JP2005129651A - 積層型チップバリスタ及びその製造方法、並びに積層型素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 積層型チップバリスタ1は、複数のバリスタ層2、及び、当該各バリスタ層を挟むように配置された第1及び第2の内部電極4a,4bを有するバリスタ素子5と、このバリスタ素子5の端部に設けられ、第1及び第2の内部電極4a,4bにそれぞれ接続された外部電極6とから構成されるものである。また、外部電極6表面には、Niめっき層8及びSnめっき層10が順に形成されている。そして、この積層型チップバリスタ1における内部電極4a,4b中の水素含有量は、1.1×10−2g未満となっている。
【選択図】 図1
Description
(i)bは20以上25未満であり、a≦1.6b−25である。
(ii)bは25以上であり、a≦15である。
(iii)bは20以上25未満であり、a≦0.8b−13である。
(iv)bは25以上30以下であり、a≦1.6b−33である。
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(iv)bは25以上30以下であり、a≦1.6b−33である。
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(ii)bは25以上であり、a≦15である。
(iii)bは20以上25未満であり、a≦0.8b−13である。
(iv)bは25以上30以下であり、a≦1.6b−33である。
まず、純度99.9%のZnO(97.725mol%)に、Pr(0.5mol%)、Co(1.5mol%)、Al(0.005mol%)、K(0.05mol%)、Cr(0.1mol%)、Ca(0.1mol%)及びSi(0.02mol%)を添加してバリスタ材料を調製した。このバリスタ材料を用い、図2に示す手順に従って、バリスタ材料からなるバリスタ層2、Pdからなる内部電極4a及び4b、Agからなる外部電極6、Niめっき層8、並びに、Snめっき層10から構成され、幅0.6mm、長さ0.3mmのサイズを有する図1に示す積層型チップバリスタを製造した。なお、以下に示す評価においては、全て同様の製造手順によって製造された積層型チップバリスタを用いた。
積層型チップバリスタの製造に際して、内部電極4a,4bの1cm3あたりの水素含有量(g/cm3)が、それぞれ(1)0、(2)5.8×10−3、(3)6.7×10−3、(4)7.6×10−3、(5)8.5×10−3、(6)9.3×10−3、(7)1.0×10−2及び(8)1.1×10−2となる積層型チップバリスタのサンプルを作製した。
積層型チップバリスタの製造に際して、外部電極6の厚さ及び空隙率が表2に示す組み合わせとなるように変化させながら、(11)〜(30)の各積層型チップバリスタのサンプルを作製した。
Claims (16)
- 複数のバリスタ層と、当該各バリスタ層を挟むように配置された第1及び第2の内部電極と、を有するバリスタ素子と、
前記バリスタ素子の端部に設けられ、前記第1及び第2の内部電極にそれぞれ接続された外部電極と、を備え、
前記内部電極1cm3あたりの水素含有量が、1.1×10−2g未満である積層型チップバリスタ。 - 前記内部電極1cm3あたりの水素含有量が、1.0×10−2g以下である請求項1記載の積層型チップバリスタ。
- 前記外部電極における前記バリスタ素子に対して反対側の表面にめっき層を更に備える請求項1又は2記載の積層型チップバリスタ。
- 前記第1及び第2の内部電極は、Pdからなる請求項1〜3のいずれか一項に記載の積層型チップバリスタ。
- 前記バリスタ層は、金属酸化物系の材料からなる請求項1〜4のいずれか一項に記載の積層型チップバリスタ。
- 複数のバリスタ層と、当該各バリスタ層を挟むように配置された第1及び第2の内部電極と、を有するバリスタ素子と、
前記バリスタ素子の端部に設けられ、前記第1及び第2の内部電極にそれぞれ接続された外部電極と、を備え、
前記外部電極の空隙率をa(%)、該外部電極の厚さをb(μm)としたときに、前記外部電極は、下記(i)又は(ii)の条件を満たす積層型チップバリスタ。
(i)bは20以上25未満であり、a≦1.6b−25である。
(ii)bは25以上であり、a≦15である。 - 前記外部電極は、下記(iii)又は(iv)の条件を満たす請求項6記載の積層型チップバリスタ。
(iii)bは20以上25未満であり、a≦0.8b−13である。
(iv)bは25以上30以下であり、a≦1.6b−33である。 - 前記外部電極における前記バリスタ素子に対して反対側の表面にめっき層を更に備える請求項6又は7記載の積層型チップバリスタ。
- 前記第1及び第2の内部電極は、Pdからなる請求項6〜8のいずれか一項に記載の積層型チップバリスタ。
- 前記バリスタ層は、金属酸化物系の材料からなる請求項6〜9のいずれか一項に記載の積層型チップバリスタ。
- 前記内部電極1cm3あたりの水素含有量は、1.1×10−2g未満である請求項6〜10のいずれか一項に記載の積層型チップバリスタ。
- 複数のバリスタ層と、当該各バリスタ層を挟むように配置された第1及び第2の内部電極と、を有するバリスタ素子を形成する工程と、
前記バリスタ素子の端部に前記第1及び第2の内部電極にそれぞれ接続する外部電極を形成する工程と、を有しており、
前記外部電極の空隙率をa(%)、該外部電極の厚さをb(μm)としたときに、前記外部電極を、下記(i)又は(ii)の条件を満たすように形成する積層型チップバリスタの製造方法。
(i)bは20以上25未満であり、a≦1.6b−25である。
(ii)bは25以上であり、a≦15である。 - 前記外部電極を、下記(iii)又は(iv)の条件を満たすように形成する請求項12記載の積層型チップバリスタの製造方法。
(iii)bは20以上25未満であり、a≦0.8b−13である。
(iv)bは25以上30以下であり、a≦1.6b−33である。 - 前記外部電極を形成する工程を実施した後に、前記外部電極における前記バリスタ素子に対して反対側の表面にめっき層を形成する工程を更に有する請求項12又は13記載の積層型チップバリスタの製造方法。
- 複数の金属酸化物層と、当該各金属酸化物層を挟むように配置された第1及び第2の内部電極とを備え、
前記内部電極1cm3あたりの水素含有量が、1.1×10−2g未満である積層型素子。 - 前記内部電極1cm3あたりの水素含有量が、1.0×10−2g以下である請求項15記載の積層型素子。
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WO2008047696A1 (fr) * | 2006-10-17 | 2008-04-24 | Panasonic Corporation | Collecteur moulé, son procédé de fabrication et moteur utilisant ceux-ci |
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