JP6453844B2 - 円形出力ビーム用の高効率単一パス高調波発生器 - Google Patents
円形出力ビーム用の高効率単一パス高調波発生器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6453844B2 JP6453844B2 JP2016502194A JP2016502194A JP6453844B2 JP 6453844 B2 JP6453844 B2 JP 6453844B2 JP 2016502194 A JP2016502194 A JP 2016502194A JP 2016502194 A JP2016502194 A JP 2016502194A JP 6453844 B2 JP6453844 B2 JP 6453844B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- harmonic
- crystal
- input
- harmonic generation
- fundamental
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 185
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims description 29
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 65
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 46
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 20
- RIUWBIIVUYSTCN-UHFFFAOYSA-N trilithium borate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[O-]B([O-])[O-] RIUWBIIVUYSTCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 7
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- VJPICIAGVDFWEO-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-6,7-dihydro-5h-pyrrolo[3,4-d]pyrimidine Chemical compound ClC1=NC=C2CNCC2=N1 VJPICIAGVDFWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000387 ammonium dihydrogen phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N gallium;gadolinium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Gd+3] ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 235000019837 monoammonium phosphate Nutrition 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- QXTZRWXQGJJYKK-UHFFFAOYSA-N O.[Li].C(=O)O Chemical compound O.[Li].C(=O)O QXTZRWXQGJJYKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- NNAZVIPNYDXXPF-UHFFFAOYSA-N [Li+].[Cs+].OB([O-])[O-] Chemical compound [Li+].[Cs+].OB([O-])[O-] NNAZVIPNYDXXPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVFHPXMGPBXBAE-UHFFFAOYSA-N [Sc].[Gd] Chemical compound [Sc].[Gd] TVFHPXMGPBXBAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOCSSSMOHPPNTG-UHFFFAOYSA-N [Sc].[Y] Chemical compound [Sc].[Y] MOCSSSMOHPPNTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- XBJJRSFLZVLCSE-UHFFFAOYSA-N barium(2+);diborate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] XBJJRSFLZVLCSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 boric acid Potassium aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- VCZFPTGOQQOZGI-UHFFFAOYSA-N lithium bis(oxoboranyloxy)borinate Chemical compound [Li+].[O-]B(OB=O)OB=O VCZFPTGOQQOZGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000402 monopotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019796 monopotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDEDFOKHQXDWGJ-UHFFFAOYSA-N nonacesium triborate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[Cs+].[Cs+].[Cs+].[Cs+].[Cs+].[Cs+].[Cs+].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] IDEDFOKHQXDWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- CCTIOCVIZPCTGO-BYPYZUCNSA-N phosphoarginine Chemical class OC(=O)[C@@H](N)CCCNC(=N)NP(O)(O)=O CCTIOCVIZPCTGO-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- PJNZPQUBCPKICU-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;potassium Chemical compound [K].OP(O)(O)=O PJNZPQUBCPKICU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M potassium dihydrogen phosphate Chemical class [K+].OP(O)([O-])=O GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZBWBYBYOJRDPDE-UHFFFAOYSA-K potassium titanium(4+) phosphate Chemical compound P(=O)([O-])([O-])[O-].[Ti+4].[K+] ZBWBYBYOJRDPDE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GVPLVOGUVQAPNJ-UHFFFAOYSA-M potassium;hydron;trioxido(oxo)-$l^{5}-arsane Chemical compound [K+].O[As](O)([O-])=O GVPLVOGUVQAPNJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- KBAHJOGZLVQNBH-UHFFFAOYSA-K rubidium(1+);phosphate Chemical compound [Rb+].[Rb+].[Rb+].[O-]P([O-])([O-])=O KBAHJOGZLVQNBH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/10084—Frequency control by seeding
- H01S3/10092—Coherent seed, e.g. injection locking
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0092—Nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/10084—Frequency control by seeding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3501—Constructional details or arrangements of non-linear optical devices, e.g. shape of non-linear crystals
- G02F1/3503—Structural association of optical elements, e.g. lenses, with the non-linear optical device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3501—Constructional details or arrangements of non-linear optical devices, e.g. shape of non-linear crystals
- G02F1/3507—Arrangements comprising two or more nonlinear optical devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3501—Constructional details or arrangements of non-linear optical devices, e.g. shape of non-linear crystals
- G02F1/3509—Shape, e.g. shape of end face
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
- G02F1/354—Third or higher harmonic generation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
- G02F1/372—Means for homogenizing the output beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06754—Fibre amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06754—Fibre amplifiers
- H01S3/06758—Tandem amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1666—Solid materials characterised by a crystal matrix borate, carbonate, arsenide
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
Description
本発明は、非線形光学系に係り、特に円形出力ビームを発生させる高調波発生器システムに関する。
波長変換レーザーシステムは、ホウ酸リチウム（ＬＢＯ）等の非線形光学結晶を用いて、光源レーザーが発生させる赤外線入力ビームから、可視波長出力ビームを発生させることが多い。第二次高調波発生（ＳＨＧ，ｓｅｃｏｎｄ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）では、例えば、結晶中で生じる非線形過程が、赤外線入力放射の二つの光子を結合させて、入力赤外線放射の二倍の周波数を有する可視出力放射の光子を生じさせる。第三次高調波発生（ＴＨＧ，ｔｈｉｒｄ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）では、ＳＨＧ出力の光子を赤外線入力の光子と結合させるように位相整合された追加の非線形光学結晶を、第二次高調波発生と組み合わせて、赤外線入力放射の三倍の周波数を有する第三次高調波発生（ＴＨＧ）出力を生じさせる。
ＬＢＯ等の非線形結晶は、異方性屈折率で特徴付けられることが多く、これは、波長変換出力ビームの形状に影響を与える。異方性屈折率は、屈折率が、結晶中の放射の伝播方向及び偏光（偏波）に依存することを意味する。非偏光のビームがこのような結晶に入射すると、ビームは典型的には複屈折を示す。即ち、ビームが二つの偏光ビームに分けられ、それら二つのビームは共線的ではなく、それらの伝播方向はウォークオフ（ｗａｌｋ‐ｏｆｆ）角度と呼ばれる角度で異なる。
ＬＢＯ等の異方性屈折率を有する結晶を第二次高調波発生で使用する場合、ビームにウォークオフが生じる。いずれかの出力ビームが、入力ビームに対してウェークオフ角度で伝播するか、又は、入力ビーム自体が複屈折を受けて、二つのビームに分裂し、その一方がウォークオフ角度で伝播する。ウォークオフのため、出力ビームは歪められ、入力ビームとは異なる形状になる。典型的には、入力ビームが円形であり、出力ビームが楕円形である。
市販の第三次高調波システムは以下の特性のうち全て又はほとんどを有することが好ましい。このようなシステムは信頼性のあるものであり、数千時間の無干渉動作を提供すること。モードクオリティ、ビームポインティング、ビーム位置等の出力パラメータは、長期間にわたって一定又はほぼ一定のままであること。このようなシステムが発生させる第三次高調波ビームが円形であること。ビームが最小の非対称性、例えば略１５％未満の非対称性を有すること。ビームが最小の非点収差、典型的にはレイリー長の２０％未満の非点収差を有すること。ビームが、回折限界ガウスビームに近く、典型的にはＭ２＜１．３であること。出力ビームのスペクトルに混じりけがなく、つまり、残存している基本光及び第二次高調波の光が、第三次高調波パワーの１％未満であること。システムが、略３０％よりも高い、好ましくは略４０％よりも高い効率で、基本放射を第三次高調波に変換すること。第三次高調波発生の光学配置が、簡単に最適化され、比較的単純な光学部品を含むこと。システムが、多様な動作範囲のパルス繰り返し周期及びパルス幅にわたって柔軟に動作すること。
また、第三次高調波出力が高パワーのものであり、少なくとも、大きな体積の物質を効率的に処理する適度なエネルギーパルスを有することも望ましい。例えば、平均パワーは、１Ｗよりも高く、好ましくは１０Ｗよりも高く、更に高いパワーに及ぶ可能性を有する。パルスエネルギーは、略１マイクロジュール（μＪ）よりも大きく、好ましくは１０μＪよりも大きく、更に高いパルスエネルギーに及ぶ可能性を有する。
現状では、これらの市販上の要求を全て満たすような既存の解決策は存在せず、顧客に妥協を強いていて、第三次高調波システムの応用を制限している。
第三次高調波発生の多くの従来技術は、キャビティ内（イントラキャビティ，ｉｎｔｒａ‐ｃａｖｉｔｙ）システムに取り組んでいる。キャビティ内システムでは、第三次高調波発生は、二つの反射性表面によって画定された共鳴キャビティ内で生じる。レーザーシステム用の光学利得媒体が、一つ以上の非線形光学結晶と共に、キャビティ内に配置される。光学利得媒体は、非線形光学結晶内で周波数変換を受ける基本放射を発生させる。
Ｗｉｌｌｉａｍ Ｇｒｏｓｓｍａｎの特許文献１には、タイプ１（Ｔｙｐｅ‐Ｉ）の第二次高調波発生（ＳＨＧ）結晶と、レーザーキャビティ内でこれに続くタイプ２（Ｔｙｐｅ‐ＩＩ）の第三次高調波発生（ＴＨＧ）結晶が開示されている。この文献には、ホウ酸リチウム（ＬＢＯ）の非線形結晶を用いた第三次高調波のキャビティ内発生について説明されていて、その出力面は、基本ビーム及び第三次高調波ビームに対して厳密にブリュースター角にある。このシステムでは、出力面は、基本ビームに対してブリュースター角になければならない。そうでなければ、基本キャビティが更なる損失を受けることになってしまう。ブリュースター表面は三つの機能を提供する。第一に、ブリュースター表面は、角度の付けられた界面での分散から、基本ビーム、第二次高調波ビーム、及び第三次高調波ビームの波長分離を提供する。第二に、ブリュースター表面は、赤外線（ＩＲ）及び紫外線（ＵＶ）に対してほぼゼロの損失を提供する。第三に、ブリュースター表面は、損傷閾値の高い表面である。残念ながら、特許文献１のシステムは、楕円形の入力ビームを必要とし、高い単一パス（ｓｉｎｇｌｅ‐ｐａｓｓ）変換効率を提供しない。低い単一パス変換効率は、Ｑスイッチキャビティ内高調波発生では問題とならない。何故ならば、基本ビームが共鳴キャビティ内を再循環するからである。更に、このシステムは、キャビティ内においてのみ効率的に動作するものであり、Ｑスイッチレーザーは、狭い範囲の動作パラメータにおいてのみ動作するので、柔軟性がない。
非常に大きく円形の入力基本ビームについて、低効率の限界においては、ブリュースター・ブリュースター設計（つまり、非線形結晶の入力面及び出力面の両方がブリュースター角の面であるもの）が、円形のＵＶビームを発生させる。これは、特許文献１に記載されているシステムの実質的な動作点である。ブリュースター・ブリュースター設計は、キャビティ内三重システムにおいては有用なものであるが、その単一パス変換効率は、キャビティ外高調波発生にとって低過ぎる。
他の例が特許文献２に記載されている。この特許文献では、第三次高調波結晶の出射面に、概してブリュースター角よりも小さな楔を形成することを検討している。この設計も、キャビティ内高調波発生システム用のものである。キャビティ外設計は、効率的な高調波発生について、キャビティ内設計よりも強い非結晶結晶への入力ビームの集束を必要とする。
特許文献３には、ブリュースター角の出力面が形成されたキャビティ外第三次高調波非線形結晶が記載されている。代替的に、このようなシステムを、垂直又はほぼ垂直な入射出力面における反射を減らすのに適したコーティングを用いて形成することもできる。しかしながら、顕著なフラックスの紫外線放射を受ける表面にこのようなコーティングを設けることは望ましくない。
こうした背景に鑑み、本発明の実施形態が生じたものである。
本開示の態様は、非線形結晶の出力面に対する傾斜した入射角を用いて、単一パスのキャビティ外（ｅｘｔｒａ‐ｃａｖｉｔｙ，エクストラキャビティ）の光学配置で、円形であり非点収差のない第三次高調波出力ビームを効率的に発生させることができる装置を対象としている。
キャビティ外高調波発生器システムは、公称円形であり非点収差のない回折限界の入力基本ビームから、円形であり非点収差のない第三次高調波出力ビームを発生させるように構成され得る。このシステムは、第二次高調波発生（ＳＨＧ）結晶及び第三次高調波発生（ＴＨＧ）結晶を備え得る。ＳＨＧ結晶は、入力基本ビームから第二次高調波ビームを発生させるように構成される。ＴＨＧ結晶は、ＳＨＧ結晶からの第二次高調波ビーム及び残存基本ビームから第三次高調波ビームを発生させるように構成される。ＳＨＧ結晶は、入力基本ビームに対して或る入射角に向けられた入力面を有する。基本ビームのサイズは、入力面においてＳＨＧ結晶の非ウォークオフ方向に拡大される。ＴＨＧ結晶は、ＴＨＧ結晶の非ウォークオフ方向に傾斜した入射角に向けられた出力面を有して、第三次高調波ビームのサイズがこの方向において縮小されるようにする。ＳＨＧ結晶の入力面における入力基本ビームの拡大は、ＴＨＧ結晶の出力面における第三次高調波ビームの縮小よりも強力である。
このコンセプトは、より高次の高調波、例えば第四次以上の高調波の発生を含む高調波発生システムに拡張可能である。
本発明の教示は、添付図面を参照して以下の詳細な説明を考慮することによって理解可能なものである。
以下の詳細な説明は、例示目的で多くの具体的な細部を含むが、当業者には、以下の細部に対する多くの変更例及び代替例が本発明の範囲内にあることは明らかである。従って、以下説明される本発明の実施形態は、特許請求される発明に対して何ら一般性を損なうことなく、また、特許請求される発明に対して何ら制限を課すことなく、与えられる。
以下の詳細な説明においては図面を参照するが、それら図面は詳細な説明の一部を成し、また本発明を実施可能にする例示的で具体的な実施形態によって示される。この点に関して、“頂部”、“底部”、“前”、“後”、“先頭”、“末尾”等の方向に関する用語は、説明される図面に関して用いられている。本発明の実施形態の部品は、多様な向きで配置可能であるので、方向に関する用語は例示目的で使用されるものであって、限定的なものではない。本発明の範囲から逸脱せずに、他の実施形態も利用可能であり、構造の変更や論理の変更が為され得ることを理解されたい。従って、以下の詳細な説明は、限定的なものとして捉えられるものではなく、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって定められるものである。
また、濃度、量、他の数値データは、本願において範囲の形式で与えられ得る。このような範囲の形式は、単に利便性及び簡潔性のために用いられているものであって、範囲の限界として明示的に記載されている数値だけではなく、その範囲内に含まれる全ての個々の値、サブ範囲も、そうした数値及び範囲が明示的に記載されているものとして柔軟に解釈されるものである。例えば、略１ｎｍから略２００ｎｍの厚さ範囲は、略１ｎｍ及び略２００ｎｍという明示的に記載された限界だけではなく、２ｎｍ、３ｎｍ、４ｎｍ等の各値（これらに限定されるものではない）や、１０ｎｍから５０ｎｍ、２０ｎｍから１００ｎｍ等のサブ範囲も含まれるものと解釈される。
［用語集］
次のとおり用語を定義する。
次のとおり用語を定義する。
非点収差とは、二つの垂直な平面内において光学系を伝播する光線が異なる焦点を有するという光学収差を称する。非点収差ビームは、ｙ方向のウエストとは異なる位置においてｘ軸方向のウエストに達する（“ウエスト”との用語については以下で定義する）。光ビームが、位置Ｚｘにおいてｘウエスト半径ｗ０ｘを有し、位置Ｚｙにおいてｙウエスト半径ｗ０ｙを有する場合、非点収差Ａは、ウエストの位置間の差をウエストの平均レイリー範囲で割ったものとして定義される：
ここで、
は平均レイリー範囲である：
ビームスプリッターとは、光ビームを二つ以上に分割することができる光学デバイスを称する。
キャビティ又は光学共鳴キャビティとは、光が往復又は循環することができる二つ以上の反射面によって画定される光学経路を称する。その光学経路と交差する物体は、キャビティ内にあると言われる。
連続波（ＣＷ，ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｗａｖｅ）レーザーとは、パルスレーザーのような短いバーストではなくて、連続的に放射を放出するレーザーを称する。
ダイオードレーザーとは、誘導放出を用いてコヒーレントな光出力を発生させるように設計された発光ダイオードを称する。ダイオードレーザーは、レーザーダイオードや半導体レーザーとしても知られている。
ダイオードポンプレーザーとは、ダイオードレーザーによってポンピングされる利得媒体を有するレーザーを称する。
利得とは、一点から増幅器を介して他の点に伝達される信号の強度、パワー、又はパルスエネルギーの増大を称する。“不飽和利得”との用語は、増幅器を通るが、増幅器の反転レベルを顕著に変化させない小信号の増大を称する。本願において、利得と不飽和利得とは相互可換に用いられる。
利得媒体とは、レーザーに関して後述するように、光学利得を発生させることができる物質を称する。
ガーネットとは、特定の分類の酸化物結晶を称し、例えば、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）、ガドリニウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）、ガドリニウムスカンジウムガリウムガーネット（ＧＳＧＧ）、イットリウムスカンジウムガリウムガーネット（ＹＳＧＧ）等が挙げられる。
赤外線とは、略７００ナノメートル（ｎｍ）から略１０００００ｎｍの間の真空波長を特徴とする電磁放射を称する。
レーザー（ｌａｓｅｒ）とは、ｌｉｇｈｔ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｂｙ ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｏｆ ｒａｄｉａｔｉｏｎ（放射の誘導放出による光増幅）の頭字語である。レーザーは、キャビティであり、つまりレーザー発振可能な物質を含む。これは、その原子が、ポンピング、例えば光や放電によって準安定状態に励起可能なあらゆる物質（結晶、ガラス、液体、半導体、染料、気体）である。物質が基底状態に戻ると、準安定状態から光を放出する。光の放出は、通過する光子の存在によって誘導され、放出された光子が、誘導する光子と同じ位相及び方向を有するようにする。光（ここでは、誘導された放射と称される）は、キャビティ内で発振して、キャビティから放出される部分が、出力ビームを形成する。
光： 本願において、“光”との用語は、赤外線から紫外線までの周波数範囲の電磁放射を一般的に称し、略１ナノメートル（１０−９メートル）から略１００マイクロメートルの真空波長範囲にほぼ対応する。
Ｍ２とは、ビーム品質の尺度である。全ての光ビームは、そのウエスト半径ｗ０、発散半角θ、波長λから計算可能なＭ２を有する。Ｍ２の値は、以下の通りである：
Ｍ２＝πｗ０θ／λ
Ｍ２＝πｗ０θ／λ
一つの横モードのみを有するビーム、つまり完全なガウスビームでは、Ｍ２＝１である。多重モードビームでは、Ｍ２＞１である。ビームが完全なガウスビームに近いと許容されるためには、Ｍ２＜１．３であることが典型的には要される。
非線形効果とは、或る分類の光学現象を称し、典型的には、レーザーが生じさせるもののようなほぼ単色で指向性の光ビームでのみ観測可能である。高調波発生（例えば、第二次高調波発生、第三次高調波発生、第四次高調波発生）、光パラメトリック発振、和周波発生、差周波発生、光パラメトリック増幅、誘導ラマン効果が、非線形効果の例である。
非線形光学波長変換過程は、非線形光学過程であり、非線形媒体を通過する所定の真空波長λ０の入力光が、入力光とは異なる真空波長を有する出力光を生じさせるように媒体及び／又はその媒体を通過する他の光と相互作用する過程である。非線形波長変換は、非線形周波数変換と等価である。何故ならば、これら二つの値は、光の真空速度に関係しているからである。これらの用語は相互可換に使用され得る。非線形光学波長変換として以下のものが挙げられる：
高次高調波発生（ＨＨＧ，ｈｉｇｈｅｒ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）、例えば、第二次高調波発生（ＳＨＧ）、第三次高調波発生（ＴＨＧ）、第四次高調波発生（ＦＨＧ，ｆｏｕｒｔｈ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）等。高調波発生では、入力光の二つ以上の光子が、周波数Ｎｆ０の出力光の光子を生じさせるように相互作用する。ここで、Ｎは、相互作用する光子の数であり、例えば、ＳＨＧでは、Ｎ＝２である；
和周波発生（ＳＦＧ，ｓｕｍ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）。和周波発生では、周波数ｆ１の入力光の光子が、周波数ｆ２の他の入力光の光子と相互作用して、周波数ｆ１＋ｆ２を有する出力光の光子を生じさせる；
差周波発生（ＤＦＧ，ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）。差周波発生では、周波数ｆ１の入力光の光子が、周波数ｆ２の他の入力光の光子と相互作用して、周波数ｆ１−ｆ２を有する出力光の光子を生じさせる。
高次高調波発生（ＨＨＧ，ｈｉｇｈｅｒ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）、例えば、第二次高調波発生（ＳＨＧ）、第三次高調波発生（ＴＨＧ）、第四次高調波発生（ＦＨＧ，ｆｏｕｒｔｈ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）等。高調波発生では、入力光の二つ以上の光子が、周波数Ｎｆ０の出力光の光子を生じさせるように相互作用する。ここで、Ｎは、相互作用する光子の数であり、例えば、ＳＨＧでは、Ｎ＝２である；
和周波発生（ＳＦＧ，ｓｕｍ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）。和周波発生では、周波数ｆ１の入力光の光子が、周波数ｆ２の他の入力光の光子と相互作用して、周波数ｆ１＋ｆ２を有する出力光の光子を生じさせる；
差周波発生（ＤＦＧ，ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）。差周波発生では、周波数ｆ１の入力光の光子が、周波数ｆ２の他の入力光の光子と相互作用して、周波数ｆ１−ｆ２を有する出力光の光子を生じさせる。
非線形結晶の例として、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、三ホウ酸リチウム（ＬＢＯ）、β‐ホウ酸バリウム（ＢＢＯ）、ホウ酸セシウムリチウム（ＣＬＢＯ）、タンタル酸リチウム、化学量論的タンタル酸リチウム（ＳＬＴ）、チタンリン酸カリウム（ＫＴｉＯＰＯ４、ＫＴＰとも称される）、ヒ酸二水素アンモニウム（ＡＤＡ）、リン酸二水素アンモニウム（ＡＤＰ）、三ホウ酸セシウム（ＣｓＢ３Ｏ５、ＣＢＯ）、重水素化ヒ酸二水素アンモニウム（ＤＡＤＡ）、重水素化リン酸二水素アンモニウム（ＤＡＤＰ）、重水素化アルギニンリン酸（ＤＬＡＰ）、リン酸二重水素ルビジウム（ＲｂＤ２ＰＯ４、ＤＲＤＰ）、ホウ酸カリウムアルミニウム（ＫＡＢＯ）、ヒ酸二水素カリウム（ＫＤＡ）、リン酸二水素カリウム（ＫＤＰ）、重水素化リン酸二水素カリウム（ＫＤ２ＰＯ４、ＤＫＤＰ）、Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７（ＬＢ４）、ギ酸リチウム一水和物（ＬＦＭ）、これらの同形、また、周期的分極物質、例えば、周期的分極ニオブ酸リチウム（ＰＰＬＮ）、周期的分極タンタル酸リチウム、周期的分極化学量論的タンタル酸リチウム（ＰＰＳＬＴ）等が挙げられるが、これらに限定されない。光ファイバーも、そのファイバーに微細構造を形成することによって、光学放射に対する非線形応答を有するようにすることができる。
光増幅器とは、入力光信号のパワーを増幅する装置を称する。光増幅器は、放射をポンピングすることによって機能する利得媒体を利用する点においてレーザーに類似する。増幅器は、一般的にフィードバック（つまり、キャビティ）を欠くので、利得を有するが発振しない。本願において、光パワー増幅器とは、一般的に、ターゲット又は波長変換器に増幅したビームを届ける前の最後の光増幅器を称する。放射源とパワー増幅器との間の増幅段は、本願において一般的に、前置増幅器と称される。
位相整合とは、多重波非線形光学過程において使用される方法を称し、波と波との間のエネルギーのコヒーレント伝達が可能な距離を増強する。例えば、三波過程は、ｋ１＋ｋ２＝ｋ３の時に位相整合していると言われ、ここで、ｋｉは、その過程に関わるｉ番目の波の波数ベクトルである。例えば、周波数倍増では、その過程は、基本位相速度と第二次高調波位相速度が整合している時に最も効率的である。典型的には、位相整合条件は、光波長、偏光状態、非線形物質中での伝播方向を注意深く選択することによって、達成される。
パルスエネルギーとは、パルスのエネルギー量を称する。パルスエネルギーは、瞬間的なパルスパワーをパルス周期にわたって積分することによって計算可能である。
パルス周期（Ｔ）とは、二つ以上のパルスの列における連続したパルスの等価な点と点との間の時間を称する。
パルス繰り返し周波数（ＰＲＦ，ｐｕｌｓｅ ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）とは、単位時間当たりのパルスの繰り返し率を称する。ＰＲＦは、周期Ｔに反比例していて、例えば、ＰＲＦ＝１／Ｔである。
Ｑとは、共振器（キャビティ）の性能指数であり、（２π）×（共振器に蓄えられた平均エネルギー）／（サイクル当たりに散逸するエネルギー）として定義される。光共振器の表面の反射性が高くて、また、吸収損失が低いほど、Ｑが高くなり、また、所望のモードからのエネルギー損失が低くなる。
Ｑスイッチとは、光共振器のＱを高速変化させるのに使用されるデバイスを称する。
Ｑスイッチレーザーとは、レーザーキャビティにおいてＱスイッチを使用して、高レベルの反転（光学利得及びエネルギー貯蔵）がレーザー発振媒体において達成されるまで、レーザー発振を抑えるレーザーを称する。例えば、音響光学変調器、電気光学変調器、又は可飽和吸収体を用いて、スイッチがキャビティのＱを高速で増大される場合、ジャイアントパルスが発生する。
準ＣＷとは、連続的に見えるのに十分高い繰り返し率で一連のパルスを発生させることを称する。
準位相整合（ＱＰＭ，ｑｕａｓｉ ｐｈａｓｅ‐ｍａｔｃｈｅｄ）物質： 準位相整合物質内では、基本放射及び高調波放射が、物質の非線形係数の符号を周期的に変化させることによって位相整合される。符号変化の周期（ｋＱＰＭ）は、位相整合の式に追加の項を加えて、ｋＱＰＭ＋ｋ１＋ｋ２＝ｋ３となる。ＱＰＭ物質では、基本波及び高調波は、同一の偏光を有し得て、効率を改善させることが多い。準位相整合物質の例として、周期的分極タンタル酸リチウム（ＰＰＬＴ）、周期的分極ニオブ酸リチウム（ＰＰＬＮ）、周期的分極化学量論的タンタル酸リチウム（ＰＰＳＬＴ）、周期的分極チタンリン酸カリウム（ＰＰＫＴＰ）、周期的分極微細構造化ガラスファイバーが挙げられる。
紫外線（ＵＶ，ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）放射とは、可視領域の真空波長よりは短いが、軟Ｘ線の真空波長よりは長い真空波長を特徴とする電磁放射を称する。紫外線放射は、以下の波長範囲に更に細分化され得る：略３８０ｎｍから略２００ｎｍの近紫外線； 略２００ｎｍから略１０ｎｍの遠（ｆａｒ）紫外線又は真空（ｖａｃｕｕｍ）紫外線（ＦＵＶ又はＶＵＶ）； 略１ｎｍから略３１ｎｍの極（ｅｘｔｒｅｍｅ）紫外線（ＥＵＶ又はＸＵＶ）。
真空波長： 一般的に、電磁放射の波長は、波が伝播する媒体の関数である。真空波長は、所定の周波数の電磁放射が真空中を伝播する場合に有する波長であり、真空中の光速を周波数で割ることによって得られる。
ウエスト： ガウス光学系において一般的なように、ビームのウエストｗとは、その最小点、つまり焦点（集束点）におけるビームの半径を称する。ビームの半径は、ビームの中心と、その中心での値の１／ｅ２に強度が落ちる点との間の距離として定義される。ビームが円形ではない場合、一般的には、ｗｘとｗｙという二つのウエスト、又はウエスト半径について言及され、これらは、楕円ガウシアンにビームをフィッティングして、長軸及び短軸に沿った１／ｅ２の距離を抽出することによって得られる。特定の方向に沿った（例えば、ｘ軸に沿った）ビームの直径又は幅は、ウエストの値の二倍であり、直径＝２ｗとなる。
［導入］
図１は、第三次高調波発生に使用される典型的な光学設定の概略を示す。基本ビーム２０９が、基本集束レンズ２０３を通過して集束される。第二次高調波（ＳＨ）結晶２０２が、基本ビーム焦点に又はその近傍に配置される。ＳＨ結晶２０２は、入射基本ビームの一部を第二次高調波に変換する。例えば、基本ビームが１０６４ｎｍの場合、適切に形成され向けられた第二次高調波結晶はＬＢＯであり得る。結果としての第二次高調波は５３２ｎｍの波長を有する。残存基本ビーム２０９’及び第二次高調波ビーム３２３は、ＳＨ結晶２０２の出力面２０６から出射する。出射する基本ビーム２０９’は、そのパワーの一部が第二次高調波ビーム３２３に変換されているので、入射基本ビーム２０９よりも低いパワーを有する。第二次高調波ビーム３２３は、基本ビーム２０９’の光周波数の二倍に等しい周波数を有する。換言すると、第二次高調波ビームは、基本ビーム２０９’の真空波長の半分である真空波長を有する。これら両方のビームは、リレーレンズ２０５を通過して集束される。
図１は、第三次高調波発生に使用される典型的な光学設定の概略を示す。基本ビーム２０９が、基本集束レンズ２０３を通過して集束される。第二次高調波（ＳＨ）結晶２０２が、基本ビーム焦点に又はその近傍に配置される。ＳＨ結晶２０２は、入射基本ビームの一部を第二次高調波に変換する。例えば、基本ビームが１０６４ｎｍの場合、適切に形成され向けられた第二次高調波結晶はＬＢＯであり得る。結果としての第二次高調波は５３２ｎｍの波長を有する。残存基本ビーム２０９’及び第二次高調波ビーム３２３は、ＳＨ結晶２０２の出力面２０６から出射する。出射する基本ビーム２０９’は、そのパワーの一部が第二次高調波ビーム３２３に変換されているので、入射基本ビーム２０９よりも低いパワーを有する。第二次高調波ビーム３２３は、基本ビーム２０９’の光周波数の二倍に等しい周波数を有する。換言すると、第二次高調波ビームは、基本ビーム２０９’の真空波長の半分である真空波長を有する。これら両方のビームは、リレーレンズ２０５を通過して集束される。
第三次高調波（ＴＨ）結晶３０２は、基本ビーム及び第二次高調波ビームの焦点に、又はその近傍に配置される。ビームは、ＴＨ結晶３０２内において少なくとも部分的に重なる。ＴＨ結晶３０２は、基本ビーム２０９’及び第二次高調波ビーム３２３の混合ビームを第三次高調波ビーム３２５に変換する。第三次高調波ビーム３２５は、基本ビームの周波数と第二次高調波ビーム３２３の周波数の和に等しい光周波数を有する。例えば、基本ビームが１０６４ｎｍの真空波長で、第二次高調波ビームが５３２ｎｍの真空波長の場合、適切に形成され向けられた第三次高調波結晶はＬＢＯであり得る。結果としての第三次高調波ビーム３２５は、３５５ｎｍの真空波長を有する。
基本ビーム２０９’’、残存第二次高調波ビーム３２３’、第三次高調波ビーム３２５という三つの異なる波長のビームが、ＴＨ結晶３０２の出力面３０６から出射する。簡単のため、図１では、ビームが空間的にずらした複数の線で示されているが、実際には、ビームは、有限の空間的広がりを有しており、空間的に重なり得る。
図１は、基本的な第三次高調波発生システムを示しているが、多様な変更が考えられる。例えば、ＳＨ結晶及びＴＨ結晶は、平行六面体やプリズムとして形成可能である。また、ビームは、斜角で結晶面に入射して、また出射し得る。代わりのタイプの集束素子、例えば、湾曲ミラーを、レンズの代わりに用いて、ビームを集束させ得る。
多くの因子が、第三次高調波ビームの形状及び変換効率に影響を与える。こうした因子として以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない：
ｉ）基本ビームの横モード特性
ｉｉ）基本ビームのピークパワー
ｉｉｉ）基本ビームのスペクトル幅
ｉｖ）ＳＨＧ結晶内への集束条件
ｖ）ＴＨＧ結晶内への集束条件
ｖｉ）ＳＨＧ結晶の入力角度及び出力角度
ｖｉｉ）ＴＨＧ結晶の入力角度及び出力角度
ｖｉｉｉ）ＳＨＧ結晶の長さ
ｉｘ）ＴＨＧ結晶の長さ
ｘ）ＳＨＧ中でのポインティングベクトルのウォークオフ
ｘｉ）ＴＨＧ中でのポインティングベクトルのウォークオフ
ｉ）基本ビームの横モード特性
ｉｉ）基本ビームのピークパワー
ｉｉｉ）基本ビームのスペクトル幅
ｉｖ）ＳＨＧ結晶内への集束条件
ｖ）ＴＨＧ結晶内への集束条件
ｖｉ）ＳＨＧ結晶の入力角度及び出力角度
ｖｉｉ）ＴＨＧ結晶の入力角度及び出力角度
ｖｉｉｉ）ＳＨＧ結晶の長さ
ｉｘ）ＴＨＧ結晶の長さ
ｘ）ＳＨＧ中でのポインティングベクトルのウォークオフ
ｘｉ）ＴＨＧ中でのポインティングベクトルのウォークオフ
一般的に、効率的な変換効率と、円形の第三次高調波ビームの発生との間にはトレードオフがある。効率的な変換は、高いビーム強度を要し、これは、強いビーム集束と、長いＳＨＧ結晶及びＴＨＧ結晶とを要する。強い集束及び長い結晶は、ポインティングベクトルのウォークオフに悪影響を及ぼし、ウォークオフ方向においてビームを引き伸ばして変形させる。また、略３０％を超える変換効率では、ポンプの欠乏が、ビーム形状を歪めて、変換効率を制限し得る。
高強度の領域は、低強度の領域よりも多くの部分のパワーを高調波に変換する。更に、結晶中での強い集束は、結晶面での高強度を生じさせ、これは、その面における壊滅的な光学的損傷の可能性を高める。これは、ＴＨＧ結晶の出力面においては特に問題となる。何故ならば、この表面が、高強度の第三次高調波ビームを受けるからである。
本開示は、広範な動作条件にわたって、最低限の光学部品を用いて、高い単一パス変換効率と、円形でほぼ回折限界の出力ビームとを同時に生じさせる革新的な光高調波発生システムを説明する。
本開示の態様は、参照として本願に組み込まれる特許文献４、特許文献５、特許文献６及び特許文献７に記載されているようなシードファイバー増幅源（ｓｅｅｄｅｄ，ｆｉｂｅｒ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ ｓｏｕｒｃｅ）での使用に特に適している。
［光高調波発生器］
図２Ａは、本開示の態様に係る光高調波発生器２００の配置を概略的に示す。集束レンズが、Ｍ２＜１．２及び最小の非点収差で、入力基本放射を、円形でほぼ回折限界の入力基本ビーム２０９に集束する。例えば、非点収差は１０％未満であり得る。
図２Ａは、本開示の態様に係る光高調波発生器２００の配置を概略的に示す。集束レンズが、Ｍ２＜１．２及び最小の非点収差で、入力基本放射を、円形でほぼ回折限界の入力基本ビーム２０９に集束する。例えば、非点収差は１０％未満であり得る。
入力基本ビーム２０９は、基本集束レンズ２０３によってＳＨＧ結晶２０２に集束される。ＳＨＧ結晶２０２は、基本波を基本放射の第二次高調波に位相整合させるように形成され向けられる。ＳＨＧ結晶２０２の入力面２０４は、入力基本ビーム２０９が傾斜入射角θｉでこの面に入射して、一つの軸においてビームサイズを広げるように向けられる。拡大比（Ｒ）は、Ｒ＝ｃｏｓθ ｔ ／ｃｏｓθ ｉ との表現で与えられ、ここで、θ ｔ は伝達角度である。従来通り、これらの角度は、ＳＨＧ結晶２０２の入力面２０４に垂直な方向に対して測定される。これらの角度は、ｎｉｓｉｎθｉ＝ｎｔｓｉｎθｔとしてスネルの法則に関係し、ここで、ｎｉは入射媒体の屈折率であり（例えば、ｎｉは真空では１に等しく、空気中では１にほぼ等しい）、ｎｔはＳＨＧ結晶２０２の屈折率である。
図３に示されるグラフは、屈折率ｎｔが１．６（ほぼＬＢＯの屈折率である）の物質について入射角θｉの関数として拡大比Ｒをプロットする。入射角θｉは、ブリュースター角θＢ＝ａｒｃｔａｎ（ｎｔ／ｎｉ）又はその近傍になるように選択され得る。非限定的な一例として、ＳＨＧ結晶の入力面は、入力基本ビーム２０９に対してブリュースター角の略５度以内にあるように向けられる（つまり、θｉは、ＳＨＧ結晶のブリュースター角の略５度以内である）。当業者には周知のように、光がブリュースター角θｉで界面に入射する場合、界面から反射される光はｓ偏光に偏光される（つまり、入射平面に垂直な方向に偏光される）。これは、図４のグラフに示されるように、コーティングされていない表面について“ｐ”偏光の入射光（つまり、入射平面に平行に偏光した光）の反射損失を最少にする。入射角θｉがブリュースター角に設定されると、拡大比Ｒは、単純にＳＨＧ結晶の屈折率であり、例えば、ＬＢＯについて略１．６である。
ＳＨＧ結晶２０２の入力面２０４の向きは、入力面２０２におけるビームの拡大方向が、ＳＨＧ結晶２０２における非ウォークオフ方向に沿った向きとなるように選択される。
非対称なビーム拡大によって基本ビームに生じる非点収差は、基本ビームの焦点に対してＳＨＧ結晶２０２を位置決めすることによって容易に制御可能である。例えば、入力面２０４がちょうどウエストに配置されると、その拡大は非点収差を発生させない。代わりに、ウエストがＳＨＧ結晶２０２内にシフトされると、発生する非点収差は、拡大されない方向におけるウエストよりも、入力面から離れていく拡大方向におけるウエストと共に単調増加する。ＳＨＧ結晶２０２の前にウエストを配置すると、逆の非点収差が発生し、つまり、発生する非点収差は、拡大方向におけるウエストよりも、入力面から離れていく非拡大方向におけるウエストと共に単調増加する。
重要なのは、ＳＨＧ結晶の入力面２０４に対する基本ビームのウエストの位置の単純な調整によって、基本ビームの非点収差が簡単に制御可能であるという点である。ビームウエストの調整は拡大比にあまり影響しない。拡大比は、ＳＨＧ結晶の入力面２０４に対する入力基本ビーム２０９の入射角θｉによって主に制御される。この角度は、結晶の形成によって制御される。例えば、ＳＨＧ結晶内での典型的なビームウエストサイズが、強い集束方向において略６０マイクロメートルとなり、ウォークオフ方向において略１００マイクロメートルとなるように、角度が制御され得る。典型的な拡大比は、１．５：１から２．５：１の範囲内である。
残存基本ビーム２０９’及び第二次高調波ビーム（図示せず）は、出力面２０６からＳＨＧ結晶２０２を出て行く。この面は、公称垂直入射用に形成されて整列される。厳密な入射角は重要ではない。垂直から数度ずれ得る角度でビームが入射するように出力面２０６を向けて、後方反射を減らし得る。ＳＨＧ結晶２０２の出力面２０６は、反射防止コーティングされ得て、後方反射を減らし、出力パワーを最大にする。コーティングは、出射基本ビーム２０９’及び第二次高調波ビームの両方に対して低い反射率を有することが有利となり得る。
基本ビーム及び第二次高調波ビームは、リレーレンズ２０５又は他の光学集束素子（例えば、集束ミラー）を通過して集束され得る。有利には、集束システムは、第二次高調波結晶内におけるビームウエスト形状が、第三次高調波発生（ＴＨＧ）結晶３０２内において所定の倍率で再現されるように設計され得る。これを達成するための方法が少なくとも二つ考えられる。一つの方法では、第二次高調波結晶から出射するビームの遠距離場に存在するように配置された単一のリレーレンズ２０５を用いる。遠距離場は、その距離が、第二次高調波結晶中の最大ウエストに対応するレイリー長の略五倍よりも大きいことを意味する。例えば、第二次高調波結晶内での基本ビームの最大ウエストサイズが１２０マイクロメートルであり、波長が１０６４ｎｍである場合、レイリー長は略４２．６ｍｍである。ウエストとリレーレンズの間隔は、略２００ｍｍよりも大きいことが望ましい。倍率は、レンズの両側における距離の比で近似され、１／ｆ＝１／ｄ１＋１／ｄ２であり、ここで、ｆは、レンズの焦点距離、ｄ１は、レンズと第二次高調波結晶中又はその近傍でのウエストとの間の距離であり、ｄ２は、レンズと第三次高調波結晶中又はその近傍でのウエストとの間の距離である。
図２Ｂに示される第二の方法では、焦点距離ｆ１の第一のレンズ２０５Ａと、焦点距離ｆ２の第二のレンズ２０５ｂを使用する。第一のレンズ２０５Ａは、第二次高調波結晶中のウエストから略ｆの距離に配置される。第二のレンズ２０５Ｂは、第一のレンズ２０５Ａから略ｆ１＋ｆ２の距離に配置される。第二のレンズ２０５Ｂによって生じるウエストは、レンズからの距離ｆ２である。倍率は、ｆ２／ｆ１の比に略等しい。
一部実施形態では、ＳＨＧ結晶の出力面２０６がＴＨＧ結晶の入力面３０４に十分近い場合、ＳＨＧ結晶２０２とＴＨＧ結晶３０２との間のリレーレンズが完全に省略され得る。
第二次高調波ビーム及び残存基本ビーム２０９’の焦点は、ＴＨＧ結晶３０２の中又はその近傍にある。ＴＨＧ結晶３０２の前面３０４は、公称垂直入射用に形成され整列される。この場合も、厳密な入射角は重要ではない。更に、ビームが垂直から数度ずれ得るようにＴＨＧ結晶３０２が構成され得て、後方反射の影響を減らす。ＴＨＧ結晶３０２の前面は、反射防止コーティングされ得て、後方反射を減らし、出力パワーを最大にする。有利には、このようなコーティングは、基本波長及び第二次高調波波長の両方に対して低い反射率を有し得る。集束した基本スポットのサイズは、ＳＨＧ結晶２０２内で集束した基本スポットのサイズと同様のものである。
ＴＨＧ結晶３０２は、第三次高調波発生のために基本ビーム及び第二次高調波ビームを位相整合するように形成され向けられる。また、Ｐｉｅｔｅｒｓｅの特許文献８に記載されているように、基本ビーム及び第二次高調波ビームが結晶中を進むにつれて、互いに“ウォークオン（ｗａｌｋ‐ｏｎ）”するように、ＴＨＧ結晶３０２が向けられ得る。これは、ＴＨＧ結晶３０２中における基本ビーム及び第二次高調波ビームの重なりを最大にすることによって、変換効率を最大にする。
ＴＨＧ結晶３０２の出力面３０６は、ビーム２０９”、３２５が傾斜入射角で入射するように形成される。入射角は以下の五つの基準を用いて選択され得る：
（ｉ）第三次高調波の反射が十分に低いこと、例えば５％未満；
（ｉｉ）分散によるビームの角度分離が、基本ビーム及び第二次高調波ビームから第三次高調波を空間的にフィルタリングするのに十分であること。非限定的な一例では、フィルタリングの典型的な基準は、ビーム間の角度分離がビーム発散（広がり）の少なくとも二倍であることである；
（ｉｉｉ）出力面を通過する第三次高調波ビームが受ける縮小が、ウォークオフ方向及び非ウォークオフ方向において略等しいウエストサイズを生じさせることができること；
（ｉｖ）出力面によって生じる非点収差が、それまでのビームの非点収差をほぼ打ち消すように選択され得て、出射第三次高調波ビームの見掛けのウエスト位置がウォークオフ方向及び非ウォークオフ方向においてほぼ等しいようにすること；
（ｖ）好ましくは、出力面が光学損傷に対してロバストであり、長寿命の動作を生じさせること。
（ｉ）第三次高調波の反射が十分に低いこと、例えば５％未満；
（ｉｉ）分散によるビームの角度分離が、基本ビーム及び第二次高調波ビームから第三次高調波を空間的にフィルタリングするのに十分であること。非限定的な一例では、フィルタリングの典型的な基準は、ビーム間の角度分離がビーム発散（広がり）の少なくとも二倍であることである；
（ｉｉｉ）出力面を通過する第三次高調波ビームが受ける縮小が、ウォークオフ方向及び非ウォークオフ方向において略等しいウエストサイズを生じさせることができること；
（ｉｖ）出力面によって生じる非点収差が、それまでのビームの非点収差をほぼ打ち消すように選択され得て、出射第三次高調波ビームの見掛けのウエスト位置がウォークオフ方向及び非ウォークオフ方向においてほぼ等しいようにすること；
（ｖ）好ましくは、出力面が光学損傷に対してロバストであり、長寿命の動作を生じさせること。
非限定的な一例では、略ブリュースター角での入力用のＬＢＯのＳＨＧ結晶と、ＬＢＯのＴＨＧ結晶とを用いた第三次高調波発生器の光学配置について、第三次高調波ビームの入射角が２０°であるように向けられた出力面が、上記五つの基準を満たす。特に、低反射損失のため、第三次高調波ビームは、略３３°の伝達角度で結晶から出射し得る。コーティングされていない出力面について、これは、３．１％という許容可能な第三次高調波の反射率を与える。１０６４．２ｎｍの入力基本波長と、３５℃のＬＢＯ温度とで、十分な角度分離が達成され得て、基本ビーム、第二次高調波ビーム、第三次高調波ビームの屈折率はそれぞれ１．５６５、１．６１３、１．５９７である。有利には、ＴＨＧ結晶の出力面に対する分散が、異なる波長に対する伝達角度の差によって、ビームを空間分離し得る。図５は、ＴＨＧ結晶中での基本ビームのウエストサイズに対して、ＴＨＧ結晶の出力面の内側での入射角をプロットし、第二次高調波ビームからの第三次高調波ビームの分離が、二つのビームの発散の半分に少なくとも等しい。
ＴＨＧ結晶３０２から出射する第三次高調波ビーム３２５は、略１ワット、略１０ワット、又は略３０ワットよりも大きな光学パワーを有し得る。
ＴＨＧ結晶３０２の出力面を光学損傷に対してロバストにするため、ＴＨＧ結晶の出力面をコーティングしないままにし得る。Ｗｉｌｌｉａｍ Ｇｒｏｓｓｍａｎの特許文献１に記載されるように、コーティングされていない出力面の使用は、高い損傷閾値をもたらす。
以上まとめると、以下のものを有する光学配置を用いて、円形であり非点収差のないほぼ回折限界の基本ビームから、円形であり非点収差のないほぼ回折限界の第三次高調波ビームを効率的に発生させることができる：
ｉ）基本入力ビームをＳＨＧ結晶内に集束させるレンズ又は他の光学部品；
ｉｉ）ブリュースター角又はほぼブリュースター角のＳＨＧの入力面；
ｉｉｉ）ＳＨＧ結晶とＴＨＧ結晶との間のリレーレンズ（又は他の光学部品）；
ｉｖ）ＳＨビーム及び残存基本ビームのＴＨＧ出力面におけるほぼ２０°の入射
ｉ）基本入力ビームをＳＨＧ結晶内に集束させるレンズ又は他の光学部品；
ｉｉ）ブリュースター角又はほぼブリュースター角のＳＨＧの入力面；
ｉｉｉ）ＳＨＧ結晶とＴＨＧ結晶との間のリレーレンズ（又は他の光学部品）；
ｉｖ）ＳＨビーム及び残存基本ビームのＴＨＧ出力面におけるほぼ２０°の入射
上記光学配置は以下の利点を有する。
（１）非線形結晶内での小さなビームサイズを可能にして最適な効率を与える。
（２）ウォークオフ補償用の特別なレンズやプリズムが必要とされない。
（３）ＳＨＧ結晶の入力面に対する第一の基本ビームウエストの位置を調整することによって非点収差調整用の“ノブ”を提供する。
（４）リレーレンズ及びＴＨＧ結晶の位置を調整することによって、真円度調整用の“ノブ”を提供する。
（１）非線形結晶内での小さなビームサイズを可能にして最適な効率を与える。
（２）ウォークオフ補償用の特別なレンズやプリズムが必要とされない。
（３）ＳＨＧ結晶の入力面に対する第一の基本ビームウエストの位置を調整することによって非点収差調整用の“ノブ”を提供する。
（４）リレーレンズ及びＴＨＧ結晶の位置を調整することによって、真円度調整用の“ノブ”を提供する。
一般的に、ＳＨＧの入力面２０４は、略ブリュースター角にあるか、又はパワー損失が許容可能なブリュースター角の十分近くにある。例えば、図４に見て取れるように、ＳＨＧの入力面における入射角が略θＢ−２０°とθＢ＋１０°との間にあれば、ＳＨＧの入力面２０４におけるｐ偏光の反射損失を略２％以下に保つことができる。
本開示の特定の態様の理解の補助として、図７に示される四つの図は、光高調波発生器２００の多様な位置におけるビーム形状の変化を示す。特に、ダイアグラム１では、基本ビーム２０９が円形で始まる。そして、ダイアグラム２では、基本ビームが、ＳＨＧ結晶２０２の入力面２０４において、非ウォークオフ方向に拡大される。この拡大は、ＳＨＧ結晶２０２のウォークオフ方向に垂直な向きの楕円形のビーム断面を生じさせる。ＴＨＧ結晶３０２は、ダイアグラム３に示される形状の第三次高調波ビーム３２５を発生させる。この形状は、ウォークオフ方向に伸ばされているので、図２の基本ビームほどは楕円状ではない。そして、ダイアグラム４に示されるように、第三次高調波ビーム３２５を、非ウォークオフ方向に縮小させて、円形のビームを得る必要がある。縮小は、上述のようにＴＨＧ結晶の出力面において行うことができる。第三次高調波ビーム３２５は基本ビーム２０９よりも楕円状ではないので、縮小は、基本ビームの拡大よりも弱い。結果として、ＳＨＧ結晶の入力面における拡大は、後のＴＨＧ結晶３０２の出力面における縮小よりも強力である。
［代替実施形態］
第一の代替実施形態は、ブリュースター角よりも大きくなるようにＳＨＧ結晶２０２への入射角を増大させることである。ＳＨＧ結晶２０２の入力面２０４はコーティングされて、後方反射を減らし、効率を改善し得る。ブリュースター角又はブリュースター角近くに向けられた出力面を有するように形成されたＴＨＧ結晶３０２を用いることによって、円形であり非点収差のないほぼ回折限界の第三次高調波を得ることができる。
第一の代替実施形態は、ブリュースター角よりも大きくなるようにＳＨＧ結晶２０２への入射角を増大させることである。ＳＨＧ結晶２０２の入力面２０４はコーティングされて、後方反射を減らし、効率を改善し得る。ブリュースター角又はブリュースター角近くに向けられた出力面を有するように形成されたＴＨＧ結晶３０２を用いることによって、円形であり非点収差のないほぼ回折限界の第三次高調波を得ることができる。
一代替実施形態では、一対のプリズムを、ＳＨＧ結晶２０２の前のビームのいずれかの箇所に配置して、その形成、角度及び整列を、ＳＨＧ結晶２０２において所望の楕円率及び非点収差を与えるように選択し得る。
他の代替実施形態は、第三次高調波発生以外のより高次の高調波発生用に本願で開示される光学設計を使用することである。例えば、第四次高調波のバージョンが想定可能である。このような実施形態の一つのバージョンでは、二つの非線形結晶を使用し得る。第一の非線形結晶が基本放射を第二次高調波に変換し、第二の非線形結晶が第二次高調波を第四次高調波に変換する。１０６４ｎｍ又はその近傍の基本波長については、ＬＢＯ結晶をＳＨＧ結晶として用い、ホウ酸バリウム（ＢＢＯ）結晶をＦＨＧ結晶として用い得る。
第二のバージョンでは、三つの非線形結晶を用いて、基本放射を第四次高調波放射に変換し得る。具体的には、第一の結晶を用いて、基本放射の一部を第二次高調波に変換し得る。第二の結晶が、第二次高調波を残存基本波と混合して、第三次高調波を発生させる。第三の結晶が、第三次高調波を残存基本波と混合して、第四次高調波を発生させる。１０６４ｎｍ又はその近傍の基本波長については、全ての高調波変換段階において、適切な向きのＬＢＯ結晶が使用可能である。
第一のバージョン及び第二のバージョンのいずれでも、第三次高調波ビーム又は第四次高調波ビームを透過させる全ての表面は、コーティングされないままであり得て、また、高調波ビームに対してブリュースター角、又はブリュースター角未満の向きにされ得る。
本開示の態様は、単一のシリンドリカルレンズ及びガウス光学系の原理を用いて、ビーム形状の単純な調整を提供する。レンズを非線形結晶の近くに配置することによって、主要なハードウェア部品を再設計せずに、特定の光学システムにおける従来の空間的制約を克服することができる。
本システムの利点として、第三次高調波への高い変換効率と、円形の出力ビームが挙げられる。このようなシステムは、ＬＢＯ及びＢＢＯのどちらの非線形結晶でも動作することができる。本システムは、第三次高調波結晶に対する高い損傷閾値を特徴とする。また、本システムは、ＵＶビーム成形光学系を使用せず、ＵＶを透過させるあらゆる表面に対するコーティングも使用せず、高い信頼性及び長寿命システムをもたらす。
第三次高調波発生結晶の出力面における分散によって、第三次高調波ビームは基本ビーム及び第二次高調波ビームから簡単に分離される。本システムは、設計で調整可能なビーム真円度と、整列で調整可能な非点収差とを与える。本システムは、最低限の光学部品しか必要とせず、またシリンドリカル光学部品又はプリズムを最低限でしか又は全く必要としない。
［レーザーシステム］
図６は、本発明の一実施形態に係る波長変換レーザーシステム６００の一例を示す。具体的には、システム６００は、シード源６０２と、一つ以上の光増幅器６０４、６０６と、波長変換器１００とを含み、波長変換器１００は、図２Ａ、図２Ｂに関して本願で説明されるように、上述の他の構成のいずれかとして構成され得る。シード源６０２はシード放射６０１を発生させ、シード放射６０１は、光増幅器６０４、６０６によって増幅されて、波長変換器用の基本入力放射１０１となる増幅出力を生じさせる。波長変換器１００は、増幅出力の少なくとも一部を波長変換して、波長変換された出力を生じさせる。基本入力ビームの一部も、波長変換器１００から出射し得る。
図６は、本発明の一実施形態に係る波長変換レーザーシステム６００の一例を示す。具体的には、システム６００は、シード源６０２と、一つ以上の光増幅器６０４、６０６と、波長変換器１００とを含み、波長変換器１００は、図２Ａ、図２Ｂに関して本願で説明されるように、上述の他の構成のいずれかとして構成され得る。シード源６０２はシード放射６０１を発生させ、シード放射６０１は、光増幅器６０４、６０６によって増幅されて、波長変換器用の基本入力放射１０１となる増幅出力を生じさせる。波長変換器１００は、増幅出力の少なくとも一部を波長変換して、波長変換された出力を生じさせる。基本入力ビームの一部も、波長変換器１００から出射し得る。
シード源６０２については多数の異なる設計が考えられる。例えば、シード源６０２は、ダイオードに電流を流すことによってポンピングされるダイオードレーザーであり得る。多様なタイプのレーザーダイオード、例えば、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ，ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）、分布フィードバック（ＤＦＢ，ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｆｅｅｄｂａｃｋ）、ファブリ‐ペローレーザーダイオードが使用可能である。市販のＤＢＲの一例は、独国マールブルクのＳａｃｈｅｒ Ｌａｓｅｒｔｅｃｈｎｉｋ Ｇｒｏｕｐ製のモデルＤＢＲ‐１０６４‐１００である。代わりに、シード源６０２は、ダイオードポンプ固体（ＤＰＳＳ，ｄｉｏｄｅ‐ｐｕｍｐｅｄ ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ）レーザーであり得て、これは、受動的にＱスイッチングされるか、モードロックされるか、又は連続波（ＣＷ）若しくは準ＣＷで動作し得る。代わりに、他のタイプのレーザーがシード源６０２として使用され得る。
光増幅器は、一つ以上の増幅ユニット６０４、６０６を含み得る。例えば、任意の前置増幅器６０４が、シード源６０２とパワー増幅器６０６との間に直列に光学結合され得る。前置増幅器６０４は、シード放射６０２を増幅することによって、中間信号６０５を発生させ得て、その中間信号６０５は、パワー増幅器６０６によって増幅されて、基本入力ビーム１０１となる増幅出力を生じさせる。増幅器６０４、６０６は、出力ファイバー６０８に光学結合される。基本入力ビーム１０１は、ファイバー６０８の端面から出射する。
例えば、一つ以上の増幅器６０４、６０６は、ファイバー増幅器であり得て、ポンピング源６０３、６０７に結合された光ファイバーを含む。光ファイバーは、一般的に、クラッド及びドープされたコアを含み得る。ファイバーのコアは、例えば、直径略６マイクロメートルのものであり得る。ファイバーは、偏光保持光ファイバー又は単一偏光ファイバーであり得る。一方の増幅器６０６の一部が、出力ファイバー６０８を形成し得る。増幅される入力放射（例えば、シード放射６０１や中間放射６０５）は、コアに結合される。ポンピング源６０３、６０７（例えば、ダイオードレーザー）からのポンピング放射も、典型的にはコアに結合されるが、代替的にクラッドにも結合され得る。ファイバーのコア中のドーパント原子、例えば、イッテルビウム（Ｙｂ）、エルビウム（Ｅｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、ホルミウム（Ｈｏ）、サマリウム（Ｓｍ）、ツリウム（Ｔｍ）等の希土類元素、又はこれらのうち二つ以上の組み合わせが、ポンピング放射からエネルギーを吸収する。吸収されたエネルギーが、ファイバーのコア中において入力放射のエネルギーを増幅する。入力放射は、ドーパント原子からの放射の放出を誘導する。誘導放射は、入力放射と同じ周波数及び位相を有する。結果として、増幅出力は、入力放射と同じ周波数及び位相を有するが、より大きな光学強度を有する。
制御装置６１０は、シード源６０２及び／又はポンプ源６０３、６０７に動作可能に結合され得る。制御装置６１０は、シード放射６０１、又はポンプ源６０３、６０７によって提供されるポンプ放射のパワーを制御するように構成されたハードウェア又はソフトウェアロジックを実現し得る。シード源からのシード放射６０１及び／又はポンプ源６０３、６０７からのポンプ放射のパワーを制御することによって、制御装置６１０は、波長変換器１００に提供される入力ビーム１０１の光学パワーを制御する。
波長変換器１００は、第一の非線形光学結晶１０２、第二の非線形光学結晶１０４、レンズ１１０、１１２を含み得て、これらは上述のように構成され得る。非限定的な一例では、第一の非線形結晶１０２は、ＳＨＧ結晶であり得て、結晶１０２と入力基本放射１０１との間の非線形相互作用から、第二次高調波ビーム出力を生じさせる。
ＴＨＧ結晶は、ＳＨＧ結晶１０２からのＳＨＧ出力とＳＨＧ結晶からの残存基本ビームとの間の和周波相互作用によって、第三次高調波放射を発生させる。第三次高調波放射は、波長変換出力１１１としてＴＨＧ結晶から出射する。一部の残存入力放射１０１’も、第二の結晶１０４から出射し得る。ＴＨＧ結晶は、ブリュースター切断面１０６を含み得て、これは、第二の結晶から出射する残存基本放射から波長変換出力１１１を分離する。
以上が本発明の好ましい実施形態の完全な説明であるが、多様な代替案、修正案、等価物が使用可能である。従って、本発明の範囲は、上記説明を参照して定められるものではなく、こうした等価物の完全な範囲と共に、添付の特許請求の範囲を参照して定められるものである。本願で説明されるあらゆる特徴（好ましいものであろうとなかろうと）は、本願で説明される他の特徴（好ましいものであろうとなかろうと）と組み合わせられ得る。添付の特許請求の範囲において、単数形での記載は、特に断らない限り、一つ又は複数の量を指称する。ミーンズ・プラス・ファンクションの限定が、“するための手段”との用語を用いて明確に記載されていない限り、添付の特許請求の範囲は、ミーンズ・プラス・ファンクションの限定を含むものと解釈されるものではない。
２０２ 第二次高調波発生（ＳＨＧ）結晶
２０３ 基本集束レンズ
２０５ リレーレンズ
２０９ 基本ビーム
３０２ 第三次高調波発生（ＴＨＧ）結晶
３２５ 第三次高調波ビーム
２０３ 基本集束レンズ
２０５ リレーレンズ
２０９ 基本ビーム
３０２ 第三次高調波発生（ＴＨＧ）結晶
３２５ 第三次高調波ビーム
Claims (11)
- 公称円形であり非点収差のない回折限界の入力基本ビームから、円形であり非点収差のない第三次高調波出力ビームを発生させるように構成されたキャビティ外高調波発生器システムであって、
前記入力基本ビームに対する入射角に向けられた入力面を有する第二次高調波発生結晶であって、該入力面において該第二次高調波発生結晶の非ウォークオフ方向に基本ビームのサイズを拡大して、前記入力基本ビームから第二次高調波ビームを発生させるように構成された第二次高調波発生結晶と、
第三次高調波発生結晶であって、該第三次高調波発生結晶の非ウォークオフ方向において傾斜した入射角に向けられた出力面を有し、該非ウォークオフ方向に第三次高調波ビームのサイズを縮小して、前記第二次高調波発生結晶からの前記第二次高調波ビーム及び残存基本ビームから、第三次高調波ビームを発生させるように構成された第三次高調波発生結晶とを備え、
前記第二次高調波発生結晶の入力面における入力基本ビームの拡大が、前記第三次高調波発生結晶の出力面における第三次高調波ビームの縮小よりも強力である、システム。 - 前記第二次高調波発生結晶の入力面が、前記入力基本ビームに対して傾斜した入射角に向けられて、該入力面において前記第二次高調波発生結晶の非ウォークオフ方向に基本ビームを拡大する、請求項１に記載のシステム。
- 前記第三次高調波発生結晶の出力面が、前記第三次高調波ビームに対してブリュースター角未満に向けられる、請求項１に記載のシステム。
- 前記第三次高調波ビームが、ビームの角度発散よりも大きな角度で基本ビーム及び第二次高調波ビームから角度分離される、請求項１に記載のシステム。
- 前記第三次高調波ビームの平均パワーが略３０Ｗよりも大きい、請求項１に記載のシステム。
- 前記第二次高調波発生結晶の入力面が、前記入力基本ビームに対してブリュースター角の略５度以内に向けられる、請求項１に記載のシステム。
- 前記第三次高調波発生結晶の出力面が、前記第三次高調波発生結晶の出力面に入射する残存基本ビーム及び第二次高調波ビームに対して略２０度の入射角に向けられる、請求項１に記載のシステム。
- 前記第三次高調波発生結晶の出力面が、前記第三次高調波発生結晶の出力面に入射する残存基本ビーム及び第二次高調波ビームに対する入射角に向けられて、該入射角が、基本ビームを第三次高調波ビームに変換する正味の効率を最適化するように選択される、請求項１に記載のシステム。
- 公称円形であり非点収差のない回折限界の入力基本ビームから、円形であり非点収差のない第三次高調波出力ビームを発生させるように構成されたキャビティ外高調波発生器システムであって、
前記入力基本ビームに対する入射角に向けられた入力面を有する第二次高調波発生結晶であって、該入力面において該第二次高調波発生結晶の非ウォークオフ方向に基本ビームのサイズを拡大して、前記入力基本ビームから第二次高調波ビームを発生させるように構成された第二次高調波発生結晶と、
一つ以上の高次高調波発生結晶であって、該高次高調波発生結晶のうち少なくとも一つの非ウォークオフ方向において傾斜した入射角に向けられた出力面を有し、該非ウォークオフ方向に出力高次高調波ビームのサイズを縮小して、前記第二次高調波発生結晶からの第二次高調波ビーム及び残存基本ビームから、高次高調波ビームを発生させるように構成された一つ以上の高次高調波発生結晶とを備え、
前記第二次高調波発生結晶の入力面における入力基本ビームの拡大が、前記一つ以上の高次高調波発生結晶のうち少なくとも一つの出力面における第三次高調波ビームの縮小よりも強力である、システム。 - 前記一つ以上の高次高調波発生結晶が、前記第二次高調波発生結晶からの第二高調波ビーム及び第一の残存基本ビームから第三次高調波ビームを発生させるように構成された第三次高調波発生結晶と、前記第三次高調波発生結晶からの第三次高調波ビーム及び第二の残存基本ビームから第四次高調波ビームを発生させるように構成された第四次高調波発生結晶とを含む、請求項９に記載のシステム。
- 前記一つ以上の高次高調波発生結晶が、前記第二次高調波ビームから第四次高調波ビームを発生させるように構成された非線形結晶を含む、請求項９に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361783686P | 2013-03-14 | 2013-03-14 | |
| US61/783,686 | 2013-03-14 | ||
| US14/209,908 | 2014-03-13 | ||
| US14/209,908 US9912114B2 (en) | 2013-03-14 | 2014-03-13 | Highly efficient, single-pass, harmonic generator with round output beam |
| PCT/US2014/026617 WO2014151887A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-03-13 | Highly efficient, single-pass, harmonic generator with round output beam |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016532882A JP2016532882A (ja) | 2016-10-20 |
| JP6453844B2 true JP6453844B2 (ja) | 2019-01-16 |
Family
ID=51581063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016502194A Active JP6453844B2 (ja) | 2013-03-14 | 2014-03-13 | 円形出力ビーム用の高効率単一パス高調波発生器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9912114B2 (ja) |
| JP (1) | JP6453844B2 (ja) |
| KR (1) | KR102100728B1 (ja) |
| CN (1) | CN105210245B (ja) |
| WO (1) | WO2014151887A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9912114B2 (en) * | 2013-03-14 | 2018-03-06 | Ipg Photonics Corporation | Highly efficient, single-pass, harmonic generator with round output beam |
| CN104682184B (zh) * | 2015-03-16 | 2017-11-14 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种纵向局部扩束三倍频激光终端光学系统 |
| EP3417515B1 (en) * | 2016-03-30 | 2023-11-29 | IPG Photonics Corporation | High efficiency laser system for third harmonic generation |
| CN105932534A (zh) * | 2016-06-17 | 2016-09-07 | 北京国科世纪激光技术有限公司 | 腔内倍频像散补偿型激光器 |
| CN108988107A (zh) * | 2018-08-15 | 2018-12-11 | 武汉安扬激光技术有限责任公司 | 一种飞秒紫外光激光器 |
| CN109283769A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-01-29 | 山东大学 | 一种宽带倍频晶体器件 |
| WO2021017539A1 (zh) * | 2019-07-26 | 2021-02-04 | 南京钻石激光科技有限公司 | 激光辐射三倍率产生的装置 |
| DE102019131827B4 (de) * | 2019-11-25 | 2021-12-23 | Novanta Europe Gmbh | Frequenzkonversionsanordnung zur Optimierung von Eigenschaften einer Harmonischen eines Lasers |
| CN111244744B (zh) * | 2020-01-16 | 2022-02-15 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种高功率激光系统中光学晶体损伤防护方法 |
| EP4165739A4 (en) * | 2020-06-11 | 2023-08-02 | Andrew Hing Cheong Kung | LIGHT SOURCE GENERATING APPARATUS, LIGHT SOURCE GENERATING METHOD AND DEFECT DETECTION SYSTEM THEREOF |
| DE102021210706A1 (de) * | 2021-09-24 | 2023-03-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Vorrichtung und verfahren zur frequenzkonversion elektromagnetischer strahlung |
| WO2023100546A1 (ja) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 株式会社ニコン | パルス光生成装置、パルス光生成方法及び加工装置 |
| KR20240009263A (ko) | 2022-07-13 | 2024-01-22 | 김점술 | 2중 셔터방식의 심자외선광 발생기 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09160086A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Nec Corp | 波長変換素子 |
| US5835513A (en) | 1997-01-08 | 1998-11-10 | Spectra Physics, Inc. | Q-switched laser system providing UV light |
| US5850407A (en) * | 1997-11-25 | 1998-12-15 | Lightwave Electronics Corporation | Third-harmonic generator with uncoated brewster-cut dispersive output facet |
| US6697391B2 (en) * | 2002-03-28 | 2004-02-24 | Lightwave Electronics | Intracavity resonantly enhanced fourth-harmonic generation using uncoated brewster surfaces |
| US7016389B2 (en) * | 2003-01-24 | 2006-03-21 | Spectra Physics, Inc. | Diode pumped laser with intracavity harmonics |
| JP4517698B2 (ja) | 2003-09-26 | 2010-08-04 | 三菱電機株式会社 | 波長変換レーザ装置 |
| US20060114946A1 (en) | 2004-11-30 | 2006-06-01 | Yunlong Sun | Nonlinear crystal modifications for durable high-power laser wavelength conversion |
| JP2006163256A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Nikon Corp | 波長変換結晶及び波長変換光学系 |
| US7292387B2 (en) * | 2005-01-12 | 2007-11-06 | Spectra-Physics, Inc. | Methods and systems to enhance multiple wave mixing process |
| US7443903B2 (en) | 2006-04-19 | 2008-10-28 | Mobius Photonics, Inc. | Laser apparatus having multiple synchronous amplifiers tied to one master oscillator |
| US7529281B2 (en) | 2006-07-11 | 2009-05-05 | Mobius Photonics, Inc. | Light source with precisely controlled wavelength-converted average power |
| US7469081B2 (en) | 2006-09-01 | 2008-12-23 | Mobius Photonics, Inc. | Reducing thermal load on optical head |
| US8009705B2 (en) | 2007-07-05 | 2011-08-30 | Mobius Photonics, Inc. | Fiber MOPA system without stimulated brillouin scattering |
| JP2010064450A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Asahi Kasei E-Materials Corp | レーザー彫刻印刷版の製造方法 |
| JP5159815B2 (ja) | 2010-03-19 | 2013-03-13 | 三菱電機株式会社 | 波長変換レーザ装置 |
| US20110243163A1 (en) * | 2010-04-02 | 2011-10-06 | Electro Scientific Industries, Inc. | Wedge-faceted nonlinear crystal for harmonic generation |
| US8422119B1 (en) * | 2010-09-20 | 2013-04-16 | Disco Corporation | Compensation of beam walkoff in nonlinear crystal using cylindrical lens |
| US8559472B2 (en) * | 2011-03-02 | 2013-10-15 | Coherent, Inc. | Single-mode intra-cavity frequency-doubled CW solid-state laser with volumetric gain-grating |
| JP5959815B2 (ja) | 2011-08-15 | 2016-08-02 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置およびその方法 |
| US9912114B2 (en) * | 2013-03-14 | 2018-03-06 | Ipg Photonics Corporation | Highly efficient, single-pass, harmonic generator with round output beam |
-
2014
- 2014-03-13 US US14/209,908 patent/US9912114B2/en active Active
- 2014-03-13 JP JP2016502194A patent/JP6453844B2/ja active Active
- 2014-03-13 CN CN201480027556.8A patent/CN105210245B/zh active Active
- 2014-03-13 KR KR1020157029432A patent/KR102100728B1/ko active IP Right Grant
- 2014-03-13 WO PCT/US2014/026617 patent/WO2014151887A1/en active Application Filing
-
2017
- 2017-10-06 US US15/727,313 patent/US10283926B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105210245B (zh) | 2019-04-12 |
| US20180034230A1 (en) | 2018-02-01 |
| CN105210245A (zh) | 2015-12-30 |
| KR102100728B1 (ko) | 2020-04-14 |
| US20170299943A1 (en) | 2017-10-19 |
| US10283926B2 (en) | 2019-05-07 |
| WO2014151887A1 (en) | 2014-09-25 |
| KR20150129021A (ko) | 2015-11-18 |
| US9912114B2 (en) | 2018-03-06 |
| JP2016532882A (ja) | 2016-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6453844B2 (ja) | 円形出力ビーム用の高効率単一パス高調波発生器 | |
| US8422119B1 (en) | Compensation of beam walkoff in nonlinear crystal using cylindrical lens | |
| US7443903B2 (en) | Laser apparatus having multiple synchronous amplifiers tied to one master oscillator | |
| US7529281B2 (en) | Light source with precisely controlled wavelength-converted average power | |
| US6999483B1 (en) | External 3rd, 4th and 5th harmonic laser | |
| JP3199120B2 (ja) | ダイオード励起多軸モード空洞内周波数２倍型レーザ | |
| US20090185583A1 (en) | UV and Visible Laser Systems | |
| US20120263196A1 (en) | Ultrafast raman laser systems and methods of operation | |
| KR102344775B1 (ko) | 제3 고조파 생성을 위한 고효율 레이저 시스템 | |
| JP6214070B2 (ja) | 深紫外レーザ発生装置および光源装置 | |
| US20130294465A1 (en) | HIGHLY EFFICIENT 3rd HARMONIC GENERATION IN Nd: YAG LASER | |
| JP4231829B2 (ja) | 内部共振器型和周波混合レーザ | |
| CN111404011A (zh) | 一种高次谐波激光器 | |
| CN110932079A (zh) | 一种四次谐波光束的产生装置 | |
| EP2973897B1 (en) | Highly efficient, single-pass, harmonic generator with round output beam | |
| CN109742646B (zh) | 一种抑制腔内泵浦连续波光参量振荡器弛豫振荡的装置 | |
| McDonagh et al. | 888-nm pumping of Nd: YVO4 for high-power high-efficiency TEM00 lasers | |
| KR101596478B1 (ko) | 다중 펄스 폭 출력이 가능한 레이저 장치 | |
| Cho et al. | Intracavity infrared OPO using periodically poled Mg-doped stoichiometric LiTaO3 for generating high average power | |
| US9851570B2 (en) | Beam shaping of high intensity high frequency optical output | |
| JP2021132127A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ | |
| Zavadilova et al. | Mode locked Nd: YVO 4 laser with intracavity synchronously pumped optical parametric oscillator | |
| Iliev et al. | Steady state mode-locking of the Nd: YVO4 laser operating on the 1.34 µm transition using intracavity SHG in BIBO or PPMgSLT | |
| Rustad et al. | Optical parametric oscillators with high pulse energy and beam quality | |
| JP2007194317A (ja) | レーザー装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170301 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180305 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180605 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180620 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181119 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181213 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6453844 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |