JP6322474B2 - 疎水性シリカ粉末、それを含むゴム成型用組成物およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は上記のような課題を解決することを目的とする。すなわち、本発明は、分散性に優れる疎水性シリカ粉末およびその製造方法を提供することを目的とする。また、その疎水性シリカ粉末を含み、良好な転がり性を備えるタイヤを得ることができるゴム成型用組成物を提供することを目的とする。
本発明は以下の(1)〜(8)である。
(1)動的光散乱法によって測定された平均粒子径(D2)が0.01〜0.40μmの範囲にあり、かつ、同範囲の粒度分布の頻度が70%以上で標準偏差が0.50μm以下である疎水性シリカ粉末。
(2)前記疎水性シリカ粉末が球状シリカ微粒子の集合体であることを特徴とする、上記(1)に記載の疎水性シリカ粉末。
(3)前記球状シリカ微粒子の短径/長径比が0.8〜1.2の範囲内にある上記(2)に記載の疎水性シリカ粉末。
(4)前記球状シリカ微粒子がスルフィド基を有する疎水性球状シリカ微粒子であることを特徴とする上記(2)又は上記(3)記載の疎水性シリカ粉末。
(5)前記球状シリカ微粒子が更にスルフィド基以外の有機基を有する疎水性球状シリカ微粒子であることを特徴とする上記(4)記載の疎水性シリカ粉末。
(6)次の工程1〜工程4を含むことを特徴とする上記(1)〜上記(5)の何れかに記載の疎水性シリカ粉末の製造方法。
工程1:平均粒子径(D1)が0.01〜0.20μmの範囲にあり、かつ、同範囲の粒度分布の頻度が95%以上で標準偏差が0.10μm以下であるシリカ微粒子が溶媒に分散してなるシリカゾルに陽イオンの脱離処理および陰イオンの脱離処理をする工程。
工程2:前工程に続き、前記シリカゾルを噴霧乾燥し、シリカ粉末を得る工程。
工程3:前工程に続き、水分存在下、前記シリカ粉末に、スルフィド基含有シランカップリング剤を加え、混合し、疎水化シリカ粉末を得る工程。
工程4:前工程に続き、前記疎水化シリカ粉末を粉砕する工程。
(7)前記工程4に続けて、次の工程5と工程6を複数回反復させることを特徴とする上記(6)記載の疎水性シリカ粉末の製造方法。
工程5:水分存在下、疎水性シリカ粉末に、スルフィド基含有シランカップリング剤を加え、混合し、疎水化シリカ粉末を得る工程。
工程6:前工程に続き、前記疎水化シリカ粉末を粉砕する工程。
(8)上記(1)〜(5)の何れかに記載の疎水性シリカ粉末を含有するゴム成型用組成物。
本発明は、動的光散乱法によって測定された平均粒子径(D2)が0.01〜0.40μmの範囲にあり、かつ、同範囲の粒度分布の頻度が70%以上で標準偏差が0.50μm以下である疎水性シリカ粉末である。
このような疎水性シリカ粉末を、以下では「本発明のシリカ粉末」ともいう。
工程1:平均粒子径(D1)が0.01〜0.20μmの範囲にあり、かつ、同範囲の粒度分布の頻度が95%以上で標準偏差が0.10μm以下であるシリカ微粒子が溶媒に分散してなるシリカゾルに陽イオンの脱離処理および陰イオンの脱離処理をする工程。
工程2:前工程に続き、前記シリカゾルを噴霧乾燥し、シリカ粉末を得る工程。
工程3:前工程に続き、水分存在下、前記シリカ粉末に、スルフィド基含有シランカップリング剤を加え、混合し、疎水化シリカ粉末を得る工程。
工程4:前工程に続き、前記疎水化シリカ粉末を粉砕する工程。
このような疎水性シリカ粉末の製造方法を、以下では「本発明の製造方法」ともいう。
本発明の製造方法が備える工程1〜工程4について説明する。
本発明の製造方法が備える工程1では、初めに、特定のシリカゾルを用意する。このシリカゾルは、珪酸ナトリウム又は有機珪素化合物を原料として調製されるものである。また、平均粒子径(D1)が0.01〜0.20μmの範囲にあり、かつ、同範囲の粒度分布の頻度が95%以上で標準偏差が0.10μm以下であるシリカ微粒子が溶媒に分散しているものである。
また、有機珪素化合物を水やアルカリで加水分解して得られるシリカゾルや、ケイ酸ナトリウムとアルミン酸ナトリウムを混合して得られるシリカ系ゾル(シリカゾル)でも使用できる。
初めに、シリカ微粒子が分散してなるシリカゾルに純水を添加して、シリカ微粒子の質量濃度を1質量%に調整し、10分超音波にて分散した後、従来公知の動的光散乱粒子径測定装置(例えば、日機装社製、マイクロトラック)にて、粒度分布を測定する。測定条件は、粒子屈折率:1.45、密度:2.2g/cm3、溶媒屈折率:1.333、測定時間:60秒とする。そして、粒度分布(体積基準)を測定し、その粒度分布から平均粒子径(メジアン径、μm)、頻度(体積%)および標準偏差を読み取る。
なお、後述する実施例および比較例においても、シリカ微粒子の平均粒子径(D1)、粒度分布および標準偏差の頻度は、このような方法によって測定した。
ここで、球状のシリカ微粒子は、走査型電子顕微鏡を用いて25万から50万倍に拡大した画像から、粒子200個を計測して短径/長径比を求めてその値が0.8〜1.2の範囲内にあるものを意味するものとする。
陽イオンの脱離処理と陰イオンの脱離処理とを施す順番は特に限定されないが、前記シリカゾルに陽イオンの脱離処理を施した後に陰イオンの脱離処理を施すことが好ましい。
工程2では、工程1の処理を施された後のシリカゾルを噴霧乾燥し、シリカ粉末乾燥品を得る。
工程3では、工程2において得られたシリカ粉末乾燥品について、水分存在下、スルフィド基含有シランカップリング剤を加え、混合し、疎水化シリカ粉末を得る。
ジシラザン化合物は1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン(ビス(トリメチルシリル)アミン、以下「HMDS」ともいう)が好ましい。HMDSは、通常、無色透明の液体として存在する。
これに対して、シラン化合物には、後述するスルフィド基含有シランカップリング剤は含まれないものとする。
工程4では、工程3において得られた疎水化シリカ粉末を粉砕する。
粉砕は、高圧ガス(空気等)をミル内に噴射し原料を粉砕する高速旋回粉砕装置(ジェットミル)を用いることが好ましい。
工程5:水分存在下、疎水性シリカ粉末に、スルフィド基含有シランカップリング剤を加え、混合し、疎水化シリカ粉末を得る工程。
工程6:前工程に続き、前記疎水化シリカ粉末を粉砕する工程。
また、工程6は前記工程4と同じ処理であってよい。すなわち、工程4では、前記疎水化シリカ粉末を粉砕したが、工程6では、同様に、前記疎水化シリカ粉末を粉砕する。
例えば、本発明の製造方法における工程1、工程2、工程3および工程4を行った後に得られた疎水性シリカ粉末の平均粒子径(D2)や粒度分布が所望のものではなかった場合、工程5および工程6を反復して行うことができる。すなわち、工程5および工程6を1セットとし、このセットを繰り返して行うことができる。したがって、工程4を行った後、得られた疎水性シリカ粉末の粒度分布を測定して、平均粒子径(D2)や粒度分布が所望の範囲内であるかを確認する操作を行うことが好ましい。
なお、工程5〜工程6を複数回反復して行った後、再度、工程3を行うことが好ましい。
本発明のシリカ粉末は、動的光散乱法によって測定された平均粒子径(D2)が0.01〜0.40μmの範囲にあり、かつ、同範囲の粒度分布の頻度が70%以上で標準偏差が0.50μm以下である疎水性シリカ粉末である。
初めに、測定粉末0.3gを秤量し、30gのメタノールで1%に希釈し、10分超音波にて分散した後、従来公知の動的光散乱粒子径測定装置(例えば、日機装社製、マイクロトラック)にて、粒度分布を測定する。測定条件は、粒子屈折率1.45、密度2.2g/cm3、溶媒屈折率1.329、測定時間60秒とする。そして、粒度分布(体積基準)を測定し、その粒度分布から平均粒子径(メジアン径、μm)を算出し、さらに上記範囲内の頻度(体積%)を読み取る。
なお、後述する実施例および比較例においても、本発明のシリカ粉末(疎水性シリカ粉末)の平均粒子径(D2)、粒度分布および標準偏差の頻度は、このような方法によって測定した。
本発明のシリカ粉末は球状であると、本発明のシリカ粉末を低燃費タイヤの原料として利用したときに、分散効果と反応性向上によって本発明のシリカ粉末がゴム成分と反応して脱落し難くなり、転がり抵抗の低減性、グリップ性能が向上し好ましい。
本発明のシリカ粉末が、本発明の製造方法によって得られる場合、工程3、工程5によって用いるスルフィド基含有シランカップリング剤に由来するスルフィド基が付いた疎水性球状シリカ微粒子が得られる。また、工程3、工程5においてスルフィド基含有シランカップリング剤以外のシラン化合物を用いる場合、これに由来する、スルフィド基以外の有機基を有する疎水性球状シリカ微粒子が得られる。
初めに、ガラス容器に純水50.0mlを加えた後、回転子を入れ、測定粉末0.5gを加える。そして、回転数600rpmにて撹拌しながらガラス容器内の純水の表面へメタノールを滴下し、液上部に浮いている粉末が全て分散された時点のメタノール量を確認し、以下の式1にて疎水性を算出する。
式1:疎水性(%)=メタノール量(ml)÷(純水量(ml)+メタノール量(ml))×100
なお、後述する実施例および比較例においても、本発明のシリカ粉末(疎水性シリカ粉末)の疎水性の程度は、このような方法によって測定した。
本発明のシリカ粉末は、前述のように低燃費タイヤの原料として好ましく利用でき、その他にもフィルムやコート材として好ましく利用することができる。
比表面積は、測定装置としてユアサアイオニクス製、マルチソーブ12を用い、前述の方法で測定した。
シリカ微粒子(シリカゾル)の平均粒子径(D1)および頻度、ならびに、疎水性シリカ粉末の平均粒子径(D2)および頻度は、動的光散乱粒子径測定装置として日機装社製、マイクロトラックを用い、前述の方法によって測定した。
疎水性シリカ粉末の疎水性の評価は、前述の方法によって測定し、値を算出した。
工程A:球状120nmシリカゾル(日揮触媒化成株式会社製、Spherical Slurry(登録商標)、SS−120)20kgに陽イオン交換樹脂5.4Lを加えて30分陽イオン交換を行った後、樹脂を分離して得た陽イオン交換品に、陰イオン交換樹脂0.36Lを加えて30分撹拌し、樹脂を分離して、陰イオン交換品19kgを得た。
工程B:陰イオン交換品2.2kgを、NIROスプレー装置にて、スラリー流量2L/Hr、ノズル噴霧圧0.4MPa、入口温度220〜240℃の条件で噴霧して、シリカ粉末乾燥品243.8gを得た。このシリカ粉末乾燥品の水分含有率は10〜20質量%と考えられる。
工程C:得られたシリカ粉末乾燥品100gを高速ミキサーへ投入し、10分ミキサー粉砕を行った後、TESPT(ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ダイソー社製)を11.8g(0.022モル)加え、ミキサー粉砕による表面処理を行った。そして、ミキサー粉砕した後、TESPTを加えて表面処理を行う操作を合計5回繰り返したのち、150℃で3Hr乾燥させ表面処理品109gを得た。本操作を2回実施し、合計218gの表面処理品を得た。
工程D:表面処理品134gをアイシンナノテクノロジーズ社製、ナノジェットマイザーNJ−50にて、処理量2g/min、押込み圧1.5MPa、粉砕圧0.4MPaにて粉砕を行い、粉砕品121gを得た。
工程A:球状80nmシリカゾル(日揮触媒化成株式会社製、Cataloid(登録商標)、SI−80P)2.5kgに純水2.5kgを加えて20%へ希釈し、陽イオン交換樹脂0.6Lを加えて30分陽イオン交換を行った後、樹脂を分離して得た陽イオン交換品に、陰イオン交換樹脂0.13Lを加えて30分撹拌し、樹脂を分離して、陰イオン交換品4.9kgを得た。
工程B:陰イオン交換品4.7kgを、NIROスプレー装置にて、スラリー流量2L/Hr、ノズル噴霧圧0.4MPa、入口温度220〜240℃の条件で噴霧して、シリカ粉末乾燥品686gを得た。
工程C:得られたシリカ粉末乾燥品100gを高速ミキサーへ投入し、10分ミキサー粉砕を行った後、TESPT(ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ダイソー社製)を23.1g(0.043モル)を加え、ミキサー粉砕による表面処理を行った。そして、ミキサー粉砕した後、TESPTを加えて表面処理を行う操作を合計5回繰り返したのち、150℃で3Hr乾燥させ表面処理品117.5gを得た。
工程D:表面処理品28gをアイシンナノテクノロジーズ社製、ナノジェットマイザーNJ−50にて、処理量2g/min、押込み圧1.5MPa、粉砕圧0.4MPaにて粉砕を行い、粉砕品23.5gを得た。
工程E:本粉砕品の動的光散乱粒子径測定装置による平均粒子径(D2)は0.16μmで、0.11μmのピーク頻度が84%で、0.35μmのピークの頻度が16%であったため、本粉砕品19gを高速ミキサーへ投入し、10分ミキサー粉砕を行った後、TESPT(ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ダイソー社製)を4.8g(0.009モル)を加え、ミキサー粉砕による再表面処理を行い、本操作を合計5回繰り返したのち、150℃で3Hr乾燥させ、再表面処理品16.4gを得た。
球状45nmシリカゾル(日揮触媒化成株式会社製、Cataloid(登録商標)、SI−45P)を用いて、実施例2と同様に工程A、Bを行い、シリカ粉末乾燥品100gに対してTESPT(ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ダイソー社製)を43.0g(0.08モル)を加えたこと以外は同様とした工程Cを行い、その後、工程D、Eを実施し、さらに工程D、Eを実施した。
球状25nmシリカゾル(日揮触媒化成株式会社製、Cataloid(登録商標)、SI−50)を用いて、実施例2と同様に工程A、Bを行い、シリカ粉末乾燥品100gに対してTESPT(ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ダイソー社製)を75.3g(0.14モル)を加えたこと以外は同様とした工程Cを行い、その後、工程D、Eを実施し、さらに工程D、Eを3回繰り返し実施した。
球状45nmシリカゾル(日揮触媒化成株式会社製、Cataloid(登録商標)、SI−45P)を用いて、実施例2と同様に工程A、Bを行い、シリカ粉末乾燥品100gに対してTESPT(ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ダイソー社製)を43.0g(0.08モル)を加えたこと以外は同様とした工程Cを行い、その後、工程D、Eを実施した。
球状45nmシリカゾル(日揮触媒化成株式会社製、Cataloid(登録商標)、SI−45P)を用いて、実施例2と同様に工程A、Bを行い、シリカ粉末乾燥品100gに対してTESPT(ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ダイソー社製)を43.0g(0.08モル)を加え、工程Cを実施した。
球状45nmシリカゾル(日揮触媒化成株式会社製、Cataloid(登録商標)、SI−45P)を用いて、実施例2と同様に工程A、Bを行い、シリカ粉末乾燥品100gに対してTESPT(ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ダイソー社製)を43.0g(0.08モル)を加えたこと以外は同様とした工程Cを行い、その後、工程Dを実施した。
球状45nmシリカゾル(日揮触媒化成株式会社製、Cataloid(登録商標)、SI−45P)を用いて、実施例2と同様に工程A、Bを行い、シリカ粉末乾燥品100gに対してTESPT(ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ダイソー社製)を43.0g(0.08モル)を加えたこと以外は同様とした工程Cを実施した。その後、工程Dは、実施例1のアイシンナノテクノロジーズ社製、ナノジェットマイザーNJ−50での処理量を1g/min、押込み圧1.5MPa、粉砕圧0.4MPaにて粉砕を行った。
工程Dにおいて、実施例1のアイシンナノテクノロジーズ社製、ナノジェットマイザーNJ−50での処理量を1g/min、押込み圧1.5MPa、粉砕圧0.8MPaにて粉砕を行った他は、比較例3と同様に実施した。
次に、上記の実施例1〜5および比較例1〜4の各々において得られたもの(粉砕品、再表面処理品または表面処理品。第1表においては「シリカ」と示す。)を原料として用いて試験用タイヤおよび試験片を作成し、耐摩耗性試験および引張試験を行った。以下に詳しく説明する。
SBR:日本ゼオン(株)製のSBR Nipol NS210
カーボンブラック(CB):三菱化学(株)製のダイアブラックI(N2SA:114m2/g)
アロマオイル:ジャパンエナジー社製のX140
老化防止剤:大内新興化学工業(株)製のノクラック6C(N−フェニル−N'−(1,3−ジメチルブチル)−p−フェニレンジアミン)
ステアリン酸:日油(株)製のビーズステアリン酸「椿」
酸化亜鉛:三井金属鉱業(株)製の酸化亜鉛2種
硫黄:鶴見化学(株)製の硫黄
加硫促進剤:大内新興化学工業(株)製のノクセラーNS(N−tert−ブチル−2−ベンゾチアゾリルスルフェンアミド)
第1表に示す配合にしたがい、1.7Lバンバリーミキサーを用いて、老化防止剤、ステアリン酸、酸化亜鉛、硫黄および加硫促進剤以外の薬品を150℃の条件下で3分間混練りし、混練物1を得た。
次に、1.7Lバンバリーミキサーを用いて、上記混練物1に老化防止剤、ステアリン酸および酸化亜鉛を添加し、150℃の条件下で2分間混練りし、混練物2を得た。
さらに、オープンロールを用いて、上記混練物2に硫黄および加硫促進剤を添加し、60℃の条件下で4分間混練りして未加硫ゴム組成物を得た。
得られた未加硫ゴム組成物を170℃で20分間、0.5mm厚の金型でプレス加硫し、加硫ゴム組成物を得た。
また、得られた未加硫ゴム組成物をトレッドの形状に成形し、タイヤ成型機上で他のタイヤ部材とともに貼り合わせ、170℃で12分間加硫することにより、試験用タイヤ(カートタイヤ、タイヤサイズ:11×7.10−5)を製造した。
上記評価後の試験用タイヤの摩耗状態を目視で確認し、耐摩耗性を評価した。評価結果は、実施例1を3点とし、5点満点で表示した。数値が大きいほど、耐摩耗性が良好であることを示す。
得られた加硫ゴム組成物から試験片を作製しJIS−K6251に準じて3号ダンベルを用いて引張り試験を実施し、破断強度(TB)と破断時伸び(EB)を測定した。そして、TB×EB/2の値をゴム強度として、実施例1のゴム強度を105とし、結果を指数表示した。指数が大きいほどゴム強度に優れることを示す。
Claims (2)
- 次の工程1〜工程4を含むことを特徴とする、動的光散乱法によって測定された平均粒子径(D2)が0.01〜0.40μmの範囲にあり、かつ、同範囲の粒度分布の頻度が70%以上で標準偏差が0.50μm以下である疎水性シリカ粉末の製造方法。
工程1:平均粒子径(D1)が0.01〜0.20μmの範囲にあり、かつ、同範囲の粒度分布の頻度が95%以上で標準偏差が0.10μm以下であるシリカ微粒子が溶媒に分散してなるシリカゾルに陽イオンの脱離処理および陰イオンの脱離処理をする工程。
工程2:前工程に続き、前記シリカゾルを噴霧乾燥し、シリカ粉末を得る工程。
工程3:前工程に続き、水分存在下、前記シリカ粉末に、スルフィド基含有シランカップリング剤を加え、混合し、疎水化シリカ粉末を得る工程。
工程4:前工程に続き、前記疎水化シリカ粉末を粉砕する工程。 - 前記工程4に続けて、次の工程5と工程6を複数回反復させることを特徴とする請求項1記載の疎水性シリカ粉末の製造方法。
工程5:水分存在下、疎水性シリカ粉末に、スルフィド基含有シランカップリング剤を加え、混合し、疎水化シリカ粉末を得る工程。
工程6:前工程に続き、前記疎水化シリカ粉末を粉砕する工程。
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