JP2005078592A - メモリ制御装置及び画像形成装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 クロック信号に同期して動作する同期式メモリを制御するにあたり、同期式メモリへのアドレス信号出力に起因して生じる不要輻射ノイズを低減する。
【解決手段】 SDRAMへアクティブコマンドを出力する際、cs#をアクティブ状態にするタイミングt1に先立って、有効ローアドレスの出力を開始すると共にras#をアクティブ状態にする(t0)。そして、cs#がネガティブ化(t3)した後所定期間経過後のタイミングt4にて、有効ローアドレスの出力停止およびras#のネガティブ化を行う。しかも、アドレス信号adrの出力制御及びras#,cas#,we#の出力制御は、スペクトラム拡散クロックジェネレータからの変調クロックS−clkに同期して行われる。そのため、アドレス信号adrおよび制御信号ras#,cas#,we#に起因する不要輻射ノイズの発生が低減される。
【選択図】 図5

Description

本発明は、SDRAM等の同期式メモリを制御するメモリ制御装置、及び、それを備えた画像形成装置に関する。
従来より、パーソナルコンピュータ(以下「パソコン」と略す)やプリンタなどの、CPUにより各種データ処理や制御がなされて動作する電子機器では、処理速度の高速化のために高クロック化が進んでいるが、システムクロック(基準クロック)の周波数が高くなるほど機器内部で発生する不要輻射ノイズも増加し、機器内部はもちろん、他の電子機器にも影響を及ぼすおそれがある。
このような不要輻射ノイズは、電子機器内部においてその機器を構成する各種電子部品からも発生するが、特に問題となるのが、部品相互間の配線である。例えば、CPUを搭載した電子機器内に構築される、CPUからの指示に従ってメモリ制御回路が同期式メモリを制御するよう構成されたメモリ制御システムでは、通常、メモリ制御回路と同期式メモリとが同じプリント基板上に一定の距離を隔てて設けられ、配線パターンにて相互に接続される。
この場合の不要輻射ノイズ発生源としては、具体的には、同期式メモリの動作を制御するためにメモリ制御回路から同期式メモリへ出力される各種制御信号用の配線や、その制御信号と共に出力されるアドレス信号用の配線、或いはデータ伝送用の配線やクロック信号伝送用の配線などが挙げられる。その中でも特にクロック信号は、メモリ制御回路や同期式メモリ、CPUなど、電子機器内の各部へほぼ常時供給されるため、電子機器内における主な不要輻射ノイズ源の一つである。
そのため、近年、クロック信号に起因する不要輻射ノイズを抑制するために、一定周波数の基準クロックをスペクトラム拡散クロック(SSC:Spread Spectrum Clock )技術により変調した変調クロックが用いられている。このSSCは、基準クロックに狭帯域の変調をかけることによりその周波数を±数%の割合で一定周期で変化させた変調クロックを得る技術であり、クロック周波数を固定せず変化させることで、不要輻射ノイズのピークを低く抑えるようにしたものである(例えば、特許文献1参照。)。
一方、例えばパソコンのメインメモリなどで頻繁に用いられるSDRAM(Synchronous Dynamic RAM )は、メモリ制御回路からの各種コマンドの取得を、図7に例示するように、コマンドを構成する各種制御信号(図7ではチップセレクト信号cs#のみ図示)とそのコマンドに対応したアドレス信号adrとをクロック信号clkに同期して取り込むことにより行う。尚、信号名称の後に付加されている「#」は、その信号が負論理(アクティブ・ロー)であることを意味する。
このとき、図示の如く、制御信号cs#はクロック信号clkの約1クロック分の期間だけアクティブ状態となり、アドレス信号adrも、制御信号cs#がアクティブ状態となる期間だけ、そのときのコマンドに対応した有効アドレス信号となる。
つまり、メモリ制御回路は、SDRAMへコマンドを出力する際、そのコマンド及びアドレス信号adrを、約1クロック分だけ出力するのである。このようにコマンド及びアドレス信号adrがクロック信号clkの約1クロック分だけ出力されるのは、SDRAMにおける周知の基本的仕様である(例えば、特許文献2参照。)。
特開2000−280575号公報 特開2003−101806号公報(図4,図5)
ところで、マイクロコンピュータ等における近年の高クロック化に伴い、システムクロックとして100MHz程度またはそれ以上の周波数のクロック信号が使用されるようになってきている。
そのため、例えばクロック信号clkの周波数が100MHzの場合、図7に例示したSDRAMの制御のように、制御信号がアクティブ状態(Low レベル)となる期間やアドレス信号adrが有効となる期間がクロック信号clkの約1クロック分だと、そのアクティブ状態となる期間の制御信号や有効アドレス信号の周波数は、クロック周波数の約1/2の約50MHzとなる。この約50MHzの周波数は、不要輻射ノイズの発生源として無視できないレベルの周波数であり、メモリ制御回路からコマンドが出力される度に、この約50MHzの制御信号・アドレス信号adrがメモリ制御回路〜SDRAM間を伝送され、不要輻射ノイズが発生してしまう。
特にアドレス信号adrについては、通常、複数ビットのアドレス信号(ローアドレス又はカラムアドレス)をそのビット数に応じた本数の配線からなるアドレスバスにて伝送するよう構成され、例えば12本であったり16本であったり、さらにそれ以上であったりするなど、近年においては10本以上の配線にてアドレスバスが構成される場合が多い。そのため、コマンド出力時にこの多数の配線上をクロック周波数の約1/2の周波数の有効アドレス信号が伝送されると、それに起因してアドレスバスから生じる不要輻射ノイズも大きくなり、周囲の回路に誤動作等の悪影響を与えてしまうおそれがある。
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、クロック信号に同期して動作する同期式メモリを制御するにあたり、同期式メモリへのアドレス信号出力に起因して生じる不要輻射ノイズを低減することが可能なメモリ制御装置、及び、それを備えた画像形成装置を提供することを目的とする。
本願発明者は、例えば図7で説明したSDRAMの制御において、チップセレクト信号cs#は、コマンドの出力期間(有効期間)を決定付けるものであるため1クロック分の周期より長い期間アクティブ状態とするのは制御上困難であるものの、アドレス信号adrについては、cs#のアクティブ状態期間以外では有効とならないことに着目し、本願発明に至った。
即ち、上記課題を解決するためになされた請求項1記載のメモリ制御装置は、所定周波数(予め定められた一定周波数)の基準クロックを生成する基準クロック生成手段と、該基準クロック生成手段が生成した基準クロックに同期して動作し、該基準クロックに同期して動作する同期式メモリに対し、CPUからの指示に従って制御コマンドとアドレス信号の出力及び該同期式メモリに記憶されたデータの読み出しを行うメモリ制御手段と、を備えたものであって、メモリ制御手段は、制御コマンドを出力する制御コマンド出力手段とアドレス信号を出力するアドレス信号出力手段とを備えている。そして、アドレス信号出力手段は、制御コマンド出力手段が制御コマンドを出力する際に該制御コマンドに対応したアドレス信号であるコマンド対応アドレス信号を出力する場合、少なくとも該制御コマンドの出力期間を含み該出力期間より長い期間、該コマンド対応アドレス信号を出力する。
このように構成されたメモリ制御装置によれば、コマンド対応アドレス信号の出力期間を制御コマンドの出力期間より長くすることで、そのコマンド対応アドレス信号の周波数を制御コマンドの周波数より低くすることが可能となるため、同期式メモリへのアドレス信号出力に起因して生じる不要輻射ノイズを低減することが可能となる。
ここで、アドレス信号出力手段がコマンド対応アドレス信号の出力期間を制御コマンドの出力期間に対して具体的にどの程度長くするかは、その制御コマンドの前・後に出力される他の制御コマンドと干渉しない限り適宜設定することができる。
即ち、例えば、出力タイミングは制御コマンドと同時であるが制御コマンドの出力が終わっても引き続き一定期間はコマンド対応アドレス信号の出力を継続させてもいいし、逆に、制御コマンドの出力に先立ってコマンド対応アドレス信号の出力を開始し、その後に制御コマンドを出力して、両者同時にその出力を終了するようにしてもよいが、例えば請求項2に記載のように、制御コマンドより先にコマンド対応アドレス信号の出力を開始し、該制御コマンドの出力終了後、所定期間経過後にそのコマンド対応アドレス信号の出力を停止するようにしてもよい。
このように、コマンド対応アドレス信号の出力期間を制御コマンドの前・後双方に長くするようにすれば、請求項1の効果に加え、同期式メモリにおけるコマンド対応アドレス信号のセットアップ時間及びホールド時間を十分に確保することができるため、信頼性の高いメモリ制御装置の提供が可能となる。
そしてこの場合(請求項2の場合)、更に、例えば請求項3に記載のように、基準クロック生成手段が生成した基準クロックの周波数を該基準クロックの周波数を含む所定の周波数帯域内で変調して変調クロックとして出力するクロック変調手段を備え、アドレス信号出力手段は、クロック変調手段から出力された変調クロックに同期してコマンド対応アドレス信号の出力を行うようにしてもよい。
このようにすれば、アドレス信号出力手段から出力されるコマンド対応アドレス信号の出力タイミング・出力期間はその出力時の変調クロックの周波数に応じて変化し、即ち、コマンド対応アドレス信号の周波数が変化することになる。そのため、一定周波数の基準クロックに同期してコマンド対応アドレス信号を出力する場合に比べて不要輻射ノイズのピークを低く抑えることができ、同期式メモリへのアドレス信号出力に起因して生じる不要輻射ノイズの低減効果を高めることが可能となる。
ところで、例えば図7で説明したSDRAMの制御では、既に述べた通り、チップセレクト信号cs#を含む複数の制御信号により一つのコマンドが構成されるが、この複数の制御信号のうち、チップセレクト信号cs#以外の制御信号については、上記コマンド対応アドレス信号と同様、cs#のアクティブ状態期間以外では有効とならない。このように、同期式メモリにおいては、一般に、制御コマンドを構成する複数の制御信号についても、その制御コマンドの出力期間を決定付ける信号とそうでない信号とがある。
そこで、請求項1〜3いずれかに記載のメモリ制御装置は、例えば請求項4に記載のように構成してもよい。即ち、請求項4記載のメモリ制御装置は、上記制御コマンドが、該制御コマンドの出力期間を決定付けるものであってアクティブ状態のときに該制御コマンドが有効となる出力期間設定信号と、同期式メモリに対する制御内容を設定するための複数の制御設定信号とにより構成され、該複数の制御設定信号の組み合わせに応じて制御内容が設定されるものである。そして制御コマンド出力手段は、制御コマンドを出力する際、該制御コマンドを構成する複数の制御設定信号であって該制御コマンドにおいてアクティブ状態をとる信号のうち、少なくとも一つを拡幅制御設定信号として、該拡幅制御設定信号のアクティブ状態期間を、出力期間設定信号のアクティブ状態期間より長くするよう構成されている。
このように構成されたメモリ制御装置によれば、コマンド対応アドレス信号に加えて拡幅制御設定信号のアクティブ状態期間も、出力期間設定信号のアクティブ状態期間より長くするため、その拡幅制御設定信号の周波数を低くすることが可能となる。そのため、同期式メモリへのアドレス信号及び制御設定信号の出力に起因して生じる不要輻射ノイズを共に低減することができ、不要輻射ノイズの低減効果をより高めることが可能となる。
ここで、制御コマンド出力手段が拡幅制御設定信号のアクティブ状態期間を出力期間設定信号のアクティブ状態期間に対して具体的にどの程度長くするかは、その拡幅制御設定信号に対応した制御コマンドの前・後に出力される他の制御コマンドと干渉しない限り適宜設定することができる。
即ち、例えば、アクティブ状態に移行するタイミングは出力期間設定信号のアクティブ状態移行時と同時にするが出力期間設定信号が再びネガティブ状態になっても引き続き一定期間は拡幅制御設定信号をアクティブ状態に維持させてもいいし、逆に、出力期間設定信号がアクティブ状態に移行するのに先立って拡幅制御設定信号をアクティブ状態にし、その後に出力期間設定信号をアクティブ状態にして、その後両者同時にネガティブ状態になるようにしてもよいが、例えば請求項5に記載のように、出力期間設定信号をアクティブ状態にする前に拡幅制御設定信号をアクティブ状態にし、該出力期間設定信号をアクティブ状態から再びネガティブ状態にした後、所定期間経過後に該拡幅制御設定信号をネガティブ状態にするようにしてもよい。
このように、拡幅制御設定信号のアクティブ期間を出力期間設定信号のアクティブ期間よりもその前・後双方に長くするようにすれば、請求項4の効果に加え、同期式メモリにおける拡幅制御設定信号のセットアップ時間及びホールド時間を十分に確保することができるため、メモリ制御装置の信頼性をより高めることが可能となる。
そしてこの場合(請求項5の場合)、更に、例えば請求項6に記載のように、制御コマンド出力手段は、クロック変調手段から出力された変調クロックに同期して拡幅制御設定信号の出力を行うようにしてもよい。尚、ここでいう「クロック変調手段」は請求項3に記載の「クロック変調手段」と同一のものを示している。
このようにすれば、制御コマンド出力手段から出力される拡幅制御設定信号がアクティブ状態になるタイミングや期間は、そのときの変調クロックの周波数に応じて変化し、即ち、拡幅制御設定信号の周波数が変化することになる。そのため、周波数が一定の場合に比べて不要輻射ノイズのピークを低く抑えることができ、同期式メモリへの制御設定信号出力に起因して生じる不要輻射ノイズの低減効果を高めることが可能となる。
そして、上記請求項1〜6いずれかに記載のメモリ制御装置は、例えば請求項7に記載のように、同期式メモリがクロック位相調整手段を備えたものである場合により効果的である。クロック位相調整手段は、同期式メモリ内に記憶されているデータがメモリ制御手段により読み出される際の該データの出力が基準クロック生成手段からの基準クロックに同期して行われるよう、入力された基準クロックの位相を調整するものである。
このクロック位相調整手段は、基準クロック生成手段からの基準クロックに同期してデータ出力がなされるように同期式メモリ内部に入力された基準クロックの位相を調整できる限り、種々の構成が考えられ、具体的には例えば周知のDLL(Delay Locked Loop )回路が挙げられる。DLL回路の場合、外部から入力される基準クロックと同期式メモリ内部のクロックとが同位相となる(ロックする)ようフィードバック制御するものであるため、DLLロックの基準となる外部基準クロックが仮に変調クロックであると、DLLロックが外れたり或いはロックすること自体が困難となって、同期式メモリ内の動作用クロックが安定しなくなるおそれがある。そのため、DLL回路のようなクロック位相調整手段を備えた同期式メモリに対しては、既述の特許文献1に開示されたSSCによるノイズ低減方法を適用するのは困難である。
そこで、クロック位相調整手段を備えた同期式メモリを制御するメモリ制御装置として、請求項1〜6いずれかに記載のメモリ制御装置を用いれば、コマンド対応アドレス信号或いは制御設定信号に起因する不要輻射ノイズの低減が可能となるため、より効果的である。
更に、請求項1〜7のいずれかに記載のメモリ制御装置は、例えば請求項8記載のように、同期式メモリが、メモリ制御手段からのデータ読み出し要求を示す一つの制御コマンドに対して複数ワードのデータを該メモリ制御手段へ出力するよう構成されたものである場合により効果的である。即ち、複数ワードのデータが読み出されている間であって少なくとも次の制御コマンドを出力するまでの間は、その制御コマンドに対応した拡幅制御設定信号をアクティブ状態にでき、又は、コマンド対応アドレス信号についても出力を継続できるため、不要輻射ノイズの低減効果がより高まる。
更にまた、請求項1〜8のいずれかに記載のメモリ制御装置は、例えば請求項9に記載のように構成してもよい。即ち、請求項9記載のメモリ制御装置は、請求項1〜8いずれかに記載のメモリ制御装置であって、同期式メモリは同期式RAMであり、メモリ制御手段は、CPUからの指示に従って同期式RAMに対するデータの書き込み及び読み出しを行うよう構成されたものである。
同期式RAMはデータの書き込みも行われるため、不要輻射ノイズの発生量は同期式ROMよりも比較的多くなるが、本発明(請求項9)によれば、データ書き込みの際にメモリ制御手段から出力される制御設定信号やコマンド対応アドレス信号に起因する不要輻射ノイズも低減されるため、同期式RAMを、不要輻射ノイズを低く抑えつつ制御することが可能となる。
また、既述の通り、多種存在する同期式RAMの中でも特に同期式DRAM(SDRAM)は、低価格で大容量であるため、パソコンやプリンタなどの各種電子機器におけるメインメモリとして広く使用されている。そこで、請求項9記載のメモリ制御装置における同期式RAMが、例えば請求項10記載のように同期式DRAMである場合、その同期式DRAMを不要輻射ノイズを低く抑えつつ制御することが可能となるため、より効果的である。
更に、請求項9又は10記載のメモリ制御装置は、例えば請求項11記載のように、同期式メモリが、メモリ制御手段からのデータ書き込み要求を示す一つの制御コマンドに対して複数ワードのデータを書き込むよう構成されたものである場合により効果的である。即ち、その複数ワードのデータが書き込まれている間であって少なくとも次の制御コマンドを出力するまでの間は、その制御コマンドに対応した拡幅制御設定信号をアクティブ状態にでき、又は、コマンド対応アドレス信号についても出力を継続できるため、不要輻射ノイズの低減効果がより高まる。
次に、請求項12記載の発明は、請求項9〜11のいずれかに記載のメモリ制御装置と、外部から画像データを入力するための入力手段と、少なくとも前記画像データがメモリ制御手段によって書き込まれる同期式メモリと、その同期式メモリに書き込まれた画像データに基づく画像を印字媒体に印字する印字手段と、を備えた画像形成装置である。
例えば一枚の印刷用紙に画像を印刷する際の画像データは、非常に多くのデータ量となる。そのため、その多大な画像データを同期式メモリに対して読み書きする場合、必然的にアドレス信号や制御コマンド用の配線長(本数)も多くなり、制御コマンドやアドレス信号(コマンド対応アドレス信号)の入出力頻度も多くなって、不要輻射ノイズが増加するおそれがある。
そこで、そのような画像形成装置におけるメモリ制御装置として本発明(請求項9〜11)のメモリ制御装置を用いれば、大容量の画像データを同期式メモリに読み書きする際の不要輻射ノイズを低く抑えることができ、信頼性の高い画像形成装置の提供が可能となる。
そして、例えば請求項13に記載のように、画像データがカラー画像データである画像形成装置においては、モノクロ画像データに比べるとデータ量がさらに大容量化して不要輻射ノイズも大きくなってしまうおそれがあるが、その大容量カラー画像データを記憶する同期式メモリを制御するために、本発明(請求項9〜11)のメモリ制御装置を用いれば、大容量のカラー画像データを読み書きする場合であっても、不要輻射ノイズを低減することが可能であるため、より効果的である。
以下に、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、画像形成装置としてのプリンタ全体の概略構成を示す説明図である。図1に示す如く、本実施形態のプリンタ10では、画像形成を行う際、感光体ベルト1が時計回りに周回移動し、まず帯電器2により感光体ベルト1の像担持面への帯電が行われる。次に、レーザ書込ユニット3からのレーザ光により、カラー画像データに従った静電潜像が感光体ベルト1上に形成される。カラー画像データは、後述するパソコン40(図2参照)などから入力されるものである。レーザ書込ユニット3は、レーザ光源やポリゴンミラー等により構成された周知のものであり、レーザ光源から発光されたレーザ光は、ミラー27及びミラー26による反射を経て感光体ベルト1上へ照射される。
レーザ書込ユニット3により静電潜像が形成されると、各現像器5〜8により順次現像が行われる。表面に静電潜像が形成された可撓性且つ無端状の感光体ベルト1は、感光体ベルト支持搬送ローラ1a,1b,1cに張架され、これら各ローラ1a〜1cにより一定方向へ周回する。そして、収容するトナー(現像剤)の色がそれぞれ異なる第一現像器5,第二現像器6,第三現像器7及び第四現像器8を順次感光体ベルト1側に移動させることにより、感光体ベルト1上の静電潜像を各色のトナーにて現像する。
図1では、第一現像器5を感光体ベルト1側へ移動させて該第一現像器5の現像ローラ5aを回転させながら感光体ベルト1の表面に当接させることにより、感光体ベルト1上の静電潜像が第一現像器5内のトナーによって現像されている状態を示している。第一現像器5による現像が終わり、感光体ベルト1上のトナーが中間転写ベルト9に転写されると、第一現像器5を感光体ベルト1から離間させると共に第二現像器6を感光体ベルト1側へ移動させて、現像ローラ6aを感光体ベルト1の表面に当接させる。これにより、第二現像器6に収容されているトナーにより感光体ベルト1が現像される。
以降、第三現像器7の現像ローラ7a及び第四現像器8の現像ローラ8aを順次感光体ベルト1の表面に当接させることにより、各現像器7及び8が収容するトナーによる現像が行われ、現像の都度、中間転写ベルト9への転写が行われる。また、各現像器5〜8毎に、現像の前には、帯電器2による感光体ベルト1への帯電及びレーザ書込ユニット3による感光体ベルト1上への静電潜像形成が行われる。
尚、各現像器5〜8は、現像ローラ5a〜8aやトナー供給ローラ5b〜8bの他、図示は省略したものの現像ローラ5a〜8aの表面に付着するトナーの層厚を規制してトナー量の調整等を行うドクターブレード、トナー攪拌等を行うアジテータ等を備え、感光体ベルト1に担持された静電潜像をトナーで現像するための周知の現像器である。また、中間転写ベルト9は、4つの中間転写ベルト支持搬送ローラ9a,9b,9c,9dにより支持・搬送(図1では反時計回り)されている。そして、中間転写ベルト9への転写後、感光体ベルト1上に残余したトナーは感光体ベルトクリーニング装置11により除去される。この感光体ベルト1と中間転写ベルト9との間には、中間転写ベルト9へトナーを中間転写するためのバイアスが印加されている。
そして、各現像器5〜8による現像・転写が終わった後、中間転写ベルト9上に形成された多色のトナー像は、転写ローラ16と中間転写ベルト9との間に印加されたバイアスにより、用紙トレイ12から給紙ローラ13及び各搬送ローラ14,15を経て搬送されてきた印刷用紙上に転写される。そして、転写されたトナーが定着器17によって定着された後、各排紙ローラ18〜20を経て外部に出力(排紙)されることにより、カラー画像が得られる。尚、印刷用紙への転写後、中間転写ベルト9上に残った残余トナーは、中間転写ベルトクリーニング装置21により除去される。
また、用紙トレイ12の上部には、上記説明したプリンタ10内の各部の動作を制御するためのメイン基板30(図3参照)が設けられている。このメイン基板30については後で説明する。
次に、パソコン等の外部端末装置からプリンタ10へカラー画像データが入力され、そのカラー画像データに従ってプリンタ10にてカラー画像が印刷用紙に印刷されることについて、図2に基づいて説明する。図2は、本実施形態のネットワーク印刷システムの概略構成を示す説明図である。図2に示す如く、本実施形態のネットワーク印刷システムでは、プリンタ10及びパソコン40がいずれもネットワーク伝送線L1に接続され、相互にデータの授受ができるよう構成されている。
プリンタ10は、当該プリンタ10の動作全体を制御するCPU31と、CPU31にて実行される各種プログラムやパラメータ等が格納されたROM32と、パソコン40等から送信されてくるカラー画像データ等の格納やCPU31の一時的な作業領域として用いられるRAM33と、CPU31からの指令に従って各部(図2におけるCPU31及びASIC34以外)に制御信号を出力するASIC34と、当該プリンタ10内の各部が動作する際の同期用基準クロックを生成する発振器35と、ネットワーク伝送線L1を介して入出力されるデータ中のMAC(Media Access Control)フレームに含まれるデータ(MACアドレス等)に基づいて各種処理を行うMACチップ36と、当該プリンタ10と外部との間でデータ授受を行うためのインターフェイスであって本発明の入力手段としてのネットワークI/F37と、USB(Universal Serial Bus)規格に基づくデータを入出力するためのUSB端子38と、外部から入力されたカラー画像データに従って印刷用紙にカラー画像を形成(印刷出力)する印字部51と、ユーザがこのプリンタ10の各種設定等を行う場合にその設定の種類に応じた操作を行うための操作部52と、操作部52により操作・入力された設定内容やプリンタ10自身のステータス情報など、プリンタ10の動作に関する種々の情報を表示するための表示部53と、により構成される。
このうち印字部51は、詳細には、レーザ書込ユニット3や感光体ベルト1、各現像器5〜8、中間転写ベルト9、定着器17などの図1に示したプリンタ10内の各部と、これら各部をASIC34からの制御信号に従って実際に動作させるための制御・駆動信号を出力するエンジン基板(図示略)とからなり、本発明の印字手段に相当するものである。
また、図2において一点鎖線で囲んだ部分、即ち、CPU31、ROM32、RAM33、ASIC34、発振器35、MACチップ36、ネットワークI/F37、及びUSB端子38は、図1で説明したメイン基板30に実装されており、その具体的実装状態は図3に示す通りである。図3に示すように、ROM32は実際には複数(本例では4つ)のROMチップ32a,32b,32c,32dにより構成されている。また、RAM33は、本実施形態ではSDRAMであり、より詳細には、複数のSDRAMチップが搭載されたSDRAMモジュール(DIMM)33a,33bにより構成されている。尚、以下の説明においては、RAM33を、より具体的な名称であるSDRAM33と称する。
また、既に説明したように、発振器とCPU31とが基準クロック供給ラインLc1により接続され、発振器35とASIC34とが基準クロック供給ラインLc2により接続されている。また、ASIC34とSDRAM33とが基準クロック供給ラインLc3により接続され、SDRAM33にも基準クロックが供給される。
一方、パソコン40は、CPU41、ROM42、RAM43、ハードディスクドライブ(HDD)44、液晶ディスプレイ等の表示部45、キーボード等の操作部46、CD−ROMドライブ47、及びネットワークI/F48を備えたごく一般的な構成のものである。そして、このパソコン40にインストールされたアプリケーション上で作成された文書データやカラー画像データ等の各種印刷用データは、ユーザによる印刷指示によってネットワークI/F48から出力され、ネットワーク伝送線L1を介してプリンタ10内に入力される。プリンタ10は、ネットワーク伝送線L1を介して入力された印刷用データを印字部51にて実際に印刷可能なデータ形式に展開し、印刷出力する。
次に、上記説明した本実施形態のプリンタ10における、SDRAM33の制御について、図4に基づいて説明する。図4は、プリンタ10内におけるSDRAM制御システムの概略構成を示す説明図である。
本実施形態のプリンタ10では、CPU31と、ASIC34と、SDRAM33と、発振器35とによりSDRAM制御システムが構成されている。発振器35は、一定周波数(本実施形態では例えば100MHz)の基準クロックclkを生成する周知のクロックジェネレータであり、CPU31及びASIC34にはこの発振器35で生成された基準クロックclkが入力され、SDRAM33にもASIC34を介して基準クロックclkが入力される。
CPU31は、ROM32内のプログラム等に基づいて各種演算処理を実行するCPUコア56と、ASIC34内のメモリ制御信号発生回路61とCPUコア56との間で相互に伝送される各種データ・制御信号を中継するインターフェイスとしてのメモリI/F回路57と、発振器35から入力された基準クロックclkを逓倍(例えば1GHzに逓倍)するPLL回路58とを備える。即ち、CPU31は基本的には基準クロックclkを入力して動作用クロックとして使用するが、CPUコア56は、その基準クロックclkを逓倍してより高周波数化されたクロックに同期して動作するよう構成されている。
ASIC34は、発振器35から入力された基準クロックclkをSSCにより変調して変調クロックS−clkを生成するスペクトラム拡散クロックジェネレータ(SSCG)62と、CPU31からの指示(制御信号)に従ってSDRAM33の各種制御を行うメモリ制御信号発生回路61とを備える。
SSCG62は、基準クロックclk(100MHz)に狭帯域の変調をかけることにより、例えば99〜101MHzの間で周期的に変化するような変調クロックS−clkを生成するものであり、この変調クロックS−clkはメモリ制御信号発生回路61へ入力される。また、基準クロックclk自体もメモリ制御信号発生回路61へ入力される。
SDRAM33は、既述の通り二つのSDRAMモジュール33a,33bからなる。このうち一方のSDRAMモジュール33aは、複数のSDRAMチップからなるメモリ部81と、ASIC34から入力された基準クロックclkを遅延させてメモリ部81へ供給することによりメモリ部81への制御信号やデータの入力及びメモリ部81からのデータ出力を外部クロック(つまりSDRAMモジュール33aに入力される基準クロックclk)に同期させるためのDLL回路82とを備える。また、他方のSDRAMモジュール33bも同様に、複数のSDRAMチップからなるメモリ部86と、上記DLL回路82と同じ構成のDLL回路87とを備える。
メモリ制御信号発生回路61は、CPU31からの命令に従ってSDRAM33に対するデータの書き込み及び読み出しを制御するものである。具体的には、CPU31からの制御信号に従ってSDRAM33へ制御信号・アドレス信号adrを出力し、また、必要に応じてCPU31に対して所定の制御信号を出力するよう構成され、SDRAM33は、このメモリ制御信号発生回路61からの各種制御信号及びアドレス信号adrに従って動作する。また、メモリ制御信号発生回路61は、CPU31とSDRAM33との間でデータの中継も行うよう構成されている。そのため、メモリ制御信号発生回路61とSDRAM33とは、各種制御信号をSDRAM33へ送信するための制御バスBcと、アドレス信号adr伝送用のアドレスバスBaと、データ伝送用のデータバスBdとによって相互に接続されている。
メモリ制御信号発生回路61は、CPU命令解析部71とSDRAM制御部72とを備える。CPU命令解析部71は、CPU31からの制御信号をデコード処理してSDRAM制御用の信号・データであるか否か判断し、SDRAM制御用の場合に、その内容(CPU31の命令内容)をSDRAM制御部72に伝達する。これを受けたSDRAM制御部72は、CPU31による命令内容に従って、SDRAM33を制御するための各種制御信号及びアドレス信号adrを生成し、SDRAM33へ出力する。そして、この制御信号及びアドレス信号adrを受けたSDRAM33は、制御信号に基づいてコマンドの解釈を行い、コマンドの内容及び指定されたアドレス信号adrに基づいてデータの読み出し(又は書き込み)を行う。
ここで、SDRAM33の動作について概略説明する。SDRAM33には、上記のようにSDRAM制御部72から各種制御信号が入力されるが、具体的には、チップセレクト信号(cs#)、ローアドレスストローブ信号(ras#)、カラムアドレスストローブ信号(cas#)、及びライトイネーブル信号(we#)が制御信号として用いられる。即ち、SDRAM制御部72は、これら各制御信号cs#、ras#、cas#、及びwe#の組み合わせによってSDRAM33に対するコマンド(本発明の制御コマンド)を指定するよう構成されている。
そして、コマンド指定によって、SDRAM33に対する動作モード、バースト長(BL)、CASレイテンシー(CL)などを設定することができる。バースト長とは、バースト動作時におけるデータの連続出力(入力)ワード数を指定するものであり、CASレイテンシーとは、リードコマンド入力時からデータの読み出しが始まるまでのクロックサイクル数である。
SDRAM33は、基準クロック供給ラインLc3からの基準クロックclkの立ち上がり時に各制御信号cs#、ras#、cas#、及びwe#をラッチして、コマンドを解釈するよう構成されている。代表的なコマンドとしては、例えば、cs#とras#が共にLow レベルでcas#とwe#が共にHighレベルのときのアクティブコマンド、cs#とcas#が共にLow レベルで他が共にHighレベルのときのリードコマンド、cs#とcas#とwe#が共にLow レベルでras#がHighレベルのときのライトコマンド、cs#とras#とwe#が共にLow レベルでcas#がHighレベルのときのプリチャージコマンド、各制御信号cs#、ras#、cas#、及びwe#が全てLow レベルのときのモードレジスタ設定コマンドなどが挙げられる。そして、上記のバースト長BL及びCASレイテンシーCLは、モードレジスタ設定コマンド出力時にアドレス信号adrを所定の論理レベルにすることで設定される。その他にも種々のコマンドがあるが、上記各コマンドを含め、いずれもSDRAMの制御において用いられる周知のものであるため、ここではその詳細説明を省略する。
このようにSDRAM33に対してコマンド(各種制御信号)を出力するSDRAM制御部72は、より詳細には、第1信号生成回路73と、第2信号生成回路74と、アドレス制御回路75と、データ制御回路76とにより構成される。
第1信号生成回路73は、CPU31からの命令に従ってSDRAM33へコマンドを出力する際にcs#を出力するものである。cs#は、コマンドの出力期間(有効期間)を決定する信号であって、アクティブ状態(Low レベル)のときに他の3つの制御信号ras#,cas#,we#が有効となり、結果としてコマンドが有効となる。
第2信号生成回路74は、CPU31からの命令に従ってSDRAM33へコマンドを出力する際に、上記4種類の制御信号のうちras#,cas#,we#の3種類を出力するものである。即ち、cs#は本発明の出力期間設定信号に相当し、ras#,cas#,we#はいずれも本発明の制御設定信号に相当する。
アドレス制御回路75は、CPU31からの命令に従ってSDRAM33へコマンドを出力する際にそのコマンドに対応した有効アドレス(本発明のコマンド対応アドレス信号)を出力するものであり、SDRAM33におけるデータの読み出し又は書き込み対象のアドレスを出力する。データ制御回路76は、CPU31からの命令に従ってSDRAM33へのデータ出力を制御したり、SDRAM33からの入力データを制御したりするものである。
そして本実施形態では、SDRAM制御部72を構成する上記各回路73〜76のうち、cs#を出力する第1信号生成回路73及びSDRAM33に読み書きされるデータの制御を行うデータ制御回路76は、いずれも基準クロックclkに同期して動作する。一方、ras#,cas#,we#を出力する第2信号生成回路74及びアドレス信号adrを出力するアドレス制御回路75は、いずれも変調クロックS−clkに同期して動作する。
更に本実施形態では、SDRAM33へコマンドを出力する際に、そのコマンドにおいてアクティブ状態となる制御信号のうちcs#以外のものを、cs#に先立ってアクティブ状態とし、且つ、cs#がアクティブ状態からネガティブ状態になった後に、再びネガティブ状態に戻すようにしている。つまり、そのコマンドにおいてアクティブ状態となる制御信号のうち、cs#以外の制御信号がアクティブ状態となる期間を、cs#のアクティブ状態期間より長くなるようにしているのである。例えばライトコマンドの場合、アクティブ状態となるのは、cs#以外ではcas#とwe#の二つである。そのため、ライトコマンドを出力する際は、cs#をアクティブ状態にするよりも先にcas#とwe#をアクティブ状態にし、ネガティブ状態に戻すのも、cas#とwe#はcs#より後にするのである。
また、アドレス信号adrについても同様に、SDRAM33へコマンドを出力する際、そのコマンドに対応した有効アドレスをcs#に先立って出力し、且つ、cs#がアクティブ状態からネガティブ状態になった後に、その有効アドレスの出力を停止するようにしている。
次に、上記構成のSDRAM制御システムにおけるSDRAM33の具体的制御例について、図5に基づいて説明する。図5は、SDRAM33に対してデータの書き込みを行うライト動作時の制御例を示すタイムチャートである。図5に示すライト動作は、バースト長BL=4とした場合を示している。
図示の如く、SDRAM制御部72は、SDRAM33へアクティブコマンドを出力するようCPU31から命令されると、cs#及びras#をアクティブ(Low レベル)とする。この場合、両者を同時にアクティブ状態とするのではなく、cs#をアクティブ状態にするタイミングt1より前のタイミングt0でras#をアクティブ状態にする。本実施形態では、基準クロックclkの約1クロック分先にアクティブ状態としている。アドレス信号adrも同様であり、ras#をアクティブ状態にするのと同時に、有効アドレス(ここでは有効ローアドレス)の出力を開始する。
そして、タイミングt1でcs#がアクティブ状態になった後のタイミングt2で基準クロックclkが立ち上がると、SDRAM33ではその立ち上がりタイミングで各制御信号及び有効ローアドレスがラッチされる。そして、そのラッチした各信号に基づいてコマンドの解釈が行われ、アクティブコマンドであることを認識することになる。
cs#は、基準クロックclkの約1クロック分の期間だけアクティブ状態を保持した後、再びネガティブ状態になるが(タイミングt3)、ras#のアクティブ状態及び有効ローアドレスの出力はタイミングt4まで継続される。
一方、アクティブコマンドの出力後は所定期間おいてライトコマンドが出力される。ライトコマンドは、cs#,cas#,we#をアクティブ状態とすることにより設定されるコマンドであるが、このライトコマンドについても、上記アクティブコマンドと同様、cs#をアクティブ状態にするタイミングt5より前のタイミング(本実施形態では上記タイミングt4)で、cas#及びwe#をアクティブ状態にする。アドレス信号adrについても同様であり、cas#及びwe#をアクティブ状態にするのと同時に、有効アドレス(ここでは有効カラムアドレス)の出力を開始する。
そして、タイミングt5でcs#がアクティブ状態になった後のタイミングt6で基準クロックclkが立ち上がると、SDRAM33ではその立ち上がりタイミングで各制御信号及び有効カラムアドレスがラッチされる。そして、そのラッチした各信号に基づいてコマンドの解釈が行われ、ライトコマンドであることを認識することになる。
また、cs#がアクティブ状態となるタイミングt5では、データ制御回路76から、SDRAM33へ書き込むべきデータの出力が開始される。そのため、タイミングt6ではそのデータ(Data0)もラッチされることになり、SDRAM33は、入力されたライトコマンドに従ってそのData0を書き込む。このときの書き込み先アドレスは、タイミングt2でラッチした有効ローアドレスとタイミングt6でラッチした有効カラムアドレスとにより決定される。
その後、cs#はタイミングt7にて再びネガティブ状態になるが、本実施形態では既述の通りバースト長BL=4に設定されているため、以後、SDRAM33では基準クロックclkに同期して残り3つのデータが順次ラッチされる。具体的には、タイミングt8でData1がラッチされ、タイミングt10でData2がラッチされ、タイミングt11でData3がラッチされる。
また、cas#及びwe#については、タイミングt7でcs#がネガティブ状態になった後も引き続きアクティブ状態を保持し、タイミングt9にてネガティブ状態となる。
そして本実施形態では、図示したライト動作全体におけるタイミングt0,t4,及びt9は一定ではなく、所定の範囲で変動している。これは、アドレス信号adrを出力するアドレス制御回路75と、ras#,cas#,we#の3種類の制御信号を出力する第2信号生成回路74とが、既述の通りいずれも変調クロックS−clkに同期して動作するからである。
つまり、本実施形態では、アクティブコマンドにおける有効ローアドレスの出力期間及びライトコマンドにおける有効カラムアドレスの出力期間をいずれも、それぞれのコマンドにおけるcs#のアクティブ期間より長くすると共に、各アドレスの出力タイミングを変調クロックS−clkに同期して行うようにしている。
また、ras#,cas#,we#についても同様であり、例えばアクティブコマンドの場合、cs#をアクティブ状態にする前にアクティブ状態とし(t0)、cs#をネガティブ状態とした後にネガティブ状態としており(t4)、しかもそのアクティブ状態への移行及びネガティブ状態への移行は変調クロックS−clkに同期して行うようにしている。
次に、図6は、SDRAM33からデータの読み出しを行うリード動作時の制御例を示すタイムチャートであり、本例では、バースト長BL=4、CASレイテンシーCL=2とした場合を示している。
図示の如く、リード動作における各コマンドの出力タイミングは、基本的には図5で説明したライト動作と同じである。即ち、まずアクティブコマンドにおける各制御信号cs#,ras#,cas#,we#の出力タイミング、及び有効ローアドレスの出力タイミングは、図5のアクティブコマンドと全く同じである(t0〜t4)。
また、リードコマンドについても、そのコマンドの仕様上、we#がアクティブ状態にならないことを除けば、cs#がアクティブ状態から再びネガティブ状態に戻るまでの動作は図5のライトコマンドと同じである(t4〜t7)。そして、リード動作の場合、タイミングt6にてリードコマンドがラッチされた後、2クロック分経過後のタイミングt10から、読み出し対象のデータが順次読み出される。これは、CASレイテンシーCLを2に設定していることによるものであり、タイミングt10以降、Data0〜Data3が1クロック毎に順次読み出される。
そして、タイミングt4で出力開始された有効カラムアドレス、及び同じくタイミングt4でアクティブ状態となったcas#はいずれも、タイミングt12までの間は状態を保持し続け、タイミングt12にて、有効カラムアドレスの出力が停止されると共に、cas#もネガティブ状態に戻る。
以上詳述した本実施形態のプリンタ10によれば、メモリ制御信号発生回路61がSDRAM33へ各種コマンドを出力する際、3つの制御信号ras#,cas#,we#のうちそのコマンドでアクティブ状態となる信号について、そのアクティブ状態期間をcs#のアクティブ状態期間より長くしており、且つ、そのコマンドに対応した有効アドレス(有効ローアドレス,有効カラムアドレス)の出力期間もcs#のアクティブ状態期間より長くしている。そのため、各制御信号ras#,cas#,we#及びアドレス信号adrの周波数が低くなり、これら各信号に起因して生じる不要輻射ノイズが低減されたプリンタ10の提供が可能となる。
しかも、有効アドレスの出力期間及び各制御信号ras#,cas#,we#のアクティブ状態期間を単にcs#のアクティブ状態期間より長くするのではなく、cs#がアクティブ状態となるのに先立って、有効アドレス出力を開始すると共に制御信号をアクティブ状態としており、その有効アドレスの出力停止タイミング及びアクティブ状態の制御信号をネガティブ状態に戻すタイミングは、cs#がネガティブ状態に戻って所定期間(例えば図5のアクティブコマンドではt3〜t4の約1クロック分)経過した後にしている。そのため、コマンドに対応した有効アドレス及び各制御信号ras#,cas#,we#のセットアップ時間及びホールド時間を十分に確保することができ、信頼性の高いメモリ制御装置の提供、延いては信頼性の高いプリンタ10の提供が可能となる。
また、本実施形態のSDRAM33はDLL回路を備えているため、SDRAM33に変調クロックS−clkを供給して動作させるのは困難である。そのため、従来のようにSDRAM33への供給クロックを変調クロックS−clkとすることにより低ノイズ化を図ることは困難である。しかしながら本実施形態では、アドレス信号adr及び制御信号ras#、cas#、we#の不要輻射ノイズ低減が図られているため、プリンタ10全体として不要輻射ノイズの低減が実現されている。
更に、SDRAM33ではデータ読み書き時のバースト長BLを設定することができるため、BLが長いほど、制御信号ras#,cas#,we#のアクティブ状態期間及び有効アドレスの出力期間を長くすることができ、不要輻射ノイズの低減効果をより高めることができる。
また、本実施形態のプリンタ10はカラー画像データに基づくカラー画像形成が可能に構成されたカラープリンタであるため、SDRAM33は大容量のものとなって、必然的にアドレス信号や各種制御信号用の配線長(本数)も多くなるが、上記説明した本実施形態のSDRAM33の制御方法により、不要輻射ノイズの低減を図りつつ、大容量のカラー画像データを精度良く制御でき、高精度の印字(カラー画像印刷)結果を得ることが可能となる。
ここで、本実施形態の構成要素と本発明の構成要素の対応関係を明らかにする。本実施形態において、発振器35は本発明の基準クロック生成手段に相当し、SSCG62は本発明のクロック変調手段に相当し、DLL回路82,83はいずれも本発明のクロック位相調整手段に相当し、メモリ制御信号発生回路61は本発明のメモリ制御手段に相当し、そのうち第1信号生成回路73と第2信号生成回路74とにより本発明の制御コマンド出力手段が構成され、アドレス制御回路75は本発明のアドレス信号出力手段に相当する。
また、例えば図5においてアクティブコマンドを構成するras#やライトコマンドを構成するcas#,we#などのような、各コマンドにおいてアクティブ状態となる制御信号(但しcs#は除く)が、本発明の拡幅制御設定信号に相当する。
尚、本発明の実施の形態は、上記実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもない。
例えば、コマンド出力の際に、cs#のアクティブ期間に対して他の制御信号ras#,cas#,we#のアクティブ状態期間及び有効アドレスの出力期間をどのように設定するかは、そのコマンド前後の他のコマンドと干渉しない範囲内であって、且つ、少なくともcs#のアクティブ期間中には有効アドレスの出力及びそのコマンドでアクティブ状態とすべき制御信号のアクティブ状態を継続する限り、任意に決めることができる。
また、上記実施形態では、第2信号生成回路74及びアドレス制御回路75をいずれも変調クロックS−clkに同期して動作するものとして説明したが、変調クロックS−clkではなく基準クロックclkに同期して動作させるようにしてもよく、その場合も不要輻射ノイズの低減効果は得られる。但し、不要輻射ノイズの低減効果を高めるためには、上記各回路74,75を変調クロックS−clkに同期して動作させる方がより好ましい。
また、上記実施形態では、同期式メモリとしてSDRAM33を例に挙げたが、SDRAMに限らず例えばDDR−SDRAM(Double Data Rate SDRAM)やRambus(登録商標)仕様のR−DRAMなどの種々の同期式DRAMに適用できる。また、DRAMだけでなく、様々な同期式メモリに対して適用することも可能である。例えば、キャッシュメモリなどで利用される同期式SRAM(SSRAM)や、同期式ROM(SROM)などが挙げられる。
本実施形態のプリンタ全体の概略構成を示す説明図である。 本実施形態のネットワーク印刷システムの概略構成を示す説明図である。 メイン基板における各部品の実装状態の概略を示す説明図である。 本実施形態のプリンタにおけるSDRAM制御システムの概略構成を示す説明図である。 ライト動作時の制御例を示すタイムチャートである。 リード動作時の制御例を示すタイムチャートである。 SDRAMにおけるクロックとアドレス信号及び制御信号との関係を説明するためのタイムチャートである。
符号の説明
1…感光体ベルト、1…順次感光体ベルト、2…帯電器、3…レーザ書込ユニット、3…残り、5…第一現像器、6…第二現像器、7…第三現像器、8…第四現像器、9…中間転写ベルト、10…プリンタ、12…用紙トレイ、14,15…搬送ローラ、16…転写ローラ、17…定着器、30…メイン基板、31…CPU、32…ROM、33…RAM(SDRAM)、33a,33b…SDRAMモジュール、34…ASIC、35…発振器、36…MACチップ、37…ネットワークI/F、38…USB端子、40…パソコン、51…印字部、52…操作部、53…表示部、56…CPUコア、57…メモリI/F回路、58…PLL回路、61…メモリ制御信号発生回路、62…スペクトラム拡散クロックジェネレータ(SSCG)、71…CPU命令解析部、72…SDRAM制御部、73…第1信号生成回路、74…第2信号生成回路、75…アドレス制御回路、76…データ制御回路、81,86…メモリ部、82,87…DLL回路、L1…ネットワーク伝送線、Lc1,Lc2,Lc3…基準クロック供給ライン

Claims (13)

  1. 所定周波数の基準クロックを生成する基準クロック生成手段と、
    該基準クロック生成手段が生成した基準クロックに同期して動作し、該基準クロックに同期して動作する同期式メモリに対し、CPUからの指示に従って、制御コマンドとアドレス信号の出力及び該同期式メモリに記憶されたデータの読み出しを行うメモリ制御手段と、
    を備えたメモリ制御装置であって、
    前記メモリ制御手段は、
    前記制御コマンドを出力する制御コマンド出力手段と、
    前記アドレス信号を出力するアドレス信号出力手段と、
    を備え、
    前記アドレス信号出力手段は、前記制御コマンド出力手段が制御コマンドを出力する際に該制御コマンドに対応したアドレス信号であるコマンド対応アドレス信号を出力する場合、少なくとも該制御コマンドの出力期間を含み該出力期間より長い期間、該コマンド対応アドレス信号を出力する
    ことを特徴とするメモリ制御装置。
  2. 請求項1記載のメモリ制御装置であって、
    前記アドレス信号出力手段は、前記コマンド対応アドレス信号を出力する際、対応する前記制御コマンドより先にその出力を開始し、該制御コマンドの出力終了後、所定期間経過後にその出力を停止する
    ことを特徴とするメモリ制御装置。
  3. 請求項2記載のメモリ制御装置であって、
    前記基準クロック生成手段が生成した基準クロックの周波数を、該基準クロックの周波数を含む所定の周波数帯域内で変調して変調クロックとして出力するクロック変調手段を備え、
    前記アドレス信号出力手段は、前記クロック変調手段から出力された変調クロックに同期して前記コマンド対応アドレス信号の出力を行う
    ことを特徴とするメモリ制御装置。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載のメモリ制御装置であって、
    前記制御コマンドは、該制御コマンドの出力期間を決定付けるものであってアクティブ状態のときに該制御コマンドが有効となる出力期間設定信号と、前記同期式メモリに対する制御内容を設定するための複数の制御設定信号とにより構成され、該複数の制御設定信号の組み合わせに応じて前記制御内容が設定されるものであり、
    前記制御コマンド出力手段は、前記制御コマンドを出力する際、該制御コマンドを構成する複数の制御設定信号であって該制御コマンドにおいてアクティブ状態をとる信号のうち、少なくとも一つを拡幅制御設定信号として、該拡幅制御設定信号のアクティブ状態期間を、前記出力期間設定信号のアクティブ状態期間より長くする
    ことを特徴とするメモリ制御装置。
  5. 請求項4記載のメモリ制御装置であって、
    前記制御コマンド出力手段は、前記制御コマンドを出力する際、前記出力期間設定信号をアクティブ状態にする前に前記拡幅制御設定信号をアクティブ状態にし、該出力期間設定信号をアクティブ状態から再びネガティブ状態にした後、所定期間経過後に該拡幅制御設定信号をネガティブ状態にする
    ことを特徴とするメモリ制御装置。
  6. 請求項5記載のメモリ制御装置であって、
    前記基準クロック生成手段が生成した基準クロックの周波数を、該基準クロックの周波数を含む所定の周波数帯域内で変調して変調クロックとして出力するクロック変調手段を備え、
    前記制御コマンド出力手段は、前記クロック変調手段から出力された変調クロックに同期して前記拡幅制御設定信号の出力を行う
    ことを特徴とするメモリ制御装置。
  7. 請求項1〜6のいずれかに記載のメモリ制御装置であって、
    前記同期式メモリは、記憶されているデータが前記メモリ制御手段により読み出される際の該データの出力が前記基準クロック生成手段からの基準クロックに同期して行われるよう、入力された前記基準クロックの位相を調整するクロック位相調整手段を備えている
    ことを特徴とするメモリ制御装置。
  8. 請求項1〜7のいずれかに記載のメモリ制御装置であって、
    前記同期式メモリは、前記メモリ制御手段からのデータ読み出し要求を示す一つの前記制御コマンドに対し、複数ワードのデータを該メモリ制御手段へ出力するよう構成されている
    ことを特徴とするメモリ制御装置。
  9. 請求項1〜8のいずれかに記載のメモリ制御装置であって、
    前記同期式メモリは同期式RAMであり、
    前記メモリ制御手段は、CPUからの指示に従って前記同期式RAMに対するデータの書き込み及び読み出しを行う
    ことを特徴とするメモリ制御装置。
  10. 請求項9記載のメモリ制御装置であって、
    前記同期式メモリは同期式DRAMであることを特徴とするメモリ制御装置。
  11. 請求項9又は10記載のメモリ制御装置であって、
    前記同期式メモリは、前記メモリ制御手段からのデータ書き込み要求を示す一つの前記制御コマンドに対し、複数ワードのデータを書き込むよう構成されている
    ことを特徴とするメモリ制御装置。
  12. 請求項9〜11のいずれかに記載のメモリ制御装置と、
    外部から画像データを入力するための入力手段と、
    少なくとも前記画像データが、前記メモリ制御手段によって書き込まれる前記同期式メモリと、
    前記同期式メモリに書き込まれた画像データに基づく画像を印字媒体に印字する印字手段と、
    を備えたことを特徴とする画像形成装置。
  13. 前記画像データはカラー画像データであることを特徴とする請求項12記載の画像形成装置。
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