JP2005223047A - アクティブマトリクスパネル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 直列接続されて設けられた2つの薄膜トランジスタ4、5の各ゲート電極15、16は、ほぼL字形状のゲート電極の一方側のゲート電極と他方側のゲート電極とによって形成されている。これにより、2つの薄膜トランジスタ4、5を横方向にただ単に直列接続させて設ける場合と比較して、2つの薄膜トランジスタ4、5の横方向に占める配置スペースを小さくすることができる。
【選択図】 図1
Description
図1はこの発明の第1実施形態としての液晶表示装置におけるアクティブマトリクスパネルの要部の透過平面図を示す。このアクティブマトリクスパネルはガラス基板1を備えている。ガラス基板1の上面側には走査ライン2およびデータライン3がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍には直列接続された2つの薄膜トランジスタ4、5、画素電極6および補助容量電極7が設けられている。ここで、図1を明確にする目的で、各画素電極6の縁部に斜めの短い実線のハッチングが記入されている。
図9はこの発明の第2実施形態としての液晶表示装置におけるアクティブマトリクスパネルの要部の透過平面図を示し、図10(A)は図9のXA−XA線に沿う断面図を示し、図10(B)はXB−XB線に沿う断面図を示す。なお、この場合も、図9を明確にする目的で、各画素電極6の縁部に斜めの短い実線のハッチングが記入されている。
上記各実施形態では、この発明をポリシリコンからなる半導体薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクスパネルに好適なコプラナ型に適用した場合について説明したが、これに限らず、アモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクスパネルに好適な逆スタガ型にも適用することができる。
2 走査ライン
3 データライン
3a ドレイン電極
4、5 薄膜トランジスタ
6 画素電極
7 補助容量電極
13 半導体薄膜
14 ゲート絶縁膜
15、16 ゲート電極
18 層間絶縁膜
19 ソース電極
22 オーバーコート膜
Claims (16)
- マトリクス状に設けられた走査ラインおよびデータラインと、前記両ラインの各交点近傍に接続部において直列に接続されて設けられた2つの薄膜トランジスタとを備え、前記2つの薄膜トランジスタは、接続部において屈曲されたソース・ドレイン領域と、該ソース・ドレイン領域の両側に形成されたチャネル領域と、各チャネル領域に隣接して形成されたソース・ドレイン領域を有する半導体薄膜と、該半導体薄膜の一面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記半導体薄膜の2つのチャネル領域上に対応する前記ゲート絶縁膜上に形成された1つのゲート電極と、を具備することを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
- 請求項1に記載の発明において、前記ゲート電極は、それぞれの半導体薄膜のチャネル領域を直角に横断する一方側のゲート電極と他方側のゲート電極とが屈曲部で接続された平面形状を有することを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
- 請求項2に記載の発明において、前記ゲート電極と前記走査ラインとの間に絶縁膜が設けられ、前記一方側のゲート電極は前記走査ラインと重なり合う位置に設けられて前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記走査ラインに接続され、前記他方側のゲート電極は前記走査ラインから垂直に延出されるような位置に設けられていることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
- 請求項2に記載の発明において、前記一方側のゲート電極は前記走査ラインの一部からなり、前記他方側のゲート電極は前記走査ラインから垂直に延出されたゲート電極からなることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
- 請求項2に記載の発明において、前記一方側のゲート電極を有する前記薄膜トランジスタのドレイン電極は前記データラインに接続され、前記他方側のゲート電極を有する前記薄膜トランジスタのソース電極には画素電極が接続されていることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
- 請求項1に記載の発明において、前記薄膜トランジスタ上にオーバーコート膜が形成され、該オーバーコート膜上に画素電極が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
- 請求項6に記載の発明において、前記ゲート絶縁膜上に補助容量電極が形成され、該補助容量電極下に前記ソース・ドレイン領域に接続される前記データラインが配置されていることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
- 請求項6に記載の発明において、前記補助容量電極は前記データラインよりも幅広に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
- 請求項6に記載の発明において、前記ゲート電極上および前記ゲート絶縁膜上に中間絶縁膜が形成され、該中間絶縁膜上に補助容量電極が形成され、前記中間絶縁膜上および前記補助容量電極上にオーバーコート膜が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
- 請求項9に記載の発明において、前記補助容量電極下に前記データラインが形成されていることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
- 請求項10に記載の発明において、前記補助容量電極は前記データラインより幅広に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
- 請求項9に記載の発明において、前記中間絶縁膜上に前記ゲート電極に接続される前記走査ラインが形成されていることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
- 請求項6に記載の発明において、前記半導体薄膜下に前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極がこの順に形成され、前記半導体薄膜上に層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に前記オーバーコート膜が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
- 請求項6に記載の発明において、前記層間絶縁膜上に補助容量電極が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
- 請求項14に記載の発明において、前記補助容量電極下に前記データラインが形成されていることを特徴とするアクティブマトリクスパネル
- 請求項15に記載の発明において、前記補助容量電極は前記データラインよりも幅広に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009076852A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Seiko Epson Corp | 薄膜素子、薄膜素子の製造方法、及び表示装置 |
JP2014165310A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Japan Display Inc | 表示装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101427581B1 (ko) | 2007-11-09 | 2014-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2009231643A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Casio Comput Co Ltd | 光感知素子及びフォトセンサ並びに表示装置 |
CN102709240B (zh) * | 2012-05-04 | 2014-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置 |
GB2519084A (en) * | 2013-10-08 | 2015-04-15 | Plastic Logic Ltd | Transistor addressing |
CN104282696B (zh) * | 2014-10-22 | 2018-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN107038987B (zh) | 2017-05-23 | 2020-12-22 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种共栅晶体管、像素电路、驱动方法及显示器 |
CN108461493A (zh) | 2018-01-05 | 2018-08-28 | 上海和辉光电有限公司 | 一种共栅晶体管、像素电路、像素结构及显示面板 |
CN109003892B (zh) * | 2018-07-24 | 2020-07-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58171860A (ja) | 1982-04-01 | 1983-10-08 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ |
US5412493A (en) | 1992-09-25 | 1995-05-02 | Sony Corporation | Liquid crystal display device having LDD structure type thin film transistors connected in series |
IL103566A (en) * | 1992-10-27 | 1995-06-29 | Quick Tech Ltd | Active matrix of a display panel |
CN1230919C (zh) * | 1994-06-02 | 2005-12-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 有源矩阵显示器和电光元件 |
JPH08306931A (ja) * | 1995-01-03 | 1996-11-22 | Xerox Corp | 連続的にドーピングされたチャネル内領域を有するマルチチャネル構造を備えるアレイの形成 |
US5608557A (en) | 1995-01-03 | 1997-03-04 | Xerox Corporation | Circuitry with gate line crossing semiconductor line at two or more channels |
TW344901B (en) | 1995-02-15 | 1998-11-11 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | Active matrix display device |
JP3701832B2 (ja) * | 2000-02-04 | 2005-10-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 薄膜トランジスタ、液晶表示パネル、および薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2001308336A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板およびその検査方法 |
JP3918412B2 (ja) | 2000-08-10 | 2007-05-23 | ソニー株式会社 | 薄膜半導体装置及び液晶表示装置とこれらの製造方法 |
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- 2005-02-04 CN CNB2005100067784A patent/CN100433079C/zh active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009076852A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Seiko Epson Corp | 薄膜素子、薄膜素子の製造方法、及び表示装置 |
JP2014165310A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Japan Display Inc | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7253460B2 (en) | 2007-08-07 |
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