JPH0555672A - 半導体レーザ励起コヒーレント光源 - Google Patents
半導体レーザ励起コヒーレント光源Info
- Publication number
- JPH0555672A JPH0555672A JP21517091A JP21517091A JPH0555672A JP H0555672 A JPH0555672 A JP H0555672A JP 21517091 A JP21517091 A JP 21517091A JP 21517091 A JP21517091 A JP 21517091A JP H0555672 A JPH0555672 A JP H0555672A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- light source
- laser
- light
- crystal body
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザ励起コヒーレント光源の高効率
化と小型化を図る。 【構成】 非線形光学特性を有するレーザ媒質の結晶体
と、この結晶体の一方の面側の端面より励起レーザ光を
入射してレーザ発振を生じさせる第１の半導体レーザ光
源と、結晶体の一方の面側の別の端面より変調されたレ
ーザ光を入射し、レーザ発振光と和周波混合を生じさせ
る第２の半導体レーザ光源とを備え、結晶体の他方の面
側は励起レーザ光および変調されたレーザ光を反射し
て、和周波混合光を透過するよう仕上げられていること
を特徴とする。
化と小型化を図る。 【構成】 非線形光学特性を有するレーザ媒質の結晶体
と、この結晶体の一方の面側の端面より励起レーザ光を
入射してレーザ発振を生じさせる第１の半導体レーザ光
源と、結晶体の一方の面側の別の端面より変調されたレ
ーザ光を入射し、レーザ発振光と和周波混合を生じさせ
る第２の半導体レーザ光源とを備え、結晶体の他方の面
側は励起レーザ光および変調されたレーザ光を反射し
て、和周波混合光を透過するよう仕上げられていること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ励起コヒー
レント光源に関し、特に詳細には、和周波混合を利用し
た半導体レーザ励起コヒーレント光源に関する。
レント光源に関し、特に詳細には、和周波混合を利用し
た半導体レーザ励起コヒーレント光源に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば特開平１−２１４０８２号、特開平２−２８９８
０号に開示されたものが知られている。これらは、励起
用の半導体レーザ光源と、変調される半導体レーザ光源
とを有し、和周波混合を利用することにより半導体レー
ザ励起コヒーレント光源を実現している。
例えば特開平１−２１４０８２号、特開平２−２８９８
０号に開示されたものが知られている。これらは、励起
用の半導体レーザ光源と、変調される半導体レーザ光源
とを有し、和周波混合を利用することにより半導体レー
ザ励起コヒーレント光源を実現している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これら従来技
術では、レーザ発振用のレーザ媒質と和周波混合用の非
線形光学結晶が別の結晶体になっているため、和周波混
合光の発生効率が低い。このため、半導体レーザ光源を
大出力のものにする必要が生じ、利便性が損われてい
た。また、小型、軽量およびコンパクト化も難しいとい
うも問題があった。
術では、レーザ発振用のレーザ媒質と和周波混合用の非
線形光学結晶が別の結晶体になっているため、和周波混
合光の発生効率が低い。このため、半導体レーザ光源を
大出力のものにする必要が生じ、利便性が損われてい
た。また、小型、軽量およびコンパクト化も難しいとい
うも問題があった。
【０００４】そこで本発明は、高効率であって、しかも
小型、軽量、コンパクト化に適した半導体レーザ励起コ
ヒーレント光源を提供することを目的とする。
小型、軽量、コンパクト化に適した半導体レーザ励起コ
ヒーレント光源を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザ励起コヒーレント光源は、非線形光学特性を有するレ
ーザ媒質の結晶体と、この結晶体の一方の面側の端面よ
り励起レーザ光を入射してレーザ発振を生じさせる第１
の半導体レーザ光源と、結晶体の一方の面側の別の端面
より変調されたレーザ光を入射し、レーザ発振光と和周
波混合を生じさせる第２の半導体レーザ光源とを備え、
結晶体の他方の面側は励起レーザ光および変調されたレ
ーザ光を反射して、和周波混合光を透過するよう仕上げ
られている。
ザ励起コヒーレント光源は、非線形光学特性を有するレ
ーザ媒質の結晶体と、この結晶体の一方の面側の端面よ
り励起レーザ光を入射してレーザ発振を生じさせる第１
の半導体レーザ光源と、結晶体の一方の面側の別の端面
より変調されたレーザ光を入射し、レーザ発振光と和周
波混合を生じさせる第２の半導体レーザ光源とを備え、
結晶体の他方の面側は励起レーザ光および変調されたレ
ーザ光を反射して、和周波混合光を透過するよう仕上げ
られている。
【０００６】
【作用】本発明によれば、レーザ発振と和周波混合の発
生は、単一の結晶体によって実現されるので、高効率に
することができる。そして、結晶体の一方の面からレー
ザ光を入射しているので、結晶体の他方の面を反射端面
として利用し、コンパクト化を図っている。
生は、単一の結晶体によって実現されるので、高効率に
することができる。そして、結晶体の一方の面からレー
ザ光を入射しているので、結晶体の他方の面を反射端面
として利用し、コンパクト化を図っている。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面により、本発明のいくつかの
実施例を説明する。
実施例を説明する。
【０００８】図１は第１実施例に係る半導体レーザ励起
コヒーレント光源の構成図である。結晶体１は非線形光
学特性を有するレーザ媒質（例えばＮＹＡＢ）であり、
一方の面側に端面Ａ，Ｂを有し、他方の面側に斜めにカ
ットされた端面Ｃ，Ｄを有する。半導体レーザＬＤ1 は
励起光源であり、その波長λ1 は例えば８０８ｎｍ（Ｎ
ＹＡＢが励起可能）である。半導体レーザＬＤ2 は信号
源２によって変調され、その発光波長は例えばλ2 ＝８
５０ｎｍである。
コヒーレント光源の構成図である。結晶体１は非線形光
学特性を有するレーザ媒質（例えばＮＹＡＢ）であり、
一方の面側に端面Ａ，Ｂを有し、他方の面側に斜めにカ
ットされた端面Ｃ，Ｄを有する。半導体レーザＬＤ1 は
励起光源であり、その波長λ1 は例えば８０８ｎｍ（Ｎ
ＹＡＢが励起可能）である。半導体レーザＬＤ2 は信号
源２によって変調され、その発光波長は例えばλ2 ＝８
５０ｎｍである。
【０００９】半導体レーザＬＤ1 からの励起レーザ光
は、レンズＬ1 ，Ｌ2 で集束され、ミラーＭ1 を介して
端面Ｂから結晶体１に入射される。半導体レーザＬＤ2
からの変調されたレーザ光は、レンズＬ3 ，レンズＬ4
で集束されて、ミラーＭ2 を介して端面Ａから結晶体１
に入射される。結晶体１にλ1＝８０８ｎｍの励起レー
ザ光が入射されると、波長λOSC ＝１０６２ｎｍの発振
光が生じ、この発振光と波長λ2 の変調されたレーザ光
の間に和周波混合光（λOUT ＝４７２ｎｍ）が生じる。
は、レンズＬ1 ，Ｌ2 で集束され、ミラーＭ1 を介して
端面Ｂから結晶体１に入射される。半導体レーザＬＤ2
からの変調されたレーザ光は、レンズＬ3 ，レンズＬ4
で集束されて、ミラーＭ2 を介して端面Ａから結晶体１
に入射される。結晶体１にλ1＝８０８ｎｍの励起レー
ザ光が入射されると、波長λOSC ＝１０６２ｎｍの発振
光が生じ、この発振光と波長λ2 の変調されたレーザ光
の間に和周波混合光（λOUT ＝４７２ｎｍ）が生じる。
【００１０】したがって、ミラーＭ1 は波長λ1 を透過
し、波長λ2 ，λOSC ，λOUT を全て反射するようにな
っており、ミラーＭ2 は波長λ2 を透過し、波長λ1 ，
λOSC ，λOUT を反射するようになっている。また、結
晶体１の端面Ａ，Ｂ，Ｄは波長λ1 ，λ2 ，λOSC ，λ
OUT を全て反射するようになっており、端面Ｃは波長λ
OUT を透過し、波長λ1 ，λ2 ，λOSC ，を反射するよ
うになっている。
し、波長λ2 ，λOSC ，λOUT を全て反射するようにな
っており、ミラーＭ2 は波長λ2 を透過し、波長λ1 ，
λOSC ，λOUT を反射するようになっている。また、結
晶体１の端面Ａ，Ｂ，Ｄは波長λ1 ，λ2 ，λOSC ，λ
OUT を全て反射するようになっており、端面Ｃは波長λ
OUT を透過し、波長λ1 ，λ2 ，λOSC ，を反射するよ
うになっている。
【００１１】なお、上記の具体的な波長の値は、ＮＹＡ
Ｂ結晶をθ＝４０°で用いた場合であり、図２に示すよ
うな位相整合によって調整することが可能である。この
実施例によれば、波長λOUT ＝４７２ｎｍの出力光（可
視光）を得ることができ、その強度変調は半導体レーザ
ＬＤ2 によって行ない得る。
Ｂ結晶をθ＝４０°で用いた場合であり、図２に示すよ
うな位相整合によって調整することが可能である。この
実施例によれば、波長λOUT ＝４７２ｎｍの出力光（可
視光）を得ることができ、その強度変調は半導体レーザ
ＬＤ2 によって行ない得る。
【００１２】図３は第２実施例の半導体レーザ励起コヒ
ーレント光源を示している。この場合には、ミラー
Ｍ1 ，ミラーＭ2 を省略することにより、更なるコンパ
クト化を図っている。このために、結晶体１の端面Ａ，
Ｂを凸曲面とし、端面Ａについては波長λ2 、端面Ｂに
ついては波長λ1 を透過可能としている。そして、波長
λ OSC ，λOUT は共に反射するようにしている。
ーレント光源を示している。この場合には、ミラー
Ｍ1 ，ミラーＭ2 を省略することにより、更なるコンパ
クト化を図っている。このために、結晶体１の端面Ａ，
Ｂを凸曲面とし、端面Ａについては波長λ2 、端面Ｂに
ついては波長λ1 を透過可能としている。そして、波長
λ OSC ，λOUT は共に反射するようにしている。
【００１３】上述の実施例では、いずれの場合も出射光
は発散するビームとなり、また光路が斜めとなる。そこ
で、図４（ａ）のように、結晶体１の端面Ｃの近傍に凸
レンズ５を設置すれば、直進する細いビームの出力光が
得られる。また、同図（ｂ）のようにプリズム６を設け
れば、出力光を直進させることができる。
は発散するビームとなり、また光路が斜めとなる。そこ
で、図４（ａ）のように、結晶体１の端面Ｃの近傍に凸
レンズ５を設置すれば、直進する細いビームの出力光が
得られる。また、同図（ｂ）のようにプリズム６を設け
れば、出力光を直進させることができる。
【００１４】図５は第３実施例に係る半導体レーザ励起
コヒーレント光源を示している。この場合には、結晶体
１において端面Ｃ，Ｄを共通にし、端面Ｅとしている。
この場合には、端面Ｅは波長λ1 ，λ2 ，λOSC ，を反
射し、波長λOUT を透過する。この例によれば、結晶体
１の加工が容易である。
コヒーレント光源を示している。この場合には、結晶体
１において端面Ｃ，Ｄを共通にし、端面Ｅとしている。
この場合には、端面Ｅは波長λ1 ，λ2 ，λOSC ，を反
射し、波長λOUT を透過する。この例によれば、結晶体
１の加工が容易である。
【００１５】図６は第２実施例の半導体レーザ励起コヒ
ーレント光源をパッケージに収めた例を示している。同
図（ａ）において、筒体１１には半導体レーザＬＤ1 と
レンズＬ1 ，Ｌ2 が収められ、筒体１２には半導体レー
ザＬＤ2 とレンズＬ3 ，Ｌ4 が収められている。そし
て、同図（ｂ）の容器１３に収容され、蓋体１４を閉じ
ることでパッケージ化される。なお、容器１３の開口１
５は半導体レーザＬＤ1 ，半導体レーザＬＤ2 の端子１
６の挿通口であり、開口１７は光出射窓である。
ーレント光源をパッケージに収めた例を示している。同
図（ａ）において、筒体１１には半導体レーザＬＤ1 と
レンズＬ1 ，Ｌ2 が収められ、筒体１２には半導体レー
ザＬＤ2 とレンズＬ3 ，Ｌ4 が収められている。そし
て、同図（ｂ）の容器１３に収容され、蓋体１４を閉じ
ることでパッケージ化される。なお、容器１３の開口１
５は半導体レーザＬＤ1 ，半導体レーザＬＤ2 の端子１
６の挿通口であり、開口１７は光出射窓である。
【００１６】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、レーザ発振
と和周波混合の発生は、単一の結晶体によって実現され
る。そして、結晶体の一方の面からレーザ光を入射して
いるので、結晶体の他方の面を反射端面として利用し、
コンパクト化を図っている。したがって、高出力であっ
て、しかも小型、軽量、コンパクト化が可能な半導体レ
ーザ励起コヒーレント光源が提供できる。
と和周波混合の発生は、単一の結晶体によって実現され
る。そして、結晶体の一方の面からレーザ光を入射して
いるので、結晶体の他方の面を反射端面として利用し、
コンパクト化を図っている。したがって、高出力であっ
て、しかも小型、軽量、コンパクト化が可能な半導体レ
ーザ励起コヒーレント光源が提供できる。
【図１】第１実施例に係る半導体レーザ励起コヒーレン
ト光源の構成図である。
ト光源の構成図である。
【図２】位相整合条件を示す図である。
【図３】第２実施例に係る半導体レーザ励起コヒーレン
ト光源の構成図である。
ト光源の構成図である。
【図４】第２実施例の変形例を示す図である。
【図５】第３実施例に係る半導体レーザ励起コヒーレン
ト光源の構成図である。
ト光源の構成図である。
【図６】第２実施例に係る半導体レーザ励起コヒーレン
ト光源のパッケージングを説明する図である。
ト光源のパッケージングを説明する図である。
１…結晶体 ２…信号源 ＬＤ…半導体レーザ Ｍ…ミラー Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ…端面
Claims (3)
- 【請求項１】 非線形光学特性を有するレーザ媒質の結
晶体と、 この結晶体の一方の面側の端面より励起レーザ光を入射
してレーザ発振を生じさせる第１の半導体レーザ光源
と、 前記結晶体の前記一方の面側の別の端面より変調された
レーザ光を入射し、前記レーザ発振光と和周波混合を生
じさせる第２の半導体レーザ光源と、 を備え、前記結晶体の他方の面側は前記励起レーザ光お
よび前記変調されたレーザ光を反射して、前記和周波混
合光を透過するよう仕上げられていることを特徴とする
半導体レーザ励起コヒーレント光源。 - 【請求項２】 前記結晶体の前記他方の面側に、出射さ
れた前記和周波混合光の光路を変換する光学部品が設け
られている請求項１記載の半導体レーザ励起コヒーレン
ト光源。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半導体レーザ励起コヒ
ーレント光源を、単一の容器にパッケージングしたこと
を特徴とする半導体レーザ励起コヒーレント光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21517091A JP3034087B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 半導体レーザ励起コヒーレント光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21517091A JP3034087B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 半導体レーザ励起コヒーレント光源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555672A true JPH0555672A (ja) | 1993-03-05 |
| JP3034087B2 JP3034087B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=16667825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21517091A Expired - Fee Related JP3034087B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 半導体レーザ励起コヒーレント光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3034087B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005122094A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 波長変換レーザ装置 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21517091A patent/JP3034087B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005122094A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 波長変換レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3034087B2 (ja) | 2000-04-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |