JP2005203569A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006093258A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Ulvac, Inc. タンタル窒化物膜の形成方法
WO2006093262A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Ulvac, Inc. タンタル窒化物膜の形成方法
WO2006093259A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Ulvac, Inc. タンタル窒化物膜の形成方法
WO2006093260A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Ulvac, Inc. タンタル窒化物膜の形成方法
WO2006093263A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Ulvac, Inc. タンタル窒化物膜の形成方法
WO2006093261A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Ulvac, Inc. タンタル窒化物膜の形成方法
JP2007211326A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Nec Electronics Corp 成膜装置および成膜方法
JP2010153487A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
KR20110104989A (ko) * 2009-02-02 2011-09-23 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 유전층 상의 전도성 물질의 플라즈마 향상 원자층 증착
JP2012074714A (ja) * 2011-11-14 2012-04-12 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US8158197B2 (en) 2005-03-03 2012-04-17 Ulvac, Inc. Method for forming tantalum nitride film

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053077A (ja) * 1999-08-13 2001-02-23 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP2002329680A (ja) * 2001-03-27 2002-11-15 Sharp Corp ＡＬＣＶＤによるＣｕインターコネクトのための多層バリアメタル薄膜
JP2007502551A (ja) * 2003-06-13 2007-02-08 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 銅メタライゼーションのためのａｌｄ窒化タンタルの集積

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053077A (ja) * 1999-08-13 2001-02-23 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP2002329680A (ja) * 2001-03-27 2002-11-15 Sharp Corp ＡＬＣＶＤによるＣｕインターコネクトのための多層バリアメタル薄膜
JP2007502551A (ja) * 2003-06-13 2007-02-08 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 銅メタライゼーションのためのａｌｄ窒化タンタルの集積

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8158197B2 (en) 2005-03-03 2012-04-17 Ulvac, Inc. Method for forming tantalum nitride film
US8796142B2 (en) 2005-03-03 2014-08-05 Ulvac, Inc. Method for forming tantalum nitride film
WO2006093259A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Ulvac, Inc. タンタル窒化物膜の形成方法
WO2006093260A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Ulvac, Inc. タンタル窒化物膜の形成方法
WO2006093263A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Ulvac, Inc. タンタル窒化物膜の形成方法
WO2006093261A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Ulvac, Inc. タンタル窒化物膜の形成方法
JP2006241521A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Ulvac Japan Ltd タンタル窒化物膜の形成方法
JP2006241525A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Ulvac Japan Ltd タンタル窒化物膜の形成方法
JP2006241524A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Ulvac Japan Ltd タンタル窒化物膜の形成方法
JP2006241520A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Ulvac Japan Ltd タンタル窒化物膜の形成方法
JP2006241522A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Ulvac Japan Ltd タンタル窒化物膜の形成方法
JP2006241523A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Ulvac Japan Ltd タンタル窒化物膜の形成方法
WO2006093262A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Ulvac, Inc. タンタル窒化物膜の形成方法
US8158198B2 (en) 2005-03-03 2012-04-17 Ulvac, Inc. Method for forming tantalum nitride film
WO2006093258A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Ulvac, Inc. タンタル窒化物膜の形成方法
US8105468B2 (en) 2005-03-03 2012-01-31 Ulvac, Inc. Method for forming tantalum nitride film
JP2007211326A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Nec Electronics Corp 成膜装置および成膜方法
US8679253B2 (en) 2006-02-13 2014-03-25 Renesas Electronics Corporation Deposition apparatus and method for depositing film
US8310052B2 (en) 2008-12-24 2012-11-13 Panasonic Corporation Semiconductor device and method for manufacturing same
JP2010153487A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
KR20110104989A (ko) * 2009-02-02 2011-09-23 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 유전층 상의 전도성 물질의 플라즈마 향상 원자층 증착
JP2012517101A (ja) * 2009-02-02 2012-07-26 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 導電材料の誘電体層上へのプラズマ増強原子層堆積
TWI508175B (zh) * 2009-02-02 2015-11-11 Asm Inc 形成積體電路的方法及形成閘電極的方法
KR101648062B1 (ko) 2009-02-02 2016-08-12 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 유전층 상의 전도성 물질의 플라즈마 향상 원자층 증착
US9466574B2 (en) 2009-02-02 2016-10-11 Asm America, Inc. Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers
JP2012074714A (ja) * 2011-11-14 2012-04-12 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

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