JP7197514B2 - 非晶質シリカ粉末およびその製造方法、用途 - Google Patents
非晶質シリカ粉末およびその製造方法、用途 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7197514B2 JP7197514B2 JP2019567012A JP2019567012A JP7197514B2 JP 7197514 B2 JP7197514 B2 JP 7197514B2 JP 2019567012 A JP2019567012 A JP 2019567012A JP 2019567012 A JP2019567012 A JP 2019567012A JP 7197514 B2 JP7197514 B2 JP 7197514B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica powder
- amorphous silica
- particles
- less
- slurry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/14—Colloidal silica, e.g. dispersions, gels, sols
- C01B33/141—Preparation of hydrosols or aqueous dispersions
- C01B33/1415—Preparation of hydrosols or aqueous dispersions by suspending finely divided silica in water
- C01B33/1417—Preparation of hydrosols or aqueous dispersions by suspending finely divided silica in water an aqueous dispersion being obtained
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/14—Colloidal silica, e.g. dispersions, gels, sols
- C01B33/146—After-treatment of sols
- C01B33/148—Concentration; Drying; Dehydration; Stabilisation; Purification
- C01B33/1485—Stabilisation, e.g. prevention of gelling; Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/34—Silicon-containing compounds
- C08K3/36—Silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/02—Amorphous compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/002—Physical properties
- C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
[着磁性粒子の測定方法]
1000mLビーカーに非晶質シリカ粉末50gとイオン交換水800gを加えてスラリーを調製する。このスラリーを撹拌装置により、回転数550rpm、5秒間隔で反転させながら、そこに、厚み20μmのゴム製カバーを被せた長さ150mm、直径25mm、磁力12000ガウスの棒磁石を1分間浸漬させ、着磁性粒子を捕捉する。着磁性粒子を捕捉した棒磁石をスラリーから取り出し、空のビーカー上でゴム製カバーを外してイオン交換水でゴム製カバーを洗浄しながら着磁性粒子を脱離させ、着磁性粒子を水中に分散させる。得られた分散液を直径25mmのナイロンフィルター(目開き35μm)を装着した吸引濾過装置にかけることによりナイロンフィルター上に着磁性粒子を回収する。着磁性粒子を回収したナイロンフィルターをマイクロスコープにセットし、100倍の倍率にてフィルター全領域を移動させながらナイロンフィルター上に回収させた着磁性粒子のうち、45μm以上の着磁性粒子の個数を計測する。
目開き0.5mm以上15mm以下、磁力14000ガウス以上のスクリーンを垂直方向に10枚以上重ねた磁選ゾーンを有する循環ラインに、前記水スラリーを下から上に0.2cm/s以上5cm/s以下の流速で磁選ゾーンを循環通過させながら非晶質シリカ粉末中に含まれる着磁性粒子を除去する工程と、
容器内の温度を130℃以上300℃以下とし、容器上部に二流体ノズルが設置され、その二流体ノズルの中心部から着磁性粒子を除去した非晶質シリカ粉末を含有する水スラリーをフィードすると共に、二流体ノズルの外側から乾燥空気を噴射し、スラリー液滴の噴霧速度が50m/s以上250m/s以下でスラリーを噴霧乾燥させる工程と
を有することを特徴とする前記(1)~(3)に記載の非晶質シリカ粉末の製造方法。
250μm以上の乾式篩残存率(質量%)=A/2×100
式中のAは以下の通りである。
A:250μm篩上の非晶質シリカ粉末質量(g)
[着磁性粒子の測定方法]
1000mLビーカーに非晶質シリカ粉末50gとイオン交換水800gを加えてスラリーを調製する。このスラリーを撹拌装置により、回転数550rpm、5秒間隔で反転させながら、そこに、厚み20μmのゴム製カバーを被せた長さ150mm、直径25mm、磁力12000ガウスの棒磁石を1分間浸漬させ、着磁性粒子を捕捉する。着磁性粒子を捕捉した棒磁石をスラリーから取り出し、空のビーカー上でゴム製カバーを外してイオン交換水でゴム製カバーを洗浄しながら着磁性粒子を脱離させ、着磁性粒子を水中に分散させる。得られた分散液を直径25mmのナイロンフィルター(目開き35μm)を装着した吸引濾過装置にかけることによりナイロンフィルター上に着磁性粒子を回収する。着磁性粒子を回収したナイロンフィルターをマイクロスコープにセットし、100倍の倍率にてフィルター全領域を移動させながらナイロンフィルター上に回収させた着磁性粒子のうち、45μm以上の着磁性粒子の個数を計測する。
非晶質率(%)=(1-結晶質シリカ混在比)×100
から非晶質率を求めることができる。
燃焼炉の頂部に内炎と外炎が形成できる二重管構造のLPG-酸素混合型バーナーが設置され、下部にサイクロン、バグフィルターからなる捕集系ラインに直結される装置を用いて非晶質シリカ粉末を製造した。火炎の形成は二重管バーナーの出口に数十個の細孔を設け、そこからLPG8m3/Hrと酸素50m3/Hrの混合ガスを噴射することによって行い、バーナーの中心部から平均粒子径4~55μmの結晶シリカ粉末を10~40kg/Hrの供給速度で、キャリア酸素5m3/Hrに同伴させ噴射した。火炎を通過した非晶質シリカ粉末はブロワによって捕集ラインを空気輸送させ、サイクロン及びバグフィルターで捕集した。なお、平均粒子径、最大粒子径の制御は結晶シリカ粉末の平均粒子径の調整、及びサイクロン、バグフィルターで捕集した各粒子径の非晶質シリカ粉末を適宜組み合わせた後に、各種目開きのJIS規格ステンレス試験用篩で篩うことによって行った。平均球形度の制御は結晶シリカ粉末の供給速度の調整によって行った。具体的には、球形度を高くする場合は、結晶シリカ粉末の供給速度を低下させ、球形度を低くする場合は結晶シリカ粉末の供給速度を増加させることで調整した。
さらなる比較例として、上記の火炎溶融によって作製し、着磁性粒子除去工程、乾燥工程を経ていない2種類の非晶質シリカ粉末P、Qも準備した。
得られた非晶質シリカ粉末の半導体封止材の充填材としての特性を評価するため、非晶質シリカ粉末2610gに対し、エポキシ樹脂としてビフェニル型エポキシ樹脂(三菱化学社製:YX-4000H)194g、フェノール樹脂としてフェノールアラルキル樹脂(三井化学社製:ミレックスXLC-4L)169g、カップリング剤としてエポキシシラン(信越化学工業社製:KBM-403)10g、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン(北興化学工業社製:TPP)9g、離型剤としてワックス(クラリアント社製Licowax-E)8gを加え、ヘンシェルミキサー(三井三池化工機社製「FM-10B型」)にて1000rpmで1分間ドライブレンドした。その後、同方向噛み合い二軸押出混練機(スクリュー径D=25mm、ニーディングディスク長10Dmm、パドル回転数50~150rpm、吐出量3.3kg/Hr、混練物温度98±1℃)で加熱混練した。混練物(吐出物)をプレス機にてプレスして冷却した後、粉砕、打錠して半導体封止材タブレット(18mmφ、32mmH)を作製し、絶縁信頼性(半導体の短絡不良個数)、成形性(ワイヤ流れ量)を以下に従って評価した。それらの結果を表1及び表2に示す。なお、半導体封止材を作製するための設備及び器具からの着磁性粒子の混入を避けるため、各材料が接する部位は、すべてアルミナ、タングステンカーバイド、ウレタンのいずれかの材質で形成した。
BGA用サブストレート基板にダイアタッチフィルムを介して、サイズ8mm×8mm×0.3mmのTEGチップを置き、金ワイヤで接続した後、上記の各半導体封止材タブレットを使用し、トランスファー成形機を用いて、パッケージサイズ38mm×38mm×1.0mmに成形後、ポストキュアし、模擬半導体を作製した。なお、チップ上の隙間は200μm、金ワイヤの直径は20μmφ、接続間隔は55μmとした。トランスファー成形条件は、金型温度175℃、成形圧力7.5MPa、保圧時間90秒とし、ポストキュア条件は175℃、8時間とした。同じ半導体封止材タブレットにつき模擬半導体を30個作製し、短絡不良が起きた半導体の個数をカウントした。この個数が少ないほど、絶縁特性が良いことを示す。具体的には、短絡不良個数0個であることが好ましい。
上記で作製した模擬半導体の金ワイヤ部分を軟X線透過装置で観察し、パッケージングにより金ワイヤが流された最大距離を測定した。金ワイヤ流れ量は、パッケージング前後で金ワイヤが流れた最大距離とし、ゲート部(金型の半導体封止材注入部)から近い順に12本の金ワイヤの平均値を求め、ワイヤ流れ量とした。このワイヤ流れ量の値が小さいほど、成形性が良好であることを表す。具体的には、ワイヤ変形量が25μm以下であることが好ましく、25μm未満であることがさらに好ましい。
Claims (6)
- 平均粒子径が10μm超50μm以下、250μm以上の乾式篩残存率が5.0質量%以下であって、以下の方法で測定した45μm以上の着磁性粒子の個数が0個であることを特徴とする非晶質シリカ粉末。
[着磁性粒子の測定方法]
1000mLビーカーに非晶質シリカ粉末50gとイオン交換水800gを加えてスラリーを調製する。このスラリーを撹拌装置により、回転数550rpm、5秒間隔で反転させながら、そこに、厚み20μmのゴム製カバーを被せた長さ150mm、直径25mm、磁力12000ガウスの棒磁石を1分間浸漬させ、着磁性粒子を捕捉する。着磁性粒子を捕捉した棒磁石をスラリーから取り出し、空のビーカー上でゴム製カバーを外してイオン交換水でゴム製カバーを洗浄しながら着磁性粒子を脱離させ、着磁性粒子を水中に分散させる。得られた分散液を直径25mmのナイロンフィルター(目開き35μm)を装着した吸引濾過装置にかけることによりナイロンフィルター上に着磁性粒子を回収する。着磁性粒子を回収したナイロンフィルターをマイクロスコープにセットし、100倍の倍率にてフィルター全領域を移動させながらナイロンフィルター上に回収させた着磁性粒子のうち、45μm以上の着磁性粒子の個数を計測する。 - 最大粒子径が75μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の非晶質シリカ粉末。
- 10μm以上の粒子の平均球形度が0.80以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の非晶質シリカ粉末。
- 60℃以下の水を用いて非晶質シリカ粉末濃度40質量%以下の水スラリーを調製する工程と、
目開き0.5mm以上15mm以下、磁力14000ガウス以上のスクリーンを垂直方向に10枚以上重ねた磁選ゾーンを有する循環ラインに、前記水スラリーを下から上に0.2cm/s以上5cm/s以下の流速で磁選ゾーンを循環通過させながら非晶質シリカ粉末中に含まれる着磁性粒子を除去する工程と、
容器内の温度を130℃以上300℃以下とし、容器上部に二流体ノズルが設置され、その二流体ノズルの中心部から着磁性粒子を除去した非晶質シリカ粉末を含有する水スラリーをフィードすると共に、二流体ノズルの外側から乾燥空気を噴射し、スラリー液滴の噴霧速度が50m/s以上250m/s以下でスラリーを噴霧乾燥させる工程と
を有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の非晶質シリカ粉末の製造方法。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載の非晶質シリカ粉末を含有してなる樹脂組成物。
- 請求項5に記載の樹脂組成物を用いた半導体封止材。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018011603 | 2018-01-26 | ||
JP2018011603 | 2018-01-26 | ||
PCT/JP2019/000974 WO2019146454A1 (ja) | 2018-01-26 | 2019-01-15 | 非晶質シリカ粉末およびその製造方法、用途 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019146454A1 JPWO2019146454A1 (ja) | 2021-01-28 |
JP7197514B2 true JP7197514B2 (ja) | 2022-12-27 |
Family
ID=67395420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019567012A Active JP7197514B2 (ja) | 2018-01-26 | 2019-01-15 | 非晶質シリカ粉末およびその製造方法、用途 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3744685B1 (ja) |
JP (1) | JP7197514B2 (ja) |
KR (1) | KR102578962B1 (ja) |
CN (1) | CN111566048B (ja) |
SG (1) | SG11202006013VA (ja) |
WO (1) | WO2019146454A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230074740A (ko) * | 2020-09-30 | 2023-05-31 | 덴카 주식회사 | 질화 붕소 분말, 및 질화 붕소 분말의 제조 방법 |
CN117120372A (zh) | 2021-03-31 | 2023-11-24 | 电化株式会社 | 二氧化硅粉末及其制造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005187302A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 高純度非磁性金属酸化物粉末及びその製造方法 |
JP2006273927A (ja) | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Sanyu Rec Co Ltd | 無機充填材の絶縁性改善方法 |
JP2007145880A (ja) | 2005-02-16 | 2007-06-14 | Kaneka Corp | 1成分型硬化性組成物 |
JP5280626B2 (ja) | 2006-12-08 | 2013-09-04 | 電気化学工業株式会社 | 非磁性金属酸化物粉末における着磁性粒子の個数測定方法 |
JP2015086120A (ja) | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 株式会社トクヤマ | 球状シリカ微粉末とその製造方法 |
JP2019019222A (ja) | 2017-07-18 | 2019-02-07 | デンカ株式会社 | 球状シリカフィラー用粉末及びその製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE109493T1 (de) * | 1986-08-29 | 1994-08-15 | Diafoil Hoechst Co Ltd | Polyester-zusammensetzungen, verfahren zu ihrer herstellung, polyesterfilme, polyesterfilme für magnetbänder und daraus hergestellte filme für kondensatoren. |
JP3478468B2 (ja) | 1997-08-25 | 2003-12-15 | 電気化学工業株式会社 | 無機質球状粒子の製造方法及び装置 |
JP2007005346A (ja) | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Sanyu Rec Co Ltd | 金属性異物の除去方法 |
JP2007176738A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Asahi Glass Si-Tech Co Ltd | 安定化された表面処理葉状シリカ2次粒子粉末及びその製造方法 |
JP5085432B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2012-11-28 | 電気化学工業株式会社 | 着磁性異物を低減した球状金属酸化物粉末、その製造方法及び用途 |
US20110300384A1 (en) * | 2008-12-22 | 2011-12-08 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Powder, method for producing same, and resin composition containing same |
JP5259500B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2013-08-07 | 電気化学工業株式会社 | 非晶質シリカ質粉末およびその製造方法、用途 |
US8889044B2 (en) * | 2009-12-18 | 2014-11-18 | Kao Corporation | Method for producing mesoporous silica particles |
JP5994573B2 (ja) * | 2012-10-31 | 2016-09-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化珪素粉末の製造方法 |
JP6322474B2 (ja) * | 2014-05-08 | 2018-05-09 | 日揮触媒化成株式会社 | 疎水性シリカ粉末、それを含むゴム成型用組成物およびその製造方法 |
-
2019
- 2019-01-15 EP EP19744324.5A patent/EP3744685B1/en active Active
- 2019-01-15 JP JP2019567012A patent/JP7197514B2/ja active Active
- 2019-01-15 CN CN201980008145.7A patent/CN111566048B/zh active Active
- 2019-01-15 KR KR1020207020379A patent/KR102578962B1/ko active IP Right Grant
- 2019-01-15 WO PCT/JP2019/000974 patent/WO2019146454A1/ja unknown
- 2019-01-15 SG SG11202006013VA patent/SG11202006013VA/en unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005187302A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 高純度非磁性金属酸化物粉末及びその製造方法 |
JP2007145880A (ja) | 2005-02-16 | 2007-06-14 | Kaneka Corp | 1成分型硬化性組成物 |
JP2006273927A (ja) | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Sanyu Rec Co Ltd | 無機充填材の絶縁性改善方法 |
JP5280626B2 (ja) | 2006-12-08 | 2013-09-04 | 電気化学工業株式会社 | 非磁性金属酸化物粉末における着磁性粒子の個数測定方法 |
JP2015086120A (ja) | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 株式会社トクヤマ | 球状シリカ微粉末とその製造方法 |
JP2019019222A (ja) | 2017-07-18 | 2019-02-07 | デンカ株式会社 | 球状シリカフィラー用粉末及びその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
日本シリカ工業株式会社営業本部 赤崎 忠行ら,ゲル法シリカの特徴と応用,東ソー研究・技術報告,第45巻,2001年,65-69 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200111686A (ko) | 2020-09-29 |
KR102578962B1 (ko) | 2023-09-14 |
EP3744685A1 (en) | 2020-12-02 |
SG11202006013VA (en) | 2020-07-29 |
TW201934486A (zh) | 2019-09-01 |
CN111566048A (zh) | 2020-08-21 |
EP3744685A4 (en) | 2021-03-03 |
CN111566048B (zh) | 2023-05-09 |
WO2019146454A1 (ja) | 2019-08-01 |
EP3744685B1 (en) | 2022-08-17 |
JPWO2019146454A1 (ja) | 2021-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4306951B2 (ja) | 表面処理された微細球状シリカ粉末および樹脂組成物 | |
US7820750B2 (en) | Silica powder and use thereof | |
JP5354724B2 (ja) | セラミックス粉末及びその用途 | |
JP7038048B2 (ja) | 高純度チタン酸バリウム系粉末及びその製造方法、並びに樹脂組成物及び指紋センサ | |
JP7197514B2 (ja) | 非晶質シリカ粉末およびその製造方法、用途 | |
JP5555639B2 (ja) | 粉末、その製造方法、及びその粉末を含む樹脂組成物 | |
JP5410095B2 (ja) | 非晶質シリカ質粉末、その製造方法及び半導体封止材 | |
JP3483817B2 (ja) | 球状無機質粉末及びその用途 | |
JP2010285307A (ja) | 非晶質シリカ質粉末およびその製造方法、用途 | |
JP2004059343A (ja) | 無機質粉末およびこれを充填した樹脂組成物 | |
JP2005306923A (ja) | 無機質粉末及びこれを含有した組成物 | |
JP3868272B2 (ja) | 球状無機質粉末およびこれを充填した樹脂組成物 | |
JP2002252314A (ja) | 球状無機質粉末及びその用途 | |
TWI842695B (zh) | 非晶質矽石粉末及其製造方法、用途 | |
TWI457281B (zh) | 氧化矽質粉末、其製造方法及用途 | |
JP5345787B2 (ja) | 半導体封止材用シリカ・アルミナ複合酸化物超微粉末の製造方法 | |
JP3571009B2 (ja) | 球状無機質粉末およびこれを充填した樹脂組成物 | |
JPH0834608A (ja) | 球状シリカ粉末及びエポキシ樹脂組成物 | |
TWI411594B (zh) | 陶瓷粉末及其用途 | |
JP2010195659A (ja) | シリカ質粉末およびその製造方法、用途 | |
JP7175412B1 (ja) | 六方晶窒化ホウ素粉末及びその製造方法 | |
KR20230150345A (ko) | 이산화규소 분말 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211012 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220715 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221014 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7197514 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |