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  1. 半導体素子と、その半導体素子を配置する凹部を有する支持体と、前記半導体素子に接続するリード電極と、を備えた半導体装置であって、
    前記支持体は、前記凹部の外側に、第一の主面と、その第一の主面の外側に、第二の主面と、を少なくとも有しており、かつ、前記第一の主面と前記第二の主面との間に、切り欠きを有することを特徴とする半導体装置。
  2. 半導体素子と、その半導体素子を配置する凹部を有する支持体と、前記半導体素子に接続するリード電極と、を備えた半導体装置であって、
    前記支持体は、前記凹部の外側に、第一の主面と、その第一の主面の外側に、第二の主面と、を少なくとも有しており、前記第一の主面より外側の主面が、凹形状または凸形状を有することを特徴とする半導体装置。
  3. 前記支持体は、前記第一の主面と前記第二の主面との間に、段差を有する請求項1または2に記載の半導体装置。
  4. 前記第二の主面は、前記第一の主面に対して傾斜している請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置。
  5. 前記凹形状または凸形状は、円盤状である請求項2から4のいずれか一項に記載の半導体装置。
  6. 前記凸形状は、内部が空洞の外周壁を成している請求項2から5のいずれか一項に記載の半導体装置。
  7. 前記凹形状は、支持体の一方の側面から該側面に向かい合う他方の側面に向かって直線状に延びる溝である請求項2から4のいずれか一項に記載の半導体装置。
  8. 前記凸形状は、支持体の一方の側面から該側面に向かい合う他方の側面に向かって直線状に延びる凸部である2から4のいずれか一項に記載の半導体装置。
  9. 半導体素子と、その半導体素子を配置する凹部を有する支持体と、前記半導体素子に接続するリード電極と、を備えた半導体装置であって、
    前記支持体の主面は、前記凹部の外側に、(1)円盤状の凸部あるいは凹部、(2)前記支持体の一方の側面から該側面に向かい合う他方の側面に向かって直線状に延びる凸部、(3)溝、(4)環状の溝あるいは(5)環状の外周壁から選択されたいずれか一種の形状を有することを特徴とする半導体装置。
  10. 前記半導体素子は、n側電極を有する窒化物半導体からなるn型コンタクト層とp側電極を有する窒化物半導体からなるp型コンタクト層を少なくとも有する半導体積層構造を備えており、
    前記n型コンタクト層は、電極形成面側からみて、p側電極を有する半導体積層構造が設けられた第1の領域と、複数の凸部を有する第2の領域とを有しており、
    前記凸部の頂部は、前記半導体素子断面において、活性層よりもp型コンタクト層側に位置する発光素子である請求項1から9のいずれか一項に記載の半導体装置。
  11. 前記半導体素子は、AlとY、Lu、Sc、La、Gd、Tb、Eu、Ga、In及びSmから選択された少なくとも一つの元素とを含み、かつ希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光物質、又は、Nを含み、かつBe、Mg、Ca、Sr、Ba、及びZnから選択された少なくとも一つの元素と、C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、及びHfから選択された少なくとも一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光物質を備える1から10のいずれか一項に記載の半導体装置。
  12. 前記半導体素子は、支持基板を介して前記凹部に配置される請求項1から11のいずれか一項に記載の半導体装置。
  13. 前記リード電極は、前記支持体の側面から突出されており、その突出されたリード電極は、前記第一の主面に略垂直に、且つ、前記側面と異なる側面に沿って折り曲げられている請求項1から12のいずれか一項に記載の半導体装置。
  14. 前記リード電極は、前記支持体の側面から突出されており、その突出されたリード電極は、前記第一の主面の反対側となる支持体の背面方向に折り曲げられている請求項1から13のいずれか一項に記載の半導体装置。
  15. 前記第一の主面は、前記半導体素子を被覆する封止部材が配置された凹部の外側に設けられている請求項1から14のいずれか一項に記載の半導体装置。
  16. 請求項1から15のいずれか一項に記載された半導体装置と、
    その半導体装置の主面と嵌合する光入出部を有し、前記半導体装置からの光あるいは前記半導体装置への光を導光する透光性部材と、を備えていることを特徴とする光学装置。
  17. リード電極を成型用型に配置する第一の工程と、
    前記成型用型に成型材料を供給し、前記リード電極の一部を被覆する第二の工程と、
    前記成型材料を硬化させることにより、前記リード電極を露出させた凹部を有する支持体を形成する第三の工程と、
    突き出し部材にて前記凹部の外側の主面に押し圧を加えて、前記成型用型から前記支持体を取り出す第四の工程と、を有しており、
    前記第一の工程は、前記凹部の側から少なくとも第一の主面と、その第一の主面より外側の第二の主面とを前記支持体に形成させる成型用型を配置する工程を含み、
    前記第四の工程は、前記第一の主面より外側の主面に、前記突き出し部材を圧し当てる工程を含むことを特徴とする支持体の製造方法。
  18. 前記リード電極を前記成型用型に配置する前に、複数のリード電極を有するリードフレームを形成する工程を更に含む請求項17に記載の支持体の製造方法。
  19. 前記第一の工程は、前記リード電極の端部が前記支持体の側面から突出するように前記リード電極を配置する工程を含み、
    その突出されたリード電極を、前記支持体の主面に略垂直に、且つ、前記側面と異なる側面に沿って折り曲げる第五の工程を更に含む請求項17または18に記載の支持体の製造方法。
  20. 前記第一の工程は、前記リード電極の端部が前記支持体の側面から突出するように前記リード電極を配置する工程を含み、
    その突出されたリード電極を、前記第一の主面の反対側となる支持体の背面方向に折り曲げる第五の工程を更に含む請求項17から19のいずれか一項に記載の支持体の製造方法。
  21. 前記支持体は、前記第三から第四の工程において、前記リードフレームの一部に設けられたハンガーリードにより支持される請求項18から20のいずれか一項に記載の支持体の製造方法。
  22. 前記第四の工程は、前記第一の主面より外側の主面に、凹形状または凸形状を形成させる工程を含む請求項17から21のいずれか一項に記載の支持体の製造方法。

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