JP2005072588A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 半導体デバイスであって、
   半導体基体、
   該半導体基体に積層される誘電体層、
   該誘電体層上に配置される連続導体、および
   該連続導体から、前記半導体基体の能動領域まで伸びるタングステン・プラグから成り、
   該半導体基体は、該連続導体の下方の基体領域に開口部を画定することを特徴とする半導体デバイス。
2. 請求項１記載の半導体デバイスであって、さらに、該誘電体層内の実質的に垂直な第１及び第２の導電経路からなり、該連続導体が第１及び第２の終端からなり該半導体基体が能動領域からなるとともに、該第１及び第２の導電経路が該能動領域を該第１及び第２の終端にそれぞれ電気的に接続することを特徴とする半導体デバイス。
3. 請求項１記載の半導体デバイスにおいて、該連続導体がインダクタからなることを特徴とする半導体デバイス。
4. 請求項１記載の半導体デバイスにおいて、該連続導体はスパイラル形状からなることを特徴とする半導体デバイス。
5. 請求項１記載の半導体デバイスにおいて、該半導体基体がさらに上部基体表面及び下部基体表面からなり、該誘電体層の下部表面が該上部基体表面と接触し、および該連続導体の下方にある領域において該開口部が該上部基体表面から該下部基体表面に亘っていることを特徴とする半導体デバイス。
6. 半導体デバイスであって、
   半導体基体、
   該半導体基体に形成された複数の能動領域、
   該半導体基体に積層される第１の誘電体層、
   能動領域を接続するための複数の誘電体層と交互に配置される複数の導電性相互接続層、及び、
   該複数の導電性相互接続層のうちの１つの層に形成された連続導体からなり、
   該半導体基体は、該連続導体の下方にある領域において、その中に第１の開口部および該連続導体から該複数の能動層のうちの１つの層まで伸びるタングステン・プラグを画定するようになっていることを特徴とする半導体デバイス。
7. 請求項６に記載の半導体デバイスにおいて、該複数の導電性相互接続層のうちの少なくとも１つの層と、該連続導体の下方にある該複数の導体層のうちの１つの層が、該連続導体の下方にある領域において、その中に第２の開口部を画定し、および非導電性材料と非半導体性材料の間から選択される材料が該第２の開口部内に配置されたことを特徴とする半導体デバイス。
8. 請求項６記載の半導体デバイスであって、さらに、導電経路からなり、該連続導体は第１及び第２の終端からなるとともに、該導電経路は該第１及び第２の終端の各々を該複数の能動領域の一つに電気的に接続することを特徴とする半導体デバイス。
9. 請求項６記載の半導体デバイスであって、さらに、導電経路からなり、該連続導体は第１及び第２の終端からなるとともに、該導電経路は該第１及び第２の終端の各々を該１以上の導電性相互接続層の一つの層に電気的に接続することを特徴とする半導体デバイス。
10. 半導体デバイスであって、
    自身に形成された能動領域を有する半導体基体、
    該半導体基体に積層される誘電体層、
    該誘電体層内において該誘電体層の上側表面と能動領域の間に亘って形成された導電経路、および
    該誘電体層の上部表面の上に形成されたインダクタから成り、さらに第１および第２の終端から成る導電線であって、該第１および第２の終端の各々がタングステン・プラグと電気的に導通状態にある導電経路から成り、
    該半導体基体は該導電線の少なくとも一部分の下方にある開口部を画定していることを特徴とする半導体デバイス。