JP2005101478A - コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 - Google Patents
コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005101478A JP2005101478A JP2003370461A JP2003370461A JP2005101478A JP 2005101478 A JP2005101478 A JP 2005101478A JP 2003370461 A JP2003370461 A JP 2003370461A JP 2003370461 A JP2003370461 A JP 2003370461A JP 2005101478 A JP2005101478 A JP 2005101478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- parts
- mass
- glass
- layer
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
【解決手段】 コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板は、ガラスおよびフィラーを含有するガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基体の内部に、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体層12および金属粉末の焼結対から成る電極層13a,13bから構成されるコンデンサ部14と、コンデンサ部14の上下面のそれぞれに順次積層された誘電体拡散防止層15a,15bおよびメタライズ拡散防止層16a,16bとが形成されている。
【選択図】 図1
Description
上田達也,「低温焼成多層基板、内蔵コンデンサ用高誘電率材料とその応用」ファインセラミックスレポート(Fine Ceramics Report),社団法人日本ファインセラミックス協会,1996年,第14巻,第8号,p.220〜222 亀原伸男、丹羽紘一,「CR複合基板」,ニューセラミックス,1995年,第1号,p.39〜44
成分)の過剰な相互拡散を抑制することができる。
次に、誘電体層のパターン上に電極層用ペーストをスクリーン印刷法で塗布し、70℃で30分乾燥して、上側の電極層のパターンを形成しコンデンサ部を形成した。
2・・・コンデンサ部
3・・・電極層
4・・・誘電体層
10・・・コンデンサ内蔵基板
12・・・誘電体層
13a,13b・・・電極層
14・・・コンデンサ部
15a,15b・・・誘電体拡散防止層
16a,16b・・・メタライズ拡散防止層
Claims (8)
- ガラスおよびフィラーを含有するガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基体の内部に、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体層および金属粉末の焼結体からなる電極層から構成されるコンデンサ部と、該コンデンサ部の上下面のそれぞれに順次積層された誘電体拡散防止層およびメタライズ拡散防止層とが形成されていることを特徴とするコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。
- 前記電極層は、Ag,Cu,Ag−PtおよびAg−Pdのうちのいずれかから成る金属粉末を含む焼結体から成り、前記メタライズ拡散防止層は、Ag,Cu,Pt,Pd,Wおよびそれらを含む合金のうちの少なくとも1種から成る金属粉末と該金属粉末100質量部に対して10質量部以下のガラス粉末との焼結体から成り、前記誘電体拡散防止層は、チタン酸バリウム粉末と該チタン酸バリウム粉末100質量部に対して5〜150質量部のガラス粉末との焼結体から成り、前記メタライズ拡散防止層の厚みが5〜20μmで前記誘電体拡散防止層の厚みが5〜20μmであることを特徴とする請求項1記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。
- 前記誘電体拡散防止層は、熱膨張係数が8×10−6〜10×10−6/℃であることを特徴とする請求項2記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。
- 前記誘電体拡散防止層に含まれる前記ガラス粉末は、ガラス転移温度が550℃以下の非結晶ガラス粉末であることを特徴とする請求項3記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。
- 前記誘電体層は、チタン酸バリウム粉末にB2O3,SiO2,CaO,BaOおよびZnOを含むガラス粉末とCuO粉末とをそれぞれチタン酸バリウム粉末100質量部に対して2〜10質量部添加した焼結体から成ることを特徴とする請求項2記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。
- 前記誘電体拡散防止層は、BaTiO3を100質量部、ガラス組成物を5〜150質量部含んで成り、前記ガラス組成物は、Li2Oを2.0〜32.0質量部、B2O3を12.0〜42.0質量部、SiO2を5.0〜15.5質量部、CaOを6.7〜20.6質量部、BaOを6.7〜20.6質量部含んでいることを特徴とする請求項2記載のコンデンサ内蔵セラミック多層配線基板。
- 前記電極層は、Ag,Cu,Ag−PtおよびAg−Pdのうちのいずれかから成る金属粉末を100質量部、ガラス組成物を10質量部以下含んで成り、前記ガラス組成物は、950℃以下の温度で結晶化してBaTiO3を析出するものであって、BaOを55.1〜59.7質量部、TiO2を24.0〜26.0質量部、SiO2を7.7〜11.3質量部、Al2O3を6.6〜9.7質量部、SrOを0.7質量部以下、Na2Oを0.5質量部以下、CaOを0.4質量部以下含んでいることを特徴とする請求項2記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。
- 前記メタライズ拡散防止層は、Ag,Cu,Au,Ni,Pt,Pd,Wおよびそれらを含む合金のうちの少なくとも1種を100質量部、ガラス組成物を10質量部以下含んで成り、前記ガラス組成物は、950℃以下の温度で結晶化してBaTiO3を析出するものであって、BaOを55.1〜59.7質量部、TiO2を24.0〜26.0質量部、SiO2を7.7〜11.3質量部、Al2O3を6.6〜9.7質量部、SrOを0.7質量部以下、Na2Oを0.5質量部以下、CaOを0.4質量部以下含んでいることを特徴とする請求項2記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003370461A JP4658465B2 (ja) | 2003-08-27 | 2003-10-30 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003303010 | 2003-08-27 | ||
JP2003370461A JP4658465B2 (ja) | 2003-08-27 | 2003-10-30 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005101478A true JP2005101478A (ja) | 2005-04-14 |
JP4658465B2 JP4658465B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=34467224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003370461A Expired - Fee Related JP4658465B2 (ja) | 2003-08-27 | 2003-10-30 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4658465B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017154900A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 株式会社豊田中央研究所 | 誘電体組成物 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62177906A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | 日本電気株式会社 | 複合積層セラミツク部品 |
JPS62265795A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | 株式会社住友金属セラミックス | コンデンサ内蔵セラミツクス基板 |
JPH034594A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-10 | Kyocera Corp | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
JPH0529771A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-05 | Fujitsu Ltd | セラミツク回路基板およびその製造方法 |
JPH0817674A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-19 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック部品 |
JPH0832242A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Tdk Corp | コンデンサ内蔵多層配線基板 |
JP2001313469A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-11-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | コンデンサ内蔵配線基板 |
JP2001342057A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-11 | Kyocera Corp | ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた多層配線基板 |
JP2002025337A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Tdk Corp | 導電ペーストおよび外部電極とその製造方法 |
-
2003
- 2003-10-30 JP JP2003370461A patent/JP4658465B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62177906A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | 日本電気株式会社 | 複合積層セラミツク部品 |
JPS62265795A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | 株式会社住友金属セラミックス | コンデンサ内蔵セラミツクス基板 |
JPH034594A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-10 | Kyocera Corp | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
JPH0529771A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-05 | Fujitsu Ltd | セラミツク回路基板およびその製造方法 |
JPH0817674A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-19 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック部品 |
JPH0832242A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Tdk Corp | コンデンサ内蔵多層配線基板 |
JP2001313469A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-11-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | コンデンサ内蔵配線基板 |
JP2001342057A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-11 | Kyocera Corp | ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた多層配線基板 |
JP2002025337A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Tdk Corp | 導電ペーストおよび外部電極とその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017154900A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 株式会社豊田中央研究所 | 誘電体組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4658465B2 (ja) | 2011-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010045209A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP4673086B2 (ja) | ビア導体メタライズ用の導体ペーストおよびこれを用いたセラミック配線基板の製造方法 | |
JP4578134B2 (ja) | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 | |
JP2006013219A (ja) | チップ型電子部品およびその製法 | |
JP3955389B2 (ja) | コンデンサ内蔵基板およびその製造方法 | |
JP4688460B2 (ja) | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 | |
JP4658465B2 (ja) | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 | |
JP3981270B2 (ja) | 多層基板に内蔵された導体パターン及び導体パターンが内蔵された多層基板、並びに、多層基板の製造方法 | |
JP4496529B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法及び多層セラミック基板 | |
JP2008030995A (ja) | 多層セラミック基板およびその製造方法ならびに多層セラミック基板作製用複合グリーンシート | |
JP5110420B2 (ja) | Ag粉末、導体ペースト及び多層セラミック基板とその製造方法 | |
JP4817855B2 (ja) | コンデンサ内蔵配線基板およびその製造方法 | |
JP2006179844A (ja) | コンデンサ内蔵配線基板 | |
JP2004200679A (ja) | 多層回路基板の製造方法 | |
JP4325928B2 (ja) | BaTiO3系誘電体用電極ペーストおよび導体ペーストならびにコンデンサ内蔵多層配線基板 | |
JP4214039B2 (ja) | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 | |
JP2002043759A (ja) | 多層配線基板 | |
JP5110419B2 (ja) | Ag粉末、導体ペースト及び多層セラミック基板とその製造方法 | |
JP2010278117A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2003026472A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法、積層セラミック電子部品および積層セラミック電子部品製造用の生の複合積層体 | |
JP2008135523A (ja) | 多層基板およびその製造方法 | |
JP4530864B2 (ja) | コンデンサ内蔵配線基板 | |
JP4514301B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP2007201276A (ja) | 配線基板 | |
JP2006066743A (ja) | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061012 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090330 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090707 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100520 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101224 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |