JP2007080904A - 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】素子の小型化を図ることが可能でありながら、ピンド層の磁化をより安定的に固定することができる磁気抵抗効果素子等を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子５１は、フリー層６３、ピンド層５９およびそれらの間に配置された非磁性層６１を備える。ピンド層は、ハイト方向において非磁性層よりも延長し非磁性層が積層されていない延長部５９ｂを有する。延長部の上には強磁性層７３が設けられており、その上には反強磁性層７５が設けられている。ピンド層は、上部強磁性膜６５、下部強磁性膜６７及び非磁性金属膜６９を含むシンセティック構造であり、延長部における強磁性層及び上部強磁性膜の磁気膜厚をＭｓ₃ｔ₃とし、下部強磁性膜の磁気膜厚をＭｓ₂ｔ₂としたとき、２・Ｍｓ₂ｔ₂＞Ｍｓ₃ｔ₃＞１／２・Ｍｓ₂ｔ₂の関係を満たす。
【選択図】 図４

Description

本発明は、磁気抵抗効果素子及びその製造方法に関するものである。

磁気抵抗効果素子においては、非磁性層の上下に強磁性金属からなるフリー層及びピンド層が設けられている。ピンド層における非磁性層と逆側の面には反強磁性層が設けられている。フリー層の磁化方向は、記録媒体などから提供される外部磁界の方向に容易に向くようになっている。また、ピンド層の磁化方向は、反強磁性層との交換結合によって一方向に固定されている。そして、磁気抵抗効果素子を磁気ヘッドとして用いた場合の出力特性は、フリー層及びピンド層の磁化方向のなす角度によって定まる。

ピンド層と反強磁性層との交換結合力や交換結合の安定性は、ヘッドの特性や信頼性に大きな影響を及ぼすことから、できるだけ大きな交換結合力を獲得することが好ましい。かかる観点から、ピンド層を、大きく見て強磁性膜、非磁性金属膜及び強磁性膜からなる三層構造とする、いわゆるシンセティックピンド（synthetic pinned）構造がある。このシンセティックピンド構造では、二つの強磁性膜間に強い交換結合を与え、反強磁性層からの交換結合力を実効的に増大させる効果がある。

ところで、年々、素子のサイズは、薄層化、狭幅化など小型化が望まれている。狭幅化を進め、例えばリードトラック幅を０．０５ｎｍまで狭小化したとすると、反強磁性層を構成するＩｒＭｎなどの粒子は幅方向には僅かに２〜３個分程度しか収まらない状況となる。すなわち、より少ない粒子数によって反強磁性層全体の磁化方向が決定されるため、反強磁性層を構成する一つの粒子が反強磁性層全体の磁化方向を決定する割合は相対的に増大する。よって、反強磁性層を構成する粒子単位の磁化方向のバラツキによって、反強磁性層全体の磁化方向のバラツキ、ひいては磁気抵抗効果素子全体の特性のバラツキが生じやすくなる傾向にある。

一方、素子全体の薄層化に関しては、フリー層、非磁性層及びピンド層の三層の何れか一層でも大幅に薄層化すると素子の特性に悪影響を与えるおそれが考えられる。そこで、ピンド層をハイト方向に延長することでその形状異方性を利用してピンド層の磁化方向を固定し、反強磁性層については当該三層が重なる領域から除外することで素子全体を薄層化する手法が存在している（特許文献１参照）。
特開２００５−４４４８９号公報

上記のように反強磁性層を当該三層が重なる領域から除外した場合には素子の薄層化は実施し易くなる。しかしながらピンド層の磁化方向の固定は、ピンド層の形状異方性を利用するだけでは十分であるといえず、ピンド層の近傍にある磁区制御膜の影響によって、ピンド層の磁化が安定的に固定されない懸念がある。

また、これに対処すべく反強磁性層を、薄層化を阻害しない領域に新たに設けることも考えられるが、その場合には磁化固定効果の実効性を得るために検討が必要である。特に、シンセティックピンド構造においては構成層の層間バランスが重要である。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、素子の小型化を図ることが可能でありながら、ピンド層の磁化をより安定的に固定することができる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決するため、本発明に係る磁気抵抗効果素子は、フリー層、ピンド層およびそれらの間に配置された非磁性層を備え、前記ピンド層は、ハイト方向において前記非磁性層よりも延長し該非磁性層が積層されていない延長部を有し、前記延長部の上には、強磁性層が設けられており、前記強磁性層の上には、反強磁性層が設けられている。

好適には、前記ピンド層は、シンセティックピンド層であり、上部強磁性膜及び下部強磁性膜とそれらの間に設けられた非磁性金属膜とを少なくとも含み、前記延長部における前記強磁性層及び前記上部強磁性膜の磁気膜厚をＭｓ₃ｔ₃とし、前記下部強磁性膜の磁気膜厚をＭｓ₂ｔ₂としたとき、
２・Ｍｓ₂ｔ₂＞Ｍｓ₃ｔ₃＞１／２・Ｍｓ₂ｔ₂
の関係を満たす。

同課題を解決するため、本発明は、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置も提供する。

本発明の磁気ヘッド装置は、本発明の磁気抵抗効果素子を読み取り素子として含む。

本発明の磁気記録再生装置は、本発明の磁気ヘッド装置と、磁気記録媒体とを含む。

さらに、本発明は、磁気抵抗効果素子の製造方法も提供する。

本発明に係る磁気抵抗効果素子の製造方法は、フリー層、ピンド層およびそれらの間に配置された非磁性層を備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記ピンド層を設け、その上に前記非磁性層を積層し、さらにその上にフリー層を積層し、その後、前記ピンド層におけるハイト方向奥側に前記非磁性層よりも延長し該非磁性層が積層されていない延長部が生じるよう、前記非磁性層及び前記フリー層のハイト方向奥側部分をエッチングし、前記ピンド層の延長部の上に、強磁性層を積層し、前記強磁性層の上に、反強磁性層を積層する。

その場合、好適には、前記ピンド層は、シンセティックピンド層であり、上部強磁性膜及び下部強磁性膜とそれらの間に設けられた非磁性金属膜とを少なくとも含み、前記延長部における前記強磁性層及び前記上部強磁性膜の磁気膜厚をＭｓ₃ｔ₃とし、前記下部強磁性膜の磁気膜厚をＭｓ₂ｔ₂としたとき、
２・Ｍｓ₂ｔ₂＞Ｍｓ₃ｔ₃＞１／２・Ｍｓ₂ｔ₂
の関係を満たすような厚さで、前記強磁性層を成膜する。

上述した本発明によれば、反強磁性層を、ピンド層、非磁性層、フリー層の三層が積層される領域から除外すると共に、そのような構成であってもピンド層の磁化をより安定的に固定することを可能としたことで、素子の小型化及びピンド層の磁化の安定的固定化を可能とした。

なお、本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施の形態によって更に詳しく説明する。

以下、この発明に係る磁気抵抗効果素子、並びにそれを用いた磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置の実施の形態を、添付図面に基づいて説明する。なお、図中、同一符号は同一又は対応部分を示すものとする。

図１は、磁気記録再生装置の平面図である。図示された磁気記録再生装置１は、磁気ヘッド装置３と、磁気ディスク５とを含む。磁気ヘッド装置３は少なくとも、ヘッド支持装置７と、位置決め装置９と、磁気ヘッド１１とを有する。ヘッド支持装置７の一端は、位置決め装置９に接続されている。磁気ヘッド１１は、ヘッド支持装置７の他端に支持されて、磁気ディスク５の磁気記録面と対向するように配置される。

このように構成された磁気記録再生装置１においては、磁気ディスク５が図示しない駆動装置により矢印Ａ１の方向に回転駆動されると、磁気ヘッド１１が、微小浮上量で、磁気ディスク５の面から浮上する。磁気ヘッド１１は、位置決め装置９の駆動によってヘッド支持装置７を介して磁気ディスク５の径方向ｂ１またはｂ２に移動される。そして、磁気ディスク５上の所定のトラック位置において磁気情報の書き込み、読み取りを行う。

図２に、磁気ヘッド１１における媒体対向面側の端部断面を示す。磁気ヘッド１１は、書き込み素子２１と、読み取り素子である磁気抵抗効果素子５１とを備えている。

書き込み素子２１には、ギャップ膜２５が設けられている。ギャップ膜２５の上下には、上磁極膜２７及び下磁極膜２９が延在している。上磁極膜２７と下磁極膜２９は、媒体対向面と逆側において、結合部３１によって磁路が形成されるように結合されている。上磁極膜２７と下磁極膜２９との間には、コイル３３が形成されている。コイル３３は、結合部３１を軸に周回するように配置されている。

読み取り素子である磁気抵抗効果素子５１は、非磁性膜３５を挟んで書き込み素子２１の下方に配置されている。

なお、磁気記録再生装置や磁気ヘッドの構成に関してはあくまでも例示であり、適宜改変することが可能である。

図３及び図４に、本実施の形態に係る磁気抵抗効果素子の正面及び側面を模式的に示す。磁気抵抗効果素子５１は、本実施の形態では、ＣＰＰ（current perpendicular to plane）型ＧＭＲ素子として構成されている。

磁気抵抗効果素子５１は、上部磁気シールド層５３及び下部磁気シールド層５５の間に、磁気抵抗効果膜５７を備えている。磁気抵抗効果膜５７は、その順に積層される、ピンド層５９、非磁性層６１及びフリー層６３を有している。

ピンド層５９は、シンセティックピンド層であり、少なくとも、上部強磁性膜６５と、下部強磁性膜６７と、上部強磁性膜６５及び下部強磁性膜６７の間に設けられた非磁性金属膜６９とを有している。

ピンド層５９の磁化方向は一方向に固定されており、これに対し、フリー層６３の磁化方向は、外部から印加される磁界に応答して自由に動くことができる。磁気抵抗効果膜５７においては、ピンド層５９の上部強磁性膜６５の磁化方向と、フリー層６３の磁化方向とが同方向であるときには抵抗値が最小になり、逆方向であるときには抵抗値が最大になる。したがって、この抵抗変化特性を利用して、外部磁界を検出する。

図３に示されるように、磁気抵抗効果膜５７の左右両側には、絶縁層７０を介して磁区制御膜７１が設けられている。なお、本明細書及び特許請求の範囲に記載される方向は次のように定めている。図２及び図４の紙面左右方向をハイト方向すなわち前後方向としており、そのうちＡＢＳ面を前方（手前側）、ＡＢＳ面から離隔する方向を後方（奥側）として説明する。また、図２及び図４の紙面表裏方向を左右方向（幅方向）として説明する。さらに、図面において、保護膜や下地膜などは周知態様で設けられていてもよいが、図示は省略されている。

左右一対の磁区制御膜７１は、硬磁性膜を用いており、本実施の形態では、具体的にはＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ等を用いることができる。なお、これに限定されず、磁区制御膜としては、反強磁性膜、あるいは、軟磁性膜及び反強磁性膜の積層膜、を用いることもできる。

図４に示されるように、フリー層６３、非磁性層６１及びピンド層５９の一部におけるハイト方向の奥側には、強磁性層７３、反強磁性層７５及び絶縁層７７が設けられている。

より詳細に説明すると、まず、ピンド層５９は、積層部５９ａと延長部５９ｂとを有している。積層部５９ａは、ピンド層５９のハイト方向の手前側の部分であり、非磁性層６１やフリー層６３が上下方向に積層されている部分である。延長部５９ｂは、ハイト方向の奥側の部分であって、非磁性層６１やフリー層６３が積層されてなく少なくとも非磁性層６１の後端よりも更に後方に延長した部分である。そして、ピンド層５９の延長部５９ｂの上方に、まず、強磁性層７３が積層されており、さらに、強磁性層７３の上方に反強磁性層７５が積層され、反強磁性層７５の上方に絶縁層７７が積層されている。

積層部５９ａ及び延長部５９ｂの上面は、上部強磁性膜６５の上面によって形成されている。上部強磁性膜６５において積層部５９ａを構成する部分と、延長部５９ｂを構成する部分とでは、膜厚が異なっている。すなわち、積層部５９ａを構成する部分の膜厚の方が、延長部５９ｂを構成する部分の膜厚よりも大きくなっており、それに起因し、積層部５９ａの上面の方が延長部５９ｂの上面よりも高い位置にある。

また、膜厚に関しては、本発明では次のような関係が満たされている。すなわち、
２・Ｍｓ₂ｔ₂＞Ｍｓ₃ｔ₃＞１／２・Ｍｓ₂ｔ₂
という関係が成り立っている。

上記関係式において、Ｍｓ₂ｔ₂は、ピンド層５９における下部強磁性膜６７の磁気膜厚であり、Ｍｓ₂は下部強磁性膜６７の飽和磁化、ｔ₂は下部強磁性膜６７の寸法上の膜厚である。Ｍｓ₃ｔ₃は、延長部５９ｂにおける上部強磁性膜６５と、強磁性層７３との磁気膜厚である。Ｍｓ₃は延長部５９ｂにおける上部強磁性膜６５と強磁性層７３との飽和磁化であり、ｔ₃は図４に示されているように延長部５９ｂにおける上部強磁性膜６５の膜厚ｔ₁と、強磁性層７３の膜厚ｔ₃’との合計膜厚である。

さらに、上記のようにハイト方向に積層部５９ａ及び延長部５９ｂが並んで形成されるピンド層５９は、幅方向寸法よりもハイト方向寸法の方が大きくなるように形成されている。かかる関係により、ピンド層５９は、形状異方性を利用した磁化方向の固定効果を得ている。

また、構成材料の例について説明すると、まず、下部強磁性膜６７は、Ｆｅ₍₇₀₎Ｃｒ₍₃₀₎あるいはＣｏ_(X)Ｆｅ_(100-X)［Ｘは７０〜９０］等から構成されている。なお、括弧内は構成比率を示す。非磁性金属膜６９はＲｕ、Ｉｒ、Ｒｈ等から構成されている。上部強磁性膜６５は、Ｃｏ₍₃₀₎Ｆｅ₍₇₀₎や、Ｃｏ₂ＭｎＳｉ、Ｃｏ₂ＭｎＡｌなどのホイスラー合金から構成されている。強磁性層７３は、Ｃｏ_(X)Ｆｅ_(100-X)［Ｘは７０〜９０］等から構成されている。反強磁性層７５は、ＩｒＭｎあるいはＮｉＯ等から構成されている。絶縁層７７はアルミナ等から構成されている。非磁性層６１はＣｕから構成され、フリー層６３はＮｉ₍₈₀₎Ｆｅ₍₂₀₎、Ｃｏ_(X)Ｆｅ_(100-X)［Ｘは３０〜９０］や、Ｃｏ₂ＭｎＳｉ、Ｃｏ₂ＭｎＡｌなどのホイスラー合金から構成されている。

次に、上述した構成を有する磁気抵抗効果素子５１の製造方法について説明する。磁気抵抗効果素子５１は、磁気ヘッド１１において読み取り素子として構成されており、説明を省略する部分については磁気ヘッドの周知の製造態様として実施されているものとする。図５の（ａ）に示されるように、下部磁気シールド層５５を成膜したところで、次に、下部磁気シールド層５５の上方に、下部メタルギャップ、下部強磁性膜６７、非磁性金属膜６９及び上部強磁性膜６５を主要構成要素として含むシンセティック構造のピンド層５９を形成する。さらに、ピンド層５９の上に非磁性層６１を形成し、その上にフリー層６３を形成する。

次に、ピンド層５９におけるハイト方向奥側に、非磁性層６１の後端よりも延長し少なくとも非磁性層６１が積層されていない延長部５９ｂが生じるように、フリー層６３及び非磁性層６１をエッチングする。具体的には、フリー層６３の上方にマスク材を設けミリングなどのドライエッチングを施す。それによって、図５の（ｂ）に示されるように、磁気抵抗効果膜５７のハイト方向奥側に凹部７９を形成する。ミリングの深さはピンド層５９における上部強磁性膜６５に達する程度で行い、すなわち、凹部７９の底面は上部強磁性膜６５によって画定される。

次に、ミリングが実施された図５の（ｂ）の状態から、凹部７９内の上部強磁性膜６５の上方に強磁性層７３を成膜する。強磁性層７３の膜厚ｔ₃’は、磁気膜厚の関係式を満たすように制御されることは上述したとおりである。さらに、連続して強磁性層７３の上方に反強磁性層７５を成膜し、その上に凹部７９を埋めるように絶縁層７７を形成する。そして、フリー層６３及び絶縁層７７の上方に上部メタルギャップ及び上部磁気シールド層５３を成膜して、図４に示した積層構成を得る。

以上のような磁気抵抗効果素子５１によれば次のような作用が得られる。磁気抵抗効果素子５１においては、下部磁気シールド層５５とピンド層５９との間、換言するならば、フリー層６３、非磁性層６１、ピンド層５９の三層が重なる領域には、反強磁性層が設けられていない。よって、磁気抵抗効果膜５７ひいては磁気抵抗効果素子５１全体を薄層化することができる。

また、フリー層、非磁性層、ピンド層の三層が重なる領域に反強磁性層を備える磁気抵抗効果膜において、リードトラック幅を狭小化していくと、前述したように、反強磁性層全体の磁化方向のバラツキに起因した磁気抵抗効果素子全体の特性のバラツキが懸念されるところであるが、本発明の磁気抵抗効果素子５１であれば、反強磁性層が当該三層の重なる領域自体に既に設けられていないため、このような磁化方向のバラツキの問題が全く生じる余地がない。

一方、反強磁性層を当該三層の重なる領域から除外したことに伴い、ピンド層５９の磁化方向の固定は次のようにして実現されている。ピンド層５９は、トラック幅決定加工であるトリミングを行われた後において、幅方向寸法よりもハイト方向寸法の方が大きくなるように形成されている。これにより、まず、形状異方性を利用した磁化方向の固定効果を得ている。加えて、ピンド層５９の延長部５９ｂ上方には反強磁性層７５が設けられており、かかる反強磁性層７５の作用による磁化方向の固定効果も獲得している。このようにして、反強磁性層が当該三層の重なる領域から除外されていても、ピンド層５９における十分な磁化方向の固定効果が確保されている。

また、反強磁性層をピンド層の上面に直接成膜しようとした場合には、ピンド層５９の上面はミリングを受けた面であるため、反強磁性層がピンド層５９と好適に磁気交換結合しない虞がある。しかしながら、本発明では、反強磁性層７５はピンド層５９の上面に直接成膜されるのではなく、強磁性層７３を介してピンド層５９の上方に積層されている。反強磁性層７５と強磁性層７３との界面においては、両層が連続して成膜された場合に原子レベルでの良好な界面状態を実現できることから好適な磁気交換結合が得られる。またその一方で、強磁性層７３は、ミリングを受けたピンド層５９の上面に成膜した場合であってもピンド層５９と磁気的に結合することができる。よって、ミリングにより生じたピンド層上面の上方に反強磁性層７５を配置しておりながらも、反強磁性層７５によるピンド層５９の磁化方向の固定効果を確保することができる。

このように、磁気抵抗効果素子５１によれば、反強磁性層をピンド層、非磁性層、フリー層の三層が積層される領域から除外すると共に、そのような構成であってもピンド層の磁化をより安定的に固定することを可能としたことで、素子の小型化及びピンド層の磁化の安定的固定化を両立できるようにした。

また、ピンド層がシンセティック構造である場合には、各層の磁気膜厚の層間バランスが問題となるところ、本実施の形態では、前述したように、少なくとも
２・Ｍｓ₂ｔ₂＞Ｍｓ₃ｔ₃＞１／２・Ｍｓ₂ｔ₂
という関係が成立するように、下部強磁性膜６７、上部強磁性膜６５及び強磁性層７３を形成する。これは、磁気膜厚Ｍｓ₃ｔ₃が１／２・Ｍｓ₂ｔ₂以下の場合や、磁気膜厚Ｍｓ₃ｔ₃が２・Ｍｓ₂ｔ₂以上の場合には、共に、磁気抵抗効果膜５７の左右両側にある磁区制御膜７１の磁界の影響を受けて、ピンド層５９の磁化方向が傾いてしまう虞があるからである。

より好適には、Ｍｓ₂ｔ₂＝Ｍｓ₃ｔ₃の条件を満たす態様である。この場合には、磁気制御膜から発生する磁界の影響が完全にキャンセルされるので、最も望ましい。

以上、好ましい実施の形態を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の改変態様を採り得ることは自明である。

例えば、凹部７９を形成するためミリングによって現れたフリー層６３や非磁性層６１の後側面には、強磁性層７３や反強磁性層７５を成膜する前にＴａＯ_X層を成膜してもよい。それによれば、磁気抵抗効果膜５７におけるＧＭＲ効果が向上する利点がある。

また、本発明の磁気抵抗効果素子は、ＧＭＲ素子として実施することには限定されるものではない。よって例えばＴＭＲ素子として実施することも可能である。また、本発明は、薄膜を用いたセンサやメモリ、アクチュエータ、半導体デバイスなど、薄膜磁気ヘッド以外の製品として酸化物を含む積層構造体として構成されるものに広く適用することが可能である。

本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。 図１に示した薄膜磁気ヘッドの書き込み及び読み取り素子近傍の拡大断面図である。 本発明の実施の形態に係る磁気抵抗効果素子の構成を模式的に示す正面図である。 本発明の実施の形態に係る磁気抵抗効果素子の構成を模式的に示す側面図である。 本発明の実施の形態に係る磁気抵抗効果素子の製造過程を示す図である。

符号の説明

１ 磁気記録再生装置
３ 磁気ヘッド装置
５１ 磁気抵抗効果素子
５９ ピンド層
５９ｂ 延長部
６１ 非磁性層
６３ フリー層
６５ 上部強磁性膜
６７ 下部強磁性膜
６９ 非磁性金属膜
７３ 強磁性層
７５ 反強磁性層

Claims (6)

1. フリー層、ピンド層およびそれらの間に配置された非磁性層を備え、
   前記ピンド層は、ハイト方向において前記非磁性層よりも延長し該非磁性層が積層されていない延長部を有し、
   前記延長部の上には、強磁性層が設けられており、
   前記強磁性層の上には、反強磁性層が設けられている、
   磁気抵抗効果素子。
2. 前記ピンド層は、シンセティックピンド層であり、上部強磁性膜及び下部強磁性膜とそれらの間に設けられた非磁性金属膜とを少なくとも含み、
   前記延長部における前記強磁性層及び前記上部強磁性膜の磁気膜厚をＭｓ₃ｔ₃とし、前記下部強磁性膜の磁気膜厚をＭｓ₂ｔ₂としたとき、
   ２・Ｍｓ₂ｔ₂＞Ｍｓ₃ｔ₃＞１／２・Ｍｓ₂ｔ₂
   の関係を満たす、
   請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
3. 請求項１又は２に記載の磁気抵抗効果素子を読み取り素子として含む磁気ヘッド装置。
4. 請求項３に記載の磁気ヘッド装置と、磁気記録媒体とを含む磁気記録再生装置。
5. フリー層、ピンド層およびそれらの間に配置された非磁性層を備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
   前記ピンド層を設け、その上に前記非磁性層を積層し、さらにその上にフリー層を積層し、
   その後、前記ピンド層におけるハイト方向奥側に前記非磁性層よりも延長し該非磁性層が積層されていない延長部が生じるよう、前記非磁性層及び前記フリー層のハイト方向奥側部分をエッチングし、
   前記ピンド層の延長部の上に、強磁性層を積層し、
   前記強磁性層の上に、反強磁性層を積層する、
   磁気抵抗効果素子の製造方法。
6. 前記ピンド層は、シンセティックピンド層であり、上部強磁性膜及び下部強磁性膜とそれらの間に設けられた非磁性金属膜とを少なくとも含み、
   前記延長部における前記強磁性層及び前記上部強磁性膜の磁気膜厚をＭｓ₃ｔ₃とし、前記下部強磁性膜の磁気膜厚をＭｓ₂ｔ₂としたとき、
   ２・Ｍｓ₂ｔ₂＞Ｍｓ₃ｔ₃＞１／２・Ｍｓ₂ｔ₂
   の関係を満たすような厚さで、前記強磁性層を成膜する、
   請求項５に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。