KR101431146B1 - apparatus for coating photoresist on substrate - Google Patents

apparatus for coating photoresist on substrate Download PDF

Info

Publication number
KR101431146B1
KR101431146B1 KR1020080043427A KR20080043427A KR101431146B1 KR 101431146 B1 KR101431146 B1 KR 101431146B1 KR 1020080043427 A KR1020080043427 A KR 1020080043427A KR 20080043427 A KR20080043427 A KR 20080043427A KR 101431146 B1 KR101431146 B1 KR 101431146B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
stage
temperature
floating
gas
Prior art date
Application number
KR1020080043427A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090117398A (en
Inventor
이준석
강지은
Original Assignee
주식회사 디엠에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 디엠에스 filed Critical 주식회사 디엠에스
Priority to KR1020080043427A priority Critical patent/KR101431146B1/en
Publication of KR20090117398A publication Critical patent/KR20090117398A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101431146B1 publication Critical patent/KR101431146B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2035Exposure; Apparatus therefor simultaneous coating and exposure; using a belt mask, e.g. endless
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

평판표시소자용 기판이 기체에 의하여 부상(浮上)되어 이송되는 중에 포토리소그라피용 포토레지스트와 같은 약액을 기판에 도포할 수 있으며, 기판 주위의 온도 차이로 인하여 기판에 얼룩이 생기는 것을 방지할 수 있는 약액도포장치를 개시한다.

본 발명의 약액도포장치는, 작업대, 작업대의 상부에 설치되어 기판을 부상시켜 이송시키는 복수의 부상 스테이지, 부상 스테이지들을 사이에 두고 상기 작업대 양측에 위치하며 기판을 잡은 상태로 이송할 수 있는 척이 제공된 이송레일, 작업대 위에 설치되며 기판에 포토레지스터를 도포하는 슬릿노즐, 부상 스테이지로 기체를 공급하는 부상 기체 공급장치, 부상 스테이지와 부상 기체 공급장치에 연결되어 부상 스테이지로 공급되는 공기의 온도를 조절하는 온도 조절장치를 포함한다.

Figure R1020080043427

이송, 기판, 이송, 포토레지스터, 온도, 조절, 냉각

A liquid chemical such as a photoresist for photolithography can be applied to a substrate while the substrate for a flat panel display element is lifted and transported by a gas and a chemical liquid that can prevent a substrate from being stained due to a temperature difference around the substrate Discloses a coating apparatus.

The present invention is also directed to a packaging machine comprising a work table, a plurality of float stages provided on an upper portion of a work table to float and transport the substrate, a chuck capable of transporting the substrate while being held on both sides of the work table, A slit nozzle that is mounted on the worktable and that is mounted on a work table, a slit nozzle that applies a photoresist to the substrate, a flotation gas supply device that supplies gas to the flotation stage, a flotation stage and a flotation gas supply device to control the temperature of the air supplied to the flotation stage And a temperature control device.

Figure R1020080043427

Transfer, substrate, transfer, photoresistor, temperature, regulation, cooling

Description

약액도포장치{apparatus for coating photoresist on substrate}[0001] The present invention relates to an apparatus for coating photoresist on substrate,

본 발명은 약액도포장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 평판표시소자용 기판이 기체에 의하여 부상(浮上)되어 이송되는 중에 포토리소그라피용 포토레지스트와 같은 약액을 기판에 도포할 수 있으며, 기판 주위의 온도 차이로 인하여 기판에 얼룩이 생기는 것을 방지할 수 있는 약액도포장치에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a chemical liquid application apparatus capable of applying a chemical liquid such as a photoresist for photolithography to a substrate while the substrate for a flat panel display element is lifted and transported by a gas, And more particularly, to a chemical liquid application device capable of preventing unevenness on a substrate due to a temperature difference.

평판표시소자용 기판의 기능성 박막들은 대부분 포토리소그라피(photolithography) 작업을 거치면서 소정의 패턴을 가지도록 형성된다.Most of the functional thin films of the substrate for a flat panel display device are formed to have a predetermined pattern through a photolithography operation.

상기 포토리소그라피 작업은 기판 위에 일정 두께로 포토레지스트를 도포한 후 포토레지스트 층을 노광, 현상, 그리고 에칭하는 공정들을 진행하면서 기판에 박막의 패터닝을 하는 것이다.The photolithography is performed by applying a photoresist to a predetermined thickness on a substrate, and then patterning the thin film on the substrate while performing processes of exposing, developing, and etching the photoresist layer.

이러한 포토리소그라피 작업은 기판 위에 일정한 두께로 균일하게 포토레지스트를 도포하는 공정을 포함하며, 주로 기판의 이송 중에 도포 작업을 진행할 수 있는 구조를 갖는 약액도포장치가 사용된다.Such a photolithography process includes a step of uniformly applying a photoresist to a predetermined thickness on a substrate, and a chemical solution applying device having a structure capable of performing a coating process mainly during transfer of a substrate is used.

약액도포장치는 작업대에 부상 스테이지가 설치되고 이 부상 스테이지에 제공된 토출유로를 통하여 나오는 기체에 의하여 기판이 부상(浮上)된 상태로 이송되 는 기판 이송부와 기판이 이송되는 구간 내에 위치하여 기판에 포토레지스트를 도포하는 슬릿노즐을 포함한다.A floating stage is installed on a workbench where the chemical liquid is packed and a substrate transferring part is transferred in a state where the substrate is floating by the gas exiting through the discharge flow path provided in the floating stage and the substrate is placed in a section where the substrate is transferred, And a slit nozzle for applying a resist.

기판 이송부에 의하여 기판이 이송되면서 슬릿노즐에 의하여 기판에 포토레지스트가 도포되는데, 이때 부상 스테이지의 토출유로를 통하여 나오는 기체는 블로워 팬의 모터 발열부 등에 의하여 온도가 상승한다. As the substrate is transferred by the substrate transferring unit, the photoresist is applied to the substrate by the slit nozzle. At this time, the gas coming out through the discharge path of the floating stage rises in temperature by the motor heater of the blower fan.

따라서 부상 스테이지의 토출유로를 통하여 나오는 기체의 온도와 기판의 주위의 온도 차이로 인하여 기판의 코팅 면에 얼룩이 발생할 수 있다. 이와 같이 기판에 형성되는 얼룩은 기판에 포토레지스트가 도포되는 공정에서 불량으로 작용하여 생산성을 떨어뜨리는 문제점이 있다.Therefore, unevenness may occur on the coated surface of the substrate due to the temperature difference between the temperature of the gas exiting through the discharge path of the floating stage and the periphery of the substrate. As described above, the unevenness formed on the substrate has a problem that the productivity is deteriorated by acting as a defective process in the process of applying the photoresist to the substrate.

따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 기판을 부상시켜 이송시키기 위한 부상 스테이지의 토출유로로 나오는 기체의 온도를 조절하여 기판에 얼룩이 생기는 것을 방지함으로써 불량을 줄여 생산성을 증대시키는 기판 이송장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide an apparatus and a method for controlling the temperature of a substrate, So as to increase the productivity of the substrate transfer apparatus.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 작업대, 상기 작업대의 상부에 설치되어 기판을 부상시켜 이송시키는 복수의 부상 스테이지로 구성되는 이송부, 상기 작업대 위쪽에 설치되며 상기 기판에 포토레지스터를 도포하는 슬릿노즐, 상기 부상 스테이지로 기체를 공급하는 부상 기체 공급장치, 상기 부상 스테 이지와 상기 부상 기체 공급장치에 연결되어 상기 부상 스테이지로 공급되는 공기의 온도를 조절하는 온도 조절장치를 포함하는 약액도포장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a work table; a transfer section provided on an upper portion of the work table to constitute a plurality of floating stages for transferring a substrate to be transferred thereon; A flotation gas supply device for supplying a gas to the flotation stage, and a temperature control device connected to the flotation stage and the flotation gas supply device to adjust a temperature of air supplied to the flotation stage, Thereby providing a coating device.

상기 이송부는 에어 분사홀을 구비하며 상기 슬릿노즐을 사이에 두고 상기 작업대 일측과 타측에 배치되는 제1 부상스테이지와 제2 부상스테이지, 기체를 토출하는 토출홀들 및 기체를 흡입하는 흡입홀들을 구비하고 상기 제1 부상스테이지와 제2 부상스테이지 사이에 배치되는 제3 부상스테이지, 상기 작업대의 양쪽에 배치되며 기판을 잡은 상태로 이동되는 척이 제공된 이송레일을 포함하는 것이 바람직하다.The transfer unit includes a first floating stage having air injection holes and disposed at one side and the other side of the work platform with the slit nozzle interposed therebetween, a second floating stage, discharge holes for discharging the gas and suction holes for sucking the gas A third floating stage disposed between the first floating stage and the second floating stage, and a transport rail provided on both sides of the work platform and provided with a chuck moved in a state of holding the substrate.

상기 부상 스테이지는 기체 흡입장치가 관로로 연결되는 것이 바람직하다.It is preferable that the flotation stage is connected to a gas suction device through a pipeline.

상기 온도 조절장치는 설정 온도를 세팅하는 세팅부, 세팅된 온도를 표시하는 온도 표시부, 유입되는 기체를 냉각하는 냉각부, 상기 세팅부, 온도 표시부, 냉각부에 각각 연결되어 세팅된 값에 따라 제어하는 제어부를 포함하는 것이 바람직하다.The temperature controller includes a setting unit for setting a set temperature, a temperature display unit for displaying a set temperature, a cooling unit for cooling the introduced gas, and a control unit for controlling the temperature control unit according to the set value, And a control unit for controlling the display unit.

이와 같은 본 발명은 부상 스테이지의 토출유로로 배출되는 기체의 온도가 기판 주위의 온도와 같은 정도로 냉각되어 포토레지스트를 도포하는 과정에서 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지하여 불량을 줄여 생산성을 증대시키는 효과를 가진다.The present invention has the effect of preventing the generation of stains on the substrate in the process of coating the photoresist by cooling the temperature of the substrate discharged to the discharge path of the floating stage to the same level as the temperature around the substrate, I have.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명 하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 도면으로, 약액도포장치를 도시하고 있다. 약액도포장치는 작업대(2), 이송부(4), 그리고 슬릿노즐(6)을 포함한다.1 is a view for explaining an embodiment of the present invention, showing a chemical solution applying apparatus. The chemical liquid also includes a work table 2, a transfer section 4, and a slit nozzle 6.

상기 작업대(2)는 기판(G)에 포토레지스트(W)를 도포하기 위한 작업면을 제공하는 것으로써, 도 1을 기준으로 할 때 좌/우로 길게 연장 형성된 금속 프레임 형태로 이루어질 수 있다. 즉, 작업대(2)는 좌측에서 우측으로 기판(G)을 이송하면서 포토레지스트(W)의 도포 작업을 진행할 수 있는 작업 면적을 제공한다. 작업대(2)는 위면에 부상(浮上) 방식으로 기판(G)을 이송하는 이송부(4)가 설치된다.The work table 2 is provided with a work surface for applying the photoresist W to the substrate G and may be formed in the form of a long metal frame extending leftward or rightward with reference to FIG. That is, the workbench 2 provides a working area for carrying out the application work of the photoresist W while transferring the substrate G from the left to the right. The work table 2 is provided with a transfer section 4 for transferring the substrate G in a floating manner on the upper surface thereof.

이송부(4)는 제1 부상스테이지(S1), 제2 부상스테이지(S2), 제3 부상스테이지(S3)와 이송레일(S4)로 구성되며, 기판(G)을 부상시킨 상태로 상기 작업대(2) 일측(좌측)에서 타측(우측)으로 이송할 수 있도록 세팅된다. 즉, 제1 부상스테이지(S1)와 제2 부상스테이지(S2)는 작업대(2) 윗면의 가운데 지점을 사이에 두고 서로 떨어져 설치된다.The transfer unit 4 is composed of a first floating stage S1, a second floating stage S2, a third floating stage S3 and a transfer rail S4, 2) from one side (left side) to the other side (right side). That is, the first lifting stage (S1) and the second lifting stage (S2) are installed apart from each other with the middle point of the upper surface of the work table (2) therebetween.

제1 부상스테이지(S1)와 제2 부상스테이지(S2)는 복수 개의 에어 홀(H1, H2)들이 형성되고 이 에어 홀(H1, H2)들은 기체의 분사 압력과 흡입 압력을 발생할 수 있어 기판(G)의 저면을 비접촉 상태로 지지하면서 기판(G)을 수평으로 부상시키는 부상 스테이지 구조로 이루어진다(도 3 참조). 즉, 제1 부상스테이지(S1)와 제2 부상스테이지(S2)는 에어 홀(H1, H2)들의 에어 분사 압력과 흡입력으로 기판(G)의 저면을 수평으로 부상시킬 수 있다.A plurality of air holes H1 and H2 are formed in the first floating stage S1 and the second floating stage S2 and the air holes H1 and H2 can generate a gas injection pressure and a suction pressure, G) while supporting the bottom surface of the substrate G in a non-contact state (see Fig. 3). That is, the first lifting stage S1 and the second lifting stage S2 can float the bottom surface of the substrate G horizontally by the air injection pressure and the suction force of the air holes H1 and H2.

제1 부상스테이지(S1)는 상기 작업대(2)에서 기판(G)을 도포 지점으로 반송하는 인렛 반송 구간(L1, inlet transfer zone)을 형성하고, 제2 부상스테이지(S2)는 아울렛 반송 구간(L2, outlet transfer zone)을 형성한다.The first lifting stage S1 forms an inlet transfer zone L1 for transporting the substrate G to the application point in the work table 2 and the second lifting stage S2 forms an inlet transfer zone L1 L2, an outlet transfer zone.

그리고, 제3 부상스테이지(S3)는, 도 1과 도 2에 도시하고 있는 바와 같이, 제1 부상스테이지(S1)와 상기 제2 부상스테이지(S2) 사이에 배치된다.The third lifting stage S3 is disposed between the first lifting stage S1 and the second lifting stage S2, as shown in Figs. 1 and 2. As shown in Fig.

제3 부상스테이지(S3)는 작업대(2) 위에서 인렛 반송 구간(L1, inlet transfer zone)과 아울렛 반송 구간(L2, outlet transfer zone) 사이에 위치되어 포토레지스트(W)를 기판(G)에 도포하기 위한 도포 반송 구간(L3, coating transfer zone)을 형성한다(도 3 참조).The third lifting stage S3 is positioned between the inlet transfer zone L1 and the outlet transfer zone L2 on the work table 2 to apply the photoresist W to the substrate G (Coating transfer zone) L3 (see FIG. 3).

제3 부상스테이지(S3)에는 복수 개의 에어 홀(H3)들이 형성되어 있으며, 이 에어 홀(H3)들은 에어의 분사 압력과 흡입 압력을 발생할 수 있도록 세팅된다.A plurality of air holes H3 are formed in the third floating stage S3, and the air holes H3 are set so as to generate an air injection pressure and a suction pressure.

즉, 제3 부상스테이지(S3)는 에어 홀(H3)들의 에어 분사 압력과 흡입력으로 기판(G)을 수평으로 부상시킬 수 있다.That is, the third floating stage S3 can float the substrate G horizontally by the air injection pressure and the suction force of the air holes H3.

특히, 제3 부상스테이지(S3)는 에어의 분사력과 흡입력이 동시에 균일하게 작용하므로 기판(G)의 반송 중에 표면 평탄도(flatness)가 더욱 균일하게 유지되는 상태로 정밀 이송을 할 수 있다(도 3 참조).Particularly, since the spraying force and the suction force of the air act uniformly at the same time, the third floatation stage S3 can perform precise feeding in a state in which the flatness of the surface is maintained more uniform during the transportation of the substrate G 3).

그리고, 이송레일(S4)은 제1 부상스테이지(S1), 제2 부상스테이지(S2), 제3 부상스테이지(S3)를 사이에 두고 상기 작업대(2) 양쪽에 배치된다(도 2 참조).The transfer rail S4 is disposed on both sides of the work table 2 with the first float stage S1, the second float stage S2 and the third float stage S3 interposed therebetween (see FIG. 2).

이송레일(S4)에는 복수의 진공척(C, vacuum chuck)이 제공된다. 이 진공척(C)들은 기판(G)의 양측 테두리를 한 군데 이상 흡착 고정할 수 있도록 위치할 수 있다. 진공척(C)들은 기판(G)의 양쪽 테두리를 잡은 상태로 이송레일(S4)의 레일 구간을 따라 이동할 수 있는 구조로 설치된다.The transfer rail S4 is provided with a plurality of vacuum chucks. These vacuum chucks C can be positioned so that at least one side edge of the substrate G can be attracted and fixed. The vacuum chucks C are installed in such a structure that the vacuum chucks C can move along the rail section of the conveying rail S4 with both sides of the substrate G being held.

이와 같은 구조에 의하면, 작업대(2)의 인렛 반송 구간(L1) 측에서 진공척(C)으로 기판(G)의 양쪽 테두리를 잡은 후, 도포 반송 구간(L3)을 거쳐서 아울렛 반송 구간(L2)을 향하여 부상(浮上) 이송 방식으로 기판(G)을 이송할 수 있다(도 1 참조).According to this structure, after both edges of the substrate G are gripped by the vacuum chuck C at the inlet conveying section L1 side of the work table 2, the outlet conveying section L2 is conveyed through the coating conveying section L3, The substrate G can be transferred in a floating transfer mode (see FIG. 1).

슬릿노즐(6)은 기판(G)의 이송 중에 포토레지스트(W)를 도포할 수 있도록 작업대(2) 상에서 제3 부상스테이지(S3)와 대응하는 도포 반송 구간(L3) 내에 위치된다.The slit nozzle 6 is located in the application conveyance section L3 corresponding to the third floating stage S3 on the work table 2 so that the photoresist W can be applied during the transfer of the substrate G. [

슬릿노즐(6)은 슬릿형 토출구(N)를 구비한 구조로 이루어지며, 제3 부상스테이지(S3) 위쪽에서 슬릿형 토출구(N)의 립(lip) 부분이 아래를 향하는 상태로 위치된다.The slit nozzle 6 has a structure having a slit-shaped discharge port N and is positioned above the third floating stage S3 with the lip portion of the slit-shaped discharge port N facing downward.

슬릿노즐(6)은 제3 부상스테이지(S3)와 대응하는 도포 반송 구간(L3) 내에서, 도 2에서 도시하고 있는 바와 같이, 기판(G)의 이송 구간을 가로지르는 방향으로 작업대(2) 위에 배치된다. 즉, 슬릿노즐(6)은 게이트 타입(gate type)의 겐트리(8, gantry) 일측에 고정되어 작업대(2) 위에서 제3 부상스테이지(S3)와 대응하는 도포 반송 구간(L3)을 통과하는 기판(G)에 포토레지스트(W)를 도포할 수 있도록 설치될 수 있다.The slit nozzle 6 is moved in the coating conveying section L3 corresponding to the third floating stage S3 in the work table 2 in the direction transverse to the conveying section of the substrate G, . That is, the slit nozzle 6 is fixed to one side of the gate type gantry and passes through the application conveying section L3 corresponding to the third float stage S3 on the work bench 2 And can be installed so as to coat the photoresist W on the substrate G. [

그리고, 슬릿노즐(6)은 겐트리(8) 측에 고정될 때 도 1에서와 같이 가이드 레일(U, 예: LM 가이드)에 양단이 고정되어 이 가이드 레일(U)을 따라 상, 하로 이 동될 수 있도록 설치된다.When the slit nozzle 6 is fixed to the side of the gantry 8, both ends of the slit nozzle 6 are fixed to the guide rail U (e.g., LM guide) as shown in FIG. 1, .

슬릿노즐(6)은 도면에는 나타내지 않았지만 포토레지스트(W)가 일정량 저장된 약액 탱크와 관로로 연결되어 포토레지스트(W)를 공급받을 수 있도록 세팅된다. The slit nozzle 6 is set so as to be connected to the chemical tank, in which a predetermined amount of the photoresist W is stored, though not shown in the figure, through a channel so as to be supplied with the photoresist W.

제1 부상스테이지(S1), 제2 부상스테이지(S2), 제3 부상스테이지(S3)에는 부상 기체 공급장치(18), 온도 조절장치(19), 그리고 기체 흡입장치(20)가 연결된다(도 4에 도시하고 있으며 편의상 제1 부상스테이지(S1) 만을 도시하여 설명함). The flotation gas supply device 18, the temperature regulating device 19 and the gas suction device 20 are connected to the first flotation stage S1, the second flotation stage S2 and the third flotation stage S3 4 and only the first flotation stage S1 is shown for convenience).

제1 부상스테이지(S1), 제2 부상스테이지(S2), 제3 부상스테이지(S3)에 제공되는 토출홀(H1a, 도 4에 도시함)에는 토출유로(18a)가 연결되고 이 토출유로(18a)에는 부상 기체 공급장치(18)와 온도 조절장치(19)가 연결된다. 그리고 토출홀(H1a)들 사이에 배치되는 흡입홀(H1b, 도 4에 도시함)들에는 흡입유로(20a)가 연결되고, 흡입유로(20a)에는 기체 흡입장치(20)가 연결된다.A discharge passage 18a is connected to a discharge hole H1a (shown in FIG. 4) provided in the first floatation stage S1, the second floatation stage S2 and the third floatation stage S3, 18a are connected to the flotation gas supply device 18 and the temperature control device 19. [ A suction passage 20a is connected to a suction hole H1b (shown in FIG. 4) disposed between the discharge holes H1a and a gas suction device 20 is connected to the suction passage 20a.

부상 기체 공급장치(18)는 블로워 팬 등으로 이루어질 수 있으며 공기를 압축하여 온도 조절장치(19)로 공급할 수 있다. The flotation gas supply device 18 may be a blower fan or the like and may compress the air and supply the air to the temperature control device 19. [

그리고 온도 조절장치(19)는 부상 기체 공급장치(18)에서 공급된 공기를 냉각시켜 제1 부상스테이지(S1), 제2 부상스테이지(S2), 제3 부상스테이지(S3)에 공급하는 역할을 한다. 온도 조절장치(19)는 부상 기체 공급장치(18)에서 공급되는 공기 등의 기체를 냉각하여 기판 주위 온도와 같은 정도로 조절할 수 있는 냉각 장치로 이루어지는 것이 바람직하다. The temperature adjusting device 19 serves to cool the air supplied from the flotation gas supplying device 18 and supply the air to the first flotation stage S1, the second flotation stage S2 and the third flotation stage S3 do. The temperature control device 19 preferably comprises a cooling device that can cool the gas such as air supplied from the floating gas supply device 18 and adjust the temperature to the same level as the ambient temperature of the substrate.

이러한 온도 조절장치(19)는, 일 예로 도 5에 도시하고 있는 바와 같이, 원하는 온도를 세팅할 수 있는 세팅부(21), 세팅된 온도가 표시되는 온도 표시 부(23), 기체의 냉각을 수행하는 냉각부(25), 그리고 이들을 제어하는 제어부(27)를 포함할 수 있다.As shown in Fig. 5, for example, the temperature control device 19 includes a setting section 21 capable of setting a desired temperature, a temperature display section 23 displaying a set temperature, A cooling unit 25 for performing cooling, and a control unit 27 for controlling them.

이와 같이 이루어지는 본 발명의 작용 과정을 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation of the present invention will be described in detail.

세팅부(21)에서 세팅된 값을 제어부(27)가 온도 표시부(23)에 표시하고, 제어부(27)는 세팅된 온도에 적합하도록 냉각부(25)를 구동한다.The control unit 27 displays the set value in the setting unit 21 on the temperature display unit 23 and the control unit 27 drives the cooling unit 25 to match the set temperature.

그리고 제1 부상스테이지(S1), 제2 부상스테이지(S2), 제3 부상스테이지(S3)는 기판(G)의 저면이 기체 압력으로 지지되어 작업대(2) 위에서 기판(G)을 부상시킨다. 그리고 척(C)에 의하여 기판이 이송된다. 즉, 부상 기체 공급장치(18)에서 압축된 기체가 관로를 통하여 온도 조절장치(19)로 공급된다. 이때 부상 기체 공급장치(18)는 블로워 팬의 모터부에서 지속적인 발열이 이루어져 공기의 온도가 약 50℃로 상승된다. The bottom surface of the substrate G is supported by the gas pressure so that the substrate G floats above the work table 2, and the first, second, and third lifting stages S1, S2, Then, the substrate is transferred by the chuck C. That is, the gas compressed in the flotation gas supply device 18 is supplied to the temperature regulating device 19 through the channel. At this time, the floating gas supply device 18 is continuously heated by the motor part of the blower fan, and the temperature of the air is raised to about 50 캜.

이러한 압축 기체는 온도 조절장치(19)로 유입되어 기판(G)의 주변 온도와 비슷한 정도의 온도로 냉각된다. 온도 조절장치(19)에서 냉각되는 압축 공기를 냉각시키는 온도는 약 22℃ ~ 24℃ 정도로 이루어지는 것이 바람직하다.This compressed gas flows into the temperature regulating device 19 and is cooled to a temperature close to the ambient temperature of the substrate G. [ It is preferable that the temperature for cooling the compressed air cooled in the temperature adjusting device 19 is about 22 ° C to 24 ° C.

즉, 제어부(27)는 부상 기체 공급 장치(18)에서 공급되는 압축 공기를 세팅된 범위에 들어오도록 냉각부(25)를 제어하여 냉각하는 것이다.That is, the control unit 27 controls the cooling unit 25 to cool the compressed air supplied from the floating gas supply unit 18 so as to be within the set range.

이와 같이 온도 조절장치(19)에서 냉각된 압축 기체는 제1 부상스테이지(S1), 제2 부상스테이지(S2), 제3 부상스테이지(S3)로 토출유로(18a)를 통하여 공급된다. 그리고 흡입장치(20)는 흡입관로(20a)를 통하여 기판(G)의 주변에 있는 기체를 흡입한다. 따라서 기판(G)이 일정한 높이로 정밀하게 부상된다. The compressed gas cooled in the temperature regulating device 19 is supplied to the first floatation stage S1, the second floatation stage S2 and the third floatation stage S3 via the discharge passage 18a. The suction device 20 sucks the gas around the substrate G through the suction pipe 20a. Thus, the substrate G floats accurately at a predetermined height.

그리고 기판(G)을 잡고 있는 척(C)이 이동하면서 기판(G)도 함께 이송된다. 이와 같이 이송되는 과정에서 슬릿노즐(6)에서 포토레지스트가 도포되면서 기판(G) 위에 균일하게 박막 층이 형성된다.The substrate G is also transported while the chuck C holding the substrate G moves. In this process, the photoresist is applied by the slit nozzle 6 to uniformly form the thin film layer on the substrate G.

이러한 과정에서 기체는 온도 조절장치(19)를 통과하면서 토출유로(18a)를 통하여 제1 부상스테이지(S1), 제2 부상스테이지(S2), 제3 부상스테이지(S3)로 공급되고 미리 세팅된 온도인 기판(G)의 주변 온도와 비슷한 온도가 된다.In this process, the gas is supplied to the first float-up stage S1, the second float-up stage S2 and the third float-up stage S3 through the discharge passage 18a while passing through the temperature regulating device 19, And becomes a temperature similar to the ambient temperature of the substrate G which is the temperature.

따라서 기판(G)에 접촉되는 기체의 온도 차이에 의해 발생되는 얼룩이 생성되는 것을 방지하여 불량을 줄임으로써 생산성을 증대시킬 수 있다.Accordingly, it is possible to prevent the generation of unevenness caused by the temperature difference of the gas contacting the substrate G, thereby reducing the defects and increasing the productivity.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시 예가 적용될 수 있는 예를 도시한 도면이다.1 to 3 are views showing an example to which an embodiment of the present invention can be applied.

도 4는 본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 주요부의 구성도이다.4 is a block diagram of essential parts for explaining an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시 예에 적용될 수 있는 온도조절장치의 예를 도시한 구성도이다.5 is a configuration diagram showing an example of a temperature control device that can be applied to the embodiment of the present invention.

[도면의 주요 부분의 부호의 설명]DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS OF MAIN PARTS OF DRAWINGS

2 : 작업대, 4 : 이송부, 8 : 슬릿노즐,2: work table, 4: feed part, 8: slit nozzle,

S1 : 제1 부상스테이지, S2 : 제2 부상스테이지, S3 : 제3 부상스테이지,S1: first flotation stage, S2: second flotation stage, S3: third flotation stage,

18 : 부상 기체 공급장치, 19 : 온도조절장치, 20 : 기체흡입장치18: Flotation gas supply device, 19: Temperature control device, 20: Gas suction device

Claims (4)

작업대;bench; 상기 작업대의 상부에 설치되어 기판을 부상시켜 이송시키는 복수의 부상 스테이지로 구성되는 이송부;A transfer unit installed at an upper portion of the work table to constitute a plurality of floating stages for floating and transferring a substrate; 상기 작업대 위쪽에 설치되며 상기 기판에 포토레지스터를 도포하는 슬릿노즐;A slit nozzle installed above the worktable for applying a photoresist to the substrate; 상기 부상 스테이지로 기체를 공급하는 부상 기체 공급장치;A floating gas supply device for supplying a gas to the floating stage; 상기 부상 스테이지와 상기 부상 기체 공급장치에 연결되어 상기 부상 스테이지로 공급되는 공기의 온도를 조절하는 온도 조절장치를 포함하며;And a temperature control device connected to the flotation stage and the flotation gas supply device to adjust a temperature of air supplied to the flotation stage; 상기 이송부는The conveying portion 에어 분사홀을 구비하며 상기 슬릿노즐을 사이에 두고 상기 작업대 일측과 타측에 배치되는 제1 부상스테이지와 제2 부상스테이지;A first flotation stage and an second flotation stage having an air injection hole and disposed on one side and the other side of the workbench with the slit nozzle interposed therebetween; 기체를 토출하는 토출홀들 및 기체를 흡입하는 흡입홀들을 구비하고 상기 제1 부상스테이지와 제2 부상스테이지 사이에 배치되는 제3 부상스테이지;A third floating stage having discharge holes for discharging gas and suction holes for sucking the gas and arranged between the first floating stage and the second floating stage; 상기 작업대의 양쪽에 배치되며 기판을 잡은 상태로 이동되는 척이 제공된 이송레일;A transfer rail disposed on both sides of the work table and provided with a chuck which moves in a state of holding the substrate; 을 포함하는 약액도포장치.(2). 삭제delete 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 부상 스테이지는 The floating stage 기체 흡입장치가 관로로 연결되는 약액도포장치.Wherein the gas suction device is connected to the pipeline. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 온도 조절장치는The temperature regulating device 설정 온도를 세팅하는 세팅부;A setting unit for setting a set temperature; 세팅된 온도를 표시하는 온도 표시부;A temperature display unit for displaying a set temperature; 유입되는 기체를 냉각하는 냉각부;A cooling unit for cooling the incoming gas; 상기 세팅부, 온도 표시부, 냉각부에 각각 연결되어 세팅된 값에 따라 제어하는 제어부;A control unit connected to the setting unit, the temperature display unit, and the cooling unit to control according to the set value; 를 포함하는 약액도포장치..
KR1020080043427A 2008-05-09 2008-05-09 apparatus for coating photoresist on substrate KR101431146B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080043427A KR101431146B1 (en) 2008-05-09 2008-05-09 apparatus for coating photoresist on substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080043427A KR101431146B1 (en) 2008-05-09 2008-05-09 apparatus for coating photoresist on substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090117398A KR20090117398A (en) 2009-11-12
KR101431146B1 true KR101431146B1 (en) 2014-08-18

Family

ID=41601885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080043427A KR101431146B1 (en) 2008-05-09 2008-05-09 apparatus for coating photoresist on substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101431146B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120064461A1 (en) * 2010-09-13 2012-03-15 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, device manufacturing method, flat-panel display manufacturing method, and object exchange method
US10802407B2 (en) * 2015-09-30 2020-10-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, manufacturing method of flat-panel display, and device manufacturing method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004231331A (en) 2003-01-29 2004-08-19 Dainippon Printing Co Ltd Conveyance method for base and conveyance device for base
JP2005132626A (en) 2003-10-06 2005-05-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd Conveying apparatus, application system and inspection system
KR20050079637A (en) * 2004-02-05 2005-08-10 동경 엘렉트론 주식회사 Coating film forming apparatus and coating film forming method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004231331A (en) 2003-01-29 2004-08-19 Dainippon Printing Co Ltd Conveyance method for base and conveyance device for base
JP2005132626A (en) 2003-10-06 2005-05-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd Conveying apparatus, application system and inspection system
KR20050079637A (en) * 2004-02-05 2005-08-10 동경 엘렉트론 주식회사 Coating film forming apparatus and coating film forming method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090117398A (en) 2009-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI485009B (en) Coating apparatus and coating method
CN101003041B (en) Application method, applicator and processing procedure
JP4372182B2 (en) Substrate support mechanism, reduced-pressure drying apparatus, and substrate processing apparatus
JP4384685B2 (en) Normal pressure drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method
WO2006090619A1 (en) Stage apparatus and coating treatment device
KR101845090B1 (en) Apparatus for coating film and method of coating film
JP2008159782A (en) Vacuum dryer
US20080266367A1 (en) Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate
JP4384686B2 (en) Normal pressure drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method
JP2006019396A (en) Substrate processing device
JP4721289B2 (en) Substrate processing equipment
JP2011159656A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101431146B1 (en) apparatus for coating photoresist on substrate
CN108525941B (en) Coating apparatus and coating method
CN108325788B (en) Coating device and coating method
JP2007176631A (en) Substrate conveying system
JP2010080983A (en) Substrate processing apparatus
JP4365404B2 (en) Resist solution supply apparatus and substrate processing system
TW200529936A (en) Single-wafer coating film apparatus and method
JP2009040533A (en) Coating apparatus and coating method
JP5056611B2 (en) Substrate processing equipment
CN111822234B (en) Coating device and coating method
JPH11333359A (en) Formation of coating film
JP2015195276A (en) Device and system for substrate processing
JP3879880B2 (en) Substrate processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170616

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180704

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190702

Year of fee payment: 6