JP2004300255A - 光導波路用材料並びに光導波路 - Google Patents

Abstract

【課題】電気特性、耐熱性、低吸水性、及び透明性に優れ、光導波路としての加工性、特に耐クラック性に優れた、大面積化することができるプラスチック光導波路材料及び光導波路を提供する。
【解決手段】一般式（Ａ）で表される構造を有する化合物からなる光導波路用材料、
【化１】

［式（Ａ）中、Ｘは２価の有機基を示す。］
前記化合物に、一般式（Ｂ）で表される化合物または一般式（Ｃ）で表される化合物と、式（Ｄ）で表される反応性末端封止剤とを含んで反応させて得られる化合物を反応してなる光導波路用材料。
【化２】

【化３】

［式（Ｂ）、式（Ｃ）中、ｎは０〜１０００までの整数を示し、Ｒ_ａは４価の有機基を示し、Ｒ_ｂおよびＲ_ｃはそれぞれ２価の有機基を示す。Ｒ’、Ｒ_１およびＲ_２はそれぞれ１価の有機基を示す。］
【化４】

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路用材料並びに光導波路に関するものである。更に詳しくは、あるいはレーザー光などを低損失で結合伝送するプラスチック光導波路を用いたインターコネクション・光通信デバイス等に好適で、耐熱性、電気特性、機械特性及び物理特性に優れた光導波路用材料並びに光導波路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光導波路材料としては、ガラス（石英）やプラスチックなどの材料が検討されている。そのうち、石英で構成した光導波路は、低損失および高耐熱性などの利点を有するため、光ファイバーや光インターコネクション・光通信デバイスなどの分野において、数多く検討され実際に利用されている。
【０００３】
一方、プラスチックで構成された光導波路は、石英光導波路よりも作成および大面積化が容易であり、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートおよび紫外線硬化型樹脂などのポリマーを用いたプラスチック光導波路が検討されている。
【０００４】
しかしながら、上記した従来の石英光導波路では、作製に長い工程を要するため、本質的に低価格化は困難である。また、製作プロセスにおいて、１０００℃前後の高熱処理を要するため、電気回路基板との融合性が悪い上、大面積化が困難である問題があった。
【０００５】
また、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートもしくは紫外線硬化型樹脂で構成したプラスチック光導波路では、その構成材料の耐熱性は、１００℃前後であるため使用環境が限定されると共に、実装回路として組み込むためには、数百度のハンダ工程を通過することが必要となり、電気回路基板との融合性が悪くなるという問題があった。
【０００６】
また、プラスチック材料でありながら、３００℃以上の耐熱性を有するポリイミドをプラスチック光導波路に用いようとする試みも、一部でなされている。従来から、フレキシブルプリント回路基板等に用いられる、高耐熱、高信頼性で、柔軟性を有する樹脂フィルムとしてカプトン（東レ・デュポン社製）やユーピレックスＳ（宇部興産）に代表されるポリイミドフィルムは、耐熱性に優れ、また卓越した電気特性、機械特性などを有するため、電子部品の絶縁膜、フレキシブルプリント回路基板などの電子材料として多く用いられている。しかし、これらの用途に用いられているポリイミドは、構造に起因する吸収による光損失がはなはだ大きく、光導波路に適さないという問題があった。このような問題に対し、フッ素並びにトリフルオロメチル基を高分子内に導入することにより、光透過性に優れた樹脂を光導波路材料に適用することが試みられてきた（例えば、特許文献１参照。）。しかし、芳香族基の配向に起因する複屈折のため偏波保存性を有する場合や、その構造から結晶性の高い樹脂があり、膜厚が薄い場合は影響が少ないが、光導波路として使用する膜厚になるとその結晶性の高さから膜が脆くなる場合や屈折率が変化することがあり、光導波路として必須の光学等方性及び加工性が十分得られていない。
【０００７】
また、ポリベンゾオキサゾール樹脂は、ポリイミド樹脂をしのぐ、耐熱性、低吸湿性を有することにより、耐熱用途、電子用途に向けた研究開発がなされており、ポリベンゾオキサゾール樹脂を用いた光導波路も提案されている（例えば、特許文献２参照。）。しかしながら、ポリベンゾオキサゾール樹脂においては、耐薬品性、機械特性の点でやや問題があり、光導波路作成時にクラックが入りやすい傾向があった。
【０００８】
また、従来のフッ素を高分子内に導入した光導波路用材料では、高分子量のポリマーが得られにくく、そのため得られる樹脂やフィルムの引っ張り強度などの機械特性が悪くなり、また溶剤におかされやすく、光導波路を形成する際に、クラックが発生するなどの問題があった。
【０００９】
【特許文献１】
特開平４−８７３４号公報（第１−２頁、一般式［Ｉ］〜［ＩＶ］）
【特許文献２】
特開２００２−１７３５３２号公報（第１−１１頁）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、電気特性、耐熱性、低吸水性、及び透明性に優れ、光導波路としての加工性、特に耐クラック性に優れた、大面積化することができるプラスチック光導波路材料及び光導波路を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、特定構造の熱硬化性反応基が付加しており、その反応基が加熱により架橋を生じる樹脂からなることを特徴とするプラスチック光導波路材料を用いることにより、その目的を達成し得ることを見いだし、この知見に基づいて、更に検討を進めて、本発明を完成するに至った。
【００１２】
即ち、本発明は、
１． 一般式（Ａ）で表される構造を有する化合物からなる光導波路用材料、
【化１５】

［式（Ａ）中、Ｘは２価の有機基を示す。］
２． 前記化合物に、一般式（Ｂ）で表される化合物または一般式（Ｃ）で表される化合物と、式（Ｄ）で表される反応性末端封止剤とを含んで反応させて得られる化合物を反応してなる第１項記載の光導波路用材料、
【化１６】

【化１７】

［式（Ｂ）、式（Ｃ）中、ｎは０〜１０００までの整数を示し、Ｒ_ａは４価の有機基を示し、Ｒ_ｂおよびＲ_ｃはそれぞれ２価の有機基を示す。Ｒ’、Ｒ_１およびＲ_２はそれぞれ１価の有機基を示す。］
【化１８】

３． 一般式（Ａ）で表される化合物が、一般式（Ａ）におけるＸとして、一般式（１）または一般式（２）で表される２価の基を有するものである第１項又は第２項記載の光導波路用材料、
【化１９】

【化２０】

［式（１）、式（２）中、ｎは０〜１０００までの整数を示し、Ｒ_ａは４価の有機基を示し、Ｒ_ｂおよびＲ_ｃはそれぞれ２価の有機基を示す。Ｒ’、Ｒ_１およびＲ_２はそれぞれ１価の有機基を示す。］
４． 一般式（１）で表される２価の基が、一般式（１）におけるＲ_ａとして、式（Ｅ）および式（Ｆ）で表される基の中から選ばれる４価の基を有するものである第３項記載の光導波路用材料、
【化２１】

【化２２】

［式（Ｅ）および式（Ｆ）中、ベンゼン環上の水素原子は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、フッ素原子、及びトリフルオロメチル基の中から選ばれる、少なくとも１個の基で置換されていても良い。］
５． 一般式（２）で表される２価の基が、一般式（２）におけるＲ_ａとして、式（Ｅ）および式（Ｆ）で表される基の中から選ばれる４価の基を有するものである第３項記載の光導波路用材料、
６． 一般式（Ｂ）で表される化合物が、一般式（Ｂ）におけるＲ_ａとして、式（Ｅ）および式（Ｆ）で表される基の中から選ばれる４価の基を有するものである第２項〜第５項のいずれかに記載の光導波路用材料、
７． 一般式（Ｃ）で表される化合物が、一般式（Ｃ）におけるＲ_ａとして、式（Ｅ）および式（Ｆ）で表される基の中から選ばれる４価の基を有するものである第２項〜第６項のいずれかに記載の光導波路用材料、
８． 一般式（Ｂ）で表される化合物が、一般式（Ｂ）におけるＲ_ｂとして、式（Ｇ）、式（Ｈ）および式（Ｉ）で表される基の中から選ばれる２価の基を有するものである第２項〜第７項のいずれかに記載の光導波路用材料、
【化２３】

【化２４】

【化２５】

［式（Ｉ）中、ｃは１〜１０までの整数であり、ｄは１〜２０までの整数である。］
９． 一般式（１）で表される２価の基が、一般式（１）におけるＲ_ｂとして、式（Ｇ）、式（Ｈ）および式（Ｉ）で表される基の中から選ばれる２価の基を有するものである第３項〜第８項のいずれかに記載の光導波路用材料、
１０． 一般式（Ｃ）で表される化合物が、一般式（Ｃ）におけるＲ_ｃとして、式（Ｊ）、式（Ｋ）および式（Ｌ）で表される基の中から選ばれる２価の基を有するものである第２項〜第９項のいずれかに記載の光導波路用材料、
【化２６】

【化２７】

【化２８】

［式（Ｌ）中、ｅは１〜１０までの整数である。］
１１． 一般式（２）で表される２価の基が、一般式（２）におけるＲ_ｃとして、式（Ｊ）、式（Ｋ）および式（Ｌ）で表される基の中から選ばれる２価の基を有するものである第２項〜第１０項のいずれかに記載の光導波路用材料、
１２． 第１項〜第１１項のいずれかに記載の光導波路用材料を用いて、コア層及び／又はクラッド層が形成されていることを特徴とする光導波路、
を提供するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の光導波路用材料は、少なくとも一般式（Ａ）で表される化合物、あるいは、前記化合物と、一般式（Ｂ）で表される化合物または一般式（Ｃ）で表される化合物と式（Ｄ）で表される反応性末端封止剤とを、あらかじめ反応させて得られる重合体とを反応させることにより得られる重合体からなることを特徴とする。
【００１４】
本発明に用いる一般式（Ａ）で表される化合物は、式中のＸとして、一般式（１）または一般式（２）で表される２価の基を有するものが好ましく、前記一般式（１）で表される２価の基を有する化合物の場合、テトラカルボン酸またはその一無水物もしくは二無水物と、ジアミンを反応させて、４−アミノベンゾシクロブテンを末端封止剤として反応させるか、あるいは前記一般式（２）で表される２価の基を有する化合物の場合、ジアミノヒドロキシ化合物もしくはビスアミノフェノール化合物あるいはその誘導体とジカルボン酸とから、４−アミノベンゾシクロブテンを末端封止剤として、酸クロリド法、活性化エステル法またはポリリン酸もしくはジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下での縮合反応等の方法により、反応させて得ることができる。末端封止剤に用いられる４−アミノベンゾシクロブテンの合成方法は、Ｔａｎらの米国特許第４，７１１，９６４号に示されている。
【００１５】
前記一般式（Ａ）で表される化合物を得るためには、テトラカルボン酸またはその無水物もしくは二無水物、あるいはジカルボン酸が過剰な条件で反応させる必要がある。前記一般式（１）で表される２価の基を有する化合物におけるＲ_ａとなるテトラカルボン酸またはその一無水物もしくは二無水物としては、式（Ｅ）、式（Ｆ）で表される４価の基を有するテトラカルボン酸二無水物が好ましい。また、前記テトラカルボン酸は、塩化物やエステル化物などの誘導体であっても良い。前記ジアミンとしては、一般式（１）におけるＲ_ｂとなる式（Ｇ）、式（Ｈ）、式（Ｉ）で表される２価の基を有するジアミンが、好適にあげられる。前記一般式（２）で表される２価の基を有する化合物における、前記ジアミノヒドロキシ化合物もしくはビスアミノフェノール化合物あるいはその誘導体としては、一般式（２）におけるＲ_ａとなる式（Ｅ）、式（Ｆ）で表される４価の基を有するものが好適にあげられる。また、前記ジカルボン酸としては、一般式（２）におけるＲ_Ｃとなる式（Ｊ）、式（Ｋ）、式（Ｌ）で表される２価の基を有するジカルボン酸が、好適にあげられる。
【００１６】
また、本発明に用いる一般式（Ｂ）で表される化合物および一般式（Ｃ）で表される化合物は、一般式（Ａ）で表される化合物と同様に、テトラカルボン酸またはその一無水物もしくは二無水物と、ジアミンを反応させ、あるいはジアミノヒドロキシ化合物もしくはビスアミノフェノール化合物あるいはその誘導体とジカルボン酸とから、酸クロリド法、活性化エステル法またはポリリン酸もしくはジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下での縮合反応等の方法により、反応させて得ることができる。ここで、末端封止剤として式（Ｄ）で表される化合物を、一般式（Ｂ）で表される化合物および一般式（Ｃ）で表される化合物に反応させるため、ジアミンあるいはジアミノヒドロキシ化合物もしくはビスアミノフェノール化合物が過剰の条件で反応させる。本発明に用いる一般式（Ｂ）におけるＲ_ａとなるテトラカルボン酸またはその一無水物もしくは二無水物としては、式（Ｅ）、式（Ｆ）で表されるテトラカルボン酸二無水物が好ましい。また、前記テトラカルボン酸は、塩化物やエステル化物などの誘導体であっても良い。前記ジアミンとしては、一般式（Ｂ）におけるＲ_ｂとなる式（Ｇ）、式（Ｈ）、式（Ｉ）で表される２価の基を有するジアミンが、好適にあげられる。本発明に用いる一般式（Ｃ）で表される化合物におけるジアミノヒドロキシ化合物もしくはビスアミノフェノール化合物あるいはその誘導体としては、一般式（Ｃ）におけるＲ_ａとなる式（Ｅ）、式（Ｆ）で表される４価の基を有するものが好適にあげられる。また、前記ジカルボン酸としては、一般式（Ｃ）におけるＲ_Ｃとなる式（Ｊ）、式（Ｋ）、式（Ｌ）で表される２価の基を有するジカルボン酸が、好適に挙げられる。
【００１７】
本発明に用いる、式（Ｅ）で表されるビフェニレン骨格を有するテトラカルボン酸二無水物の例としては、１，２，５，６−ビフェニレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ビフェニレンテトラカルボン酸二無水物、１，５−ビス（トリフルオロメチル）−２，３，６，７−ビフェニレンテトラカルボン酸二無水物、パーフルオロビフェニレンテトラカルボン酸二無水物などが挙げられるが、これらは単独で用いてもよく、また２種類以上組み合わせてもよい。
【００１８】
本発明に用いる、式（Ｆ）で表されるテトラカルボン酸二無水物の例としては、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ジフルオロベンゼンテトラカルボン酸二無水物、１−トリフルオロメチル−２，３，５，６−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、１−トリフルオロメチル−２，３，５，６−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、１，４−ビス（トリフルオロメチル）−２，３，５，６−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−パーフルオロナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−パーフルオロナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１−トリフルオロメチル−２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，５−ビス（トリフルオロメチル）−２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３−トリフルオロメチル−１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、４，８−ビス（トリフルオロメチル）−１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、５，５’−トリフルオロメチル−４，４’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、６，６’−トリフルオロメチル−４，４’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，４−ビス（２，３−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ジフェニル二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、４，４’−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ジフェニルエーテル二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルエーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルフィド二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、４，４’−ビス（２，３−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、４，４’−ビス（２，３−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゾフェノン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス［４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス［４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物を挙げられることができ、また、これらのエステル化合物やエーテル化合物などの誘導体を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これらのテトラカルボン酸二無水物は単独、または２種以上組み合わせて使用することができる。
【００１９】
本発明に用いる、式（Ｇ）で表される２価の基を有するビフェニレン骨格を有するジアミンの例としては、１，２−ジアミノビフェニレン、１，３−ジアミノビフェニレン、１，４−ジアミノビフェニレン、１，５−ジアミノビフェニレン、１，６−ジアミノビフェニレン、１，７−ジアミノビフェニレン、１，８−ジアミノビフェニレン、２，３−ジアミノビフェニレン、２，６−ジアミノビフェニレン、２，７−ジアミノビフェニレンなどが挙げられ、得られる塗膜の性能から、２，６−ジアミノビフェニレン、２，７−ジアミノビフェニレンが特に好ましい。これらは単独で用いてもよく、また２種類以上組み合わせて使用してもよい。
【００２０】
本発明に用いる式（Ｈ）で表される２価の基を有するジアミンとしては、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、１，２−ジアミノ−３−メチルベンゼン、１，２−ジアミノ−４−メチルベンゼン、１，２−ジアミノ−５−メチルベンゼン、１，２−ジアミノ−６−メチルベンゼン、１，３−ジアミノ−２−メチルベンゼン、１，３−ジアミノ−４−メチルベンゼン、１，３−ジアミノ−５−メチルベンゼン、１，３−ジアミノ−６−メチルベンゼン、１，４−ジアミノ−２−メチルベンゼン、１，４−ジアミノ−３−メチルベンゼン、１，４−ジアミノ−５−メチルベンゼン、１，４−ジアミノ−６−メチルベンゼン、１，２−ジアミノ−３−トリフルオロメチルベンゼン、１，２−ジアミノ−４−トリフルオロメチルベンゼン、１，２−ジアミノ−５−トリフルオロメチルベンゼン、１，２−ジアミノ−６−トリフルオロメチルベンゼン、１，３−ジアミノ−２−トリフルオロメチルベンゼン、１，３−ジアミノ−４−トリフルオロメチルベンゼン、１，３−ジアミノ−５−トリフルオロメチルベンゼン、１，３−ジアミノ−６−トリフルオロメチルベンゼン、１，４−ジアミノ−２−トリフルオロメチルベンゼン、１，４−ジアミノ−３−トリフルオロメチルベンゼン、１，４−ジアミノ−５−トリフルオロメチルベンゼン、１，４−ジアミノ−６−トリフルオロメチルベンゼン、１，２−ジアミノ−３，４−トリフルオロメチルベンゼン、１，２−ジアミノ−３，５−トリフルオロメチルベンゼン、１，２−ジアミノ−３，６−トリフルオロメチルベンゼン、１，２−ジアミノ−４，５−トリフルオロメチルベンゼン、１，３−ジアミノ−２，４−トリフルオロメチルベンゼン、１，３−ジアミノ−２，５−トリフルオロメチルベンゼン、１，３−ジアミノ−４，５−トリフルオロメチルベンゼン、１，３−ジアミノ−４，６−トリフルオロメチルベンゼン、１，４−ジアミノ−２，３−トリフルオロメチルベンゼン、１，４−ジアミノ−２，５−トリフルオロメチルベンゼン、１，２−ジアミノ−３，４，５−トリフルオロメチルベンゼン、１，２−ジアミノ−３，４，６−トリフルオロメチルベンゼン、１，３−ジアミノ−２，４，５−トリフルオロメチルベンゼン、１，３−ジアミノ−２，４，６−トリフルオロメチルベンゼン、１，４−ジアミノ−２，３，５−トリフルオロメチルベンゼン、１，４−ジアミノ−２，５，６−トリフルオロメチルベンゼン、１，２−ジアミノ−３，４，５，６−トリフルオロメチルベンゼン、１，３−ジアミノ−２，４，５，６−トリフルオロメチルベンゼン、１，４−ジアミノ−２，３，５，６−トリフルオロメチルベンゼン、１，２−ジアミノ−３−フルオロベンゼン、１，２−ジアミノ−４−フルオロベンゼン、１，２−ジアミノ−５−フルオロベンゼン、１，２−ジアミノ−６−フルオロベンゼン、１，３−ジアミノ−２−フルオロベンゼン、１，３−ジアミノ−４−フルオロベンゼン、１，３−ジアミノ−５−フルオロベンゼン、１，３−ジアミノ−６−フルオロベンゼン、１，４−ジアミノ−２−フルオロベンゼン、１，４−ジアミノ−３−フルオロベンゼン、１，４−ジアミノ−５−フルオロベンゼン、１，４−ジアミノ−６−フルオロベンゼン、１，２−ジアミノ−３，４−ジフルオロベンゼン、１，２−ジアミノ−３，５−ジフルオロベンゼン、１，２−ジアミノ−３，６−ジフルオロベンゼン、１，２−ジアミノ−４，５−ジフルオロベンゼン、１，３−ジアミノ−２，４−ジフルオロベンゼン、１，３−ジアミノ−２，５−ジフルオロベンゼン、１，３−ジアミノ−４，５−ジフルオロベンゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジフルオロベンゼン、１，４−ジアミノ−２，３−ジフルオロベンゼン、１，４−ジアミノ−２，５−ジフルオロベンゼン、１，２−ジアミノ−３，４，５−トリフルオロベンゼン、１，２−ジアミノ−３，４，６−トリフルオロベンゼン、１，３−ジアミノ−２，４，５−トリフルオロベンゼン、１，３−ジアミノ−２，４，６−トリフルオロベンゼン、１，４−ジアミノ−２，３，５−トリフルオロベンゼン、１，４−ジアミノ−２，５，６−トリフルオロベンゼン、１，２−ジアミノ−３，４，５，６−トリフルオロベンゼン、１，３−ジアミノ−２，４，５，６−テトラフルオロベンゼン、１，４−ジアミノ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼン、１，４−ジアミノナフタレン、１，５−ジアミノナフタレン、１，６−ジアミノナフタレン、１，７−ジアミノナフタレン、１，８−ジアミノナフタレン、２，３−ジアミノナフタレン、２，４−ジアミノナフタレン、２，５−ジアミノナフタレン、２，６−ジアミノナフタレン、２，７−ジアミノナフタレン、２，８−ジアミノナフタレン、３，４−ジアミノナフタレン、１，４−ジアミノヘキサフルオロナフタレン、１，５−ジアミノヘキサフルオロナフタレン、１，６−ジアミノヘキサフルオロナフタレン、１，７−ジアミノヘキサフルオロナフタレン、１，８−ジアミノヘキサフルオロナフタレン、２，３−ジアミノヘキサフルオロナフタレン、２，４−ジアミノヘキサフルオロナフタレン、２，５−ジアミノヘキサフルオロナフタレン、２，６−ジアミノヘキサフルオロナフタレン、２，７−ジアミノヘキサフルオロナフタレン、２，８−ジアミノヘキサフルオロナフタレン、４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジアミノビフェニル、３，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジメチル−３，３’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジメチル−３，３’−ジアミノビフェニル、５，５’−ジメチル−３，３’−ジアミノビフェニル、６，６’−ジメチル−３，３’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジメチル−３，４’−ジアミノビフェニル、４，２’−ジメチル−３，４’−ジアミノビフェニル、５，２’−ジメチル−３，４’−ジアミノビフェニル、６，２’−ジメチル−３，４’−ジアミノビフェニル、２，３’−ジメチル−３，４’−ジアミノビフェニル、４，３’−ジメチル−３，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ビストリフルオロメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ビストリフルオロメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’− ビストリフルオロメチル−３，３’−ジアミノビフェニル、４，４’− ビストリフルオロメチル−３，３’−ジアミノビフェニル、５，５’− ビストリフルオロメチル−３，３’−ジアミノビフェニル、６，６’− ビストリフルオロメチル−３，３’−ジアミノビフェニル、２，２’− ビストリフルオロメチル−３，４’−ジアミノビフェニル、４，２’− ビストリフルオロメチル−３，４’−ジアミノビフェニル、５，２’− ビストリフルオロメチル−３，４’−ジアミノビフェニル、６，２’− ビストリフルオロメチル−３，４’−ジアミノビフェニル、２，３’− ビストリフルオロメチル−３，４’−ジアミノビフェニル、４，３’− ビストリフルオロメチル−３，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノオクタフルオロビフェニル、３，３’−ジアミノオクタフルオロビフェニル、３，４’−ジアミノオクタフルオロビフェニル、４，４’−オキシビスアニリン、３，３’−オキシビスアニリン、３，４’−オキシビスアニリン、２，４’−オキシビスアニリン、３，４’−オキシビスアニリン、２，３’−オキシビスアニリン、４，４’−オキシビスオクタフルオロアニリン、３，３’−オキシビスオクタフルオロアニリン、３，４’−オキシビスオクタフルオロアニリン、２，４’−オキシビスオクタフルオロアニリン、３，４’−オキシビスオクタフルオロアニリン、２，３’−オキシビスオクタフルオロアニリン、ビス（４−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（３−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（２−メチル−４−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（２−メチル−３−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（３−メチル−４−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（４−メチル−３−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（５−メチル−４−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（５−メチル−３−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（６−メチル−４−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（６−メチル−３−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（２−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（２−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（３−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（４−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（５−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（５−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（６−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（６−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−スルフィド、ビス（４−アミノオクタフルオロフェニル）−スルフィド、ビス（３−アミノオクタフルオロフェニル）−スルフィド、ビス（４−アミノフェニル）−スルホン、ビス（３−アミノフェニル）−スルホン、ビス（２−メチル−４−アミノフェニル）−スルホン、ビス（２−メチル−３−アミノフェニル）−スルホン、ビス（３−メチル−４−アミノフェニル）−スルホン、ビス（４−メチル−３−アミノフェニル）−スルホン、ビス（５−メチル−４−アミノフェニル）−スルホン、ビス（５−メチル−３−アミノフェニル）−スルホン、ビス（６−メチル−４−アミノフェニル）−スルホン、ビス（６−メチル−３−アミノフェニル）−スルホン、ビス（２−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−スルホン、ビス（２−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−スルホン、ビス（３−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−スルホン、ビス（４−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−スルホン、ビス（５−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−スルホン、ビス（５−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−スルホン、ビス（６−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−スルホン、ビス（６−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−スルホン、ビス（４−アミノオクタフルオロフェニル）−スルホン、ビス（３−アミノオクタフルオロフェニル）−スルホン、ビス（４−アミノフェニル）−ケトン、ビス（３−アミノフェニル）−ケトン、ビス（２−メチル−４−アミノフェニル）−ケトン、ビス（２−メチル−３−アミノフェニル）−ケトン、ビス（３−メチル−４−アミノフェニル）−ケトン、ビス（４−メチル−３−アミノフェニル）−ケトン、ビス（５−メチル−４−アミノフェニル）−ケトン、ビス（５−メチル−３−アミノフェニル）−ケトン、ビス（６−メチル−４−アミノフェニル）−ケトン、ビス（６−メチル−３−アミノフェニル）−ケトン、ビス（２−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−ケトン、ビス（２−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−ケトン、ビス（３−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−ケトン、ビス（４−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−ケトン、ビス（５−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−ケトン、ビス（５−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−ケトン、ビス（６−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−ケトン、ビス（６−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−ケトン、ビス（４−アミノオクタフルオロフェニル）−ケトン、ビス（３−アミノオクタフルオロフェニル）−ケトン、ビス（４−アミノフェニル）−メタン、ビス（３−アミノフェニル）−メタン、ビス（２−メチル−４−アミノフェニル）−メタン、ビス（２−メチル−３−アミノフェニル）−メタン、ビス（３−メチル−４−アミノフェニル）−メタン、ビス（４−メチル−３−アミノフェニル）−メタン、ビス（５−メチル−４−アミノフェニル）−メタン、ビス（５−メチル−３−アミノフェニル）−メタン、ビス（６−メチル−４−アミノフェニル）−メタン、ビス（６−メチル−３−アミノフェニル）−メタン、ビス（２−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−メタン、ビス（２−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−メタン、ビス（３−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−メタン、ビス（４−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−メタン、ビス（５−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−メタン、ビス（５−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−メタン、ビス（６−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−メタン、ビス（６−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−メタン、ビス（４−アミノオクタフルオロフェニル）−メタン、ビス（３−アミノオクタフルオロフェニル）−メタン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（２−メチル−４−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（２−メチル−３−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（４−メチル−３−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（５−メチル−４−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（５−メチル−３−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（６−メチル−４−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（６−メチル−３−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（２−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（２−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（３−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（４−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（５−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（５−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（６−メチル−４−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（６−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−プロパン、２，２−ビス（４−アミノオクタフルオロフェニル）−プロパン、２，２−ビス（３−アミノオクタフルオロフェニル）−プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（２−メチル−４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（２−メチル−３−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−メチル−３−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（５−メチル−４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（５−メチル−３−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（６−メチル−４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（６−メチル−３−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（２−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（２−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（５−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（５−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（６−トリフルオロメチル−４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（６−トリフルオロメチル−３−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノオクタフルオロフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノオクタフルオロフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノオクタクロロフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、１，２−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（４−アミノフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、１，２−ビス（３−アミノフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）テトラフルオロベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらのジアミンは単独、または２種以上組み合わせて使用することができる。
【００２１】
本発明に用いる式（Ｉ）で表される２価の基を有するジアミンとしては、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、１，５−ビス（３−アミノプロピル）ヘキサメチルトリシロキサン、１，７−ビス（３−アミノプロピル）オクタメチルテトラシロキサン、１，９−ビス（３−アミノプロピル）デカメチルペンタシロキサン、１，１１−ビス（３−アミノプロピル）ドデカメチルヘキサシロキサン、１，１３−ビス（３−アミノプロピル）テトラデカメチルヘプタシロキサン、１，１５−ビス（３−アミノプロピル）ヘキサデカメチルオクタシロキサン、１，１７−ビス（３−アミノプロピル）オクタデカメチルノナシロキサン、１，１９−ビス（３−アミノプロピル）イコサメチルデカシロキサン、１，２１−ビス（３−アミノプロピル）ドイコサメチルウンデカシロキサン、１，２３−ビス（３−アミノプロピル）テトライコサメチルドデカシロキサン、１，２５−ビス（３−アミノプロピル）ヘキサイコサメチルトリデカシロキサン、１，２７−ビス（３−アミノプロピル）オクタイコサメチルテトラデカシロキサン、１，２９−ビス（３−アミノプロピル）トリアコンタメチルペンタデカシロキサン、１，３１−ビス（３−アミノプロピル）ドトリアコンタメチルヘキサデカシロキサン、１，３３−ビス（３−アミノプロピル）テトラアコンタメチルヘプタデカシロキサン、１，３５−ビス（３−アミノプロピル）ヘキサアコンタメチルオクタデカシロキサン、１，３７−ビス（３−アミノプロピル）オクタアコンタメチルノナデカシロキサン、１，３９−ビス（３−アミノプロピル）テトラコンタメチルイコサシロキサンなどのα，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサンを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これらは、単独または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００２２】
本発明に用いる、式（Ｊ）で表される２価の基を有するビフェニレン骨格を有するジカルボン酸の例としては、１，２−ビフェニレンジカルボン酸、１，３−ビフェニレンジカルボン酸、１，４−ビフェニレンジカルボン酸、１，５−ビフェニレンジカルボン酸、１，６−ビフェニレンジカルボン酸、１，７−ビフェニレンジカルボン酸、１，８−ビフェニレンジカルボン酸、２，３−ビフェニレンジカルボン酸、２，６−ビフェニレンジカルボン酸、２，７−ビフェニレンジカルボン酸などが挙げられ、得られる塗膜の性能から、２，６−ビフェニレンジカルボン酸、２，７−ビフェニレンジカルボン酸が特に好ましい。これらは単独で用いてもよく、また２種類以上組み合わせて使用してもよい。
【００２３】
本発明に用いる式（Ｋ）で表される２価の基を有するジカルボン酸としては、４，４’−オキシビス安息香酸、３，３’−オキシビス安息香酸、３，４’−オキシビス安息香酸、２，４’−オキシビス安息香酸、３，４’−オキシビス安息香酸、２，３’−オキシビス安息香酸、２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−カルボキシフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−カルボキシフェニル）−スルフィド、ビス（３−カルボキシフェニル）−スルフィド、ビス（４−カルボキシフェニル）−スルホン、ビス（３−カルボキシフェニル）−スルホン、ビス（４−カルボキシフェニル）−メタン、ビス（３−カルボキシフェニル）−メタン、２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）−プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシフェニル）−プロパン、ビス（４−カルボキシフェニル）−ケトン、ビス（３−カルボキシフェニル）−ケトン、１，２−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、ビス（３−カルボキシフェニル）ビフェニル、ビス（４−カルボキシフェニル）ビフェニル、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸等を挙げることができる。これらのジカルボン酸は単独、または２種以上組み合わせて使用することができる。
【００２４】
本発明に用いる式（Ｌ）で表される２価の基を有するジカルボン酸としては、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、１，９−ノナンジカルボン酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、１，１２−ドデカンジカルボン酸、テトラフルオロコハク酸、ヘキサフルオログルタル酸、オクタフルオロアジピン酸、パーフルオロピメリン酸、パーフルオロスベリン酸、パーフルオロアゼライン酸、パーフルオロセバシン酸、１，９−パーフルオロノナンジカルボン酸、パーフルオロドデカン二酸、パーフルオロトリデカン二酸、１，１２−パーフルオロドデカンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸等を挙げることができる。これらのジカルボン酸は単独、または２種以上組み合わせて使用することができる。
【００２５】
本発明に用いる式（Ｅ）で表される４価の基を有するとしては、１，８−ジアミノ−２，７−ジヒドロキシビフェニレン、２，７−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシビフェニレン、１，８−ジアミノ−２，７−ジヒドロキシテトラフルオロビフェニレン、２，７−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシテトラフルオロビフェニレン等を挙げることができる。これらのジアミノジヒドロキシ化合物は単独、または２種以上組み合わせて使用することができる。
【００２６】
本発明に用いる式（Ｆ）で表される４価の基を有するビスアミノフェノールとしては、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−アミノ−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）スルホン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドキロキシフェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドキロキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−４−ヒドキロキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−３−ヒドキロキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−４−ヒドキロキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−３−ヒドキロキシフェノキシ）ベンゼン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ビフェニル、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ビフェニル、１，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベンゼン、１，４−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシジフルオロベンゼン、１，４−ジアミノ−２，３−ジヒドロキシジフルオロベンゼン、１，２−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシジフルオロベンゼン、１−トリフルオロメチル−２，４−ジアミノ−３，５−ジヒドロキシベンゼン、１−トリフルオロメチル−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシベンゼン、１−トリフルオロメチル−２，４−ジアミノ−３，５−ジヒドロキシフルオロベンゼン、１−トリフルオロメチル−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシフルオロベンゼン、１，４−ビス（トリフルオロメチル）−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシベンゼン、１−ペンタフルオロエチル−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシベンゼン、１−パーフルオロシクロヘキシル−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジエトキシジフルオロベンゼン等を挙げることができる。これらのビスアミノフェノールは単独、または２種以上組み合わせて使用することができる。
【００２７】
本発明に用いる一般式（１）で表される２価の基を有する化合物あるいは一般式（Ｂ）で表される化合物の製造方法としては、一般的には、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの極性溶媒中で、前記テトラカルボン酸またはその無水物の１種または２種以上と、前記ジアミンの１種または２種以上とを反応させ合成する方法が挙げられる。前記反応は、通常、乾燥窒素雰囲気下、室温で１日以上行われる。一般式（Ａ）で表される化合物は、上記で得た一般式（１）で表される２価の基を有する化合物に末端封止材として４−アミノベンゾシクロブテンを用いることにより得ることができる。一方、上記で得た一般式（Ｂ）で表される化合物に、式（Ｄ）で表される化合物で末端封止することで、末端に熱硬化性反応基を有する化合物が得られる。
【００２８】
本発明に用いる一般式（２）で表される２価の基を有する化合物あるいは一般式（Ｃ）で表される化合物の製造方法としては、その一例として、酸クロリド法による合成の例を挙げる。まず、前記ジカルボン酸を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの触媒存在下、過剰量の塩化チオニルと、室温から７５℃で反応させ、過剰の塩化チオニルを加熱及び減圧により、留去する。その後、残渣をヘキサン等の溶媒で再結晶することにより、酸クロリドであるジカルボン酸クロリドを得ることができる。次いで、前記ビスアミノフェノール化合物もしくはジアミノジヒドロキシ化合物を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの極性溶媒に溶解し、ピリジン等の酸受容剤存在下で、上記で得たジカルボン酸クロリドと、−３０℃から室温で反応することにより得ることができる。一般式（Ａ）で表される化合物は、上記で得た一般式（２）で表される２価の基を有する化合物に末端封止材として４−アミノベンゾシクロブテンを用いることにより得ることができる。一方、一般式（Ｃ）で表される化合物に、式（Ｄ）で表される化合物で末端封止することで、末端に熱硬化性反応基を有する化合物が得られる。
【００２９】
一般式（Ａ）で表される化合物の構造は、一般式（３）および（４）で表され、一般式（Ｂ）または式（Ｃ）で表される化合物に、式（Ｄ）で表される化合物で末端封止した場合の化合物の構造は、一般式（５）および（６）で表される。一般式（３）〜（６）で表されるポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体は、繰り返し数が少なく、脱水閉環後に、溶剤に溶解するものであれば、予め、脱水閉環を行った後、光導波路材料として用いることもできる。
【００３０】
【化２９】

［式（３）中、ｎは０〜１０００までの整数を示し、Ｒ_ａは４価の有機基を示し、Ｒ_ｂは２価の有機基を示す。Ｒ’は１価の有機基を示す。］
【００３１】
【化３０】

［式（４）中、ｎは０〜１０００までの整数を示し、Ｒ_ａは４価の有機基を示し、Ｒ_ｃは２価の有機基を示す。Ｒ_１、Ｒ_２は１価の有機基を示す。］
【００３２】
【化３１】

［式（５）中、ｎは０〜１０００までの整数を示し、Ｒ_ａは４価の有機基を示し、Ｒ_ｂは２価の有機基を示す。Ｒ’は１価の有機基を示す。］
【００３３】
【化３２】

［式（６）中、ｎは０〜１０００までの整数を示し、Ｒ_ａは４価の有機基を示し、Ｒ_ｃは２価の有機基を示す。Ｒ_１、Ｒ_２は１価の有機基を示す。］
【００３４】
本発明において、このようにして得られたポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体を、加熱または、脱水剤で処理することにより、縮合反応し、脱水閉環して、光導波路材料を得ることができる。前記加熱処理は、例えば、窒素雰囲気中、７０〜３５０℃で２〜５時間加熱することにより行われる。より好ましくは、窒素雰囲気中、１５０℃で３０分、２５０℃で３０分、３５０℃で１時間の条件で段階的に加熱される。
【００３５】
予め、脱水閉環したポリイミドオリゴマ−、ポリベンゾオキサゾールオリゴマ−を光導波路材料として用いる場合も、加熱処理を行い、式（３）および式（４）で表される化合物におけるベンゾシクロブテニル基と式（５）および（６）で表される化合物におけるマレイミド基を熱硬化反応させる。前記加熱処理は、例えば、窒素雰囲気中、７０〜３５０℃で２〜５時間加熱することにより行われる。より好ましくは、窒素雰囲気中、１５０℃で３０分、２５０℃で３０分、３５０℃で１時間の条件で段階的に加熱される。
【００３６】
本発明の光導波路材料は、前記重合体を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用するのが、好ましい。溶剤としては、溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチレエーテル、ジプロピレングリコールモノメチレエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキシプロピオネート等を１種、または２種以上混合して用いることが出来る。
【００３７】
前記ワニスを用いて、導波路を形成する方法としては、まず、適当な支持体、例えば、シリコーンウエハーやセラミック基盤等に塗布する。塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等の方法が挙げられる。このようにして、塗膜を形成した後、加熱処理をして、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリイミド樹脂に変換し、光導波路材料として用いることが好ましい。また、ジアミンとテトラカルボン酸無水物あるいはビスアミノフェノール化合物もしくはジアミノジヒドロキシ化合物とジカルボン酸との組み合わせを選ぶことにより、溶剤に可溶な樹脂組成物を得ることができ、予め、脱水閉環した後、溶剤に溶解して溶液としても良い。
【００３８】
本発明の光導波路用材料は、必要により、各種添加剤として、界面活性剤やカップリング剤等を添加して用いることができる。
【００３９】
本発明の光導波路用材料は、一般に製造されている基板上のシングルモード光導波路、またはマルチモード光導波路と同様の構造に適用できる。例えば、スラブ型、リッジ型、埋め込み型等がある。具体的には、これら導波路の少なくともクラッド層に適用される。更に、コア層にも適用できるが、コア層は、この材料に制限されない。
また、コア層中を、光が伝搬するためには、コア層を形成する光導波路用材料の屈折率が、クラッド層を形成する材料の屈折率よりも、わずかに大きいことが必要で、この条件を満たす材料の選択をしなければならない。シングルモード光導波路を形成する際には、コア層とクラッド層を形成する材料の屈折率差Δは０．３〜１．５％が好ましく、マルチモード光導波路を形成する際には、屈折率差Δは１．０％以上が好ましい。
【００４０】
前記光導波路構造の内、埋め込み型シングルモード光導波路の製造方法について、図１を参照しつつ説明する。
まず、シリコン等の基板１の上に、下部クラッド用として、本発明の光導波路用材料の溶液を、スピンコート等の方法により塗布し、これを加熱等により、硬化して閉環し、樹脂とした下部クラッド層２を得る。次に、この上に、下部クラッド層として用いた前記光導波路用材料より、屈折率が高い本発明の光導波路用材料の溶液を用いて、前記下部クラッド層２を形成した時と同様の方法により、コア層３を形成する。次に、この上に、コアパターンを形成するためのマスク層４を形成する（図１（ａ））。マスク層用材料としては、Ａｌ、Ｔｉ等の金属、ＳｉＯ_２、スピンオングラス（ＳＯＧ）、Ｓｉ含有レジスト、感光性ポリイミド等を用いることができる。
【００４１】
次いで、マスク層４の上に、レジストを塗布して、プリベーク、露光、現像、アフターベークを行い、パターニングされたレジスト層５を得る（図１（ｂ））。次に、レジスト層５で保護されていないマスク層４を、エッチングで除去（図１（ｃ））した後、レジスト層５をエッチング液で除去し、マスク層４で保護されていないコア層３をドライエッチングにより除去する（図１（ｄ））。マスク層４にＳｉ含有レジストや感光性ポリイミドを用いた場合には、フォトレジストを使用する必要はない。
【００４２】
次に、残ったマスク層４を、ドライエッチングや剥離液を用いることにより除去する。（図１（ｅ））。更に、この上に、前記下部クラッド材に用いたものと同じ本発明の光導波路用材料を、スピンコート等で塗布して、上部クラッド層６を形成し、これを加熱など硬化して閉環し樹脂とした上部クラッド層６を得る（図１（ｆ））。
このようにして、光損失等の光導波路特性の良好な樹脂からなるシングルモード光導波路を作製できる。
【００４３】
本発明の光導波路用材料からなるシングルモード光導波路を作製することにより、その光導波路における光損失等の光導波特性の偏光波に対する相違を低減できる。
【００４４】
【実施例】
以下に合成例、実施例により本発明を具体的に説明するが、実施例の内容になんら限定されるものではない。
【００４５】
なお、実施例および比較例で使用する原料は、下記の略号で示した。
ＢＦ−ＤＨ ：２，３，６，７−ビフェニレンテトラカルボン酸二無水物
Ｐ−ＤＨ： ２，３，５，６−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物
６ＦＮ−ＤＨ：１，５−ビス（トリフルオロメチル）−２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
Ｂ−ＤＨ：５，５’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
６Ｆ−ＤＨ：２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
Ｏ−ＤＨ：ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物
８Ｆ２Ａ：４，４’−オキシビスオクタフルオロアニリン
ＢＦ２Ａ：２，７−ジアミノビフェニレン
ＢＰ２Ａ：１，４−ビス（３−ジアミノフェノキシ）ベンゼン
ＢＰＰ２Ａ：４，４’−オキシジアニリン
６ＦＢＦ２Ａ：２，２−ビス（トリフルオロメチル）４，４’−ジアミノビフェニル
４ＦＰ２Ａ：１，４−ジアミノ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼン
６ＦＮ２Ａ：１，５−ジアミノヘキサフルオロナフタレン
ＤＭＰ２Ａ：１，９−ビス（３−アミノプロピル）デカメチルペンタシロキサン
ＢＦ−ＣＣ：１，５−ジカルボン酸の酸クロライド
Ｏ−ＣＣ：４，４’−オキシビス安息香酸の酸クロライド
Ｔ−ＣＣ：テレフタル酸の酸クロライド
Ｓ−ＣＣ：スベリン酸の酸クロライド
ＢＰ−ＣＣ：１，４−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ベンゼン
Ｂ−ＡＰ：１，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシベンゼン
Ｎ−ＡＰ：２，７−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシナフタレン
６Ｆ−ＡＰ：２，２’−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
８Ｆ−ＡＰ：４，４’−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）オクタフルオロビフェニル
ＢＦ−ＡＰ：３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル
ＢＣＣ：４−アミノベンゾシクロブテン
Ｍ−Ｃ：無水マレイン酸
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
ＧＢＬ：γ−ブチロラクトン
【００４６】
実施例及び比較例で作成したフィルムを用いて、特性評価のため、下記の方法により、比誘電率、耐熱性、引張強度、引張弾性率、引張伸びを測定した。
これらの結果は表１にまとめて示した。
１．比誘電率
ＪＩＳ−Ｋ６９１１を準拠し、周波数１００ＫＨｚで、ヒューレットパッカード社製ＨＰ−４２８４Ａ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ ＬＣＲメーターを用いて測定を行った。
２．耐熱性
セイコーインスツルメンツ（株）製ＴＧ／ＤＴＡ６２００を用いて、窒素ガス２００ｍＬ／分フロー下、昇温速度１０℃／分の条件により、重量減少５％の時の温度を測定した。
３．引張強度、引張弾性率、引張伸び
ＪＩＳ−Ｋ７１２７に準拠した。
【００４７】
（ベンゾシクロブテン置換オリゴマーＰＩＯ−１の合成）
還流冷却管のついた３口フラスコにＢＦ−ＤＨ ２９．２ｇ（０．１モル）とＮＭＰ３００ｍｌに加え、この溶液を、温度約５０℃で、窒素雰囲気下に保持しながら、８Ｆ２Ａ １７．２ｇ（０．０５ｍｏｌ）をＮＭＰ１７０ｍｌに溶かした溶液を滴下する。フラスコ内容物を、約５０℃で３０分間加熱した後、ＢＣＣ１２．８ｇ（０．１０７ｍｏｌ）をＮＭＰ１２０ｍｌに溶かした溶液を、一度に加える。次いで、トルエン３００ｍｌを添加し、反応混合物を、ディーン・スタークトラップを用いて、水を除去しながら、１２時間還流加熱する。（温度約１４０℃）。温和な減圧下で溶媒を留去する。残渣を、エタノールを用いて析出させる。この析出物をエタノールで数回洗浄し、これを乾燥して、ベンゾシクロブテン置換オリゴマーＰＩＯ−１を得た。
【００４８】
（ベンゾシクロブテン置換オリゴマーＰＩＯ−２〜４の合成）
前記ベンゾシクロブテン置換オリゴマーＰＩＯ−１と同様の方法で、表１に示す配合にて、ベンゾシクロブテン置換オリゴマーの合成を行った。なお、溶媒はすべてＮＭＰを使用し、全てモノマー濃度が１０％になるような量比で溶解して合成を行った。
【００４９】
【表１】

【００５０】
（ベンゾシクロブテン置換ポリマーＰＩ−１の合成）
還流冷却管のついた３口フラスコに、ＢＦ−ＤＨ ２９．２ｇ（０．１モル）とＮＭＰ２９０ｇを加え、この溶液を、温度約５０℃で、窒素雰囲気下に保持しながら、８Ｆ２Ａ ３４．４ｇ（０．１ｍｏｌ）をＮＭＰ３４０ｍｌに溶かした溶液を、滴下する。フラスコ内容物を、約５０℃で３０分間攪拌した後、ＢＣＣ１２．７ｇ（０．１０７ｍｏｌ）をＮＭＰ１２０ｍｌに溶かした溶液を、一度に加える。次いで、トルエン３００ｍｌを添加し、反応混合物を、ディーン・スタークトラップを用いて、水を除去しながら、１２時間還流加熱する。（温度約１４０℃）。温和な減圧下で溶媒を留去する。残渣を、エタノールを用いて析出させる。この析出物をエタノールで数回洗浄し、これを乾燥して、ベンゾシクロブテン置換ポリマー生成物を得た。
【００５１】
（ベンゾシクロブテン置換ポリマーＰＩ−２〜ＰＩ−７の合成）
前記ベンゾシクロブテン置換ポリマーＰＩ−１と同様の方法で、表２に示す配合にて、ベンゾシクロブテン置換ポリマーの合成を行った。なお、溶媒はすべてＮＭＰを使用し、全てモノマー濃度が１０％になるような量比で溶解して合成を行った。
【００５２】
【表２】

【００５３】
（ビスマレイミドオリゴマーＰＩＯ−Ｍ１の合成）
前記ベンゾシクロブテン置換オリゴマーＰＩＯ−１の合成において、ＢＦ−ＤＨ ２９．２ｇ（０．１モル）をＢＦ−ＤＨ １４．６ｇ（０．０５ｍｏｌ）に、８Ｆ２Ａ １７．２ｇ（０．０５ｍｏｌ）を８Ｆ２Ａ ３４．４ｇ（０．１ｍｏｌ）に、ＢＣＣ １２．８ｇ（０．１０７ｍｏｌ）をＭ−Ｃ １０．５ｇ（０．１０７ｍｏｌ）に置き換えた以外は、ベンゾシクロブテン置換オリゴマーＰＩＯ−１の合成と同様にして、ビスマレイミドオリゴマーＰＩＯ−Ｍ１を得た。
【００５４】
（ビスマレイミドオリゴマーＰＩＯ−Ｍ２〜ＰＩＯ−Ｍ４の合成）
前記ビスマレイミドオリゴマーＰＩＯ−Ｍ１と同様の方法で、表３に示す配合にて、ビスマレイミドオリゴマーの合成を行った。なお、溶媒はすべてＮＭＰを使用し、全てモノマー濃度が１０％になるような量比で溶解して合成を行った。
【００５５】
【表３】

【００５６】
（ビスマレイミドポリマーＰＩ−Ｍ１の合成）
前記ベンゾシクロブテン置換ポリマーＰＩ−１の合成において、ＢＦ−ＤＨ ２９．２ｇ（０．１モル）をＰ−ＤＨ ２１．４ｇ（０．０９８ｍｏｌ）に置き換えた以外は、ベンゾシクロブテン置換ポリマーＰＩ−１の合成と同様にして、ビスマレイミドオリゴマーＰＩ−Ｍ１を得た。
【００５７】
（ビスマレイミドポリマーＰＩ−Ｍ２〜ＰＩ−Ｍ４の合成）
前記ビスマレイミドポリマーＰＩ−Ｍ１と同様の方法で、表４に示す配合にて、ビスマレイミドポリマーの合成を行った。なお、溶媒はすべてＮＭＰを使用し、全てモノマー濃度が１０％になるような量比で溶解して合成を行った。
【００５８】
【表４】

【００５９】
（ベンゾシクロブテン置換オリゴマーＰＢＯ−ＯＢ１の合成）
Ｂ−ＡＰ ７．０ｇ（０．０５ｍｏｌ）を、乾燥したＮＭＰに溶解し、ピリジン １９．８ｇ（０．２５ｍｏｌ）を添加後、乾燥窒素下、−１５℃で、ＧＢＬにＢＦ−ＣＣ ２７．７ｇ（０．１ｍｏｌ）を溶解したものを３０分間かけて滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、室温で５時間攪拌した。その後、反応溶液を、温和の条件下で溶媒を留去する。残渣を大量のイオン交換水に滴下し、再沈殿し、沈殿物を集め、乾燥することにより、ベンゾシクロブテン置換モノマーＰＢＯ−ＯＢ１を得た。
【００６０】
（ベンゾシクロブテン置換オリゴマーＰＢＯ−ＯＢ２〜ＰＢＯ−ＯＢ４の合成）
前記ベンゾシクロブテン置換モノマーＰＢＯ−ＯＢ１と同様の方法で、表５に示す配合にて、ベンゾシクロブテンモノマーの合成を行った。なお、溶媒はすべてＮＭＰとＧＢＬを使用し、全てモノマー濃度が１８％になるような量比で溶解して合成を行った。
【００６１】
【表５】

【００６２】
（ベンゾシクロブテン置換ポリマ−ＰＢＯ−Ｂ１の合成）
４ＦＮ−ＡＰ ２５．７ｇ（０．０９８ｍｏｌ）を、乾燥したＮＭＰに溶解し、ピリジン １９．８ｇ（０．２５ｍｏｌ）を添加後、乾燥窒素下、−１５℃で、ＮＭＰにＢＦ−ＣＣ ２７．７ｇ（０．１ｍｏｌ）を溶解したものを３０分間かけて滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、室温で５時間攪拌した。その後、反応溶液を、大量のイオン交換水に滴下し、再沈殿し、沈殿物を集め、乾燥することにより、ベンゾシクロブテン置換ポリマーＰＢＯ−Ｂ１を得た。
【００６３】
（ベンゾシクロブテン置換ポリマーＰＢＯ−Ｂ２〜ＰＢＯ−３の合成）
前記ベンゾシクロブテン置換ポリマーＰＢＯ−Ｂ１と同様の方法で、表６に示す配合にて、ベンゾシクロブテンポリマーの合成を行った。なお、溶媒はすべてＮＭＰとＧＢＬを使用し、全てモノマー濃度が１８％になるような量比で溶解して合成を行った。
【００６４】
【表６】

【００６５】
（ビスマレイミドオリゴマーＰＢＯ−ＯＭ１の合成）
前記ベンゾシクロブテン置換オリゴマーＰＢＯ−ＯＢ１の合成において、ＢＦ−ＣＣ ２７．７ｇ（０．１モル）をＢＦ−ＣＣ １３．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）に、Ｂ−ＡＰ ７．０ｇ（０．０５ｍｏｌ）を８Ｆ−ＡＰ ３３．８ｇ（０．１ｍｏｌ）に、ＢＣＣ １２．８ｇ（０．１０７ｍｏｌ）をＭ−Ｃ １０．５ｇ（０．１０７ｍｏｌ）に置き換えた以外は、ベンゾシクロブテン置換オリゴマーＰＢＯ−ＯＢ１の合成と同様にして、ビスマレイミドオリゴマーＰＢＯ−ＯＭ１を得た。
【００６６】
（ビスマレイミドオリゴマーＰＢＯ−ＯＭ２〜ＰＢＯ−ＯＭ４の合成）
前記ビスマレイミドオリゴマーＰＢＯ−ＯＭ１と同様の方法で、表７に示す配合にて、ビスマレイミドオリゴマーの合成を行った。なお、溶媒はすべてＮＭＰとＧＢＬを使用し、全てモノマー濃度が１８％になるような量比で溶解して合成を行った。
【００６７】
【表７】

【００６８】
（ビスマレイミドポリマーＰＢＯ−Ｍ１の合成）
前記ベンゾシクロブテン置換ポリマーＰＢＯ−Ｂ１の合成において、ＢＦ−ＣＣ ２７．７ｇ（０．１モル）をＴ−ＣＣ １９．９ｇ（０．０９８ｍｏｌ）に、４ＦＮ−ＡＰ２５．７ｇ（０．０９８ｍｏｌ）を８Ｆ−ＡＰ ３３．８ｇ（０．１ｍｏｌ）に、ＢＣＣ １２．８ｇ（０．１０７ｍｏｌ）をＭ−Ｃ １０．５ｇ（０．１０７ｍｏｌ）に置き換えた以外は、ベンゾシクロブテン置換ポリマーＰＢＯ−Ｂ１の合成と同様にして、ビスマレイミドオリゴマーＰＢＯ−Ｍ１を得た。
【００６９】
（ビスマレイミドポリマーＰＢＯ−Ｍ２〜ＰＢＯ−Ｍ４の合成）
前記ビスマレイミドポリマーＰＢＯ−Ｍ１と同様の方法で、表８に示す配合にて、ビスマレイミドポリマーの合成を行った。なお、溶媒はすべてＮＭＰとＧＢＬを使用し、全てモノマー濃度が１８％になるような量比で溶解して合成を行った。
【００７０】
【表８】

【００７１】
（ＰＩＯ−１のフィルム化）
ＰＩＯ−１をＮＭＰに溶解させ、得られた溶液をスピンコート法でシリコンウェハ上に塗布し、３２０℃で熱硬化した硬化物を、メトリコン社製プリズムカプラにて、１３００ｎｍの波長で測定した屈折率は１．５９０であった。
【００７２】
このを、シリコンウェハ上に、スピンコートした後、オーブン中１５０℃／３０分、２５０℃／３０分、３５０℃／１時間の順で加熱し、試験フィルムを得た。
この試験フィルムを用いて、各種特性を評価し、その結果を表９に示す。
【００７３】
（ＰＩＯ−１〜ＰＢＯ−４のフィルム化）
ＰＩＯ−１のフィルム化と同様の方法で、表に示した樹脂組成物を使用して、光導波路材料用のフィルムを作製し、評価を行った結果を、表９−１２に合わせて示した。全ての材料が、耐熱性、機械特性、耐溶剤性に優れたものであることが分かった。
【００７４】
【表９】

【００７５】
【表１０】

【００７６】
【表１１】

【００７７】
【表１２】

【００７８】
（ＰＩＯ−ＢＭ１のフィルム化）
ＰＩＯ−１ ３０ｇとＰＩＯ−Ｍ１ ３０ｇをＮＭＰに溶解させ、得られた溶液をスピンコート法でシリコンウェハ上に塗布し、３２０℃で熱硬化した硬化物を、メトリコン社製プリズムカプラにて、１３００ｎｍの波長で測定した屈折率は１．５９０であった。
【００７９】
このを、シリコンウェハ上に、スピンコートした後、オーブン中１５０℃／３０分、２５０℃／３０分、３５０℃／１時間の順で加熱し、試験フィルムを得た。
この試験フィルムを用いて、各種特性を評価し、その結果を表１３に示す。
【００８０】
（ＰＩＯ−ＢＭ２〜ＰＢＯ−ＢＭ４のフィルム化）
ＰＩＯ−ＢＭ１のフィルム化と同様の方法で、表に示した樹脂組成物と配合量で溶液を調整し、光導波路材料用のフィルムを作製し、評価を行った結果を、表１３−１４に合わせて示した。全ての材料が、耐熱性、機械特性、耐溶剤性に優れたものであることが分かった。
【００８１】
【表１３】

【００８２】
【表１４】

【００８３】
実施例１
光導波路の製造；
合成して得た樹脂組成物ＰＩＯ−１溶液を、スピンコート法により、シリコン基板上に塗布して成膜した。形成した薄膜は、３５０℃で１時間加熱することにより硬化し、下部クラッド層とした。次いで、この上に、合成して得たＰＩＯ−２溶液を用いて、スピンコート法により、コア層を形成した。形成したコア層は、３５０℃で１時間加熱することにより硬化した。
【００８４】
次に、このコア層上に、膜厚０．３μｍのアルミニウム層を蒸着し、マスク層を形成した。次に、このアルミニウム層上に、ポジ型フォトレジスト（ジアゾナフトキノン−ノボラック樹脂系、東京応化製、商品名ＯＦＰＲ−８００）を、スピンコート法により塗布した後、約９５℃でプリベークを行った。次に、パターン形成用のフォトマスク（Ｔｉ）に、超高圧水銀ランプにより、紫外線を照射した後、ポジ型レジスト用現像液（ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、東京応化製、商品名ＮＭＤ−３）を用いて現像した。その後、１３５℃でポストベークを行った。これにより、線幅８μｍを有する直線状のレジストパターンが得られた。次に、アルミニウムのウエットエッチングを行い、レジストパターンをアルミニウム層に転写した。更に、パターニングされたアルミニウムをマスクとして、コア層のポリイミド樹脂を、ドライエッチングにより加工した。次に、ポリイミドの上層にあるアルミニウムを、エッチング液で除去した。更に、この上に、下部クラッド層と同じＰＩＯ−１溶液を、スピンコートにより塗布した。この塗膜を、３５０℃で１時間熱処理して、上部クラッドを形成した。最後に、光導波路の両端を、ダイシングソーで切り落として、光の入出射端面を形成した。このようにして、シリコン基板上に埋め込み型シングルモード光導波路が得られた。
【００８５】
上記で得られた光導波路には、クラックは無く、波長１．３μｍと１．５５μｍにおける光伝搬損失値を、導波路を切断することにより、長さを変えて、それぞれの長さにおける伝達光量を測定し、その伝達光量と長さの関係から光伝搬損失値を算出する方法、即ち、カットバック法を用いて算出したところ、波長１．３μｍで０．５ｄＢ／ｃｍ以下、１．５５μｍで０．６ｄＢ／ｃｍ以下であった。結果を表−２に示す。また、挿入損失の偏波依存性は波長１．３μｍでも波長１．５５μｍでも０．４ｄＢ／ｃｍ以下であった。さらに、この光導波路の損失は、７５℃で相対湿度９０％の条件以下に置いて、１ヶ月以上変動しなかった。
【００８６】
実施例２〜２４は、表１５−１７に示す樹脂組成物の組み合わせにより、実施例１と同様にして、埋め込み型シングルモード光導波路を作製し、評価を行った。評価結果を表１５−１７に示す。
【００８７】
【表１５】

【００８８】
【表１６】

【００８９】
【表１７】

【００９０】
（比較例１〜４）
実施例１と同様の方法で、表に示した樹脂組成物をクラッド層、コア層に用い、これら以外は、実施例１と同様にして、埋め込み型シングルモード光導波路を作製し、評価した。結果を表１８に示す。
【００９１】
【表１８】

【００９２】
【発明の効果】
本発明によれば、電気特性、耐熱性、低吸水性、及び透明性に優れた樹脂を得ることができた。また、この樹脂を用いることにより、低価格で、大面積化を実現することができ、特に、反りが少なく、また光通信に利用される近赤外波長領域で透明度が高い光導波路用材料が得られ、光損失の小さい光導波路に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による埋め込み型光導波路の作成方法の一例を示す工程図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 下部クラッド層
３ コア層
４ コアパターンを形成するためのマスク層
５ レジスト層
６ 上部クラッド層

Claims (12)

1. 一般式（Ａ）で表される構造を有する化合物からなる光導波路用材料。
   

   

   ［式（Ａ）中、Ｘは２価の有機基を示す。］
2. 前記化合物に、一般式（Ｂ）で表される化合物または一般式（Ｃ）で表される化合物と、式（Ｄ）で表される反応性末端封止剤とを含んで反応させて得られる化合物を反応してなる請求項１記載の光導波路用材料。
   

   

   

   ［式（Ｂ）、式（Ｃ）中、ｎは０〜１０００までの整数を示し、Ｒ_ａは４価の有機基を示し、Ｒ_ｂおよびＲ_ｃはそれぞれ２価の有機基を示す。Ｒ’、Ｒ_１およびＲ_２はそれぞれ１価の有機基を示す。］
   

   
3. 一般式（Ａ）で表される化合物が、一般式（Ａ）におけるＸとして、一般式（１）または一般式（２）で表される２価の基を有するものである請求項１又は請求項２記載の光導波路用材料。
   

   

   

   ［式（１）、式（２）中、ｎは０〜１０００までの整数を示し、Ｒ_ａは４価の有機基を示し、Ｒ_ｂおよびＲ_ｃはそれぞれ２価の有機基を示す。Ｒ’、Ｒ_１およびＲ_２はそれぞれ１価の有機基を示す。］
4. 一般式（１）で表される２価の基が、一般式（１）におけるＲ_ａとして、式（Ｅ）および式（Ｆ）で表される基の中から選ばれる４価の基を有するものである請求項３記載の光導波路用材料。
   

   

   

   ［式（Ｅ）および式（Ｆ）中、ベンゼン環上の水素原子は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、フッ素原子、及びトリフルオロメチル基の中から選ばれる、少なくとも１個の基で置換されていても良い。］
5. 一般式（２）で表される２価の基が、一般式（２）におけるＲ_ａとして、式（Ｅ）および式（Ｆ）で表される基の中から選ばれる４価の基を有するものである請求項３記載の光導波路用材料。
6. 一般式（Ｂ）で表される化合物が、一般式（Ｂ）におけるＲ_ａとして、式（Ｅ）および式（Ｆ）で表される基の中から選ばれる４価の基を有するものである請求項２〜５のいずれかに記載の光導波路用材料。
7. 一般式（Ｃ）で表される化合物が、一般式（Ｃ）におけるＲ_ａとして、式（Ｅ）および式（Ｆ）で表される基の中から選ばれる４価の基を有するものである請求項２〜６のいずれかに記載の光導波路用材料。
8. 一般式（Ｂ）で表される化合物が、一般式（Ｂ）におけるＲ_ｂとして、式（Ｇ）、式（Ｈ）および式（Ｉ）で表される基の中から選ばれる２価の基を有するものである請求項２〜７のいずれかに記載の光導波路用材料。
   

   

   

   

   ［式（Ｉ）中、ｃは１〜１０までの整数であり、ｄは１〜２０までの整数である。］
9. 一般式（１）で表される２価の基が、一般式（１）におけるＲ_ｂとして、式（Ｇ）、式（Ｈ）および式（Ｉ）で表される基の中から選ばれる２価の基を有するものである請求項３〜８のいずれかに記載の光導波路用材料。
10. 一般式（Ｃ）で表される化合物が、一般式（Ｃ）におけるＲ_ｃとして、式（Ｊ）、式（Ｋ）および式（Ｌ）で表される基の中から選ばれる２価の基を有するものである請求項２〜９のいずれかに記載の光導波路用材料。
    

    

    

    

    ［式（Ｌ）中、ｅは１〜１０までの整数である。］
11. 一般式（２）で表される２価の基が、一般式（２）におけるＲ_ｃとして、式（Ｊ）、式（Ｋ）および式（Ｌ）で表される基の中から選ばれる２価の基を有するものである請求項２〜１０のいずれかに記載の光導波路用材料。
12. 請求項１〜１１のいずれかに記載の光導波路用材料を用いて、コア層及び／又はクラッド層が形成されていることを特徴とする光導波路。

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