JP2005150729A - 磁気抵抗効果素子、磁気再生ヘッド、磁気抵抗効果素子の形成方法、磁気再生ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の磁気再生ヘッド1は、下部リード層41とMR素子2と上部リード層42とが順に積層されたものであり、MR素子2が、MR膜パターン11と、X軸方向においてMR膜パターン11の両端面11Sよりも後退するように形成された両端面21Sを有するバイアスキャンセル層パターン21と、MR膜パターン11を挟んで対向すると共に一対の第2誘電層44A,44Bによってバイアスキャンセル層パターン21と隔てられた一対の永久磁石層12A,12Bとを有する。下部リード層41と上部リード層42とを介してMR素子2に対してY軸方向へ流したセンス電流は、MR膜パターン11における幅W1に対応する領域のみを流れることとなり、より狭小な実効トラック幅を実現することができる。
【選択図】 図1
Description
(A)基体上に磁気抵抗効果膜を形成する工程
(B)磁気抵抗効果膜の上にバイアスキャンセル層を形成する工程
(C)磁気抵抗効果膜とバイアスキャンセル層とを選択的にエッチングすることによって、磁気抵抗効果膜パターンとバイアスキャンセル層パターンとを含む積層体を形成する工程
(D)積層体の形成により表出した基体と磁気抵抗効果膜パターンの両端面とを連続して覆うように一対の第1誘電層を形成する工程
(E)一対の第1誘電層を覆うと共に積層体を挟んで対向するように一対の永久磁石層を形成する工程
(F)積層体のバイアスキャンセル層パターンにおける両端部分を除く一部領域を覆うようにリフトオフマスクを選択的に形成する工程
(G)リフトオフマスクを利用してバイアスキャンセル層パターンの両端部分を選択的にエッチングすることにより、バイアスキャンセル層パターンの両端面を一対の永久磁石層から後退させる工程
(H)少なくともバイアスキャンセル層パターンの両端部分を除去した領域を埋めると共に一対の永久磁石層を覆うように一対の第2誘電層を形成する工程
ここで、バイアスキャンセル層パターンとは、一対の永久磁石層が磁気抵抗効果膜パターンに対して印加する縦バイアス磁界を打ち消すように作用する交換磁界を発生させるものである。
(I)基板上に下部リード層を形成する工程
(J)下部リード層の上に磁気抵抗効果膜を形成する工程
(K)磁気抵抗効果膜の上に、バイアスキャンセル層を形成する工程
(L)磁気抵抗効果膜とバイアスキャンセル層とを選択的にエッチングすることによって、磁気抵抗効果膜パターンとバイアスキャンセル層パターンとを含む積層体を形成する工程
(M)積層体の形成により表出した下部リード層と磁気抵抗効果膜パターンの両端面とを連続して覆うように一対の第1誘電層を形成する工程
(N)一対の第1誘電層を覆うと共に積層体を挟んで対向するように一対の永久磁石層を形成する工程
(O)積層体のバイアスキャンセル層パターンにおける両端部分を除く一部領域を覆うようにリフトオフマスクを選択的に形成する工程
(P)リフトオフマスクを利用してバイアスキャンセル層パターンの両端部分を選択的にエッチングすることにより、バイアスキャンセル層パターンの両端面を一対の永久磁石から後退させる工程
(Q)少なくともバイアスキャンセル層パターンの両端部分を除去した領域を埋めると共に一対の永久磁石層を覆うように一対の第2誘電層を形成する工程
(R)リフトオフマスクを除去したのち全面に亘って上部リード層を形成する工程
(a)基体上の一部領域に設けられた磁気抵抗効果膜パターン
(b)磁気抵抗効果膜パターンの上に設けられると共に幅方向において磁気抵抗効果膜パターンの両端面よりも後退するように形成された両端面を有するバイアスキャンセル層パターン
(c)基体上の一部領域以外の領域と、磁気抵抗効果膜パターンの両端面とを覆うように形成された一対の第1誘電層
(d)この一対の第1誘電層を覆うように形成された一対の永久磁石層
(e)バイアスキャンセル層パターンと一対の永久磁石層とを隔てるように設けられた一対の第2誘電層
(f)下部リード層上の一部領域に設けられた磁気抵抗効果膜パターン
(g)磁気抵抗効果膜パターンの上に設けられると共にトラック幅方向において磁気抵抗効果膜パターンの両端面よりも後退するように形成された両端面を有するバイアスキャンセル層パターン
(h)基体上の一部領域以外の領域と、磁気抵抗効果膜パターンの両端面とを覆うように形成された一対の第1誘電層
(i)一対の第1誘電層を覆うように形成された一対の永久磁石層
(j)バイアスキャンセル層パターンおよび上部リード層と一対の永久磁石層とを隔てるように設けられた一対の第2誘電層
Claims (28)
- 基体上に磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果膜の上にバイアスキャンセル層を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果膜と前記バイアスキャンセル層とを選択的にエッチングすることによって、磁気抵抗効果膜パターンとバイアスキャンセル層パターンとを含む積層体を形成する工程と、
前記積層体の形成により表出した前記基体と前記磁気抵抗効果膜パターンの両端面とを連続して覆うように一対の第1誘電層を形成する工程と、
前記一対の第1誘電層を覆うと共に前記積層体を挟んで対向するように一対の永久磁石層を形成する工程と、
前記積層体のバイアスキャンセル層パターンにおける両端部分を除く一部領域を覆うようにリフトオフマスクを選択的に形成する工程と、
前記リフトオフマスクを利用して前記バイアスキャンセル層パターンの両端部分を選択的にエッチングすることにより、前記バイアスキャンセル層パターンの両端面を前記一対の永久磁石層から後退させる工程と、
少なくとも前記バイアスキャンセル層パターンの両端部分を除去した領域を埋めると共に前記一対の永久磁石層を覆うように一対の第2誘電層を形成する工程と
を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記磁気抵抗効果膜と前記バイアスキャンセル層との間に非磁性調整層を形成し、
この非磁性調整層を前記磁気抵抗効果膜およびバイアスキャンセル層と共に選択的にエッチングすることによって、前記磁気抵抗効果膜パターンおよびバイアスキャンセル層パターンに加えて非磁性調整層パターンをも含むように前記積層体を形成する
ことを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記リフトオフマスクを利用して前記バイアスキャンセル層パターンにおける両端部分を選択的にエッチングすることにより、前記バイアスキャンセル層パターンにおける両端面を前記一対の永久磁石から0.01μm以上0.02μm以下の距離の位置まで後退させる
ことを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - コバルトクロム白金合金(CoCrPt)、コバルトクロム合金(CoCr)、コバルトクロムタンタル合金(CoCrTa)、コバルトクロム白金タンタル合金(CoCrPtTa)、コバルトクロムニッケル合金(CoCrNi)のうちのいずれか1種を用いて前記一対の永久磁石層を形成する
ことを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記バイアスキャンセル層を、3nm以上15nm以下の厚みとなるように形成する
ことを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 基板上に下部リード層を形成する工程と、
前記下部リード層の上に磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果膜の上に、バイアスキャンセル層を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果膜と前記バイアスキャンセル層とを選択的にエッチングすることによって、磁気抵抗効果膜パターンとバイアスキャンセル層パターンとを含む積層体を形成する工程と、
前記積層体の形成により表出した前記下部リード層と前記磁気抵抗効果膜パターンの両端面とを連続して覆うように一対の第1誘電層を形成する工程と、
前記一対の第1誘電層を覆うと共に前記積層体を挟んで対向するように一対の永久磁石層を形成する工程と、
前記積層体のバイアスキャンセル層パターンにおける両端部分を除く一部領域を覆うようにリフトオフマスクを選択的に形成する工程と、
前記リフトオフマスクを利用して前記バイアスキャンセル層パターンの両端部分を選択的にエッチングすることにより、前記バイアスキャンセル層パターンの両端面を前記一対の永久磁石層から後退させる工程と、
少なくとも前記バイアスキャンセル層パターンの両端部分を除去した領域を埋めると共に前記一対の永久磁石層を覆うように一対の第2誘電層を形成する工程と、
前記リフトオフマスクを除去したのち全面に亘って上部リード層を形成する工程と
を含むことを特徴とする磁気再生ヘッドの製造方法。 - 前記磁気抵抗効果膜と前記バイアスキャンセル層との間に非磁性調整層を形成し、
この非磁性調整層を前記磁気抵抗効果膜およびバイアスキャンセル層と共に選択的にエッチングすることによって、前記磁気抵抗効果膜パターンおよびバイアスキャンセル層パターンに加えて非磁性調整層パターンをも含むように前記積層体を形成する
ことを特徴とする請求項6記載の磁気再生ヘッドの製造方法。 - イリジウムマンガン合金(IrMn)、ニッケルマンガン合金(NiMn)、白金マンガン合金(PtMn)、鉄マンガン合金(FeMn)、パラジウム白金マンガン合金(PdPtMn)うちの少なくとも1種を含む材料を用いて前記バイアスキャンセル層を形成する
ことを特徴とする請求項6記載の磁気再生ヘッドの製造方法。 - 銅(Cu)、ルテニウム(Ru)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、ロジウム(Rh)のうちのいずれかを用いた単層膜として、または銅(Cu)、ルテニウム(Ru)、タンタル(Ta)、ロジウム(Rh)のうちのいずれかよりなる2種以上の単層膜を複数積層した積層膜として前記非磁性調整層を形成する
ことを特徴とする請求項7に記載の磁気再生ヘッドの製造方法。 - 前記非磁性調整層を、0.5nm以上2.0nm以下の厚みとなるように形成する
ことを特徴とする請求項7に記載の磁気再生ヘッドの製造方法。 - 前記バイアスキャンセル層パターンにおける両端部分を選択的にエッチングすることにより、前記バイアスキャンセル層パターンにおける両端面を前記一対の永久磁石層から0.01μm以上0.02μm以下の距離の位置まで後退させる
ことを特徴とする請求項6に記載の磁気再生ヘッドの製造方法。 - 前記磁気抵抗効果膜パターンの両端面との対向面において125×103/π(A/m)以上500×103/π(A/m)以下の縦バイアス磁界を生ずると共に、互いの中間位置において12.5×103/π(A/m)以上125×103/π(A/m)以下の縦バイアス磁界を生ずるように前記一対の永久磁石層を形成する
ことを特徴とする請求項6記載の磁気再生ヘッドの製造方法。 - コバルトクロム白金合金(CoCrPt)、コバルトクロム合金(CoCr)、コバルトクロムタンタル合金(CoCrTa)、コバルトクロム白金タンタル合金(CoCrPtTa)、コバルトクロムニッケル合金(CoCrNi)のうちのいずれか1種を用いて前記一対の永久磁石層を形成する
ことを特徴とする請求項6記載の磁気再生ヘッドの製造方法。 - 前記バイアスキャンセル層を、3nm以上15nm以下の厚みとなるように形成する
ことを特徴とする請求項6記載の磁気再生ヘッドの製造方法。 - 基体上の一部領域に設けられた磁気抵抗効果膜パターンと、
この磁気抵抗効果膜パターンの上に設けられ、かつ、幅方向において前記磁気抵抗効果膜パターンの両端面よりも後退するように形成された両端面を有するバイアスキャンセル層パターンと、
前記基体上の一部領域以外の領域と、前記磁気抵抗効果膜パターンの両端面とを覆うように形成された一対の第1誘電層と、
この一対の第1誘電層を覆うように形成された一対の永久磁石層と、
前記バイアスキャンセル層パターンと前記一対の永久磁石層とを隔てるように設けられた一対の第2誘電層と
を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記磁気抵抗効果膜パターンと前記バイアスキャンセル層パターンとの間に、非磁性調整層パターンが設けられている
ことを特徴とする請求項15記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記バイアスキャンセル層パターンにおける両端面は、それぞれ前記一対の永久磁石の端部から0.01μm以上0.02μm以下の距離の位置に形成されている
ことを特徴とする請求項15記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記一対の永久磁石層は、コバルトクロム白金合金(CoCrPt)、コバルトクロム合金(CoCr)、コバルトクロムタンタル合金(CoCrTa)、コバルトクロム白金タンタル合金(CoCrPtTa)、コバルトクロムニッケル合金(CoCrNi)のうちのいずれか1つにより構成されている
ことを特徴とする請求項15記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記バイアスキャンセル層パターンは3nm以上15nm以下の厚みを有している
ことを特徴とする請求項17記載の磁気抵抗効果素子。 - 基板上に、下部リード層と磁気抵抗効果素子と上部リード層とが順に形成された磁気再生ヘッドであって、
前記磁気抵抗効果素子が、
前記下部リード層上の一部領域に設けられた磁気抵抗効果膜パターンと、
この磁気抵抗効果膜パターンの上に設けられ、かつ、トラック幅方向において前記磁気抵抗効果膜パターンの両端面よりも後退するように形成された両端面を有するバイアスキャンセル層パターンと、
前記基体上の一部領域以外の領域と、前記磁気抵抗効果膜パターンの両端面とを覆うように形成された一対の第1誘電層と、
この一対の第1誘電層を覆うように形成された一対の永久磁石層と、
前記バイアスキャンセル層パターンおよび前記上部リード層と前記一対の永久磁石層とを隔てるように設けられた一対の第2誘電層と
を備えたことを特徴とする磁気再生ヘッド。 - 前記磁気抵抗効果膜パターンと前記バイアスキャンセル層パターンとの間に、非磁性調整層パターンが設けられている
ことを特徴とする請求項20記載の磁気再生ヘッド。 - 前記バイアスキャンセル層パターンは、イリジウムマンガン合金(IrMn)、ニッケルマンガン合金(NiMn)、白金マンガン合金(PtMn)、鉄マンガン合金(FeMn)、パラジウム白金マンガン合金(PdPtMn)うちの少なくとも1種を含む材料により構成されている
ことを特徴とする請求項20記載の磁気再生ヘッド。 - 前記非磁性調整層パターンは、銅(Cu)、ルテニウム(Ru)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、ロジウム(Rh)のうちのいずれかによって構成された単層膜、または銅(Cu)、ルテニウム(Ru)、タンタル(Ta)、ロジウム(Rh)のうちのいずれかによって構成された2種以上の単層膜が積層された積層膜である
ことを特徴とする請求項21記載の磁気再生ヘッド。 - 前記非磁性調整層パターンは0.5nm以上2.0nm以下の厚みを有している
ことを特徴とする請求項21記載の磁気再生ヘッド。 - 前記バイアスキャンセル層パターンにおける両端面は、それぞれ前記一対の永久磁石の端部から0.01μm以上0.02μm以下の距離の位置に形成されている
ことを特徴とする請求項20記載の磁気再生ヘッド。 - 前記一対の永久磁石層は、前記磁気抵抗効果膜パターンの両端面との対向面において125×103/π(A/m)以上500×103/π(A/m)以下の縦バイアス磁界を生ずると共に、互いの中間位置において12.5×103/π(A/m)以上125×103/π(A/m)以下の縦バイアス磁界を生ずるように構成されている
ことを特徴とする請求項20記載の磁気再生ヘッド。 - 前記一対の永久磁石層は、コバルトクロム白金合金(CoCrPt)、コバルトクロム合金(CoCr)、コバルトクロムタンタル合金(CoCrTa)、コバルトクロム白金タンタル合金(CoCrPtTa)、コバルトクロムニッケル合金(CoCrNi)のうちのいずれか1種により構成されている
ことを特徴とする請求項20記載の磁気再生ヘッド。 - 前記バイアスキャンセル層パターンは、3nm以上15nm以下の厚みを有している
ことを特徴とする請求項20記載の磁気再生ヘッド。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (15)
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---|---|---|---|---|
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US7959674B2 (en) | 2002-07-16 | 2011-06-14 | Medtronic, Inc. | Suture locking assembly and method of use |
US8551162B2 (en) | 2002-12-20 | 2013-10-08 | Medtronic, Inc. | Biologically implantable prosthesis |
JP3865738B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2007-01-10 | Tdk株式会社 | 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 |
US8021421B2 (en) | 2003-08-22 | 2011-09-20 | Medtronic, Inc. | Prosthesis heart valve fixturing device |
US7134184B2 (en) * | 2003-11-12 | 2006-11-14 | Headway Technologies, Inc. | Process of manufacturing a narrow track CCP head with bias cancellation |
US7344330B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-03-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Topographically defined thin film CPP read head fabrication |
US7513909B2 (en) | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Arbor Surgical Technologies, Inc. | Two-piece prosthetic valves with snap-in connection and methods for use |
US7967857B2 (en) | 2006-01-27 | 2011-06-28 | Medtronic, Inc. | Gasket with spring collar for prosthetic heart valves and methods for making and using them |
US8335056B2 (en) * | 2007-12-16 | 2012-12-18 | HGST Netherlands, B.V. | CPP sensors with hard bias structures that shunt sense current towards a shield |
US8551626B2 (en) * | 2009-06-25 | 2013-10-08 | Seagate Technology Llc | CCP-CPP magnetoresistive reader with high GMR value |
US8760823B1 (en) | 2011-12-20 | 2014-06-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having soft and hard magnetic bias structures |
US8611054B1 (en) | 2012-04-11 | 2013-12-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Antiferromagnetically-coupled soft bias magnetoresistive read head, and fabrication method therefore |
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---|---|---|---|---|
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JP2947172B2 (ja) * | 1996-05-23 | 1999-09-13 | ヤマハ株式会社 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド、誘導型・磁気抵抗効果型複合磁気ヘッド、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
US5739987A (en) | 1996-06-04 | 1998-04-14 | Read-Rite Corporation | Magnetoresistive read transducers with multiple longitudinal stabilization layers |
JP3157770B2 (ja) * | 1997-09-17 | 2001-04-16 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
US6252796B1 (en) | 1998-08-14 | 2001-06-26 | U.S. Philips Corporation | Device comprising a first and a second ferromagnetic layer separated by a non-magnetic spacer layer |
JP3553393B2 (ja) * | 1998-11-18 | 2004-08-11 | Tdk株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
JP3583649B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2004-11-04 | Tdk株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気抵抗効果装置 |
JP2001307308A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッドおよび情報再生装置 |
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US6597546B2 (en) | 2001-04-19 | 2003-07-22 | International Business Machines Corporation | Tunnel junction sensor with an antiferromagnetic (AFM) coupled flux guide |
JP2003067904A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法 |
JP4275347B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2009-06-10 | Tdk株式会社 | 磁気検出素子 |
US7324309B1 (en) * | 2003-03-06 | 2008-01-29 | Maxtor Corporation | Cross-track shielding in a GMR head |
US7123454B2 (en) * | 2003-06-12 | 2006-10-17 | Headway Technologies, Inc. | Longitudinal bias structure having stability with minimal effect on output |
JP3865738B2 (ja) | 2003-06-18 | 2007-01-10 | Tdk株式会社 | 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 |
US7333307B2 (en) * | 2003-07-03 | 2008-02-19 | Headway Technologies, Inc. | Double layer longitudinal bias structure |
US7134184B2 (en) * | 2003-11-12 | 2006-11-14 | Headway Technologies, Inc. | Process of manufacturing a narrow track CCP head with bias cancellation |
US7765675B2 (en) * | 2005-09-01 | 2010-08-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | CPP read sensors having constrained current paths made of lithographically-defined conductive vias and methods of making the same |
-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006245581A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Seagate Technology Llc | スタック内バイアス付与構造を持つ磁気センサ |
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