JP2005091094A - 試料作製装置および試料作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 試料6のイオンエッチング中に、試料ステージが傾斜軸kの周りに繰り返し往復傾斜される。このため、図9(b)に示すように、試料6は遮蔽材12と一緒に矢印Tで示すように繰り返し往復傾斜されながらイオンエッチングされる。このようにすれば、従来において前記物質Mで隠されていた非エッチング部Sa(図9(b)参照)もエッチングされ、その結果物質Mを試料6から切り離すことができる。そして最終的に図9(c)に示すように、遮蔽材12のエッジ端部12aを境界として試料6に照射されたイオンビームIBによって、試料6上の前記試料加工位置S0およびその周辺部がエッチングされる。図9(c)において、Sはオペレーターが得たかった試料断面であり、この試料断面Sは後で走査電子顕微鏡などで観察される。
【選択図】 図9
Description
本発明はこのような点に鑑みて成されたものであり、その目的は、観察に適した良好な試料を作製できる試料作製装置および試料作製方法を提供することにある。
このようにすれば、図11(c)の矢印に示すように、イオンビーム加工中に熱膨張によって遮蔽材保持機構13がその長手方向(y軸方向)に伸び、そのためにエッジ12aが左(y軸方向)に移動したとしても、試料6の加工面6’にイオンビームが照射され続ける。このため、既にエッチングされた加工面は常に清浄に保たれる。
また、上記例では、遮蔽材12として板状のものが用いられた。これに代えて、前記特許文献1に記載されているように、断面形状が円形のワイヤ状の遮蔽材や、断面形状が長方形のベルト状の遮蔽材を用いるようにしてもよい。そして、この遮蔽材を用いて透過電子顕微鏡用試料を作製するようにしてもよい。
Claims (7)
- 真空チャンバ内に配置され、試料にイオンビームを照射するためのイオンビーム照射手段と、
前記真空チャンバ内に配置され、前記イオンビームにほぼ垂直な方向の傾斜軸をもつ傾斜ステージと、
その傾斜ステージ上に配置され、前記試料を保持する試料ホルダと、
前記傾斜ステージ上に位置し、前記試料を照射するイオンビームの一部を遮る遮蔽材と
を備えた試料作製装置であり、
前記傾斜ステージの傾斜角を変化させながら、前記イオンビームによる試料加工を行うようにしたことを特徴とする試料作製装置。 - 前記遮蔽材は、前記傾斜軸に直交する平面にほぼ平行なエッジ端部を有し、そのエッジ端部の脇を通ったイオンビームによって試料加工が行われることを特徴とする請求項1記載の試料作製装置。
- 前記遮蔽材を前記試料ホルダに固定する手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の試料作製装置。
- 前記試料ホルダと遮蔽材は一体的に構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の試料作製装置。
- 前記試料ホルダは試料を入れるための容器部を有しており、その容器部の入口部分に、前記遮蔽材となる鍔が形成されていることを特徴とする請求項4記載の試料作製装置。
- 真空チャンバ内に配置され、試料にイオンビームを照射するためのイオンビーム照射手段と、
前記真空チャンバ内に配置された試料ステージと、
その試料ステージ上に配置され、前記試料を保持する試料ホルダと、
前記試料ステージ上に位置し、前記試料を照射するイオンビームの一部を遮る遮蔽材と
を備えた試料作製装置であり、
前記イオンビーム照射手段は、試料面へのイオンビームの入射角度を変えられるように傾斜可能に真空チャンバに取り付けられており、
前記イオンビーム照射手段の傾斜角を変化させながら、前記イオンビームによる試料加工を行うようにしたことを特徴とする試料作製装置。 - 試料面へのイオンビームの入射角度を変化させつつ試料加工が行われるように、試料ステージまたはイオンビーム照射手段の傾斜角を変化させながらイオンビームによる試料加工を行うようにしたことを特徴とする試料作製方法。
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Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007014996A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Hitachi High-Tech Science Systems Corp | イオンミリング装置およびイオンミリング方法 |
JP2007018921A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Hitachi High-Tech Science Systems Corp | 真空排気系を利用したシリンダを用いたイオンビーム電流測定機構 |
JP2008039667A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Hitachi High-Tech Science Systems Corp | イオンミリング装置及びその方法 |
JP2008215979A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Jeol Ltd | イオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置 |
JP2009025133A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Nippon Steel Corp | 試料作製方法及び試料作製装置 |
JP2009145156A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Jeol Ltd | 試料作製装置の遮蔽材保持機構 |
JP2009170117A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンミリング装置 |
KR20120004333A (ko) * | 2010-07-06 | 2012-01-12 | 캠텍 리미티드 | 샘플을 준비하는 방법 및 시스템 |
KR20120004332A (ko) * | 2010-07-06 | 2012-01-12 | 캠텍 리미티드 | 라멜라를 준비하는 방법 및 시스템 |
WO2012060416A1 (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
JP2012154846A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Jeol Ltd | 試料作製装置 |
JP2012193962A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Jeol Ltd | 薄膜試料作製方法 |
JP2013524243A (ja) * | 2010-04-11 | 2013-06-17 | ガタン インコーポレイテッド | イオンビーム試料準備熱管理装置及び方法 |
JP2013524244A (ja) * | 2010-04-11 | 2013-06-17 | ガタン インコーポレイテッド | イオンビーム試料準備装置及び方法 |
JP2013524242A (ja) * | 2010-04-11 | 2013-06-17 | ガタン インコーポレイテッド | イオンビーム試料準備装置及び方法 |
JP2013527435A (ja) * | 2010-04-11 | 2013-06-27 | ガタン インコーポレイテッド | イオンビーム試料準備装置及び方法 |
WO2013103107A1 (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-11 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 真空容器を備えた荷電粒子線照射装置 |
JP2013142624A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Jeol Ltd | 試料作製方法 |
DE112011103860T5 (de) | 2010-11-22 | 2013-08-14 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ionenätzvorrichtung und lonenätzbearbeitungsverfahren |
JP2016061723A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 日本電子株式会社 | 試料作製装置 |
JP2016100203A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 日本電子株式会社 | 試料作製装置 |
JP2018200815A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | 日本電子株式会社 | イオンミリング装置及び試料ホルダー |
JPWO2019053871A1 (ja) * | 2017-09-15 | 2020-10-22 | 株式会社日立ハイテク | イオンミリング装置 |
EP3944285A1 (en) | 2020-07-20 | 2022-01-26 | Jeol Ltd. | Ion milling apparatus and method of manufacturing sample |
EP4056984A1 (en) | 2021-03-08 | 2022-09-14 | JEOL Ltd. | Sample milling apparatus and method of adjustment therefor |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4037809B2 (ja) * | 2003-08-20 | 2008-01-23 | 日本電子株式会社 | イオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置 |
JP2007333682A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Jeol Ltd | イオンビームを用いた断面試料作製装置 |
JP2008107226A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Jeol Ltd | 試料作成装置 |
JP2008204905A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Hitachi High-Tech Science Systems Corp | イオンミリング装置、及びイオンミリング加工方法 |
GB201002645D0 (en) | 2010-02-17 | 2010-03-31 | Univ Lancaster | Method and apparatus for ion beam polishing |
US8686379B1 (en) * | 2010-09-07 | 2014-04-01 | Joseph C. Robinson | Method and apparatus for preparing serial planar cross sections |
US8716683B2 (en) * | 2011-11-28 | 2014-05-06 | Jeol Ltd. | Ion beam processing system and sample processing method |
DE102012012275B9 (de) * | 2012-06-21 | 2014-11-27 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Bearbeitungssystem zur mikro-materialbearbeitung |
US8791438B2 (en) | 2012-07-27 | 2014-07-29 | Gatan Inc. | Ion beam sample preparation apparatus and methods |
US10110854B2 (en) | 2012-07-27 | 2018-10-23 | Gatan, Inc. | Ion beam sample preparation apparatus and methods |
TWI612551B (zh) * | 2012-10-05 | 2018-01-21 | Fei公司 | 在帶電粒子束樣品的製備減少屏幕效應之方法及系統 |
JP6326352B2 (ja) * | 2014-11-19 | 2018-05-16 | 日本電子株式会社 | 試料ホルダー、試料作製装置、および位置合わせ方法 |
JP6843790B2 (ja) * | 2018-03-13 | 2021-03-17 | 日本電子株式会社 | イオンミリング装置及び試料ホルダー |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1493133A (en) * | 1975-10-08 | 1977-11-23 | Franks J | Preparation of specimens to be examined by electron microscopy techniques |
JP2932650B2 (ja) * | 1990-09-17 | 1999-08-09 | 松下電器産業株式会社 | 微細構造物の製造方法 |
JP2886649B2 (ja) * | 1990-09-27 | 1999-04-26 | 株式会社日立製作所 | イオンビーム加工方法及びその装置 |
JP3263920B2 (ja) | 1996-02-01 | 2002-03-11 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡用試料作成装置および方法 |
JP2000186000A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Speedfam-Ipec Co Ltd | シリコンウェーハ加工方法およびその装置 |
US6768110B2 (en) * | 2000-06-21 | 2004-07-27 | Gatan, Inc. | Ion beam milling system and method for electron microscopy specimen preparation |
JP4037809B2 (ja) * | 2003-08-20 | 2008-01-23 | 日本電子株式会社 | イオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置 |
-
2003
- 2003-09-16 JP JP2003323248A patent/JP4557130B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-09-15 DE DE602004029853T patent/DE602004029853D1/de not_active Expired - Lifetime
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- 2004-09-16 US US10/942,752 patent/US7722818B2/en active Active
Cited By (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007014996A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Hitachi High-Tech Science Systems Corp | イオンミリング装置およびイオンミリング方法 |
JP2007018921A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Hitachi High-Tech Science Systems Corp | 真空排気系を利用したシリンダを用いたイオンビーム電流測定機構 |
JP4504880B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2010-07-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空排気系を利用したシリンダを用いたイオンビーム電流測定機構 |
JP4675701B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2011-04-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置およびイオンミリング方法 |
JP2008039667A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Hitachi High-Tech Science Systems Corp | イオンミリング装置及びその方法 |
JP4675860B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-04-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置及びその方法 |
JP2008215979A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Jeol Ltd | イオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置 |
JP2009025133A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Nippon Steel Corp | 試料作製方法及び試料作製装置 |
JP2009145156A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Jeol Ltd | 試料作製装置の遮蔽材保持機構 |
JP2009170117A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンミリング装置 |
JP2013527435A (ja) * | 2010-04-11 | 2013-06-27 | ガタン インコーポレイテッド | イオンビーム試料準備装置及び方法 |
JP2013524243A (ja) * | 2010-04-11 | 2013-06-17 | ガタン インコーポレイテッド | イオンビーム試料準備熱管理装置及び方法 |
JP2016026374A (ja) * | 2010-04-11 | 2016-02-12 | ガタン インコーポレイテッドGatan Inc. | イオンビーム試料準備熱管理装置及び方法 |
JP2013524242A (ja) * | 2010-04-11 | 2013-06-17 | ガタン インコーポレイテッド | イオンビーム試料準備装置及び方法 |
JP2013524244A (ja) * | 2010-04-11 | 2013-06-17 | ガタン インコーポレイテッド | イオンビーム試料準備装置及び方法 |
KR20120004333A (ko) * | 2010-07-06 | 2012-01-12 | 캠텍 리미티드 | 샘플을 준비하는 방법 및 시스템 |
JP2012018163A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Kamtec Ltd | 試料を作製するための方法およびシステム |
JP2012018164A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Kamtec Ltd | ラメラを作製するための方法およびシステム |
KR20120004332A (ko) * | 2010-07-06 | 2012-01-12 | 캠텍 리미티드 | 라멜라를 준비하는 방법 및 시스템 |
DE112011103677B4 (de) | 2010-11-05 | 2017-10-05 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ionenätzvorrichtung |
CN103180929A (zh) * | 2010-11-05 | 2013-06-26 | 株式会社日立高新技术 | 离子铣削装置 |
KR101470267B1 (ko) * | 2010-11-05 | 2014-12-05 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 이온 밀링 장치 |
US10008365B2 (en) | 2010-11-05 | 2018-06-26 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ion milling device |
WO2012060416A1 (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
US11133153B2 (en) | 2010-11-05 | 2021-09-28 | Hitachi High-Tech Corporation | Ion milling device |
CN103180929B (zh) * | 2010-11-05 | 2015-06-10 | 株式会社日立高新技术 | 离子铣削装置 |
DE112011103677T5 (de) | 2010-11-05 | 2013-08-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ionenätzvorrichtung |
JP5491639B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2014-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
JP2014139938A (ja) * | 2010-11-05 | 2014-07-31 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンミリング装置 |
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