JP5434594B2 - 不揮発性半導体メモリ装置 - Google Patents
不揮発性半導体メモリ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5434594B2 JP5434594B2 JP2009528156A JP2009528156A JP5434594B2 JP 5434594 B2 JP5434594 B2 JP 5434594B2 JP 2009528156 A JP2009528156 A JP 2009528156A JP 2009528156 A JP2009528156 A JP 2009528156A JP 5434594 B2 JP5434594 B2 JP 5434594B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- film
- conductivity type
- type diffusion
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 83
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 70
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 65
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 65
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 55
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 32
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 23
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 238000011161 development Methods 0.000 description 9
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 9
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000003949 trap density measurement Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
- H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
- H01L29/40117—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a charge-trapping insulator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
上記文献は以下の通りである。
「2002 半導体テクノロジー大全」 電子ジャーナル pp.89−93(第1編 第4章 第6節"フラッシュメモリ")2002年
前記半導体領域内に、前記ゲート電極の対応する縁部に隣接してそれぞれ配置された一対の第2導電型の拡散領域と、前記第2導電型の拡散領域の一方の内部に収容された第1導電型の拡散領域と、を備え、前記メモリセルにおいて、前記ゲート絶縁膜は、前記第2導電型の拡散領域の他方に隣接する第1の絶縁領域と、前記第2導電型の拡散領域の一方に隣接する第2の絶縁領域とを有し、前記第1の絶縁領域は、電荷トラップ機能を有しないか、または、前記第2の絶縁領域の電荷トラップ機能よりも低い電荷トラップ機能を有し、前記メモリセルにおいて、前記ゲート電極は、前記第1の絶縁領域上にある第1電極領域と、前記第2の絶縁領域上にある第2電極領域とを有し、前記第1電極領域と前記第2電極領域とが、前記第1の絶縁領域からなる領域間絶縁膜により分離されており、前記第1導電型の拡散領域と前記第2導電型の拡散領域の一方とが、それぞれの前記第2の絶縁領域を近接させて対称的に配置された2つの前記メモリセルの前記第2の絶縁領域によって共有されている、ことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置を提供する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルを示す断面図である。p型のシリコン基板11は、図示しないSTI(shallow trench isolation)構造などを用いた素子分離により、複数のストライプ状のp型(第1導電型)の活性領域が形成されている。各活性領域には、複数のn型(第2導電型)のソース領域12と、対応するn型のドレイン領域13とが形成されている。
図5は、本発明の第2の実施形態に係る不揮発性半導体メモリのメモリセルの断面図である。p型のシリコン基板11にはn型のソース領域12とドレイン領域13が形成されており、ソース領域12とドレイン領域13との間のシリコン基板11上のドレイン領域寄りの第1領域にはトラップ機能を有する積層膜15が形成されている。シリコン基板11上のソース領域寄りの第2領域には、電荷トラップ機能(トラップ面密度)が積層膜15のそれより低いかまたは電荷トラップ機能を有しないゲート絶縁膜である第3の絶縁膜23が形成されている。積層膜15および第3の絶縁膜23上を覆ってゲート電極19が形成されている。ドレイン領域13内には、ゲート電極19と一部領域が重なるように、p型のエミッタ領域14が形成されている。なお、ソース領域12の底面はドレイン領域13の底面よりも浅く形成されている。トラップ機能を有するゲート絶縁膜を構成する積層膜15は、シリコン基板11側から順に、第1の絶縁膜16、電荷蓄積膜17および第2の絶縁膜18を含む。なお、第3の絶縁膜23と、第1の絶縁膜16、電荷蓄積膜17および第2の絶縁膜18の3層からなる積層膜15とは、シリコン基板11のチャネル上で接している。ここで、第3の絶縁膜23の酸化膜換算膜厚(EOT: Equivalent Oxide Thickness)は、積層膜15に比べて小さい。
図8は、本発明の第3の実施形態を示す断面図である。シリコン基板11上に、第1の絶縁膜16、電荷蓄積膜17、および、第2の絶縁膜18から成るトラップ機能を有する積層膜15が形成され、積層膜15上にはゲート電極(コントロールゲート電極)19が形成される。シリコン基板11上にはゲート絶縁膜24を介して、またコントロールゲート電極19との間にゲート絶縁膜24を介して、ワードゲート電極25が形成されている。シリコン基板11の表面領域内には、ワードゲート電極25のコントロールゲート電極と対向しない側にワードゲート電極25と一部がオーバーラップするようにソース領域12が形成され、またコントロールゲート電極のワードゲート電極25と対向しない側にコントロールゲート電極と一部がオーバーラップするようにドレイン領域13が形成されている。ドレイン領域13内には、コントロールゲート電極と一部領域が重なるようにエミッタ領域14が形成されている。
Claims (12)
- 第1導電型の半導体領域を有する基板と、
前記半導体領域上に順次に形成された電荷トラップ機能を有するゲート絶縁膜、及び、ゲート電極、を有するメモリセルと、
前記半導体領域内に、前記ゲート電極の対応する縁部に隣接してそれぞれ配置された一対の第2導電型の拡散領域と、
前記第2導電型の拡散領域の一方の内部に収容された第1導電型の拡散領域と、を備え、
前記メモリセルにおいて、前記ゲート絶縁膜は、前記第2導電型の拡散領域の他方に隣接する第1の絶縁領域と、前記第2導電型の拡散領域の一方に隣接する第2の絶縁領域とを有し、前記第1の絶縁領域は、電荷トラップ機能を有しないか、または、前記第2の絶縁領域の電荷トラップ機能よりも低い電荷トラップ機能を有し、
前記メモリセルにおいて、前記ゲート電極は、前記第1の絶縁領域上にある第1電極領域と、前記第2の絶縁領域上にある第2電極領域とを有し、前記第1電極領域と前記第2電極領域とが、前記第1の絶縁領域からなる領域間絶縁膜により分離されており、
前記第1導電型の拡散領域と前記第2導電型の拡散領域の一方とが、それぞれの前記第2の絶縁領域を近接させて対称的に配置された2つの前記メモリセルの前記第2の絶縁領域によって共有されている、
ことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記第1導電型の拡散領域及び前記第2導電型の拡散領域のそれぞれの一部が、前記ゲート電極にオーバーラップする、請求項1に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記第1導電型の拡散領域及び前記第2導電型の拡散領域は、前記ゲート電極に自己整合的に形成されている、請求項1又は2に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記第2導電型の拡散領域の他方の底面が、前記第2導電型の拡散領域の前記一方の底面よりも浅い位置にある、請求項1〜3の何れか一に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記ゲート絶縁膜が、電荷蓄積膜と該電荷蓄積膜の下にある第1の絶縁体膜とを含む、請求項1〜4の何れか一に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記ゲート絶縁膜が、更に前記電荷蓄積膜の上にある第2の絶縁体膜を含む、請求項5に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記第1及び第2の絶縁体膜のそれぞれが、酸化シリコンまたは酸窒化シリコンを含む、請求項6に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記電荷蓄積膜が、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、アルミナ膜、酸化ハフニウム膜、酸化ハフニウムシリケート膜、及び、酸化アルミニウムシリケート膜から成る群から選択される少なくとも1つの膜を含む、請求項5〜7の何れか一に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記ゲート絶縁膜の前記第1の絶縁領域での酸化膜換算膜厚(ETO)が、前記第2の絶縁領域でのETOよりも小さい、請求項1に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 請求項1に記載された不揮発性半導体メモリ装置の駆動方法であって、
前記メモリセルの一方に対して書き込み、読み出しまたは消去を行う工程では、前記メモリセルの他方の前記ゲート電極下の前記半導体領域の表面に反転層を形成し、且つ、前記メモリセルの他方の前記第2導電型の拡散領域の双方を導通状態にする、不揮発性半導体メモリ装置の駆動方法。 - 請求項1〜9の何れか一に記載された不揮発性半導体メモリ装置の駆動方法であって、
前記半導体領域、前記第1導電型の拡散領域、及び、前記ゲート電極にそれぞれ印加される電圧を制御する消去工程を有し、該消去工程は、前記第1導電型拡散領域から前記ゲート電極下の第2の不純物拡散層を介して前記半導体領域へ第1導電型のキャリアを導入し、該導入されたキャリアから第1導電型のホットキャリアを生成し、該生成されたホットキャリアを前記電荷蓄積膜に注入する、不揮発性半導体メモリ装置の駆動方法。 - 第1導電型の半導体領域を有する基板と、
前記半導体領域上に順次に形成された電荷トラップ機能を有するゲート絶縁膜、及び、ゲート電極、を有するメモリセルと、
前記半導体領域内に、前記ゲート電極の対応する縁部に隣接してそれぞれ配置された一対の第2導電型の拡散領域と、
前記第2導電型の拡散領域の一方の内部に収容された第1導電型の拡散領域と、を備える不揮発性半導体メモリ装置の製造方法であって、
第1〜第3領域を有する前記第1導電型の半導体領域上に、電荷トラップ機能を有する第1の絶縁膜と第1のゲート導電層とを順次に形成する工程と、
前記第1及び第2領域内の前記第1の絶縁膜及び前記第1のゲート導電層を除去し、次いで、前記第1〜第3領域に電荷トラップ機能を有しない第2の絶縁膜及び第2のゲート導電層を順次に堆積する工程と、
少なくとも前記第2のゲート導電層をパターニングし、前記第1領域内の前記半導体領域の表面部分の上に第1の開口を形成する工程と、
前記第1の開口から、前記半導体領域の前記表面部分に不純物を注入して、前記一対の第2導電型の拡散領域の他方の第2導電型の拡散領域を形成する工程と、
前記第2領域内の前記第2のゲート導電層の表面と、前記第2の絶縁膜の縁部と、前記第3領域内の前記第1のゲート導電層の表面とを露出させる工程と、
前記表面が露出した第1のゲート導電層をパターニングし、前記第3領域内の前記半導体領域の別の表面部分の上に第2の開口を形成する工程と、
前記第2の開口から、前記半導体領域の前記別の表面部分に不純物を注入して、前記一対の第2導電型の拡散領域の一方の第2導電型の拡散領域を形成する工程と、
前記第2の開口から、前記ゲート電極下の第2の不純物拡散層の内部に不純物を注入して、前記第2導電型の拡散領域の一方に収容された第1導電型の拡散領域を形成する工程と、を含み、
前記メモリセルにおいて、前記ゲート絶縁膜は、前記第2導電型の拡散領域の他方に隣接する第1の絶縁領域と、前記第2導電型の拡散領域の一方に隣接する第2の絶縁領域とを有し、前記第1の絶縁領域は、電荷トラップ機能を有しないか、または、前記第2の絶縁領域の電荷トラップ機能よりも低い電荷トラップ機能を有し、
前記メモリセルにおいて、前記ゲート電極は、前記第1の絶縁領域上にある第1電極領域と、前記第2の絶縁領域上にある第2電極領域とを有し、前記第1電極領域と前記第2電極領域とが、前記第1の絶縁領域からなる領域間絶縁膜により分離されており、
前記第1導電型の拡散領域と前記第2導電型の拡散領域の一方とが、前記第2の開口を挟んで、かつそれぞれの前記第2の絶縁領域を近接させて対称的に配置された2つの前記メモリセルの前記第2の絶縁領域によって共有されている、
ことを特徴とする不揮発性半導体メモリの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009528156A JP5434594B2 (ja) | 2007-08-16 | 2008-08-15 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007212051 | 2007-08-16 | ||
JP2007212051 | 2007-08-16 | ||
JP2009528156A JP5434594B2 (ja) | 2007-08-16 | 2008-08-15 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
PCT/JP2008/064642 WO2009022741A1 (ja) | 2007-08-16 | 2008-08-15 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009022741A1 JPWO2009022741A1 (ja) | 2010-11-18 |
JP5434594B2 true JP5434594B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=40350791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009528156A Active JP5434594B2 (ja) | 2007-08-16 | 2008-08-15 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5434594B2 (ja) |
WO (1) | WO2009022741A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017045793A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275658A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH05347419A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-12-27 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH06232416A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-19 | Rohm Co Ltd | 半導体記憶装置およびその製法 |
JP2002368143A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2004519092A (ja) * | 2000-10-30 | 2004-06-24 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | ソース側にホウ素を注入した不揮発性メモリ |
JP2005294498A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006005078A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Sony Corp | 不揮発性半導体メモリ装置およびその動作方法 |
JP2006049737A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
WO2006080064A1 (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-03 | Spansion Llc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006222367A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体メモリ装置、駆動方法、及び製造方法 |
JP2006253650A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-09-21 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187659A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
-
2008
- 2008-08-15 JP JP2009528156A patent/JP5434594B2/ja active Active
- 2008-08-15 WO PCT/JP2008/064642 patent/WO2009022741A1/ja active Application Filing
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05347419A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-12-27 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH05275658A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH06232416A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-19 | Rohm Co Ltd | 半導体記憶装置およびその製法 |
JP2004519092A (ja) * | 2000-10-30 | 2004-06-24 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | ソース側にホウ素を注入した不揮発性メモリ |
JP2002368143A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2005294498A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006005078A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Sony Corp | 不揮発性半導体メモリ装置およびその動作方法 |
JP2006049737A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
WO2006080064A1 (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-03 | Spansion Llc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006253650A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-09-21 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006222367A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体メモリ装置、駆動方法、及び製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2009022741A1 (ja) | 2010-11-18 |
WO2009022741A1 (ja) | 2009-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3922341B2 (ja) | 不揮発性メモリトランジスタを有する半導体装置の製造方法 | |
JP2012114269A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6385873B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2021192462A (ja) | 電荷トラップスプリットゲートデバイス及びその製作方法 | |
JP2011103401A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20040155284A1 (en) | Non-volatile SONOS memory device and method for manufacturing the same | |
JP2006073813A (ja) | 直接トンネル型半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP5998512B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2004014978A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR100632461B1 (ko) | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2002118184A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の動作方法 | |
JP5434594B2 (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置 | |
US11450680B2 (en) | Split gate charge trapping memory cells having different select gate and memory gate heights | |
JP5937172B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2005260197A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JPH10144810A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2008140898A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2021077831A (ja) | 半導体装置 | |
KR101111917B1 (ko) | 세 가지 상태를 갖는 비휘발성 메모리 및 그 제조방법 | |
JP4334315B2 (ja) | 半導体記憶装置の製造方法 | |
JP2011210777A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR20100111130A (ko) | 수직형 불휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2007506275A (ja) | 不揮発性メモリ装置を製造する方法及びそれによって得られるメモリ装置 | |
JP2006041227A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006210706A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置、その製造方法およびその駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130805 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130827 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131008 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5434594 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |