JP2005187302A - 高純度非磁性金属酸化物粉末及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 狭ピッチ化された半導体デバイスの封止用フィラーとして用いうる極めて高純度の非磁性金属酸化物粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 粒径１０μｍ以上の異物粒子の含有量が１０個／ｇ以下である高純度非磁性金属酸化物粉末であること、および非磁性金属酸化物粉末をスクリーン処理及び／又表面張力６５×１０^-3Ｎ／ｍ以下の液体に分散させては表面張力６５×１０^-3Ｎ／ｍ以下の液体に分散させてマグネット処理することにより上記課題は達成される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、高純度非磁性金属酸化物粉末及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、ＩＣ封止材用樹脂の充填材、基板、電子材料や半導体製造装置、封止材の原料用途等に適する金属等の異物の含有量が極めて低位にある高純度非磁性金属酸化物粉末及びその製造方法に関する。特に、半導体封止用樹脂組成物に添加するのに有用な高純度非磁性金属酸化物粉末に関する。

近年、電子産業の急速な発展につれて電子材料用や半導体製造用などに高純度のシリカ、アルミナ等の非磁性金属酸化物が使用されるようになった。デバイス製品の高度化につれて半導体用の封止材で使用される非磁性金属酸化物に対する要望は単に不純物濃度を低減させるのみではなく、非磁性金属酸化物粉末に含まれるその成分以外の異物の個数を低減させることが必要とされるようになっている。半導体用途で最も使用されている非磁性金属酸化物は封止材用フィラー、石英ガラス冶具等で使用されるシリカ粉末である。即ち、特にシリカ粉末に関し、シリカ以外の異物粒子の個数を低減させることが重要である。

高純度シリカが、特許文献１等で提案されており、そこでは不純物金属の含有量等が規定されている。また、特許文献２では粒径分布が０．３〜１０μｍの真球状シリカ粒子集合体が提案されている。
特開平０１−２３０４２２号公報 特開２００２−３７６２０号公報

これらの高純度シリカは不純物濃度が低いにもかかわらず、多くの異物粒子を含んでおり、封止材用フィラーとして用いた場合、導電性の異物粒子がワイヤー間に詰まり、電気的なショートを発生させる問題があった。また粒度分布が狭いシリカ粒子集合体であっても、１０μｍ以上の異物粒子は質量から見ると極わずかであるのに個数単位でみると無視できないほど多く含まれている。

半導体デバイスのワイヤーは年々狭ピッチ化が進み、現状では１５μｍ程度まで狭まっている。そのため、半導体デバイスの封止工程の歩留まりを上げるためにも、粗大粒子の削減が求められており、とりわけ１０μｍ以上の導電性の粒子を除去することが望まれている。

従って、本発明の課題は、狭ピッチ化された半導体デバイスの封止用フィラーとして用いうる極めて高純度の非磁性金属酸化物粉末およびその製造方法を提供することにある。

問題とされている導電性粒子の多くは環境、装置等からの混入が原因とされており、ステンレス磨耗粉、鉄等の磁性を有する粒子である。本発明ではスクリーン通過性の改良とマグネットの利用により、殆どの導電性粒子を除去した高純度非磁性金属酸化物粉末の製造を可能とした。

即ち、本発明の第１の発明は、粒径１０μｍ以上の異物粒子の含有量が１０個／ｇ以下であることを特徴とする高純度非磁性金属酸化物粉末、を要旨とする。なお、本発明では、「異物粒子」とは、８０００〜１２０００ガウスのマグネットに吸着する磁性粒子を意味する。

本発明の第２の発明は、高純度非磁性金属酸化物粉末の平均粒径が０．１〜１０μｍであり、最大粒径が平均粒径の３倍以下であることを特徴とする上記の高純度非磁性金属酸化物粉末、を要旨とする。

本発明の第３の発明は、非磁性金属酸化物が酸化ケイ素であることを特徴とする上記の高純度非磁性金属酸化物粉末、を要旨とする。

本発明の第４の発明は、非磁性金属酸化物粉末を、表面張力が６５×１０^-3Ｎ／ｍ以下である液体に分散させてスクリーン処理する工程及び／又は表面張力が７５×１０^-3Ｎ／ｍ以下である液体に分散させてマグネットで処理する工程を含むことを特徴とする上記の高純度非磁性金属酸化物粉末の製造方法、を要旨とする。

本発明の第５の発明は、スクリーンの目開きが５〜５０μｍであることを特徴とする上記の高純度非磁性金属酸化物粉末の製造方法、を要旨とする。

本発明の第６の発明は、上記の高純度非磁性金属酸化物粉末を使用することを特徴とする封止用樹脂組成物、を要旨とする。

本発明の第７の発明は、上記の高純度非磁性金属酸化物粉末を使用することを特徴とする配線ピッチ間隔が１５μｍ以下の半導体デバイス封止用樹脂組成物、を要旨とする。

本発明の第８の発明は、上記の高純度非磁性金属酸化物粉末を使用することを特徴とするアンダーフィル材、を要旨とする。

本発明の高純度非磁性金属酸化物粉末は、粒径１０μｍ以上の異物粒子を含まないので半導体等の封止材用の充填剤として有用であり、ワイヤー間隔が１５μｍ以下にも対応可能である。

また、本発明の方法によれば、従来問題とされていたステンレス磨耗粉、鉄等の導電性粒子を極めて低減した高純度非磁性金属酸化物粉末を製造することが可能である。また、本発明の方法で得られた高純度非磁性金属酸化物粉末は、実質的に導電性粒子を含まないため、電子部品用の液状封止材用充填材として好適に用いることができる。

本発明に係わる高純度非磁性金属酸化物粉末は異物粒子、即ち、８０００〜１２０００ガウスのマグネットに吸着される磁性粒子が少ないことが特徴である。

一般に高純度非磁性金属酸化物粉末を製造する際、装置に由来する汚染は鉄、ステンレス系が多い。ステンレスは磁性がないと一般に考えられているが、磨耗等により生成する磨耗微粉は弱磁性体であり、マグネットに付着する。

これらの磁性粒子を除去することにより、実質的に導電性の粒子等の異物粒子は殆ど含まない非磁性金属酸化物を製造することができる。本発明における高純度非磁性金属酸化物はシリカ、アルミナ等の磁性を有しない金属酸化物を意味し、特に封止材用フィラーとしてしばしば用いられるシリカに関し、鉄、ステンレス系の異物を除去することが極めて重要である。

特許文献２では、記載されている非磁性金属酸化物の粒径分布０．３〜１０μｍであるとされ、１０μｍ以上の異物粒子も含まれていないかのように思われる。しかし、該この文献では粒径分布の幅はコールターカウンターと電子顕微鏡（ＳＥＭ）により測定された値である。通常、コールターカウンターでは、その測定原理から見て、本発明で問題となるような大きな粒径を有する粒子は１ｇ当たり１００ｐｐｍ以下では検出が困難である。本発明で問題とする異物粒子は、この検出が困難である大きな粒子中に多く存在する。

また、ＳＥＭで実際に一回の測定で分析できるサンプル量は、その装置の制約から、０．０１ｇ以下であり、１ｇ中の異物粒子の全個数を確認するためには１００回以上分析する必要がある。即ち、１ｇ中に１０個の異物が混入していたとしても、ＳＥＭで確認すると確率的に１０回測定しても１個検出されるか否かとういう測定精度が必要である。従って、ＳＥＭでは異物粒子の個数を定量することは困難であり、異物を個数レベルで考えた場合、異物粒子の混入量は測定できないのである。また、ＳＥＭの測定において、通常の実験操作で１０μｍ以上の異物粒子は１００個以上容易に混入する。本発明で問題となる粒径の不純物が１０００個程度含まれていても濃度として見るとｐｐｍオーダーであり、検出が困難なレベルである。

よって、特許文献１に開示された発明では、非磁性金属酸化物粉末１ｇ中に数百個程度の異物粒子が含まれていたと思われ、近年の半導体素子の狭ピッチ化に対応するには問題がある。

非磁性金属酸化物粉末を半導体封止用フィラーとして使用した場合、鉄、ステンレス系の導電性粒子はワイヤー間でショートする原因となる。ワイヤー間隔が１５μｍより狭くなることも予測されるため、１０μｍ以上の導電性粒子は出来うる限り除去することが求められる。一般に市販されている高純度非磁性金属酸化物粉末は純度が９９．９９％以上であっても、上述のように異物粒子が１００個／ｇ以上含まれている。電気的なショートを軽減させるためには異物粒子を１０個／ｇ以下にする必要がある。特にワイヤー配線が多いデバイスでは５個／ｇ以下にすることが望ましく、さらにハイエンドの特に高密度に配線されたデバイスでは３個／ｇ以下にすることが好ましい。

なお、本発明において、粒径１０μｍ以上の異物粒子の個数測定は以下のようにして行なった。

サンプル１ｇをエタノール水溶液（１０質量％）２０ｍｌにテフロン製ビーカー中で分散させ、その中に肉厚１ｍｍのステンレス製カバーで覆った１２０００ガウスのマグネットを浸漬する。１０分間攪拌した後、カバーごとマグネットを引上げ、超純水１００ｍｌが入ったテフロン製ビーカー中にカバーごとマグネットを浸漬し、次いで、その状態でカバーからマグネットを抜き取り、カバーに付着ている異物粒子を超純水中に洗い落とす。異物粒子が洗い込まれた超純水をポリエステル製目開き１０μｍスクリーンでろ過し、スクリーン上に残った異物粒子を光学顕微鏡でカウントする。

封止用フィラーは、樹脂配合時及び／又は半導体封止時の流動特性が必要であるため、球状であることが好ましい。また、封止樹脂厚は薄型化の傾向があり、それに対応すべく平均粒径は０．１〜１０μｍであることが好ましい。封止樹脂厚はさらに薄型化が進むと思われるので、フィラーの平均粒径は特に０．１〜５μｍが望ましい。最大粒径はワイヤー間でフィラーが詰まってしまわないようにできるだけ小さくすることが望ましい。即ち、平均粒径の３倍以下であることが好ましい。従って、平均粒径が０．１〜５μｍである場合、最大粒径は１５μｍ以下であることが好ましい。但し、粒度分布を極端に狭くすることは樹脂配合時の流動性の面で望ましくない。微粒側にある程度分布を有することが望ましく、最大粒径は平均粒径の１．５〜３倍、且つ粒子の変動係数（Ｃｖ）が１５〜５０％の範囲であることが好ましい。さらに、今後、ワイヤーのピッチがより狭くなることが予測され、この要請からも、最大粒径は平均粒径の１．５〜３倍であることが、ワイヤーのピッチが１５μｍより狭くなることが予測されることから、最大粒径は平均粒径の１．５〜２倍にすることがより望ましい。なお、粒子の変動係数（Ｃｖ）は粒径のバラツキを表す指標であり、標準偏差（σ）と平均粒径（ｄ）から下記式（Ｉ）で表される。

Ｃｖ＝１００×σ／ｄ （Ｉ）

本発明では非磁性金属酸化物粉末の平均粒径はメディアン径を意味し、粒径はベックマンコールター社のＬＳ１３０（レーザー回折散乱方式）により測定する。

非磁性金属酸化物粉末が球状である場合、真球度が０．９以上である粒子の含有率が９０％以上であることが望ましい。真球度が低い場合、粉体の凝集性が強く、分散しにくいため、磁性粒子を除去し難い。真球度は一つの粒子における最大直径（ｄ₁）に対する最小直径（ｄ₂）の比であり、下記式（ＩＩ）により表される。

真球度＝ｄ₂／ｄ₁ （ＩＩ）

なお、非磁性金属酸化物粉末の真球度の値は、粉末のＳＥＭ写真において、ランダムに２０個の粒子を選んで、それぞれの最大直径と最小直径を測定し、まず個々の粒子の真球度の値を上記式（ＩＩ）で算出し、その平均値で表したものである。

本発明の高純度非磁性金属酸化物粉末は水より表面張力が小さな液体に非磁性金属酸化物粉末を分散させ、該スラリーをスクリーンに通すこと、あるいはマグネットと接触させることにより製造できる。なお、スクリーンを通すこととマグネットと接触させることを同時にあるいは連続して行なってもよい。

なお、処理にするスラリーの濃度としては、１〜５０質量％とすることが望ましく、好ましくは３〜２０質量％である。１質量％未満では濃度が薄すぎ作業効率に劣り、分散溶媒の回収にも多大の費用がかかる。一方、５０質量％を超えるとスラリーの流動性に劣りスクリーンを通過させることが困難になる。

該スラリースをクリーンに通す際、非磁性金属酸化物の分散に用いる液体はその表面張力が低いほど通過性が良い。通常水が使用されるが、表面張力が大きいため、スクリーン通過性が悪い。そのため、粒子の殆どがスクリーンの目開きより小さな粒子であっても目詰まりが頻繁に発生し、目詰まりしたスクリーンの洗浄、交換等の作業が異物粒子混入の原因となっていた。

そのため、表面張力が６５×１０^-3Ｎ／ｍ以下である液体に非磁性金属酸化物粉末を分散させることにより、スクリーン通過性が飛躍的に改善される。特に目開き２０μｍ程度のスクリーンを通過させる場合、分散させる液体の表面張力は３０×１０^-3Ｎ／ｍ以下であることが望ましい。

表面張力は６５×１０^-3Ｎ／ｍ以下での液体は特に限定しないが、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類等があげられる。水溶性の液体の場合は水溶液として用いることもできる。

スクリーン処理の際、アルコール、ケトン類等の溶剤を使用した場合、スラリーの温度は５０℃以下が好ましい。５０℃を超える温度でスクリーン処理をした場合、劣化が著しくなるため、溶剤を使用した場合において、本発明で用いる液体は０〜５０℃の温度で表面張力が６５×１０^-3Ｎ／ｍ以下であることが望ましい。溶剤使用とは全液体に対する溶剤を１質量％以上添加する事を意味する。

液体に水を用いる場合は５０℃を超える温度でもスクリーンの劣化がないため、使用可能である。液体に水を用いる場合は６０℃を超える温度で制御し、表面張力を６５×１０^-3Ｎ／ｍ以下にすることで使用することができる。

スクリーンの目開きは処理する非磁性金属酸化物粉末の粒径により、５〜５０μｍの範囲で選択することが望ましい。目開きは処理する該粉末の最大粒径と同等もしくはその１．５倍以下とするのが好ましい。

さらに、異物除去効果を高めるためにはスクリーン処理とマグネット処理を併用することが望ましい。スクリーン及びマグネットの形状は特に限定しないが、円筒状のスクリーンの内側にマグネットが入ったマグネット付きストレーナーが好適である。マグネット処理時は、非磁性金属酸化物粉末を分散させるのに用いる溶媒としては、表面張力が７５×１０^-3Ｎ／ｍ以下であるものであれば、特に限定しない。

図１に上記ストレーナーの模式図を示す。

図１を用いてストレーナーによる異物粒子の除去手続を説明する。

ストレーナー１の入口２から非磁性金属酸化物粉末のスラリー３が導入され、ストレーナー内部に円筒状に設けられたスクリーン４により大粒径のものがスクリーン４上に残り、所定の粒径以下の粉末のスラリー５がスクリーン４を通過する。通過してきたスラリー５は、スクリーン４の空間部に設けられた柱状のマグネット６と接触し、スラリー５中の異物粒子が吸着除去される。その後異物粒子が除去されたスラリー７はストレーナー出口８より回収され、溶媒除去、乾燥して高純度非磁性金属酸化物粉末が製造される。一方、スクリーン４上に残った大粒径の粉末はストレーナー１の逆洗浄により回収され、マグネットとの接触処理、解砕処理により再びストレーナー１にて処理される。また、ストレーナー１内のマグネット６は所定処理量毎に抜き出され、付着する異物粒子が除去され、再使用される。

スクリーンの材質は腐食し難い材質が良い。金属製であれば、ステンレスが望ましい。
樹脂製の場合は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン、ポリアクリル、ポリエステル、ポリイミド、フッ素系樹脂、ポリ塩化ビニル等が使用できる。

この際に使用するマグネットとしては磁力１０００ガウス以上あれば使用できるが、より異物粒子を除去するためには、８０００ガウス以上であることが望ましい。また、該マグネットはスラリーとの接触により表面が剥離すると異物粒子となって高純度非磁性金属酸化物粉末に混入することがあるので、マグネットの表面を樹脂で被覆しておくことが望ましい。マグネットを被覆するための樹脂は特に限定しないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン、ポリアクリル、ポリエステル、ポリイミド、フッ素系樹脂、ポリ塩化ビニル等が使用できる。マグネット表面での静電気を抑制するために、帯電性を抑制した樹脂が望ましい。

特に精度良く異物を除去するためには比表面積が理論比表面積の１０倍以上の非磁性金属酸化物粉末を液体に分散させ、マグネットおよび／またはスクリーンで処理することが望ましい。その場合、分散させる液体としては純水でもよいが、好ましくは上記したような表面張力６５×１０^-3Ｎ／ｍ以下の液体が良い。なお、ここで非磁性金属酸化物粉末の比表面積は日機装製ベータソーブ４２００で測定したものである。また、理論比表面積ＳＡとは粉末の平均粒径から求めた値で、粒径ｄ（μｍ）および真比重Ｄ（ｇ／ｃｍ³）より下記式（ＩＩＩ）より求められる。

ＳＡ（ｍ²／ｇ）＝６／（ｄ×Ｄ） （ＩＩＩ）

通常、ゾルゲル法等の湿式反応では反応槽、輸送ライン等の装置由来の剥離物の混入が異物粒子の原因となっている。これらの装置由来の剥離物は発生直後において比較的大きなサイズであり、発生初期に除去することが重要である。即ち、湿式反応により得られる非磁性金属酸化物を乾燥する前に２０〜３００μｍの目開きのスクリーンで処理した後、再度乾燥、焼成後に、上記したスクリーン処理及び／またはマグネット処理することが望ましい。

これら湿式処理に加え、乾式でスクリーン処理し、その後マグネットに接触させる方法も有効である。

ゾルゲル法等の湿式反応では乾燥後、粒子間の焼結を防止するために焼成前に解砕を行うことが望ましい。焼成前の解砕には最大粒径の１０倍以下の目開きを有するスクリーンが好適に用いられる。好ましくは１〜５倍の目開きを有するスクリーンを使用することがよい。さらに好ましくは１〜３倍の目開きを有するスクリーンを使用することがよい。スクリーンを使用した解砕の仕方は特に限定しないが、振動篩や超音波篩を用いる方法や水平円筒状のスクリーンの内部に原料をフィードし、スクリーン内部に取り付けられたブレードを高速回転させることにより、連続的に解砕させる方法（例えば、ターボ工業製ターボスクリーナー）などが挙げられる。スクリーンの材質は金属による汚染が無いものが好ましい。これを満足するために樹脂製の篩が好ましい。樹脂の種類は特に限定しないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン、アクリル、ポリエステル、ポリイミド、フッ素系樹脂等が使用できる。解砕時の静電気を抑制するために、帯電性を抑制した樹脂が有効である。また、高湿下で作業することも可能である。また、若干の水分を添加することも可能である。

異物粒子を除去する工程はクリーンな場所が好ましく、少なくとも５０００個／３０ｃｍ³以下のクリーン度が必要である。望ましくは１０００個／３０ｃｍ³以下が良い。これらのクリーン度は作業をしていない状態でのクリーン度である。目的とする非磁性高純度金属酸化物粉末を処理している際は該粉末が飛散して、見かけ上のクリーン度は悪くなる。しかし、クリーン度はパーティクルカウンターによって測定された値である。パーティクルカウンターで測定される粒子の大きさは０．１μｍ以上であるが、実質的に５０００個／３０ｃｍ³以下であれば、浮遊している２０μｍ以上の異物粒子は殆ど検出されないレベルになる。

上記のようにして得られた多孔質の非磁性金属酸化物粉末を、クリーン度の高い環境下で焼成することにより、非孔性の高純度非磁性金属酸化物粉末が得られる。

非磁性金属酸化物粉末の焼成温度は、６００℃以上該金属酸化物の融点以下の温度範囲で適宜選定すれば良い。なお、高純度非磁性金属酸化物粉末が非晶質シリカである場合、非孔性にするためには焼成温度は９００〜１２００℃とすることが好ましい。また、樹脂と配合する時の流動特性を重視する場合、１０００〜１１００℃が最も好ましい。

非磁性金属酸化物粉末の焼成は汚染が防止できる方法であれば、いかなる方法も用いることができる。異物粒子の汚染を最も抑制できる方法として、静置焼成が好ましい。焼成時に共材の容器を使用することにより、非磁性金属酸化物粉末への異物粒子混入は殆ど認められなくなる。例え、異物粒子で汚染された場合でも焼成後、容器内の非磁性金属酸化物粉末の表面を除去することで異物粒子の汚染が殆ど認められないレベルになる。なお、焼成後の粉末の表面を１〜２ｃｍ除去することで汚染による異物粒子はほぼ完全に除去できる。

異物粒子の含有量が極めて少ない高純度非磁性金属酸化物粉末の中で球状シリカ粉末の場合、封止材用フィラーとして使用されることが多い。当該用途では、狭い隙間に流し込むアンダーフィル、ワイヤー間が狭ピッチのデバイスで使用されるオーバーコート材等で使用されることが多い。該非磁性金属酸化物粉末の最大粒径をできるだけ小さくすると同時に樹脂配合時の粘度が低く、隙間浸透性に優れることが望ましい。一般に樹脂配合時のチキソ比が低いほど侵入性が良いと考えられる。

非磁性金属酸化物粉末のチキソ比とは、該非磁性金属酸化物粉末をビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂と質量比７０：３０で混合した際の粘度測定において、粘度計の回転数０．５ｒｐｍでの粘度値（η₁）、２．５ｒｐｍでの粘度数（η₂）の比η₁／η₂を意味する。なお、本粘度測定に使用するビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂は、エポキシ当量１８１〜１９１、２５℃の粘度９〜１２ポイズのエポキシ樹脂であり、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂とブチルグリシジルエーテルの混合物（質量比８９：１１）である。市販のエポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン社販売のエピコート８１５（商品名）が該当する。測定温度は５０℃であり、粘度計はＥ型粘度計（東機産業製ＲＥ８０Ｒ型）を使用する。アンダーフィル用として使用するには、低いチキソ比を示すものが好ましく、η₁／η₂が１．０未満であることが好ましい。

半導体の分野で使用される材料は一般に高純度が要求される。特にＮａ、Ｋ、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｃａ、Ｍｇなどのアルカリ土類金属及びＣｌなどのイオン性不純物は、アルミニウム配線を腐食する原因となるので、高純度非磁性金属酸化物粉末としては、これらの不純物を実質的に含有しないことが好ましい。また、ソフトエラー発生を抑制するため、放射性元素が厳しく制限されている。封止材用フィラーは放射性元素が２ｐｐｂ越えていると、ソフトエラー発生の原因となり好ましくない。したがって、実質的にアルカリ金属、アルカリ土類金属を１ｐｐｍ以下に、放射性不純物の含有量を２ｐｐｂ以下に抑制することが好ましい。ここでの放射性元素とはＵ及びＴｈを示す。さらにＵ及びＴｈの含有量の合計が１ｐｐｂ以下であることが好ましい。これらの不純物の含有率は、適宜の分析手段により直接測定することができるが、非磁性金属酸化物粉末を溶解させ、溶解した水溶液をＩＣＰ−ＭＳで分析することができる。例えば、シリカの場合は、フッ化水素水溶液で加熱溶解し、シリカ分をＳｉＦ₄として気化させ、残分をＩＣＰ−ＭＳで分析することにより不純物濃度の測定ができる。

本発明の高純度非磁性金属酸化物粉末の製造において、マグネットによる処理前の非磁性金属酸化物粉末の製法は限定しないが、ゾルゲル法等により製造することができる。例えば、シリカであればシリコンアルコキシド、珪酸アルカリ、シリカゾル等の原料段階で溶液状又はゾル状であればいずれの原料でも使用できる。これらの原料を用い、種粒子を成長させる粒子成長法、原料を懸濁又はエマルション化させ凝固させる方法等が挙げられる。

高純度シリカ粉末を製造する場合、工業的には珪酸アルカリをエマルション化させ、凝固させる方法がコスト的に有利であり、最も望ましい。

珪酸アルカリをエマルション化させ、凝固させる方法は以下の手法により製造できる。

１］シリカ粉末の調製
１）油中水滴型（Ｗ／Ｏ型）エマルションの調製
アルカリ珪酸塩水溶液を分散相として含むエマルションを調製する。即ち、アルカリ珪酸塩水溶液と混和しない液体を連続相とし、この中にアルカリ珪酸塩水溶液を分散相として細粒状に分散させた、油中水滴型（Ｗ／Ｏ型）エマルションを生成させる。

アルカリ珪酸塩水溶液と連続相形成用液体及び乳化剤を混合し、乳化機などを用いて乳化させ、アルカリ珪酸塩水溶液を分散相として含むＷ／Ｏ型のエマルションを調製する。乳化時の乳化機の回転数を変化させることにより、粒径を制御することができる。また、アルカリ珪酸塩水溶液を水で希釈することにより、粒径をより微細にすることができる。逆に濃縮により、粘度を増加させることにより、粒径を大きくすることができる。

使用するアルカリ珪酸塩としては、珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、珪酸リチウムなどを包含するが、珪酸ナトリウムが一般的に用いられる。アルカリ珪酸塩水溶液のシリカ濃度（ＳｉＯ₂として）は１〜４０質量％の範囲が好ましく、さらに好ましくは５〜３５質量％の範囲である。市販されているＪＩＳ３号の珪酸アルカリが扱いやすい。

原料に使用するアルカリ珪酸塩水溶液はアルカリ金属、Ｓｉを除く他の金属含有量の合計が０．１質量％以下のアルカリ珪酸塩水溶液（以下、「高純度水ガラス」ともいう）を用いることで極めて高純度な球状シリカを製造することができる。アルカリ金属、Ｓｉを除く他の金属含有量の合計が０．１質量％以下のアルカリ珪酸塩水溶液は高純度の天然珪石又は合成シリカをアルカリ金属水溶液に溶解させることにより、調製することができる。合成シリカは特に限定しないが、アルカリ珪酸塩を原料とした高純度シリカが製造コストの面で好ましい。アルカリ金属水溶液としては水酸化ナトリウム水溶液が後の不純物抽出の際に有利である。高純度の珪石又は合成シリカをアルカリ金属水溶液に溶解させる際は加熱により溶解時間が短縮できる。また、オートクレーブ等で加圧することも有効である。なお、電子材料等の原料として使用する場合はアルカリ金属、Ｓｉを除く他の金属含有量の合計が０．０１質量％以下であることが好ましい。また、放射性元素の含有量も少ないほど好ましく、Ｕ及びＴｈの合計が１０ｐｐｂ以下であることが好ましい。

連続相形成用液体としては、アルカリ珪酸塩水溶液及び鉱酸水溶液と反応せず、かつ、混和しない液体を用いる。その種類は、特に限定しないが、解乳化処理の面からは、沸点が１００℃以上であり、比重が１．０以下であるオイルを使用することが好ましい。アルカリ珪酸塩水溶液とオイルの混合比（質量）は８：２〜２：８、好ましくは８：２〜６：４である。

上記の連続相形成用液体として、例えば、ｎ−オクタン、ガソリン、灯油、イソパラフィン系炭化水素油などの脂肪族炭化水素類、シクロノナン、シクロデカンなどの脂環族炭化水素類、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、テトラリンなどの芳香族炭化水素類などを用いることができる。乳化安定性の観点からイソパラフィン系飽和炭化水素類が好ましい。

乳化剤としては、Ｗ／Ｏ型エマルションの安定化機能を有する乳化剤であれば特に限定はなく、脂肪酸の多価金属塩、水難溶性のセルロースエーテルなどの親油性の強い界面活性剤を用いることができる。後処理の点からは、非イオン性界面活性剤を用いることが好ましい。具体例として、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレートなどのソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレートなどのポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンモノラウレート、ポリオキシエチレンモノパルミテート、ポリオキシエチレンモノステアレート、ポリオキシエチレンモノオレートなどのポリオキシエチレン脂肪酸エステル類、ステアリン酸モノグリセリド、オレイン酸モノグリセリドなどのグリセリン脂肪酸エステル類などを挙げることができる。

乳化剤の使用量は、乳化対象であるアルカリ珪酸塩水溶液に対して、０．０５〜５質量％の範囲が適当である。また、各工程での処理を考慮すると０．５〜１質量％が好ましい。

２）球状シリカゲル粒子の凝固・不純物抽出・洗浄処理
上記で調製されたアルカリ珪酸塩水溶液を分散相として含むエマルションと鉱酸水溶液とを攪拌下に混合する。鉱酸とアルカリ珪酸塩との中和反応によって球状の多孔質シリカゲルが生成する。混合方法の順序についての限定はしないが、アルカリ珪酸塩水溶液を含むエマルションへ鉱酸水溶液を加える場合は、反応時の極端な鉱酸濃度の低下を招く恐れがあるので、アルカリ珪酸塩水溶液を含むエマルションを鉱酸水溶液へ加えることが好ましい。反応時の鉱酸／アルカリ分（水ガラス中のＮａ₂Ｏ分）のモル比は２以上であると所望の球状粒子が得られるが、生産性を考慮すると該モル比は５以下とすることが好ましい。

鉱酸として、硫酸、硝酸、塩酸等を用いることができるが、脱水作用が強く、コストの面でも安価な硫酸が最も好ましい。なお、鉱酸濃度としては、１５質量％以上とすることが好ましく、より好ましくは２０質量％以上の硫酸を用いるのがよい。アルカリ珪酸塩水溶液を含むエマルションを１５質量％未満の鉱酸水溶液と接触させた場合、粗粒切れの良い粒径分布の球状粒子は得られない。鉱酸水溶液の濃度の上限としては５０質量％が好ましい。真球度、単分散度を考慮すると、鉱酸濃度は１５〜３５質量％が好ましい。また、アルカリ珪酸塩水溶液との反応が完全に終了した後、水相の反応液中のフリーの鉱酸濃度は１０質量％以上であることが好ましい。フリーの鉱酸濃度とは実質的に金属イオン等と塩を形成していない鉱酸の濃度である。

攪拌方法によって異なるが、アルカリ珪酸塩水溶液を含むエマルションと鉱酸水溶液との中和反応は５〜１２０分間でほぼ終了する。中和反応の終了は反応液の温度が下降傾向を示した時点で終了したものとする。

中和反応終了後、反応液を分離することなくそのまま昇温する。この昇温により、エマルション状の反応液はオイル相とシリカゲル粒子分散系鉱酸水溶液相に層別に分離する解乳化処理とともに不純物の抽出除去も併せて行うことができる。温度は５０℃以上が必要である。好ましくは５０〜１２０℃、さらに好ましくは８０〜１００℃の範囲である。処理時間としては１分〜５時間の範囲で適宜選定すればよい。通常３０分〜１時間程度で処理を完了することができる。前記高純度水ガラスを原料として使用した場合は加熱による抽出を行わなくとも、高純度な球状シリカゲルを得ることができる。

本製造方法により、シリカ粒子は放射性元素を含む不純物の含有率が極めて低くなり、シリカ粒子を０．０１質量％以上の鉱酸及び純水で洗浄することにより、ＳｉＯ₂分９９．９９％以上にすることができる。

不純物の抽出においては反応前又は反応後にキレート剤を添加することも有効である。キレート剤は特に限定しないが、酸性下で効力を発揮するものが好ましい。また、反応前後において硝酸を添加することにより冷却後におけるＴｈ等の不純物の再析出を防止することができる。硝酸の添加量は全添加酸量に対して０．１〜５質量％で再析出抑制効果が得られる。好ましくは０．５〜３質量％の範囲が良い。前記高純度水ガラスを原料として使用した場合、上述のようにキレート剤の添加は不要である。

なお、本工程の洗浄において、マグネット付きストレーナーにより、異物粒子を除去することが有効である。スクリーンの目開きは工業的には２０〜３００μｍが好適である。

３）球状含水シリカ粒子の乾燥
不純物を抽出除去した球状含水シリカ粒子中には、なお２０質量％以上の水分が保持されている。水分が多い状態では粒子の分散が困難であるため、水分を２０質量％以下になるまで乾燥させる。乾燥方法は特に限定しないが、流動乾燥機は乾燥しながら、解砕されるため、有効である。付着水を除去するための乾燥処理条件は、温度５０〜５００℃、実用的には１００〜３００℃の範囲とするのがよい。処理時間は、乾燥温度に応じて、１分間〜４０時間の範囲で適宜選定すればよい。通常、１０〜３０時間で乾燥できる。

乾燥後に得られた球状シリカゲルは水分が０．１質量％以下となる場合があるが、吸着能が残っているため、雰囲気中の水分を吸着させることにより、水分０．１質量％以上には容易にできる。

２］解砕・異物粒子の除去・焼成
得られた乾燥シリカゲルを解砕し、スクリーン通過及び／又はマグネット処理で異物粒子を除去することにより、異物粒子を含まない多孔性高純度シリカゲル粉末が得られる。この多孔性高純度シリカゲル粉末をクリーン度の高い環境下で焼成することにより、異物粒子を含まない非孔性高純度シリカ粉末が得られる。

焼成方法は特に限定しないが、石英等の容器中において、６００〜１５００℃の任意の温度で焼成できる。また、その他の方法として、流動焼成炉、ロータリーキルン、火炎焼成炉などを用いることもできる。場合によって、焼成後に極弱い凝集が見られることもあるが、再度スクリーンを用いて解砕することにより、粒子間焼結及び凝集のない単分散状の高純度シリカ粉末が得られる。

焼成温度は高い方がより緻密な粒子が得られ、樹脂配合時の流動性が良くなる。そのためには、１１００℃以上とするのがよい。さらに表面のシラノールを極限まで低減させるためには１１５０℃以上の焼成が好ましい。焼成時間は焼成温度に応じて、１分間〜２０時間の範囲で適宜選定すればよい。通常、２〜１０時間で所定の比表面積まで下げることができる。

焼成処理を行う際の雰囲気としては、酸素や炭酸ガスなどでも良いし、必要によって窒素やアルゴンなどの不活性ガスを用いることもできる。実用的には空気とするのがよい。

焼成処理を行う際に用いる装置としては、シリカ粉末を静置した状態で処理する焼成炉を用いることができる。なお、シリカ粒子を流動状態に保ちながら焼成処理する装置、例えば、流動焼成炉、ロータリーキルン、火炎焼成炉などを用いることもできる。加熱源としては、電熱又は燃焼ガスなどを用いることができる。異物粒子の混入を極力抑制するためには静置した状態で焼成することが最も望ましい。また、焼成時の容器は共材であることが望ましく、シリカ粉末の焼成では石英坩堝を使用することが最も望ましい。

このようにして得られる高純度シリカ粉末は導電性粒子を殆ど含まず、また、粒度分布において粗粒切れが良く、かつ、樹脂に混合した際、極めて粘度が低いため、高度なデバイスの封止に使用する液状封止材用充填材として好適に用いることができる。また、シリカ以外の非磁性金属酸化物粉末においても、同様の手法により、極めて異物粒子の含有量を少なくすることが可能である。

焼成後は若干凝集していることがあるため、解砕を施すことも有効である。焼成後は表面張力が６５×１０^-3Ｎ／ｍ以下の液体に非磁性金属酸化物粉末を分散させ、該スラリーをスクリーン及び／又はマグネットで処理することにより異物粒子の含有量が極めて少ない高純度のシリカ粉末を得ることができる。

本発明の高純度非磁性金属酸化物粉末は特に配線ピッチ間隔が１５μｍ以下の狭ピッチの半導体デバイス封止用樹脂組成物に好適に用いることができる。また、今後さらに配線ピッチ間隔が１５μｍより狭まった場合でも、好適に使用することができる。また、本発明による平均粒径０．１〜５μｍの高純度非磁性金属酸化物粉末は、基板とチップの隙間が１５μｍ程度の狭ギャップ用アンダーフィル材にも好適に用いることができる。

以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明する。

実施例１
１］非磁性金属酸化物の調製
１）エマルションの調製
ＪＩＳ３号水ガラス（２５℃での粘度が３５０ｃｐとまで濃縮したもの）２０ｋｇ、イソパラフィン系炭化水素油（商品名：アイソゾール４００、日本石油化学工業社製）７．５ｋｇ及びソルビタンモノオレート（商品名：レオドールＳＰ−Ｏ１０、花王社製）０．１８ｋｇを混合し、攪拌機で攪拌混合した後、乳化機を用いて乳化させてエマルションを作成した。

２）凝固・不純物抽出・洗浄処理
２８質量％の硫酸水溶液５７５ｇを室温で攪拌しながら、これに上記で作成したエマルション４１５ｇを添加した。添加終了後、室温下でさらに４０分間攪拌を続けた。次いで攪拌下に６２質量％工業用硝酸４０ｇを添加し、さらに２０分間攪拌した後、攪拌しながら１００℃に加熱し、その温度で３０分間保持した。この処理によって、乳濁状の反応液はオイル相（上相）とシリカゲル粒子が分散した水相（下相）とに分離した。

オイル相を除き、水相中のシリカゲル粒子をヌッチェで濾過し、０．０１％硫酸水溶液で反応液を置換洗浄した後、純水で、洗液のｐＨが４以上になるまで繰り返した。その後十分吸引して、脱水し、湿潤状の高純度球状シリカゲルを得た。

３）乾燥
得られた湿潤状の高純度球状シリカゲルを温度１２０℃で２０時間乾燥し、高純度乾燥球状シリカゲル粉末１００ｇを得た。得られた高純度乾燥球状シリカゲル粉末は比表面積５３０ｍ²／ｇ、水分０．８質量％であった。

２］解砕・異物粒子の除去
この高純度乾燥球状シリカゲル粉末を、ターボスクリーナー（ターボ工業製）を用い、ポリエステル製目開き２７μｍのスクリーンで解砕し、スクリーン下の排出口に８０００ガウスの格子状マグネットを５段設置し、あらかじめ異物粒子を除去した。なお、格子状マグネットは表面をテフロン樹脂で被覆したものを用いた。

異物粒子を除去した乾燥シリカ粒子を石英製坩堝（２０リットル）に充填し、１１５０℃で６時間焼成した。

焼成後、得られたシリカ粉末をポリエステル製目開き３３μｍスクリーンで再度解砕し、シリカ濃度が１０質量％となるようにエタノール（表面張力：２２．２７×１０^-3Ｎ／ｍ（２０℃））に分散させ、ポリエステル製目開き２４μｍスクリーンで処理し、スクリーンを通過させたスラリーに１２０００ガウスのマグネット棒を入れ、１０分間掻き混ぜた。マグネット処理したスラリーをクリーンルーム内でヌッチェを用いて脱液し、１２０℃で２０時間乾燥させた。乾燥時はサンプルの入れた容器に蓋をかぶせ、エタノールが蒸発するために十分な隙間を保ちつつ、異物が混入しないように、窒素気流下で乾燥させた。

得られたシリカ粉末について、平均粒径、最大粒径、比表面積、異物粒子（粒径１０μｍ以上）及びチキソ比を測定した。平均粒径４．０μｍ、最大粒径１１μｍ及び真比重２．２０であった。また、ＢＥＴ法で測定した比表面積は０．７ｍ²／ｇで理論批評面積の１．０倍であった。さらに、ＳＥＭ写真で真球度が０．９以上である粒子の含有率が９９％以上であり、表面の平滑性も良好な球状シリカ粉末であることが確認された。なお、異物粒子（粒径１０μｍ以上）は１個／ｇであった。その結果を表１にまとめた。

粒径はベックマンコールター社製ＬＳ−１３０（レーザー回折散乱方式）を用いて測定した。平均粒径はメディアン値である。

最大粒径は標準篩を用い、メッシュ下が１００．００％を示したメッシュの開口大きさで示した。

異物粒子の測定は、１２０００ガウスのマグネット（ダイカ社製）を用いて行った。即ち、サンプル１ｇをエタノール水溶液（１０質量％）２０ｍｌに分散させ、ステンレス製カバー付きマグネットをスラリーへ浸漬し、１０分間攪拌した。その後、マグネットをカバーごと引上げ、超純水１００ｍｌが入ったテフロンビーカー中にマグネットをカバーごと浸漬した。超純水に浸漬させた状態でカバーからマグネットを抜き取り、カバーに付着した異物粒子を超純水で洗い流した。次いで、異物粒子が洗い込まれた超純水をポリエステル製の目開き１０μｍスクリーンでろ過し、スクリーン上に残存する異物粒子を光学顕微鏡でカウントした。

チキソ比は、液状エポキシ樹脂（商品名：エピコート８１５、ジャパンエポキシレジン社製）１２ｇとシリカ２８ｇを用い、Ｅ型粘度計（東機産業社製ＲＥ８０Ｒ型）により、５０℃で回転数０．５ｒｐｍ及び２．５ｒｐｍで測定した粘度より求めた。

実施例２
実施例１において、焼成後の再解砕、マグネット棒による処理に代えて、焼成後のシリカ粉末を直接エタノール（表面張力：２２．２７×１０^-3Ｎ／ｍ（２０℃））に１０質量％になるよう分散させ、目開き３０μｍのステンレス製メッシュと１２０００ガウスのマグネットからなるストレーナーで処理する以外は実施例１と同様にして高純度球状シリカ粉末を得た。異物粒子は３個／ｇであった。他の測定結果とともに表１に示す。

実施例３
実施例１において、焼成後に再解砕したシリカ粉末を分散させるのに用いるエタノールを濃度１０容量％のエタノール水溶液（表面張力：４８．２５×１０^-3Ｎ／ｍ（４０℃））に変更する以外は実施例１と同様にして高純度球状シリカ粉末を得た。異物粒子は２個／ｇであった。他の測定結果とともに表１に示す。

実施例４
実施例１において、焼成後に再解砕したシリカ粉末を分散させるのに用いるエタノールをアセトン（表面張力：２３．３２×１０^-3Ｎ／ｍ（２０℃））に変更する以外は実施例１と同様にして高純度球状シリカ粉末を得た。異物粒子は１個／ｇであった。他の測定結果とともに表１に示す。

実施例５
原料水ガラスとして、ＪＩＳ３号水ガラスを純水で希釈して、ＳｉＯ₂分を２７質量％に調製したものを用いる他は実施例１と同様にして球状シリカ粉末を得た。得られた高純度球状シリカ粉末についての各種の測定並びに観察結果を表１に示す。

実施例６
原料水ガラスとして、ＪＩＳ３号水ガラスを純水で希釈して、ＳｉＯ₂分を１５質量％に調製したものを用いる他は実施例１と同様にして球状シリカ粉末を得た。得られた高純度球状シリカ粉末についての各種の測定並びに観察結果を表１に示す。

実施例７
実施例１において、焼成後、再解砕し、エタノールスラリーをポリエステル製目開き２４μｍのスクリーンで処理した後のスラリーを直接マグネット処理する代わりに、該スラリーの溶媒を純水（表面張力：７２．７５×１０^-3Ｎ／ｍ（２０℃））に置き換え、１２０００ガウスのマグネット棒で処理し、得られたスラリーを脱液し、空気雰囲気下に１２０℃で２０時間乾燥させる以外は実施例１と同様にして球状シリカ粉末を得た。得られた高純度球状シリカ粉末についての各種の測定並びに観察結果を表１に示す。

比較例１
市販のシリカ粉末（商品名：シリカエースＡＦＧ−Ｓ、三菱レイヨン社製）をボールミル（材質：石英）で粉砕し、平均粒径が６μｍ程度になるまで粉砕して、粒度調整した。次いで、二重管バーナーを用い、噴霧焼成し、溶融球状シリカを調製した（溶融化条件：ＬＰＧ３．３Ｎｍ³／ｈ、酸素１７．６Ｎｍ³／ｈｒ、シリカ供給量１０ｋｇ／ｈｒ）。得られた溶融球状シリカ粉末を分級し、微粒及び粗粒をカットした。分級後のシリカ粒子は平均粒径、粒径分布は実施例１と同等であったが、比表面積は２．３ｍ²／ｇと、実施例１に比較し大きい。また、平均粒径、最大粒径が実施例１と同等であるにもかかわらず、粘度は実施例１よりも大きく、粒子の比表面積が大きいことが粘度を増大させている。異物粒子も３５５個／ｇと非常に多く確認された。得られたシリカ粉末についての各種の測定並びに観察結果を表１に示す。

比較例２
実施例１において、焼成後のシリカ粉末に代えて比較例１で得られた溶融球状シリカ粉末を用い、また、分散溶液を純水（表面張力：７２．７５×１０^-3Ｎ／ｍ（２０℃））に代える他は実施例１と同様に異物粒子除去したシリカ粉末を製造しようとしたところ、目開き２４μｍのＰＥ製スクリーンの通過性が悪く、１００ｇのシリカを通過させるために５回スクリーンの目詰まりが発生し、その度にスクリーンを超音波で洗浄する必要があった。なお、スクリーンを通過させたスラリーを集め、以下実施例１と同様に処理して、溶融球状シリカ粉末を得た。異物粒子の除去を行ったにもかかわらず、異物粒子を１５２個／ｇ含んでいた。得られた溶融球状シリカ粉末についての各種の測定並びに観察結果を表１に示す。

比較例３
実施例１において、焼成後に再解砕したシリカ粉末を分散させるのに用いるエタノールを純水（表面張力：７２．７５×１０^-3Ｎ／ｍ（２０℃））に変更する以外は実施例１と同様にして高純度球状シリカ粉末を得ようとしたところ、目開き２４μｍのＰＥ製スクリーンの通過性が悪く、１００ｇのシリカを通過させるために２回スクリーンの目詰まりが発生し、その度にスクリーンを超音波で洗浄する必要があった。なお、スクリーンを通過したスラリーを集め、以下実施例１と同様に処理して、シリカ粉末を得た。異物粒子の除去を行ったにもかかわらず、異物粒子を３１個／ｇ含んでいた。得られたシリカ粉末についての各種の測定並びに観察結果を表１に示す。

実施例１〜７で得られたシリカ粉末の不純物含有率に関してはＮａ、Ｋ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ及びＺｒの各元素の濃度はそれぞれ０．１ｐｐｍ以下であり、Ｕ及びＴｈはいずれも０．１ｐｐｂ以下であった。また、比較例１のシリカ粒子の不純物含有率はＮａ：０．４ｐｐｍ、Ｋ：０．１ｐｐｍ以下、Ａｌ：１．０ｐｐｍ、Ｔｉ：０．１ｐｐｍ、Ｆｅ：２４ｐｐｍ、Ｚｒ：０．１ｐｐｍ以下であった。

実施例１〜７では、得られたシリカ粉末は全て最大粒径が平均粒径の３倍以下であった。また、実施例１〜７において、チキソ性を示すη₁／η₂はいずれも０．８以下を示した。一方、火炎溶融法により調製した比較例1、２はη₁／η₂がそれぞれ１．２、１．３であった。

本発明の方法によれば、従来問題とされていたステンレス磨耗粉、鉄等の導電性である異物粒子の混入が極めて少ない高純度非磁性金属酸化物粉末が提供され、また、その簡便な製造方法が提供される。本発明の高純度非磁性金属酸化物粉末は、実質的に導電性粒子が殆ど含まれないため、電子部品用の液状封止材用充填材として、特に侠ワイヤー間隔の用途に好適である。

非磁性金属酸化物粉末を処理するのに用いるストレーナーの一例の模式断面図である。

符号の説明

１ ストレーナー
２ ストレーナー入口
３ 非磁性金属酸化物粉末のスラリー(処理原料)
４ スクリーン
５ 非磁性金属酸化物粉末のスラリー(スクリーン通過後)
６ マグネット
７ 非磁性金属酸化物粉末のスラリー(処理済み)
８ ストレーナー出口

Claims (8)

1. 粒径１０μｍ以上の異物粒子の含有量が１０個／ｇ以下であることを特徴とする高純度非磁性金属酸化物粉末。
2. 高純度非磁性金属酸化物粉末の平均粒径が０．１〜１０μｍであり、最大粒径が平均粒径の３倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の高純度非磁性金属酸化物粉末。
3. 非磁性金属酸化物が酸化ケイ素であることを特徴とする請求項１又は２に記載の高純度非磁性金属酸化物粉末。
4. 非磁性金属酸化物粉末を、表面張力が６５×１０^-3Ｎ／ｍ以下である液体に分散させてスクリーン処理する工程及び／又は表面張力が７５×１０^-3Ｎ／ｍ以下である液体に分散させてマグネットで処理する工程を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の高純度非磁性金属酸化物粉末の製造方法。
5. スクリーンの目開きが５〜５０μｍであることを特徴とする請求項４に記載の高純度非磁性金属酸化物粉末の製造方法。
6. 請求項１〜３のいずれかに記載の高純度非磁性金属酸化物粉末を使用することを特徴とする封止用樹脂組成物。
7. 請求項１〜３のいずれかに記載の高純度非磁性金属酸化物粉末を使用することを特徴とする配線ピッチ間隔が１５μｍ以下の半導体デバイス封止用樹脂組成物。
8. 請求項１〜３のいずれかに記載の高純度非磁性金属酸化物粉末を使用することを特徴とするアンダーフィル材。

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