KR20140071039A - Substrate treating apparatus - Google Patents

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김태호
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a substrate treating apparatus. More particularly, the present invention relates to a substrate treating apparatus which injects a chemical liquid to a substrate while the substrate is floated from a stage and is supported. A substrate treating apparatus according to one embodiment of the present invention includes a substrate floating unit for floating a substrate, a nozzle unit which is located in the upper part of the substrate floating unit and injects a chemical liquid to the substrate, a holding member which holds the edge of the substrate, and a substrate moving unit which moves the holding member. The substrate floating unit includes a stage which has an upper surface where holes are provided, and a pressure providing member which provides gas pressure or vacuum pressure to the upper part of the stage through the holes. The holes are formed with columns in a hole arrangement direction in the upper surface of the stage. The holes include a gas hole which provides the gas pressure to each column and a vacuum hole which provides the vacuum pressure. The gas hole and the vacuum hole are alternately provided to each column.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 스테이지에서 부상시켜 기판을 지지한 상태로 기판에 약액을 토출하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that flushes a substrate on a stage to discharge a chemical liquid onto a substrate while supporting the substrate.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판 상으로 약액을 공급하는 포토리소그라피, 식각, 이온주입, 증착 그리고 세정의 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 포토리소그라피 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 형성시킨다. In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes of photolithography, etching, ion implantation, deposition, and cleaning to supply a chemical solution onto a substrate are performed. Among these processes, the photolithography process forms the desired pattern on the substrate.

포토리소그라피 공정은 기판 상에 포토 레지스트과 같은 감광액을 도포하는 도포공정, 도포된 감광막 위에 특정 패턴을 형성하는 노광공정, 그리고 노광된 감광막에서 특정 영역을 제거하는 현상공정을 포함한다.The photolithography process includes a coating process for applying a photosensitive liquid such as a photoresist on a substrate, an exposure process for forming a specific pattern on the applied photosensitive film, and a developing process for removing a specific region from the exposed photosensitive film.

이러한 공정들 중에 도포 공정은 기판이 일방향으로 반송하는 도중에 노즐로부터 기판으로 약액이 토출된다. During these processes, the chemical liquid is ejected from the nozzle to the substrate while the substrate is being conveyed in one direction.

기판의 이동은 지지부재가 기판의 저면으로 가스압과 진공압을 제공하여 그 기판을 공중 부양시킨 상태에서 이루어진다. 기판의 저면에 가스압 및 진공압을 제공하는 경우 급격한 압력의 변화로 인하여 기판이 흔들릴 수 있다. 도포 공정 중에 기판이 흔들리게 되면 도포된 약액으로부터 기판에 얼룩이 생기는 등의 문제가 발생할 수 있다.The movement of the substrate is achieved with the support member providing gas pressure and vacuum pressure to the bottom surface of the substrate and levitating the substrate. When the gas pressure and the vacuum pressure are provided on the bottom surface of the substrate, the substrate may be shaken due to a sudden change in pressure. If the substrate is shaken during the coating process, there may arise a problem that the substrate is stained from the applied chemical solution.

본 발명은 기판을 부상시킬 때 기판에 제공되는 압력으로 인하여 기판이 흔들림을 최소화하는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a substrate processing apparatus that minimizes shaking of a substrate due to a pressure applied to the substrate when the substrate is lifted.

또한, 본 발명은 기판에 약액을 도포할 때 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing unevenness on the substrate when the chemical liquid is applied to the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 부상시키는 기판 부상 유닛, 상기 기판 부상 유닛의 상부에 위치하고, 상기 기판으로 약액을 토출하는 노즐 유닛 및 상기 기판의 가장자리를 파지하는 파지부재를 포함하고, 상기 파지부재를 이동시키는 기판 이동 유닛을 포함하되, 상기 기판 부상 유닛은 상면에 복수개의 홀들이 제공되는 스테이지 및 상기 홀들을 통해 상기 스테이지 상부로 가스압 또는 진공압을 제공하는 압력 제공 부재를 포함하되, 상기 홀들은 상기 스테이지 상면에 홀배열방향으로 복수개의 열들을 형성하며 제공되고, 상기 홀들은 각 열들에서 상기 가스압을 제공하는 가스홀과 상기 진공압을 제공하는 진공홀을 포함하되, 상기 가스홀과 상기 진공홀이 상기 각 열에서 번갈아가며 제공된다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a substrate floating unit for floating a substrate, a nozzle unit disposed on the substrate floating unit for discharging the chemical liquid to the substrate, and a gripping member for gripping an edge of the substrate And a substrate moving unit for moving the holding member, wherein the substrate floating unit includes a stage provided with a plurality of holes on an upper surface thereof and a pressure providing member for providing a gas pressure or a vacuum pressure to the upper portion of the stage through the holes Wherein the holes are provided on the upper surface of the stage to form a plurality of rows in a hole arrangement direction, the holes including a gas hole for providing the gas pressure in each column and a vacuum hole for providing the vacuum pressure, The gas holes and the vacuum holes are alternately provided in the respective columns.

상기 노즐 유닛은 상기 기판이 직선 이동하는 제1방향과 이에 수직한 제2방향으로 위치하는 노즐을 포함하고, 상기 파지부재는 상기 기판을 진공에 의해 흡착하여 파지할 수 있다.The nozzle unit includes a nozzle positioned in a first direction in which the substrate linearly moves and in a second direction perpendicular to the first direction, and the holding member can hold the substrate by vacuum suction.

상기 제1방향과 상기 홀배열방향이 예각으로 제공될 수 있다.The first direction and the hole array direction may be provided at an acute angle.

상기 열들은 상기 복수개의 홀들로 구성된 제1열, 제2열 및 제3열을 포함하되, 상기 제2열의 첫 홀과 상기 제1열의 마지막 홀이 상기 제1방향으로 일직선이 되도록 제공될 수 있다.The rows may include a first row, a second row and a third row of the plurality of holes, wherein the first hole of the second row and the last hole of the first row are aligned in the first direction .

상기 스테이지는 반입부, 도포부, 반출부를 포함하고, 상기 도포부에 제공되는 단위면적당 상기 홀들의 수가 상기 반입부와 상기 반출부보다 많도록 제공될 수 있다.The stage may include a carry-in portion, a coating portion, and a carry-out portion, and the number of the holes per unit area provided in the application portion may be more than the carry-in portion and the carry-out portion.

상기 홀들은 상기 도포부에서만 상기 홀배열방향으로 상기 열을 형성하도록 제공될 수 있다.The holes may be provided only in the application portion to form the heat in the hole arrangement direction.

또한, 본 발명은 기판 부상 유닛을 제공한다.The present invention also provides a substrate floating unit.

본 발명의 일 실시예에 의한 기판 부상 유닛은, 상면에 복수개의 홀들이 제공되는 스테이지 및 상기 홀들을 통해 상기 스테이지 상부로 가스압 또는 진공압을 제공하는 압력 제공 부재를 포함하되, 상기 홀들은 상기 스테이지 상면에 홀배열방향으로 복수개의 열들을 형성하며 제공되고, 상기 홀들은 각 열들에서 상기 가스압을 제공하는 가스홀과 상기 진공압을 제공하는 진공홀을 포함하되, 상기 가스홀과 상기 진공홀이 상기 각 열에서 번갈아가며 제공된다.A substrate floating unit according to an embodiment of the present invention includes a stage provided with a plurality of holes on an upper surface thereof and a pressure providing member for providing a gas pressure or a vacuum pressure to the upper portion of the stage through the holes, And a plurality of rows arranged in the direction of the hole array on the upper surface, wherein the holes include a gas hole for providing the gas pressure in each column and a vacuum hole for providing the vacuum pressure, wherein the gas hole and the vacuum hole They are provided alternately in each column.

제1방향은 상기 스테이지 상부에서 기판이 직선 이동되는 방향이고, 제2방향은 상기 제1방향에 수직한 방향으로서 상기 노즐의 길이 방향으로 정의할 때, 상기 제1방향과 상기 홀배열방향이 예각으로 제공될 수 있다.Wherein the first direction is a direction in which the substrate is linearly moved in the upper portion of the stage and the second direction is a direction perpendicular to the first direction and the longitudinal direction of the nozzle is defined as an acute angle . ≪ / RTI >

상기 열들은 상기 복수개의 홀들로 구성된 제1열, 제2열 및 제3열을 포함하되, 상기 제2열의 첫 홀과 상기 제1열의 마지막 홀이 제1방향으로 일직선이 되도록 제공될 수 있다.The rows may include a first row, a second row and a third row of the plurality of holes, wherein the first hole of the second row and the last hole of the first row are aligned in the first direction.

상기 스테이지는 반입부, 도포부, 반출부를 포함하고, 상기 도포부에 제공되는 단위면적당 상기 홀들의 수가 상기 반입부와 상기 반출부보다 많도록 제공될 수 있다.The stage may include a carry-in portion, a coating portion, and a carry-out portion, and the number of the holes per unit area provided in the application portion may be more than the carry-in portion and the carry-out portion.

상기 홀들은 상기 도포부에서만 상기 홀배열방향으로 상기 열을 형성하도록 제공될 수 있다.The holes may be provided only in the application portion to form the heat in the hole arrangement direction.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 부상시킬 때 기판에 제공되는 압력으로 인하여 기판이 흔들림을 최소화 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize shaking of the substrate due to the pressure applied to the substrate when the substrate is floated.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판에 약액을 도포할 때 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent unevenness on the substrate when the chemical liquid is applied to the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 상면을 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 1의 스테이지의 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 스테이지 중 도포부를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 1의 스테이지의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 선 X-X'를 따라 절단한 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 기판 처리 장치에서 기판에 약액이 도포되는 과정을 보여주는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view showing a top surface of the substrate processing apparatus of FIG.
Figure 3 is a diagram illustrating one embodiment of the stage of Figure 1;
FIG. 4 is a view showing a coated portion in the stage of FIG. 3; FIG.
FIG. 5 is a view showing another embodiment of the stage of FIG. 1; FIG.
FIG. 6 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 taken along the line X-X '.
7 to 9 are views showing a process in which a chemical liquid is applied to a substrate in a substrate processing apparatus.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 상면을 보여주는 평면도이다FIG. 1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing a top surface of the substrate processing apparatus of FIG. 1

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 기판 부상 유닛(100), 기판 이동 유닛(200) 그리고 노즐 유닛(300)을 포함한다.1 and 2, the substrate processing apparatus 1 includes a substrate floating unit 100, a substrate moving unit 200, and a nozzle unit 300.

기판 부상 유닛(100)은 스테이지(110)와 압력 제공 부재(170)를 포함한다. 스테이지(110)는 그 길이 방향이 제1방향(91)을 따라 연장되도록 제공된다. 스테이지(110)는 일정한 두께를 가지는 평판의 형상으로 제공될 수 있다. 스테이지(110)는 반입부(111), 도포부(112), 반출부(113)를 포함한다. 반입부(111), 도포부(112), 반출부(113)는 스테이지(110)의 일단에서부터 제1방향(91)으로 차례로 제공된다. 일 예에 의하면, 반입부(111), 도포부(112), 반출부(113)는 각각 별도의 스테이지로 분리될 수 있다. 이러한 경우는 반입부(111), 도포부(112), 반출부(113)로 제공되는 각각의 스테이지가 결합되어 하나의 스테이지(110)로 제공될 수 있다. 이와 달리, 하나의 스테이지(110)를 반입부(111), 도포부(112), 반출부(113)의 영역으로 구분하여 제공될 수도 있다.The substrate floating unit 100 includes a stage 110 and a pressure providing member 170. The stage 110 is provided so that its longitudinal direction extends along the first direction 91. The stage 110 may be provided in the form of a flat plate having a constant thickness. The stage 110 includes a carry-in section 111, a spreading section 112, and a carry-out section 113. The carrying unit 111, the application unit 112 and the carry-out unit 113 are sequentially provided from one end of the stage 110 to the first direction 91. According to an example, the carry-in unit 111, the application unit 112, and the carry-out unit 113 may be separated into separate stages. In this case, each of the stages provided to the carry-in unit 111, the application unit 112, and the carry-out unit 113 may be combined and provided as a single stage 110. Alternatively, one stage 110 may be provided by dividing into a region of the carry-in portion 111, the application portion 112, and the carry-out portion 113. [

도 3은 도 1의 스테이지의 일 실시예를 보여주는 도면이고, 도 4는 도 3의 스테이지 중 도포부를 보여주는 도면이고, 도 5는 도 1의 스테이지의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.FIG. 3 is a view showing an embodiment of the stage of FIG. 1, FIG. 4 is a view showing an application portion of the stage of FIG. 3, and FIG. 5 is a view showing another embodiment of the stage of FIG.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 스테이지(110)는 상면에 복수개의 홀(115)을 가진다. 복수개의 홀(115)은 가스압을 제공하는 가스홀(115a)들과 진공압을 제공하는 진공홀(115b)들을 포함한다. 일 예에 의하면, 복수개의 홀(115)은 홀배열방향(95)으로 복수개의 열을 이루며 위치할 수 있다. 이때 복수개의 열은 상호간에 평행하게 제공될 수 있다. 각 열에 제공되는 홀(115)들은 홀배열방향(95)을 따라 가스홀(115a)과 진공홀(115b)이 번갈아가면서 제공될 수 있다. 이와 달리, 하나의 열에서는 동일한 종류의 홀(115)만이 제공될 수도 있다. 일 예에 의하면, 도포부(112)에서는 복수개의 홀(115)이 홀배열방향(95)으로 복수개의 열을 이루지만, 반입부(111)와 반출부(113)에서는 제1방향(91)으로 복수개의 열을 이루며 위치할 수 있다. 다른 예에 의하면, 반입부(111), 도포부(112) 그리고 반출부(113)에서 복수개의 홀(115)이 모두 홀배열방향(95)으로 복수개의 열을 형성하며 제공될 수도 있다. 또한, 복수개의 열은 반입부(111), 도포부(112) 그리고 반출부(113)마다 상이한 방향으로 제공될 수도 있다. 또 다른 예에 의하면, 도포부(112)에 제공되는 단위면적당 홀(115)들이 반입부(111)와 반출부(113)보다 많도록 제공될 수 있다. 3 to 5, the stage 110 has a plurality of holes 115 on its upper surface. The plurality of holes 115 include gas holes 115a for providing gas pressure and vacuum holes 115b for providing vacuum pressure. According to an example, the plurality of holes 115 may be positioned in a plurality of rows in the hole arrangement direction 95. At this time, the plurality of rows may be provided parallel to each other. The holes 115 provided in each column may be alternately provided along the hole array direction 95 with the gas holes 115a and the vacuum holes 115b. Alternatively, only one hole 115 of the same kind may be provided in one column. A plurality of holes 115 are formed in a plurality of rows in the hole arranging direction 95 in the applying unit 112. In the loading unit 111 and the carry-out unit 113, As shown in FIG. According to another example, a plurality of holes 115 in the carry-in unit 111, the application unit 112, and the carry-out unit 113 may be provided by forming a plurality of rows in the hole arrangement direction 95. Also, the plurality of rows may be provided in different directions for each of the carry-in unit 111, the application unit 112, and the carry-out unit 113. According to another example, the holes 115 per unit area provided to the application portion 112 may be provided so as to be larger than the carry-in portion 111 and the carry-out portion 113.

일 예에 의하면, 홀배열방향(95)은 제1방향(91)과 일정한 각도(θ)를 이루도록 제공될 수 있다. 이때, 홀배열방향(95)과 제1방향(91) 사이의 각도(θ)는 예각으로 제공될 수 있다. 다른 예에 의하면, 복수개의 열 중에서 제2열의 첫 홀(1151)과 제1열의 마지막 홀(1152)이 제1방향으로 일직선이 되도록 제공될 수도 있다. 홀배열방향(95)과 제1방향(91) 사이의 각도(θ)는 다양한 각도로 제공될 수 있다. 또한, 반입부(111), 도포부(112) 그리고 반출부(113)에서 각각 다른 각도로 제공될 수도 있다.According to one example, the hole array direction 95 may be provided so as to form a constant angle (?) With the first direction 91. At this time, the angle [theta] between the hole array direction 95 and the first direction 91 may be provided at an acute angle. According to another example, the first hole 1151 of the second row and the last hole 1152 of the first row among the plurality of rows may be provided so as to be straight in the first direction. The angle [theta] between the hole array direction 95 and the first direction 91 may be provided at various angles. In addition, they may be provided at different angles in the carry-in unit 111, the apply unit 112, and the carry-out unit 113, respectively.

도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 선 X-X'를 따라 절단한 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 taken along the line X-X '.

도 6을 참조하면, 압력 제공 부재(170)는 스테이지(110) 상면에 제공되는 홀(115)들과 연결된다. 압력 제공 부재(170)는 홀(115)들에 가스압 또는 진공압을 제공한다. 압력 제공 부재(170)는 가스압 제공 부재(171a), 가스압 제공 라인(171b), 진공압 제공 부재(172a) 그리고 진공압 제공 라인(172b)을 포함한다. 가스압 제공 부재(171a)는 가스압을 발생시킨다. 가스압 제공 부재(171a)는 스테이지(110) 외부에 위치할 수 있다. 이와 달리 가스압 제공 부재(171a)는 스테이지(110) 내부에 위치할 수도 있다. 가스압 제공 라인(171b)은 가스압 제공 부재(171a)와 가스홀(115a)을 연결한다. Referring to FIG. 6, the pressure providing member 170 is connected to the holes 115 provided on the upper surface of the stage 110. The pressure providing member 170 provides gas pressure or vacuum pressure to the holes 115. The pressure providing member 170 includes a gas pressure providing member 171a, a gas pressure providing line 171b, a vacuum pressure providing member 172a and a vacuum pressure providing line 172b. The gas pressure providing member 171a generates gas pressure. The gas pressure providing member 171a may be located outside the stage 110. [ Alternatively, the gas pressure providing member 171a may be located inside the stage 110. [ The gas pressure providing line 171b connects the gas pressure providing member 171a and the gas hole 115a.

진공압 제공 부재(172a)는 진공압을 발생시킨다. 진공압 제공 부재(172a)는 스테이지(110) 외부에 위치할 수 있다. 이와 달리, 진공압 제공 부재(172a)는 스테이지(110) 내부에 위치할 수도 있다. 진공압 제공 라인(172b)은 진공압 제공 부재(172a)와 진공홀(115b)을 연결한다. 일 예에 의하면, 진공압 제공 라인(172b)은 도포부(112)의 홀(115)들에만 연결되도록 제공될 수 있다. 이러한 경우는 반입부(111)와 반출부(113)는 가스홀(115a)과 압력 제공 부재(170)가 연결되지 않은 배기홀(115c)이 제공될 수 있다.The vacuum pressure supply member 172a generates a vacuum pressure. The vacuum pressure providing member 172a may be located outside the stage 110. [ Alternatively, the vacuum pressure providing member 172a may be located inside the stage 110. [ The vacuum pressure providing line 172b connects the vacuum pressure providing member 172a and the vacuum hole 115b. According to one example, the vacuum pressure providing line 172b may be provided to be connected only to the holes 115 of the application unit 112. [ In this case, the carry-in portion 111 and the carry-out portion 113 may be provided with the exhaust hole 115c to which the gas hole 115a and the pressure providing member 170 are not connected.

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 이동 유닛(200)은 가이드 레일(210)과 파지 부재(220)를 포함한다. 기판 이동 유닛(200)은 스테이지(110) 상부에서 기판(S)을 파지하고 제1방향(91)으로 이동시킨다. 1 and 2, the substrate transfer unit 200 includes a guide rail 210 and a gripping member 220. [ The substrate moving unit 200 grasps the substrate S on the stage 110 and moves the substrate S in the first direction 91.

가이드 레일(210)은 스테이지(110)와 평행하게 제1방향(91)으로 연장되어 제공된다. 가이드 레일(210)은 제1 가이드 레일(211)과 제2 가이드 레일(212)을 포함한다. 제1 가이드 레일(211)은 스테이지(110)를 중심으로 제1방향(91)의 좌측에 위치한다. 제2 가이드 레일(212)은 스테이지(110)를 중심으로 제1방향(91)의 우측에 위치한다. 제1 가이드 레일(211)과 제2 가이드 레일(212)은 스테이지(110)를 중심으로 대칭되는 위치에 제공된다.The guide rail 210 is provided extending in the first direction 91 in parallel with the stage 110. The guide rail 210 includes a first guide rail 211 and a second guide rail 212. The first guide rail 211 is positioned on the left side in the first direction 91 with the stage 110 as a center. The second guide rail 212 is positioned on the right side of the stage 110 in the first direction 91. The first guide rail 211 and the second guide rail 212 are provided at symmetrical positions with respect to the stage 110.

파지 부재(220)는 제1 파지 부재(221)와 제2 파지 부재(222)를 포함한다. 제1 파지 부재(221)와 제2 파지 부재(222)는 기판(S)의 제2방향(92)의 양측면을 파지한다. The gripping member 220 includes a first gripping member 221 and a second gripping member 222. The first gripping member 221 and the second gripping member 222 grip both sides of the substrate S in the second direction 92.

제1 파지 부재(221)는 몸체(221a)와 파지부(221b)를 포함한다. 몸체(221a)는 제1 가이드 레일(211)과 접촉된다. 몸체(221a)는 제1 가이드 레일(211)을 따라 제1방향(91)으로 이동할 수 있다. 파지부(221b)는 몸체(221a)의 우측면에서 스테이지(110) 방향으로 돌출된 형상으로 제공된다. 파지부(221b)는 복수개 제공될 수 있다. 파지부(221b)는 스테이지(110)의 상면보다 상부에 위치한다. 이는 파지부(221b)가 기판(S)을 스테이지(110)에서 상부로 이격된 상태로 파지하기 때문이다. 일 예에 의하면, 파지부(221b)는 기판(S)의 저면에 진공을 제공하여 기판(S)을 파지할 수 있다. 이와 달리, 파지부(221b)는 기계적 방식에 의해 기판(S)을 파지할 수도 있다. 제2 파지 부재(222)는 몸체(222a)와 파지부(222b)를 포함한다. 제2 파지 부재(222)는 제1 파지 부재(221)와 동일한 구성을 가진다. 제2 파지 부재(222)는 스테이지(110)를 중심으로 제1 파지 부재(221)와 대칭되는 위치에 제공된다. The first gripping member 221 includes a body 221a and a gripping portion 221b. The body 221a is in contact with the first guide rail 211. The body 221a can move in the first direction 91 along the first guide rail 211. [ The grip portion 221b is provided in a shape protruding in the direction of the stage 110 from the right side surface of the body 221a. A plurality of grip portions 221b may be provided. The grip portion 221b is located above the upper surface of the stage 110. [ This is because the grip portion 221b grasps the substrate S in a state where the substrate S is spaced apart from the stage 110 in the upward direction. According to one example, the grip portion 221b can provide a vacuum to the bottom surface of the substrate S to grip the substrate S. Alternatively, the gripping portion 221b may grip the substrate S by a mechanical method. The second gripping member 222 includes a body 222a and a gripping portion 222b. The second holding member 222 has the same configuration as that of the first holding member 221. The second holding member 222 is provided at a position symmetrical to the first holding member 221 about the stage 110. [

노즐 유닛(300)은 노즐 이동 부재(310)와 노즐(320)을 포함한다. 노즐 유닛(300)은 기판(S)의 상면으로 약액을 토출한다.The nozzle unit 300 includes a nozzle moving member 310 and a nozzle 320. The nozzle unit 300 discharges the chemical liquid onto the upper surface of the substrate S.

노즐 이동 부재(310)는 노즐 가이드 레일(311), 수직 프레임(312) 그리고 지지대(313)를 포함한다. 노즐 가이드 레일(311)은 가이드 레일(210) 외부에 제공된다. 노즐 가이드 레일(311)은 가이드 레일(210)과 평행하게 제1방향(91)으로 연장되어 제공된다.The nozzle moving member 310 includes a nozzle guide rail 311, a vertical frame 312, and a support 313. The nozzle guide rails 311 are provided outside the guide rails 210. The nozzle guide rails 311 are provided extending in the first direction 91 in parallel with the guide rails 210.

수직 프레임(312)은 노즐 가이드 레일(311)과 지지대(313)를 연결한다. 수직 프레임(312)의 하단은 노즐 가이드 레일(311)과 연결된다. 이를 통해 수직 프레임(312)은 노즐 가이드 레일(311) 상부에서 제1방향(91)으로 이동할 수 있다. 지지대(313)는 양단이 수직 프레임(312)의 상단과 연결된다. 지지대(313)는 길이방향이 제2방향(92)을 따라 연장되도록 제공된다. 지지대(313)의 하면에는 노즐(320)이 위치한다.The vertical frame 312 connects the nozzle guide rail 311 and the support 313. The lower end of the vertical frame 312 is connected to the nozzle guide rail 311. So that the vertical frame 312 can move in the first direction 91 above the nozzle guide rails 311. Both ends of the support base 313 are connected to the upper end of the vertical frame 312. The support 313 is provided so that the longitudinal direction extends along the second direction 92. A nozzle 320 is positioned on the lower surface of the support base 313.

노즐(320)은 길이방향이 제2방향(92)을 따라 연장되도록 제공된다. 노즐(320)은 하나 이상의 면이 지지대(313)에 결합되어, 스테이지(110) 상측인 제3방향(103)으로 이격되게 위치된다. 노즐(320)은 기판(S)으로 약액을 토출한다. 약액은 감광액으로 제공될 수 있고, 구체적으로 포토레지스트로 제공될 수 있다.The nozzle 320 is provided so that the longitudinal direction extends along the second direction 92. At least one surface of the nozzle 320 is coupled to the support 313 and positioned to be spaced apart in the third direction 103 above the stage 110. The nozzle 320 discharges the chemical liquid to the substrate S. The chemical solution may be provided as a sensitizing solution, specifically, as a photoresist.

선택적으로 노즐(320)이 고정된 위치에서 약액을 토출하는 경우에는 노즐 가이드 레일(311)은 제공되지 않을 수도 있다.The nozzle guide rail 311 may not be provided when the chemical liquid is selectively discharged at a position where the nozzle 320 is fixed.

이하에서는 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 장치에 의해 기판에 약액을 도포하는 과정을 상세히 설명한다.Hereinafter, a process of applying a chemical liquid onto a substrate by the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 7 내지 도 9는 기판 처리 장치에서 기판에 약액이 도포되는 과정을 보여주는 도면이다.7 to 9 are views showing a process in which a chemical liquid is applied to a substrate in a substrate processing apparatus.

도 7 내지 도 9를 참조하면, 기판(S)은 외부의 반송 유닛(미도시)에서 반입부(111)로 반송된다. 이후 기판(S)은 도포부(112), 반출부(113)를 순차적으로 지나 외부의 다른 반송 유닛(미도시)으로 반송된다. 이때, 외부의 반송 유닛(미도시)은 핸드를 가진 로봇이거나 샤프트들로 제공될 수 있다.7 to 9, the substrate S is transported from an external transport unit (not shown) to the carry-in unit 111. Thereafter, the substrate S is conveyed to the other transport unit (not shown) outside the coating unit 112 and the carry-out unit 113 sequentially. At this time, the external transfer unit (not shown) may be a robot with a hand or may be provided with shafts.

기판(S)은 외부의 반송 유닛(미도시)에서 스테이지(110)의 반입부(111)로 반송된다. 기판(S)이 반입부(111)로 이동되면 파지 부재(220)가 기판(S)을 파지한다. 기판(S)은 반입부(111) 상부로 제공되는 가스압에 의하여 부상되어 이동된다. 일 예에 의하면, 반입부(111) 상부로는 가스압만이 제공되고, 진공압은 제공되지 않을 수 있다. 이러한 경우 반입부(111) 상부와 기판(S)의 하부에 제공된 가스는 배기홀(115c)을 통해 배기될 수 있다. 이와 달리, 반입부(111) 상부로 가스압과 진공압이 모두 제공될 수도 있다. 기판 이동 유닛(200)은 파지된 기판(S)이 스테이지(110)에서 부상된 상태로 도포부(112)로 이동시킨다.The substrate S is transported from an external transport unit (not shown) to the carry-in section 111 of the stage 110. The gripping member 220 grips the substrate S when the substrate S is moved to the carry-in portion 111. [ The substrate S is lifted and moved by the gas pressure provided on the carry-in part 111. [ According to one example, only the gas pressure is provided above the carry-in section 111, and vacuum pressure may not be provided. In this case, the gas provided on the upper portion of the carry-in portion 111 and the lower portion of the substrate S can be exhausted through the exhaust hole 115c. Alternatively, both the gas pressure and the vacuum pressure may be provided above the carry-in section 111. The substrate moving unit 200 moves the held substrate S to the application unit 112 in a floating state on the stage 110.

기판(S)은 도포부(112)에서 제1방향(91)으로 이동하면서 상면에 약액이 도포된다. 약액은 도포부(112)에서 제3방향(93)으로 이격된 위치에 제공된 노즐(320)로부터 하방으로 토출된다. 약액은 기판(S)이 스테이지(110) 상부로 부상된 상태에서 기판(S)의 상면으로 도포된다. 일 예에 의하면, 도포부(112)는 반입부(111)와 달리 가스압과 진공압이 기판(S)의 저면으로 제공된다. 이를 통하여, 기판(S)의 저면과 도포부(112) 상면 사이의 압력이 반입부(111)보다 정밀하게 조절될 수 있다. 제공된 압력으로 인하여 기판(S)은 도포부(112) 상부로 이격된 채 제1방향(91)으로 이동된다. 또한 홀(115)들이 반입부(111)보다 더 많이 제공될 수 있다. 이를 통하여, 기판(S)의 저면과 도포부(112) 상면 사이의 압력이 반입부(111)보다 정밀하게 조절될 수 있다. 본 발명의 기판 부상 유닛의 일 실시예와 같이 홀(115)들이 홀배열방향(95)으로 배열되어 복수개의 열을 형성하면 기판(S)이 이동하면서 압력의 변화로 인한 기판(S)의 흔들림을 최소화 할 수 있다. 이로 인하여, 기판(S)에 약액을 토출할 때 얼룩이 발생하는 등의 문제점을 방지할 수 있다. 약액의 도포가 완료되면 기판(S)은 부상된 상태로 반출부(113)로 이동한다.The substrate S is applied on the upper surface while the substrate S moves in the first direction 91 by the application unit 112. [ The chemical liquid is discharged downward from the nozzle 320 provided at a position spaced apart from the application unit 112 in the third direction 93. [ The chemical liquid is applied to the upper surface of the substrate S in a state in which the substrate S floats above the stage 110. [ The application unit 112 is provided with a gas pressure and a vacuum pressure on the bottom surface of the substrate S unlike the carry-in unit 111. [ The pressure between the bottom surface of the substrate S and the upper surface of the application portion 112 can be adjusted more precisely than the carrying-in portion 111. [ The substrate S is moved in the first direction 91 while being separated from the upper portion of the application portion 112 due to the provided pressure. Further, the holes 115 may be provided more than the carry-in portion 111. The pressure between the bottom surface of the substrate S and the upper surface of the application portion 112 can be adjusted more precisely than the carrying-in portion 111. [ When the holes 115 are arranged in the hole arrangement direction 95 to form a plurality of rows as in the embodiment of the substrate floating unit of the present invention, Can be minimized. Thus, it is possible to prevent problems such as occurrence of unevenness when the chemical liquid is discharged onto the substrate (S). When the application of the chemical solution is completed, the substrate S moves to the take-out unit 113 in a floating state.

반출부(113)로 이동된 기판(S)은 기판 이동 유닛(200)과 함께 제1방향(91)으로 이동된다. 기판(S)은 반출부(113)에서도 반출부(113) 상부로 제공되는 가스압에 의하여 부상되어 이동된다. 반출부(113) 상부로는 가스압 만이 제공될 수 있다. 이와 달리, 가스압과 진공압이 모두 제공될 수도 있다. 기판(S)은 반출부(113)에서 외부의 반송 유닛(미도시)으로 반송된다.The substrate S moved to the carry-out section 113 is moved in the first direction 91 together with the substrate moving unit 200. [ The substrate S is lifted and moved by the gas pressure provided to the upper portion of the carry-out portion 113 from the carry-out portion 113 as well. Only the gas pressure may be provided above the carry-out portion 113. Alternatively, both gas pressure and vacuum pressure may be provided. The substrate S is transported from an unloading section 113 to an external transport unit (not shown).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

100: 기판 부상 유닛 110: 스테이지
112: 도포부 115: 홀
170: 압력 제공 부재 200: 기판 이동 유닛
220: 파지 부재 300: 노즐 유닛100: substrate floating unit 110: stage
112: application part 115: hole
170: pressure providing member 200: substrate moving unit
220: grip member 300: nozzle unit

Claims (2)

기판을 부상시키는 기판 부상 유닛;
상기 기판 부상 유닛의 상부에 위치하고, 상기 기판으로 약액을 토출하는 노즐 유닛; 및
상기 기판의 가장자리를 파지하는 파지부재를 포함하고, 상기 파지부재를 이동시키는 기판 이동 유닛;을 포함하되,
상기 기판 부상 유닛은
상면에 복수개의 홀들이 제공되는 스테이지; 및
상기 홀들을 통해 상기 스테이지 상부로 가스압 또는 진공압을 제공하는 압력 제공 부재;를 포함하되,
상기 홀들은 상기 스테이지 상면에 홀배열방향으로 복수개의 열들을 형성하며 제공되고,
상기 홀들은 각 열들에서 상기 가스압을 제공하는 가스홀과 상기 진공압을 제공하는 진공홀을 포함하되, 상기 가스홀과 상기 진공홀이 상기 각 열에서 번갈아가며 제공되는 기판 처리 장치.A substrate floating unit for floating the substrate;
A nozzle unit located above the substrate floating unit and discharging the chemical liquid to the substrate; And
And a substrate moving unit including a gripping member for gripping an edge of the substrate and moving the gripping member,
The substrate floating unit
A stage on which an upper surface is provided with a plurality of holes; And
And a pressure providing member for supplying a gas pressure or a vacuum pressure to the upper portion of the stage through the holes,
Wherein the holes are provided on the upper surface of the stage to form a plurality of rows in a hole arrangement direction,
Wherein the holes include a gas hole providing the gas pressure in each column and a vacuum hole providing the vacuum pressure, wherein the gas hole and the vacuum hole are alternately provided in the respective columns. 제1항에 있어서,
상기 노즐 유닛은 상기 기판이 직선 이동하는 제1방향과 이에 수직한 제2방향으로 위치하는 노즐을 포함하고,
상기 파지부재는 상기 기판을 진공에 의해 흡착하여 파지하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the nozzle unit includes a nozzle positioned in a first direction in which the substrate linearly moves and in a second direction perpendicular to the first direction,
Wherein the gripping member sucks and holds the substrate by vacuum.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20160023999A (en) * 2014-08-21 2016-03-04 세메스 주식회사 Transfer unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
KR20210044980A (en) * 2019-10-16 2021-04-26 세메스 주식회사 Apparatus for processing substrate
KR20220085471A (en) * 2020-12-15 2022-06-22 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160023999A (en) * 2014-08-21 2016-03-04 세메스 주식회사 Transfer unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
KR20210044980A (en) * 2019-10-16 2021-04-26 세메스 주식회사 Apparatus for processing substrate
KR20220085471A (en) * 2020-12-15 2022-06-22 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate

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