JP2005203766A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、ハイサイドスイッチング素子12、ドライバー回路11、及びローサイドスイッチング素子を有する。ハイサイドスイッチング素子12は、第1の半導体基板21上に形成され、その電流通路の一端に入力電圧が供給され、電流通路の他端がインダクタンスに接続されている。ドライバー回路11は、ハイサイドスイッチング素子12が形成された第1の半導体基板21上に形成され、ハイサイドスイッチング素子12を駆動する。ローサイドスイッチング素子は、第1の半導体基板21とは別の第2の半導体基板上に形成され、そのドレインにインダクタンスが接続され、ソースに基準電位が供給されている。
【選択図】 図2
Description
MAX1710評価キット、「製品カタログ Maxim Integrated Products」、マキシム・ジャパン株式会社、1998年、p.1−7
まず、この発明の第1の実施の形態の半導体装置について説明する。
次に、この発明の第2の実施の形態の半導体装置について説明する。
これにより、出力端子TOに接続された負荷が小さいときには、ハイサイドスイッチング素子におけるゲートのドライブ損失(ハイサイドスイッチング素子のゲート容量を駆動するのに使われる電力)を減らすことができる。これは、電流をセンスし、制御回路17にフィードバックしたものだが、出力電圧VOUTの設定値からの変動幅でフィードバックしたものでも適用できる。この結果、低負荷時において、DC−DCコンバータにおける変換効率の低下を低減することができる。
次に、この発明の第3の実施の形態の半導体装置について説明する。
次に、この発明の第4の実施の形態の半導体装置について説明する。
次に、この発明の第5の実施の形態の半導体装置について説明する。
前記第1の半導体基板とは別の第2の半導体基板上に形成され、ドレインにインダクタンスが接続され、ソースに基準電位が供給されたローサイドスイッチング素子とを具備することを特徴とする。
Claims (5)
- 第1の半導体基板上に形成され、電流通路の一端に入力電圧が供給され、前記電流通路の他端がインダクタンスに接続されたハイサイドスイッチング素子と、
前記ハイサイドスイッチング素子が形成された前記第1の半導体基板上に形成され、前記ハイサイドスイッチング素子を駆動するドライバー回路と、
前記第1の半導体基板とは別の第2の半導体基板上に形成され、ドレインにインダクタンスが接続され、ソースに基準電位が供給されたローサイドスイッチング素子と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記ローサイドスイッチング素子は、前記第2の半導体基板の表面から裏面に電流が通過する縦型MOS電界効果トランジスタであって、
前記ハイサイドスイッチング素子は前記縦型MOS電界効果トランジスタ以外のMOS電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ドライバー回路は複数備えられており、前記ハイサイドスイッチング素子の各々にそれを駆動する前記ドライバー回路が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 半導体基板上に形成され、電流通路の一端に入力電圧が供給され、前記電流通路の他端がインダクタンスに接続されたハイサイドスイッチング素子と、
前記ハイサイドスイッチング素子が形成された前記半導体基板上に形成され、前記ハイサイドスイッチング素子を駆動するハイサイドドライバー回路と、
前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ハイサイドドライバー回路が形成された前記半導体基板上に形成され、ドレインが前記ハイサイドスイッチング素子の前記電流通路の他端と前記インダクタンスとの間に接続され、ソースに基準電位が供給されたローサイドスイッチング素子と、
前記ハイサイドスイッチング素子、前記ハイサイドドライバー回路、及びローサイドスイッチング素子が形成された前記半導体基板上に形成され、前記ローサイドスイッチング素子を駆動するローサイドドライバー回路と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上の第1領域に形成された第1のパワーMOS電界効果トランジスタと、
前記半導体基板上の第2領域に形成された第2のパワーMOS電界効果トランジスタと、
前記第1領域と前記第2領域との間の前記半導体基板上に形成され、前記第1、第2のパワーMOS電界効果トランジスタをそれぞれ駆動する第1、第2のスイッチング回路と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
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