JP2005183563A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ドレイン領域2とヘテロ接合を形成し、ソース電極7に接続され、かつ、ドレイン領域2を形成する半導体基体とはバンドギャップが異なったヘテロ接合半導体領域9を備えるように構成した半導体装置。ヘテロ接合半導体領域の導電型もしくは不純物濃度を変えることで、ドレイン領域との間に形成される伝導電子に対するエネルギー障壁を所望の大きさに設定することが可能である。これは、金属材料の仕事関数によって一義的にエネルギー障壁の大きさが決まってしまうショットキー接合にはない特性で、スイッチ素子であるMOSFETの耐圧系に応じた受動素子の最適設計が容易となり、逆方向導通時の拡散電位を抑え単位面積あたりの集積度を向上することが可能となる。そのため素子サイズを削減し、製造工程を簡略にすることが出来る。
【選択図】図1
Description
この従来技術においては、炭化珪素基板に形成したMOSFETの一部にショットキーダイオードが内蔵された構造をしており、スイッチング損失が小さい双方向導通素子として機能する。順方向導通時にはMOSFETがスイッチ素子として動作し、いわゆる還流動作となる逆方向導通時はショットキーダイオードが多数キャリア受動素子として動作する。
本発明は、上記のような従来技術の課題を解決するためになされたものであり、素子サイズを削減し、製造工程の簡単な半導体装置を提供することを目的とする。
図1は本発明による半導体装置の第1の実施例を示した図であり、単位セルが2つ対面した構造の断面図である。実際には、このような構造の単位セルが多数配列された構造を有する。なお、本実施例においては、炭化珪素を基板材料とした半導体装置を一例として説明する。
本実施例においては、ヘテロ接合半導体領域9はゲート電極6と同じ材料で構成していることから、多結晶シリコン層の成膜を同時に行うことができるので、製造工程が容易である。
本実施例においては、例えばインバータなどの電力変換装置の電力変換素子として用いる場合を想定し、順方向動作ではスイッチ素子として、いわゆる還流動作である逆方向動作では受動素子として、それぞれ動作する。
まず、スイッチ素子として動作する順方向動作について説明する。
例えばソース電極7を接地し、ドレイン電極8に正電位を印加した状態で、ゲート電極6を例えば接地電位とした場合は、遮断状態を保持する。すなわち、MOSFETのソース領域4とドレイン領域2との間には、ベース領域3によってPN接合による伝導電子に対するエネルギー障壁が形成されているためである。また、ヘテロ接合半導体領域9とドレイン領域2との接合間においても、界面に形成されるヘテロ接合によって伝導電子に対するエネルギー障壁が形成される。
図17から図21は半導体のエネルギーバンド構造を示す図である。各図中、左側にはヘテロ接合半導体領域9に対応するN−型シリコンのエネルギーバンド構造を、右側にはドレイン領域2に対応する4HタイプのN−型炭化珪素のエネルギーバンド構造を示している。
ΔEc=χ1−χ2 …(数1)
また、図18はシリコン及び炭化珪素の両者を接触させ、シリコンと炭化珪素のヘテロ接合を形成したエネルギーバンド構造を示す図である。
シリコン及び炭化珪素の両者を接触させた後も、エネルギー障壁ΔEcは接触前と同様に存在するため、シリコン側の接合界面には幅W1の電子の蓄積層が形成され、一方で炭化珪素側の接合界面には幅W2の空乏層が形成されると考えられる。
VD=V1+V2 …(数3)
W2=√〔(2×ε0×ε2×V2)/(q×N2)〕 …(数4)
ここでε0は真空中の誘電率、ε2は炭化珪素の比誘電率、N2は炭化珪素のイオン化不純物濃度を表す。
なお、これらの式は、バンド不連続のモデルとしてAndersonの電子親和力に基づいており、理想的状態であり、さらに歪みの効果は考慮していない。
次に、導通状態から遮断状態に移行すべく、再びゲート電極6を接地電位とすると、ベース領域3に形成されていた反転層は解除され、再びベース領域3には伝導電子に対するエネルギー障壁により、遮断状態となる。
このように、本実施例ではヘテロ接合半導体領域9をMOSFETに内蔵した構成としていても、スイッチ素子としての機能は従来どおりである。
すなわち、ヘテロ接合半導体領域9とドレイン領域2の接合界面におけるエネルギーバンド構造は、図21の破線で示した順方向動作時の遮断状態のエネルギーバンド構造から、実線で示した拡散電位が打ち消される方向に推移するためである。
また、逆方向導通時においては、形成された受動素子の大きさに対する逆導通電流の大きさによって、ソース電極7とドレイン電極8との間の電位差、つまり、受動素子の動作点が変動する。
図15に示すように、(距離w/厚みt)の大きさが小さくなればなるほど、電位Vaが大きくなることが判る。例えば、図1に示すような構造で、ドレイン領域2の不純物濃度が約1×1016cm−3、厚みが約10μmとし、ベース領域3の不純物濃度が約1×1018cm−3、厚みが約1μmとした場合、上記の距離wを例えば約1μmとすることで、上乗せ電位Vaは約0.4Vが得られる。
つまり、ショットキー接合を用いても、多数キャリア電流で逆導通動作する動作領域を広げることができるため、集積度を向上することができる。
図5は本発明による半導体装置の第2の実施例を示している。図5は第1の実施例の図1に対応した断面図である。本実施例においては、図1と同様の動作をする部分の説明は省略し、異なる特徴ついて詳しく説明する。
このように、ヘテロ接合半導体領域9を深く形成することで、図1に比べて、さらに高い上乗せ電位Vaを得ることができる。一例として、図16にベース領域3直下のドレイン領域2の厚みtとヘテロ接合半導体領域9直下のドレイン領域2の厚みkの差分と、拡散電位に上乗せされる電位差Vaとの関係を計算した結果を示す。
図8および図9は本発明による半導体装置の第3の実施例を示している。図8は第1の実施例の図1に対応した断面図である。また、図9は図8の線分A−Aの断面を示した側面図である。本実施例においては、図1と同様の動作をする部分の説明は省略し、異なる特徴ついて詳しく説明する。
図11および図12は本発明による半導体装置の第4の実施例を示している。図11は第1の実施例の図1に対応した断面図である。また、図12は図11の線分B−Bの断面を示した側面図である。本実施例においては、図1と同様の動作をする部分の説明は省略し、異なる特徴ついて詳しく説明する。
図11および図12に示すように本実施例においては、スイッチ素子として接合型電界効果トランジスタ(JFET)を用いた場合を示している。
また、全ての実施例において、炭化珪素のポリタイプとして4Hタイプを用いて説明したが、6H、3C等その他のポリタイプでも構わない。
また、全ての実施例において、ドレイン電極8、28とソース電極7、27とをドレイン領域2、22を挟んで対向するように配置し、ドレイン電流を縦方向に流すいわゆる縦型構造のトランジスタで説明してきたが、例えばドレイン電極8、28とソース電極7、27とを同一主面上に配置し、ドレイン電流を横方向に流すいわゆる横型構造のトランジスタであってもかまわない。
また、ヘテロ接合半導体領域9、29に用いる材料として多結晶シリコンを用いた例で説明したが、炭化珪素とヘテロ接合を形成する材料であればどの材料でもかまわない。
また、第1の実施例から第4の実施例においては、主にヘテロ接合半導体領域9、29で受動素子を形成した場合で説明してきたが、ショットキー接合を形成する金属材料を用いて受動素子を形成していても良い。
さらにスイッチ素子が、MOSFET及びJFETで構成された場合を例示して説明してきたが、バイポーラトランジスタなど別のスイッチ素子で構成されていてもかまわない。
さらに本発明の主旨を逸脱しない範囲での変形を含むことは言うまでもない。
3…ベース領域 4…ソース領域
5…絶縁膜 6…ゲート電極
7…ソース電極 8…ドレイン電極
9、9’…ヘテロ接合半導体領域 10…ショットキー接合領域
11…蓄積型領域 12…ゲート電極
13…ヘテロ接合半導体領域 21…基板領域
22…ドレイン領域 23…ベース領域
24…ソース領域 25…絶縁膜
26…ゲート電極 27…ソース電極
28…ドレイン電極 29…ヘテロ接合半導体領域
t…ベース領域直下のドレイン領域厚み
w…ヘテロ接合半導体領域から最も離れたベース領域までの距離
k…ヘテロ接合半導体領域直下のドレイン領域厚み
Va…PN接合の拡散電位に上乗せされる電位
Claims (24)
- 第一導電型の半導体基体からなるドレイン領域の所定領域に、第二導電型のベース領域および第一導電型のソース領域を有し、前記ドレイン領域および前記ソース領域にそれぞれ接続するドレイン電極およびソース電極を有し、さらに、少なくとも前記ドレイン電極と前記ソース電極間を流れる電流を制御するべく設けられたゲート電極を有する三端子スイッチ素子において、
前記ドレイン領域とヘテロ接合を形成し、前記ソース電極に接続され、かつ、前記ドレイン領域の前記半導体基体とはバンドギャップが異なったヘテロ接合半導体領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記ソース電極から前記ヘテロ接合半導体領域を介して前記ドレイン電極に還流電流が流れる還流動作時に、少なくとも前記ヘテロ接合半導体領域から前記ベース領域の最も離れた部位近傍の前記ドレイン領域に前記還流電流が流れるように、前記ベース領域および前記ヘテロ接合半導体領域を配置したことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ヘテロ接合半導体領域と前記ドレイン電極との距離が、前記ベース領域と前記ドレイン電極との距離より小さいことを特徴とする前記請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記ソース電極と前記ドレイン電極とが前記ドレイン領域を介して対向しており、前記ヘテロ接合半導体領域と前記ヘテロ接合半導体領域から前記ベース領域の最も離れた部位との前記半導体基体主面に平行方向の距離が、前記ベース領域直下の前記ドレイン領域の厚み以下となるように配置されたことを特徴とする前記請求項1乃至請求項3の何れかに記載の半導体装置。
- 前記ヘテロ接合半導体領域が、前記半導体基体の主面から見て前記ベース領域より深い位置まで形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載の半導体装置。
- 前記三端子スイッチ素子が、前記ドレイン領域の所定領域に前記ベース領域を有し、前記ベース領域の所定領域に前記ソース領域を有し、少なくとも前記ドレイン領域及び前記ソース領域に接するように絶縁膜を介してゲート電極を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタからなることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極が前記ヘテロ接合半導体領域と同一の材料からなることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 半導体基体からなるドレイン領域が第一導電型である場合に、前記ゲート電極および前記ヘテロ接合半導体領域が第二導電型であることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の半導体装置。
- 前記ヘテロ半導体接合領域が、隣合った前記ベース領域間に挟まれるように、前記ドレイン領域に接して配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項8の何れかに記載の半導体装置。
- 前記ヘテロ半導体接合領域が隣合った前記ベース領域の外側と、隣合った前記ベース領域間に挟まれる位置とのそれぞれに、前記ドレイン領域に接して配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項8の何れかに記載の半導体装置。
- 前記ヘテロ接合半導体領域と前記ヘテロ接合半導体領域から前記ベース領域の最も離れた部位との前記半導体基体主面に平行方向の距離は、隣合った前記ベース領域の外側に設けられたヘテロ接合半導体領域と、隣合った前記ベース領域間に挟まれる位置に設けられたヘテロ接合半導体領域とのそれぞれが前記ドレイン領域に接する部分における前記半導体基体主面に平行方向の最短距離の1/2とすることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 第一導電型の半導体基体からなるドレイン領域の所定領域に、第二導電型のベース領域および第一導電型のソース領域を有し、前記ドレイン領域および前記ソース領域にそれぞれ接続するドレイン電極およびソース電極を有し、さらに、少なくとも前記ドレイン電極と前記ソース電極間を流れる電流を制御するべく設けられたゲート電極を有する三端子スイッチ素子において、
前記ドレイン領域とショットキー接合を形成し、かつ前記ソース電極に接続されたショットキー接合領域を有し、前記ソース電極から前記ショットキー接合領域を介して前記ドレイン電極に還流電流が流れる還流動作時に、少なくとも前記ショットキー接合領域から前記ベース領域の最も離れた部位近傍の前記ドレイン領域に前記還流電流が流れるように、前記ベース領域および前記ショットキー接合領域を配置したことを特徴とする半導体装置。 - 前記ショットキー接合領域と前記ドレイン電極との距離が、前記ベース領域と前記ドレイン電極との距離より小さいことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
- 前記ソース電極と前記ドレイン電極とが前記ドレイン領域を介して対向しており、前記ショットキー接合領域と前記ショットキー接合領域から前記ベース領域の最も離れた部位との前記半導体基体主面に平行方向の距離が、前記ベース領域直下の前記ドレイン領域の厚み以下となるように配置されたことを特徴とする請求項12または請求項13の何れかに記載の半導体装置。
- 前記ショットキー接合領域が、前記半導体基体の主面から見て前記ベース領域より深い位置まで形成されていることを特徴とする請求項12乃至請求項14の何れかに記載の半導体装置。
- 前記三端子スイッチ素子が、前記ドレイン領域の所定領域に前記ベース領域を有し、前記ベース領域の所定領域に前記ソース領域を有し、少なくとも前記ドレイン領域及び前記ソース領域に接するように絶縁膜を介してゲート電極を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタからなることを特徴とする請求項12乃至請求項15の何れかに記載の半導体装置。
- 前記ショットキー接合領域が、隣合った前記ベース領域間に挟まれるように、前記ドレイン領域に接して配置されていることを特徴とする請求項12乃至請求項16の何れかに記載の半導体装置。
- 前記ショットキー接合領域が隣合った前記ベース領域の外側と、隣合った前記ベース領域間に挟まれる位置とのそれぞれに、前記ドレイン領域に接して配置されていることを特徴とする請求項12乃至請求項16の何れかに記載の半導体装置。
- 前記ショットキー接合領域と前記ショットキー接合領域から前記ベース領域の最も離れた部位との前記半導体基体主面に平行方向の距離は、隣合った前記ベース領域の外側に設けられたショットキー接合領域と、隣合った前記ベース領域間に挟まれる位置に設けられたショットキー接合領域とのそれぞれが前記ドレイン領域に接する部分における前記半導体基体主面に平行方向の最短距離の1/2とすることを特徴とする請求項18に記載の半導体装置。
- 前記ドレイン領域の所定領域に溝を有し、前記絶縁膜および前記ゲート電極が前記溝の内部に形成されていることを特徴とする請求項6乃至請求項11または請求項16乃至請求項19の何れかに記載の半導体装置。
- 前記三端子スイッチ素子が接合型電界効果トランジスタからなることを特徴とする請求項1乃至請求項5または請求項12乃至請求項15の何れかに記載の半導体装置。
- 前記半導体基体がワイドギャップ半導体からなることを特徴とする請求項1乃至請求項21の何れかに記載の半導体装置。
- 前記半導体基体が炭化珪素からなることを特徴とする請求項1乃至請求項22の何れかに記載の半導体装置。
- 前記ヘテロ半導体接合領域が単結晶シリコン、多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンからなることを特徴とする請求項1乃至請求項23の何れかに記載の半導体装置。
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