|
US7679111B2
(en)
*
|
2005-09-16 |
2010-03-16 |
International Rectifier Corporation |
Termination structure for a power semiconductor device
|
|
JP2007318062A
(ja)
*
|
2006-04-27 |
2007-12-06 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
高耐圧半導体スイッチング素子
|
|
JP4935192B2
(ja)
*
|
2006-05-31 |
2012-05-23 |
三菱電機株式会社 |
半導体装置
|
|
US8866191B2
(en)
*
|
2007-02-22 |
2014-10-21 |
Forschungsverbund Berlin E.V. |
HEMT semiconductor component with field plates
|
|
US9484451B2
(en)
|
2007-10-05 |
2016-11-01 |
Vishay-Siliconix |
MOSFET active area and edge termination area charge balance
|
|
US20090096039A1
(en)
*
|
2007-10-10 |
2009-04-16 |
United Microelectronics Corp. |
High-voltage device and manufacturing method of top layer in high-voltage device
|
|
JP5312889B2
(ja)
*
|
2008-09-29 |
2013-10-09 |
ローム株式会社 |
半導体装置
|
|
JP5371358B2
(ja)
*
|
2008-09-29 |
2013-12-18 |
ローム株式会社 |
半導体装置および半導体装置の製造方法
|
|
JP5487851B2
(ja)
*
|
2008-09-30 |
2014-05-14 |
サンケン電気株式会社 |
半導体装置
|
|
CN101414637B
(zh)
*
|
2008-12-01 |
2010-08-25 |
西安电子科技大学 |
凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管
|
|
US8476732B2
(en)
|
2008-12-10 |
2013-07-02 |
Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha |
Semiconductor device
|
|
JP5391447B2
(ja)
*
|
2009-04-06 |
2014-01-15 |
三菱電機株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP5376365B2
(ja)
*
|
2009-04-16 |
2013-12-25 |
三菱電機株式会社 |
半導体装置
|
|
JP5460279B2
(ja)
*
|
2009-12-11 |
2014-04-02 |
株式会社日立製作所 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP5517688B2
(ja)
*
|
2010-03-24 |
2014-06-11 |
三菱電機株式会社 |
半導体装置
|
|
JP5594515B2
(ja)
*
|
2010-03-26 |
2014-09-24 |
日本電気株式会社 |
半導体装置、電子装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置の動作方法
|
|
WO2011152253A1
(ja)
*
|
2010-06-04 |
2011-12-08 |
富士電機株式会社 |
半導体装置および駆動回路
|
|
JP5601072B2
(ja)
*
|
2010-08-03 |
2014-10-08 |
サンケン電気株式会社 |
半導体装置
|
|
JP2012134198A
(ja)
*
|
2010-12-20 |
2012-07-12 |
Mitsubishi Electric Corp |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP5703829B2
(ja)
*
|
2011-02-24 |
2015-04-22 |
サンケン電気株式会社 |
半導体装置
|
|
JP5716591B2
(ja)
*
|
2011-07-26 |
2015-05-13 |
三菱電機株式会社 |
半導体装置
|
|
JP5979836B2
(ja)
|
2011-09-09 |
2016-08-31 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置および半導体装置の製造方法
|
|
US9093432B2
(en)
|
2011-09-23 |
2015-07-28 |
Sanken Electric Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
DE112011105785B4
(de)
*
|
2011-10-26 |
2015-05-13 |
Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha |
Halbleitervorrichtung
|
|
US9431249B2
(en)
|
2011-12-01 |
2016-08-30 |
Vishay-Siliconix |
Edge termination for super junction MOSFET devices
|
|
EP2804214B1
(en)
|
2012-01-12 |
2021-02-24 |
Denso Corporation |
Semiconductor device comprising a termination structure
|
|
US9614043B2
(en)
|
2012-02-09 |
2017-04-04 |
Vishay-Siliconix |
MOSFET termination trench
|
|
US9842911B2
(en)
*
|
2012-05-30 |
2017-12-12 |
Vishay-Siliconix |
Adaptive charge balanced edge termination
|
|
US20130334648A1
(en)
*
|
2012-06-15 |
2013-12-19 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Methods and Apparatus for High Voltage Diodes
|
|
US10192981B2
(en)
|
2012-06-29 |
2019-01-29 |
Power Integrations, Inc. |
Switching device with charge distribution structure
|
|
US20140001479A1
(en)
*
|
2012-06-29 |
2014-01-02 |
Power Integrations, Inc. |
Switching device with charge distribution structure
|
|
US9245879B2
(en)
|
2012-06-29 |
2016-01-26 |
Power Integrations, Inc. |
Static discharge system
|
|
US10224923B2
(en)
*
|
2012-10-31 |
2019-03-05 |
Nxp Usa, Inc. |
Method and apparatus for driving a power transistor gate
|
|
JP6030923B2
(ja)
*
|
2012-11-09 |
2016-11-24 |
シャープ株式会社 |
半導体装置、及びその製造方法
|
|
CN102945839B
(zh)
*
|
2012-12-06 |
2015-09-16 |
电子科技大学 |
一种部分场板屏蔽的高压互连结构
|
|
JP6009341B2
(ja)
*
|
2012-12-13 |
2016-10-19 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置
|
|
JP6101183B2
(ja)
*
|
2013-06-20 |
2017-03-22 |
株式会社東芝 |
半導体装置
|
|
JP6168961B2
(ja)
*
|
2013-10-10 |
2017-07-26 |
三菱電機株式会社 |
半導体装置
|
|
CN103779407B
(zh)
*
|
2014-01-20 |
2016-05-18 |
西安电子科技大学 |
加源场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法
|
|
CN103779408B
(zh)
*
|
2014-01-20 |
2016-08-17 |
西安电子科技大学 |
基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法
|
|
JP2015177041A
(ja)
*
|
2014-03-14 |
2015-10-05 |
株式会社東芝 |
半導体装置
|
|
JP6210913B2
(ja)
*
|
2014-03-20 |
2017-10-11 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置
|
|
US9508596B2
(en)
|
2014-06-20 |
2016-11-29 |
Vishay-Siliconix |
Processes used in fabricating a metal-insulator-semiconductor field effect transistor
|
|
US9887259B2
(en)
|
2014-06-23 |
2018-02-06 |
Vishay-Siliconix |
Modulated super junction power MOSFET devices
|
|
CN106575666B
(zh)
|
2014-08-19 |
2021-08-06 |
维西埃-硅化物公司 |
超结金属氧化物半导体场效应晶体管
|
|
WO2016104264A1
(ja)
*
|
2014-12-25 |
2016-06-30 |
富士電機株式会社 |
半導体装置
|
|
CN106653830B
(zh)
*
|
2015-10-28 |
2019-09-17 |
无锡华润上华科技有限公司 |
半导体器件耐压结构
|
|
JP6690336B2
(ja)
*
|
2016-03-18 |
2020-04-28 |
富士電機株式会社 |
半導体装置
|
|
JP6258561B1
(ja)
*
|
2016-05-26 |
2018-01-10 |
新電元工業株式会社 |
半導体装置
|
|
JP2018157008A
(ja)
*
|
2017-03-16 |
2018-10-04 |
サンケン電気株式会社 |
半導体装置
|
|
US10262938B2
(en)
*
|
2017-08-31 |
2019-04-16 |
Vanguard International Semiconductor Corporation |
Semiconductor structure having conductive layer overlapping field oxide
|
|
CN107887432B
(zh)
*
|
2017-10-30 |
2020-02-14 |
济南大学 |
一种带有电荷可调型场板的横向绝缘栅双极型晶体管
|
|
CN107680997B
(zh)
*
|
2017-10-30 |
2020-04-14 |
济南大学 |
带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
|
|
JP7160167B2
(ja)
*
|
2018-12-28 |
2022-10-25 |
三菱電機株式会社 |
半導体装置
|
|
CN109713032B
(zh)
*
|
2018-12-28 |
2020-12-18 |
电子科技大学 |
一种抗辐射半导体器件终端结构
|
|
JP7459703B2
(ja)
*
|
2020-07-15 |
2024-04-02 |
富士電機株式会社 |
半導体装置
|
|
JP7608226B2
(ja)
*
|
2021-03-19 |
2025-01-06 |
株式会社東芝 |
半導体装置
|
|
CN113707717B
(zh)
*
|
2021-08-31 |
2023-09-15 |
电子科技大学 |
一种具有多浮空场板和集电极pmos结构的功率器件
|
|
CN114899225B
(zh)
*
|
2022-05-05 |
2025-08-22 |
南京大学 |
一种具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法
|
|
CN114975608A
(zh)
*
|
2022-07-05 |
2022-08-30 |
苏州英嘉通半导体有限公司 |
具有阵列场板的hemt器件及其制备方法
|
|
CN115224113B
(zh)
*
|
2022-09-15 |
2023-01-20 |
北京芯可鉴科技有限公司 |
横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法
|
|
CN118248739B
(zh)
*
|
2024-05-28 |
2024-10-18 |
北京智芯微电子科技有限公司 |
横向半导体器件及制造方法
|