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  1. 第1の基板に、第1の金属膜と、第1の酸化物膜と、光学フィルターとを順に積層し、
    前記光学フィルターを介して前記第1の基板と向かい合うように、前記光学フィルター上に支持体を剥離可能な粘着媒体を用いて貼り合わせ、
    前記第1の基板及び前記第1の金属膜を剥離して光学フィルムを形成する第1の工程と、
    第2の基板上に第2の金属膜と、第2の酸化物膜とを順に積層し、前記第2の酸化物膜上に画素を有する層を形成する第2の工程と、
    前記第1の工程及び前記第2の工程の後、前記光学フィルムの前記第1の酸化物膜と前記第2の基板の画素を有する層の表面とを第1の接着剤を用いて貼り合わせ、
    前記第2の基板及び前記第2の金属膜を剥離する第3の工程とを有することを特徴とする表示装置の作製方法。
  2. 第1の基板に、第1の金属膜と、第1の酸化物膜と、光学フィルターとを順に積層し、
    前記光学フィルターを介して前記第1の基板と向かい合うように、前記光学フィルター上にプラスチック基板、偏光板、又は位相差板を有する偏光板である第2の基板を第1の接着を用いて貼り合わせ、
    前記第2の基板上に剥離可能な粘着媒体を用いて支持体を貼り合わせ、
    前記第1の基板及び前記第1の金属膜を剥離し光学フィルムを形成する第1の工程と、
    第3の基板上に第2の金属膜と、第2の酸化物膜とを順に積層し、前記第2の酸化物膜上に画素を有する層を形成する第2の工程と、
    前記第1の工程及び前記第2の工程の後、前記光学フィルムの前記第1の酸化物膜と前記第3の基板の画素を有する層の表面とを第2の接着剤を用いて貼り合わせ、
    前記第3の基板及び前記第2の金属膜を剥離する第3の工程とを有することを特徴とする表示装置の作製方法。
  3. 第1の基板に、第1の金属膜と、第1の酸化物膜と、光学フィルターとを順に積層し、
    前記光学フィルターを介して前記第1の基板と向かい合うように、前記光学フィルター上に支持体を剥離可能な粘着媒体を用いて貼り合わせ、
    前記第1の基板及び前記第1の金属膜を剥離し、
    前記第1の酸化物膜上にプラスチック基板、偏光板、又は位相差板を有する偏光板である第2の基板を第1の接着剤を用いて貼り合わせた後、前記支持体及び前記剥離可能な粘着媒体を除去して光学フィルムを形成する第1の工程と、
    第3の基板上に第2の金属膜と、第2の酸化物膜とを順に積層し、前記第2の酸化物膜上に画素を有する層を形成する第2の工程と、
    前記第1の工程及び前記第2の工程の後、前記光学フィルムの前記光学フィルターと前記第3の基板の画素を有する層の表面とを第2の接着剤を用いて貼り合わせ、
    前記第3の基板及び前記第2の金属膜を剥離する第3の工程とを有することを特徴とする表示装置の作製方法。
  4. 第1の基板に、第1の金属膜と、第1の酸化物膜と、光学フィルターとを順に積層し、
    前記光学フィルターを介して前記第1の基板と向かい合うように、前記光学フィルター上に支持体を剥離可能な粘着媒体を用いて貼り合わせ、
    前記第1の基板及び前記第1の金属膜を剥離して光学フィルムを形成する第1の工程と、
    第2の基板上に第2の金属膜と、第2の酸化物膜とを順に積層し、前記第2の酸化物膜上に画素を有する層を形成する第2の工程と、
    前記第1の工程及び前記第2の工程の後、前記光学フィルムの前記第1の酸化物膜と前記第2の基板の画素を有する層の表面とを第1の接着剤を用いて貼り合わせ、
    前記第2の基板及び前記第2の金属膜を剥離する第3の工程と、
    前記第2の酸化物膜の表面に、第2の接着剤を用いてプラスチック基板、偏光板、又は位相差板を有する偏光板である第3の基板を貼り合わせた後、前記剥離可能な粘着媒体及び前記支持体を除去する第の工程とを有することを特徴とする表示装置の作製方法。
  5. 第1の基板に、第1の金属膜と、第1の酸化物膜と、光学フィルターとを順に積層し、
    前記光学フィルターを介して前記第1の基板と向かい合うように、前記光学フィルター上にプラスチック基板、偏光板、又は位相差板を有する偏光板である第2の基板を第1の接着を用いて貼り合わせ、
    前記第2の基板上に剥離可能な粘着媒体を用いて支持体を貼り合わせ、
    前記第1の基板及び前記第1の金属膜を剥離し光学フィルムを形成する第1の工程と、
    第3の基板上に第2の金属膜と、第2の酸化物膜とを順に積層し、前記第2の酸化物膜上に画素を有する層を形成する第2の工程と、
    前記第1の工程及び前記第2の工程の後、前記光学フィルムの前記第1の酸化物膜と前記第3の基板の画素を有する層の表面とを第2の接着剤を用いて貼り合わせ、
    前記第3の基板及び前記第2の金属膜を剥離する第3の工程と、
    前記第2の酸化物膜の表面に、第3の接着剤を用いてプラスチック基板、偏光板、又は位相差板を有する偏光板である第4の基板を貼り合わせた後、前記剥離可能な粘着媒体及び前記支持体を除去する第の工程とを有することを特徴とする表示装置の作製方法。
  6. 第1の基板に、第1の金属膜と、第1の酸化物膜と、光学フィルターとを順に積層し、
    前記光学フィルターを介して前記第1の基板と向かい合うように、前記光学フィルター上に支持体を剥離可能な粘着媒体を用いて貼り合わせ、
    前記第1の基板及び前記第1の金属膜を剥離し、
    前記第1の酸化物膜上にプラスチック基板、偏光板、又は位相差板を有する偏光板である第2の基板を第1の接着剤を用いて貼り合わせた後、前記支持体及び前記剥離可能な粘着媒体を除去して光学フィルムを形成する第の工程と、
    第3の基板上に第2の金属膜と、第2の酸化物膜とを順に積層し、前記第2の酸化物膜上に画素を有する層を形成する第の工程と、
    前記第1の工程及び前記第2の工程の後、前記光学フィルムの前記光学フィルターと前記第3の基板の画素を有する層の表面とを第2の接着剤を用いて貼り合わせ、
    前記第3の基板及び前記第2の金属膜を剥離する第3の工程と、
    前記第2の酸化物膜の表面に、第3の接着剤を用いてプラスチック基板、偏光板、又は位相差板を有する偏光板である第4の基板を貼り合わせる第4の工程とを有することを特徴とする表示装置の作製方法。
  7. 請求項において、前記第の工程の後、前記光学フィルター上にプラスチック基板、偏光板、又は位相差板を有する偏光板を貼り合わせることを特徴とする表示装置の作製方法。
  8. 請求項1又は4において、前記第1の基板及び前記第2の基板は、石英基板、セラミックス基板、シリコン基板、金属基板、はステンレス基板であることを特徴とする表示装置の作製方法。
  9. 請求項2、3、5又は6において、前記第1の基板及び前記第3の基板は、石英基板、セラミックス基板、シリコン基板、金属基板、はステンレス基板であることを特徴とする表示装置の作製方法。
  10. 請求項1乃至のいずれかにおいて、前記第1の金属膜と前記第1の酸化物膜の間に、第1の金属酸化物膜が形成されることを特徴とする表示装置の作製方法。
  11. 請求項乃至10のいずれかにおいて、前記第2の金属膜と前記第2の酸化物膜の間に、第2の金属酸化物膜が形成されることを特徴とする表示装置の作製方法。
  12. 請求項1乃至11のいずれかにおいて、前記画素を有する層は、半導体素子及び当該半導体素子に接続する画素電極をすることを特徴とする表示装置の作製方法。
  13. 請求項12において、前記半導体素子は、TFT、有機半導体トランジスタ、ダイオード、又はMIM素子であることを特徴とする表示装置の作製方法。
  14. 請求項1乃至13のいずれかにおいて、前記光学フィルターは、カラーフィルター、又は色変換フィルターであることを特徴とする表示装置の作製方法。
  15. 請求項1乃至14のいずれかにおいて、前記第1の金属膜及び前記第2の金属膜は、チタン、アルミニウム、タンタル、タングステン、モリブデン、銅、クロム、ネオジム、鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムから選ばれた元素、は前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、はこれらの積層であることを特徴とする表示装置の作製方法。
  16. 請求項1乃至15のいずれかにおいて、前記第1の酸化物膜及び前記第2の酸化物膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、又は金属酸化物であることを特徴とする表示装置の作製方法。
  17. 請求項1乃至16のいずれかにおいて、前記支持体は、ガラス基板、石英基板、金属基板、又はセラミックス基板であることを特徴とする表示装置の作製方法。
  18. 請求項1乃至17のいずれかにおいて、前記剥離可能な粘着媒体は、反応剥離型粘着剤、熱剥離型粘着剤、光剥離型粘着剤、嫌気剥離型粘着剤、はこれらの一つ若しくは複数で形成される粘着層を両面に有する部材であることを特徴とする表示装置の作製方法。
  19. 請求項1乃至18のいずれかにおいて、前記表示装置は、液晶表示装置、発光表示装置、デジタルマイクロミラーデバイス、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションディスプレイ、又は電気泳動表示装置であることを特徴とする表示装置の作製方法。
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Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100330748A1 (en) * 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
JP4357854B2 (ja) * 2003-02-28 2009-11-04 大日本印刷株式会社 光学フィルターおよびこれを用いた有機elディスプレイ
WO2005041249A2 (en) 2003-10-28 2005-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing optical film
US7601236B2 (en) * 2003-11-28 2009-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing display device
KR101075599B1 (ko) * 2004-06-23 2011-10-20 삼성전자주식회사 표시장치
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
US8772783B2 (en) * 2004-10-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4923610B2 (ja) * 2006-02-16 2012-04-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR100751453B1 (ko) * 2006-06-14 2007-08-23 삼성전자주식회사 표시장치와 이의 제조방법
US8137417B2 (en) 2006-09-29 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
TWI433306B (zh) * 2006-09-29 2014-04-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
KR101447044B1 (ko) * 2006-10-31 2014-10-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
JP2008242311A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sumitomo Chemical Co Ltd 着色感光性樹脂組成物、並びにそれを用いた色フィルタアレイ及び固体撮像素子
JP2008242324A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sumitomo Chemical Co Ltd 着色感光性樹脂組成物、並びにそれを用いた色フィルタアレイ、固体撮像素子およびカメラシステム
KR101400807B1 (ko) * 2007-11-20 2014-05-29 엘지디스플레이 주식회사 전기영동표시장치 및 그 제조 방법
US9071809B2 (en) * 2008-01-04 2015-06-30 Nanolumens Acquisition, Inc. Mobile, personsize display system and method of use
KR100889682B1 (ko) * 2008-01-30 2009-03-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR100922359B1 (ko) * 2008-02-14 2009-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기발광 표시장치
JP5071152B2 (ja) * 2008-02-28 2012-11-14 ソニー株式会社 表示装置の製造方法および照明装置の製造方法
KR101588576B1 (ko) 2008-07-10 2016-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
EP2178133B1 (en) * 2008-10-16 2019-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible Light-Emitting Device, Electronic Device, and Method for Manufacturing Flexible-Light Emitting Device
KR100971080B1 (ko) * 2008-11-04 2010-07-20 이한준 이방성 도전볼을 포함하는 혐기성 광경화 접착제의제조방법과 혐기성 광경화접착제를 이용한평판디스플레이의 회로접속방법
JP5586920B2 (ja) * 2008-11-20 2014-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 フレキシブル半導体装置の作製方法
TWI616707B (zh) 2008-11-28 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
WO2010071089A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
TWI607670B (zh) 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
KR101006182B1 (ko) * 2009-01-09 2011-01-07 주식회사 나래나노텍 자외선 및 자연 경화제를 포함한 자외선 경화제를 이용한 패턴 전극의 본딩 구조 및 그 본딩 방법
CN101833215B (zh) * 2009-03-09 2013-07-10 财团法人工业技术研究院 可挠式电子装置的转移结构及可挠式电子装置的制造方法
FR2943177B1 (fr) * 2009-03-12 2011-05-06 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une structure multicouche avec report de couche circuit
JP2011018873A (ja) * 2009-05-22 2011-01-27 Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc 電磁シールド方法および電磁シールド用フィルム
FR2947380B1 (fr) 2009-06-26 2012-12-14 Soitec Silicon Insulator Technologies Procede de collage par adhesion moleculaire.
KR102113148B1 (ko) 2009-09-04 2020-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
KR101618157B1 (ko) * 2009-12-21 2016-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101058880B1 (ko) * 2010-05-07 2011-08-25 서울대학교산학협력단 액티브 소자를 구비한 led 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWI400549B (zh) * 2010-06-01 2013-07-01 Prime View Int Co Ltd 彩色電泳顯示裝置之製造方法
JP5588007B2 (ja) 2010-08-25 2014-09-10 パナソニック株式会社 有機発光素子とその製造方法、および有機表示パネルと有機表示装置
WO2012025961A1 (ja) * 2010-08-25 2012-03-01 パナソニック株式会社 有機発光素子とその製造方法、および有機表示パネルと有機表示装置
US9722212B2 (en) * 2011-02-14 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device, light-emitting device, and manufacturing method and manufacturing apparatus thereof
KR102040242B1 (ko) * 2011-05-12 2019-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 이용한 전자 기기
CN102169266B (zh) * 2011-05-17 2012-07-04 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其驱动、制作方法
FR2980598B1 (fr) 2011-09-27 2014-05-09 Isorg Interface utilisateur sans contact a composants semiconducteurs organiques
FR2980599B1 (fr) * 2011-09-27 2014-05-09 Isorg Surface imprimee interactive
KR20130037275A (ko) * 2011-10-06 2013-04-16 주식회사 엔씰텍 플렉서블 소자를 구비하는 전자 장치의 제조 방법
JPWO2013054792A1 (ja) * 2011-10-12 2015-03-30 旭硝子株式会社 密着性樹脂層付き電子デバイスの製造方法
JP5614423B2 (ja) * 2012-03-29 2014-10-29 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板及びその製造方法
FR2989483B1 (fr) 2012-04-11 2014-05-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'interface utilisateur a electrodes transparentes
TWI469194B (zh) 2012-05-16 2015-01-11 Au Optronics Corp 有機電致發光裝置之畫素結構
DE102012107797A1 (de) * 2012-08-23 2014-02-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements und Licht emittierendes Halbleiterbauelement
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
FR2995419B1 (fr) 2012-09-12 2015-12-11 Commissariat Energie Atomique Systeme d'interface utilisateur sans contact
TWI566005B (zh) * 2012-09-26 2017-01-11 友達光電股份有限公司 製作顯示面板之方法
FR2996933B1 (fr) 2012-10-15 2016-01-01 Isorg Appareil portable a ecran d'affichage et dispositif d'interface utilisateur
KR101951223B1 (ko) * 2012-10-26 2019-02-25 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
JP6186697B2 (ja) * 2012-10-29 2017-08-30 セイコーエプソン株式会社 有機el装置の製造方法、有機el装置、電子機器
CN103995377A (zh) * 2013-02-18 2014-08-20 群创光电股份有限公司 显示面板制造方法与系统
KR102250061B1 (ko) * 2013-04-15 2021-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
JP6182985B2 (ja) * 2013-06-05 2017-08-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
JP2015046391A (ja) * 2013-08-01 2015-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び電子機器
CN109273622B (zh) 2013-08-06 2021-03-12 株式会社半导体能源研究所 剥离方法
TW201943069A (zh) 2013-09-06 2019-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置以及發光裝置的製造方法
FR3010829B1 (fr) * 2013-09-19 2017-01-27 St Microelectronics Sa Procede de realisation d'un filtre optique au sein d'un circuit integre, et circuit integre correspondant
JP6310668B2 (ja) * 2013-10-02 2018-04-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
US9937698B2 (en) 2013-11-06 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and light-emitting device
CN104752621B (zh) * 2013-12-26 2017-05-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种提高有源矩阵有机发光显示器显示质量的方法
JP2015195140A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 株式会社東芝 フレキシブル有機el表示装置の製造方法
TWI695525B (zh) 2014-07-25 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法、發光裝置、模組以及電子裝置
FR3025052B1 (fr) 2014-08-19 2017-12-15 Isorg Dispositif de detection d'un rayonnement electromagnetique en materiaux organiques
JP6008065B1 (ja) * 2014-12-25 2016-10-19 Dic株式会社 ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子
JP5885868B1 (ja) * 2015-03-24 2016-03-16 日東電工株式会社 パネル部材への連続貼りに用いる光学フィルム積層体
KR102415326B1 (ko) * 2015-10-29 2022-06-30 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
JP6822858B2 (ja) 2016-01-26 2021-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離の起点の形成方法及び剥離方法
JP6701777B2 (ja) * 2016-02-15 2020-05-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器
JP2017208254A (ja) * 2016-05-19 2017-11-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
CN106098940B (zh) * 2016-08-26 2019-09-06 武汉华星光电技术有限公司 无损剥离柔性基板的方法
KR102597231B1 (ko) * 2016-09-30 2023-11-03 삼성디스플레이 주식회사 영상 처리 장치, 표시 장치 및 두부 장착 표시 장치
KR102179165B1 (ko) 2017-11-28 2020-11-16 삼성전자주식회사 캐리어 기판 및 상기 캐리어 기판을 이용한 반도체 패키지의 제조방법
CN109872642B (zh) * 2017-12-04 2021-05-18 利亚德光电股份有限公司 小间距led显示模块及其制作方法
CN108735865B (zh) * 2018-05-26 2019-11-01 矽照光电(厦门)有限公司 一种显示结构生产方法
TWI679627B (zh) * 2018-06-28 2019-12-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
US10360825B1 (en) * 2018-09-24 2019-07-23 Innolux Corporation Flexible electronic device
US11856835B2 (en) * 2018-09-27 2023-12-26 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing display device
EP3894915A4 (en) 2018-12-14 2022-08-17 3M Innovative Properties Company LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING A FRONT FACE LIGHT CONTROL FILM
JP7332147B2 (ja) * 2019-08-26 2023-08-23 株式会社Joled 表示パネル、および、表示パネルの製造方法

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3624273A (en) * 1968-11-22 1971-11-30 Alfred J Gale Flat screen display devices using an array of charged particle sources
JPS5331971A (en) 1976-09-06 1978-03-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Forming method of metal oxide film or semiconductor oxide film
US4800100A (en) * 1987-10-27 1989-01-24 Massachusetts Institute Of Technology Combined ion and molecular beam apparatus and method for depositing materials
US5156720A (en) * 1989-02-02 1992-10-20 Alcan International Limited Process for producing released vapor deposited films and product produced thereby
JP2617798B2 (ja) * 1989-09-22 1997-06-04 三菱電機株式会社 積層型半導体装置およびその製造方法
JPH0553008A (ja) * 1991-08-27 1993-03-05 Kyocera Corp カラーフイルタ
JP2849008B2 (ja) 1992-11-02 1999-01-20 三容真空工業株式会社 カラー液晶表示装置
DE4433330C2 (de) * 1994-09-19 1997-01-30 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen mit vorteilhaften Hochfrequenzeigenschaften sowie eine Halbleiterwaferstruktur
US5757456A (en) * 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
FR2744285B1 (fr) * 1996-01-25 1998-03-06 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince d'un substrat initial sur un substrat final
DE69737086T2 (de) * 1996-08-27 2007-05-16 Seiko Epson Corp. Trennverfahren, verfahren zur übertragung eines dünnfilmbauelements, und unter verwendung des übertragungsverfahrens hergestelltes flüssigkristall-anzeigebauelement
SG65697A1 (en) * 1996-11-15 1999-06-22 Canon Kk Process for producing semiconductor article
US6033995A (en) * 1997-09-16 2000-03-07 Trw Inc. Inverted layer epitaxial liftoff process
JP3395661B2 (ja) * 1998-07-07 2003-04-14 信越半導体株式会社 Soiウエーハの製造方法
US6274887B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6590229B1 (en) * 1999-01-21 2003-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and process for production thereof
US6278841B1 (en) * 1999-07-26 2001-08-21 Eastman Kodak Company Camera having label mounted electrical component
JP2001075124A (ja) 1999-09-02 2001-03-23 Toppan Printing Co Ltd 液晶表示装置用電極基板の製造方法及び液晶表示装置
TW522453B (en) * 1999-09-17 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
JP4942867B2 (ja) 1999-09-17 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 El表示装置及び電子装置
JP3942770B2 (ja) * 1999-09-22 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 El表示装置及び電子装置
US6641933B1 (en) * 1999-09-24 2003-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting EL display device
US6646692B2 (en) * 2000-01-26 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid-crystal display device and method of fabricating the same
JP4712198B2 (ja) 2000-02-01 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
TW494447B (en) 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2001291850A (ja) * 2000-04-10 2001-10-19 Hitachi Cable Ltd 結晶シリコン薄膜の製造方法
US7579203B2 (en) * 2000-04-25 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6562648B1 (en) * 2000-08-23 2003-05-13 Xerox Corporation Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials
KR20020027930A (ko) 2000-10-06 2002-04-15 김순택 플라스틱 기판을 이용한 유기 발광 표시장치
FR2817395B1 (fr) * 2000-11-27 2003-10-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede
AUPR216700A0 (en) * 2000-12-19 2001-01-25 Woodside Energy Limited Method for separation of non-hydrocarbon gases from hydrocarbon gases
TW545080B (en) * 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4059475B2 (ja) * 2001-03-12 2008-03-12 日東電工株式会社 カラーフィルター付き樹脂シートとその製造方法および液晶表示装置
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US6808773B2 (en) 2001-05-24 2004-10-26 Kyodo Printing Co., Ltd. Shielding base member and method of manufacturing the same
JP3923339B2 (ja) 2002-02-28 2007-05-30 共同印刷株式会社 シールド材の製造方法
JP4019305B2 (ja) * 2001-07-13 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 薄膜装置の製造方法
JP4027740B2 (ja) * 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW564471B (en) * 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP4567282B2 (ja) 2001-07-16 2010-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2003109773A (ja) * 2001-07-27 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法
JP5057619B2 (ja) * 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW558743B (en) * 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
KR100944886B1 (ko) * 2001-10-30 2010-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
JP3724725B2 (ja) * 2001-11-01 2005-12-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
TWI264121B (en) * 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
JP2003229548A (ja) * 2001-11-30 2003-08-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 乗物、表示装置、および半導体装置の作製方法
US6953735B2 (en) * 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
JP2003298284A (ja) 2002-04-02 2003-10-17 Kyodo Printing Co Ltd シールド材及びその製造方法
US7223672B2 (en) * 2002-04-24 2007-05-29 E Ink Corporation Processes for forming backplanes for electro-optic displays
JP4410456B2 (ja) * 2002-04-24 2010-02-03 株式会社リコー 薄膜デバイス装置の製造方法、およびアクティブマトリクス基板の製造方法
TWI272641B (en) * 2002-07-16 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
KR101061882B1 (ko) * 2002-09-11 2011-09-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그의 제조방법
WO2004040648A1 (ja) * 2002-10-30 2004-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導体装置および半導体装置の作製方法
EP1434264A3 (en) * 2002-12-27 2017-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method using the transfer technique
JP2004319538A (ja) * 2003-04-10 2004-11-11 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、集積回路、電子光学装置及び電子機器
JP2005011794A (ja) * 2003-05-22 2005-01-13 Tohoku Pioneer Corp 有機elパネル及びその製造方法
JP3855270B2 (ja) * 2003-05-29 2006-12-06 ソニー株式会社 アンテナ実装方法
WO2005041249A2 (en) * 2003-10-28 2005-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing optical film
US7601236B2 (en) * 2003-11-28 2009-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing display device
CN101635263B (zh) * 2003-11-28 2013-03-13 株式会社半导体能源研究所 显示装置的制造方法
US7084045B2 (en) * 2003-12-12 2006-08-01 Seminconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7041520B1 (en) * 2004-10-18 2006-05-09 Softpixel, Inc. Method for fabricating liquid crystal displays with plastic film substrate
US7166520B1 (en) * 2005-08-08 2007-01-23 Silicon Genesis Corporation Thin handle substrate method and structure for fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process

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