JP2004516679A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層（１２２，２２２）を形成する工程と、
この絶縁層内に、複数の第１伝導線（１２４，２２４）と、この第１伝導線を連結する第１伝導性エッチ線（１５２）とを形成する工程と、
前記絶縁層内に、前記第１伝導線に隣接するトレンチ（１３０）をエッチングする工程と、
この絶縁層、トレンチ及び第１伝導線上にコンデンサ誘電体を蒸着する工程と、
複数の第２伝導線（１３６、２３６）を形成し、かつ、この第２伝導線を連結する第２伝導性エッチ線（１５４）を形成するために、前記トレンチを伝導材料で充填する工程とを有し、
前記第１伝導線の深さは前記絶縁層の全体の厚さであり、前記トレンチは前記第１伝導線と同一の深さを有する、金属−絶縁体−金属コンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記第１及び第２エッチ線（１５２、１５４）は、パッド（１５６、１５８）に接続しており、これらのパッドは、前記した金属−絶縁体−金属コンデンサの製造に先立って蒸着される際または続いて蒸着される際に、バイアスによって金属被覆層と電気的に接続される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１伝導線、前記コンデンサ誘電体及び前記第２伝導線は垂直コンデンサを形成する請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１伝導線の間にある前記絶縁層内のトレンチをエッチングする工程は、この第１伝導線の間にある実質的に全ての絶縁層を除去する工程を備える請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１伝導線及び前記第２伝導線は、略同一の幅及び深さである請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記絶縁層を形成する工程は、層間誘電体を形成する工程を備える請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記コンデンサの第１伝導線を形成する際に、接続線を同時に金属被覆層に形成する工程をさらに備える請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
絶縁層（１２２，２２２）と、
この絶縁層内に形成される複数の第１伝導線（１２４，２２４）と、
この絶縁層内にある第１伝導線の直近に蒸着される、複数の第２伝導線（１３６、２３６）と、
前記第１伝導線及び前記第２の直近伝導線との間に蒸着される、コンデンサ誘電体と、
前記第１伝導線を連結する第１伝導性エッチ線（１５２）と、
前記第２伝導線を連結する第２伝導性エッチ線（１５４）とを備えており、
前記第１伝導線の深さは前記絶縁層の全体の厚さであり、前記第１伝導線と同一の深さを有するトレンチ（１３０）内に、前記第２伝導線が形成されている金属−絶縁体−金属コンデンサ。
【請求項９】
前記第１及び第２伝導性エッチ線（１５２、１５４）は、前記第１又は第２伝導線の電気的接続のために設けられたパッド（１５６、１５８）に接続されている請求項８に記載のコンデンサ。
【請求項１０】
前記パッドは、前記絶縁層の上方又は下方に備えられた金属被覆層に、バイアスを介して接続されている請求項８又は９に記載のコンデンサ。
【請求項１１】
前記第１伝導線、前記コンデンサ誘電体及び前記第２伝導線は、垂直コンデンサを形成する請求項８〜１０のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項１２】
前記絶縁層及び前記第１伝導線上に蒸着されたキャップ層をさらに備える請求項８〜１１のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項１３】
前記コンデンサ誘電体は前記第２伝導線の下に備えられている請求項８〜１２のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項１４】
前記絶縁層の一部分は前記第１伝導線及び前記第２伝導線との間に備えられている請求項８〜１３のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項１５】
前記絶縁層の実質的にどの部分も、前記第１及び第２伝導線との間に位置しない請求項８〜１４のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項１６】
前記第１伝導線及び前記第２伝導線は略同一の幅及び深さである請求項８〜１５のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項１７】
前記絶縁層は層間誘電体を備え、この層間誘電体の間に接続線が形成されている請求項８〜１６のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項１８】
前記第１伝導線及び前記第２伝導線の中のいずれの二つも、コンデンサ誘電体の垂直部分の周辺に蒸着されており且つ両面垂直コンデンサを備える、請求項１７に記載のコンデンサ。
【請求項１９】
くし型／くし型コンデンサを生成するために、前記第１伝導線は連結され、かつ前記第２伝導線は連結されている、請求項８〜１８のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項２０】
前記コンデンサ誘電体は一つ置きの伝導線の下に設けられている請求項８〜１９のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項２１】
前記絶縁層及び一つ置きの伝導線上に蒸着されるキャップ層をさらに備えている請求項８〜２０のいずれか１項に記載のコンデンサ。

図９の平面図で示されるように、伝導線１２４は同一の伝導層内で、伝導性エッチ線１５２によって連結されても良い。同様に、伝導線１３６は同一伝導層内で、伝導性エッチ線１５４によって連結されても良い。エッチ線１５２及び１５４は、パッド１５６及び１５８にそれぞれ接続してもよい。パッド１５６及び１５８は、例えば、パッド１５６／１５８の上又は下にあるバイアスによって続いて又は以前に蒸着された金属被覆層に電気的に接続しても良い。図９におけるノード１６０と１６２を横切った１４６における概念的表現に示されるように、接続している伝導線１２４及び線１３６は本質的には同時に、さまざまな垂直ＭＩＭコンデンサを同時に平行に接続する。平行コンデンサが加わるため、垂直ＭＩＭコンデンサを平行に接続することは、図９に示される垂直ＭＩＭコンデンサ装置１４４全体の静電容量を増加させる。

Claims (21)

1. 絶縁層（１２２，２２２）を形成する工程と、
   この絶縁層内に、複数の第１伝導線（１２４，２２４）と、この第１伝導線に同時に接続する第１伝導性エッチ線（１５２）とを形成する工程と、
   前記絶縁層内に、前記第１伝導線に隣接するトレンチ（１３０）をエッチングする工程と、
   この絶縁層、トレンチ及び第１伝導線上にコンデンサ誘電体を蒸着する工程と、
   複数の第２伝導線（１３６、２３６）を形成し、かつ、この第２伝導線に連結する第２伝導性エッチ線（１５４）を形成するために、前記トレンチを伝導材料で充填する工程とを有し、
   前記第１伝導線の深さは前記絶縁層の全体の厚さであり、前記トレンチは前記第１伝導線と同一の深さを有する、金属−絶縁体−金属コンデンサの製造方法。
2. 前記第１及び第２エッチ線（１５２、１５４）は、パッド（１５６、１５８）に接続しており、これらのパッドは、前記した金属−絶縁体−金属コンデンサの製造に先立って蒸着される際または続いて蒸着される際に、バイアスによって金属被覆層と電気的に接続される請求項１に記載の方法。
3. 前記第１伝導線、前記コンデンサ誘電体及び前記第２伝導線は垂直コンデンサを形成する請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記第１伝導線の間にある前記絶縁層内のトレンチをエッチングする工程は、この第１伝導線の間にある実質的に全ての絶縁層を除去する工程を備える請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
5. 前記第１伝導線及び前記第２伝導線は、略同一の幅及び深さである請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
6. 前記絶縁層を形成する工程は、層間誘電体を形成する工程を備える請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
7. 前記コンデンサの第１伝導線を形成する際に、接続線を同時に金属被覆層に形成する工程をさらに備える請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
8. 絶縁層（１２２，２２２）と、
   この絶縁層内に形成される複数の第１伝導線（１２４，２２４）と、
   この絶縁層内にある第１伝導線の直近に蒸着される、複数の第２伝導線（１３６、２３６）と、
   前記第１伝導線及び前記第２の直近伝導線との間に蒸着される、コンデンサ誘電体と、
   前記第１伝導線に連結する第１伝導性エッチ線（１５２）と、
   前記第２伝導線に連結する第２伝導性エッチ線（１５４）とを備えており、
   前記第１伝導線の深さは前記絶縁層の全体の厚さであり、前記第１伝導線と同一の深さを有するトレンチ（１３０）内に、前記第２伝導線が形成されている金属−絶縁体−金属コンデンサ。
9. 前記第１及び第２伝導性エッチ線（１５２、１５４）は、前記第１又は第２伝導線の電気的接続のために設けられたパッド（１５６、１５８）に接続されている請求項８に記載のコンデンサ。
10. 前記パッドは、前記絶縁層の上方又は下方に備えられた金属被覆層に、バイアスを介して接続されている請求項８又は９に記載のコンデンサ。
11. 前記第１伝導線、前記コンデンサ誘電体及び前記第２伝導線は、垂直コンデンサを形成する請求項８〜１０のいずれか１項に記載のコンデンサ。
12. 前記絶縁層及び前記第１伝導線上に蒸着されたキャップ層をさらに備える請求項８〜１１のいずれか１項に記載のコンデンサ。
13. 前記コンデンサ誘電体は前記第２伝導線の下に備えられている請求項８〜１２のいずれか１項に記載のコンデンサ。
14. 前記絶縁層の一部分は前記第１伝導線及び前記第２伝導線との間に備えられている請求項８〜１３のいずれか１項に記載のコンデンサ。
15. 前記絶縁層の実質的にどの部分も、前記第１及び第２伝導線との間に位置しない請求項８〜１４のいずれか１項に記載のコンデンサ。
16. 前記第１伝導線及び前記第２伝導線は略同一の幅及び深さである請求項８〜１５のいずれか１項に記載のコンデンサ。
17. 前記絶縁層は層間誘電体を備え、この層間誘電体の間に接続線が形成されている請求項８〜１６のいずれか１項に記載のコンデンサ。
18. 前記第１伝導線及び前記第２伝導線の中のいずれの二つも、コンデンサ誘電体の垂直部分の周辺に蒸着されており且つ両面垂直コンデンサを備える、請求項１７に記載のコンデンサ。
19. くし型／くし型コンデンサを生成するために、前記第１伝導線は連結され、かつ前記第２伝導線は連結されている、請求項８〜１８のいずれか１項に記載のコンデンサ。
20. 前記コンデンサ誘電体は一つ置きの伝導線の下に設けられている請求項８〜１９のいずれか１項に記載のコンデンサ。
21. 前記絶縁層及び一つ置きの伝導線上に蒸着されるキャップ層をさらに備えている請求項８〜２０のいずれか１項に記載のコンデンサ。