JP7112179B2 - 半導体封止材用球状シリカ質粉末、およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明による半導体封止材用球状シリカ質粉末は、微小な非晶質球状シリカ質粒子から構成されており、半導体封止材として用いる樹脂にフィラーとして充填され、当該半導体封止材の流動性を向上し得る。半導体封止材の流動性を向上させるには、円形度が高く、かつ比表面積が低い球状化した半導体封止材用球状シリカ質粉末を充填することが望ましい。なお、円形度は、「撮影粒子投影面積相当円の周囲長÷撮影粒子像の周囲長」で求められ、この値が1に近づくほど真球に近づくことを意味する。また、比表面積は、粒子の単位体積当たりの表面積であり、この値が低いほど超微粉化を防止して流動性に優れた粉末となることを意味する。
本発明における半導体封止材用球状シリカ質粉末は下記の製造方法により製造し得る。この場合、先ず始めに結晶破砕シリカ質粉末を原料として用意する(用意工程)。結晶破砕シリカ質粉末は、レーザー回折・散乱式粒度分布測定法により測定したメジアン径D50が50[μm]以下とする。
以上の構成において、本発明の半導体封止材用球状シリカ質粉末では、XRD法により測定した結晶化度が0.0[%]、レーザー回折・散乱式粒度分布測定法により測定したメジアン径D50が50[μm]以下となるようにした。これにより、半導体封止材用球状シリカ質粉末では、半導体封止材における流動性を向上させることができ、さらに結晶性シリカによる健康被害の懸念もなく、従来よりも取り扱い易い半導体封止材用球状シリカ質粉末を提供できる。
Claims (5)
- 半導体封止材用球状シリカ質粉末であって、
XRD(X-ray diffraction)法により得られた結晶質成分のピークの面積が0.05%未満である、または結晶質成分のピークが見られず、
レーザー回折・散乱式粒度分布測定法により測定したメジアン径D50が50[μm]以下であり、
BET法により測定した比表面積が2.28[m2/g]以上4.0[m2/g]以下である
ことを特徴とする半導体封止材用球状シリカ質粉末。 - 粒子径が45[μm]以上75[μm]以下の範囲でフロー式粒子像分析法により測定した平均円形度が0.90以上である
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体封止材用球状シリカ質粉末。 - XRD(X-ray diffraction)法により得られた結晶質成分のピークの面積が0.05%未満である、または結晶質成分のピークが見られず、BET法により測定した比表面積が1.0[m2/g]以上4.0[m2/g]以下である半導体封止材用球状シリカ質粉末の製造方法であって、
レーザー回折・散乱式粒度分布測定法により測定したメジアン径D50が50[μm]以下である結晶破砕シリカ質粉末を用意する用意工程と、
前記結晶破砕シリカ質粉末を火炎中に噴出して球状化した半導体封止材用球状シリカ質粉末を製造する溶射工程とを備え、
前記溶射工程では、
前記結晶破砕シリカ質粉末の供給量[kg/h]当たりの熱量[MJ/h]を25[MJ/kg]以上とする
ことを特徴とする半導体封止材用球状シリカ質粉末の製造方法。 - 前記溶射工程では、
理論酸素量に対する使用助燃ガス中の酸素量の比率が100[%]である
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体封止材用球状シリカ質粉末の製造方法。 - 前記溶射工程では、
前記結晶破砕シリカ質粉末の供給量[kg/h]当たりの熱量[MJ/h]を25.8[MJ/kg]以上とする
ことを特徴とする請求項3または4に記載の半導体封止材用球状シリカ質粉末の製造方法。
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