KR102099882B1 - Apparatus and method fdr treating substrates - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 스테이지에서 부상시켜 기판을 지지한 상태로 기판에 약액을 토출하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판 처리 공정이 수행되는 스테이지 및 상기 스테이지의 상부로 가스압 또는 진공압을 제공하는 압력 제공 부재를 포함하는 기판 부상 유닛, 상기 스테이지의 상부에 위치하고, 상기 기판으로 약액을 토출하는 노즐 유닛 및 상기 기판을 제1방향을 따라 이동시키는 기판 이동 유닛을 포함하되, 상기 기판 이동 유닛은 상기 스테이지의 양단에 제1방향으로 연장되어 제공되는 가이드 레일 및 상기 기판을 파지하고, 상기 가이드 레일 상부에서 제1방향으로 이동하는 파지 부재를 포함하되, 상기 파지 부재는 상부로 진공압을 제공하는 복수개의 파지부를 포함한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for discharging a chemical solution onto a substrate while the substrate is floated on the stage to support the substrate.
A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a substrate floating unit including a stage in which a substrate processing process is performed and a pressure providing member providing gas pressure or vacuum pressure to the top of the stage, located on the top of the stage, It includes a nozzle unit for discharging the chemical liquid to the substrate and a substrate moving unit for moving the substrate along a first direction, wherein the substrate moving unit extends in both directions of the stage in a first direction and is provided with a guide rail and the substrate. And a gripping member that moves in a first direction from the top of the guide rail, wherein the gripping member includes a plurality of gripping parts providing vacuum pressure to the top.

Figure R1020120154524
Figure R1020120154524

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FDR TREATING SUBSTRATES}Substrate processing apparatus and substrate processing method {APPARATUS AND METHOD FDR TREATING SUBSTRATES}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 스테이지에서 부상시켜 기판을 지지한 상태로 기판에 약액을 토출하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for discharging a chemical solution onto a substrate while the substrate is floated on the stage to support the substrate.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판 상으로 약액을 공급하는 포토리소그라피, 식각, 이온주입, 증착 그리고 세정의 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 포토리소그라피 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 형성시킨다. In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes of photolithography, etching, ion implantation, deposition, and cleaning for supplying a chemical liquid onto a substrate are performed. Among these processes, the photolithography process forms a desired pattern on the substrate.

포토리소그라피 공정은 기판 상에 포토 레지스트과 같은 감광액을 도포하는 도포공정, 도포된 감광막 위에 특정 패턴을 형성하는 노광공정, 그리고 노광된 감광막에서 특정 영역을 제거하는 현상공정을 포함한다.The photolithography process includes a coating process for applying a photoresist such as photoresist on a substrate, an exposure process for forming a specific pattern on the applied photoresist film, and a developing process for removing a specific region from the exposed photoresist film.

이러한 공정들 중에 도포 공정은 기판이 일방향으로 반송하는 도중에 노즐로부터 기판으로 약액이 토출된다. During these processes, the chemical liquid is discharged from the nozzle to the substrate while the substrate is being conveyed in one direction.

기판의 이동은 스테이지에서 기판의 저면으로 가스압과 진공압을 제공하여 그 기판을 공중 부양시킨 상태에서 이루어진다. 또한, 기판은 파지 부재에 의해 파지된 상태에서 파지 부재와 함께 이동된다. 기판은 스테이지의 영역 별로 다른 부상 높이에서 이동된다. 이때 부상 높이가 다른 영역을 지나면서 기판이 파지된 상태에서 그 부상 높이가 달라지면서 기판이 파손되는 문제가 발생할 수 있다.The substrate is moved from the stage to the bottom surface of the substrate by providing gas pressure and vacuum pressure to levitate the substrate. Further, the substrate is moved together with the gripping member in the gripped state by the gripping member. The substrate is moved at different elevation heights for each stage area. In this case, the substrate may be damaged while the floating height is different while the substrate is held while the floating height is different.

본 발명은 기판이 부상되어 이동될 때 파지 부재가 기판이 부상되는 높이에 따라 정밀하게 파지하는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which the gripping member is precisely gripped according to the height at which the substrate is floated when the substrate is floated and moved.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-described problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings. will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판 처리 공정이 수행되는 스테이지 및 상기 스테이지의 상부로 가스압 또는 진공압을 제공하는 압력 제공 부재를 포함하는 기판 부상 유닛, 상기 스테이지의 상부에 위치하고, 상기 기판으로 약액을 토출하는 노즐 유닛 및 상기 기판을 제1방향을 따라 이동시키는 기판 이동 유닛을 포함하되, 상기 기판 이동 유닛은 상기 스테이지의 양단에 제1방향으로 연장되어 제공되는 가이드 레일 및 상기 기판을 파지하고, 상기 가이드 레일 상부에서 제1방향으로 이동하는 파지 부재를 포함하되, 상기 파지 부재는 상부로 진공압을 제공하는 복수개의 파지부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a substrate floating unit including a stage in which a substrate processing process is performed and a pressure providing member providing gas pressure or vacuum pressure to the top of the stage, located on the top of the stage, It includes a nozzle unit for discharging the chemical liquid to the substrate and a substrate moving unit for moving the substrate along a first direction, wherein the substrate moving unit is provided with guide rails and the substrate extended in both directions of the stage in a first direction. And a gripping member that moves in a first direction from the top of the guide rail, wherein the gripping member includes a plurality of gripping parts providing vacuum pressure to the top.

상기 파지 부재는 상기 가이드 레일과 접촉되고, 내부에 공간을 가지는 몸체, 상기 몸체와 연결되고, 상기 몸체에서 상기 스테이지 상부로 돌출된 형상으로 제공되며, 상부로 상기 진공압을 제공하는 파지부 및 각각의 상기 파지부에서 제공되는 상기 진공압을 제어하는 제어기를 포함할 수 있다.The gripping member is in contact with the guide rail, the body having a space therein, is connected to the body, is provided in a shape protruding from the body to the top of the stage, the gripping portion for providing the vacuum pressure to the top and each It may include a controller for controlling the vacuum pressure provided by the gripping portion of the.

상기 파지부는 제1진공압을 제공하는 제1파지부와 제2진공압을 제공하는 제2파지부를 포함할 수 있다.The gripping portion may include a first gripping portion providing a first vacuum pressure and a second gripping portion providing a second vacuum pressure.

상기 몸체는 상기 제1파지부와 연결된 제1내부공간과 상기 제2파지부와 연결된 제2내부공간을 포함하고, 상기 몸체의 내부공간은 격벽이 설치되어 상기 제1내부공간과 상기 제2내부공간으로 구분될 수 있다.The body includes a first inner space connected to the first gripping portion and a second inner space connected to the second gripping portion, and the inner space of the body is provided with a partition wall to form the first inner space and the second inner space. Can be divided into spaces.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a substrate processing method.

본 발명의 일 실시에에 따른 기판 처리 방법은, 기판이 스테이지의 반입부로 반송되는 단계, 상기 기판이 파지 부재에 파지되는 단계, 상기 기판이 상기 반입부에서 약액이 도포되는 도포부로 이동되는 단계, 상기 기판으로 약액이 도포되는 단계 및 상기 기판이 상기 도포부에서 반출부로 이동되는 단계를 포함하되, 상기 기판이 파지되는 단계는 상기 파지 부재가 복수개의 영역으로 구분되고, 상기 복수개의 영역에서 진공압이 상이하게 제공됨으로써 이동되는 상기 기판의 높이를 조절한다.In the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, the substrate is transferred to the carrying part of the stage, the substrate is gripped by the gripping member, and the substrate is moved from the carrying part to the coating part to which the chemical is applied, The step of applying a chemical solution to the substrate and the step of moving the substrate from the application portion to the carrying portion, wherein the step of holding the substrate is divided into a plurality of regions by the gripping member, the vacuum pressure in the plurality of regions It is provided differently to adjust the height of the substrate to be moved.

상기 기판이 파지되는 단계는 상기 파지 부재는 초기 위치에서 일부 영역이 상기 도포부에 위치하고, 나머지 영역은 상기 반입부에 위치되며, 상기 도포부에 위치하는 상기 일부 영역은 제1 진공압으로 파지하고, 상기 반입부에 위치하는 상기 나머지 영역은 제2 진공압으로 파지되고, 상기 제1 진공압이 상기 제2 진공압보다 고진공압으로 제공될 수 있다.In the step in which the substrate is gripped, the gripping member has a partial region positioned at the application portion in an initial position, the rest of the region is located at the carrying portion, and the partial region positioned at the application portion is gripped with a first vacuum pressure. , The remaining area located in the carrying portion is gripped by a second vacuum pressure, and the first vacuum pressure may be provided at a higher vacuum pressure than the second vacuum pressure.

상기 기판이 도포부로 이동되는 단계는 상기 복수개의 영역이 각각 순차적으로 상기 반입부에서 상기 도포부로 이동되고, 상기 도포부로 이동된 각 영역에서 제공되는 진공압이 상기 제2 진공압에서 상기 제1 진공압으로 제공될 수 있다.In the step of moving the substrate to the coating unit, the plurality of regions are sequentially moved from the carrying unit to the coating unit, and the vacuum pressure provided in each region moved to the coating unit is the first vacuum at the second vacuum pressure. It can be provided pneumatically.

상기 기판이 반출부로 이동되는 단계는 상기 복수개의 영역이 각각 순차적으로 상기 도포부에서 상기 반출부로 이동되고, 상기 반출부로 이동된 각 영역에서 제공되는 압력이 상기 제1 진공압에서 상기 제2 진공압으로 제공될 수 있다.In the step of moving the substrate to the carrying portion, the plurality of regions are sequentially moved from the coating portion to the carrying portion, and the pressure provided in each region moved to the carrying portion is the first vacuum pressure to the second vacuum pressure. Can be provided.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판이 부상되어 이동될 때 파지 부재가 기판이 부상되는 높이에 따라 정밀하게 파지하여 기판을 이동시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the substrate is floated and moved, the gripping member can be accurately gripped according to the height at which the substrate is floated to move the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 상면을 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 선 X-X'를 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치의 파지 부재를 보여주는 도면이다.
도 5 내지 도 8은 기판 처리 장치에서 기판에 파지 부재에 파지되어 이동되는 과정을 보여주는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a top surface of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 taken along line X-X '.
4 is a view showing the gripping member of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
5 to 8 are views showing a process of being gripped and moved by a gripping member on a substrate in a substrate processing apparatus.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited to the following examples. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings has been exaggerated to emphasize a clearer explanation.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 상면을 보여주는 평면도이다1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a plan view showing the top surface of the substrate processing apparatus of Figure 1

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 기판 부상 유닛(100), 기판 이동 유닛(200) 그리고 노즐 유닛(300)을 포함한다.1 and 2, the substrate processing apparatus 1 includes a substrate floating unit 100, a substrate moving unit 200, and a nozzle unit 300.

기판 부상 유닛(100)은 스테이지(110)와 압력 제공 부재(170)를 포함한다. 스테이지(110)는 그 길이 방향이 제1방향(91)을 따라 연장되도록 제공된다. 스테이지(110)는 일정한 두께를 가지는 평판의 형상으로 제공될 수 있다. 스테이지(110)는 반입부(111), 도포부(112) 그리고 반출부(113)를 포함한다. 반입부(111), 도포부(112), 반출부(113)는 스테이지(110)의 일단에서부터 제1방향(91)으로 차례로 제공된다. 일 예에 의하면, 반입부(111), 도포부(112) 그리고 반출부(113)는 각각 별도의 스테이지로 분리될 수 있다. 이러한 경우는 반입부(111), 도포부(112) 그리고 반출부(113)로 제공되는 각각의 스테이지가 결합되어 하나의 스테이지(110)로 제공될 수 있다. 이와 달리, 하나의 스테이지(110)를 반입부(111), 도포부(112) 그리고 반출부(113)의 영역으로 구분하여 제공될 수도 있다.The substrate floating unit 100 includes a stage 110 and a pressure providing member 170. The stage 110 is provided such that its longitudinal direction extends along the first direction 91. The stage 110 may be provided in the shape of a flat plate having a constant thickness. The stage 110 includes a carrying part 111, a coating part 112 and a carrying part 113. The carrying part 111, the coating part 112, and the carrying part 113 are sequentially provided in one direction 91 from one end of the stage 110. According to an example, the carrying part 111, the applying part 112, and the carrying out part 113 may be separated into separate stages, respectively. In this case, each stage provided as the carrying part 111, the coating part 112, and the carrying part 113 may be combined to be provided as one stage 110. Alternatively, one stage 110 may be provided by dividing it into regions of the carrying part 111, the applying part 112, and the carrying out part 113.

스테이지(110)는 상면에 복수개의 홀(115)을 가진다. 복수개의 홀(115)은 스테이지(110) 상부로 가스압을 제공하는 가스홀(115a)들과 진공압을 제공하는 진공홀(115b)들을 포함한다. 복수개의 홀(115)은 가스압 및 진공압을 제공하여 기판(S)을 스테이지(110) 상부로 부상시킨다. 복수개의 홀(115)은 반입부(111), 도포부(112) 그리고 반출부(113)에서 각각 다른 개수로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 도포부(112)에 제공되는 단위면적당 홀(115)들의 수가 반입부(111)와 반출부(113)보다 많도록 제공될 수 있다. 이와 달리, 반입부(111), 도포부(112) 그리고 반출부(113)에 동일한 수의 홀(115)들이 제공될 수도 있다. The stage 110 has a plurality of holes 115 on the upper surface. The plurality of holes 115 include gas holes 115a providing gas pressure to the stage 110 and vacuum holes 115b providing vacuum pressure. The plurality of holes 115 provide gas pressure and vacuum pressure to float the substrate S onto the stage 110. The plurality of holes 115 may be provided in different numbers in the carrying part 111, the applying part 112, and the carrying part 113. According to an example, the number of holes 115 per unit area provided to the coating unit 112 may be provided to be greater than the carrying portion 111 and the carrying portion 113. Alternatively, the same number of holes 115 may be provided in the carrying portion 111, the coating portion 112, and the carrying portion 113.

복수개의 홀(115)은 일정한 간격을 가지고 위치한다. 일 예에 의하면, 복수개의 홀(115)은 제1방향(91)으로 복수개의 열을 이루며 위치할 수 있다. 각 열에는 가스홀과 진공홀이 번갈아가면서 제공될 수 있다. 이와 달리, 하나의 열에는 동일한 종류의 홀들이 위치할 수도 있다. 이러한 경우는 인접하는 열의 홀의 종류가 다르게 제공될 수 있다.The plurality of holes 115 are positioned at regular intervals. According to an example, the plurality of holes 115 may be positioned in a plurality of rows in the first direction 91. Gas holes and vacuum holes may be alternately provided in each row. Alternatively, holes of the same type may be located in one row. In this case, different types of holes in adjacent rows may be provided.

도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 선 X-X'를 따라 절단한 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 taken along line X-X '.

도 3을 참조하면, 압력 제공 부재(170)는 스테이지(110) 상면에 제공되는 홀(115)들과 연결된다. 압력 제공 부재(170)는 홀(115)들에 가스압 또는 진공압을 제공한다. 압력 제공 부재(170)는 가스압 제공 부재(171a), 가스압 제공 라인(171b), 진공압 제공 부재(172a) 그리고 진공압 제공 라인(172b)을 포함한다. 가스압 제공 부재(171a)는 가스압을 발생시킨다. 가스압 제공 부재(171a)는 공기 또는 질소를 제공하면서 압력을 발생시킬 수 있다. 가스압 제공 부재(171a)는 스테이지(110) 외부에 위치할 수 있다. 이와 달리 가스압 제공 부재(171a)는 스테이지(110) 내부에 위치할 수도 있다. 가스압 제공 라인(171b)은 가스압 제공 부재(171a)와 가스홀(115a)을 연결한다. Referring to FIG. 3, the pressure providing member 170 is connected to the holes 115 provided on the upper surface of the stage 110. The pressure providing member 170 provides gas pressure or vacuum pressure to the holes 115. The pressure providing member 170 includes a gas pressure providing member 171a, a gas pressure providing line 171b, a vacuum pressure providing member 172a, and a vacuum pressure providing line 172b. The gas pressure providing member 171a generates gas pressure. The gas pressure providing member 171a may generate pressure while providing air or nitrogen. The gas pressure providing member 171a may be located outside the stage 110. Alternatively, the gas pressure providing member 171a may be located inside the stage 110. The gas pressure providing line 171b connects the gas pressure providing member 171a and the gas hole 115a.

진공압 제공 부재(172a)는 진공압을 발생시킨다. 진공압 제공 부재(172a)는 스테이지(110) 외부에 위치할 수 있다. 이와 달리, 진공압 제공 부재(172a)는 스테이지(110) 내부에 위치할 수도 있다. 진공압 제공 부재(172a)는 펌프(미도시) 등을 이용하여 진공압을 제공한다. 진공압 제공 라인(172b)은 진공압 제공 부재(172a)와 진공홀(115b)을 연결한다. 일 예에 의하면, 진공압 제공 라인(172b)은 도포부(112)의 홀(115)들에만 연결되도록 제공될 수 있다. 이러한 경우는 반입부(111)와 반출부(113)에는 진공홀(115b) 대신에 압력 제공 부재(170)가 연결되지 않은 배기홀(115c)이 제공될 수 있다.The vacuum pressure providing member 172a generates a vacuum pressure. The vacuum pressure providing member 172a may be located outside the stage 110. Alternatively, the vacuum pressure providing member 172a may be located inside the stage 110. The vacuum pressure providing member 172a provides a vacuum pressure using a pump (not shown) or the like. The vacuum pressure providing line 172b connects the vacuum pressure providing member 172a and the vacuum hole 115b. According to an example, the vacuum pressure providing line 172b may be provided to be connected only to the holes 115 of the coating unit 112. In this case, instead of the vacuum hole 115b, an exhaust hole 115c to which the pressure providing member 170 is not connected may be provided to the carrying part 111 and the carrying part 113.

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 이동 유닛(200)은 가이드 레일(210)과 파지 부재(220)를 포함한다. 기판 이동 유닛(200)은 스테이지(110) 상부에서 기판(S)을 파지하고 제1방향(91)으로 이동시킨다. Referring again to FIGS. 1 and 2, the substrate moving unit 200 includes a guide rail 210 and a gripping member 220. The substrate moving unit 200 grips the substrate S on the stage 110 and moves it in the first direction 91.

가이드 레일(210)은 스테이지(110)와 평행하게 제1방향(91)으로 연장되어 제공된다. 가이드 레일(210)은 제1 가이드 레일(211)과 제2 가이드 레일(212)을 포함한다. 제1 가이드 레일(211)은 스테이지(110)를 중심으로 제1방향(91)의 좌측에 위치한다. 제2 가이드 레일(212)은 스테이지(110)를 중심으로 제1방향(91)의 우측에 위치한다. 제1 가이드 레일(211)과 제2 가이드 레일(212)은 스테이지(110)를 중심으로 대칭되는 위치에 제공된다. The guide rail 210 is provided to extend in the first direction 91 in parallel with the stage 110. The guide rail 210 includes a first guide rail 211 and a second guide rail 212. The first guide rail 211 is located on the left side of the first direction 91 around the stage 110. The second guide rail 212 is located on the right side of the first direction 91 around the stage 110. The first guide rail 211 and the second guide rail 212 are provided at positions symmetrical about the stage 110.

파지 부재(220)는 제1 파지 부재와 제2 파지 부재를 포함한다. 제1 파지 부재와 제2 파지 부재는 동일한 형상을 가진다. 제1 파지 부재와 제2 파지 부재는 스테이지(110)를 중심으로 대칭되는 위치에 제공된다. 제1 파지 부재와 제2 파지 부재는 기판(S)의 제2방향(92)의 양측면을 파지한다. 파지 부재(220)는 가이드 레일(210)의 상부에서 기판(S)을 파지하고 제1방향(91)으로 이동한다. The gripping member 220 includes a first gripping member and a second gripping member. The first gripping member and the second gripping member have the same shape. The first gripping member and the second gripping member are provided at positions symmetrical about the stage 110. The first gripping member and the second gripping member grip both sides of the second direction 92 of the substrate S. The gripping member 220 grips the substrate S from the upper portion of the guide rail 210 and moves in the first direction 91.

도 4는 도 1의 기판 처리 장치의 파지 부재를 보여주는 도면이다. 4 is a view showing the gripping member of the substrate processing apparatus of FIG. 1.

도 4를 참조하면, 파지 부재(220)는 몸체(221), 파지부(222), 진공압 제공 부재(250) 그리고 제어기(270)를 포함한다. 몸체(221)는 가이드 레일(210)과 접촉된다. 몸체(221)는 가이드 레일(210)을 따라 제1방향(91)으로 이동할 수 있다. 몸체(221)는 내부에 공간을 가진 형상으로 제공된다. 몸체(221)는 내부에 격벽이 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 몸체(221)는 내부에 위치한 격벽으로 인하여 파지부(222)의 개수와 동일한 개수의 내부 공간을 가질 수 있다. 4, the gripping member 220 includes a body 221, a gripping portion 222, a vacuum pressure providing member 250 and a controller 270. The body 221 is in contact with the guide rail 210. The body 221 may move in the first direction 91 along the guide rail 210. The body 221 is provided in a shape having a space therein. The body 221 may be provided with a partition wall therein. According to an example, the body 221 may have the same number of internal spaces as the number of the gripping portions 222 due to the partition walls located therein.

파지부(222)는 몸체(221)의 측면에서 스테이지(110) 방향으로 돌출된 형상으로 제공된다. 파지부(222)는 스테이지(110)의 상면보다 상부에 위치한다. 이는 파지부(222)가 기판(S)을 스테이지(110)에서 상부로 이격된 상태로 파지하기 때문이다. 일 예에 의하면, 파지부(222)는 복수개 제공될 수 있다. 각각의 파지부(222a 내지 222d)는 몸체(221a 내지 221d) 내부의 공간과 연결된다. 파지부(222)는 상면에 진공홀(225)을 갖는다. 진공홀(225)은 상부로 진공압을 제공하여 기판(S)을 파지할 수 있다.The gripping portion 222 is provided in a shape protruding from the side of the body 221 in the direction of the stage 110. The gripping portion 222 is positioned above the upper surface of the stage 110. This is because the gripping portion 222 grips the substrate S in a state spaced apart from the stage 110. According to an example, a plurality of gripping portions 222 may be provided. Each grip portion 222a to 222d is connected to a space inside the bodies 221a to 221d. The gripping portion 222 has a vacuum hole 225 on the upper surface. The vacuum hole 225 may hold the substrate S by providing a vacuum pressure to the top.

진공압 제공 부재(250)는 몸체(222)와 연결된다. 진공압 제공 부재(250)는 진공압 발생기(251)와 진공압 제공 라인(252)을 포함한다. 진공압 발생기(251)는 진공압을 발생시킨다. 진공압 제공 라인(252)은 진공압 발생기(251)와 몸체(221)를 연결한다. 진공압 제공 라인(252)은 진공압 발생기(251)에서 발생한 진공압을 몸체(221)의 내부 공간으로 제공한다. 진공압 제공 라인(252)은 파지부(222)의 개수와 동일한 개수가 제공될 수 있다. 진공압 제공 부재(250)는 몸체(221) 외부에 위치할 수 있다.The vacuum pressure providing member 250 is connected to the body 222. The vacuum pressure providing member 250 includes a vacuum pressure generator 251 and a vacuum pressure providing line 252. The vacuum pressure generator 251 generates a vacuum pressure. The vacuum pressure providing line 252 connects the vacuum pressure generator 251 and the body 221. The vacuum pressure providing line 252 provides the vacuum pressure generated by the vacuum pressure generator 251 to the interior space of the body 221. The vacuum pressure providing line 252 may be provided with the same number as the number of the gripping portions 222. The vacuum pressure providing member 250 may be located outside the body 221.

제어기(270)는 진공압 제공 라인(252)상에 제공된 제어밸브(271a 내지 271d)를 제어한다. 제어기(270)는 제어밸브(271a 내지 271d)를 통하여 몸체(221)로 제공되는 진공압을 조절한다. 제어기(270)는 각 진공압 제공 라인(252a 내지 252d)마다 상이한 진공압이 제공되도록 조절할 수 있다.The controller 270 controls the control valves 271a to 271d provided on the vacuum pressure providing line 252. The controller 270 adjusts the vacuum pressure provided to the body 221 through the control valves 271a to 271d. The controller 270 may adjust to provide a different vacuum pressure for each vacuum pressure providing line 252a to 252d.

노즐 유닛(300)은 노즐 이동 부재(310)와 노즐(320)을 포함한다. 노즐 유닛(300)은 기판(S)의 상면으로 약액을 토출한다.The nozzle unit 300 includes a nozzle moving member 310 and a nozzle 320. The nozzle unit 300 discharges the chemical liquid to the upper surface of the substrate S.

노즐 이동 부재(310)는 노즐 가이드 레일(311), 수직 프레임(312) 그리고 지지대(313)를 포함한다. 노즐 가이드 레일(311)은 가이드 레일(210) 외부에 제공된다. 노즐 가이드 레일(311)은 가이드 레일(210)과 평행하게 제1방향(91)으로 연장되어 제공된다.The nozzle moving member 310 includes a nozzle guide rail 311, a vertical frame 312, and a support 313. The nozzle guide rail 311 is provided outside the guide rail 210. The nozzle guide rail 311 is provided to extend in the first direction 91 in parallel with the guide rail 210.

수직 프레임(312)은 노즐 가이드 레일(311)과 지지대(313)를 연결한다. 수직 프레임(312)의 하단은 노즐 가이드 레일(311)과 연결된다. 이를 통해 수직 프레임(312)은 노즐 가이드 레일(311) 상부에서 제1방향(91)으로 이동할 수 있다. 지지대(313)는 양단이 수직 프레임(312)의 상단과 연결된다. 지지대(313)는 길이방향이 제2방향(92)을 따라 연장되도록 제공된다. 지지대(313)의 하면에는 노즐(320)이 위치한다.The vertical frame 312 connects the nozzle guide rail 311 and the support 313. The lower end of the vertical frame 312 is connected to the nozzle guide rail 311. Through this, the vertical frame 312 may move in the first direction 91 from the top of the nozzle guide rail 311. Both ends of the support 313 are connected to the top of the vertical frame 312. The support 313 is provided so that the longitudinal direction extends along the second direction 92. The nozzle 320 is positioned on the lower surface of the support 313.

노즐(320)은 길이방향이 제2방향(92)을 따라 연장되도록 제공된다. 노즐(320)은 하나 이상의 면이 지지대(313)에 결합되어, 스테이지(110) 상측인 제3방향(103)으로 이격되게 위치된다. 노즐(320)은 기판(S)으로 약액을 토출한다. 약액은 감광액으로 제공될 수 있고, 구체적으로 포토레지스트로 제공될 수 있다.The nozzle 320 is provided so that the longitudinal direction extends along the second direction 92. The nozzle 320 is positioned to be spaced apart in the third direction 103, one or more surfaces are coupled to the support 313, the stage 110, the upper side. The nozzle 320 discharges the chemical liquid to the substrate S. The chemical solution may be provided as a photosensitive solution, and specifically, may be provided as a photoresist.

선택적으로 노즐(320)이 고정된 위치에서 약액을 토출하는 경우에는 노즐 가이드 레일(311)은 제공되지 않을 수도 있다.Optionally, the nozzle guide rail 311 may not be provided when the nozzle 320 discharges the chemical from a fixed position.

이하에서는 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 장치에 의해 기판에 약액이 도포되는 기판 처리 방법을 설명한다.Hereinafter, a substrate processing method in which a chemical solution is applied to a substrate by the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention will be described.

본 발명에 따른 기판 처리 방법은, 기판이 스테이지의 반입부로 반송되는 단계, 기판이 파지 부재에 파지되는 단계, 기판이 반입부에서 약액이 도포되는 도포부로 이동되는 단계, 기판으로 약액이 도포되는 단계 그리고 기판이 도포부에서 반출부로 이동되는 단계를 포함한다.In the substrate processing method according to the present invention, the substrate is transferred to the carrying portion of the stage, the substrate is gripped on the gripping member, the substrate is moved from the carrying portion to the application portion to which the chemical solution is applied, and the chemical liquid is applied to the substrate And it includes the step of moving the substrate from the coating portion to the carrying portion.

도 5 내지 도 8은 기판 처리 장치에서 기판에 파지 부재에 파지되어 이동되는 과정을 보여주는 도면이다.5 to 8 are views showing a process of being gripped and moved by a gripping member on a substrate in a substrate processing apparatus.

도 5 내지 도 8을 참조하면, 기판이 스테이지의 반입부로 반송되는 단계에서 기판(S)은 외부의 반송 유닛(미도시)에서 반입부(1111)로 반송된다. 이때, 외부의 반송 유닛(미도시)은 핸드를 가진 로봇이거나 샤프트들로 제공될 수 있다. 5 to 8, the substrate S is transferred from the external transfer unit (not shown) to the transfer portion 1111 in a stage in which the substrate is transferred to the transfer portion of the stage. At this time, the external transport unit (not shown) may be a robot with a hand or may be provided with shafts.

기판이 파지 부재에 파지되는 단계는 기판(S)의 모든 영역이 스테이지(110) 상부로 반송된 이후에 진행된다. 기판(S)은 반입부(111)에서 그 상부로 제공되는 가스압에 의하여 부상된 상태로 제1방향(91)으로 이동된다. 기판(S)의 모든 영역이 스테이지(110) 상부로 이동되면 기판(S)은 반입부(111)와 도포부(112) 전단에 위치하게 된다. 파지 부재(220)는 기판(S)의 제1방향(91)의 길이와 동일한 길이로 제공된다. 파지 부재(220)는 제1방향으로 복수개의 영역으로 구분된다. 복수개의 영역에는 각각 파지부(222)가 제공되어 그 상부로 진공압을 제공한다. 파지 부재(220)는 기판(S)의 모든 영역이 파지 부재 상부에 위치하면 기판(S)의 저면으로 진공압을 제공한다. 기판(S)은 파지 부재(220)로부터 제공된 진공압에 의하여 파지된다. 각각의 파지부(222)에는 상이한 진공압이 제공될 수 있다. 또한, 각각의 파지부(222)가 복수개의 영역으로 구분되고, 복수개의 영역마다 각각 상이한 진공압이 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 파지 부재(220)는 초기 위치에서 도포부(112)에 위치하는 제1파지부(222a)는 제1진공압을 제공할 수 있다. 반입부(111)에 위치하는 제2파지부(222b 내지 222d)는 제2진공압을 제공할 수 있다. 이때, 제1 진공압이 상기 제2 진공압보다 고진공압으로 제공될 수 있다. 이에 따라, 기판(S)은 도포부(112)에 위치하는 영역이 반입부(111)에 위치하는 영역보다 더 낮은 위치에 부상된 상태로 파지된다.The step in which the substrate is gripped by the gripping member proceeds after all areas of the substrate S have been conveyed to the top of the stage 110. The substrate S is moved in the first direction 91 in a floating state by the gas pressure provided to the upper portion of the carrying portion 111. When all regions of the substrate S are moved to the upper portion of the stage 110, the substrate S is positioned in front of the carrying portion 111 and the coating portion 112. The gripping member 220 is provided with a length equal to the length of the first direction 91 of the substrate S. The gripping member 220 is divided into a plurality of regions in the first direction. Each of the plurality of regions is provided with a gripping portion 222 to provide a vacuum pressure thereon. The gripping member 220 provides a vacuum pressure to the bottom surface of the substrate S when all regions of the substrate S are positioned above the gripping member. The substrate S is gripped by a vacuum pressure provided from the gripping member 220. Each gripping portion 222 may be provided with a different vacuum pressure. In addition, each gripping portion 222 is divided into a plurality of regions, and different vacuum pressures may be provided for each of the plurality of regions. According to an example, the gripping member 220 may provide a first vacuum pressure to the first gripping portion 222a positioned at the application portion 112 in an initial position. The second gripping portions 222b to 222d positioned in the carrying portion 111 may provide a second vacuum pressure. At this time, the first vacuum pressure may be provided at a higher vacuum pressure than the second vacuum pressure. Accordingly, the substrate S is gripped in a state in which the area located in the coating part 112 is floated at a lower position than the area located in the carrying part 111.

기판(S)은 반입부(111)와 반출부(113)보다 도포부(112)에서 더 낮은 높이로 부상된다. 이에 따라 기판(S)은 반입부(111), 도포부(112) 그리고 반출부(113)를 차례로 이동하면서 각 영역마다 그 부상 높이가 달라지게 된다. 기판(S)은 파지 부재(220)에 의하여 파지된 상태로 이동되므로 파지된 높이가 달라짐에 따라 기판(S)이 균열이 발생하는 등의 문제가 발생할 수 있다.The substrate S is floated at a lower height in the coating part 112 than the carrying part 111 and the carrying part 113. Accordingly, the substrate (S) is moved to the carrying portion 111, the coating portion 112 and the carrying portion 113 in order to change the height of the floating in each area. Since the substrate S is moved in the gripped state by the gripping member 220, problems such as cracks in the substrate S may occur as the gripped height is changed.

이에 본 발명의 일 실시예에서는 파지 부재(220)를 복수개의 영역으로 분리하여 제공한다. 파지 부재(220)의 각 영역에서는 각각 상이한 진공압을 제공할 수 있다. 또한, 파지 부재(220)가 이동중에 제공되는 진공압의 세기를 조절할 수 있도록 제공된다. 이를 통해, 기판(S)이 반입부(111), 도포부(112) 그리고 반출부(113)를 차례로 이동하면서 그 부상 높이가 달라지는 경우에도 진공압을 조절하여 정밀하게 기판(S)을 파지할 수 있다. 따라서 기판(S)의 반송중에 발생할 수 있는 기판(S)의 훼손을 방지할 수 있다. 또한, 기판 처리 공정의 신뢰성을 향상시킬 수도 있다.Accordingly, in one embodiment of the present invention, the gripping member 220 is provided in a plurality of regions. Different regions of the gripping member 220 may provide different vacuum pressures. In addition, the gripping member 220 is provided to adjust the strength of the vacuum pressure provided during movement. Through this, the substrate S is precisely moved to the carrying part 111, the coating part 112, and the carrying part 113, so that the substrate S can be accurately gripped by adjusting the vacuum pressure even when the floating height thereof changes. You can. Therefore, it is possible to prevent damage to the substrate S, which may occur during the transportation of the substrate S. Further, it is also possible to improve the reliability of the substrate processing process.

기판이 반입부에서 약액이 도포되는 도포부로 이동되는 단계는 기판(S)이 파지 부재(220)에 의하여 파지된 후에 진행된다. 기판(S)은 파지 부재(220)와 함께 제1방향(91)으로 이동된다. 기판(S)은 반입부(111)에서 도포부(112)로 이동되면 부상되는 높이가 낮아지게 된다. 이에 따라 파지 부재(220)의 각 영역에서 제공되는 진공압은 도포부(112)로 이동되면서 제2진공압에서 제1진공압으로 변경되어 제공된다. 파지부(222)에서 제공되는 진공압은 제어기에 의하여 반입부(111)에서 도포부(112)로 이동되면서 고진공압으로 조절된다. 이를 통해 기판(S)의 부상 높이가 변화하는 경우에도 기판의 파손 등을 방지할 수 있다.The step in which the substrate is moved from the carrying portion to the application portion to which the chemical solution is applied is performed after the substrate S is gripped by the gripping member 220. The substrate S is moved in the first direction 91 together with the gripping member 220. When the substrate S is moved from the carrying portion 111 to the coating portion 112, the height of the floating is lowered. Accordingly, the vacuum pressure provided in each region of the gripping member 220 is transferred to the coating unit 112 and is changed from the second vacuum pressure to the first vacuum pressure. The vacuum pressure provided by the gripping portion 222 is adjusted to a high vacuum pressure while being moved from the carrying portion 111 to the coating portion 112 by the controller. Through this, even when the floating height of the substrate S is changed, damage to the substrate and the like can be prevented.

기판으로 약액이 도포되는 단계는 도포부(112)에서 기판(S)이 이동 중에 진행된다. 도포부(112)에서는 고정된 노즐(320)로부터 부상된 상태로 이동되는 기판(S)으로 약액이 도포된다. 약액이 도포되는 공정 도중에는 기판(S)이 동일한 부상 높이를 유지한다.The step of applying the chemical solution to the substrate proceeds while the substrate S is moving in the coating unit 112. In the coating unit 112, the chemical liquid is applied from the fixed nozzle 320 to the substrate S that is moved in an injured state. During the process of applying the chemical liquid, the substrate S maintains the same floating height.

기판이 도포부에서 반출부로 이동되는 단계는 기판(S)에 약액이 도포되는 공정이 완료된 후에 진행된다. 일 예에 의하면, 기판(S)은 반출부(113)에서 도포부(112)보다 높이 부상되어 이동된다. 이에 따라 파지부(222)에서 제공되는 진공압도 변화하게 된다. 각각의 파지부(222)는 반출부(113)로 이동되면 제공되는 진공압이 저진공압으로 변화하게 된다. 일 예에 의하면, 도포부(112)에서는 제1 진공압으로 제공되고, 반출부로 이동되면서 제2 진공압으로 제공될 수 있다. 이때 제2 진공압은 반입부(111)에서 제공되는 진공압과 동일한 압력일 수 있다. 파지 부재(220)가 반출부(113)로 순차적으로 이동하면서 각각의 파지부(222a 내지 222d)도 순차적으로 제공되는 진공압이 변화된다. 파지 부재(220)의 전 영역이 반출부(113)로 이동되면 모든 파지부(222a 내지 222d)에서 제2 진공압이 제공된다. The step in which the substrate is moved from the application portion to the delivery portion is performed after the process of applying the chemical liquid to the substrate S is completed. According to one example, the substrate S is moved higher in height than the coating part 112 in the carrying part 113. Accordingly, the vacuum pressure provided by the gripping portion 222 also changes. When each gripping portion 222 is moved to the carrying portion 113, the vacuum pressure provided is changed to a low vacuum pressure. According to an example, the coating unit 112 may be provided with a first vacuum pressure, and may be provided with a second vacuum pressure while being moved to the carrying portion. At this time, the second vacuum pressure may be the same pressure as the vacuum pressure provided in the carrying part 111. As the gripping member 220 is sequentially moved to the carrying portion 113, the vacuum pressure at which the gripping portions 222a to 222d are also sequentially provided is changed. When the entire region of the gripping member 220 is moved to the carrying portion 113, a second vacuum pressure is provided in all the gripping portions 222a to 222d.

이후 기판(S)은 반출부(1113)로부터 외부의 다른 반송 유닛(미도시)으로 반송된다. 이때, 외부의 반송 유닛(미도시)은 핸드를 가진 로봇이거나 샤프트들로 제공될 수 있다.Subsequently, the substrate S is transported from the carrying unit 1113 to another external transport unit (not shown). At this time, the external transport unit (not shown) may be a robot with a hand or may be provided with shafts.

위에서 기술된 기판 처리 방법은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치 이외에도 이와 동일 또는 유사한 기능을 수행하는 다른 기판 처리 장치를 이용하여 수행될 수 있다.The substrate processing method described above may be performed using other substrate processing apparatuses performing the same or similar functions in addition to the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is to illustrate the present invention. In addition, the above-described content is to describe and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to change or modify the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the scope of the art or knowledge in the art. The embodiments described describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. In addition, the appended claims should be construed to include other embodiments.

100: 기판 부상 유닛 110: 스테이지
112: 도포부 115: 홀
200: 기판 이동 유닛 220: 파지 부재
220: 파지 부재 300: 노즐 유닛100: substrate floating unit 110: stage
112: coating unit 115: hole
200: substrate moving unit 220: gripping member
220: gripping member 300: nozzle unit

Claims (8)

기판 처리 공정이 수행되는 스테이지 및 상기 스테이지의 상부로 가스압 또는 진공압을 제공하는 압력 제공 부재를 포함하는 기판 부상 유닛;
상기 스테이지의 상부에 위치하고, 상기 기판으로 약액을 토출하는 노즐 유닛; 및
상기 기판을 제1방향을 따라 이동시키는 기판 이동 유닛;을 포함하되,
상기 기판 이동 유닛은
상기 스테이지의 양단에 제1방향으로 연장되어 제공되는 가이드 레일; 및
상기 기판을 파지하고, 상기 가이드 레일 상부에서 제1방향으로 이동하는 파지 부재;를 포함하되,
상기 파지 부재는 상부로 진공압을 제공하는 복수개의 파지부를 포함하고,
상기 복수개의 파지부는 상기 진공압이 각각 상이하게 제공되어 상기 기판의 높이를 조절하는 기판 처리 장치.A substrate floating unit including a stage in which a substrate processing process is performed and a pressure providing member providing gas pressure or vacuum pressure to the top of the stage;
A nozzle unit located at an upper portion of the stage and discharging a chemical liquid to the substrate; And
It includes; a substrate moving unit for moving the substrate along the first direction;
The substrate moving unit
Guide rails provided at both ends of the stage extending in a first direction; And
It includes a; gripping member for gripping the substrate and moving in a first direction from above the guide rail;
The gripping member includes a plurality of gripping portions providing vacuum pressure to the upper portion,
The plurality of gripping portions are provided with different vacuum pressures, so that the substrate processing apparatus adjusts the height of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 파지 부재는
상기 가이드 레일과 접촉되고, 내부에 공간을 가지는 몸체; 및
각각의 상기 파지부에서 제공되는 상기 진공압을 제어하는 제어기;를 포함하며,
상기 파지부는 상기 몸체와 연결되고 상기 몸체에서 상기 스테이지 상부로 돌출된 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The gripping member
A body in contact with the guide rail and having a space therein; And
Includes a controller for controlling the vacuum pressure provided by each of the gripping portion;
The holding portion is connected to the body and the substrate processing apparatus provided in a shape protruding from the body to the top of the stage. 제2항에 있어서,
상기 스테이지는,
상기 기판이 상기 스테이지로 도입되는 반입부;
상기 기판에 약액이 도포되는 도포부;
상기 기판이 상기 스테이지에서 반출되는 반출부;를 포함하되,
상기 파지부는 상기 도포부에서 상기 반입부 또는 상기 반출부보다 높은 진공압을 제공하는 기판 처리 장치.According to claim 2,
The stage,
A carrying part in which the substrate is introduced into the stage;
A coating unit to which a chemical solution is applied to the substrate;
The substrate is carried out from the stage; carrying out; includes,
The gripping portion is a substrate processing apparatus that provides a higher vacuum pressure than the carrying portion or the carrying portion in the coating portion. 제3항에 있어서,
상기 몸체는 제1파지부와 연결된 제1내부공간과 제2파지부와 연결된 제2내부공간을 포함하고, 상기 몸체의 내부공간은 격벽이 설치되어 상기 제1내부공간과 상기 제2내부공간으로 구분되는 기판 처리 장치.According to claim 3,
The body includes a first inner space connected to the first gripping portion and a second inner space connected to the second gripping portion, and the inner space of the body is provided with a partition wall to the first inner space and the second inner space. Separated substrate processing device. 기판이 스테이지의 반입부로 반송되는 단계;
상기 기판이 파지 부재에 파지되는 단계;
상기 기판이 상기 반입부에서 약액이 도포되는 도포부로 이동되는 단계;
상기 기판으로 약액이 도포되는 단계; 및
상기 기판이 상기 도포부에서 반출부로 이동되는 단계;를 포함하되,
상기 기판이 파지되는 단계는
상기 파지 부재가 복수개의 영역으로 구분되고, 상기 복수개의 영역에서 진공압이 상이하게 제공됨으로써 이동되는 상기 기판의 높이를 조절하는 기판 처리 방법.The substrate is conveyed to the carrying portion of the stage;
Holding the substrate on a gripping member;
Moving the substrate from the carrying part to an application part to which a chemical solution is applied;
Applying a chemical solution to the substrate; And
Including; the step of moving the substrate from the coating portion to the carrying portion;
The step of holding the substrate is
The holding member is divided into a plurality of regions, the substrate processing method for adjusting the height of the substrate is moved by being provided with different vacuum pressure in the plurality of regions. 제5항에 있어서,
상기 기판이 파지되는 단계는
상기 파지 부재는 초기 위치에서 일부 영역이 상기 도포부에 위치하고, 나머지 영역은 상기 반입부에 위치되며,
상기 도포부에 위치하는 상기 일부 영역은 제1 진공압으로 파지하고,
상기 반입부에 위치하는 상기 나머지 영역은 제2 진공압으로 파지되고,
상기 제1 진공압이 상기 제2 진공압보다 고진공압으로 제공되는 기판 처리 방법.The method of claim 5,
The step of holding the substrate is
In the gripping member, a partial region is located in the application portion at an initial position, and the remaining regions are located in the carrying portion,
The partial region located in the application part is gripped by a first vacuum pressure,
The rest of the region located in the carrying part is gripped by a second vacuum pressure,
The substrate processing method in which the first vacuum pressure is provided at a higher vacuum pressure than the second vacuum pressure. 제5항에 있어서,
상기 기판이 도포부로 이동되는 단계는
상기 복수개의 영역이 각각 순차적으로 상기 반입부에서 상기 도포부로 이동되고, 상기 도포부로 이동된 각 영역에서 제공되는 진공압이 제2 진공압에서 제1 진공압으로 제공되고,
상기 제1 진공압이 상기 제2 진공압보다 고진공압으로 제공되는 기판 처리 방법.The method of claim 5,
The step of moving the substrate to the coating unit
Each of the plurality of regions is sequentially moved from the carrying portion to the coating portion, and the vacuum pressure provided in each region moved to the coating portion is provided from the second vacuum pressure to the first vacuum pressure,
The substrate processing method in which the first vacuum pressure is provided at a higher vacuum pressure than the second vacuum pressure. 제5항에 있어서,
상기 기판이 반출부로 이동되는 단계는
상기 복수개의 영역이 각각 순차적으로 상기 도포부에서 상기 반출부로 이동되고, 상기 반출부로 이동된 각 영역에서 제공되는 압력이 제1 진공압에서 제2 진공압으로 제공되고,
상기 제1 진공압이 상기 제2 진공압보다 고진공압으로 제공되는 기판 처리 방법.The method of claim 5,
The step of moving the substrate to the carrying part
Each of the plurality of regions is sequentially moved from the coating unit to the carrying unit, and pressure provided in each region moved to the carrying unit is provided from a first vacuum pressure to a second vacuum pressure,
The substrate processing method in which the first vacuum pressure is provided at a higher vacuum pressure than the second vacuum pressure.
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