JP2005122094A - 波長変換レーザ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 波長変換結晶で波長変換されて出射窓から出射する波長変換レーザ光の出射方向を、波長変換結晶を通過するレーザ光の光軸の方向に近づけることができ、しかも波長変換結晶を移動させた場合にも、波長変換結晶で波長変換されて出射窓から出射する波長変換レーザ光の光軸がずれるのを低減できる波長変換レーザ装置を得る。
【解決手段】 波長変換結晶3の出射側端面は、波長変換レーザ光10に対しブリュースター角となるように傾斜しており、かつ、容器の出射窓5は、そのレーザ光入射側の面とレーザ光出射側の面間の距離が波長変換結晶から出射した波長変換レーザ光の傾斜方向に短縮されたプリズム形状をなしている。
【選択図】 図6

Description

この発明は、波長変換結晶により高調波発生をおこなう波長変換レーザ装置に関し、特に、波長変換結晶の高調波出射側端面およびこれを収納する容器の高調波出射窓の形状に関するものである。
従来の波長変換レーザ装置においては、波長変換結晶の高調波出射側端面をブリュースターカットすることで、波長変換結晶端面での高調波の反射ロスを低減している(例えば、特許文献1参照)。
米国特許5850407号明細書(第4欄、第1−A図および第1−B図)
従来の波長変換レーザのように、ブリュースターカットした波長変換結晶を用いた場合、高調波の出射方向が波長変換結晶を通過する光の光軸に対して斜めになり、後の導光系の配置が困難になるといった問題があった。さらに、高調波による波長変換結晶の端面の劣化若しくは不純物付着等のために高調波出力が低下した際に、波長変換結晶の位置を移動させると、高調波の光軸がずれるという問題があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、波長変換結晶で波長変換されて波長変換結晶容器の出射窓から出射する波長変換レーザ光(高調波)の出射方向を、波長変換結晶を通過するレーザ光の光軸の方向に近づけることができ、しかも、波長変換結晶の位置を移動させた場合にも、波長変換結晶で波長変換されて出射窓から出射する波長変換レーザ光(高調波)の光軸がずれるのを低減できる波長変換レーザ装置を得ることを目的とするものである。
この発明に係る波長変換レーザ装置は、波長変換結晶と、上記波長変換結晶が内部に配置され、上記波長変換結晶で波長変換された波長変換レーザ光が出射する出射窓を有する容器とを備える波長変換レーザ装置であって、上記波長変換結晶の出射側端面は、上記波長変換レーザ光に対しブリュースター角となるように傾斜しており、かつ、上記容器の出射窓は、そのレーザ光入射側の面とレーザ光出射側の面間の距離が上記波長変換結晶から出射した波長変換レーザ光の傾斜方向に短縮されたプリズム形状をなしているものである。
なお、ここで言う波長変換結晶から出射した波長変換レーザ光の傾斜方向とは、波長変換結晶を通過するレーザ光の光軸に対する傾斜方向であり、特に、波長変換結晶を通過するレーザ光の光軸に垂直な成分の方向である。
この発明によれば、波長変換結晶の出射側端面は、上記波長変換結晶で波長変換された波長変換レーザ光に対しブリュースター角となるように傾斜しており、かつ、上記波長変換結晶が内部に配置された容器の出射窓は、そのレーザ光入射側の面とレーザ光出射側の面間の距離が上記波長変換結晶から出射した波長変換レーザ光の傾斜方向に短縮されたプリズム形状をなしているので、波長変換結晶の端面からブリュースター角で出射した波長変換レーザ光は、容器の出射窓が上記プリズム形状をなしていることにより、波長変換結晶を通過するレーザ光の光軸の方向に屈曲される。したがって、波長変換結晶で波長変換されて出射窓から出射する波長変換レーザ光の出射方向を、波長変換結晶を通過する光の光軸の方向に近づけることができ、しかも波長変換結晶の位置を移動させた場合にも、出射窓から出射した波長変換レーザ光の光軸がずれるのを低減できる。
実施の形態1.
図1は、この発明を実施するための実施の形態1による波長変換レーザ装置の全体構成を示す概略構成図である。
基本波発生部12において基本波を発生する。基本波発生部12としては、例えばQ−スイッチNd:YAGレーザ発振器が用いられ、偏光は直線偏光、発振波長は1064nmである。上記レーザ発振器は出力を得るために増幅器を用いた構成としてもよい。なお、基本波発生部12は、上記のNd:YAGの他に、Nd:YVO、Nd:YLF、Nd:GdVO等のレーザ結晶を用いたレーザ発振器であってもよい。
発生した基本波を集光レンズ13Aによって波長変換結晶14に集光して波長変換結晶14で波長変換し、高調波(波長変換レーザ光)を発生する。このとき用いる波長変換結晶14は、例えば無反射コーティングが施されていない、すなわち無反射コーティング無しのTYPE IのLBO(LiB)結晶である。波長変換結晶14に無反射コーティングを施さないことで、発生高調波によって無反射コーティングが劣化したり損傷したりすることによる高調波の出力低下を防ぐことが出来る。このとき発生する高調波は第2次高調波であり、波長は532nmである。
なお、第2次高調波発生用結晶(波長変換結晶14)は、以下で説明する第3次高調波発生用結晶(波長変換結晶3)と比較して劣化速度が遅いため、第3次高調波発生用結晶に用いるような波長変換結晶保持装置(後で詳細に説明する。)を使用する必要性は低い。しかしながら、集光強度が強い条件で使用する場合などは同様の波長変換結晶保持装置を使用してもよい。
波長変換結晶14を通過したレーザ光、すなわち、波長変換結晶14で発生した第2次高調波と、波長変換されなかった基本波とを、集光レンズ13Bを用いて波長変換結晶3に集光し、和周波発生によって、第3次高調波(波長355nm)を発生する。このとき用いる波長変換結晶3は、例えば無反射コーティング無しのTYPE IIのLBO(LiB)結晶である。波長変換結晶14の場合と同様に、波長変換結晶3に無反射コーティングを施さないことで、発生高調波によって無反射コーティングが劣化したり損傷したりすることによる高調波の出力低下を防ぐことが出来る。
発生した第3次高調波は、分離ミラー15A、15Bによって基本波及び第2次高調波と分離され、加工等に使用される。
以下、波長変換結晶3および波長変換結晶3を収納する波長変換結晶保持装置1について説明する。
波長変換結晶3は図2及び図3にそれぞれ示す波長変換結晶保持装置1によって保持されている。
図2は、波長変換結晶保持装置1を斜めから見た斜視図、図3は光軸に平行な面で切った断面図である。波長変換結晶密閉容器2の内部に波長変換結晶3が配置されている。波長変換結晶密閉容器2は、基本波及び第2次高調波(入射光)9を入射するための入射窓4を備えている。さらに、波長変換結晶14を通過したレーザ光、すなわち波長変換結晶14で発生した高調波(波長変換レーザ光)10を出射するための出射窓5を備えている。また、波長変換結晶密閉容器2の内部には、波長変換時の位相整合を取るための温度調節をおこなう熱電素子6(例えばペルチェ素子)、および熱電素子6を制御するためのコード8を備えている。波長変換結晶密閉容器2は、波長変換結晶3の位置を移動する移動手段に相当するクリスタルシフター11上に精度良く設置され、波長変換結晶保持装置1を構成している。
波長変換結晶3の出射側端面の高調波出射部が、高調波によって劣化し若しくは不純物が付着し、出射高調波の出力が低下した時に、クリスタルシフター11によって劣化した地点から波長変換結晶3を移動し、出力を回復させる。
なお、特に、波長400nm以下の紫外線は反応性が高いため、高調波10の波長が400nm以下の時には、メンテナンス周期を長くするために、上記のような劣化若しくは不純物付着に対する対策が必要不可欠である。
波長変換結晶密閉容器2に、入射窓4および出射窓5を装着する際には、Oリング7を用いて波長変換結晶密閉容器2内部を密閉する。この際に、乾燥空気、酸素、窒素などを封入することで、波長変換結晶3の端面の不純物付着速度及び劣化速度を抑制することができる。なお、本実施の形態では、波長変換結晶密閉容器2を完全に密閉したが、小さな出入り口を設けて気体を流しつづけることも可能である。
なお、波長変換結晶密閉容器2内に波長変換結晶3を収納する際には、波長変換結晶3と出射窓5の距離が、波長変換結晶3と入射窓4の距離に比較して長くなるように波長変換結晶3を配置すると、出射窓5上の高調波(例えば紫外線)10のビーム径を大きくすることができる。したがって、高調波10による出射窓5への不純物付着速度及び出射窓5の劣化速度を抑制することが出来る。
波長変換結晶3の高調波出射側端面(図3においては左側端面)は、波長変換結晶3で波長変換された波長変換レーザ光(第3次高調波)がその端面からブリュースター角θで出射するように、すなわち、波長変換レーザ光に対しブリュースター角となるように、波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸に対して所定角度θ(但し、0<θ<90°)傾斜させている。すなわち、波長変換結晶3の高調波出射側端面は、第3次高調波に対するブリュースターカットをおこなっている。
このように、ブリュースターカットをおこなうことで、波長変換結晶3の出射側端面での反射ロスを低減することができる。しかも、波長変換結晶3の出射側端面上でのビーム面積が大きくなることで、高調波による波長変換結晶3の出射側端面の損傷確率及び不純物の付着速度を減少させることが可能である。
なお、このときのブリュースターカットの向きは、波長変換結晶3から出射する第3次高調波(波長変換結晶3からの出射高調波10)が波長変換結晶3の出射側端面に対して、p偏光となるように設定する。図3の例では、第3次高調波(波長変換結晶3からの出射高調波10)の偏光は紙面と平行な方向である。
図4に波長変換結晶3のブリュースターカットの様子を示す。例えば、波長変換結晶3としてTYPE IIのLBO結晶を用いた場合、波長変換結晶3によるNd:YAGレーザの第3次高調波(波長355nm)発生時には、波長変換結晶3の出射側端面の波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸に対する傾斜角度θは、(1)式で示すブリュースター角(θ)の定義、
θ=tan−1(n/n) (1)
及び(2)式で示すスネルの法則、
sin(θ)=nsin(θ) (2)
より、
θ=90°−θ
=90°−sin−1(n/n*sin(tan−1(n/n)))
=57.9°となる。
ただし、nは第3次高調波に対する波長変換結晶3の屈折率、nは第3次高調波に対する波長変換結晶密閉容器2内雰囲気の屈折率であり、n=1.0、n=1.60である。
なお、以下では、波長変換結晶3の出射側端面の波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸に対する傾斜角度θをカット角度と言うこともある。
この時、波長変換結晶3より出射する第3次高調波10の光軸の水平からの傾きθは、
θ=θ1−sin−1(1/n*sin(θ))
=25.9°となる。
なお、θは、より正確には、波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸からの傾きであり、波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸が水平方向となるように配置されている場合には水平からの傾きと同一となる。
また、波長変換結晶3をクリスタルシフター11によって、図5に示すように、波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸と直交する方向にδだけ移動させた場合、波長変換結晶3から出射される第3次高調波100と101の光軸の移動距離δ
δ=δ*tan(θ)/tan(θ
≒0.3×δである。
なお、第3次高調波100は、移動前の波長変換レーザ光であり、第3次高調波101は、移動後の波長変換レーザ光である。
従来の構成では、こうした発生高調波(波長変換結晶3から出射される第3次高調波)の波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸からの傾き、及びクリスタルシフター11による結晶移動時の光軸移動が問題となっていた。
次に、図6を用いて波長変換結晶密閉容器2の高調波出射窓5の形状について説明する。本実施の形態では、高調波に対する屈折率が波長変換結晶3と等しいか、または近い材料からなる出射窓5を用いており、しかもそのレーザ光入射側の面に波長変換結晶3の高調波出射側端面と同じ角度θのカットを施している。例えば、TYPE IIのLBO結晶によるNd:YAGレーザの第3次高調波(波長355nm)を発生する場合、波長変換結晶3の屈折率は1.60であるが、水晶はこれに近い屈折率を持つ。すなわち、水晶の異常偏光に対する屈折率は波長355nmで1.57である。
また、出射窓5のレーザ光出射側の面は波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸に対して略垂直であり、出射窓5は、そのレーザ光入射側の面とレーザ光出射側の面間の距離が波長変換結晶3から出射した出射高調波(波長変換レーザ光)10の傾斜方向(図6における矢印Aで示す方向)に短縮されたプリズム形状をなしている。
なお、ここで言う波長変換結晶3から出射した波長変換レーザ光10の傾斜方向とは、波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸に対する傾斜方向であり、特に波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸に垂直な成分の方向である。すなわち、図6に矢印Aで示す方向である。
このように、本実施の形態では、出射窓5として水晶を用い、波長変換結晶3の出射側端面と出射窓5の高調波入射側の面とに、波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸からの傾きが同じである(共に傾斜角度θである)カットを施している。この時、出射窓5に対する高調波の入射角度θと、出射窓5(水晶)に対する第3次高調波(波長355nm)のブリュースター角との違いは、0.4°であり、第3次高調波の反射率は0.1%未満である。しかしながら、特にこの場合、偏光方向の異なる波長532nmの光線(第2次高調波)に対しては、出射窓5は反射率を持つ。そこで、出射窓5に、波長532nmに対する、若しくは波長532nmと波長1064nm(基本波)の両方に対する無反射コーティングを施してもよい。また、反射光による波長変換結晶密閉容器2の内面の加熱を避けるために、出射窓5に上記のような無反射コーティングを施さず、波長変換結晶密閉容器2上の反射光の当る部位の近辺に冷却水をすように構成してもよい。この際、出射窓5における反射光の当る部分を塗装する等して、反射光を効率よく吸収できるようにしてもよい。
この時、波長変換結晶密閉容器2(出射窓5)より出射する高調波20の水平(波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸)からの傾きθは、θ=0.8°であり、結晶密閉容器出射窓5に傾斜をつけなかった場合の傾きθ=25.9°と比較して、32分の1以下に低減される。
また、図7に示すように、クリスタルシフター11によって波長変換結晶3をδだけ移動させた場合、波長変換結晶密閉容器2より出射する高調波20の光軸の移動距離(光軸のずれ量)δは、δ=0.0056×δとなり、結晶密閉容器出射窓5に傾斜をつけなかった場合の移動量、すなわち図5を示して上述したδ=0.3×δと比較して著しく低減される。
以上説明したように、本実施の形態によれば、クリスタルシフター11によって波長変換結晶3を移動させたときに、波長変換結晶密閉容器2(出射窓5)より出射する高調波(波長変換レーザビーム)20の光軸のずれ量δを実用的な範囲にまで低減することが出来る。また、波長変換結晶密閉容器2(出射窓5)より出射する高調波20の水平(波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸)からの傾きθを実用的な範囲にまで低減することができるため、波長変換後の導光系の配置が容易になる。
なお、波長変換結晶密閉容器2の出射窓5の材質は、波長変換結晶3と発生高調波に対する屈折率が等しいことが理想であるが、本実施の形態のように屈折率が近い材質で実施してもよい。
例えば、TYPE IIのLBO結晶によるNd:YAGレーザの第3次高調波(波長355nm)発生時には、出射窓5の材質の上記高調波に対する屈折率が、波長変換結晶3の屈折率の±3%以内であれば、波長変換結晶密閉容器2(出射窓5)から出射する高調波20の水平(波長変換結晶を通過するレーザ光90の光軸)からの傾きθはθ≦1.7°、クリスタルシフター11によって波長変換結晶3を図7のようにδだけ移動させた場合、出射高調波20の光軸の移動距離δは、δ=0.012×δ以内とすることが出来る。
なお、このような出射高調波20の水平からの傾きθおよび光軸の移動距離δをより小さくするために、出射窓5におけるレーザ光出射側の面を、波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸に対して垂直から、波長変換結晶3の出射側端面と反対方向に若干傾けてもよい。
また、出射窓5におけるレーザ光入射側の面の傾斜角度は、波長変換結晶3の出射側端面の傾斜角度と等しいことが理想であるが、これに限るものではない。例えば、上記のように、出射窓5の出射高調波10(波長変換レーザ光)に対する屈折率が、波長変換結晶3の出射高調波10に対する屈折率と正確に同一ではなく若干異なっている場合、出射窓5におけるレーザ光入射側の面の傾斜角度を、波長変換結晶3で変換された波長変換レーザ光(出射高調波10)がレーザ光入射側の面にブリュースター角で入射する傾斜角度、すなわち、波長変換レーザ光に対しブリュースター角となるような傾斜角度としてもよい。
この場合にも、出射高調波の水平(波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸)からの傾きθ、および波長変換結晶密閉容器2より出射する高調波20の光軸の移動距離δは零にはならない。しかし、これらの傾きθおよび移動距離δをより小さくするために、出射窓5におけるレーザ光出射側の面を、波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸に対して、垂直から波長変換結晶3の出射側端面と反対方向に若干傾けてもよい。
なお、出射窓5におけるレーザ光入射側の面の傾斜角度を、波長変換結晶3で波長変換された波長変換レーザ光がレーザ光入射側の面にブリュースター角で入射する傾斜角度とすることにより、出射窓5におけるレーザ光入射側の面での反射を防止することができる。
なお、上記では、波長変換結晶3がLiB(LBO)結晶である場合について説明したが、これに限るものではなく、例えばCsLiB10(CLBO)結晶やBBO(β-BaB)結晶であってもよい。また、波長変換結晶14についても同様である。
実施の形態2.
上記実施の形態では、出射窓5におけるレーザ光出射側の面は波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸に対して略垂直であり、波長変換結晶3で波長変換された波長変換レーザ光に対する波長変換結晶3の屈折率と出射窓5の屈折率とは略等しく、かつ、波長変換結晶3の出射側端面の傾斜角度と出射窓5におけるレーザ光入射側の面の傾斜角度とは略等しい場合について説明したが、これに限るものではない。
例えば、出射窓5におけるレーザ光入射側の面は波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸に対して略垂直であり、波長変換結晶3で変換された波長変換レーザ光に対する波長変換結晶3の屈折率と出射窓5の屈折率とが略等しく、かつ、出射窓5におけるレーザ光出射側の面が、波長変換結晶3の入射側端面の傾斜角度と略等しい角度だけ、波長変換結晶3の出射側端面と反対方向に傾斜していてもよく、この場合にも、上記実施の形態1と同様の効果が得られる。
実施の形態3.
また、波長変換結晶3で波長変換された波長変換レーザ光に対する波長変換結晶3の屈折率および出射窓5の屈折率に関係無く、さらに、波長変換結晶3の入射側端面の傾斜角度とも関係無く、波長変換結晶密閉容器2の出射窓5は、そのレーザ光入射側の面とレーザ光出射側の面間の距離が波長変換結晶3から出射した波長変換レーザ光の傾斜方向に短縮されたプリズム形状をなしていればよい。
このように構成された場合には、波長変換結晶3の出射側端面からブリュースター角で出射した波長変換レーザ光(高調波)は、プリズム形状の出射窓5によって波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸の方向に屈曲される。したがって、波長変換結晶3で波長変換されて出射窓5から出射する波長変換レーザ光20の出射方向を、波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸の方向に近づけることができ、しかもクリスタルシフター11を用いて波長変換結晶3を移動させた場合にも出射窓5から出射した波長変換レーザ光20の光軸がずれるのを低減することができる。
例えば波長変換結晶密閉容器2の出射窓5に合成石英(Fused Silica)を用いた場合、例えば、TYPE IIのLBO結晶によるNd:YAGレーザの第3次高調波の波長355nmに対する屈折率は1.48である。この時、出射窓5の傾斜角度を56.5°とすると、結晶移動時の光軸移動量δをほぼ0にすることが出来る。この時の波長変換結晶密閉容器2(出射窓5)より出射する高調波20の水平(波長変換結晶3を通過するレーザ光90の光軸)からの傾きθは3.2°である。同様に、出射窓5の傾斜角度を52.8°とすると、高調波20の傾きθをほぼ0にすることが出来、この時の光軸移動量δはδ=0.10×δとなる。
さらに出射窓5にフッ化カルシウム(CaF)を用いた場合、波長355nmに対する屈折率は1.45である。この時、出射窓5の傾斜角度を56.1°とすると、結晶移動時の光軸移動量δをほぼ0にすることが出来る。この時の高調波20の傾きはθ=4.0°である。同様に出射窓5の傾斜を51.4°とすると、高調波20の傾きθをほぼ0にすることが出来、この時の光軸移動量δはδ=0.14×δとなる。
なお、上記各図において、第2次高調波(入射光)9、波長変換結晶からの出射高調波(波長変換レーザ光)10、出射窓(波長変換結晶密閉容器)からの出射高調波20、波長変換結晶を通過するレーザ光90、波長変換結晶からの出射高調波(クリスタルシフターによる移動前)100および波長変換結晶からの出射高調波(クリスタルシフターによる移動後)101の各レーザ光はすべてその光軸を示している。
本発明の実施の形態1による波長変換レーザ装置の全体構成を示す概略構成図である。 本発明の実施の形態1による波長変換レーザ装置に用いられる波長変換結晶保持装置の構成を示す斜視図である。 本発明の実施の形態1による波長変換レーザ装置に用いられる波長変換結晶保持装置の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態1による波長変換レーザ装置に用いられる波長変換結晶の高調波出射側端面の形状を説明するための正面図である。 本発明の実施の形態1に係り、波長変換結晶移動時における発生高調波の光軸移動の様子を説明するための図である。 本発明の実施の形態1に係り、波長変換結晶密閉容器の出射窓の形状を説明するための図である。 本発明の実施の形態1に係り、波長変換結晶移動時の波長変換結晶密閉容器より出射する高調波の光軸移動の様子を説明するための図である。
符号の説明
1 波長変換結晶保持装置、2 波長変換結晶密閉容器、3,14 波長変換結晶、4 入射窓、5 出射窓、6 熱電素子、7 Oリング、8 熱電素子制御用コード、9 入射光、10 波長変換結晶からの出射高調波、11 クリスタルシフター、12 基本波発生部、13 集光レンズ、15 分離ミラー、20 出射窓からの出射高調波、30 波長変換結晶(クリスタルシフターによる移動前)、31 波長変換結晶(クリスタルシフターによる移動後)、50 出射窓(クリスタルシフターによる移動前)、51 出射窓(クリスタルシフターによる移動後)、90 波長変換結晶を通過するレーザ光、100 波長変換結晶からの出射高調波(クリスタルシフターによる移動前)、101 波長変換結晶からの出射高調波(クリスタルシフターによる移動後)。

Claims (6)

  1. 波長変換結晶と、上記波長変換結晶が内部に配置され、上記波長変換結晶で波長変換された波長変換レーザ光が出射する出射窓を有する容器とを備える波長変換レーザ装置であって、上記波長変換結晶の出射側端面は、上記波長変換レーザ光に対しブリュースター角となるように傾斜しており、かつ、上記容器の出射窓は、そのレーザ光入射側の面とレーザ光出射側の面間の距離が上記波長変換結晶から出射した波長変換レーザ光の傾斜方向に短縮されたプリズム形状をなしていることを特徴とする波長変換レーザ装置。
  2. 出射窓におけるレーザ光出射側の面は波長変換結晶を通過するレーザ光の光軸に対して略垂直であり、波長変換レーザ光に対する波長変換結晶の屈折率と出射窓の屈折率とは略等しく、かつ、波長変換結晶を通過するレーザ光の光軸に対する、波長変換結晶の出射側端面の傾斜角度と出射窓におけるレーザ光入射側の面の傾斜角度とは略等しいことを特徴とする請求項1記載の波長変換レーザ装置。
  3. 波長変換レーザ光の波長が400nm以下であることを特徴とする請求項1記載の波長変換レーザ装置。
  4. 波長変換結晶の位置を移動する移動手段を備えたことを特徴とする請求項1記載の波長変換レーザ装置。
  5. 波長変換結晶がLiB、CsLiB10またはβ-BaB結晶であることを特徴とする請求項1記載の波長変換レーザ装置。
  6. 波長変換結晶の出射側端面は無反射コーティングが施されていない請求項1記載の波長変換レーザ装置。
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