JP2004527442A - 二酸化チタンナノパウダーのプラズマ合成、及びパウダードーピング及び表面調整方法 - Google Patents

二酸化チタンナノパウダーのプラズマ合成、及びパウダードーピング及び表面調整方法 Download PDF

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Abstract

金属化合物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法及び装置が提示されている。特に、TICIからTIOナノパウダーを合成する方法及び装置が開示されている。金属化合物蒸気は、電気的に誘導されたRF周波数プラズマ内で酸化ガスと反応し、かくして金属酸化物蒸気を形成する。金属酸化物蒸気は、粒子成長プロセスを素早く停止し、形成された金属酸化物粒子のサイズを実質的に減少させる高乱流ガス急冷区域を用いて急速に冷却される。金属化合物蒸気はまた、ドープされた金属酸化物ナノパウダーを形成するためにドーピング剤と反応することができる。加えて、高乱流ガス急冷区域で冷却された後に金属酸化物粒子が表面剤を用いてコーティングされる、コーティングされた金属酸化物をインラインに合成する方法及び装置が開示されている。

Description

【技術分野】
【0001】
この発明は、金属含有パウダーを合成する方法及び装置に関する。特に、しかし排他的ではなく、この発明は、急速冷却の前に電気的誘導プラズマ(electrically induced plasma)を介して気相状態の四塩化チタンを酸化することによってナノサイズの二酸化チタン粒子を合成することに関する。本発明はまた、結晶構造及び/又は表面特性を変更するために、金属含有パウダーをインラインにドーピングする技術を提供する。
【背景技術】
【0002】
コーティングに光散乱特性を付与する顔料は一般に、白い、又は隠蔽の、顔料として知られている。これらの顔料は、比較的高い屈折率のために全ての光の波長を散乱することで作用し、その結果これら顔料は人間の目に白として感知される。最も広く用いられた白の顔料は、二酸化チタン(TiO)、つまり3つの変態すなわち結晶構造、ルチル、鋭錐石、又はブルッカイトで存在する種々の形態を有する物質である。鋭錐石及びルチルの変態のみが、技術的に又は商業的にいくらか有名である。
【0003】
二酸化チタンベースの顔料に対する高い要求は、高い屈折率及び手ごろな製造コストの組み合わせによってつき動かされている。加えて、二酸化チタンベースの顔料は、高い毒性を有しかつ水と接触して置かれたときに容易に環境へ解放される炭酸鉛のような初期の白顔料と同一の環境要因に苦しむことはない。
【0004】
鋭錐石形態の二酸化チタンは低い屈折率を有し、通常ルチル形態よりも耐久性が低いので、コーティング顔料としてはあまり好ましくない。しかしながら、以下にみられるように、低い屈折率及び低い耐久性の両方は、いくつかの用途では大いに望ましいものである。
【0005】
二酸化チタンに対する最も重要な利用は顔料としてであるが、材料は事実上無色である。この特殊な特性を示すために、二酸化チタンはまず、好ましい粒子サイズに処理されなければならない。例えば、顔料として利用するためには、粒子サイズは、可視光の波長の2分の1、すなわち約0.3ミクロンである。
【0006】
顔料としての優れた特性のほかに、二酸化チタンは、誘電特性、高い紫外吸収、及び高い安定性を有し、これにより電気セラミックス、ガラス、及び絶縁体のような、特殊な用途で用いることができる。
【0007】
二酸化チタン顔料は、いくつか例を挙げれば、ポリエステル、ビスコース、及びレーヨンのような人工ファイバで用いられる。人工ファイバが望ましくない光沢及び半透明の外観を有するとき、ファイバを輝かせかつファイバの光沢を減少させるために紡糸工程の間に顔料がファイバへ組み入れられる。この用途に対して鋭錐石形態は、ルチル変態よりもよりあいまいな白い色調を有し、かつまた摩り減り難いので一般に好まれる。ファイバを紡糸するプロセスは非常に繊細でかつルチル形態の二酸化チタンをファイバへ付加することによって不都合に作用するので、この鋭錐石形態の特性は非常に重要である。他方、鋭錐石は、紫外線によって活性化される光触媒であり、その結果太陽光に露出されたときに人工ファイバは急速に劣化する。
【0008】
二酸化チタンはまた、不透明性及び明るさをプラスチックに付加するために用いられる。不透明性及び高い明るさは、多くのプラスチックの貧弱な自然の色をごまかすのを助ける。加えて、いくつかの等級の二酸化チタンは、プラスチックの老化を加速する可能性のある紫外光を吸収する。
【0009】
加えて、二酸化チタンは、明るさ及び不透明性を増大させるために、紙製造プロセスにおいては充填材としてパルプに加えられる。これにより、例えば高度に不透明な軽量の紙を製造することができる。この用途のために、鋭錐石形態の二酸化チタンが好まれる。
【0010】
二酸化チタンを製造するために、チタン源が必要とされる。チタンは地球の地殻で見つけられた元素のうち、存在度が9番目に位置しているが、純粋な状態で見つけられることは決してない。むしろ、チタン鉄鉱(FeTiO)、ルチル(TiO)、又はスフェン(CaO−TiO−SiO)といった鉱物状態の酸化物として見出される。
【0011】
二酸化チタン顔料の生産は2つの段階のプロセスからなる。第1段階は、鉱石を精錬すること、つまり精錬段階である。この段階は、遊離剤として硫酸を用いる硫酸塩又はエステル工程、又は、遊離剤として塩素を用いる塩化物工程によって達成することができる。
【0012】
硫酸塩又はエステル工程では、チタン含有鉱石は硫酸で溶解され、チタン、鉄、及び他の金属硫酸塩又はエステルの溶液が生じる。化学的な還元、浄化、沈殿、洗浄、及び焼成を含む一連の段階を通して、顔料サイズのTiOが製造される。
【0013】
あるいは、塩化物工程は、高温の無水気相反応(anhydrous vapour phase reaction)を含む。チタン鉱石が還元条件下で塩素ガスと反応すると四塩化チタン(TiCl)及び金属塩化物不純物が得られ、これら不純物は続けて除去される。次いで高度に精錬されたTiClは高温で酸化されて中間生成物のTiOが生じる。塩化物工程における酸化段階は、粒子サイズの分布及び結晶の型を制御することができ、これにより高品質の顔料等級のTiOを生産することができる。
【0014】
塩化物工程は、硫酸塩又はエステル工程よりも本来的に不純物が入らない工程であり、廃石処理設備に関わる製造業者が必要とする投資はより少なくて済む。加えて、塩化物工程を用いて製造された二酸化チタンは一般に、より高い純度とより優れた耐久性とを有し、粒子サイズの分布がより狭く、これにより明るさ、光沢、及び不透明度が改善される。
【0015】
上述したように、塩化物工程は、液体の四塩化チタンが気化され、高温酸素と反応して二酸化チタンを生成した後に過熱される高温無水気相反応(high-temperature anhydrous vapour phase raaction)を含む。過熱段階及び続く反応段階は、反応物が耐火熱交換器(refractory heat exchanger)によって加熱されかつ化合される耐火プロセスによって実施することができる。あるいは、一酸化炭素は、純化され、次いで四塩化チタン及び酸化剤と混合され、次にその混合物を制御状態で燃焼することができる。最後に、四塩化チタンは、酸化剤と一緒に高温プラズマ炎内で気化させることができる。この最後の方法は最も効率的であることがわかった。
【0016】
多くの技術的な方法を、プラズマを生成するために利用することができる。プラズマは、作用ガスを一対の電極間に通すことによって生成することができ、これによりアーク放電は、ガスが電極間を通過するときに該ガスをイオン化する。あるいは作用ガスは、高周波静電場を通過することができる。最後に、作用ガスは、高周波誘導コイルを通過することができ、これにより電磁場は、ガスがコイル内を通過するときに該ガスをイオン化する。
【0017】
作用ガスを高周波誘導に通過させることによって形成されたプラズマ炎内の四塩化チタンの酸化を通じた顔料等級の二酸化チタンの合成は、当技術でよく知られており、ある期間、塗料産業向きのそのようなパウダーを商業生産するために産業的に利用されてきた。
【0018】
通常、この状態で得られる生産物は、0.2〜2.0マイクロメートルの範囲又はそれ以上の粒子サイズを有する比較的大きな不透明粒子から構成されている。そのようなパウダーは、広範囲の顔料及び表面修正コーティング(surface modification coating)を製造するための基材として用いられる。
【0019】
ナノメートルの範囲のより微細なパウダーを得ることの興味は、紫外線保護及び日焼け止め剤産業及び先進的触媒開発等を含む様々な種類の他の用途に対して常にあった。しかしながら、大量の二酸化チタンナノパウダーを生産するための方法の開発は、達成することが困難であることがわかった。主な障害は、パウダーの分布においてサイズをそのように顕著に減少させるとともに、パウダーの化学特性及び表面特性を制御する方法であった。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【0020】
この発明は、金属酸化物ナノパウダーを製造するための方法を提供することによって、上述の限界に取り組む。
【0021】
より詳細には、この発明によれば、金属化合物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法が提供される。この方法は、金属化合物蒸気を反応温度へ至らせる段階と;金属酸化物蒸気を生成するために反応温度で金属化合物蒸気を酸化ガスと反応させる段階と;高乱流ガス急冷区域を形成する段階と;金属酸化物蒸気を急冷区域で冷却することによって金属酸化物ナノパウダーを生成する段階と;を備える。
【0022】
したがって、本発明の方法は、制御された粒子サイズ分布と表面反応性とを備えた金属酸化物ナノパウダーの製造を可能にする。
【0023】
またこの発明によれば、金属塩化物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法が提供される。この方法は、金属塩化物蒸気を反応温度へ至らせる段階と;金属酸化物蒸気を生成するために反応温度で金属塩化物蒸気を酸化ガスと反応させる段階と;高乱流ガス急冷区域を形成する段階と;金属酸化物蒸気を急冷区域で冷却することによって金属酸化物ナノパウダーを生成する段階と;を備える。
【0024】
好ましい実施例によれば、急冷区域から金属酸化物ナノパウダーを収集する段階がさらに備えられる。
【0025】
他の好ましい実施例によれば:
・金属塩化物蒸気を反応温度へ至らせる段階は、プラズマを生成する段階と、反応温度の金属塩化物蒸気を生成するために金属塩化物をプラズマへ導入する段階と、を備え;
・金属塩化物を前記プラズマへ導入する段階は、金属塩化物をプラズマ中心又はプラズマの尾部炎へ軸線方向又は放射方向に導入する段階を含み;
・金属塩化物蒸気を酸化ガスと反応させる段階は、酸化ガスをプラズマへ導入する段階を含む。
【0026】
加えて、他の好ましい実施例によれば、金属塩化物をプラズマへ導入する前に、ドーピング剤を金属塩化物と混合する段階がさらに備えられる。
【0027】
さらに他の好ましい実施例によれば、金属塩化物蒸気を酸化ガスと反応させる段階は、金属塩化物が酸化ガスと反応した後に、ドーピング剤をプラズマへ導入する段階をさらに備える。
【0028】
さらに他の好ましい実施例によれば、表面コーティング剤を用いて金属酸化物ナノパウダーをコーティングする段階がさらに備えられる。
【0029】
他の好ましい実施例によれば、高乱流ガス急冷区域を形成する段階は、急冷ガスをプラズマへ導入する段階を備える。
【0030】
さらに他の好ましい実施例によれば、急冷ガスを前記プラズマへ導入する段階は、半径方向成分及び接線方向成分両方を有するそれぞれの方向に前記急冷ガスの噴出を形成し、これにより急冷ガスの乱流を形成する段階を備える。
【0031】
したがって、本発明の方法は好都合には、金属二酸化物ナノパウダーの製造と適切なドーピング剤を用いて処理された金属二酸化物ナノパウダーとの両方を提供する。
【0032】
またこの発明によれば、TiCl蒸気からTiOナノパウダーを合成する方法が提供される。前記方法は、TiCl蒸気を反応温度へ至らせる段階と;TiO蒸気を生成するために加熱されたTiCl蒸気を酸素と反応させる段階と;高乱流ガス急冷区域を形成する段階と;TiO蒸気を急冷区域で冷却することによってTiOナノパウダーを生成する段階と;を備える。
【0033】
したがって、本発明の方法は好都合には、TiOナノパウダーの製造を提供する。
【0034】
好ましい実施例によれば、TiCl蒸気を反応温度へ至らせる段階は、プラズマを生成する段階と、反応温度のTiCl蒸気を生成するためにTiClをプラズマへ導入する段階と、を備える。
【0035】
他の好ましい実施例によれば:
・TiClをプラズマへ導入する前に、ドーピング剤をTiClと混合する段階がさらに備えられ;
・TiCl蒸気が酸素と反応した後に、ドーピング剤をプラズマへ導入する段階がさらに備えられ;
・ドーピング剤を用いてTiOナノパウダーをコーティングする段階がさらに備えられる。
【0036】
加えて、さらなる好ましい実施例によれば、高乱流ガス急冷区域を形成する段階は、急冷ガスをプラズマへ導入する段階を備える。
【0037】
さらに他の好ましい実施例によれば、急冷ガスをプラズマへ導入する段階は、半径方向成分及び接線方向成分両方を有するそれぞれの方向に急冷ガスの噴出を形成し、これにより急冷ガスの乱流を形成する段階を備える。
【0038】
したがって、本発明の方法は好都合には、TiOナノパウダーの製造と、適切なドーピング剤又は表面処理剤を用いて処理されたTiOナノパウダーとの両方を提供する。
【0039】
またこの発明によれば、金属塩化物蒸気及びドーピング剤からドープされた金属酸化物をインラインに合成する方法が提供される。この方法は、金属塩化物蒸気を反応温度へ至らせる段階と;金属酸化物蒸気を生成するために金属塩化物蒸気を酸化ガスと反応させる段階と;高乱流極度生成物急冷区域を形成する段階と;金属酸化物蒸気を急冷区域で冷却することによって金属酸化物粒子を生成する段階と;ドーピング剤を用いて金属酸化物粒子をコーティングすることによってドープされた金属酸化物を形成する段階と;を含む。
【0040】
好ましい実施例によれば、ドーピング剤すなわち表面処理剤は2つの材料群のうちの一つから選択される。第1の群は、限定されることなく、金属、又は、四塩化ケイ素、塩化亜鉛又は他のもののような揮発性金属化合物から構成されている。第2の群は、メチルメチルアクリレート(MMA:Methyl Methylacrylate)、テフロン(登録商標)、又はジエチル亜鉛及びクロロフルオロカーボンのような他のもの、のような有機モノマーから構成されている。
【0041】
したがって、本発明の方法は好都合には、ドープされた金属酸化物パウダーの製造を提供し、ここで金属酸化物パウダーのドーピングは、パウダーが冷却された後にインラインに実施される。
【0042】
またこの発明によれば、TiCl及びドーピング剤から、ドープされたTiOをインラインに合成する方法が提供される。本方法は、TiClを反応温度へ至らせる段階と;TiO蒸気を生成するために加熱されたTiClを酸素と反応させる段階と;高乱流極度生成物急冷区域を形成する段階と;TiO粒子を生成するためにTiO蒸気を急冷区域で冷却する段階と;ドーピング剤を用いてTiO粒子をコーティングすることによってドープされたTiOを生成する段階と;を含む。
【0043】
したがって、本発明の方法は好都合には、ドープされたTiOパウダーの製造を提供し、ここでTiOパウダーのドーピングは、パウダーが冷却された後にインラインに実施される。
【0044】
またこの発明によれば、金属化合物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する装置が提供される。本装置は、次の構成要素を備える:
・金属化合物蒸気を反応温度へ至らせるためのプラズマ;
・金属化合物蒸気が反応温度で酸化ガスと反応して金属酸化物蒸気を形成する反応チャンバ;及び
・個々の粒子の凝集を促進するとともに金属酸化物粒子の成長を遅らせるために、プラズマの下で高乱流急冷区域を形成する手段。
【0045】
急冷区域は金属酸化物蒸気を冷却し、かくして金属酸化物ナノパウダーを製造する。加えて、高乱流急冷区域を形成する手段は、急冷ガスが高速で導入される実質的に共面の複数の細い急冷ガスノズルを備える。
【0046】
好ましい実施例によれば、合成装置の反応チャンバは、実質的に円柱状である。
【0047】
他の好ましい実施例によれば、高乱流急冷区域を提供する細い急冷ガスノズルは、反応チャンバの周りに等間隔に配置されている。
【0048】
さらに他の好ましい実施例によれば、高乱流急冷区域を提供する細い急冷ガスノズルは、半径方向成分及び接線方向成分両方を有する方向のそれぞれに合わせて配置されている。
【0049】
したがって、本発明の装置は好都合には、金属化合物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成することを提供する。
【0050】
またこの発明によれば、金属化合物蒸気及びドーピング剤からドープされた金属酸化物ナノパウダーを合成する装置が提供される。本装置は次の構成要素を備える:
・金属化合物蒸気及びドーピング剤を反応温度へ至らせるためのプラズマ;
・金属化合物蒸気及びドーピング剤が反応温度で酸化ガスと反応してドープされた金属酸化物を形成する反応チャンバ;及び
・プラズマの下で高乱流急冷区域を形成する手段。
【0051】
急冷区域はドープされた金属酸化物蒸気を冷却し、かくしてドープされた金属酸化物ナノパウダーを製造する。その上、高乱流急冷区域を形成する手段は、急冷ガスが高速で導入される実質的に共面の複数の細い急冷ガスノズルを備える。
【0052】
最後に、またこの発明によれば、金属化合物蒸気及びドーピング剤からドープされた金属酸化物をインラインに合成する装置が提供される。この装置は次の構成要素を備える:
・金属化合物蒸気を反応温度へ至らせるためのプラズマ;
・金属化合物蒸気及びドーピング剤が反応温度で酸化ガスと反応して金属酸化物蒸気を形成する反応チャンバ;
・金属酸化物蒸気を冷却して金属酸化物粒子を製造する、プラズマの下で高乱流急冷区域を形成する手段;及び
・ドーピング剤を用いて金属酸化物粒子をコーティングするインラインドーピングユニット。
【0053】
高乱流急冷区域を形成する手段は、急冷ガスが高速で導入される実質的に共面の複数の細い急冷ガスノズルを備える。加えて、ドーピングユニットは、ドーピング剤の供給源と、ドーピング剤が金属酸化物粒子へ導入され、これによりドープされた金属酸化物が形成されるドーピング剤導入インレットと、を備える。
【0054】
したがって、本発明の装置はまた好都合には、金属化合物蒸気からドープされた金属酸化物パウダーを合成することが提供され、ここで金属酸化物パウダーのドーピングは、パウダーが冷却された後にインラインに実施される。
【0055】
この発明の前述の及び他の目的、利点、及び特徴は、添付の図面を参照してのみ例として与えられた次の非制限的な本発明の好ましい実施例の記述を読むことによってより明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【0056】
この発明の好ましい実施例によれば、二酸化チタンナノパウダーは、プラズマを用いて四塩化チタンを反応温度に加熱し、得られた四塩化チタン蒸気を酸化ガスと反応させて二酸化チタン蒸気を形成し、二酸化チタン蒸気を急速に冷却することによって製造される。
【0057】
ここで図面を参照すると、図1は反応装置2及びフィルタユニット4を示す。反応装置2は、上端部で誘導プラズマ噴出組立体10によって囲まれた垂直配置円柱状チャンバ部(vertically disposed cylindrical chamber section)8を備えた、シールドされた反応チャンバ6を含む。シールドされた反応チャンバ6はまた、垂直配置円柱状部8の下端部に円錐形チャンバ部12を備える。この円錐形チャンバ部12は、二酸化チタンナノパウダーを受け取るための領域14を規定する。
【0058】
プラズマ噴出組立体10は、円柱状反応物混合チャンバ16と、混合チャンバ16と共軸であるとともに該混合チャンバを取り囲む誘導コイル18とを備える。四塩化チタンを加熱するために用いられるプラズマ20は、当技術において作用ガス(working gas)と呼ばれるガスを高周波電磁場、例えばRF周波電磁場に通過させることによって、プラズマ噴出組立体10により生成される。この電磁場は、誘導によってガスをイオン化させるのに十分高い出力レベルを有し、これによりプラズマを生成するとともに維持する。作用ガスは、高周波電磁場にさらされたときにイオン化するとともに四塩化チタンが存在するときに不活性のままであるあらゆるガスとすることができる。適切な作用ガスの例は、ヘリウム、アルゴン、一酸化炭素、酸素、及び空気、又はこれらの混合物を含む。高周波電流を誘導コイル18に供給することによって、反応物混合チャンバ16内の混合ガスはイオン化され、プラズマが生成される。
【0059】
好ましい実施例では、作用ガスは酸素及びアルゴンの混合物(酸素が酸化剤としても作用する状態で)から形成される。酸素は、第1インレット22を介して反応物混合チャンバ16へ、そして第2インレット24を介してアルゴンへ導入される。高周波電流は誘導コイル18へ加えられる。この電流の出力レベルは、酸素/アルゴン・混合物をイオン化してプラズマ20を生成するのに十分高い。自己持続誘導プラズマ放電(self sustained induction plasma discharge)に必要な誘導コイル18に適用される最小出力レベルは、ガス、圧力、及び磁場の振動数によって決定される。誘導プラズマ放電を持続させるのに必要な最小出力は、圧力を減少させることによって、又は電離性混合物を加えることによって低くすることができる。出力は、20kWから30kWまで、作動の規模に依存して数百キロワットまで様々に変化させることができる。成功した作動は典型的な200kHz程度の低い周波数、又は26.7MHz程度の高い周波数で実証されたが、好ましくは、誘導コイル18に供給される電流の周波数は、3Mhzのオーダーである。200kHz〜26.7MHzの範囲の外の周波数を用いることができることも、当業者に明らかであろう。好ましい実施例では、3MHzである30kWの正弦波電流が誘導コイル18に適用され、これにより反応物混合チャンバ16における酸素/アルゴン・混合物はイオン化されて誘導プラズマ20を生成する。
【0060】
四塩化チタンは、第3インレット26を介して反応物混合チャンバ16へ軸線方向に導入される。他の実施例では、四塩化チタンは、第4インレット28を介して反応物混合チャンバ16の直下のプラズマ20へ半径方向に導入される。第2の他の実施例では、第3インレット26を介した四塩化チタンの軸線方向の導入と第4インレット28を介した四塩化チタンの半径方向の導入との組み合わせが用いられる。
【0061】
加えて、ドーピング剤は、生成されたナノパウダーのバルク特性及び/又は表面特性を変更するために、酸化ガスと反応させることができる。第1の他の実施例では、ドーピング剤は、四塩化チタンがプラズマ20によって反応温度へ至る前に、四塩化チタンと混合される。混合物が反応温度に至ると、四塩化チタン及びドーピング剤の両方が同時に酸化過程を経、かくして形成された二酸化チタンのバルク特性、表面特性、又はバルク特性及び表面特性の両方が変更される。
【0062】
第2の他の実施例では、ドーピング剤は、四塩化チタンが酸化ガス及び形成された二酸化チタンと反応した後にプラズマ20へ導入される。上述の第1の他の実施例と同様に、もしドーピング剤が反応温度で気化するならば、ドーピング剤は酸化ガスと反応し、二酸化チタンのバルク特性、表面特性、又はバルク特性及び表面特性の両方が変更されるであろう。
【0063】
この段階でプロセスに導入されたドーピング剤は、四塩化ケイ素及び塩化亜鉛のような揮発性金属化合物を含む。
【0064】
ひとたびプラズマ20が確立すれば、専ら四塩化チタンの流れによって維持され得るということに留意されたい。実際、プラズマ20は四塩化チタンのみの流れによって発生し、確立され得る。また、アルゴンのような直ちにイオン化された作用ガスを四塩化チタンと混合することによって、プラズマの発火が非常に簡単になる。
【0065】
四塩化チタンがプラズマ20と接触するようになったとき、四塩化チタンは気化し、酸化反応が起こってほぼ即座に二酸化チタン及び遊離塩素が形成される。プラズマ・ローディング(plasma loading)と誘導コイル18への入力電力とに依存して低い温度又は高い温度を用いることもできるということは当業者に明らかであるが、反応は、1500℃と3000℃との間の温度で起こると推定される。
【0066】
本方法の重大な部分は、反応生成物の超急速冷却と、蒸気凝縮を介したエアロゾル粒子の形成に通常関連づけられた粒子成長プロセスの妨害と、のために開発された高強度乱流急冷技術(high intensity turbulent quench technique)である。急速急冷技術により、ナノパウダーが形成され、このパウダーにおいて鋭錐石相が支配的(実験結果は80%以上を示す)となる。急冷技術は、二酸化チタン蒸気の温度を1500〜3000℃の反応温度から100〜500℃の範囲の温度へ下げることを目的とする。好ましい実施例に係る装置を用いて実施された実験的な試験は、約120℃の冷却された温度をもたらした。
【0067】
ここで図1に加えて図2を参照すると、高乱流ガス急冷区域30は、圧縮された急冷ガスの激しい乱流をプラズマ放電32へ導入することによって生成される。この急冷区域は、半径/接線・方向それぞれに急冷ガスの高速噴出を形成するために、半径方向成分及び接線方向成分の両方を有するそれぞれの方向に向けられた34のような共面の細い急冷ガスノズルを介して形成される。図2によりよく示されるように、ノズル34は、反応装置2の周辺の周りに互いに等間隔に隔離されている。この結果、生成物の蒸気が急速に冷却され、粒子成長プロセスが即座に停止される。高乱流急冷区域30は、粒子サイズの分布と得られた二酸化チタンパウダーのナノサイズの平均粒子直径とに関するプロセスによって達成される制御に大きく責任を負っている。
【0068】
好ましい実施例で用いられる急冷技術は、反応装置2内のプラズマ放電32の下に配置された円形空気チャンネルから構成されている。急冷区域30の位置は、プロセス要求に応じて、プラズマ放電32、数センチメートルから15又は20センチメートル以上下流の位置まで変化させることができる。この発明に係る好ましい実施例で空気が急冷ガスとして用いられるが、急冷ガスの選択は、プロセスの化学によってある範囲に決定され、例えば純粋な酸素及び窒素のような他のガスもまた急冷ガスとして用いることができることは、当業者に明らかであろう。
【0069】
急冷ガスは、1秒当たり数百メートルのオーダーの速度から音速までの速度で反応装置2へ導入される。好ましい実施例では、導入される急冷ガスの速度は、1秒当たり260メートルである。導入された急冷ガスにより、急冷ガスノズル34の高さで、反応装置2の反応チャンバ6の垂直配置円柱状部8の中央に高強度乱流区域30が形成される。この乱流区域30が形成されることにより、反応生成物が急速冷却され、反応生成物が凝集してナノメートルサイズのエアロゾル粒子の形態となる。反応生成物を急速冷却することによりまた、高温で形成された支配相である鋭錐石相のTiOナノパウダーの形成が促進される。
【0070】
急冷ガスノズル34の方向は、得られたナノパウダーの性質に同様に影響を与える急冷区域30の中央で乱流特性を制御するために、これらノズル34が水平に置かれている平面に合わせることができる。
【0071】
反応装置2とフィルタユニット4との間に介在された導管36は、反応装置2の反応チャンバ6の円錐形部12の低く小さな直径の端部で固定されており、冷却されたナノパウダーを濾過のためのフィルタユニット4へ移送するために用いられる。第5インレット38は、導管36の壁に位置している。適切なドーピング剤は、冷却されたナノパウダーをコーティングするために、できる限り第5インレット38を介して導入することができる。パウダーをコーティングすることによって、パウダーの特性は、パウダーが特定用途に適合するように変更することができる。例えば、上述したように、本方法は、鋭錐石相の相対的に高い含有量を有するTiOを製造する。紫外線への露出と結び付けられた人工ファイバに鋭錐石相を添加することによって、ファイバが自動的に劣化する可能性がある(紫外線が存在するときの鋭錐石相の触媒作用のために)。パウダーを人工ファイバへ添加する前に、最初にパウダーをメチルメチルアクリレートポリマー(polymer Methyl Methylacrylate)でコーティングすることによって、自然発生的な劣化を効果的に停止させることができ、これによりファイバの寿命が延びる。
【0072】
コーティングプロセスの重大な側面は、コーティングすべきパウダーの温度である。通常、TiOパウダーは、付加的かつ個別のコーティングプロセスがパウダーの表面特性を変更するために適用される前のある期間、冷却して置かれる。高乱流ガス急冷技術によって達成されるパウダーの急速冷却は、他の状況ではパウダーの熱によって破壊されるか逆効果となってしまう範囲の材料を用いて急冷した直後に、パウダーをコーティングすることができることを意味する。加えて、いくつかのコーティングに対しては冷却温度を正確に制御する必要があり、特に重合が実施されるポリマーに対してその必要がある。実験は、例えば、メチルメチルアクリレートポリマーを用いたTiOパウダーのコーティングは、120℃の温度、高乱流ガス急冷技術を使用することによって容易に達成かつ制御することができる温度、で実施することができるということを明らかにした。
【0073】
急冷区域による冷却の後にナノパウダーをコーティングすることは、ここではインラインドーピングと称している。これに関して、冷却されたナノパウダーをコーティングすることに対して言及されているが、インラインコーティングプロセスをナノパウダーよりも大きなサイズの粒子を有するパウダーに適用することもできることは、当業者に明らかである。
【0074】
ナノパウダー(又はパウダー、この場合ナノパウダーよりも大きなサイズの粒子を有するパウダーがコーティングされている)を意図的に使用することに依存して、多くの表面コーティング剤を考慮することができる。表面コーティング剤はナノパウダーの表面特性を制御する。例えば、上述したように、メチルメチルアクリレートを表面コーティング剤として使用すると、生成された支配的な鋭錐石TiOナノパウダーの触媒特性が著しく減少した。図3を参照すると、メチルメチルアクリレートでドープされたTiOナノパウダー(「ドープされたパウダー」)の存在する水中における標準濃度のフェノールの触媒劣化が、非処理のパウダーのものに対して示されている。しかしながら本方法は、一つの特定の表面コーティング剤に限定されない。他の可能性のある表面コーティング剤は、当業者に公知であり、例えばテフロン(登録商標)モノマー、ジエチル亜鉛、クロロフルオロカーボン、及び金属蒸気を含むことができる。
【0075】
フィルタユニット4は、上部の垂直配置円柱状部40から構成されている。円錐形部43は、円柱状部40の下端部に取り付けられており、濾過された二酸化チタンナノパウダーを受け取るための領域44を形成する。Goretex(商標)のような、ナノパウダーを捕獲することのできる多孔性フィルタ手段42は、円柱状部40内の軸線の回りかつ中心に取り付けられており、ナノパウダーが通過することができずかつ排出機構46を介して放出される排出ガスから除去されるように、多孔性を有する。領域44で受け取られたナノパウダーは、底部垂直導管48を介して収集される。
【0076】
以上、好ましい実施例によってこの発明を記述したが、この実施例は、添付の特許請求の範囲内で、当発明の精神及び性質から逸脱することなく、意のままに変形することができる。
【図面の簡単な説明】
【0077】
【図1】金属酸化物ナノパウダーを製造するための、この発明に係る装置の概略立面図である。
【図2】金属酸化物ナノパウダーを製造するための、この発明に係る装置の、図1の2−2線視断面図である。
【図3】ドープされかつ未処理のTiOナノパウダーが存在する、水中のフェノールの光触媒の劣化を示すグラフである。
【符号の説明】
【0078】
6 反応チャンバ
20 プラズマ
30 高乱流急冷区域
34 ノズル

Claims (28)

  1. 金属化合物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法であって、
    前記金属化合物蒸気を反応温度へ至らせる段階と;
    金属酸化物蒸気を生成するために前記反応温度で前記金属化合物蒸気を酸化ガスと反応させる段階と;
    高乱流ガス急冷区域を形成する段階と;
    前記金属酸化物蒸気を前記急冷区域で冷却することによって前記金属酸化物ナノパウダーを生成する段階と;
    を備えることを特徴とする金属酸化物ナノパウダーを合成する方法。
  2. 金属塩化物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法であって、
    前記金属塩化物蒸気を反応温度へ至らせる段階と;
    金属酸化物蒸気を生成するために前記反応温度で前記金属塩化物蒸気を酸化ガスと反応させる段階と;
    高乱流ガス急冷区域を形成する段階と;
    前記金属酸化物蒸気を前記急冷区域で冷却することによって前記金属酸化物ナノパウダーを生成する段階と;
    を備えることを特徴とする金属酸化物ナノパウダーを合成する方法。
  3. 請求項2記載の金属塩化物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法において、
    前記急冷区域から金属酸化物ナノパウダーを収集する段階をさらに備えることを特徴とする方法。
  4. 請求項2記載の金属塩化物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法において、
    金属塩化物蒸気を反応温度へ至らせる段階は、前記反応温度の前記金属塩化物蒸気を生成するために、プラズマを生成して、金属塩化物を前記プラズマへ導入する段階と、を備えることを特徴とする方法。
  5. 請求項4記載の金属塩化物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法において、
    金属塩化物を前記プラズマへ導入する段階は、前記金属塩化物を前記プラズマの中心へ軸線方向に導入する段階であることを特徴とする方法。
  6. 請求項4記載の金属塩化物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法において、
    金属塩化物を前記プラズマへ導入する段階は、前記金属塩化物を前記プラズマへ放射状に導入する段階であることを特徴とする方法。
  7. 請求項4記載の金属塩化物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法において、
    前記金属塩化物蒸気を酸化ガスと反応させる段階は、前記酸化ガスを前記プラズマへ導入する段階を含むことを特徴とする方法。
  8. 請求項4記載の金属塩化物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法において、
    前記金属塩化物を前記プラズマへ導入する前に、ドーピング剤を前記金属塩化物と混合する段階をさらに備えることを特徴とする方法。
  9. 請求項2記載の金属塩化物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法において、
    前記金属塩化物が前記酸化ガスと反応した後に、ドーピング剤を前記プラズマへ導入する段階をさらに備えることを特徴とする方法。
  10. 請求項2記載の金属塩化物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法において、
    表面コーティング剤を用いて前記金属酸化物ナノパウダーをコーティングする段階をさらに備えることを特徴とする方法。
  11. 請求項2記載の金属塩化物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法において、
    高乱流ガス急冷区域を形成する段階は、急冷ガスを前記プラズマへ導入する段階を備えることを特徴とする方法。
  12. 請求項11記載の金属塩化物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する方法において、
    急冷ガスを前記プラズマへ導入する段階は、半径方向成分及び接線方向成分両方を有するそれぞれの方向に前記急冷ガスの噴出を形成し、これにより急冷ガスの乱流を形成する段階を備えることを特徴とする方法。
  13. TiCl蒸気からTiOナノパウダーを合成する方法であって、
    前記TiCl蒸気を反応温度へ至らせる段階と;
    TiO蒸気を生成するために加熱されたTiCl蒸気を酸素と反応させる段階と;
    高乱流ガス急冷区域を形成する段階と;
    前記TiO蒸気を前記急冷区域で冷却することによって前記TiOナノパウダーを生成する段階と;
    を備えることを特徴とする方法。
  14. 請求項13記載のTiCl蒸気からTiOナノパウダーを合成する方法において、
    TiCl蒸気を反応温度へ至らせる段階は、プラズマを生成する段階と、前記反応温度の前記TiCl蒸気を生成するためにTiClを前記プラズマへ導入する段階と、を備えることを特徴とする方法。
  15. 請求項13記載のTiCl蒸気からTiOナノパウダーを合成する方法において、
    前記TiClを前記プラズマへ導入する前に、ドーピング剤を前記TiClと混合する段階をさらに備えることを特徴とする方法。
  16. 請求項13記載のTiCl蒸気からTiOナノパウダーを合成する方法において、
    前記TiCl蒸気が前記酸素と反応した後に、ドーピング剤を前記プラズマへ導入する段階をさらに備えることを特徴とする方法。
  17. 請求項13記載のTiCl蒸気からTiOナノパウダーを合成する方法において、
    ドーピング剤を用いて前記TiOナノパウダーをコーティングする段階をさらに備えることを特徴とする方法。
  18. 請求項13記載のTiCl蒸気からTiOナノパウダーを合成する方法において、
    高乱流ガス急冷区域を形成する段階は、急冷ガスを前記プラズマへ導入する段階を備えることを特徴とする方法。
  19. 請求項18記載のTiCl蒸気からTiOナノパウダーを合成する方法において、
    急冷ガスを前記プラズマへ導入する段階は、半径方向成分及び接線方向成分両方を有するそれぞれの方向に前記急冷ガスの噴出を形成し、これにより急冷ガスの乱流を形成する段階を備えることを特徴とする方法。
  20. 金属塩化物蒸気及びドーピング剤からドープされた金属酸化物をインラインに合成する方法であって、
    前記金属塩化物蒸気を反応温度へ至らせる段階と;
    金属酸化物蒸気を生成するために前記金属塩化物蒸気を酸化ガスと反応させる段階と;
    高乱流極度生成物急冷区域を形成する段階と;
    前記金属酸化物蒸気を前記急冷区域で冷却することによって前記金属酸化物粒子を生成する段階と;
    前記ドーピング剤を用いて前記金属酸化物粒子をコーティングすることによってドープされた金属酸化物を形成する段階と;
    を備えることを特徴とする方法。
  21. 請求項20記載の金属塩化物蒸気及びドーピング剤からドープされた金属酸化物をインラインに合成する方法において、
    前記ドーピング剤は、メチルメチルアクリレート、テフロン(登録商標)モノマー、クロロフルオロカーボン、及びジエチル亜鉛を含む群より選択されたものであることを特徴とする方法。
  22. TiCl蒸気及びドーピング剤からドープされたTiOをインラインに合成する方法であって、
    前記TiCl蒸気を反応温度へ至らせる段階と;
    TiO蒸気を生成するために加熱されたTiCl蒸気を酸素と反応させる段階と;
    高乱流極度生成物急冷区域を形成する段階と;
    前記TiO粒子を生成するために前記TiO蒸気を前記急冷区域で冷却する段階と;
    前記ドーピング剤を用いて前記TiO粒子をコーティングすることによってドープされたTiOを生成する段階と;
    を備えることを特徴とする方法。
  23. 金属化合物蒸気から金属酸化物ナノパウダーを合成する装置であって、
    前記金属化合物蒸気を反応温度へ至らせるためのプラズマと;
    前記金属化合物蒸気が前記反応温度で酸化ガスと反応して前記金属酸化物蒸気を形成する反応チャンバと;
    急冷ガスが高速で導入される実質的に共面の複数の細い急冷ガスノズルを備え、前記プラズマの下で高乱流急冷区域を形成する手段と;を備え、
    前記急冷区域は、前記金属酸化物蒸気を冷却して前記金属酸化物ナノパウダーを生成することを特徴とする装置。
  24. 請求項23記載の金属酸化物ナノパウダーを合成する装置において、
    前記反応チャンバは、実質的に円柱状であることを特徴とする装置。
  25. 請求項23記載の金属酸化物ナノパウダーを合成する装置において、
    前記細い急冷ガスノズルは、前記反応チャンバの周りに等間隔に配置されていることを特徴とする装置。
  26. 請求項23記載の金属酸化物ナノパウダーを合成する装置において、
    前記細い急冷ガスノズルは、半径方向成分及び接線方向成分両方を有する方向のそれぞれに合わせて配置されていることを特徴とする装置。
  27. 金属化合物蒸気及びドーピング剤からドープされた金属酸化物ナノパウダーを合成する装置であって、
    前記金属化合物蒸気及び前記ドーピング剤を反応温度へ至らせるためのプラズマと;
    前記金属化合物蒸気及び前記ドーピング剤が前記反応温度で酸化ガスと反応してドープされた金属酸化物蒸気を形成する反応チャンバと;
    急冷ガスが高速で導入される実質的に共面の複数の細い急冷ガスノズルを備え、前記プラズマの下で高乱流急冷区域を形成する手段と;を備え、
    前記急冷区域は、ドープされた金属酸化物蒸気を冷却してドープされた金属酸化物ナノパウダーを生成することを特徴とする装置。
  28. 金属化合物蒸気及びドーピング剤からコーティングされた金属酸化物をインラインに合成する装置であって、
    前記金属化合物蒸気を反応温度へ至らせるためのプラズマと;
    前記金属化合物蒸気及び前記ドーピング剤が前記反応温度で酸化ガスと反応して金属酸化物蒸気を形成する反応チャンバと;
    急冷ガスが高速で導入される実質的に共面の複数の細い急冷ガスノズルを備え、前記プラズマの下で、前記金属酸化物蒸気を冷却して金属酸化物粒子を形成する高乱流急冷区域を形成する手段と;
    前記ドーピング剤の供給源と、前記ドーピング剤が前記金属酸化物粒子へ導入され、これによりドープされた金属酸化物が生成されるドーピング剤導入インレットと、を備え、前記ドーピング剤を用いて前記金属酸化物粒子をコーティングするインラインドーピングユニットと;
    を備えることを特徴とする装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005132716A (ja) * 2003-09-11 2005-05-26 E I Du Pont De Nemours & Co 金属酸化物ナノ粒子のプラズマ合成
JP2006028017A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 E I Du Pont De Nemours & Co 金属酸化物のナノ粒子を作製する方法
JP2009531258A (ja) * 2006-03-29 2009-09-03 ノースウエスト メテック コーポレイション 軸方向投入プラズマ溶射を用いたナノパウダーおよびマイクロパウダー製造用の方法および装置
JP2011500482A (ja) * 2007-10-12 2011-01-06 クローノス インターナショナル インコーポレイテッド 二酸化チタンの多工程製造方法
JP2011500483A (ja) * 2007-10-12 2011-01-06 クローノス インターナショナル インコーポレイテッド 二酸化チタンの製造方法
KR101129610B1 (ko) * 2005-01-28 2012-05-15 테크나 플라즈마 시스템 인코포레이티드 나노분말의 유도 플라즈마 합성
JP2014061518A (ja) * 2007-05-11 2014-04-10 Sdc Materials Inc 急冷チャンバ、凝縮装置及び冷却方法
CN103736508A (zh) * 2013-12-26 2014-04-23 大连大学 一种大气压等离子体制备F掺杂TiO2的方法

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6994837B2 (en) * 2001-04-24 2006-02-07 Tekna Plasma Systems, Inc. Plasma synthesis of metal oxide nanopowder and apparatus therefor
CA2385802C (en) 2002-05-09 2008-09-02 Institut National De La Recherche Scientifique Method and apparatus for producing single-wall carbon nanotubes
EP2390000A1 (en) * 2002-12-17 2011-11-30 E. I. du Pont de Nemours and Company Method of producing nanoparticles using an evaporation-condensation process with a reaction chamber plasma reactor system
WO2004066975A1 (en) * 2002-12-18 2004-08-12 Hough Ear Institute Otologic nanotechnology
US7723311B2 (en) * 2003-06-18 2010-05-25 Nanobiomagnetics, Inc. Delivery of bioactive substances to target cells
US7344491B1 (en) 2003-11-26 2008-03-18 Nanobiomagnetics, Inc. Method and apparatus for improving hearing
US8651113B2 (en) 2003-06-18 2014-02-18 Swr&D Inc. Magnetically responsive nanoparticle therapeutic constructs and methods of making and using
US7217407B2 (en) * 2003-09-11 2007-05-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Plasma synthesis of metal oxide nanoparticles
US20050129634A1 (en) 2003-12-16 2005-06-16 Frerichs Scott R. Passivated nano-titanium dioxide particles and methods of making the same
SG111177A1 (en) * 2004-02-28 2005-05-30 Wira Kurnia Fine particle powder production
CA2512313A1 (en) * 2004-07-20 2006-01-20 E.I. Dupont De Nemours And Company Apparatus for making metal oxide nanopowder
CN100348313C (zh) * 2005-01-26 2007-11-14 中国科学院金属研究所 一种可吸收可见光的光催化纳米氧化钛的电弧放电制备方法
US7265176B2 (en) * 2005-01-31 2007-09-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Composition comprising nanoparticle TiO2 and ethylene copolymer
CA2500766A1 (en) * 2005-03-14 2006-09-14 National Research Council Of Canada Method and apparatus for the continuous production and functionalization of single-walled carbon nanotubes using a high frequency induction plasma torch
US7276231B2 (en) * 2005-05-23 2007-10-02 E I Du Pont De Nemours And Company Lower-energy process for preparing passivated inorganic nanoparticles
US8859931B2 (en) 2006-03-08 2014-10-14 Tekna Plasma Systems Inc. Plasma synthesis of nanopowders
EP2041030A2 (de) * 2006-05-09 2009-04-01 Basf Se Verfahren zur herstellung von suspensionen nanopartikulärer feststoffe
FR2901714B1 (fr) 2006-05-30 2008-09-05 Commissariat Energie Atomique Procede en phase gazeuse pour la production de particules nanometriques
KR100793163B1 (ko) * 2006-06-30 2008-01-10 주식회사 포스코 전자파 플라즈마 장치를 이용한 철 나노분말 제조방법
KR100793162B1 (ko) * 2006-06-30 2008-01-10 주식회사 포스코 전자파 플라즈마 장치를 이용한 알루미늄 나노분말제조방법
KR100801114B1 (ko) * 2006-08-01 2008-02-05 한국원자력연구원 나노분말 제조장치 및 그 제조방법
KR101300152B1 (ko) * 2006-09-05 2013-08-26 재단법인 포항산업과학연구원 납(Pb)저 함유 유전체 나노 분말 및 그 제조방법
US7968077B2 (en) * 2006-12-20 2011-06-28 Kronos International, Inc. Method for manufacturing titanium dioxide by oxidizing of titanium tetrachloride
DE102007048553A1 (de) * 2006-12-20 2008-06-26 Kronos International, Inc. Verfahren zur Herstellung von Titandioxid durch Oxidation von Titantetrachlorid
WO2008091581A1 (en) 2007-01-22 2008-07-31 The University Of Minnesota Nanoparticles with grafted organic molecules
CN102046303A (zh) * 2008-05-29 2011-05-04 西北美泰克公司 由轴向注入液体原料制造涂层的方法和系统
CN101733405B (zh) * 2008-11-18 2012-01-11 广东兴发铝业有限公司 纳米粉末材料的射频辉光放电感应耦合等离子体制备方法
KR20110099757A (ko) * 2008-12-24 2011-09-08 인트린시크 머티리얼즈 리미티드 미세입자
DE102009029640A1 (de) * 2009-09-21 2011-04-07 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Oberflächenmodifizierung von Metalloxidpartikeln
CN102502635A (zh) * 2011-07-15 2012-06-20 中国科学院过程工程研究所 一种制备表面改性的难熔金属碳化物超细粉体的方法
CN103721664A (zh) * 2013-12-13 2014-04-16 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 用于气体改性碳材料的装置和方法
EP3509762B1 (en) 2016-09-07 2022-11-02 Alan W. Burgess High velocity spray torch for spraying internal surfaces
JP7155137B2 (ja) 2017-03-03 2022-10-18 ハイドロ-ケベック 不動態層で被覆されたコアを備えるナノ粒子、その製造のためのプロセスおよびその使用
CN107522226B (zh) * 2017-08-30 2019-12-03 昆明理工大学 一种等离子体制备球形亚氧化钛的方法
KR102224285B1 (ko) * 2019-07-09 2021-03-09 국민대학교산학협력단 이산화티타늄 나노입자 제조장치
KR102306828B1 (ko) 2019-12-05 2021-10-01 (주)선영시스텍 금속 분말 및 이의 가공장치, 가공방법
CN113083273B (zh) * 2021-04-13 2023-04-07 四川微纳之光科技有限公司 一种等离子体诱导碳掺杂改性二氧化钛的方法及光触媒
CN114042430B (zh) * 2021-12-17 2023-04-25 河北复朗施纳米科技有限公司 一种基于电爆法生产二氧化钛的制备设备
CN114538507B (zh) * 2022-01-24 2024-04-16 龙佰禄丰钛业有限公司 一种控制氯化钛白半成品粒径的方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH477904A (de) * 1964-01-04 1969-09-15 Bayer Ag Verfahren zur Durchführung von Reaktionen unter Beteiligung einer Gasphase
US3449072A (en) * 1967-07-27 1969-06-10 American Cyanamid Co Synthesis of finely divided oxide powders
DE2005011A1 (de) * 1970-02-04 1971-08-12 Bayer Ag Verfahren zur Abkühlung von heißen Gas Feststoff Suspensionen
JPS4943387B1 (ja) * 1971-03-03 1974-11-20
JP2693552B2 (ja) * 1989-02-22 1997-12-24 本田技研工業株式会社 内燃機関の動弁機構
JPH05221615A (ja) * 1991-03-15 1993-08-31 Osaka Titanium Co Ltd 超微粒金属酸化物粉末の製造方法
US5498446A (en) * 1994-05-25 1996-03-12 Washington University Method and apparatus for producing high purity and unagglomerated submicron particles
CN1075791C (zh) * 1999-08-27 2001-12-05 华东理工大学 一种纳米二氧化钛的制备方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005132716A (ja) * 2003-09-11 2005-05-26 E I Du Pont De Nemours & Co 金属酸化物ナノ粒子のプラズマ合成
JP2006028017A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 E I Du Pont De Nemours & Co 金属酸化物のナノ粒子を作製する方法
KR101129610B1 (ko) * 2005-01-28 2012-05-15 테크나 플라즈마 시스템 인코포레이티드 나노분말의 유도 플라즈마 합성
JP2009531258A (ja) * 2006-03-29 2009-09-03 ノースウエスト メテック コーポレイション 軸方向投入プラズマ溶射を用いたナノパウダーおよびマイクロパウダー製造用の方法および装置
JP2014061518A (ja) * 2007-05-11 2014-04-10 Sdc Materials Inc 急冷チャンバ、凝縮装置及び冷却方法
JP2011500482A (ja) * 2007-10-12 2011-01-06 クローノス インターナショナル インコーポレイテッド 二酸化チタンの多工程製造方法
JP2011500483A (ja) * 2007-10-12 2011-01-06 クローノス インターナショナル インコーポレイテッド 二酸化チタンの製造方法
CN103736508A (zh) * 2013-12-26 2014-04-23 大连大学 一种大气压等离子体制备F掺杂TiO2的方法

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