JP2005129920A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005129920A5
JP2005129920A5 JP2004286632A JP2004286632A JP2005129920A5 JP 2005129920 A5 JP2005129920 A5 JP 2005129920A5 JP 2004286632 A JP2004286632 A JP 2004286632A JP 2004286632 A JP2004286632 A JP 2004286632A JP 2005129920 A5 JP2005129920 A5 JP 2005129920A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
manufacturing
semiconductor device
inert gas
insulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004286632A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4963156B2 (ja
JP2005129920A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2004286632A priority Critical patent/JP4963156B2/ja
Priority claimed from JP2004286632A external-priority patent/JP4963156B2/ja
Publication of JP2005129920A publication Critical patent/JP2005129920A/ja
Publication of JP2005129920A5 publication Critical patent/JP2005129920A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4963156B2 publication Critical patent/JP4963156B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2004286632A 2003-10-03 2004-09-30 半導体装置の作製方法 Expired - Fee Related JP4963156B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004286632A JP4963156B2 (ja) 2003-10-03 2004-09-30 半導体装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003345457 2003-10-03
JP2003345457 2003-10-03
JP2004286632A JP4963156B2 (ja) 2003-10-03 2004-09-30 半導体装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005129920A JP2005129920A (ja) 2005-05-19
JP2005129920A5 true JP2005129920A5 (https=) 2007-10-11
JP4963156B2 JP4963156B2 (ja) 2012-06-27

Family

ID=34655854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004286632A Expired - Fee Related JP4963156B2 (ja) 2003-10-03 2004-09-30 半導体装置の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4963156B2 (https=)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4597790B2 (ja) * 2005-06-24 2010-12-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法、並びに電子機器
KR101600887B1 (ko) * 2009-07-06 2016-03-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법
JP5275415B2 (ja) * 2011-06-20 2013-08-28 シャープ株式会社 結晶太陽電池セルおよび結晶太陽電池セルの製造方法
JP5677404B2 (ja) * 2012-12-07 2015-02-25 シャープ株式会社 結晶太陽電池セル
WO2014155691A1 (ja) * 2013-03-29 2014-10-02 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置とその製造方法
JP6517535B2 (ja) * 2015-02-25 2019-05-22 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド シリコン系薄膜半導体装置、およびシリコン系薄膜半導体装置の製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2545450B2 (ja) * 1988-10-24 1996-10-16 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0637069A (ja) * 1992-07-17 1994-02-10 Kawasaki Steel Corp 半導体装置の製造方法
JP2950110B2 (ja) * 1993-09-24 1999-09-20 住友金属工業株式会社 プラズマエッチング方法
JPH09252001A (ja) * 1996-03-18 1997-09-22 Nkk Corp 半導体装置に用いられる配線層およびその製造方法、ならびにそのような配線層を用いた半導体装置の製造方法
JPH10284299A (ja) * 1997-04-02 1998-10-23 Applied Materials Inc 高周波導入部材及びプラズマ装置
JP2001168098A (ja) * 1999-12-10 2001-06-22 Seiko Epson Corp 半導体装置及びパターンデータ作成方法
JP4132556B2 (ja) * 2000-03-22 2008-08-13 三菱電機株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP2002164342A (ja) * 2000-07-21 2002-06-07 Canon Sales Co Inc 半導体装置及びその製造方法
AU2002222632A1 (en) * 2000-12-14 2002-06-24 Tokyo Electron Limited Method of etching porous insulating film, dual damascene process, and semiconductor device
JP3504247B2 (ja) * 2000-12-15 2004-03-08 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP4008352B2 (ja) * 2000-12-21 2007-11-14 東京エレクトロン株式会社 絶縁膜のエッチング方法
JP2002289594A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2002057122A (ja) * 2001-06-12 2002-02-22 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP4969001B2 (ja) * 2001-09-20 2012-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
JP4104426B2 (ja) * 2002-10-30 2008-06-18 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004172456A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107275309B (zh) 保形低温密闭性电介质扩散屏障
KR101619682B1 (ko) 후드층을 갖는 에어갭 인터커넥트 및 그 형성 방법
WO2016048757A1 (en) Mram integration with low-k inter-metal dielectric for reduced parasitic capacitance
CN109904074A (zh) 全包围栅场效应晶体管及其制造方法
CN106206412A (zh) 形成半导体器件的互连结构的方法
WO2002082554A1 (en) Semiconductor device and method for manufacture thereof
JP2007134712A5 (https=)
JP2013021305A5 (https=)
JP2013175717A5 (https=)
JP2010206057A5 (https=)
JP2018041932A5 (https=)
JP2009509359A5 (https=)
JP2011009452A5 (https=)
JP2005129920A5 (https=)
CN107452787A (zh) 沟槽栅极引出结构及其制造方法
CN105826365A (zh) 一种半导体器件及其制备方法、电子装置
CN105529253B (zh) 半导体器件的形成方法
JP2006186332A5 (https=)
JP2008258431A (ja) 半導体装置、およびその製造方法
CN105489605B (zh) 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
CN108962816A (zh) 半导体装置及其制造方法
CN102760653A (zh) 金属栅极的形成方法
CN106298545A (zh) 鳍式场效应管的制作方法
US20160133572A1 (en) Methods of forming a protective layer on an insulating layer for protection during formation of conductive structures
CN105590861A (zh) 晶体管的制造方法