KR100837849B1 - Processing solution supplying method and processing solution supplying apparatus - Google Patents
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Abstract
도포순서가 토출 시작점(S1)으로부터 토출 종료점(Sn)으로, 기판의 양단부로부터 중심부로 향하도록 도포하고 있기 때문에, 양단부에 있어서 도포열의 건조시간이 대략 동일하게 된다. 따라서 각 도포열의 건조시간이 기판 중심선에 있어서 도포열을 중심으로 하여 대칭으로 되어 있기 때문에, 이 건조상태 그대로 다음 공정의 처리가 진행되어 막두께의 균일성을 확보할 수 있고, 또한 노즐이 기판의 외측을 이동하는 때에는 레지스트액 토출량을 적게 하거나 또는 토출을 정지하고 있기 때문에 레지스트를 절약할 수 있다.
Since the application sequence is applied from the discharge start point S1 to the discharge end point Sn so as to be directed from both ends to the center of the substrate, the drying time of the application heat is approximately the same at both ends. Therefore, since the drying time of each coating heat is symmetrical about the coating heat in the center line of the substrate, the processing of the next process proceeds as it is in this dry state, so that the uniformity of the film thickness can be ensured, and the nozzle When the outside is moved, the resist liquid discharge amount is reduced or the discharge is stopped so that the resist can be saved.
Description
도 1 은 본 발명이 적용되는 LCD 기판의 도포(塗布)·현상(現像) 처리시스템을 나타내는 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a plan view showing a coating and developing processing system for an LCD substrate to which the present invention is applied.
도 2 는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 레지스트 도포장치(CT)의 개략적인 평면도이다.2 is a schematic plan view of a resist coating apparatus CT according to a first embodiment of the present invention.
도 3 은, 도2에 나타나 있는 레지스트 도포장치(CT)의 개략적인 구성을 나타내는 일부 단면도이다.FIG. 3 is a partial sectional view showing a schematic configuration of the resist coating device CT shown in FIG. 2.
도 4 는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 레지스트 도포순서를 설명하기 위한 평면도이다.4 is a plan view for explaining a resist coating procedure according to the first embodiment of the present invention.
도 5 는 동(同) 도포순서를 설명하기 위한 평면도이다.5 is a plan view for explaining the application procedure.
도 6 은 동 도포순서를 설명하기 위한 평면도이다.6 is a plan view for explaining the coating procedure.
도 7 은 동 도포순서를 설명하기 위한 도면으로서, 기판의 양단부(兩端部)로부터 중심부를 향하여 도포하는 것을 나타내는 평면도이다.FIG. 7: is a figure for demonstrating the application | coating procedure, and is a top view which shows application | coating toward the center part from the both ends of a board | substrate.
도 8 은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 레지스트 도포장치(CT)의 개략적인 평면도이다.8 is a schematic plan view of a resist coating apparatus CT according to a second embodiment of the present invention.
도 9 는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 레지스트 도포순서를 설명하 기 위한 도면으로서, 기판의 양단부로부터 중심부를 향하여 도포하는 것을 나타내는 평면도이다.Fig. 9 is a view for explaining the resist coating procedure according to the second embodiment of the present invention, and is a plan view showing coating from both ends of the substrate toward the center portion.
도 10 은 동 도포순서를 설명하기 위한 도면으로서, 기판의 중심부로부터 양단부를 향하여 도포하는 것을 나타내는 평면도이다.It is a figure for demonstrating the application | coating procedure and is a top view which shows application | coating toward the both ends from the center part of a board | substrate.
도 11 은 동 도포순서를 설명하기 위한 평면도이다.11 is a plan view for explaining the coating procedure.
도 12 는 본 발명의 제 3 실시예에 의한 레지스트 공급 방법을 설명하기 위한 도면으로서, 포개어 도포하는 것을 나타내는 평면도이다.Fig. 12 is a view for explaining a resist supply method according to a third embodiment of the present invention, and is a plan view showing the application by lapping.
도 13 은 본 발명의 제 4 실시예에 의한 레지스트 공급 방법을 설명하기 위한 도면으로서, 긴 노즐에 의한 공급 방법을 나타내는 평면도이다.Fig. 13 is a view for explaining a resist supply method according to a fourth embodiment of the present invention, and is a plan view showing a supply method by an elongated nozzle.
도 14 는 본 발명의 제 5 실시예에 의한 레지스트 공급 방법을 설명하기 위한 도면으로서, 2개의 긴 노즐에 의한 공급 방법을 나타내는 평면도이다.Fig. 14 is a view for explaining a resist supply method according to a fifth embodiment of the present invention, which is a plan view showing a supply method by two long nozzles.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
G : 글래스 기판(glass 基板) G1∼G4 : 글래스 기판의 각 변(邊)G: glass substrate G1 to G4: each side of the glass substrate
22 : 레지스트 도포장치 41 : 레지스트 도포장치22: resist coating device 41: resist coating device
46 : 노즐(nozzle) 46a : 일방(一方)의 노즐46:
46b : 타방(他方)의 노즐 58 : 기판 흡착 테이블46b: other nozzle 58: substrate adsorption table
74 : CPU74: CPU
본 발명은, 예를 들면 액정 모니터(Liquid Crystal Display : LCD)에 사용되는 글래스 기판상에 레지스트액 등의 처리액을 도포(塗布)하는 처리액 공급방법 및 처리액 공급장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the processing liquid supply method and processing liquid supply apparatus which apply | coat a processing liquid, such as a resist liquid, on the glass substrate used for a liquid crystal display (LCD), for example.
LCD 제조공정에서는, LCD용 글래스 기판상에 ITO(Indium Tin Oxide)의 박막(薄膜)이나 전극(電極) 패턴을 형성하기 위하여 반도체 디바이스의 제조에 사용되는 것과 동일한 포토리소그래피 기술이 이용된다. 포토리소그래피 기술에서는 포토레지스트를 글래스 기판에 도포하고, 이것을 노광하고 또한 현상(現像)한다.In the LCD manufacturing process, the same photolithography technique used in the manufacture of semiconductor devices is used to form a thin film or an electrode pattern of indium tin oxide (ITO) on an LCD glass substrate. In photolithography, a photoresist is applied to a glass substrate, which is exposed and developed.
레지스트액 공급방법으로서는, 레지스트액 공급노즐을 기판의 끝에서부터 끝으로 가로, 세로 방향으로 주사(走査)하여 레지스트액을 가는 직경의 선모양으로 하여 글래스 기판상에 도포하는 방법이 있다. 이러한 공급방법에 있어서는, 레지스트액 공급노즐의 토출구멍이 하나인 단일 방식과 레지스트액 공급노즐의 토출구멍을 일정한 간격으로 복수로 하고, 이 복수의 토출구멍으로부터 동시에 레지스트를 토출(吐出)시키는 방식이 있다. 이러한 복수의 토출구멍에 의한 방식에 의하면, 하나의 토출구멍 방식과 비교하여 공급노즐이 글래스 기판상에 주사하는 회수를 감소시킬 수 있기 때문에 도포처리의 택트(tact)를 단축시킬 수 있다.As a resist liquid supplying method, there is a method of applying a resist liquid supply nozzle on a glass substrate by scanning the resist liquid in the horizontal and vertical directions from the end to the end of the substrate to form a thin line. In such a supply method, a single system having one discharge hole of a resist liquid supply nozzle and a plurality of discharge holes of a resist liquid supply nozzle are provided at regular intervals, and a method of simultaneously discharging resist from the plurality of discharge holes. have. According to such a plurality of ejection holes, the number of times the supply nozzle scans on the glass substrate can be reduced as compared with one ejection hole method, so that the tact of the coating process can be shortened.
그러나 이러한 복수의 토출구멍 노즐에 의한 경우이더라도 글래스 기 판의 끝에서부터 끝으로 주사하여 도포하기 때문에, 글래스 기판상의 도포 시작측과 도포 종료측에서는 시간적인 차이가 있어 레지스트 건조시간이 글래스 기판의 도포 시작측과 도포 종료측의 양단(兩端)에서 다르게 되는 결과가 된다. 따라서 기판 양단에 있어서 레지스트의 건조시간이 다른 상태에서, 예를 들면 다음 공정에서 전사(轉寫) 자국이 생기는 것을 방지하기 위한 감압건조 처리 등이 이루어져 레지스트막 두께가 글래스 기판의 양단에서 불균일하게 되어 버린다.However, even in the case of the plurality of ejection hole nozzles, the coating is applied by scanning from the end of the glass substrate to the end. Therefore, there is a time difference between the application start side and the application end side of the glass substrate, so that the resist drying time is the application start side of the glass substrate. This results in different results at both ends on the application end side. Therefore, in the state where the drying time of the resist is different at both ends of the substrate, for example, a reduced pressure drying process is performed to prevent the formation of transfer marks in the next step, and the thickness of the resist film becomes uneven at both ends of the glass substrate. Throw it away.
또한 복수의 토출구멍 노즐에 의한 도포는 하나의 토출구멍 노즐에 의한 경우와 비교하여 단위 시간당 레지스트 토출량이 많기 때문에, 노즐이 글래스 기판의 주변 부근을 주사할 때에 기판 이외의 부분에 토출하는 양이 많아져 레지스트가 낭비되고 있었다.In addition, since the application by the plurality of ejection hole nozzles has a large amount of resist ejection per unit time as compared with the case of one ejection hole nozzle, the amount of ejection to parts other than the substrate is large when the nozzle scans the periphery of the glass substrate. The resist was wasted.
본 발명은 상기한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 복수의 토출구멍 노즐에 의하여 도포하는 경우에 있어서 레지스트액 건조시간을 기판상에서 대칭으로 하여 기판상 레지스트막 두께의 균일성(均一性)을 확보하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and in the case of coating with a plurality of discharge hole nozzles, it is desirable to ensure uniformity of the thickness of the resist film on the substrate by symmetrically drying the resist liquid on the substrate. The purpose.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1 관점은, 기판상의 제1영역에 처리액을 공급하는 공정과, 상기 제 1 영역과 선대칭(線對稱)이 되는 기판상의 제 2 영역에 처리액을 공급하는 공정을 구비한다.In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention provides a process for supplying a processing liquid to a first region on a substrate, and a processing liquid for a second region on the substrate that is linearly symmetrical with the first region. The process of supplying is provided.
이러한 구성에 의하면, 예를 들면 제 1 영역으로서 기판의 일단(一端)에 처리액을 공급하고, 다음에 제 1 영역과 선대칭이 되는 제 2 영역으 로서 상기 일단의 대변(對邊)측 타단(他端)에 처리액을 공급하기 때문에, 처리액 건조시간을 기판상에서 대칭으로 할 수 있다. 이에 따라 다음 공정에서 처리가 이루어지더라도 막두께의 균일성을 유지할 수 있다.According to this structure, the processing liquid is supplied to one end of a board | substrate as a 1st area | region, for example, and the other end of the said opposite side of the said end as a 2nd area | region which becomes line symmetry with a 1st area | region ( Since the treatment liquid is supplied to vi), the treatment liquid drying time can be made symmetrical on the substrate. As a result, even in the next step, the film thickness can be maintained uniform.
본 발명에 있어서 하나의 형태에 의하면, 상기 제 1 영역 및 제 2영역에 대한 처리액의 공급은 기판 한 변의 반 정도의 길이보다 짧은 길이를 구비함과 동시에, 상기 길이 방향을 따라 처리액을 토출(吐出)하는 복수의 토출구멍을 구비하는 노즐(nozzle)에 의하여 이루어진다. 이러한 복수의 토출구멍을 구비하는 노즐에 의하여 처리액을 공급함으로써, 종래와 같은 단일구멍의 노즐과 비교하여 택트를 단축시킬 수 있어 처리액의 건조시간에 있어서 대칭성 향상에 기여한다. 또한, 예를 들면 기판 한 변의 거의 반 정도의 길이를 구비하는 노즐을 사용함으로써, 이 노즐을 기판상에서 1왕복시키는 것만으로 처리액이 기판 전체 면에 공급되기 때문에 택트를 더 단축시킬 수 있어 처리액의 건조시간에 있어서 대칭성 향상에 기여한다.According to one aspect of the present invention, the supply of the processing liquid to the first region and the second region has a length shorter than half the length of one side of the substrate, and at the same time discharges the processing liquid along the longitudinal direction. It consists of a nozzle provided with the some discharge hole which draws out. By supplying the processing liquid by the nozzle having the plurality of discharge holes, the tact can be shortened as compared with the conventional single-hole nozzle, contributing to the improvement of symmetry in the drying time of the processing liquid. Further, for example, by using a nozzle having a length of about half of one side of the substrate, the tact can be further shortened because the processing liquid is supplied to the entire surface of the substrate only by reciprocating the nozzle on the substrate. Contributes to the improvement of symmetry in drying time.
본 발명에 있어서 하나의 형태에 의하면, 상기 제 1 영역 및 제 2 영역에 대한 처리액의 공급은 상기 노즐을 기판의 한 변에 평행하게 이동시키면서 이루어지고, 기판의 양단(兩端)측으로부터 중심측에 걸쳐 처리액을 공급한다. 이에 따라 처리액 건조시간을 기판상에서 대칭으로 할 수 있다. 따라서 다음 공정에서 처리가 이루어지더라도 막두께의 균일성을 유지할 수 있다. 또한, 예를 들면 종래에는 처리액 종류에 따라서는 처리 액의 점도(粘度)가 낮아 기판의 중심부로부터 양단으로 향함에 따라 막두께가 얇아지게 되어 처리액이 그 양단으로부터 외측으로 흐르는 현상이 일어나는 경우가 있었지만, 본 발명에 의하면 기판의 중심부로부터 양단으로 향함에 따라 건조시간은 길어지기 때문에 양단으로부터 처리액이 흐를 우려는 없다.According to one aspect of the present invention, the supply of the processing liquid to the first region and the second region is performed while moving the nozzle in parallel with one side of the substrate, and is centered from both ends of the substrate. The processing liquid is supplied over the side. Thereby, processing liquid drying time can be made symmetrical on a board | substrate. Therefore, even if the treatment is performed in the next step, it is possible to maintain the uniformity of the film thickness. For example, conventionally, the viscosity of the processing liquid is low depending on the type of processing liquid, so that the film thickness becomes thinner from the center of the substrate toward both ends, so that the processing liquid flows outward from both ends thereof. However, according to the present invention, since the drying time becomes longer from the center of the substrate toward both ends, there is no fear that the processing liquid will flow from both ends.
본 발명에 있어서 하나의 형태에 의하면, 상기 제 1 영역 및 제 2 영역에 대한 처리액의 공급은 상기 노즐을 기판의 한 변에 평행하게 이동시키면서 이루어지고, 기판의 중심측으로부터 양단측에 걸쳐 처리액을 공급한다. 이에 따라 처리액 건조시간을 기판상에서 대칭으로 할 수 있다. 따라서 다음 공정에서 처리가 이루어지더라도 막두께의 균일성을 유지할 수 있다. 또한, 예를 들면 종래에는 처리액의 종류에 따라서는 처리액에 있어서 액체의 점도가 높고, 또한 표면장력 때문에 양단에 있어서 처리액이 두꺼워지는 현상이 일어나는 경우가 있었지만, 본 발명에 의하면 기판의 중심부로부터 양단으로 향함에 따라 건조시간은 짧아지기 때문에, 양단에서 처리액이 건조되어 두꺼워질 우려는 없어 막두께의 균일성을 확보할 수 있다.According to one aspect of the present invention, the supply of the processing liquid to the first region and the second region is performed while moving the nozzle in parallel with one side of the substrate, and is processed from the center side of the substrate to both ends. Supply the liquid. Thereby, processing liquid drying time can be made symmetrical on a board | substrate. Therefore, even if the treatment is performed in the next step, it is possible to maintain the uniformity of the film thickness. For example, in the past, depending on the type of treatment liquid, there was a case in which the viscosity of the liquid was high in the treatment liquid and the treatment liquid became thick at both ends due to the surface tension. Since the drying time is shortened from the both ends to the both ends, there is no fear that the treatment liquid will be dried and thick at both ends, thereby ensuring uniformity of the film thickness.
본 발명에 있어서 하나의 형태에 의하면, 기판의 외측에서 상기 노즐로부터 처리액의 토출량(吐出量)을 적게 하거나 또는 토출을 정지한다. 이에 따라 기판의 외측으로 토출되는 필요 없는 처리액을 감소시켜 처리액을 절약할 수 있다. According to one aspect of the present invention, the discharge amount of the processing liquid is reduced from the nozzle outside the substrate or the discharge is stopped. As a result, it is possible to save the processing liquid by reducing the unnecessary processing liquid discharged to the outside of the substrate.
본 발명에 있어서 하나의 형태에 의하면, 상기 제 1 영역과 제 2 영역에 대한 처리액의 공급은 기판의 한 변의 반 정도의 길이보다 짧은 길이를 각각 구비함과 동시에, 상기 길이 방향을 따라 처리액을 토출하는 복수의 토출구멍을 구비하는 제 1 노즐과 제 2 노즐에 의하여 처리액을 동시에 토출한다. 이와 같이 2개의 노즐에 의하여, 예를 들면 기판의 양단으로부터 동시에 도포하고 있기 때문에 기판의 양단에 있어서의 건조시간은 더 정확하게 일치하므로 막두께의 균일성은 더 향상되어 택트를 더 단축시킬 수 있다.According to one aspect of the present invention, the supply of the processing liquid to the first region and the second region has a length shorter than the length of about half of one side of the substrate, and the processing liquid along the length direction. The processing liquid is simultaneously discharged by the first nozzle and the second nozzle having a plurality of discharge holes for discharging the liquid. Thus, since two nozzles apply | coat simultaneously, for example from both ends of a board | substrate simultaneously, the drying time in the both ends of a board | substrate matches more correctly, and the uniformity of a film thickness can be improved further and a tact can be shortened further.
본 발명의 제 2 관점은, 기판상에 처리액을 토출하는 노즐과, 상기 노즐을 기판상에서 이동시키는 이동기구와, 상기 노즐을 상기 이동기구에 의하여 이동시켜 기판상의 제 1 영역에 처리액을 공급하고, 또한 상기 제 1 영역과 선대칭이 되는 기판상의 제 2 영역에 처리액을 공급하도록 제어하는 제어부를 구비한다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a nozzle for discharging a processing liquid onto a substrate, a moving mechanism for moving the nozzle on the substrate, and moving the nozzle by the moving mechanism to supply the processing liquid to the first region on the substrate. And a control unit for controlling the supply of the processing liquid to the second region on the substrate which is in line symmetry with the first region.
이러한 구성에 의하면, 예를 들면 노즐을 이동시키면서 제 1 영역으로서 기판의 일단에 처리액을 공급하고, 다음에 제 1 영역과 선대칭이 되는 제 2 영역으로서 상기 일단의 대변측 타단에 처리액을 공급함으로써, 처리액의 건조시간을 기판상에서 대칭으로 할 수 있다. 이에 따라 다음 공정에서 처리가 이루어지더라도 막두께의 균일성을 유지할 수 있다.According to this structure, for example, the processing liquid is supplied to one end of the substrate as the first region while the nozzle is moved, and then the processing liquid is supplied to the other end of the opposite side of the one end as the second region which is linearly symmetric with the first region. By doing this, the drying time of the processing liquid can be made symmetrical on the substrate. As a result, even in the next step, the film thickness can be maintained uniform.
본 발명에 있어서 하나의 형태에 의하면, 상기 노즐은 기판 한 변의 반 정도의 길이보다 짧은 길이를 구비함과 동시에, 상기 길이 방향을 따라 처리액을 토출하는 복수의 토출구멍을 구비한다. 이와 같은 복수의 토출구멍을 구비하는 노즐에 의하여 처리액을 공급함으로써, 종래와 같은 단일구멍의 노즐과 비교하여 택트를 단축시킬 수 있어 처리액의 건조시간에 있어서 대칭성 향상에 기여한다. 또한, 예를 들면 기판 한 변의 거의 반 정도의 길이를 구비하는 노즐을 사용함으로써, 이 노즐을 기판상에서 1왕복시키는 것만으로 처리액이 기판 전체 면에 공급되기 때문에 택트를 더 단축시킬 수 있어 처리액의 건조시간에 있어서 대칭성 향상에 기여한다.According to one aspect of the present invention, the nozzle has a length shorter than about half the length of one side of the substrate and has a plurality of discharge holes for discharging the processing liquid along the length direction. By supplying the processing liquid by the nozzles having such a plurality of discharge holes, the tact can be shortened as compared with the conventional single-hole nozzle, contributing to the improvement of symmetry in the drying time of the processing liquid. Further, for example, by using a nozzle having a length of about half of one side of the substrate, the tact can be further shortened because the processing liquid is supplied to the entire surface of the substrate only by reciprocating the nozzle on the substrate. Contributes to the improvement of symmetry in drying time.
본 발명에 있어서 하나의 형태에 의하면, 상기 제 1 영역 및 제 2 영역에 대한 처리액의 공급은 상기 노즐을 기판의 한 변에 평행하게 이동시키면서 이루어지고, 기판의 양단측으로부터 중심측에 걸쳐 처리액을 공급하도록 제어하는 수단을 더 구비한다. 이에 따라 처리액의 건조시간을 기판상에서 대칭으로 할 수 있다. 따라서 다음 공정에서 처리가 이루어지더라도 막두께의 균일성을 유지할 수 있다. 또한, 예를 들면 종래에는 처리액의 종류에 따라서는 처리액의 점도가 낮아 기판의 중심부로부터 양단으로 향함에 따라 막두께가 얇아지게 되어 처리액이 그 양단으로부터 외측으로 흐르는 현상이 일어나는 경우가 있었지만, 본 발명에 의하면 기판의 중심부로부터 양단으로 향함에 따라 건조시간은 길어지게 되기 때문에 양단으로부터 처리액이 흐를 우려는 없다.According to one aspect of the present invention, the supply of the processing liquid to the first region and the second region is performed while moving the nozzle in parallel with one side of the substrate, and is processed from both ends of the substrate to the center side. And means for controlling to supply the liquid. Thereby, the drying time of a process liquid can be made symmetrical on a board | substrate. Therefore, even if the treatment is performed in the next step, it is possible to maintain the uniformity of the film thickness. For example, in the past, depending on the type of the processing liquid, the viscosity of the processing liquid was low, so that the film thickness became thin as it went from the center of the substrate to both ends, so that the processing liquid flowed outward from both ends thereof. According to the present invention, since the drying time becomes longer as it goes from the center of the substrate to both ends, there is no fear that the processing liquid flows from both ends.
본 발명에 있어서 하나의 형태에 의하면, 상기 처리액의 공급은 상 기 노즐을 기판의 한 변에 평행하게 이동시키면서 이루어지고, 기판의 중심측으로부터 양단측에 걸쳐 처리액을 공급하도록 제어하는 수단을 더 구비한다. 이에 따라 처리액의 건조시간을 기판상에서 대칭으로 할 수 있다. 따라서 다음 공정에서 처리가 이루어지더라도 막두께의 균일성을 유지할 수 있다. 또한, 예를 들면 종래에는 처리액의 종류에 따라서는 처리액에 있어서 액체의 점도가 높고, 또한 표면장력 때문에 양단에서 처리액이 두꺼워지는 현상이 일어나는 경우가 있었지만, 본 발명에 의하면 기판의 중심부로부터 양단으로 향함에 따라 건조시간은 짧아지기 때문에 양단에 있어서 처리액이 건조되어 두꺼워질 우려는 없어 막두께의 균일성을 확보할 수 있다.According to one aspect of the present invention, the supply of the processing liquid is performed while moving the nozzle in parallel to one side of the substrate, and means for controlling the supply of the processing liquid from the center side of the substrate to both ends. It is further provided. Thereby, the drying time of a process liquid can be made symmetrical on a board | substrate. Therefore, even if the treatment is performed in the next step, it is possible to maintain the uniformity of the film thickness. For example, in the past, depending on the type of treatment liquid, there was a case in which the viscosity of the liquid was high in the treatment liquid and the treatment liquid became thick at both ends due to the surface tension. Since the drying time is shortened toward both ends, there is no fear that the treatment liquid will dry and become thick at both ends, thereby ensuring uniformity of the film thickness.
본 발명에 있어서 하나의 형태에 의하면, 기판의 외측에서 상기 노즐로부터 처리액의 토출량을 적게 하거나 또는 토출을 정지하도록 제어하는 수단을 더 구비한다. 이에 따라 기판의 외측으로 토출되는 필요 없는 처리액을 감소시켜 처리액을 절약할 수 있다.According to one aspect of the present invention, there is further provided a means for controlling to reduce the discharge amount of the processing liquid from the nozzle outside the substrate or to stop the discharge. As a result, it is possible to save the processing liquid by reducing the unnecessary processing liquid discharged to the outside of the substrate.
본 발명의 제 3 관점은, 기판상의 제 1 영역에 처리액을 공급하는 제 1 노즐과, 상기 제 1 영역과 선대칭이 되는 기판상의 제 2 영역에 처리액을 공급하는 제 2 노즐을 구비한다.A 3rd viewpoint of this invention is provided with the 1st nozzle which supplies a process liquid to a 1st area | region on a board | substrate, and the 2nd nozzle which supplies a process liquid to the 2nd area | region on a board | substrate which is linearly symmetrical with the said 1st area | region.
이러한 구성에 의하면 2개의 노즐에 의하여, 예를 들면 기판의 양단으로부터 동시에 도포되고 있기 때문에 기판의 양단에 있어서의 건조시간은 더 정확하게 일치하므로 막두께의 균일성은 더 향상되어 택트를 더 단축시킬 수 있다. 이에 따라 처리액의 건조시간에 있어서 대칭성 향상에 기여한다.According to such a structure, since the two nozzles apply | coat simultaneously from both ends of a board | substrate simultaneously, for example, the drying time in the both ends of a board | substrate matches more accurately, and the uniformity of a film thickness can be improved further and a tact can be shortened further. . This contributes to the improvement of symmetry in the drying time of the treatment liquid.
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 의거하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the Example of this invention is described based on drawing.
도 1 은 본 발명이 적용되는 LCD 기판의 레지스트 도포(塗布)·현상(現像) 처리시스템을 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing a resist coating and developing processing system for an LCD substrate to which the present invention is applied.
이 도포·현상 처리시스템은, 복수의 기판(G)을 수용하는 카세트(C)를 재치(載置)하는 카세트 스테이션(1)과, 기판(G)에 레지스트 도포 및 현상을 포함하는 일련의 처리를 하기 위한 복수의 처리 유닛을 갖춘 처리부(2)와, 노광장치(도면에는 나타내지 않는다)와의 사이에서 기판(G)을 반송하기 위한 인터페이스부(3)를 구비하고 있고, 처리부(2)의 양단(兩端)에 카세트 스테이션(1) 및 인터페이스부(3)가 각각 배치되어 있다.This coating and developing processing system includes a
카세트 스테이션(1)은 카세트(C)와 처리부(2) 사이에서 LCD 기판을 반송하기 위한 반송기구(10)를 갖추고 있다. 그리고 카세트 스테이션(1)에서 카세트(C)의 반출입이 이루어진다. 또한 반송기구(10)는 카세트의 배열방향을 따라 설치되는 반송로(10a)상을 이동할 수 있는 반송암(11)을 갖추고, 이 반송암(11)에 의하여 카세트(C)와 처리부(2) 사이에서 기판(G)의 반송이 이루어진다.The
처리부(2)는 전단부(前段部)(2a)와 중단부(中段部)(2b)와 후단부(後段部)(2c)로 나누어져 있고, 각각 중앙에 반송로(12, 13, 14)를 구비하고, 이들 반송로의 양측에 각 처리 유닛이 설치되어 있다. 그리고 이들 사이에는 중계부(15, 16)가 설치되어 있다.The
전단부(2a)는 반송로(12)를 따라 이동할 수 있는 주반송장치(17)를 갖추고 있고, 반송로(12)의 일방(一方)에는 2개의 세정 유닛(SCR)(21a, 21b)이 배치되어 있고, 반송로(12)의 타방(他方)에는 자외선 조사(紫外線 照射) 유닛(UV)과 냉각 유닛(COL)이 상하로 포개어져 이루어지는 자외선 조사/냉각 유닛(25), 2개의 가열처리 장치(HP)가 상하로 포개어져 이루어지는 가열처리 유닛(26) 및 2개의 냉각 장치(COL)가 상하로 포개어져 이루어지는 냉각 유닛(27)이 배치되어 있다.The
또한 중단부(2b)는 반송로(13)를 따라 이동할 수 있는 주반송장치(18)를 갖추고 있고, 반송로(13)의 일방에는 본 발명에 관한 레지스트 도포처리 유닛(CT)(22)이 배치되고, 이 레지스트 도포장치(CT)(22)에 인접하게 감압건조 장치(VD)(40)가 배치되고, 또한 기판(G)의 엣지부나 기판(G)의 뒷면 가장자리에 부착되는 레지스트의 제거처리가 이루어지는 엣지 리무버(ER)(23)가 이 감압건조 장치(VD)(40)에 인접하게 배치되어 있다. 반송로13의 타방에는 2개의 가열 장치(HP)가 상하로 포개어져 이루어지는 가열처리 유닛(28), 가열처리 장치(HP)와 냉각처리 장치(COL)가 상하로 포개어져 이루어지는 가열처리/냉각 유닛(29) 및 소수화 처리를 하는 접착강화처리 장치(AD)와 냉각 장치(COL)가 상하로 적층(積層)되어 이루어지는 접착강화처리/냉각 유닛(30)이 배치되어 있다.
Moreover, the interruption | blocking
또한 후단부(2c)는 반송로(14)를 따라 이동할 수 있는 주반송장치(19)를 갖추고 있고, 반송로(14)의 일방에는 3개의 현상처리 장치(DEV)(24a, 24b, 24c)가 배치되어 있고, 반송로(14)의 타방에는 2개의 가열처리 장치(HP)가 상하로 포개어져 이루어지는 가열처리 유닛(31) 및 가열처리 장치(HP)와 냉각 장치(COL)가 상하로 적층되어 이루어지는 2개의 가열처리/냉각 유닛(32, 33)이 배치되어 있다.In addition, the
상기 주반송장치(17, 18, 19)는, 수평면 내에 있어서 각각 2방향의 X축 구동기구, Y축 구동기구 및 수직방향의 Z축 구동기구를 각각 갖추고 있고, 또한 Z축을 중심으로 회전하는 회전 구동기구를 갖추고 있고, 기판(G)을 지지하는 암(17a, 18a, 19a)을 각각 구비하고 있다. 이들 암(17a, 18a, 19a)에 의하여 기판(G)을 각 처리 유닛으로 반송할 수 있게 되어 있다.The
또 처리부(2)는 반송로를 사이에 두고 일방에 세정처리 장치(21a, 21b), 레지스트 도포장치(CT)(22), 현상처리 장치(24a, 24b, 24c)와 같은 도포계 유닛만을 배치하고 있고, 타방에 가열처리 유닛이나 냉각처리 유닛 등 열처리계 유닛만을 배치하는 구조로 되어 있다.Moreover, the
또한 중계부(15, 16)에 있어서 도포계 유닛을 배치한 측의 부분에는 약액(藥液) 공급 유닛(34)이 각각 배치되어 있고, 또한 메인터넌스가 가능한 스페이스(space)(35)가 각각 설치되어 있다.In the
인터페이스부(3)는, 처리부(2)와의 사이에서 기판을 반송할 때에 기판 을 일시적으로 지지하는 익스텐션(36)과, 또한 그 양측에 설치되어 버퍼 카세트를 배치하는 2개의 버퍼 스테이지(37)와, 이들과 노광장치(도면에는 나타내지 않는다) 사이에서 기판(G)을 반출입하는 반송기구(38)를 구비하고 있다. 반송기구(38)는 익스텐션(36) 및 버퍼 스테이지(37)의 배열방향을 따라 설치되는 반송로(38a)상을 이동할 수 있는 반송암(39)을 갖추고, 이 반송암(39)에 의하여 처리부(2)와 노광장치 사이에서 기판(G)의 반송이 이루어진다.The
도 2 및 도 3 은 레지스트 도포장치(CT)(22)를 나타내고 있다. 이들 도면에 나타나 있는 바와 같이, 레지스트 도포장치(CT)(22)의 중앙에는 바닥을 구비하는 원통모양의 프레임(frame)(71a)이 배치되고, 이 프레임(71a) 내에는 글래스 기판(G)을 고정, 지지하기 위한 지지부인 기판 흡착 테이블(58)이 배치되어 있다. 또한 이 프레임(71a)의 상부에는 글래스 기판(G)을 출납하기 위한 개구부(71c)가 형성되어 있다.2 and 3 show a resist coating device (CT) 22. As shown in these figures, a
기판 흡착 테이블(58)에는 글래스 기판(G)을 진공으로 흡착하여 지지하기 위한 진공흡착 장치(72)가 접속되어 있다. 또한 이 기판 흡착 테이블(58)은 로드(75)를 통하여 승강 실린더(73)에 의하여 상하방향으로 승강(昇降)시킬 수 있도록 되어 있다. 또 이 승강 실린더(73)는 CPU(74)에 의하여 그 동작이 제어된다. 구체적으로는, 로드(75)의 하부측이 도면에 나타나 있지 않은 통체 내에 설치되어 있고, 이 통체 내에서 로드(75)는 배큠 실 부(vaccum seal 部)(76)를 통하여 승강 실린더(73)의 구동에 의하여 상하방향으로 이동할 수 있게 되어 있다.The substrate adsorption table 58 is connected with a
프레임(71a)의 양측에는 반송레일(66, 66)이 배치되어 있고, 반송레일(66, 66) 사이에는 스캔기구(scan 機構)(100)가 설치되어 있다. 이 스캔기구(100)는, 반송레일(66, 66) 사이에 걸쳐지고 이 반송레일(66, 66)을 따라 Y방향으로 이동하는 제 1 슬라이더(67)와, 이 제 1 슬라이더(67)에 부설(附設)되어 제 1 슬라이더(67)의 길이 방향을 따라 X방향으로 이동할 수 있으며 레지스트를 토출(吐出)하는 노즐(46)이 고정되는 제 2 슬라이더(43)를 구비하여 구성된다. 노즐(46)은 레지스트액을 저장하는 탱크(50)로부터 공급관(42)에 의하여 접속되고, 노즐(46)과 탱크(50) 사이에는 레지스트액을 토출시키기 위한 벨로스 펌프(bellow pump)(49)가 접속되어 있다. 노즐(46)의 밑면측에는 도면에 나타내지 않은 복수의 토출구멍이 예를 들면 20개 설치되어 있다.Carrying
반송레일(66)에 있어서 일방의 주행단(走行端) 부근에는, CPU(74)의 명령에 의하여 이 반송레일(66)을 따라 제 1 슬라이더(67)를 이동시키는 동시에, 제 2 슬라이더(43)를 제 1 슬라이더(67)를 따라 이동시키는 구동부(48)가 설치되어 있다. 또한 CPU(74)는 각 슬라이더(67) 및 (43)의 이동거리, 즉 글래스 기판(G)상의 노즐(46)의 이동위치에 따라 벨로스 펌프(49)의 작동량을 제어하여 레지스트액의 토출량을 가변시키고 있다.In the
이상과 같이 구성되는 레지스트 도포·현상 처리시스템의 작용을 설명한다. The operation of the resist coating and developing processing system configured as described above will be described.
도 1 을 참조하여 설명하면, 카세트(C) 내의 기판(G)이 반송암(11)에 의하여 처리부(2)로 반송된다. 처리부(2)에서는 전단부(2a)의 자외선 조사/냉각 유닛(25)의 자외선 조사 장치(UV)에서 표면의 개질(改質)·세정(洗淨) 처리가 우선 이루어지고, 이 후에 이 유닛의 냉각 장치(COL)에서 냉각된 후, 세정 유닛(SCR)(21a, 21b)에서 스크러버 세정이 실시되고, 전단부(2a)에 배치되는 가열처리 장치(HP) 중 어느 하나에서 가열건조된 후, 냉각 유닛(27) 중 어느 하나의 냉각 장치(COL)에서 냉각된다.Referring to FIG. 1, the substrate G in the cassette C is conveyed to the
이 후에 기판(G)은 중단부(2b)로 반송되어 레지스트의 정착성(定着性)을 높이기 위하여 유닛(30) 상단의 접착강화처리 장치(AD)에서 소수화 처리(HMDS 처리)되고, 하단의 냉각 장치(COL)에서 냉각된 후에 레지스트 도포장치(CT)(22)로 반입된다.Subsequently, the substrate G is conveyed to the
이 레지스트 도포장치(CT)(22)에서는, 기판 흡착 테이블(58)이 프레임(71a)의 개구부(71c)보다 상방으로 상승하고 있는 상태에서 주반송장치(18)에 의하여 이 기판 흡착 테이블(58)상에 글래스 기판(G)이 우선 이동하여 놓여지고 진공으로 흡착되어 지지된다. 다음에 승강 실린더(73)의 구동에 의하여 기판 흡착 테이블(58)이 하강하게 되어 글래스 기판(G)이 개구부(71c)를 통과하여 프레임(71a) 내로 반입된다.In this resist coating apparatus (CT) 22, the board | substrate adsorption table 58 is carried out by the main conveying
계속해서 글래스 기판(G)의 크기에 따라 CPU(74)의 명령에 의거하여 구동부(48)는 제 1 슬라이더(67)를 반송레일(66)을 따라 Y방향으로 이동시킴과 동시에, 제 2 슬라이더(43)를 제 1 슬라이더(67)를 따라 X방향으로 이동 시킨다. 이에 따라 제 2 슬라이더에 고정되어 있는 노즐(46)이 도 4(a)에 나타나 있는 바와 같이, 예를 들면 기판(G)에 있어서 한 변(G1)의 모서리 외측에 위치하는 소정의 토출 시작점S1까지 이동한다.Subsequently, the
그리고 노즐(46)이 토출 시작점(S1)으로부터 변(G1)과 마주보는 변인 (G3)을 향하여 Y방향으로 이동하여 도 4(b)에 나타나 있는 바와 같이 제 1 번째 열의 레지스트(R)를 토출한다. 여기에서 도면에 나타내는 것을 쉽게 하기 위하여 노즐(46)로부터 토출되는 레지스트(R)는 5개의 실선으로 나타내고 있지만, 토출구멍은 예를 들면 20개 설치되어 있으므로 실제로는 더 가는 20개의 선이 된다. 계속해서 변(G3)의 외측에 위치하는 소정의 위치(S2)까지 이동하면 레지스트 토출을 정지하고, 도 5(a)에 나타나 있는 바와 같이 위치(S2)로부터 변(G4)을 향하여 기판(G)의 모서리 외측에 위치하는 소정의 위치(S3)까지 X방향으로 이동한다. 그리고 위치(S3)로부터 다시 토출을 시작하여 도 5(b)에 나타나 있는 바와 같이 위치(S3)로부터 변(G1)을 향하여 Y방향으로 이동하면서 제 2 번째 열의 레지스트(R2)를 토출하고, 변(G1)의 모서리 외측에 위치하는 소정의 위치(S4)까지 도달하면 여기에서 토출을 정지하고, 계속해서 이 위치(S4)로부터, 토출 시작점(S1)에서 노즐(46)의 폭 만큼 변(G4)측으로 이동한 위치(S5)까지 X방향으로 이동하고, 이 위치(S5)로부터 다시 변(G3)을 향하여 Y방향으로 이동하면서 제 3 번째 열의 레지스트(R3)를 토출한다. 이상의 동작을 되풀이 하여, 즉 기판(G)의 양단부(兩端部)로부터 중심부로 옮겨가면서 레지스트를 공급하여 글래스 기판(G)의 전체 면에 레지스트가 도포된다.Then, the
도 6 은, 이상에서 설명한 바와 같이 기판(G)상에 있어서의 노즐(46)의 궤적(軌跡)을 모식적으로 나타내고 있다. 이와 같이 도포순서가 토출 시작점 S1으로부터 S2(제1열), S2로부터 S3, S3로부터 S4(제2열),···, Sn-1로부터 토출 종료점Sn(제n열)과, 기판(G)의 양단부(G2) 및 (G4)로부터 중심부를 향하도록 도포하고 있으므로 양단부(G2) 및 (G4)에서 도포열(塗布列)의 건조시간이 대략 동일하게 된다. 또한 도면에서 각 도포열의 건조시간이 점선으로 나타나 있는 기판 중심선(M)의 도포열을 중심으로 하여 대칭으로 되어 있기 때문에, 이 건조상태 그대로 다음 공정의 처리가 진행되어 막두께의 균일성을 확보할 수 있다. 또한 노즐(46)이 기판(G)의 외측을 이동하는 때에는 레지스트액 토출을 정지하고 있으므로 레지스트를 절약할 수 있다.FIG. 6 schematically shows the trajectory of the
또한 종래에는 레지스트 종류에 따라서는, 레지스트액의 점도(粘度)가 낮아 기판G의 중심열(中心列)로부터 양단부(G2) 및 (G4)로 향함에 따라 막두께가 얇아지게 되어 레지스트액이 그 양단(G2) 및 (G4)으로부터 외측으로 흐르는 현상이 일어나는 경우가 있었지만, 본 실시예에 의하면 기판(G)의 중심열로부터 양단으로 향함에 따라 건조시간이 길어지게 되어 양단으로부터 레지스트액이 흐를 우려는 없다.Also, conventionally, depending on the type of resist, the viscosity of the resist liquid is low, so that the film thickness becomes thinner from the center row of the substrate G toward both ends G2 and G4. In some cases, a phenomenon that flows outward from both ends G2 and G4 occurs, but according to this embodiment, the drying time becomes longer as it goes from the center row of the substrate G to both ends, so that the resist liquid flows from both ends. There is no.
또한 도 6 에 나타나 있는 기판 중심열의 토출 종료점(Sn)을, 도 7 에 나타나 있는 바와 같이 토출 시작점(S1)으로 하여 상기 실시예의 도포 순서와는 역의 순서로 도포하여도 좋다. 즉 중심 열에 있어서 기판 외측 소정의 토출 시작점(S1)으로부터 변(G3)을 향하여 Y방향으로 이동하면서 레지스트를 토출하여 변(G3) 외측의 소정의 위치(S2)까지 이동하면 레지스트 토출을 정지하고, 이 위치(S2)로부터 노즐(46)의 폭 만큼 변(G2)을 향하여 X방향으로 이동하고, 계속해서 위치(S3)로부터 변(G1)을 향하여 변(G1) 외측의 위치(S4)까지 Y방향으로 이동하면서 토출한다. 그리고 (S4)에서 토출을 정지하고, 노즐(46) 폭의 2배만큼 해당하는 위치(S5)까지 X방향으로 이동하고 다시 Y방향으로 이동하면서 토출한다. 이렇게 함으로써 도 6 에 나타나 있는 도포순서와 마찬가지로 양단부(G2) 및 (G4)에 있어서 도포열의 건조시간이 대략 동일하게 되어 막두께를 균일하게 할 수 있다.In addition, the discharge end point Sn of the substrate center row shown in FIG. 6 may be applied in a reverse order to the application procedure of the above embodiment as the discharge start point S1 as shown in FIG. 7. That is, when the resist is discharged while moving in the Y direction from the predetermined discharge start point S1 outside the substrate toward the side G3 in the center column and moved to the predetermined position S2 outside the side G3, resist discharge is stopped. It moves from this position S2 toward the side G2 toward the side G2 by the width of the
특히 종래에는 레지스트의 종류에 따라서는, 레지스트액의 점도가 높고, 또한 표면장력 때문에 양단에서 레지스트가 두껍게 되는 현상이 일어나는 경우가 있었지만, 본 실시예에 의하면 기판G의 중심열로부터 양단(G2) 및 (G4)으로 향함에 따라 건조시간은 짧아지게 되기 때문에 양단에 있어서 레지스트가 건조되어 두꺼워질 우려는 없어 막두께의 균일성(均一性)을 확보할 수 있다. 또한 본 실시예에서도 노즐(46)이 기판(G)의 외측을 이동하는 때에는 레지스트액 토출을 정지하고 있으므로 필요 없는 레지스트액을 공급하지 않아 레지스트액을 절약할 수 있다.Particularly in the past, depending on the type of resist, a phenomenon in which the resist liquid is high and the resist becomes thick at both ends may occur due to the surface tension, but according to the present embodiment, both ends (G2) and Since the drying time is shortened toward (G4), there is no fear that the resist is dried and thick at both ends, so that uniformity of the film thickness can be ensured. Also in this embodiment, when the
레지스트 도포장치(CT)(22)에서 처리액이 도포된 후에는 로드(75)가 상승하여 글래스 기판(G)은 진공흡착이 해제되고, 레지스트 도포장치(CT)(22)로 부터 엣지 리무버(ER)(23) 사이에서 기판(G)을 반송하는 도면에 나타내지 않은 암에 의하여 다음 공정인 감압건조 장치(VD)(40)까지 반송되어 건조처리된다. 계속해서 엣지 리무버(ER)에 의하여 기판(G)의 엣지부분이나 기판(G)의 뒷면 가장자리에 부착된 레지스트의 제거 처리가 이루어진다.After the treatment liquid is applied by the resist coating device (CT) 22, the
이 후에 글래스 기판(G)은 중단부(2b)에 배치된 가열처리 장치(HP) 중 어느 하나에서 프리베이크 처리되고, 유닛(29) 또는 (30) 하단의 냉각 장치(COL)에서 냉각되고, 중계부(16)로부터 주반송장치(19)에 의하여 인터페이스부(3)를 통하여 도면에 나타내지 않은 노광장치로 반송되어 여기에서 소정의 패턴이 노광된다. 그리고 기판(G)은 다시 인터페이스부(3)를 통하여 반입되고, 필요에 따라 후단부(2c)에 있어서 어느 하나의 가열처리 장치(HP)에서 포스트 엑스포저 베이크 처리를 한 후에 현상처리 유닛(DEV)(24a, 24b, 24c) 중 어느 하나에서 현상처리된다.After this, the glass substrate G is prebaked in any one of the heat treatment devices HP disposed at the
현상처리 유닛(DEV)(24a, 24b, 24c) 중 어느 하나에서 현상처리가 이루어진 후, 처리된 기판(G)은 후단부(2c)에 있어서 어느 하나의 가열처리 장치(HP)에서 포스트 베이크 처리가 실시된 후, 냉각 장치(COL)에서 냉각되고, 주반송장치(19, 18, 17) 및 반송기구(10)에 의하여 카세트 스테이션(1)상의 소정의 카세트에 수용된다.After the developing treatment is performed on any one of the developing units (DEVs) 24a, 24b, and 24c, the processed substrate G is post-baked by any one of the heat treating apparatuses HP at the
도 8 은 제 2 실시예의 레지스트 도포장치를 나타내고 있고, 이 레지스트 도포장치(CT)(41)에 있어서 제 1 실시예의 레지스트 도포장치(CT)(22)의 구성요소와 다른 점은 복수의 토출구멍을 구비하는 노즐(46)이 2개 설치되 어 있다는 점이다. 이들 일방(一方)의 노즐(46a) 및 타방(他方)의 노즐(46b)은 제 1 슬라이더(67)를 따라 X방향으로 이동하는 일방의 제 1 슬라이더(43a) 및 타방의 제 2 슬라이더(43b)에 각각 고정되어 있다. 또한 일방의 노즐(46a) 및 타방의 노즐(46b)은 레지스트액 공급관(42)에 각각 접속되어 있다. 이 이외의 구성요소는 동일하므로 동일한 부호를 붙이고 이에 대한 설명을 생략한다.8 shows the resist coating apparatus of the second embodiment, which differs from the components of the resist coating apparatus (CT) 22 of the first embodiment in the resist coating apparatus (CT) 41. Is provided with two
이 레지스트 도포장치(CT)(41)에서는 구동부(48)에 의하여 제 1 슬라이더(67)가 반송레일(66)을 따라 Y방향으로 우선 이동함과 동시에, 일방 및 타방의 제 2 슬라이더(43a) 및 (43b)가 제 1 슬라이더(67)를 따라 X방향으로 이동한다. 이에 따라 일방의 제 1 슬라이더(43a)에 고정되어 있는 일방의 노즐(46a)이 도 9(a) 에 나타나 있는 바와 같이, 예를 들면 기판(G)에 있어서 한 변(G1)의 일방 모서리 외측에 위치하는 소정의 토출 시작점(S1a)까지 이동함과 동시에, 타방의 제 2 슬라이더(43b)에 고정되어 있는 타방의 노즐(46b)이 한 변(G1)의 타방 모서리 외측에 위치하는 소정의 토출 시작점(S1b)까지 이동한다. 그리고 일방의 노즐(46a) 및 타방의 노즐(46b)은 각각 Y방향으로 동시에 이동하면서 제 1 번째 열의 레지스트를 공급하고, 도9(b)에 나타나 있는 바와 같이 변(G3)의 외측에 위치하는 소정의 위치(S2a) 및 (S2b)까지 도달하면 CPU(74)의 제어에 의하여 각각 레지스트 토출량을 적게 한다. 그리고 이 토출량을 유지한 채 그대로 일방의 노즐(46a)은 도면 중에서 X방향의 좌측 방향으로 (S3a)까지 이동함과 동시 에, 타방의 노즐(46b)도 도면 중에서 X방향의 우측 방향으로 (S3b)까지 이동하고, (S3a) 및 (S3b)에서 각각의 토출량을 다시 제 1 열과 동일하게 하여 Y방향으로 동시에 이동하면서 제 2 번째 열의 레지스트를 토출한다. 그리고 변(G1)의 외측 S4a 및 S4b까지 각각 도달하면, S2a∼S3a, S2b∼S3b에서와 마찬가지로 레지스트 토출량을 적게 하고, S5a 및 S5b로부터 각각의 토출량을 제 1 열 및 제 2 열과 동일하게 하여 Y방향으로 이동한다. 이러한 동작을 되풀이 함으로써 기판(G) 양단의 제 1 열로부터 중심열인 제 n 열까지 전체 면에 레지스트를 도포한다.In this resist coating device (CT) 41, the
이 제 2 실시예에 의하면, 기판(G) 양단의 제 1 열로부터 중심열인 제 n 열까지 순차적으로 도포하므로 제 1 실시예에서의 효과와 동일한 효과가 얻어짐과 동시에, 2개의 노즐(46a) 및 (46b)에 의하여 기판(G) 양단으로부터 동시에 도포하므로 기판(G)의 양단에 있어서의 건조시간은 더 정확하게 일치하기 때문에 막두께의 균일성은 더 향상되고, 또한 제 1 실시예보다 택트(tact)를 단축시킬 수 있다.According to this second embodiment, since the coating is applied sequentially from the first row across the substrate G to the nth row, which is the central row, the same effect as in the first embodiment is obtained, and at the same time, two
또한 S2a∼S3a 사이, S4a∼S5a 사이 등 기판(G)의 외측에서는 레지스트액의 토출량을 적게 하기 때문에 레지스트액을 절약할 수 있다. 또 이 기판(G) 외측에서 토출량을 적게 하지 않고 제 1 실시예와 마찬가지로 토출을 정지하여도 좋다.In addition, since the discharge amount of the resist liquid is reduced outside the substrate G such as between S2a to S3a and S4a to S5a, the resist liquid can be saved. The discharge may be stopped in the same manner as in the first embodiment without reducing the discharge amount on the outside of the substrate G.
도 10 은 상기한 제 2 실시예에서의 도포순서를 역으로 하는 것을 나타내는 도면이다. 즉 2개의 노즐(46a) 및 (46b)에 의하여 소정의 중심부 토출 시작점(S1a) 및 (S1b)에서 토출하여, 기판(G)의 중심부 제 1 열로부터 기판(G)의 양단 제 n 열까지 전체 면에 도포한다. 도 11 은 2개의 노즐(46a) 및 (46b)에 의하여 각각 변(G1)의 외측 양단 토출 시작점(S1a) 및 (S1b)으로부터 동시에 변(G3)의 외측 양단위치(S2a) 및 (S2b)까지 토출하고, 위치(S2a) 및 (S2b)로부터 기판 중심열의 위치(S3a) 및 (S3b)까지 각각 이동하고, 여기에서 변(G1)의 외측 위치(S4a) 및 (S4b)까지 각각 토출하고, 이를 되풀이 하여 소정의 토출 종료점까지 동시에 이동하면서 토출한다.Fig. 10 is a diagram showing the application procedure reversed in the second embodiment described above. That is, two
도 10 및 도 11 에 나타나 있는 도포순서에 의하여 기판(G) 양단에 도포되는 레지스트의 건조시간은 동일하게 되고, 이 건조상태에서 다음 공정의 처리가 진행되기 때문에 막두께를 균일하게 할 수 있다. 이는 제 1 실시예와 마찬가지로, 특히 기판(G) 양단의 막두께가 정밀하게 제어될 필요가 있는 경우에 유효하다. 또한 이상의 경우에 있어서도 기판(G) 외측의 S2a∼S3a 사이 등은 레지스트 토출량을 적게 하거나 또는 토출을 정지하고 있다. 이에 따라 레지스트를 절약할 수 있다.The drying time of the resist applied to the both ends of the substrate G becomes the same by the application procedure shown in Figs. 10 and 11, and the film thickness can be made uniform because the processing of the next step proceeds in this dry state. This is effective, as in the first embodiment, especially when the film thickness across the substrate G needs to be precisely controlled. Also in the above case, between the S2a and the S3a outside the substrate G, the discharge amount of the resist is reduced or the discharge is stopped. As a result, the resist can be saved.
도 12(a), (b) 는 제 3 의 실시예에 의한 레지스트 공급방법을 나타내고 있다. 본 실시예에서는, 도 12(a) 에 나타나 있는 바와 같이 하나의 노즐(46)에 의하여 제 1 실시예에서의 토출 시작점(S1)(도4(a))보다 노즐(46) 폭의 반만큼 도면 중에서 우측 방향으로 어긋난 위치S1′로부터 위치S2′까지 레지스트를 Y방향으로 토출하면서 이동하고(제1열), 계속해서 제 1 실 시예에서의 위치(S3)보다 노즐(46) 폭의 반만큼 도면 중에서 좌측 방향으로 어긋난 위치S3′까지 이동하고, 위치S3′로부터 위치S4′까지 Y방향으로(제2열) 이동하면서 토출한다. 그리고 위치S4′로부터 제 1 실시예에서의 토출 시작점(S1)에 상당하는 위치S5′까지 이동하여 제 1 열 레지스트에 노즐(46) 폭의 반만 포개어 도포하면서 Y방향으로 이동한다(제3열). 계속해서 제 2 번째 열에서도 마찬가지로 포개어 도포하면서 변(G1)을 향하여 Y방향으로 이동하고, 이 폭의 반만 포개어 도포하는 동작을 되풀이 하여 기판G의 양단으로부터 중심열을 향하여 순차적으로 도포한다. 또 이 경우에도 S2′∼S3′ 사이 등 기판(G)의 외측에서 이동할 때에는 토출량을 적게 하거나 또는 정지하고 있다.12 (a) and 12 (b) show a resist supply method according to the third embodiment. In this embodiment, as shown in Fig. 12A, by one
본 실시예에 의하면 각 열에 있어서 도포된 레지스트 사이에 도포되지 않은 부분이 발생할 우려는 없어 막두께를 균일하게 도포할 수 있다. 또한 본 실시예에서는, 제 1 열과 제 3 열 및 제 2 열과 제 4 열을 포개어 도포하지 않고, 제 1 및 제 2 실시예와 마찬가지로 노즐 폭 정도의 도포를 하고, 이 이외의 각 열은 포개어 도포를 하여도 좋다. 이에 따라 기판 양단(G2) 및 (G4)의 막두께를 다른 부위의 막두께보다 얇게 하여 양단 막두께가 두꺼워지는 것을 억제할 수 있다. 따라서 막두께의 균일성을 확보할 수 있다. 또 이 경우에는 이 양단의 도포량(제 1 열 및 제 2 열의 도포량)을 조정하여도 좋다.According to this embodiment, there is no possibility that uncoated portions may occur between the resists applied in each row, and the film thickness can be uniformly applied. In the present embodiment, the first row, the third row, and the second row and the fourth row are not overlapped and coated, and the coating is performed in the same manner as the first and second embodiments, and the other rows are stacked and coated. May be used. Thereby, the film thickness of both ends G2 and G4 of a board | substrate can be made thinner than the film thickness of another site | part, and it can suppress that the film thickness of both ends becomes thick. Therefore, uniformity of the film thickness can be secured. In this case, the coating amounts (coating amounts of the first row and the second row) at both ends may be adjusted.
다음에 도 13 을 참조하여 제 4 실시예에 관한 레지스트 공급방법에 관하여 설명한다. 본 실시예에서는, 글래스 기판(G)이 대형으로서 제품영역이 4면, 예를 들면 G1, G2, G3 및 G4인 경우에 상기 각 실시예에서의 노즐(46) 대신, 기판에 있어서 짧은 변(Ga) 길이의 거의 반 정도의 길이를 구비하고 마찬가지로 도면에 나타내지 않은 복수의 레지스트 토출구멍이 형성되는 긴 노즐51을 설치하고, 이 노즐(51)에 의하여 ①→②→③→④의 순서로 기판(G) 전체 면에 레지스트를 공급한다.Next, with reference to FIG. 13, the resist supply method which concerns on 4th Example is demonstrated. In the present embodiment, when the glass substrate G is large and the product region is four surfaces, for example, G1, G2, G3, and G4, instead of the
이와 같이 짧은 변(Ga)의 거의 반 정도의 길이를 구비하는 긴 노즐(51)에 의하여 1왕복으로 레지스트를 공급함으로써, 영역(G1) 및 (G4)과, 영역(G2) 및 (G3)에서 건조시간을 거의 동일하게 할 수 있다. 또한 이러한 긴 노즐(51)을 사용함으로써, 레지스트의 공급 처리시간을 단축시켜 처리액의 건조시간에 있어서 대칭성 향상에 기여한다.In this way, the resist is supplied in one reciprocation by the
다음에 도 14 를 참조하여 제 5 실시예에 관한 레지스트 공급방법에 관하여 설명한다. 본 실시예에서는 글래스 기판(G)이 대형으로서 제품영역이 4면, 예를 들면 G1, G2, G3 및 G4인 경우에 기판의 긴 변(Ga) 길이의 거의 반 정도의 길이를 구비하고 마찬가지로 도면에 나타내지 않은 복수의 레지스트 토출구멍이 형성되는 2개의 긴 노즐(52)을 설치하고, 이 노즐(52)에 의하여 한 번의 스캔에 의하여 기판(G) 전체 면에 레지스트를 공급한다.Next, with reference to FIG. 14, the resist supply method which concerns on 5th Example is demonstrated. In this embodiment, when the glass substrate G is large and the product region is four surfaces, for example, G1, G2, G3 and G4, the glass substrate G has almost half the length of the long side Ga of the substrate. Two
본 실시예에서도 영역(G1) 및 (G2)과, 영역(G3) 및 (G4)에서 건조시간을 동일하게 할 수 있다. 또한 이러한 2개의 긴 노즐(52)에 의하여 동 시에 레지스트를 공급함으로써 레지스트의 공급 처리시간을 물론 단축시킬 수 있다.Also in this embodiment, the drying time can be the same in the regions G1 and G2 and in the regions G3 and G4. Moreover, by supplying a resist at the same time by these two
도 13 및 도 14 에 있어서 긴 노즐(51, 52)을 사용하였지만, 기판(G)에 있어서 한 변의 길이와 같은 길이로 하면 노즐의 제조 정밀도가 저하될 우려가 있으므로 노즐의 길이에는 한도가 있다.Although the
본 발명은 이상에서 설명한 실시예에 한정되는 것이 아니라 다양한 변형이 가능하다.The present invention is not limited to the embodiment described above, but various modifications are possible.
예를 들면 제 2 실시예에서 노즐을 2개 설치하는 구성으로 하였지만, 이를 4개 또는 이보다 많게 하여 기판의 크기에 따라 노즐의 개수를 적당하게 선택할 수 있게 하여도 좋다.For example, in the second embodiment, two nozzles are provided, but four or more nozzles may be provided so that the number of nozzles can be appropriately selected according to the size of the substrate.
또한 제 1 및 제 2 실시예에서는 노즐이 기판의 외측을 이동할 때에만 레지스트 토출량을 변화시키고 있지만, 예를 들면 기판상의 양단에서도 변화시켜 막두께를 제어하여도 좋다.In addition, in the first and second embodiments, the resist discharge amount is changed only when the nozzle moves outside the substrate. However, for example, the film thickness may be controlled by changing both ends on the substrate.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 복수의 토출구멍 노즐에 의한 레지스트 도포처리에 있어서 레지스트막 두께의 균일성을 확보하고, 특히 기판의 양단에서 막두께를 균일하게 하고 또한 레지스트액을 절약할 수 있다.As described above, according to the present invention, in the resist coating process by the plurality of discharge hole nozzles, the uniformity of the resist film thickness can be ensured, and in particular, the film thickness can be made uniform at both ends of the substrate, and the resist liquid can be saved. have.
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