JP5677404B2 - 結晶太陽電池セル - Google Patents
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Description
不純物層領域およびp+型不純物層領域をそれぞれ露出させる。
不純物層領域およびp+型不純物層領域の不純物濃度が低下し、裏面電極型太陽電池セル
の特性が低下するという問題があった。
以下、図1(a)〜図1(i)の模式的断面図を参照して、本発明の結晶太陽電池セルの製造方法の一例である実施の形態1の裏面電極型太陽電池セルの製造方法について説明する。
ばp型シリコン基板などのp型の導電型を有する半導体基板を用いてもよい。
テクスチャマスク2は、たとえば300nm以上800nm以下の厚さに形成することができる。
ズマCVD法により、窒化シリコン膜などを形成することにより行なうことができる。
に向かってエッチングペースト21を凝集させることができるため、エッチングペースト21の厚さが局所的に薄くなる凹部21aを好適に形成することができる。
1の形成は、従来の両面電極型太陽電池セルの焼成温度よりも低温(たとえば400℃程度)の焼成温度で導電性ペーストを焼成することにより行なわれる。
以下、本発明の結晶太陽電池セルの製造方法の他の一例である実施の形態2の裏面電極型太陽電池セルの製造方法について説明する。実施の形態2の裏面電極型太陽電池セルの製造方法においては、コンタクトホール9および凸部8aの形状がそれぞれ実施の形態1と異なっている点に特徴がある。
、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
Claims (4)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表面に設けられた不純物拡散領域と、
前記半導体基板上に設けられたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜を貫通するコンタクトホールを介して前記不純物拡散領域に接続された焼成電極とを備え、
前記不純物拡散領域の前記コンタクトホールに対応する領域内に、線状に凸部が設けられ、該凸部は前記パッシベーション膜と同材料から構成される、結晶太陽電池セル。 - 前記凸部は直線状または円形状に設けられている、請求項1に記載の結晶太陽電池セル。
- 前記凸部は前記コンタクトホールに対応する領域内において中心の両側に設けられている、請求項1または2に記載の結晶太陽電池セル。
- 前記凸部の厚さは、0.03μm以上0.5μm以下である、請求項1から3のいずれかに記載の結晶太陽電池セル。
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