JP2005116964A - 半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体記憶装置は、主表面を有するシリコン基板1と、該主表面に開口するようにシリコン基板1に形成されたトレンチ6と、トレンチ6上に形成されたメモリセルとを備える。メモリセルは、トレンチ6の一方の側壁上に形成された第1記憶保持部7aと、トレンチ6の他方の側壁上に形成された第2記憶保持部7bと、トレンチ6の両側に形成された不純物拡散層2と、第1と第2記憶保持部7a,7bを覆うようにトレンチ6内から不純物拡散層2上に延在するように形成されたゲート電極5とを有する。
【選択図】 図3
Description
図1に、本実施の形態1におけるメモリセルアレイの部分平面図を示し、図2に、図1におけるII−II線断面図を示し、図3に1つのメモリセルの断面図を示す。
次に、本発明の実施の形態2について図9〜図12を用いて説明する。
次に、本発明の実施の形態3について、図15〜図19を用いて説明する。
次に、図20〜図23を用いて、本発明の実施の形態4について説明する。
Claims (8)
- 主表面を有する第1導電型の半導体基板と、
前記主表面に開口するように前記半導体基板に形成されたトレンチと、
前記トレンチ上に形成されたメモリセルとを備え、
前記メモリセルは、
前記トレンチの一方の側壁上に形成された第1記憶保持部と、
前記トレンチの他方の側壁上に形成された第2記憶保持部と、
前記トレンチの両側に形成された第2導電型の第1と第2不純物拡散層と、
前記第1と第2記憶保持部を覆うように前記トレンチ内から前記第1と第2不純物拡散層上に延在するように形成されたゲート電極とを有する、半導体記憶装置。 - 前記第1と第2記憶保持部は、前記トレンチの側壁上から底面上に延在する、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 主表面を有する第1導電型の半導体基板と、
前記主表面に開口するように前記半導体基板に形成されたトレンチと、
前記トレンチ上に間隔をあけて形成された第1と第2メモリセルとを備え、
前記第1メモリセルは、
前記トレンチの一方の側壁上に形成された第1記憶保持部と、
前記トレンチの他方の側壁上に形成された第2記憶保持部と、
前記第1と第2記憶保持部の両側に形成された第2導電型の第1と第2不純物拡散層と、
前記第1と第2記憶保持部を覆うように前記トレンチ内から前記第1と第2不純物拡散層上に延在するように形成された第1ゲート電極とを有し、
前記第2メモリセルは、
前記トレンチの一方の側壁上に前記第1記憶保持部との間に分離絶縁膜を介在して形成された第3記憶保持部と、
前記トレンチの他方の側壁上に前記第2記憶保持部との間に分離絶縁膜を介在して形成された第4記憶保持部と、
前記第3と第4記憶保持部の両側に形成された第2導電型の第3と第4不純物拡散層と、
前記第3と第4記憶保持部を覆うように前記トレンチ内から前記第3と第4不純物拡散層上に延在するように形成された第2ゲート電極とを有する、半導体記憶装置。 - 第1導電型の半導体基板の主表面に第2導電型の不純物拡散層を形成する工程と、
前記不純物拡散層を貫通し、前記主表面に開口するように前記半導体基板にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内から前記不純物拡散層上に延在するように第1酸化膜、窒化膜、第2酸化膜を順に形成する工程と、
前記第2酸化膜、前記窒化膜および前記第1酸化膜を選択的にエッチングすることにより、前記トレンチの底面の一部および前記不純物拡散層を露出させる一方で、前記トレンチの側壁上に前記第1酸化膜、前記窒化膜および前記第2酸化膜の積層膜を残す工程と、
露出した前記トレンチの底面の一部および前記不純物拡散層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上および前記積層膜上にゲート電極を形成する工程と、
を備えた、半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第2酸化膜を、前記第1酸化膜および前記窒化膜よりも厚く形成し、
前記第2酸化膜、前記窒化膜および前記第1酸化膜をエッチングする工程は、前記窒化膜および前記第1酸化膜を前記トレンチの底面上に延在させるとともに、前記窒化膜上に前記第2酸化膜で構成されるサイドウォールスペーサを形成する工程を含み、
前記サイドウォールスペーサを除去する工程をさらに備えた、請求項4に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 第1導電型の半導体基板の主表面に複数の第2導電型の不純物拡散層を選択的に形成する工程と、
前記主表面全面を酸化することにより、前記不純物拡散層上に相対的に厚い第1酸化膜を形成し、前記不純物拡散層間に位置する前記主表面上に相対的に薄い第2酸化膜を形成する工程と、
前記第2酸化膜を除去することにより、前記不純物拡散層間に位置する前記主表面を露出させる工程と、
前記第1酸化膜をマスクとして前記不純物拡散層間に位置する前記主表面をエッチングすることにより、トレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内および前記第1酸化膜上に第3酸化膜、窒化膜、第4酸化膜を順に形成する工程と、
前記第4酸化膜、前記窒化膜および前記第3酸化膜を選択的にエッチングすることにより、前記トレンチの底面の一部および前記第1酸化膜を露出させる一方で、前記トレンチの側壁上に前記第3酸化膜、前記窒化膜および前記第4酸化膜の積層膜を残す工程と、
前記トレンチの底面の一部上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上、前記積層膜上および前記第1酸化膜上にゲート電極を形成する工程と、
を備えた、半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第4酸化膜を、前記第3酸化膜および前記窒化膜よりも厚く形成し、
前記第4酸化膜、前記窒化膜および前記第3酸化膜をエッチングする工程は、前記窒化膜および前記第3酸化膜を前記トレンチの底面上に延在させるとともに、前記窒化膜上に前記第4酸化膜で構成されるサイドウォールスペーサを形成する工程を含み、
前記サイドウォールスペーサを除去する工程をさらに備えた、請求項6に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記窒化膜を選択的に酸化することにより、前記トレンチの側壁に沿って断続的に前記積層膜を残す工程をさらに備えた、請求項4から請求項7のいずれかに記載の半導体記憶装置の製造方法。
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