the movable gripper 235 is moved to the carriage (not shown) 230 in the vertical direction 235v to grip both side portions 255 of the support plate 250. [

캐리지(230, 230')가 기판 스테이지(110)로부터 제2장치(30)의 고정 몸체(31)에 이르기까지 이동할 수 있도록, 기판 스테이지(110)로부터 제2장치(30)의 양측에는 가이드 레일(70)이 설치되어, 캐리지(230, 230')의 종방향(230d)으로의 이동을 안내한다. 도면에는 캐리지(230, 230')가 2쌍으로 이루어진 구성을 예로 들었지만, 3~4쌍으로 구성될 수도 있다.On both sides of the second device 30 from the substrate stage 110, guide rails (not shown) are provided on the opposite sides of the second device 30 so that the carriages 230 and 230 'can move from the substrate stage 110 to the fixed body 31 of the second device 30. [ (70) is provided to guide the movement of the carriage (230, 230 ') in the longitudinal direction (230d). Although two carriage units 230 and 230 'are shown in the figure, the carriage units 230 and 230' may be composed of three or four pairs.

상기 부상 유닛(140)은 기판 스테이지(110)로부터 제2장치(30) 내의 고정몸체(31)에 이르기까지 형성되며, 피처리 기판(G)의 저면에 균일한 부상력(140v)을 인가하기 위하여, 상면에 걸쳐 일정한 간격으로 배기공(140a)이 형성된다. 도면에 도시된 바와 같이 부상 유닛(140)의 상면은 기판 스테이지(110)의 상면보다 더 낮게 위치하여, 지지판(250)과 피처리 기판(G)이 수평이동하더라도 부상 유닛(140)의 상측에서는 에어 부상력(140v)으로 기판 전체 면적에 걸쳐 균일하게 지지할 수 있도록 한다. 즉, 배기공(140a)은 제2가압 펌프(141)와 연통되어, 피처리 기판(G)이 운반될 때에 에어가 제어된 압력으로 분사되어, 피처리 기판(G)의 저면이 균일하게 지지됨으로써, 피처리 기판(G)의 휨 변위가 발생되는 것을 억제하고 피처리 기판(G)이 평탄한 상태를 유지시킨다.The floating unit 140 is formed from the substrate stage 110 to the fixed body 31 in the second device 30 and applies a uniform floating force 140v to the bottom surface of the target substrate G An exhaust hole 140a is formed at regular intervals over the upper surface. The upper surface of the floating unit 140 is positioned lower than the upper surface of the substrate stage 110 so that even though the supporting plate 250 and the substrate to be processed G are moved horizontally, The air lifting force (140v) enables uniform support over the entire area of the substrate. That is, the exhaust hole 140a is communicated with the second pressurizing pump 141 so that the air is injected at a controlled pressure when the target substrate G is carried, and the bottom surface of the target substrate G is uniformly supported Thereby suppressing the flexural displacement of the target substrate G and maintaining the target substrate G in a flat state.

상기 지지판(250)은 상면에 피처리 기판(G)을 거치한 상태로 함께 이동하며, 기판 스테이지(110)에 형성된 흡입공과 정렬하는 연통홀이 형성되어, 이 연통홀을 통해 기판 스테이지(110)로부터 작용하는 흡입력이 피처리 기판(G)에 전달시킨다. 도8에 도시된 바와 같이 지지판(250)은 양측이 상측으로 절곡되어 캐리지(230, 230')의 파지부(230a)에 의해 용이하게 파지되도록 형성된다. 지지판(250)은 피처리 기판(G)의 수평 이송을 위해 사용되므로, The supporting plate 250 moves together with the substrate G mounted thereon on the upper surface thereof and has communication holes aligned with the suction holes formed in the substrate stage 110. The supporting plate 250 supports the substrate stage 110 through the communication holes, To the substrate G to be processed. As shown in FIG. 8, the support plate 250 is formed such that both sides of the support plate 250 are bent upward and are easily gripped by the grips 230a of the carriages 230 and 230 '. Since the support plate 250 is used for horizontal transfer of the substrate G,

도면에 도시되지 않았지만, 지지판(250)의 연통홀과 기판 스테이지(110)의 흡입공이 정렬되는 것을 보조하도록 마커가 형성된다. 이에 의해, 지지판(250)은 예정된 위치에 정확하게 기판 스테이지(110)상에 거치될 수 있다.Although not shown in the drawing, a marker is formed to assist in aligning the suction holes of the substrate stage 110 with the communication holes of the support plate 250. Thereby, the support plate 250 can be accurately mounted on the substrate stage 110 at a predetermined position.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)를 이용한 기판 처리 방법을 도9a 내지 도9c를 참조하여 상술한다.
Hereinafter, a substrate processing method using the substrate processing apparatus 200 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 9A to 9C.

단계 1: 먼저, 도9a에 도시된 바와 같이, 다수의 캐리지(230, 230')가 기판 스테이지(110)의 일측 바깥에 위치하도록 캐리지(230, 230')를 도면부호 230x로 표시된 방향으로 가이드 레일(70)을 따라 이동시킨다. Step 1: First, as shown in FIG. 9A, the carriage 230, 230 'is guided in the direction indicated by reference numeral 230x so that a plurality of carriages 230, 230' are located outside one side of the substrate stage 110 And moves along the rail 70.

그 다음, 기판 스테이지(110)에 지지판(250)을 거치시키고, 지지판(250)상에 피처리 기판(G)을 거치한다. 또는, 지지판(250)에 미리 피처리 기판(G)이 거치된 상태로 기판 스테이지(110)에 지지판(250)이 거치될 수도 있다. 지지판(250)과 기판 스테이지(110)에는 서로 위치 정렬용 마커가 형성되어, 지지판(250)의 연통홀과 기판 스테이지(110)의 흡입공이 정렬된 상태로 지지판(250)이 기판 스테이지(110)에 거치된다. Then, the support plate 250 is mounted on the substrate stage 110, and the substrate G is mounted on the support plate 250. Alternatively, the support plate 250 may be mounted on the substrate stage 110 in a state where the target substrate G is previously mounted on the support plate 250. A positioning marker is formed on the support plate 250 and the substrate stage 110 so that the support plate 250 is positioned on the substrate stage 110 in a state where the communication holes of the support plate 250 and the suction holes of the substrate stage 110 are aligned, .

그 다음, 진공 펌프(111)를 작동시켜, 기판 스테이지(110)의 흡입공에 흡입압(111p)이 인가하도록 하여, 지지판(250)과 그 위의 피처리 기판(G)이 위치 고정된다. 그리고, 노즐 유닛(120)이 도면부호 120x로 이동하면서, 슬릿 노즐로부터 약액(55)을 피처리 기판(G)의 표면에 균일한 두께로 도포한다.
Then the vacuum pump 111 is operated to apply the suction pressure 111p to the suction hole of the substrate stage 110 so that the support plate 250 and the substrate G on the substrate are fixed in position. Then, while the nozzle unit 120 moves to 120 x, the chemical liquid 55 is applied to the surface of the target substrate G from the slit nozzle with a uniform thickness.

단계 2: 그리고 나서, 도9b에 도시된 바와 같이, 노즐 유닛(120)은 도면부호 120x'로 표시된 방향으로 이동하여 기판 스테이지(110)의 타측 바깥으로 이동된다. 이와 동시에, 다수의 캐리지(230, 230')는 도면부호 230x'로 표시된 방향으로 이동하여 기판 스테이지(110)의 양측에 서로 간격을 두고 위치한 후, 도8에 도시된 바와 같이 나사축(234)을 회전(234d)시켜 이동 집게부(234)를 하방으로 이동시켜, 지지판(250)의 양측부(255)를 파지한다. 도면에 도시되지 않았지만, 도5에 도시된 바와 같이 흡입압으로 지지판(250)의 양측부(255)를 파지할 수도 있다.Step 2: Then, as shown in FIG. 9B, the nozzle unit 120 moves in the direction indicated by 120x 'and moves to the outside of the other side of the substrate stage 110. At the same time, the plurality of carriages 230 and 230 'move in the direction indicated by reference numeral 230x' and are spaced apart from each other on both sides of the substrate stage 110, and then, the screw shaft 234, The movable clamping unit 234 is moved downward to grip both sides 255 of the support plate 250. [ Although not shown in the drawings, the side portions 255 of the support plate 250 may be gripped by the suction pressure as shown in FIG.

단계 3: 그리고 나서, 부상 유닛(140)의 다수의 배기공에는 제2가압 펌프(141)에 의해 에어가 분사되어 부상력(140v)이 작용하도록 한 상태에서, 캐리지(230, 230')는 가이드 레일(70)을 따라 피처리 기판(G)을 그 다음 공정이 행해지는 제2장치(30)로 이송시킨다. Step 3: Then, the carriages 230 and 230 ', in a state in which air is sprayed by the second pressurizing pump 141 and the floating force 140v is applied to the plurality of exhaust holes of the floating unit 140, And transfers the substrate G along the guide rail 70 to the second apparatus 30 where the next process is performed.

기판 스테이지(110)의 상측에서는 지지판(250)이 기판 스테이지(110)에 대하여 슬라이딩 이동하지만, 지지판(250)의 일부가 부상 유닛(140)의 상측에 위치하게 되면, 부상 유닛(140)으로부터 배출되는 에어에 의해 지지판(250)과 피처리 기판(G)은 균일한 부상력(140v)으로 지지된다. 그리고, 피처리 기판(G)이 제2장치(30)의 고정 몸체(31)의 상면에 도달하면, 고정 몸체(31)의 거치면(31s)에 의해 지지판(250)이 지지되어 안착된다. 이를 위하여, 고정 몸체(31)의 거치면(31s)의 높이는 기판 스테이지(110)의 상면의 높이와 피처리 기판(G)의 휨 변위를 허용할 수 있을 정도의 미세한 높이 편차를 갖도록 거의 동일한 높이로 설치되는 것이 바람직하다.When the support plate 250 slides relative to the substrate stage 110 at the upper side of the substrate stage 110 but a part of the support plate 250 is positioned above the floating unit 140, The support plate 250 and the target substrate G are supported by a uniform lifting force 140v. When the substrate G reaches the upper surface of the fixed body 31 of the second device 30, the supporting plate 250 is supported by the stationary surface 31s of the fixed body 31 and is seated. The height of the mounting surface 31s of the fixed body 31 is set to be substantially the same height so as to have a small height deviation enough to allow the height of the upper surface of the substrate stage 110 and the deflection displacement of the substrate G to be processed .

따라서, 피처리 기판(G)은 국부적인 휨 변형 없이 평탄한 상태를 유지하면서, 기판 스테이지(110)로부터 제2장치(30)까지 수평 운반된다.
Therefore, the substrate G to be processed is conveyed horizontally from the substrate stage 110 to the second device 30 while maintaining a flat state without local warping.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구 범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
100: 기판 처리 장치 110: 기판 스테이지
120: 노즐 유닛 130, 130', 230: 캐리지
140: 부상 유닛 250: 지지판DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS
100: substrate processing apparatus 110: substrate stage
120: nozzle unit 130, 130 ', 230: carriage
140: floating unit 250: supporting plate

Claims (9)

피처리 기판이 거치되며, 상기 피처리 기판의 저면에 흡입압을 인가하는 흡입공이 형성된 기판 스테이지와;
상기 기판 스테이지에서 상기 흡입공과 연통되는 연통홀이 형성되며, 상기 피처리 기판의 저면을 지지한 상태로 상기 피처리 기판과 함께 이송되는 지지판과;
상기 기판 스테이지에 거치된 상기 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 슬릿 노즐과;
약액 도포 공정이 행해진 이후에 상기 피처리 기판을 그 다음 공정이 행해지는 제2장치까지 이송하는 이송 경로에 설치되어 에어를 상방으로 분사하여 상기 지지판을 부상시키는 부상 유닛과;
상기 기판 스테이지로부터 상기 제2장치까지 상기 지지판을 파지하여 부상된 상태로 이동시키는 캐리지를;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A substrate stage on which a substrate to be processed is mounted and on which a suction hole for applying suction pressure is formed on a bottom surface of the substrate to be processed;
A support plate formed in the substrate stage with a communication hole communicating with the suction hole and being transported together with the substrate to be processed while supporting a bottom surface of the substrate to be processed;
A slit nozzle for applying a chemical liquid to a surface of the substrate to be processed which is placed on the substrate stage;
A floating unit installed in a transfer path for transferring the substrate to be processed to a second apparatus for performing a next process after the chemical liquid application process is performed, and for spraying air upward to float the support plate;
A carriage holding the support plate from the substrate stage to the second device and moving the support plate in a floating state;
Wherein the substrate processing apparatus comprises:
제 1항에 있어서,
상기 기판 스테이지에는 상기 약액 도포 공정이 행해진 이후에 상기 지지판을 부상시키는 배기공이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate stage is provided with an exhaust hole for floating the support plate after the chemical liquid applying process is performed.
제 2항에 있어서,
상기 피처리 기판이 거치되는 상기 제2장치의 거치면에는 에어를 분사하는 배기공이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein an exhaust hole for ejecting air is formed on a mounting surface of the second apparatus on which the substrate to be processed is mounted.
제 1항에 있어서,
상기 지지판은 상기 캐리지에 의해 상기 지지판의 양측이 파지된 상태로 상기 제2장치까지 이송되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the support plate is conveyed to the second apparatus while both sides of the support plate are held by the carriage.
제 4항에 있어서,
상기 부상 유닛의 상면은 상기 기판 스테이지의 상면보다 낮은 높이로 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the upper surface of the floating unit is disposed at a lower height than the upper surface of the substrate stage.
제 4항에 있어서,
상기 제2장치에서 상기 피처리 기판이 거치되는 거치면은 상기 기판 스테이지와 동일한 높이로 설치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the mounting surface on which the substrate to be processed is mounted in the second apparatus is provided at the same height as the substrate stage.
제 1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부상 유닛은 상기 피처리 기판의 저면을 균일한 부상력으로 지지하도록 균일한 간격으로 배기공이 배열된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the floating units are arranged at uniform intervals so as to support the bottom surface of the target substrate with a uniform floating force.
그립부가 형성된 지지판의 상면에 피처리 기판을 거치한 상태에서, 상기 지지판의 저면을 기판 스테이지에 거치시키는 단계와;
상기 기판 스테이지에서 상기 기판 스테이지에 형성된 흡입공과 연통되게 상기 지지판에 형성된 연통홀을 통해 상기 피처리 기판의 저면에 흡입압을 인가하는 상태에서, 상기 피처리 기판에 약액을 도포하는 단계와;
상기 지지판의 상기 그립부를 캐리지로 파지하는 단계와;
상기 피처리 기판에 대하여 그 다음 공정이 행해질 제2장치로 상기 캐리지를 이동하되, 상기 기판 스테이지와 상기 제2장치를 연결하는 영역에 설치된 부상 유닛으로부터 상방을 향하는 에어가 분사되어 상기 상기 피처리 기판이 거치된 지지판이 부상된 상태로 상기 제2장치까지 이송시키는 단계를;
포함하는 기판 처리 방법.
Placing a substrate on a bottom surface of the support plate in a state in which a substrate to be processed is mounted on an upper surface of a support plate on which a grip portion is formed;
Applying a chemical solution to the substrate to be processed in a state where a suction pressure is applied to a bottom surface of the substrate to be processed through a communication hole formed in the support plate so as to communicate with a suction hole formed in the substrate stage in the substrate stage;
Gripping the grip portion of the support plate with a carriage;
An air directed upward is blown from a floating unit provided in an area connecting the substrate stage and the second device to move the carriage to the second device where the next process is to be performed on the substrate to be processed, And conveying the immobilized support plate to the second device in a floating state;
≪ / RTI >
삭제delete
KR1020120005525A 2012-01-18 2012-01-18 Substrate treating apparatus KR101818070B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120005525A KR101818070B1 (en) 2012-01-18 2012-01-18 Substrate treating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120005525A KR101818070B1 (en) 2012-01-18 2012-01-18 Substrate treating apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130084742A KR20130084742A (en) 2013-07-26
KR101818070B1 true KR101818070B1 (en) 2018-01-12

Family

ID=48995209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120005525A KR101818070B1 (en) 2012-01-18 2012-01-18 Substrate treating apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101818070B1 (en)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002181714A (en) 2000-12-19 2002-06-26 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Thin plate inspection device
JP2005032626A (en) 2003-07-08 2005-02-03 Calsonic Kansei Corp Pure water tank for fuel cell power generation system
JP2005223119A (en) 2004-02-05 2005-08-18 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for forming coating film
JP2005228881A (en) 2004-02-12 2005-08-25 Tokyo Electron Ltd Levitation substrate transfer processing method and its apparatus
JP2005244155A (en) 2004-01-30 2005-09-08 Tokyo Electron Ltd Uplift substrate conveyance processor
JP2006237482A (en) 2005-02-28 2006-09-07 Tokyo Electron Ltd Substrate processing device, substrate processing method, and substrate processing program
JP2006332378A (en) 2005-05-26 2006-12-07 Sharp Corp Method and apparatus for positioning article, and for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002181714A (en) 2000-12-19 2002-06-26 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Thin plate inspection device
JP2005032626A (en) 2003-07-08 2005-02-03 Calsonic Kansei Corp Pure water tank for fuel cell power generation system
JP2005244155A (en) 2004-01-30 2005-09-08 Tokyo Electron Ltd Uplift substrate conveyance processor
JP2005223119A (en) 2004-02-05 2005-08-18 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for forming coating film
JP2005228881A (en) 2004-02-12 2005-08-25 Tokyo Electron Ltd Levitation substrate transfer processing method and its apparatus
JP2006237482A (en) 2005-02-28 2006-09-07 Tokyo Electron Ltd Substrate processing device, substrate processing method, and substrate processing program
JP2006332378A (en) 2005-05-26 2006-12-07 Sharp Corp Method and apparatus for positioning article, and for manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130084742A (en) 2013-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4876640B2 (en) Work conveying apparatus and work conveying method
KR20090101219A (en) Method and device for separation of silicon wafers
KR20120094122A (en) Film forming device and film forming method
KR20130033287A (en) Coating apparatus
CN108699692B (en) Film forming apparatus
KR20130090827A (en) Substrate transport method and substrate transport apparatus
JP5399153B2 (en) Vacuum processing apparatus, vacuum processing system and processing method
KR100603408B1 (en) Vertical mask tray and deposit apparatus with the same
KR101818070B1 (en) Substrate treating apparatus
KR101929408B1 (en) An in-line type manufacturing system for organic light emitting device, manufacturing method, organic layer device and donor substrate
JP6595276B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100766115B1 (en) Coating apparatus for substrate of flat panel display
KR20160038245A (en) Floating coater apparatus with high accuracy of substrate alignment
KR102501606B1 (en) Substrate detaching apparatus, substrate processing apparatus, and substrate detaching method
KR101205832B1 (en) Substrate transferring unit and method of transfering substrate using the same
KR20140071039A (en) Substrate treating apparatus
KR101420228B1 (en) Improved Surface Acoustic Wave Atomizer for Electrostatic Deposition, and Spray-Type Pattern Forming Apparatus and Substrate Coating Apparatus Having the Same
JP5941644B2 (en) Coating device
KR101007685B1 (en) Apparatus of coating photo resist composition in a Flat Panel Display manufacturing
CN211350584U (en) Substrate processing apparatus
CN111822234B (en) Coating device and coating method
JP2013066868A (en) Coating device
JP2001305562A (en) Method and device for carrying glass substrate into and out of sealing material curing surface plate
JP5145209B2 (en) Vacuum processing equipment
KR102544865B1 (en) Substrate heating apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
N231 Notification of change of applicant
GRNT Written decision to grant